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CN101266835A - 包含多用户可选编程模式的非易失存储设备及相关的方法 - Google Patents

包含多用户可选编程模式的非易失存储设备及相关的方法 Download PDF

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CN101266835A
CN101266835A CNA2008100951459A CN200810095145A CN101266835A CN 101266835 A CN101266835 A CN 101266835A CN A2008100951459 A CNA2008100951459 A CN A2008100951459A CN 200810095145 A CN200810095145 A CN 200810095145A CN 101266835 A CN101266835 A CN 101266835A
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CN
China
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memory
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bit data
mlc
flash memory
Prior art date
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Application number
CNA2008100951459A
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李奉烈
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Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

一种存储器系统，包括闪存，存储器控制器以及MLC模式选择器。该闪存包括至少一个存储器单元，该存储器单元被配置成将多比特数据存储在其内。MLC模式选择器被配置成响应于用户选择而产生一个用以指示在存储器单元中是否存储单比特数据还是多比特数据的模式选择信号。该存储器控制器被配置成根据来自MLC模式选择器的模式选择信号，用于在单级单元(SLC)模式中操作闪存来存储单比特数据，或者在多级单元(MLC)模式中操作闪存来存储多比特数据。该存储器设备可以被配置成存储关于存储器单元的编程模式信息，其中该信息表明在其内存储的是单比特数据还是多比特数据。此外，在这里还论述了相关的系统和操作方法。

Description

包含多用户可选编程模式的非易失存储设备及相关的方法
技术领域
本本发明涉及场电子学，尤其涉及电子存储器系统。
背景技术
使用非易失存储器的便携式设备正在日益普及。例如，非易失存储器可以用作MP3播放器、数码相机、移动电话、摄像放像机、闪存卡、固态磁盘(SSD)等设备中的存储器单元。
随着基于非易失存储器的存储单元应用的增长，存储容量同样也在提升。其中一种用于提升存储容量的方法可以包括在一个单位存储器单元中存储多个数据位的多级单元(MLC)模式。
图1是常规存储器系统的框图。参见图1，存储器系统100可以包括主机110、存储器控制器120以及闪存130。
存储器控制器120可以包括缓存存储器121。闪存130可以包括单元阵列131以及页面缓存器132。虽然在图1中并未显示，但是闪存130还可以包括解码器、数据缓存器以及控制单元。
存储器控制器120可以接收来自主机110的数据和写入命令，并且可以通过控制闪存130而将接收数据写入单元阵列131。此外，该存储器控制器120用于控制闪存130，以便响应从主机110提供的读取命令而从单元阵列131中读取数据。
缓存存储器121可以临时存储那些将要写入和/或从闪存130中读取的数据。由此，缓存存储器121可以将数据传送到主机110或闪存130。
闪存130的单元阵列131可以包括多个存储单元。这些存储单元可以具有非易失属性，由此，在存储了数据之后，这些存储单元可以在没有电力的情况下保持其数据。页面缓存器132可以用于存储将要写入的数据和/或从选定页面中读取的数据。
闪存130的存储器单元可以根据能够存储的数据比特数量而被分成单级单元(SLC)或多级单元(MLC)。SLC可以存储单比特数据，而MLC则可以存储多比特数据。
首先，设想一个用单位单元存储单个数据比特的SLC。该SLC可以依照阈值电压的分配而以两种模式进行操作。在编程操作之后，该SLC可以存储数据为‘1’或‘0’。存储‘1’的存储器单元可以正处于擦除状态，而存储‘0’的存储器单元则可以正处于编程状态。处于擦除状态的存储器单元可以被称为‘接通单元’，而处于编程状态的存储器单元则可以被称为‘断开单元’。
闪存130可以采用一次一个页面的方式来实施编程操作。在编程操作过程中，该存储器控制器120可以通过缓存存储器121而将数据逐页传送至闪存130。
页面缓存器132可以临时存储那些从缓存存储器121加载的数据，并且可以将加载数据编程到选定页面中。在完成了编程操作之后，可以执行一个编程核实操作，以便核实是否正确编程了数据。
根据编程核实操作的结果，如果所指示的是失败，那么所述编程和程序核实操作可以结合递增的程序电压来重复执行。在完全编程了与一个页面相对应的数据之后，这时可以接收用于下一个编程操作的下一个数据。
接下来设想的是用一个单位单元来存储多比特数据的MLC。图2显示的是用于将2比特数据、也就是最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)编程到单个存储器单元之中的过程。
参见图2，根据阈值电压的分配，存储器单元可以通过编程而具有四种状态11，01，10和00中的一种状态。用于编程LSB的过程与前述SLC模式是相似的。处于‘11’状态的存储器单元可以依照LSB来进行编程，从而具有虚线所示的状态‘A’。
存储器控制器120可以将页面数据(与一个页面相对应的数据)从缓存存储器121传送到闪存130，以便对MSB进行编程。参见图2，处于状态‘A’的存储器单元可以被编程到‘00’状态(程序1)或‘10’状态(程序2)。同时，依照MSB，具有‘11’状态的存储器单元既可以保持在‘11’状态，也可以被编程到‘01’状态(程序3)。
图3显示的是用于对2比特数据进行编程的附加过程。参见图3，处于‘11’状态的存储器单元可以被编程到‘10’状态(程序1)或是‘01’状态(程序3)。同样，当处于‘10’状态时，存储器单元可以被编程到‘00’状态(程序2)。
参见图1，存储器系统100可以借助前述过程而将多比特数据编程到闪存130的单元阵列131中。也就是说，通过对LSB进行编程以及将MSB编程到已经使用LSB进行编程的存储器单元中，可以对多比特数据进行编程。
MLC可以用于提高存储器芯片上的区域存储容量。虽然MLC可以提升存储器芯片的存储容量，但是在编程和/或读取方面，MLC的速度有可能低于SLC。例如，SLC可以在大约200μs中编程，而MLC则可以在大约800μs中编程。
此外，MLC的差错概率大于SLC。例如，在编程过程中，即使在对LSB进行编程的过程中没有出现差错，但在对MSB进行编程的时候仍旧会产生差错。在这种情况下，LSB数据有可能会因为疏忽而丢失。特别地，对安全性数据这类数据完整性非常重要的数据来说，过程操作中出现的差错有可能是很难解决的。此外，用户也未必使用闪存设备的全部数据存储容量。举例来说，如果MLC闪存具有8Gb(吉比特)的存储容量，那么某些用户有可能只使用大约1Gb。
发明内容
本发明的某些实施例提供的是一种可以依照用户选择而在SLC或MLC模式中工作的存储器系统。
根据本发明的某些实施例，存储器设备包括：闪存，包括被配置成在其中存储多位数据的至少一个存储器单元，MLC模式选择器，配置成响应于用户选择产生用以指示在存储器单元中是否存储单比特数据还是多比特数据的模式选择信号，以及存储器控制器，配置成基于来自MLC模式选择器的模式选择信号，在单级单元(SLC)编程模式中操作闪存来存储单比特数据，或者在多级单元(MLC)编程模式中操作闪存来存储多比特数据。
在某些实施例中，闪存可以配置成存储指示在其内是否存储单比特数据还是多比特数据的程序模式信息。存储器控制器可以配置成根据程序代码信息来而在SLC模式或MLC模式中执行读取操作。
在某些实施例中，闪存可以包括被配置成存储程序模式信息的存储器单元阵列。例如，闪存的存储器单元阵列可以包括数据和备用字段，并且程序模式可以保存在备用字段中。在其他实施例中，闪存的存储器单元阵列可以包括多个存储块，并且程序模式信息可以存入所述多个存储块中的一个存储块。
在某些实施例中，闪存和存储器控制器可以集成在存储卡上。MLC模式选择器可以处于存储卡外部。例如，MLC模式选择器可以采用按钮或开关的形式安装在存储卡的外表面上。
在其他实施例中，存储器控制器可以包括被配置成根据模式选择信号而控制闪存以SLC模式或MLC模式编程的控制单元。该存储器控制器还可以包括被配置成存储那些将要编程到闪存中的数据和/或从闪存中读取的数据。在某些实施例中，闪存可以是NAND闪存。
根据本发明的其他实施例，存储器系统包括：存储器控制器，它被配置成根据响应于用户选择所产生的模式选择信号，通过在单级单元(SLC)程序代码中操作闪存设备来将单比特数据存入其存储器单元，或者在任何一种多级单元(MLC)程序模式中操作闪存设备，以便将多比特数据存入存储器单元。该存储器控制器还被配置成存储关于存储器单元的程序模式信息，其中该信息表示存储在其中的是单比特数据还是多比特数据。
在某些实施例中，闪存设备和存储器控制器可以集成在存储卡中。MLC模式选择器可以位于存储卡外部。例如，MLC模式选择器可以是存储卡外表面上的按钮或开关。
在其他实施例中，存储器控制器可以包括：控制单元，它被配置成根据模式选择信号来控制闪存设备以SLC模式或MLC模式闪存编程，缓存存储器单元，它被配置成存储那些将要编程到闪存设备中的数据和/或从闪存设备中读取的数据。例如，该控制单元可以包括被配置成存储程序模式信息的MLC模式存储单元。该MLC模式存储单元可以是电可擦写可编程制度存储器。
在某些实施例中，存储器控制器可以被配置成根据程序模式信息而在SLC模式或MLC模式中执行读取操作。
根据本发明的另一个实施例，一种用于操作存储器设备的方法包括：响应于用户选择而产生模式选择信号，其中该信息表示的是在被配置成在其中存储多比特数据的闪存设备的存储器单元中是否存储单比特数据还是多比特数据。根据模式选择信号，所述闪存设备用于在单级单元(SLC)程序模式中存储单比特数据，或者在多级单元(MLC)模式中操作存储多比特数据。
在某些实施例，其中可以为存储器单元存储编程模式信息，该信息指示的是在其内存储的是否是单比特数据还是多比特数据。例如，程序编程信息可以保存在闪存设备的存储器控制器和.或闪存设备自身之中。读取操作则可以根据编程模式信息而在SLC模式或MLC模式中执行。
附图说明
图1是常规存储器系统的框图；
图2和3是显示用于将多比特数据编程到存储器单元中的常规过程的图示；
图4是依照本发明某些实施例的存储器系统的框图；
图5是进一步描述依照某些实施例并且在图4中显示的MLC模式选择器的示意图；
图6是进一步描述依照其他实施例并且在图4中显示的MLC模式选择器的示意图；
图7是依照本发明其他实施例的存储器系统的框图；以及
图8是依照本发明其他实施例的存储器系统的框图。
具体实施方式
在下文中将会参见显示了发明实施例的附图来对本发明进行更详细的描述。但是，本发明是可以采用多种不同形式来实施的，并且不应该被解释成是仅限于这里阐述的实施例。相反，通过提供这些实施例，可以使本公开更为全面和完整，并且向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，层和区域的大小以及相对大小是可以扩大的。
应该理解的是，在将某个部件称为“处于……之上”、“连接到”或“耦合到”另一个部件时，它既可以直接位于所述其他部件或层的上方、直接连接或者耦合到所述其他部件或层，也可以存在中间部件。与之相比，在将某个部件称为“直接位于……之上”，“直接连接到”或者“直接耦合到”另一个部件时，这时是没有中间部件存在的。在全文中，相同的数字指示的是相同的部件。这里使用的术语“和/或”包含了一个或多个被列举的关联项目的任何一种以及所有组合。
应该理解的是，虽然在这里可以使用术语第一、第二、第三等等来描述不同的部件、组件、区域、层和/或部分，但是这些部件、组件、区域、层和/或部分是不受这些术语的限制的。这些术语仅仅用于将一个部件、组件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开来。由此，下文论述的第一部件、组件、区域层或部分可以被称为第二部件、组件、区域、层或部分，而这并未脱离本发明的教导。
对这里使用的术语而言，其目的仅仅是为了描述特定的实施例，而不是对本发明进行限制。除非在上下文中以别的形式清楚指示，否则这里使用的单数形式“一”、“一个”和“该”还包含了复数形式。此外还应该理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，这些术语规定了所陈述的特征、整体、步骤、操作、部件和/或组件的存在，但是并不排除附加或是存在一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、部件、组件和/或其群组。
除非以别的方式进行定义，否则，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)都具有本发明所属领域的普通技术人员一般理解的相同含义。此外还应该理解的是，对这些术语、例如在常用字典中定义的术语来说，该术语应该被解释成具有与其在相关技术上下文中的含义相符合的含义，除非在这里明确定义，否则不应该用一种理想化或过于形式的意义来解释。
图4是依照本发明某些实施例的存储器系统的框图。参见图4，存储器系统200包括MLC模式选择器210，存储器控制器220以及闪存230。该闪存230被配置成在单个(或单位)存储器单元中存储多比特数据。
在图4中，存储器控制器220和闪存230可以包含在单个的存储卡中。举例来说，这个存储卡可以是多媒体卡(MMC)、安全数字(SD)卡、eXtremeDigital(XD)卡、紧凑型闪速(CF)卡或用户标识模块(SIM)卡。该存储卡可以与主机(未显示)结合使用，其中该主机可以是个人计算机、笔记本或膝上型计算机、移动电话、MP3播放器和/或便携式多媒体播放器(PMP)。
MLC模式选择器210用作为闪存230选择操作模式(SLC或MLC模式)。如图5所示，可以从存储卡访问MLC模式选择器210，和/或使用与图6所示的计算机系统相连的鼠标和/或键盘来访问。
图5描述的是在存储卡外部提供MLC模式选择器210的实施方式。参见图5，SD卡包括处于卡的外部的MLC模式选择器。该MLC模式选择器210可以作为一个或多个按钮和/或作为与写保护开关相类似的开关来实现。图5显示的是以按钮形式实施的MLC模式选择器。
例如，当用户按下按钮#1时，存储器系统将会工作在SLC模式。当用户按下按钮#2时，存储器系统将会工作在2比特MLC模式。当用户按下按钮#3时，存储器系统将会工作在3比特MLC模式。当用户按下按钮#4时，存储器系统将会工作在4比特MLC模式。虽然图5显示的是作为SD卡的存储器系统，但是本发明也可以采用相似方式而在其它类型的存储卡(例如MMC或xD卡)中使用。
图6描述的是在计算机系统中用下拉菜单形式来提供MLC模式选择器210的实施方式，其中该计算机系统可以使用鼠标和/或键盘来访问。参见图6，当用户希望将某个文件(例如‘06175937’)拷贝到移动存储介质(例如SD卡)时，该用户可以借助鼠标和/或键盘来选择移动存储介质的程序模式(例如‘SLC模式’，‘2比特MLC’，‘3比特MLC’，‘4比特MLC’)。
参见图4，用户可以借助MLC模式选择器210来选择闪存230的SLC或MLC模式。在某些实施例中，其中有可能有若干种MLC模式是可以使用的，例如能够在单位存储器单元中存储2个比特的2比特MLC模式，能够在单位存储器单元中存储3个比特的3比特MLC模式，能够在单位存储器单元中存储4个比特的4比特MLC模式。
MLC模式选择器210响应于来自用户的操作模式选择而产生一个模式选择信号MOD。该模式选择信号MOD被提供到控制单元221。该控制单元221用于基于模式选择信号MOD在SLC或MLC模式中控制闪存230。
存储器控制器220用于控制闪存230的所有功能(例如写入和读取功能)。参见图4，存储器控制器220包括控制单元221以及缓存存储器222。控制单元221用于依照输入命令来控制缓存存储器222以及闪存230。该控制单元221接收来自MLC模式选择器210的模式选择信号MOD，并且控制闪存230的编程模式。
缓存存储器222用于存储那些将要写入闪存230的数据和/或从闪存230中读取的数据。存储在缓存存储器222中的数据可以由控制单元221传送到闪存230或主机(未显示)。该缓存存储器222可以作为随机存取存储器(RAM)来实现，例如静态或动态RAM。
仍旧参见图4，闪存230包括单元阵列231，解码器232，页面缓存器233，位线选择电路234，数据缓存器235以及控制单元236。图4举例描述的是NAND闪存；但是，其他闪存类型同样可以依照本发明的某些实施例来选择可选的编程模式。
单元阵列231包括多个存储块(未显示)。每一个存储块包括多个存储页面(例如32个页面)。每一个页面则包括多个存储器单元(例如512或2K字节)。在NAND闪存中，其中是以一次一个块的方式来执行擦写操作的，而读取和写入操作则是以一次一个页面的方式执行的。
当在单位存储器单元中存储2比特数据时，根据阈值电压的分布，每一个存储器单元都具有四种状态或电平。在下文中将会描述一种在单位存储器单元中存储2比特数据的情况。但是，本发明的实施例也可以用于在单位存储器单元中存储比2比特更多的多比特数据(例如3或4比特)。
每一个页面都可以根据模式选择信号MOD而在SLC或MLC模式中工作。同样，一个页面的一个单位存储器单元既可以存储单比特数据，也可以存储多比特数据(例如2比特数据)。一个页面可以包括一个或多个MLC。在图4中，选定的页面Page0包含的是单个的MLC(用黑点标记)。这个MLC(在这里也将其称为MLC模式单元)存储器的是关于选定页面Page0的编程模式的信息(在这里也将其称为编程模式信息)，也就是SLC或MLC模式。
单元阵列231可以分成数据和备用字段。如果单位页面大小是528字节，那么在数据字段中将会存储512个字节，而在备用字段则会存储16个字节。MLC模式单元包含在空闲字段中。在编程操作过程中，闪存230将会存储处于空闲字段MLC模式单元中的选定页面Page0的编程模式的信息。该闪存230依照在MLC模式单元中设置的编程模式信息而在SLC或MLC模式中执行读取操作。
解码器232在控制单元236的控制下通过字线WL0-WLn而与单元阵列相连。该解码器232接收来自存储器控制器220的地址ADDR，并且通过产生选择信号Yi来表示字线(例如WL0)和/或位线(BL)。页面缓存器233通过位线BL0-BLm而与单元阵列231相连。
页面缓存器233存储那些从缓存存储器222加载的数据。用于一个页面的数据被加载到页面缓存器233中。所加载的数据是在编程操作中在选定页面(例如Page0)编程的。此外，在读取操作过程中，页面缓存器233还从选定页面Page0读取数据，并且将所读取的数据临时保存在其中。保存在页面缓存器233中的数据是响应于读使能信号nRE(未显示)而被传送到缓存存储器222的。
位线选择电路234被配置成响应于选择信号Yi来选择位线。数据缓存器235充当的是用于存储器控制器220与闪存230之间的数据传输的输入/输出缓存器。而控制单元236则接收来自存储器控制器220的控制信号，从而控制闪存230的内部操作。
相应地，根据本发明某些实施例的存储器系统200包括MLC模式选择器223。该MLC模式选择器223响应于用户做出的选择来产生模式选择信号MOD。控制单元221依照该模式信号MOD而允许在SLC或MLC模式中编程闪存230。在编程操作过程中，该闪存230将关于编程模式(SLC或MLC模式)的信息保存在选定页面Page0的备用字段中，并且依照所存储的模式信息来实施读取操作。
由此，根据本发明某些实施例的存储器系统可以被配置成在SLC或MLC模式中存储数据。同样，用户可以以数据容量和/或安全性为代价来日高编程的速度和/或降低差错概率。
图7是依照本发明其他实施例的存储器系统的框图。参见图7，存储器系统300包括MLC模式选择器310，存储器控制器320以及闪存330。存储器控制器320包括控制单元321以及缓存存储器322。这些部件的功能可以与上文中参见图4描述的相应部件相同，由此将会省略关于这些部件的进一步描述。
参见图7，单元阵列231包括多个存储块BLK0-BLKn以及BLKn’。每一个存储块包括多个页面(未显示)。每一个页面都能依照模式选择信号MOD而在SLC或MLC模式中工作。更为特别的是，页面的每一个存储块都是响应于模式选择信号MOD来保存单比特数据或多比特数据(例如2比特)的。
在多个存储块，BLKn’中，一个或多个存储块包含了至少一个MLC。如图7所示，关于编程模式的信息是保存在特定存储块BLKn’而不是每一个页面的备用字段中的。换句话说，闪存330在特定存储块BLKn’中存储了关于选定页面(例如Page0；参见图4)的编程模式(SLC或MLC模式)的所有信息。由此，闪存330将会根据保存在特定存储块BLKn’中的编程模式信息而在SLC或MLC模式中实施读取操作。
图8是根据本发明其他实施例的存储器系统的框图。参见图8，存储器系统400包括MLC模式选择器410，存储器控制器420以及闪存430。存储器控制器420包括控制单元421以及缓存存储器422。
参见图8，控制单元421包括MLC模式选择单元425。该MLC模式选择单元425存储的是关于编程模式(SLC或MLC模式)的信息。更为特别的是，在存储器控制器420的控制单元421的MLC模式存储单元425中，存储器控制器420将会存储关于选定页面(例如Page0)的编程模式(SLC或MLC模式)的信息。由此，存储器控制器420将会依照保存在MLC模式存储单元425中的编程模式信息而在SLC或MLC模式中实施闪存430的读取操作。MLC模式存储单元425可以作为寄存器和/或电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)来实现。
如上所述，在本发明的某些实施例中，用户可以确定闪存的编程模式。由此，举例来说，基于将要保存的特定数据的特性(也就是大小或重要性)，用户可以通过选择SLC模式来选择增强编程速度以及降低数据差错率，或者通过选择MLC模式来选择扩展数据容量。
概括地说，根据本发明的某些实施例，用户可以选择闪存的编程模式。由此，根据特定的数据特性，本发明的某些实施例可以允许用户通过选择SLC模式来选择数据差错减少的更快的编程操作，或是通过选择一个或多个MLC模式来选择提高的数据容量。
上述主题被认为是说明性而不是限制性的，并且附加权利要求旨在覆盖所有这些落入本发明的真实实质和范围以内的修改、增强以及其他实施例。由此，在法律所允许的最大限度以内，本发明的范围是通过以最广泛的可允许方式解释后续权利要求及其等价物而被确定的，并且不应该受前文中的详细描述的限制或限定。
本申请依照35U.S.C§119要求根据2007年1月17日提交的韩国专利申请No.10-2007-052252的优先权，其中该申请公开在这里被全部引入作为参考。

Claims (23)

1.一种存储器设备，包括：
闪存，它包含了至少一个被配置成在其内存储多比特数据的存储器单元；
MLC模式选择器，它被配置成响应于用户选择来产生用以指示在存储器单元中是否存储单比特数据或是多比特数据的模式选择信号；以及
存储器控制器，它被配置成根据来自MLC模式选择器的模式选择信号，通过操作闪存在单级单元(SLC)编程模式中存储单比特数据，或者在多级单元(MLC)编程模式中存储多比特数据。
2.权利要求1的存储器设备，其中闪存被配置成存储关于存储器单元的编程模式信息，其中该信息指示的是在其内存储的是否是单比特数据或是多比特数据，以及其中存储器控制器被配置成根据编程模式信息而在SLC模式或MLC模式中执行读取操作。
3.权利要求2的存储器设备，其中闪存包括被配置成存储编程模式信息的存储器单元阵列。
4.权利要求3的存储器设备，其中该存储器单元阵列包括数据字段和备用字段，并且其中该编程模式信息保存在存储器单元阵列的备用字段中。
5.权利要求3的存储器设备，其中该存储器单元阵列包括多个存储块，并且其中编程模式信息被保存在多个存储块中的一个存储块中。
6.权利要求1的存储器设备，其中闪存和存储器控制器集成在存储卡中。
7.权利要求6的存储器设备，其中MLC模式选择包括处于存储卡外表面上的按钮。
8.权利要求6的存储器设备，其中MLC模式选择器包括处于存储卡外表面上的开关。
9.权利要求1的存储器设备，其中该存储器控制器包括：
控制单元，它被配置成根据模式选择信号而在SLC模式或MLC模式中控制闪存的编程；以及
缓存存储器单元，它被配置成存储那些将要编程到闪存中的数据和/或从闪存中读取的数据。
10.权利要求1的存储器设备，其中闪存包括NAND类型的闪存。
11.一种存储器系统，包括：
存储器控制器，它被配置成根据响应于用户选择所产生的模式选择信号，通过在单级单元(SLC)程序代码中操作闪存设备来将单比特数据存入其存储器单元，或者在任何一种多级单元(MLC)编程模式中操作闪存设备，以便将多比特数据存入存储器单元，其中该存储器控制器还被配置成存储关于存储器单元的编程模式信息，其中该信息表示存储在其中的是否是单比特数据或是多比特数据。
12.权利要求11的存储器系统，还包括闪存设备，其中该闪存设备和存储器控制器集成在存储卡中。
13.权利要求12的存储器系统，还包括：
MLC模式选择器，配置成响应于用户选择来产生模式选择信号，其中该信号指示的是在存储器单元中是否存储单比特数据或是多比特数据，
其中该MLC模式选择器处于存储卡外部。
14.权利要求13的存储器系统，其中MLC模式选择器包括处于存储卡外表面上的按钮。
15.权利要求13的存储器系统，其中MLC模式选择器包括处于存储卡外表面上的开关。
16.权利要求11的存储器系统，其中该存储器控制器包括：
控制单元，它被配置成根据模式选择信号而在SLC模式或MLC模式中控制闪存设备的编程；以及
缓存存储器单元，它被配置成存储将要编程到闪存中的数据和/或从闪存中读取的数据。
17.权利要求16的存储器系统，其中控制单元包括被配置成存储编程模式信息的MLC模式存储单元。
18.权利要求17的存储器系统，其中MLC模式存储单元包括电可擦写可编程只读存储器。
19.权利要求11的存储器系统，其中该存储器控制器被配置成根据编程模式信息而在SLC模式或MLC模式中执行读取操作。
20.权利要求12的存储器系统，其中闪存设备包括NAND闪存存储卡。
21.一种操作存储器设备的方法，该方法包括：
响应于用户选择而产生模式选择信号，其中该信息表示的是在被配置成存储多比特数据的闪存设备的存储器单元中是否存储单比特数据或是多比特数据；以及
根据模式选择信号，通过在单级单元(SLC)编程模式中操作闪存设备来存储单比特数据，或者通过在多级单元(MLC)模式中操作闪存设备来存储多比特数据。
22.权利要求21的方法，还包括：
存储关于存储器单元的编程模式信息，其中该信息指示的是保存在其中的是否是单比特数据或是多比特数据。
23.权利要求22的方法，还包括：
根据编程模式信息而在SLC模式或MLC模式中执行读取操作。
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