[go: up one dir, main page]

CN101036237A - 织构化发光二极管 - Google Patents

织构化发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN101036237A
CN101036237A CNA2005800326857A CN200580032685A CN101036237A CN 101036237 A CN101036237 A CN 101036237A CN A2005800326857 A CNA2005800326857 A CN A2005800326857A CN 200580032685 A CN200580032685 A CN 200580032685A CN 101036237 A CN101036237 A CN 101036237A
Authority
CN
China
Prior art keywords
textured
semiconductors
iii
alloys
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800326857A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101036237B (zh
Inventor
王望南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Molecular Neo Technology Co ltd
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of CN101036237A publication Critical patent/CN101036237A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101036237B publication Critical patent/CN101036237B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/821—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates of the light-emitting regions, e.g. non-planar junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/82—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

一种高填充因子的织构化发光二极管结构包括：第一织构化覆层和接触层(2)，包括掺杂III－V或II－VI族化合物半导体或这种半导体的合金，其通过横向外延过生长(ELOG)沉积到图案化衬底(1)上；织构化未掺杂或掺杂的有源层(3)，包括III－V或II－VI族半导体或这种半导体的合金，以及其中发生电子和空穴的辐射复合或发生子能带间的跃迁；以及第二织构化覆层和接触层(4)，包括掺杂III－V或II－VI族半导体或这种半导体的合金。

Description

织构化发光二极管
本发明的背景
1.技术领域
本发明涉及产生可见、红外或紫外光的织构化发光二极管(texturedlight emitting diodes(LEDs))。更具体地，本发明涉及具有增强的填充因子(fill factor)以便输出强光的高效率LED器件。
2.现有技术的说明
化合物半导体领域最近的发展已产生用于可见光谱范围的新一代发光二极管和激光器，特别是蓝和绿波长范围的III-V氮化物基(nitrides-based)器件。氮化物半导体相比其它宽带隙半导体的主要优点在于：其在光器件中的退化程度较低。最近几年，许多公司已进行了巨大的努力，来进入新的家用照明工业。通常的想法是用更可靠且紧凑的半导体光源——LED灯，代替传统白炽灯或荧光灯。旨在取代传统白炽灯或荧光灯的基于LED的白色照明设备可通过如下几种方法产生：使用磷进行蓝光或UV LEDs的向下转换，或使用不同波长的LEDs(例如红光、绿光和蓝光LEDs)的组合。
关键的阻碍之一为LEDs的发光效率(lm/W)低，特别是在蓝和绿波长范围。当前基于AlInGaP的红光LEDs已实现了范围约60-80lm/W的发光效率，但蓝光和绿光LEDs仅达到了约20lm/W。当前的蓝光、绿光和白光LEDs是在蓝宝石或SiC衬底上生长的。GaN合金的高折射率和具有发射平行光的有源区的LED结构可导致80％的光捕获在GaN层内，仅20％的光通过蓝宝石衬底和顶部射出。这些问题也发生在生长于GaAs上的AlInGaP。
为了克服由全内反射引起的这种波导效应，大部分研究努力已集中在改变LED器件的形状和表面织构(texture)以破坏全内反射，以及因此增加光提取效率。倒转的截棱椎结构和发光有源层之上的粗糙表面已普遍使用在基于AlInGaP的红光LEDs中，以改善光提取效率。
本发明的织构化LED结构基于改善LEDs的光提取效率的新颖方法。传统LED器件的有源区为平面构造，因此填充因子，即有源发光面积与芯片尺寸之比，对于在蓝宝石衬底上生长的GaN来说通常小于1，对于在n型SiC衬底上生长的GaN或独立式n-GaN或者对于在GaAs上生长的AlInGaP来说至多等于1。在下面的例子中，LED结构构造成具有沟槽化或凸起织构化结构，以便增加表面有源发光面积的填充因子，并且破坏内反射，以及降低化合物半导体及其合金的吸收程度。因此，通过织构化LED可实现更高的光输出功率。
现有技术
表面粗化——“Improved light-output and electrical performances ofInGaN-based light-emitting diode by micro-roughening of p-GaN surface”，C.Huh，KS Lee，EJ Kang和SJ Park，J.Appl，Physics，93(11)，9383-9385，2003。
改变表面发射角：美国专利6,768,136，“Radiation emitting structuralelement”。
发明内容
本发明的目的在于提供一种使用III-V或II-VI族半导体的高效率的织构化发光二极管结构，其具有超过1的填充因子以便输出强光。
一种高填充因子的织构化发光二极管结构，包括：
第一织构化覆层和接触层，包括掺杂III-V或II-VI族化合物的半导体或这种半导体的合金，其通过横向外延过生长(ELOG)沉积到图案化(patterned)衬底上；
织构化未掺杂或掺杂的有源层，包括III-V或II-VI族半导体或这种半导体的合金，以及其中发生电子和空穴的辐射复合或者发生子能带间的跃迁；以及
第二织构化覆层和接触层，包括掺杂III-V或II-VI族的半导体或这种半导体的合金。
根据本发明的另一方面，提供一种高填充因子的织构化发光二极管结构，包括：
织构化n覆层和接触层，包括n型III-V或II-VI族化合物的半导体或这种半导体的合金，其通过横向外延过生长(ELOG)沉积到图案化衬底上；
织构化有源层，包括III-V或II-VI族半导体或这种半导体的合金，以及其中发生电子和空穴的辐射复合；以及
织构化空穴发射层和p型接触层，包括p型III-V或II-VI族半导体或这种半导体的合金。
根据本发明的结构可包括：
导电或绝缘衬底；
III-V或II-VI族化合物半导体或这种半导体的合金，其通过HVPE、MOCVD、MBE、LPE、升华、溅射或其它合适的沉积方法沉积到所述衬底上；以及
所述衬底上的图案，其由掩模或无掩模方法产生，所述方法包括：光刻法、使用电子束或聚焦离子束的直写、扫描隧道显微术、全息术、纳米压印术、阳极多孔氧化铝、湿法蚀刻或其它图案化方法或组合方法。
所述或每一个织构化覆层和接触层可以为单层、多层或超晶格的形式。
所述织构化空穴发射层和p型接触层可以为单层、多层或超晶格的形式。
所述织构化的有源层可以为掺杂或未掺杂的双异质结构、单量子势阱或多量子势阱形式。
所述织构化的n覆层和接触层可以为单层、多层或超晶格形式。
所述导电衬底可包括GaN、AlN、SiC、Si、GaAs、InP、ZnSe或其它金属氧化物材料。
所述绝缘衬底可包括蓝宝石、AlN、GaN、ZnO或其它金属氧化物材料。
本发明能够实现具有三维(3D)凸起织构化或沟槽化LED结构的LED设计。三角形、六边形、凸起、凹入或梯形的LED结构的阵列，由于因3D织构增加了有源发光面积，而使其填充因子增加到超过1。同时，所述织构化的表面破坏所述器件的内反射，并降低化合物半导体及其合金的吸收距离，从而显著改善光提取效率。
附图说明
在附图中：
图1a和1b是示意图，其分别示出绝缘衬底和导电衬底上的现有技术LED结构的结构；
图2为示意图，其示出绝缘衬底上的根据本发明的LED示例的结构；
图3为示意图，其示出具有大于1的填充因子的三角形LED结构的截面；
图4为一示图，其显示导电衬底上的根据本发明的LED示例的结构；
图5为一示图，其显示六边形掩模，在沉积在GaN模板上的SiO2掩模中具有六边形窗口；
图6显示六边形纳米孔掩模，在阳极多孔氧化铝掩模中具有六边形纳米孔窗口；
图7为示意图，其显示使用横向外延过生长法在GaN模板和SiO2掩模的顶部生长的六边形GaN；
图8为示意图，其显示绝缘衬底上的根据本发明的织构化LED结构示例的六角棱锥结构；和
图9为示意图，其显示导电衬底上的根据本发明的织构化LED结构示例的六角棱锥结构。
优选实施方式
图1(a)为传统平面LED结构的示意图，所述传统平面LED结构具有在绝缘衬底1上生长的n型化合物半导体层2，量子势阱或双异质结构的有源层3沉积在n型接触层2的顶部，以及p型接触层4沉积在有源层3的顶部上。P接触电极5构造在p型接触层4的顶部上，以及n接触电极6沉积在n接触层3上，通过干法或湿法蚀刻工艺蚀刻而成。图1(b)显示导电n型衬底1上的相似的平面LED结构，其中n接触电极6作为底部触点构造在n型衬底1上。
本发明的实施例使用图案化化合物半导体作为衬底，用于进行外延过生长，来形成织构化n型覆层和接触层、有源层以及p型覆层和接触层。通过金属有机化学气相沉积(MOCAD)、氢化物气相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)、切克劳斯基法(Czochralski method)、升华、水热技术、溅射法，或与光刻法组合的其它合适的沉积技术，可制备图案化的化合物半导体。掩模或无掩模的光刻技术可用于图案化。用于图案化的化合物半导体衬底可以为同质外延或异质外延地生长在导电或绝缘衬底上的化合物半导体，其可以为任何Si、GaAs、InP、SiC、GaN、AlN、ZnSe和其它基于金属氧化物的材料。横向外延过生长可通过MOCVD、HVPE或其它合适的沉积技术来实现。外延生长的完整的LED结构的横截面可以为三角形、多边形、梯形、凸起或凹入的形状。使用下面的实施例可以描述这种基于III-V和III-VI化合物半导体的织构化高填充因子的LEDs。
实施例1
图2显示III-V氮化物LED结构。沿生长在蓝宝石(Al2O3)衬底上的GaN的<11-00>或<112-0>方向的SiO2掩模可用于光刻构造2μm窗口和2μm掩模区7。2-3μm厚的GaN可通过氢化物气相外延(HVPE)或通过金属有机化学气相沉积(MOCAD)沉积而成。n覆层和接触层2通过横向外延过生长沉积而成，以及由掺杂硅(Si)的1-3μm厚的n-GaN制成，其掺杂级为5×1017-1019cm-3。三角形n接触层通过横向外延过生长技术而获得。有源层3在此层上外延生长，且由2.5-50nm厚的未掺杂或掺杂的单或多量子式势阱制成，其包括InxGa1-xN势阱，其中0.05＜x＜0.5，和InyGa1-yN势垒，其中0≤y≤0.05。∽0.5μm厚的空穴发射层4由p-GaN掺杂镁(Mg)而制成，其掺杂浓度为8×1016-1019cm-3。金属欧姆触点5沉积在p-GaN空穴发射层上。n型金属触点6沉积在n型接触层2上，并使用氯基活性气体通过干法蚀刻来蚀刻而成。
有源层3沿<11-00>或<112-0>方向的长度不改变，但图3(其中8表示三角形顶点的θ角)显示有源层3垂直于<11-00>或<112-0>方向的长度已增加到1/sin(θ/2)倍。一般地，三角形顶点的角度接近60°，因此有源层的面积可获得两倍增加。在所述面积的30％用于所述n型触点的情况下，仍所述有源区可获得填充因子1.4。
实施例2
图4显示III-V氮化物LED结构，其类似于图2，除了衬底由导电材料，例如独立式n-GaN、4H-SiC或6H-SiC制成以外。n型金属触点6直接沉积在n型接触层2上。在n型触点没有损耗的情况下，有源层可获得填充因子2。
实施例3
图5显示具有六边形窗口9的SiO2掩模区7。在六边形开口中横向外延过生长的III-IV氮化物层形成六角棱锥型3D LED结构。n型金属触点6沉积在蚀刻而成的n接触层与绝缘衬底上。在所述n型触点损耗30％的情况下，所述有源区可获得超过1.9的填充因子。
实施例4
图6显示具有高度有序且密集排列的六边形开口的掩模，其由阳极多孔氧化铝制成。在GaN基器件的情况下，六边形开口的对角与(0001)GaN的<11-00>或<112-0>方向对齐。在GaAs基器件的情况下，六边形开口的对角在(001)n-GaAs的<110>方向的10°内对齐，并且对于GaAs上的AlInGaP基器件同样如此。在ZnSe基器件的情况下，六边形开口的对角在(111)n-GaAs的<112>方向的15°内对齐。在阳极化过程中，可通过阳极化电压精确地控制六边形开口的尺寸。此掩模可用于实施例3中六边形织构化LED结构的横向外延过生长和构造。
实施例5
图7显示高度有序和密集排列的六角棱锥形GaN，其通过横向外延过生长在GaN、AlN、蓝宝石SiC或其它氮化物材料生长上。使用普通的光刻术或阳极多孔氧化铝可制成具有六边形开口的掩模。
实施例6
图8显示高度有序且密集排列的六角棱锥形GaN LED结构，其类似于图2，具有绝缘衬底。
实施例7
图9显示高度有序且密集排列的六角棱锥形GaN LED结构，其类似于图4，具有导电衬底。
实施例8
类似于图4的具有高填充因子的织构化LED结构可由如下部分制成：0.3μm到1μm厚的n型(AlxGa1-x)0.5In0.5P，其中0.5≤x≤1，掺杂级为5×1017-1019cm-3；＜1μm厚的(AlxGa1-x)1-yInyP/(Alx1Ga1-x1)1-y1Iny1P的多量子势阱有源层，其中0.5≤x≤1，0.4≤y≤0.6以及0≤x1≤0.4，0≤y1≤0.4；以及p型(AlxGa1-x)0.5In0.5P的空穴发射和接触层，其中0.5≤x≤1，以及掺杂级为5×1016到5×1018cm-3。用于图案化和横向外延过生长的衬底为n型(001)GaAs。
实施例9
类似于图4的具有高填充因子的织构化LED结构可由如下部分制成：0.3μm到1μm厚的n型ZnSe或ZnMgSSe，掺杂级为5×1017-1019cm-3；＜1μm厚的ZnCdSe/ZnSe的多量子势阱有源层；以及p型ZnSe、ZnMgSSe、ZnTe/ZnSe多量子势阱的空穴发射层和接触层。用于图案化和横向外延过生长的衬底为n型(111)GaAs或n型(100)ZnSe。

Claims (9)

1.一种高填充因子的织构化发光二极管结构，包括：
第一织构化覆层和接触层，包括掺杂III-V或II-VI族化合物的半导体或这种半导体的合金，其通过横侧向外延过生长(ELOG)沉积到图案化衬底上；
织构化未掺杂或掺杂的有源层，包括III-V或II-VI族半导体或这种半导体的合金，以及其中发生电子和空穴的辐射复合或者发生子能带间的跃迁；以及
第二织构化覆层和接触层，包括掺杂III-V或II-VI族的半导体或这种半导体的合金。
2.一种高填充因子的织构化发光二极管结构，包括：
织构化n覆层和接触层，包括n型III-V或II-VI族化合物的半导体或这种半导体的合金，其通过横向外延过生长(ELOG)沉积到图案化衬底上；
织构化有源层，包括III-V或II-VI族半导体或这种半导体的合金，以及其中发生电子和空穴的辐射复合；以及
织构化空穴发射层和p型接触层，包括p型III-V或II-VI族半导体或这种半导体的合金。
3.根据权利要求1或2所述的结构，包括：
导电或绝缘衬底；
III-V或II-VI族化合物半导体或这种半导体的合金，其通过HVPE、MOCVD、MBE、LPE、升华、溅射或其它合适的沉积方法，沉积到所述衬底上；以及
所述衬底上的图案，其由掩模或无掩模方法产生，所述方法包括：光刻法、使用电子束或聚焦离子束的直写、扫描隧道显微术、全息术、纳米压印术、阳极多孔氧化铝、湿法蚀刻或其它图案化方法或组合方法。
4.根据权利要求1所述的结构，其中所述或每一个织构化覆层和接触层为单层、多层或超晶格的形式。
5.根据权利要求2所述的结构，其中所述织构化的空穴发射层和p型接触层为单层、多层或超晶格的形式。
6.根据任一前述权利要求所述的结构，其中所述织构化有源层为掺杂或未掺杂的双异质结构、单量子势阱或多量子势阱的形成。
7.根据权利要求2所述的结构，其中所述织构化n覆层和接触层为单层、多层或超晶格的形式。
8.根据任一前述权利要求所述的结构，其中所述衬底为导电的，以及包括GaN、AlN、SiC、Si、GaAs、InP、Znse或其它金属氧化物材料。
9.根据权利要求1到8中任一项所述的结构，其中所述衬底为绝缘的，以及包括蓝宝石、AlN、GaN、ZnO或其它金属氧化物材料。
CN2005800326857A 2004-09-28 2005-09-27 织构化发光二极管 Expired - Lifetime CN101036237B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0421500.0 2004-09-28
GB0421500A GB2418532A (en) 2004-09-28 2004-09-28 Textured light emitting diode structure with enhanced fill factor
PCT/GB2005/003704 WO2006035212A1 (en) 2004-09-28 2005-09-27 Textured light emitting diodes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101036237A true CN101036237A (zh) 2007-09-12
CN101036237B CN101036237B (zh) 2012-03-14

Family

ID=33397356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800326857A Expired - Lifetime CN101036237B (zh) 2004-09-28 2005-09-27 织构化发光二极管

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7915622B2 (zh)
EP (1) EP1800354A1 (zh)
JP (1) JP2008515180A (zh)
KR (1) KR20070058612A (zh)
CN (1) CN101036237B (zh)
GB (1) GB2418532A (zh)
WO (1) WO2006035212A1 (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101487974A (zh) * 2008-01-17 2009-07-22 晶元光电股份有限公司 一种纳米级印模结构及其在发光元件上的应用
CN102255009A (zh) * 2011-06-23 2011-11-23 映瑞光电科技(上海)有限公司 Led芯片的制造方法
CN102544264A (zh) * 2012-01-19 2012-07-04 苏州锦元纳米科技有限公司 一种在蓝宝石衬底上制备纳米图案的方法
CN103094314A (zh) * 2011-11-07 2013-05-08 台湾积体电路制造股份有限公司 在硅衬底上生长iii-氮化物的新方法
CN101651179B (zh) * 2008-08-11 2013-05-29 台湾积体电路制造股份有限公司 发光二极管装置及其制造方法
CN103430329A (zh) * 2011-03-03 2013-12-04 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子半导体芯片的方法
US8791029B2 (en) 2007-08-13 2014-07-29 Epistar Corporation Stamp having nanoscale structure and applications therefore in light-emitting device
CN105633239A (zh) * 2015-12-31 2016-06-01 天津三安光电有限公司 一种兼具表面粗化及电接触的发光二极管结构及制造方法
CN108292694A (zh) * 2015-07-13 2018-07-17 科莱约纳诺公司 纳米线/纳米锥形状的发光二极管及光检测器
US10181549B2 (en) 2008-08-12 2019-01-15 Epistar Corporation Light-emitting device having a patterned surface
CN109872943A (zh) * 2017-12-05 2019-06-11 Imec 非营利协会 形成用于半导体结构的方法以及由该方法制造的半导体结构
CN110993743A (zh) * 2019-12-25 2020-04-10 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种异质结光伏器件的制备方法
WO2022140906A1 (en) * 2020-12-28 2022-07-07 Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8013320B2 (en) * 2006-03-03 2011-09-06 Panasonic Corporation Nitride semiconductor device and method for fabricating the same
KR100755598B1 (ko) 2006-06-30 2007-09-06 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 어레이
US7952109B2 (en) * 2006-07-10 2011-05-31 Alcatel-Lucent Usa Inc. Light-emitting crystal structures
TWI309481B (en) 2006-07-28 2009-05-01 Epistar Corp A light emitting device having a patterned substrate and the method thereof
DE102006043400A1 (de) * 2006-09-15 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR100857410B1 (ko) * 2007-03-08 2008-09-08 전북대학교산학협력단 백색 엘이디의 제조방법
US8299502B2 (en) 2007-03-16 2012-10-30 Sebastian Lourdudoss Semiconductor heterostructures and manufacturing therof
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8456392B2 (en) 2007-05-31 2013-06-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US8044381B2 (en) * 2007-07-30 2011-10-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light emitting diode (LED)
US20090034977A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Michael Renne Ty Tan MULTIPLEXING HIGH SPEED LIGHT EMITTING DIODES (LEDs)
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
US8134169B2 (en) * 2008-07-01 2012-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Patterned substrate for hetero-epitaxial growth of group-III nitride film
US8344394B1 (en) * 2009-09-15 2013-01-01 National Semiconductor Corporation High-speed avalanche light emitting diode (ALED) and related apparatus and method
KR101643757B1 (ko) 2010-06-01 2016-07-29 삼성전자주식회사 발광소자 및 그 제조방법
WO2012031096A2 (en) * 2010-09-01 2012-03-08 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Light emitting, power generating or other electronic apparatus and method of manufacturing same
US8884431B2 (en) 2011-09-09 2014-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Packaging methods and structures for semiconductor devices
GB201021112D0 (en) 2010-12-13 2011-01-26 Ntnu Technology Transfer As Nanowires
JP5679869B2 (ja) * 2011-03-07 2015-03-04 スタンレー電気株式会社 光半導体素子の製造方法
US10319881B2 (en) 2011-06-15 2019-06-11 Sensor Electronic Technology, Inc. Device including transparent layer with profiled surface for improved extraction
US10522714B2 (en) 2011-06-15 2019-12-31 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US9741899B2 (en) 2011-06-15 2017-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US9337387B2 (en) 2011-06-15 2016-05-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US9142741B2 (en) * 2011-06-15 2015-09-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US9449941B2 (en) 2011-07-07 2016-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Connecting function chips to a package to form package-on-package
KR101964890B1 (ko) * 2011-07-12 2019-04-03 삼성전자주식회사 나노구조의 발광소자
CN102427101B (zh) * 2011-11-30 2014-05-07 李园 半导体结构及其形成方法
DE102012204551A1 (de) 2012-03-21 2013-09-26 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren zur Herstellung von III-N-Einkristallen, und III-N-Einkristall
DE102012204553B4 (de) 2012-03-21 2021-12-30 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Templats, so hergestelltes Templat, dessen Verwendung, Verfahren zur Herstellung von III-N-Einkristallen, Verfahren zur Herstellung von III-N-Kristallwafern, deren Verwendung und Verwendung von Maskenmaterialien
PL2815004T3 (pl) 2012-03-21 2018-05-30 Freiberger Compound Materials Gmbh SPOSÓB WYTWARZANIA MONOKRYSZTAŁÓW lll-N I MONOKRYSZTAŁ lll-N
GB201211038D0 (en) 2012-06-21 2012-08-01 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Solar cells
JP2014060198A (ja) * 2012-09-14 2014-04-03 Oki Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体発光ダイオードの製造方法、及び窒化物半導体発光ダイオード
JP2015532014A (ja) * 2012-09-18 2015-11-05 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ ナノピラミッドサイズ光電構造及びそれを製造するための方法
WO2014122565A1 (en) * 2013-02-11 2014-08-14 Koninklijke Philips N.V. A light emitting device and method for manufacturing a light emitting device
KR102077742B1 (ko) * 2013-02-27 2020-02-14 삼성전자주식회사 반도체 요소 전사 방법
RU2528112C1 (ru) * 2013-04-26 2014-09-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) Ультрафиолетовый светодиод на нитридных гетероструктурах
GB201311101D0 (en) 2013-06-21 2013-08-07 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Semiconducting Films
JP6231810B2 (ja) * 2013-08-09 2017-11-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP6959915B2 (ja) 2015-07-13 2021-11-05 クラヨナノ エーエス グラファイト基板上に成長させたナノワイヤ又はナノピラミッド
AU2016302692B2 (en) 2015-07-31 2019-04-18 Crayonano As Process for growing nanowires or nanopyramids on graphitic substrates
US10461221B2 (en) 2016-01-18 2019-10-29 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with improved light propagation
GB201705755D0 (en) 2017-04-10 2017-05-24 Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) Nanostructure
TWI664726B (zh) * 2017-05-31 2019-07-01 財團法人工業技術研究院 歐姆接觸結構及具有此歐姆接觸結構之半導體元件
US12046471B1 (en) 2018-06-06 2024-07-23 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Optimized thick heteroepitaxial growth of semiconductors with in-situ substrate pretreatment
US11302248B2 (en) 2019-01-29 2022-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh U-led, u-led device, display and method for the same
US11156759B2 (en) 2019-01-29 2021-10-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
DE112020000561A5 (de) 2019-01-29 2021-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Videowand, treiberschaltung, ansteuerungen und verfahren derselben
US11271143B2 (en) 2019-01-29 2022-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11610868B2 (en) 2019-01-29 2023-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
JP7642549B2 (ja) 2019-02-11 2025-03-10 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー 光電子構造素子、光電子配置構造体および方法
US11538852B2 (en) 2019-04-23 2022-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
DE112020002077A5 (de) 2019-04-23 2022-01-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Led modul, led displaymodul und verfahren zu dessen herstellung
CN114303236A (zh) 2019-05-13 2022-04-08 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 多芯片承载结构
US12189280B2 (en) 2019-05-23 2025-01-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting arrangement, light guide arrangement and method
JP7594578B2 (ja) 2019-09-20 2024-12-04 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー 光電子構造素子、半導体構造およびそれらに関する方法
GB201913701D0 (en) 2019-09-23 2019-11-06 Crayonano As Composition of matter
KR20240017690A (ko) 2022-08-01 2024-02-08 삼성전자주식회사 발광 소자

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3517091B2 (ja) * 1997-07-04 2004-04-05 東芝電子エンジニアリング株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
JP4032538B2 (ja) * 1998-11-26 2008-01-16 ソニー株式会社 半導体薄膜および半導体素子の製造方法
JP3882539B2 (ja) * 2000-07-18 2007-02-21 ソニー株式会社 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置
JP3906654B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP4595198B2 (ja) * 2000-12-15 2010-12-08 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP2002261327A (ja) * 2001-03-06 2002-09-13 Sony Corp 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP2002270893A (ja) * 2001-03-06 2002-09-20 Sony Corp 半導体発光素子、表示装置、半導体発光素子の製造方法及び半導体レーザーの製造方法
TW564584B (en) * 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
JP3659201B2 (ja) * 2001-07-11 2005-06-15 ソニー株式会社 半導体発光素子、画像表示装置、照明装置及び半導体発光素子の製造方法
WO2003015143A1 (fr) * 2001-08-01 2003-02-20 Nagoya Industrial Science Research Institute Film semi-conducteur en nitrure du groupe iii et son procede de production
DE10139798B9 (de) 2001-08-14 2006-12-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement mit geometrisch optimierter Auskoppelstruktur
JP4233268B2 (ja) * 2002-04-23 2009-03-04 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JP2004193498A (ja) * 2002-12-13 2004-07-08 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
US6921924B2 (en) * 2003-06-18 2005-07-26 United Epitaxy Company, Ltd Semiconductor light-emitting device

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8791029B2 (en) 2007-08-13 2014-07-29 Epistar Corporation Stamp having nanoscale structure and applications therefore in light-emitting device
CN101487974A (zh) * 2008-01-17 2009-07-22 晶元光电股份有限公司 一种纳米级印模结构及其在发光元件上的应用
CN101487974B (zh) * 2008-01-17 2013-06-12 晶元光电股份有限公司 一种纳米级印模结构及其在发光元件上的应用
CN101651179B (zh) * 2008-08-11 2013-05-29 台湾积体电路制造股份有限公司 发光二极管装置及其制造方法
US10181549B2 (en) 2008-08-12 2019-01-15 Epistar Corporation Light-emitting device having a patterned surface
US10522715B2 (en) 2008-08-12 2019-12-31 Epistar Corporation Light-emitting device having a patterned surface
CN103430329A (zh) * 2011-03-03 2013-12-04 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子半导体芯片的方法
CN102255009A (zh) * 2011-06-23 2011-11-23 映瑞光电科技(上海)有限公司 Led芯片的制造方法
CN103094314B (zh) * 2011-11-07 2016-01-27 台湾积体电路制造股份有限公司 在硅衬底上生长iii-氮化物的新方法
CN103094314A (zh) * 2011-11-07 2013-05-08 台湾积体电路制造股份有限公司 在硅衬底上生长iii-氮化物的新方法
CN102544264A (zh) * 2012-01-19 2012-07-04 苏州锦元纳米科技有限公司 一种在蓝宝石衬底上制备纳米图案的方法
CN108292694A (zh) * 2015-07-13 2018-07-17 科莱约纳诺公司 纳米线/纳米锥形状的发光二极管及光检测器
CN105633239A (zh) * 2015-12-31 2016-06-01 天津三安光电有限公司 一种兼具表面粗化及电接触的发光二极管结构及制造方法
CN105633239B (zh) * 2015-12-31 2018-11-09 天津三安光电有限公司 一种兼具表面粗化及电接触的发光二极管结构及制造方法
CN109872943A (zh) * 2017-12-05 2019-06-11 Imec 非营利协会 形成用于半导体结构的方法以及由该方法制造的半导体结构
CN109872943B (zh) * 2017-12-05 2021-12-07 Imec 非营利协会 形成用于半导体结构的方法以及由该方法制造的半导体结构
CN110993743A (zh) * 2019-12-25 2020-04-10 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种异质结光伏器件的制备方法
WO2022140906A1 (en) * 2020-12-28 2022-07-07 Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008515180A (ja) 2008-05-08
US20090159907A1 (en) 2009-06-25
GB2418532A (en) 2006-03-29
WO2006035212A1 (en) 2006-04-06
US7915622B2 (en) 2011-03-29
CN101036237B (zh) 2012-03-14
KR20070058612A (ko) 2007-06-08
EP1800354A1 (en) 2007-06-27
GB0421500D0 (en) 2004-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101036237B (zh) 织构化发光二极管
US6876009B2 (en) Nitride semiconductor device and a process of manufacturing the same
CN105009307B (zh) 制造纳米结构的半导体发光元件的方法
JP5711892B2 (ja) 白色発光ダイオード
KR102164796B1 (ko) 나노구조 반도체 발광소자
US20090269868A1 (en) Methods of Manufacture for Quantum Dot optoelectronic devices with nanoscale epitaxial lateral overgrowth
US9136434B2 (en) Submicro-facet light-emitting device and method for fabricating the same
KR102203460B1 (ko) 나노구조 반도체 발광소자의 제조방법
CN103325899A (zh) 白光发光二极管
CN110416377B (zh) 发光元件
CN102157644B (zh) 具有垂直结构的发光二极管及其制造方法
CN1723574A (zh) Led及其制造方法
JP2007184619A (ja) 窒化物系発光素子及びその製造方法
KR102453545B1 (ko) 나노막대를 포함하는 나노막대 발광 구조물, 발광소자 및 그 제조방법, 그의 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
JP4339822B2 (ja) 発光装置
CN102222745A (zh) 发光二极管及其制造方法
JPH09252163A (ja) 半導体発光素子
CN113257968A (zh) 一种具有氮极性面n型电子阻挡层的发光二极管
CN110854246B (zh) 发光二极管和发光二极管制备方法
KR100853935B1 (ko) 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법
JP2006295057A (ja) 半導体発光素子およびその製法
KR20050001038A (ko) 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법
TWI838792B (zh) 發光元件
JP2024541943A (ja) エピタキシャル光制御特徴を含む発光ダイオード
TW202427820A (zh) 發光元件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: BATH UNIVERSITY

Free format text: FORMER OWNER: WANG WANGNAN

Effective date: 20080829

Owner name: APEX OPTO-ELECTRICAL CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: BATH UNIVERSITY

Effective date: 20080829

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20080829

Address after: Bath, United Kingdom

Applicant after: Apaikesi photoelectric Co.

Address before: Bath, United Kingdom

Applicant before: THE University OF BATH

Effective date of registration: 20080829

Address after: Bath, United Kingdom

Applicant after: THE University OF BATH

Address before: Bath, United Kingdom

Applicant before: Wang Wangnan

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230407

Address after: British Virgin Islands, Luo Decheng, Isle of

Patentee after: British Virgin Islands Business Molecule Neotech Co.,Ltd.

Patentee after: Taiwan Branch of Neon Technology Co.,Ltd. in the British Virgin Islands

Address before: bath

Patentee before: NANOGAN LTD.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240605

Address after: 3rd Floor, No. 35 Gangu Street, Datong District, Taiwan, China, China

Patentee after: Molecular Neo Technology Co.,Ltd.

Country or region after: TaiWan, China

Country or region after: Singapore

Address before: British Virgin Islands, Luo Decheng, Isle of

Patentee before: British Virgin Islands Business Molecule Neotech Co.,Ltd.

Country or region before: British Virgin Islands

Patentee before: Taiwan Branch of Neon Technology Co.,Ltd. in the British Virgin Islands

Country or region before: TaiWan, China

TR01 Transfer of patent right
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20120314

CX01 Expiry of patent term