CN101286516A - 有源矩阵衬底,液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种有源矩阵衬底，包括衬底，形成在衬底上的栅极线，数据线，形成在衬底上从而与栅极线交叉，公共线，其形成在大致平行于栅极线延伸的衬底上，像素，形成在由栅极线和数据线围绕的区域中，以及开关元件，形成在栅极线和数据线的交点附近。像素包括像素电极以及与像素电极交替地布置并连接到数据线的相对电极。开关元件包括连接到公共线的第一电极，以及连接到像素电极的第二电极。
Description
文献引用
本申请基于并要求了2007年4月11日提交的日本专利申请No.2007-104179的优先权的权益，其全部内容通过引用被集及于此。
1.技术领域
本发明涉及一种有源矩阵衬底和液晶显示(LCD)面板，以及具体来说，涉及一种TFT衬底上的有源矩阵衬底，其中在所述TFT衬底上形成像素电极和相对电极，以及涉及一种具有TFT衬底的面内切换(IPS)型LCD面板，其中所述TFT衬底具有所述有源矩阵衬底。
2.背景技术
考虑到例如薄、重量轻以及低功耗的优点，液晶显示(LCD)设备被广泛地用作视听设备以及办公室自动化设备的显示设备。LCD设备包括LCD面板以及背光单元，该背光单元向LCD面板提供背光，其中液晶夹在TFT衬底和相对衬底之间。相对衬底通常配置有滤色器和黑矩阵，同时TFT衬底以矩阵形式配置有诸如TFT(薄膜晶体管)的开关元件。
通常，液晶显示器的操作方式分为TN(扭曲向列)型和IPS型。在TN型中，在垂直于TFT衬底的平面中旋转对准的液晶分子的主轴方向(以下，称为LC定向器)，同时IPS型在平行于TFT衬底的平面中旋转LC定向器。
在IPS型LCD面板中，每一个像素电极和每个相对电极被设置为彼此平行且交替地形成在TFT衬底上。通过在像素和相对电极之间施加电压以及形成平行于衬底表面的电场，从而改变LC定向器分子，且由此控制透射光的量。在IPS型中，由于LC定向器在平行于衬底表面的平面中旋转，因此能够避免TN型中的如下问题，即，当从LC定向器的方向观看时以及当从TFT衬底的法线方向观看时，透射光量以及施加电压之间的关系具有很大差异。因此，在IPS型中，可以获得大范围的观看角。(参见，例如，JP-2004-280130)。
然而，在IPS型LCD设备中，液晶分子仅仅在一个方向上旋转，并且导致了如下问题，即，当从倾斜方向看时在白色显示状态中出现了着色。为了解决这个问题，像素电极和公共电极被设计用于在一个像素中分别具有弯折结构。
图8示出了平面图，其典型地表示包含在现有技术的IPS型LCD设备中的TFT衬底中的一个像素的结构。
如图8所示，现有技术的TFT衬底包括：栅极线11，其在图纸的水平方向上延伸，公共线(所谓的COM线)12，邻近与其近似平行的栅极线，数据线13，其在大致正交于栅极线11的方向上延伸，TFT 16，其配置在栅极线11和数据线13的交叉点附近，线形像素电极14和相对电极15，近似平行于数据线13，配置在栅极线11和数据线13围绕的区域中，以及屏蔽公共线20，邻近数据线13的两侧，屏蔽来自数据线13的泄漏电场，并且具有相对电极15的功能。
相对电极15连接到公共线12。像素电极14通过TFT 16连接到数据线13。相对电极15和像素电极14以预定间隔交替地布置并且被弯折以降低显色。此外，在栅极线11的方向上延伸的域稳定电极17形成在每个弯折点处。调节液晶分子的旋转方向的反向旋转防止结构18被形成在相对电极15和像素电极14的每个端部处。
如图10所示，通过利用以下步骤制造上述TFT衬底。
在玻璃衬底上形成金属膜(步骤B1)。通过利用光刻蚀法从金属膜图案化栅极线11、栅电极、公共线12、相对电极15和屏蔽公共线20(步骤B2)。
连续地形成栅极绝缘膜和半导体层以覆盖先前图案化的膜(步骤B3)。随后，通过利用光刻蚀法，半导体层被图案化为预定形状(步骤B4)。
通过利用光刻蚀法形成金属膜并图案化为数据线13、TFT 16的源/漏电极和像素电极14，由此使得TFT 16的源电极连接到数据线13，同时TFT 16的漏电极连接到像素电极14(步骤B5)。
形成钝化绝缘膜以覆盖先前图案化的膜(步骤B6)。这时，通过利用光刻蚀法在其需要的位置处形成接触孔(步骤B7)。然而，在该实例中，由于现有技术说明了在像素区域处不需要接触孔的结构，因此附图中没有示出接触孔。除像素区域之外，在周围的电路区域中会需要接触孔。
将参考图8描述IPS型LCD面板的操作。通过向所选择的栅极线11施加导通电压，与所述栅极线11相关的TFT 16导通，从而从数据线13向每一个像素电极14施加信号电压。
公共电压(所谓的COM电压)总是施加到相对电极15，以及由此像素电极14和相对电极15之间的电势差被累积并维持在存储电容部分(图8中的存储器19)以及液晶电容中。经由绝缘膜而重叠像素电极14和相对电极15从而形成了存储电容。在像素电极14和相对电极15之间的液晶部分中形成液晶电容。
栅极线11变换到断开电压，随后，像素电极14被电气地与数据线13断开，以及由于通过存储电容和液晶电容进行的电容耦合而变成相对于相对电极15的浮置状态。
由于当进入晶体管导通状态时相对电极14总是处于预定的公共电位以及像素电压被维持在信号电压，因此也维持了在所选择的像素处被施加到液晶的电势差，以及可以维持由向所选择的栅极线施加导通电压而导致的液晶分子的方向变化状态。
然而，在IPS型LCD设备中，像素电极和相对电极之间的水平或者横向电场受到邻近的其他电位的影响，由此改变了电场强度以及导致了不稳定的显示状态。为了改善显示状态，在数据线旁边配置了屏蔽公共线。用作像素中的开口的面积变小，以及导致了孔径比(开口面积与像素面积的比)降低的问题。
此外，由于数据线不是由像素开口组成的电极，所以用作开口的面积变得更小，以及进一步降低了孔径比。
发明内容
本发明的示例性目的在于提供一种有源矩阵衬底或者TFT衬底，其具有改善的孔径比，以及提供一种具有所述TFT衬底的IPS型LCD面板。
根据本发明的示例性方面的有源矩阵衬底包括衬底，形成在衬底上的栅极线，数据线，形成在衬底上从而与栅极线交叉，公共线，其形成在大致平行于栅极线延伸的衬底上，像素，形成在由栅极线和数据线围绕的区域中，以及开关元件，形成在栅极线和数据线的交点附近。像素包括像素电极以及与像素电极交替地布置并连接到数据线的相对电极。开关元件包括连接到公共线的第一电极，以及连接到像素电极的第二电极。
根据本发明的另一方面，面内开关型的液晶显示面板包括有源矩阵衬底，与该有源矩阵衬底相对的相对衬底，以及夹在所述有源矩阵衬底和相对衬底之间的液晶。所述有源矩阵衬底包括衬底，形成在衬底上的栅极线，数据线，其被形成为大致垂直于栅极线，公共线，其被形成为大致平行于栅极线，像素，形成在由栅极线和数据线围绕的区域中，以及开关元件，形成在栅极线和数据线的交点附近。像素包括像素电极以及与像素电极交替地布置并连接到数据线的相对电极。开关元件包括连接到公共线的第一电极，以及连接到像素电极的第二电极。
根据本发明的另一方面，一种制造有源矩阵衬底的制造方法包括：形成包括栅电极的栅极线，大致平行于所述栅极线的公共线，和在衬底上大致垂直于公共线的像素电极；以及形成大致平行于像素电极并经过栅电极附近的数据线，连接到数据线并与所述像素电极交替地布置的相对电极，以及开关元件，具有连接到公共线的第一电极和连接到像素电极的第二电极。
附图说明
利用附图，根据以下详细说明，本发明的示例性优点和特征将变得明显，其中：
图1示出了根据第一示例性实施例的IPS型LCD面板中的TFT衬底的像素的平面图；
图2示出了根据第二示例性实施例的IPS型LCD面板中的TFT衬底的像素的平面图；
图3示出了根据第三示例性实施例的IPS型LCD面板中的TFT衬底的像素的平面图；
图4示出了根据第四示例性实施例的IPS型LCD面板中的TFT衬底的像素的平面图；
图5示出了根据第五示例性实施例的IPS型LCD面板中的TFT衬底的像素的平面图；
图6示出了根据第六示例性实施例的IPS型LCD面板中的TFT衬底的像素的平面图；
图7示出了根据第七示例性实施例的IPS型LCD面板中的TFT衬底的像素的平面图；
图8示出了现有技术的IPS型LCD面板中的TFT衬底的像素的平面图；
图9示出了根据示例性实施例的IPS型LCD面板中的TFT衬底的制造工序的流程图；以及
图10示出了现有技术的IPS型LCD面板中的TFT衬底的制造工序的流程图。
具体实施方式
现在，将参考附图详细地描述本发明的示例性实施例。
示例性实施例1
将参考图1描述根据第一示例性实施例的有源矩阵衬底以及具有所述有源矩阵衬底或者TFT衬底的IPS型LCD面板。
LCD设备包括LCD面板以及背光单元，在该LCD面板中，液晶夹在有源矩阵衬底和相对衬底之间。如图1所示，该示例性实施例的有源矩阵衬底(TFT衬底)包括：栅极线(扫描线)1，其在图纸中的水平方向上延伸，公共线(COM线)2，邻近并近似平行于栅极线1，以及数据线(信号线)3，该数据线3在大致垂直于栅极线1的方向上延伸，TFT 6的开关元件，配置在栅极线1和数据线3的交点附近，以及线形的像素电极4和相对电极5，平行于数据线3，配置在由栅极线1和数据线3围绕的区域中。像素电极4和相对电极5以预定间隔交替地布置。
在现有技术的TFT衬底中，如图8所示，相对电极15连接到公共线12，以及像素电极14通过TFT 16连接到数据线13。在现有技术的TFT衬底中，由于通过来自数据信号的泄漏电场而使得电场强度发生改变，因此在数据线旁边配置了屏蔽公共线。由于数据线本身不是包括开口的电极，因此用作开口的面积变小。相应地，存在孔径比降低的问题。
相应地，在该示例性实施例中，TFT 6的一个电极(在该示例性实施例中，源电极)连接到公共线2，以及其他电极(在该示例性实施例中，漏电极)连接到像素电极4。相对电极5连接到数据线3。即，公共电压被施加到像素电极。
以下，将参考图9具体地描述制造上述结构的TFT衬底的方法。
通过利用溅射方法等在诸如玻璃或者塑料的透明衬底上形成诸如铬(Cr)的金属层(步骤A1)。通过利用光刻蚀法图案化栅极线1、栅电极、公共线2以及像素电极4(步骤A2)。
连续地形成诸如二氧化硅膜或者氮化硅膜的栅极绝缘膜以及诸如非晶硅或者多晶硅的半导体层，以覆盖先前图案化的膜(步骤A3)。随后，通过利用光刻蚀法，半导体层被图案化为预定形状(步骤A4)。
通过利用溅射法等形成诸如Cr的金属膜，并通过利用光刻蚀法图案化为数据线3、源/漏电极和相对电极5(步骤A5)。
通过利用等离子CDV方法等在金属膜上形成诸如二氧化硅膜或者氮化硅膜的钝化绝缘膜(步骤A6)。随后，通过利用光刻蚀法在其需要的位置处形成接触孔10(步骤A7)。
在绝缘膜上形成诸如氧化铟锡(ITO)的透明导电膜，以及通过利用光刻蚀法图案化为连接，从而通过接触孔10将金属层与金属膜相连接(步骤A8)。用于导电的材料不局限于诸如ITO的透明导电膜。在不使用最上层的情况下，在形成金属膜之前可以在绝缘膜中形成接触孔，以及金属层以及金属膜可以直接导电连接。
在上述TFT衬底的情况下，通过向栅极线1施加导通电压，连接到栅极线的TFT 6变为导通状态，以及公共电压被施加到每一个像素电极4。
通过向数据线3施加与图像数据相对应的电压信号，在连接到数据线3的相对电极5和像素电极4之间产生了电势差。在像素电极4和相对电极5通过绝缘膜层叠的存储电容部分(存储9)中累积并维持该电势差，以及在像素电极4和相对电极5之间的液晶部分的电容中、在液晶电容中累积并维持该电势差。
像素电极4电气地与公共线2断开，并且通过将栅极线1改变到断开电压，像素电极4被转变为相对于相对电极15的浮置状态，在该浮置状态中，通过存储电容和液晶电容进行电容耦合。
当数据线电压变为该状态时，像素电压也发生改变。然而，维持了相对电极5和像素电极4之间的电势差，随后，也维持了施加到液晶的电压，以及可以维持利用叠加电压的方向变化状态。
公共电压被施加到像素电极4，以及数据线3和相对电极5处于相同的电位。即使不配置常规的屏蔽公共线，数据信号的泄漏电场也不影响液晶分子的方向。由于数据线3作为相对电极5，因此可以省略其中一个常规的相对电极5。可以增大开口的面积，从而改善孔径比。
不必说，图1是范例。只要像素电极4被形成在与栅极线1和公共线2相同的层中，以及相对电极5被形成在与数据线3相同的层中，同时公共线2连接到TFT 6的源电极，像素电极4连接到漏电极，以及相对电极5连接到数据线3，那么每条线和每个电极的形状、布置、数量或者材料都可以适当地改变。
示例性实施例2
将参考图2描述根据第二示例性实施例的有源矩阵衬底以及具有所述有源矩阵衬底的IPS型LCD面板。
如图2所示，像素电极4以及相对电极5由最上层(与栅极线1、公共线2以及数据线3相比更靠上)的导电膜(透明导电膜，诸如ITO)制成。
在该示例性实施例中，存储电容包括连接到像素电极4的上部存储电极(存储9的上层侧上的电极)以及连接到数据线3的下部存储电极(存储9的下层侧上的电极)。
相对电极5通过接触孔10a连接到下部存储电极，相对电极处于与数据线3相同的电位。为了在相同层上形成一组相对电极5，在数据线3上配置形状与数据线3相同的相对电极5，以及通过接触孔10b连接数据线3和相对电极5。
公共电压被施加到像素电极4，同时数据线3和相对电极5处于相同的电位。即使不配置常规的屏蔽公共线，数据信号的泄漏电场也不影响液晶分子的方向。由于数据线3作为相对电极5，因此可以省略其中一个常规的相对电极5。可以增大开口的面积，从而改善孔径比。
不一定需要由数据线3上的最上层的导电膜制成的相对电极5。最上层导电膜不局限于诸如ITO的透明导电膜。图2是一个范例。只要像素电极4和相对电极5由最上层导电膜制成，以及公共线2和像素电极4分别连接到TFT 6的源和漏电极，同时相对电极5连接到数据线3，那么每条线和每个电极的形状、布置、数量或者材料都可以适当地改变。
示例性实施例3
将参考图3描述根据第三示例性实施例的有源矩阵衬底以及具有所述有源矩阵衬底的IPS型LCD面板。
如图3所示，像素电极4由最上层(与栅极线1、公共线2和数据线3相比更靠上)的导电膜(透明导电膜，诸如ITO)制成，而相对电极5由金属膜制成。上述像素电极通过接触孔连接到漏电极。
公共电压被施加到像素电极4，以及数据线3和相对电极5处于相同电位，即使不配置常规的屏蔽公共线，来自数据信号的泄漏电场也不会影响液晶分子的方向。由于数据线3作为相对电极5，因此可以省略其中一个相对电极5。可以增大开口的面积，从而改善孔径比。
相对电极5和下部存储电极处于相同的层中，接触孔(图2中接触孔10a和10b)在存储部分中不是必需的。与第二示例性实施例相比，可以进一步增大存储电容和孔径比。
图3是一个范例。只要像素电极4由最上层导电膜制成，相对电极5被形成在与数据线3相同的层中，以及公共线2和像素电极4分别连接到TFT 6的源和漏电极，同时相对电极5连接到数据线3，那么每条线和每个电极的形状、布置、数量或者材料都可以适当地改变。
示例性实施例4
将参考图4描述根据第四示例性实施例的有源矩阵衬底以及具有所述有源矩阵衬底的IPS型LCD面板。
如图4所示，在第一示例性实施例的结构中，公共线2被配置在与金属层不同的层中(在该示例性实施例中，在金属层和金属膜之间)。
公共电压被施加到像素电极4，以及数据线3和相对电极5处于相同电位，即使不配置常规的屏蔽公共线，来自数据信号的泄漏电场也不会影响液晶分子的方向。由于数据线3作为相对电极5，因此可以省略其中一个相对电极5。可以增大开口的面积，从而改善了孔径比。
在该示例性实施例中，TFT 6的源电极和公共线2可以形成在相同层中，以及可以省略接触孔(图1的接触孔10)。可以容易地实现该示例性实施例。
金属膜可以配置在金属层的上层中，以及金属膜可以低于公共线的下层。图4是一个范例。只要像素电极4被形成在与公共线2相同的层中，相对电极5被形成在与数据线3相同的层中，以及公共线2和像素电极4分别连接到TFT 6的源和漏电极，同时相对电极5连接到数据线3，那么每条线和每个电极的形状、布置、数量或者材料都可以适当地改变。
示例性实施例5
将参考图5描述根据第五示例性实施例的有源矩阵衬底以及具有所述有源矩阵衬底的IPS型LCD面板。
如图5所示，公共线2被配置在与第二示例性实施例中的金属层不同的层(在该示例性实施例中，在金属层和金属膜之间)中。
公共电压被施加到像素电极4，以及数据线3和相对电极5处于相同电位，即使不配置常规的屏蔽公共线，来自数据信号的泄漏电场也不会影响液晶分子的方向。由于数据线3作为相对电极5，因此可以省略其中一个相对电极5。可以增大开口的面积，从而改善了孔径比。
在该示例性实施例中，TFT 6的源电极和公共线2可以形成在相同的层处，以及可以部分地省略接触孔。可以容易地实现该示例性实施例。像素电极和相对电极通过接触孔分别连接到漏电极和数据线。
图5是一个范例。只要像素电极4和相对电极5形成在最上层中，以及公共线2和像素电极4分别连接到TFT 6的源和漏电极，同时相对电极5连接到数据线3，那么每条线和每个电极的形状、布置、数量或者材料都可以适当地改变。
示例性实施例6
将参考图6描述根据所述第六示例性实施例的有源矩阵衬底以及具有所述有源矩阵衬底的IPS型LCD面板。
如图6所示，第五示例性实施例的公共线2被纵向连接，并且加强了COM电压电源电容。
由于公共电压被施加到像素电极4，以及数据线3和相对电极5处于相同电位，即使不配置常规的屏蔽公共线，来自数据信号的泄漏电场也不会影响液晶分子的方向。由于数据线3作为相对电极5，因此可以省略其中一个相对电极5。可以增大开口的面积以改善孔径比。
图6是一个范例。只要像素电极4和相对电极5形成在最上层中，以及公共线2和像素电极4分别连接到TFT 6的源和漏电极，同时相对电极5连接到数据线3，那么每条线和每个电极的形状、布置、数量或者材料都可以适当地改变。
示例性实施例7
将参考图7描述根据第七示例性实施例的有源矩阵衬底以及具有所述有源矩阵衬底的IPS型LCD面板。
如图7所示，公共线2被配置在与第三示例性实施例中的金属层不同的层(在该示例性实施例中，在金属层和金属膜之间)中。相对电极通过接触孔连接到数据线。
公共电压被施加到像素电极4，以及数据线3和相对电极5处于相同电位，即使不配置常规的屏蔽公共线，来自数据信号的泄漏电场也不会影响液晶分子的方向。由于数据线3作为相对电极5，因此可以省略其中一个相对电极5。可以增大开口的面积以改善孔径比。
在图7中，尽管为了说明而没有在数据线3上配置电极，但是也可以在数据线上布置最上层的电极。图7是一个范例。只要像素电极4被形成在与公共线2相同的层中，相对电极5被形成在最上层中，以及公共线2和像素电极4分别连接到TFT 6的源和漏电极，同时相对电极5连接到数据线3，那么每条线和每个电极的形状、布置、数量或者材料都可以适当地改变。
本发明不局限于上述示例性实施例，以及像素电极3和相对电极4可以具有直线形状。可以省去域稳定极7或者反向旋转防止结构8。在上述的每个示例性实施例中，TFT 6具有反向交错型(底栅型)，其中栅电极被布置在半导体层之下而源/漏电极被布置在半导体层之上。然而，所述TFT也可以具有交错型(顶栅型)，其中源/漏电极被布置在半导体层之下而栅电极被布置在半导体层之上。
根据示例性实施例的LCD面板包括夹在上述有源矩阵衬底和相对衬底之间的液晶。
在示例性实施例中，由于数据线和相对电极处于相同电位，即使不配置用于电气地屏蔽数据线的线，来自数据信号的泄漏电场也不会影响液晶分子的方向。由于数据线作为相对电极，因此可以很大程度上确保用作开口的面积，从而改善了孔径比。
根据示例性实施例的有源矩阵衬底和具有所述有源矩阵衬底的IPS型LCD面板，可以获得大孔径比。
由于公共电压被施加在像素电极中，以及数据线和相对电极处于相同电位，因此来自数据信号的泄漏电场不会干扰液晶分子的方向。不需要用于电气地屏蔽数据线的布线。
由于数据线作为相对电极，因此可以省略其中一个相对电极。
可以在很大程度上确保用作像素电极和相对电极之间开口的面积，由此孔径比较高并且可以获得高亮的显示特性。
尽管已经参考其示例性实施例具体地示出了以及描述本发明，但本发明不局限于这些实施例。应当认为，在不背离如权利要求书中定义的本发明的精神和保护范围的情况下，本领域普通技术人员可以理解能够做出各种形式和细节的变化。
进一步，发明人意图是即使在法律程序期间修改权利要求书时也保留请求保护的本发明的所有等价物。
Claims (11)
1.一种有源矩阵衬底，包括
衬底；
形成在衬底上的栅极线；
数据线，形成在衬底上从而与栅极线相交；
公共线，形成在大致平行于栅极线延伸的衬底上；
像素，形成在由栅极线和数据线围绕的区域中，包括：
像素电极；以及
相对电极，与像素电极交替地布置并连接到数据线；以及
开关元件，形成在栅极线和数据线的交点附近，包括：
连接到公共线的第一电极；以及
连接到像素电极的第二电极。
2.根据权利要求1的有源矩阵衬底，其中所述像素电极形成在与栅极线和公共线相同的层中，以及
相对电极形成在与数据线相同的层中。
3.根据权利要求1的有源矩阵衬底，其中所述像素电极形成在栅极线、公共线和数据线上的第一层中，以及所述像素电极通过第一接触孔连接到第二电极，以及
相对电极形成在栅极线、公共线和数据线上的第二层中，以及通过第二接触孔连接到数据线。
4.根据权利要求3的有源矩阵衬底，进一步包括：
第二相对电极，形成在数据线上的第三层中，以及形成在衬底的法线方向上与数据线交叠的第二区域中。
5.根据权利要求1的有源矩阵衬底，其中像素电极形成在栅极线、公共线和数据线上的层中，以及通过接触孔连接到第二电极，以及
相对电极形成在与数据线相同的层中。
6.根据权利要求1的有源矩阵衬底，其中公共线形成在栅极线上的层中，
像素电极形成在与公共线相同的层中，以及
相对电极形成在与数据线相同的层中。
7.根据权利要求1的有源矩阵衬底，其中公共线形成在栅极线上的第一层中；
像素电极形成在栅极线、公共线和数据线上的第二层中，以及通过第一接触孔连接到第二电极，以及
相对电极形成在栅极线、公共线和数据线上的第三层中，以及通过第二接触孔连接到所述数据线。
8.根据权利要求7的有源矩阵衬底，其中彼此邻近的公共线沿着数据线连接。
9.根据权利要求1的有源矩阵衬底，其中公共线形成在栅极线上的第一层中，
像素电极形成在与公共线相同的层中，以及
相对电极形成在栅极线、公共线和数据线上的第二层中，并通过接触孔连接到数据线。
10.一种面内开关型液晶显示面板，包括：
有源矩阵衬底，包括：
衬底；
栅极线，形成在衬底上；
数据线，形成为大致垂直于栅极线；
公共线，形成为大致平行于栅极线；
像素，形成在由栅极线和数据线围绕的区域中，包括：
像素电极；以及
相对电极，其与所述像素电极交替地布置并连接到所述数据线；以及
开关元件，形成在栅极线和数据线的交点附近，包括：
连接到公共线的第一电极；以及
连接到像素电极的第二电极；
相对衬底，与所述有源矩阵衬底相对；以及
液晶，夹在所述有源矩阵衬底和相对衬底之间。
11.一种制造有源矩阵衬底的方法，包括：
在衬底上形成包括栅电极的栅极线，大致平行于所述栅极线的公共线，和大致垂直于公共线的像素电极；以及
形成大致平行于像素电极并穿过栅电极附近的数据线，连接到数据线并与所述像素电极交替地布置的相对电极，以及开关元件，该开关元件具有连接到公共线的第一电极和连接到像素电极的第二电极。
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