CN101114126A - 一种ito图案的形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种ITO图案的形成方法，包括以下步骤：A1.在基板上涂布感光性光刻胶；B1.通过曝光、显影将基板上欲形成ITO图案的部分上的感光性光刻胶去除；C1.在该基板上镀上ITO膜；D1.对该基板进行脱膜处理，将剩余的感光性光刻胶及附着在其上的ITO膜层去除，得到所需ITO图案的基板。本发明不需要ITO膜层的刻蚀步骤，从而大幅降低了生产成本，避免了图形出现短路、断路的现象，提高了产品的品质，避免了酸刻液对设备的腐蚀和其造成的危险。

Description

一种ITO图案的形成方法

【技术领域】

本发明涉及一种在一平面基板上形成ITO图案的方法，特别涉及一种用于平面显示器中ITO图案的形成方法。

【背景技术】

ITO，即氧化铟锡(indium-tin oxide)是一种透明电极材料。ITO薄膜具有良好的导电性和可见光的透过性，广泛应用于平面显示如液晶显示器(LCD)等高科技产品中。

在平面显示中，为了得到想要的图形，需要将ITO蚀刻成特定的图案，通过IC驱动控制ITO电极的导通与否，从而控制平面显示器中的每个象素(pixel)的显示效果。

目前ITO图案的形成方式大致包含下列步骤：

如图1A所示，在真空镀膜机中以溅镀的方式形成ITO膜层11于基板10上。

如图1B所示，均匀涂布一层感光性光刻胶12于ITO膜层11上。

如图1C所示，使用光罩13通过曝光、显影等步骤图案化感光性光刻胶12以形成图案化感光层12。

如图1D所示，以蚀刻的方法将图案化感光层12的图案转移至ITO层11以形成所需要的图案化ITO结构。

如图1E所示，用脱膜液移除图案化感光层12。

然而，这种传统的ITO图案的形成方法却有以下三个问题：

(1)在形成ITO图案时，由于需要通过ITO刻蚀工序图案化ITO层，这就增加了制作成本；

(2)在形成ITO图案时，由于ITO膜刻蚀不干净，图形会出现短路，而ITO膜刻蚀过度，则图形变差或被蚀断，造成断路或者蚀刻过度，影响了产品品质；以及

(3)由于ITO蚀刻液为酸液，因此会腐蚀设备并造成危险。

【发明内容】

本发明的主要目的就是为了解决上述问题，提出一种ITO图案的形成方法，减少繁杂昂贵的制造程序，降低制造成本并提高产品品质。

为实现上述目的，本发明提供了一种ITO图案的形成方法，包括以下步骤：

A1、在基板上涂布感光性光刻胶；

B1、通过曝光、显影将基板上欲形成ITO图案的部分上的感光性光刻胶去除；

C1、在该基板上镀上ITO膜；

D1、对该基板进行脱膜处理，将剩余的感光性光刻胶及附着在其上的ITO膜层去除，得到所需ITO图案的基板。

其中，所述步骤A1中的感光性光刻胶优选采用正性光刻胶。

所述步骤A1中涂布的感光性光刻胶膜厚为1.0～1.1um。

所述步骤A1中的基板为玻璃基板或柔性基板。

所述步骤A1中的基板还可以直接是彩色滤光片基板。

所述步骤C1中镀ITO膜的镀膜温度优选小于或等于230℃。

所述步骤C1中镀ITO膜采用的是真空磁控溅射镀膜。

所述步骤D1中的脱膜处理所用的脱膜液优选KOH溶液，所述KOH溶液的浓度为5％。

本发明通过在基板上均匀涂布感光性光刻胶，通过曝光、显影步骤将欲溅镀ITO的基板部分裸露出来，而不欲镀ITO膜的部分则被该感光性光刻胶覆盖；将该基板置于真空镀膜机中，溅镀ITO膜；对该基板进行脱膜处理，将该感光性光刻胶及附着在其上的ITO膜层去除，从而得到所需ITO图案的基板，具体具有以下有益效果：

1、该方法不需要ITO膜层的刻蚀步骤，从而大幅降低了生产成本。

2、该方法不需要ITO膜层的刻蚀步骤，避免了由于ITO膜刻蚀不干净，图形出现短路的现象，和由于ITO膜刻蚀过度，图形变差或被蚀断，造成断路或者蚀刻过度，从而提高了产品的品质。

3、该方法不需要ITO膜层的刻蚀步骤，从而避免了酸刻液对设备的腐蚀和其造成的危险。

本发明的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。

【附图说明】

图1A至图1E为现有技术形成ITO图案方法的基本步骤示意图；

图2A至图2D为本发明所提出的ITO图案形成方法的基本步骤示意图；

图3为本发明所提出的ITO图案形成方法的基本流程示意图。

【具体实施方式】

请参阅图2A至图2D，其为本发明ITO图案形成方法的基本步骤示意图，图3为本发明ITO图案形成方法的基本流程示意图，包括以下步骤：

在步骤31，首先准备好基板20，基板20可以显示器(例如液晶显示器、OLED显示器)面板的基板，也可以是彩色滤光片基板，可以是玻璃基板或柔性基板(例如塑料基板)，然后进行步骤32；

在步骤32，如图2A所示，在基板20上均匀涂布感光性光刻胶21，该感光性光刻胶21为正性光刻胶，以旋涂或辊涂的方式均匀地形成于该基板20上，光刻胶滴管沿长轴方向来回移动，将光刻胶滴入两个圆筒状的滚轴的间隙间，通过滚动使光刻胶均匀的分布在涂胶辊上，然后将光刻胶转移之基板上。感光性光刻胶21的膜层厚度需兼顾对欲保留ITO部分的保护和刻蚀时间，一般为1.0～1.1um，优选为1um。还可进一步通过预烘将该感光性光刻胶21中的溶剂蒸发，同时增加基板20和该感光性光刻胶21的粘合力。然后进行步骤33；

在步骤33，如图2B所示，用光罩22将不欲溅镀ITO膜的基板部分遮住，而使欲溅镀ITO的基板部分经过紫外光照射使该部分的感光性光刻胶21降解，再通过显影将被降解的感光性光刻胶21去除，由于紫外光通过光罩22后会发生散射，因此从垂直于基板20的截面看，对应于其下方的感光性光刻胶21会呈梯形降解而去除，而留下的该感光性光刻胶21呈倒梯形排列。然后进行步骤34；

在步骤34，如图2C所示，将经过显影后的基板置于真空镀膜机中，通过磁控溅射的方法溅镀ITO膜层23，该ITO膜层23的厚度远小于该感光性光刻胶21的厚度，ITO膜层的厚度依据电阻的不同而不同，电阻越小，ITO膜层越厚，如：面电阻是100Ω/□的ITO膜层厚度在25±5nm，面电阻为5Ω/□的ITO膜层厚度在350±20nm。而在垂直于基板20的截面，该感光性光刻胶21呈倒梯形排列，因此，可以使该感光性光刻胶21侧面部分在镀完ITO膜后仍裸露出来。同时，由于该感光性光刻胶21是由有机成分组成，故镀膜时温度应控制在230℃以下。然后进行步骤35；

在步骤35，如图2D所示，将镀完ITO膜的基板进行脱膜处理，即将剩余的感光性光刻胶及附着在其上的ITO膜层去除，得到所需ITO图案的基板。脱膜液是浓度为5％的KOH溶液，该脱膜液不断腐蚀该感光性光刻胶21裸露在外的部分，同时，由于该感光性光刻胶21的不断侵蚀，其上方的ITO膜层23与基板20脱离。正性光刻胶感光后还可以用其它碱液去除，用KOH一方面是KOH比较便宜，另一方面是去除效果好。由于本发明是侧向腐蚀，因此碱液浓度要稍高，并可适当对碱液加热，加快去膜速度。

由于经过紫外光照射和显影后，从垂直于基板20的截面看，留下的该感光性光刻胶21呈倒梯形排列，而通常对ITO图案的线路宽度也有一定要求，所以在设置光罩22时应注意光罩22和基板之间的间距，保证ITO图案的线路宽度符合要求。

综上所述，本发明能够大幅降低ITO刻蚀制程中的生产成本，有效地提升产品的品质，同时能保证安全生产及防止设备腐蚀。实为一兼具产业利用性、新颖性、以及进步性的改良方法。

在未脱离本发明所揭示的精神下，对本发明进行的等效改变或修饰，均应包含在权利要求书的范围内。

Claims (9)

1.一种ITO图案的形成方法，其特征在于包括以下步骤：

A1、在基板上涂布感光性光刻胶；

B1、通过曝光、显影将基板上欲形成ITO图案的部分上的感光性光刻胶去除；

C1、在该基板上镀上ITO膜；

D1、对该基板进行脱膜处理，将剩余的感光性光刻胶及附着在其上的ITO膜层去除，得到所需ITO图案的基板。

2.如权利要求2所述的ITO图案的形成方法，其特征在于：所述步骤A1中的感光性光刻胶是正性光刻胶。

3.如权利要求1或2所述的ITO图案的形成方法，其特征在于：所述步骤A1中涂布的感光性光刻胶膜厚为1.0～1.1um。

4.如权利要求3所述的ITO图案的形成方法，其特征在于：所述步骤A1中的基板为玻璃基板或柔性基板。

5.如权利要求3所述的ITO图案的形成方法，其特征在于：所述步骤A1中的基板为彩色滤光片基板。

6.如权利要求1至3中任一项所述的ITO图案的形成方法，其特征在于：所述步骤C1中镀ITO膜的镀膜温度小于或等于230℃。

7.如权利要求6所述的ITO图案的形成方法，其特征在于：所述步骤C1中镀ITO膜采用的是真空磁控溅射镀膜。

8.如权利要求6所述的ITO图案的形成方法，其特征在于：所述步骤D1中的脱膜处理所用的脱膜液为KOH溶液。

9.如权利要求8所述的ITO图案的形成方法，其特征在于：所述KOH溶液的浓度为5％。

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