CN101009206A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板处理装置，能够有效且可靠地除去设在半导体晶片上的抗蚀剂。该基板处理装置具备：保持半导体晶片的旋转台(3)；以及喷嘴体(33)，与被旋转台保持的半导体晶片相对置地配置，混合硫酸和过氧化氢水供给上述基板；喷嘴体具备：较长的本体部(34)，沿基板的半径方向；第一供液管及第二供液管(37、38)，向本体部供给硫酸和过氧化氢水；第一狭缝、第二狭缝及曲面(41、42、39)，混合由第一供液管及第二供液管向本体部供给的硫酸和过氧化氢水，从本体部向半导体晶片的几乎整个半径方向供给。

Description

基板处理装置及基板处理方法

技术领域

本发明涉及用混合了硫酸和过氧化氢水的处理液对设在基板上的抗蚀剂进行处理的基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

例如，在液晶显示装置或半导体装置的制造工序中，有用于在矩形的玻璃基板、半导体晶片等的基板上形成电路图形的成膜工序或光刻工序。在这些工序中，进行除去设在基板上的抗蚀剂，在除去后进行清洗的操作。

利用具有使基板旋转的旋转台的自旋方式的处理装置，进行这样的处理。作为除去设在基板上的抗蚀剂时的处理液，使用在硫酸中混合了过氧化氢水的称为SPM的硫酸过氧化氢水，在除去后的清洗中使用在过氧化氢水中混合了氨水的称为SC-1的清洗液。

以往，除去设在基板上的抗蚀剂时，用例如混合阀或混合槽等预先混合硫酸和过氧化氢水之后，向配置在处理装置的旋转台上方的喷射喷嘴供给。被供给喷射喷嘴的处理液向基板的径向中心部喷射。

由此，通过基板的旋转引起的离心力，处理液从基板的径向中心部流向外侧，所以处理液到达基板的整个表面，能够除去设在该基板的板面上的抗蚀剂。这样的现有技术例如在专利文献1被公开。

专利文献1：日本特开2005-39205号公报

使用混合了硫酸和过氧化氢水的混合液即SPM除去抗蚀剂的原理，已知利用了混合硫酸和过氧化氢水时产生的过硫酸(H₂SO₅)的作用。

但是，通过混合硫酸和过氧化氢水而产生的过硫酸在产生后维持其活性状态的存在寿命(Life Span)非常短。即，能够维持活性状态的时间短，所以在短时间内失去活性。

因此，如果在混合阀(Mixing Valve)或混合槽等混合了硫酸和过氧化氢水之后供给喷射喷嘴，从混合后到供给到基板需要时间，在该期间通过混合硫酸和过氧化氢水而产生的过硫酸失去活性，不能有效且可靠地除去设在基板上的抗蚀剂。

作为从上述基板除去抗蚀剂的作用，除了在混合硫酸和过氧化氢水产生的过硫酸的作用之外，还有因混合而产生的热的影响，已知处理夜的温度越高，则抗蚀剂的除去能力也越高。

但是，向基板的径向中心部供给处理液，利用由基板的旋转而产生的离心力使该处理液从中心部向径流向外侧时，无法避免处理液随着流向径向外侧其温度也降低的问题。因此，不能在整个径向上用均匀的处理液对基板进行处理，所以会产生处理偏差。

发明内容

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，在就要供给到基板之前混合硫酸和过氧化氢水而成为处理夜，在基板的几乎整个径向上供给。由此，若混合了硫酸和过氧化氢水，可以在维持了其活性状态的期间将处理液供给基板，并且，能够在基板的径向上不产生温度差地供给。

本发明的基板处理装置，对设在基板上的抗蚀剂膜进行处理，该基板处理装置具备：保持上述基板的旋转台；以及喷嘴体，与被该旋转台保持的基板相对置地配置，混合硫酸和过氧化氢水并供给上述基板；上述喷嘴体具备：本体部，沿上述基板的半径方向较长；第一药液供给机构，向该本体部供给上述硫酸和过氧化氢水；以及第二药液供给机构，混合由该第一药液供给机构向上述本体部供给的硫酸和过氧化氢水，从上述本体部向上述基板的几乎整个半径方向供给。

本发明的基板处理方法，利用混合了硫酸和过氧化氢水的处理液对设在基板上的抗蚀剂膜进行处理，其包括：在旋转台上保持上述基板的工序；在上述基板的上方混合硫酸和过氧化氢水制作处理液的工序；以及在通过上述旋转台旋转的上述基板的几乎整个半径方向上供给上述处理液的工序。

本发明的另一种基板处理装置，对设在基板上的抗蚀剂膜进行处理，该基板处理装置具备：保持上述基板的旋转台；第一双流体喷嘴，配置在上述旋转台的上方，用加压气体对硫酸加压而成为雾状后进行喷射；以及第二双流体喷嘴，配置在上述旋转台的上方，用加压气体对过氧化氢水加压而成为雾状后进行喷射；将从上述第一双流体喷嘴喷射的雾状的硫酸和从上述第二双流体喷嘴喷射的雾状的过氧化氢水，在到达基板之前混合，并供给上述基板。

发明效果

根据该发明，与基板相对置地配置具有沿基板的半径方向较长的本体部的喷嘴体，将硫酸和过氧化氢水供给到该本体部后进行混合，并且在基板的半径方向的大致整个长度上供给混合的处理液。

因此，能够混合硫酸和过氧化氢水并在失去活性之前供给基板，并且从上述喷嘴体向基板的整个半径方向供给，所以在基板的半径方向上处理液不产生温度差，能够有效且均匀地进行基板的处理。

此外，本发明中，分别喷射以雾状被喷射的硫酸和过氧化氢水，在喷射后到达基板之前混合并供给基板，因此，能够缩短从混合硫酸和过氧化氢水起到供给基板为止的时间。

由此，能够在不损失因混合硫酸和过氧化氢水而产生的过硫酸的活性的情况下供给基板，所以，能够可靠地除去设在基板上的抗蚀剂膜。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的自旋处理装置的概略结构的剖面图。

图2是喷嘴体的侧视图。

图3是图2所示的喷嘴体的放大纵向剖面图。

图4是表示本发明的第二实施方式的喷嘴体的侧视图。

图5是图4所示的喷嘴体的放大纵向剖面图。

图6是表示本发明的第三实施方式的自旋处理装置的概略结构的剖面图。

图7是图6所示的第一双流体喷嘴至第三双流体喷嘴的配管系统图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施方式。

图1至图3是本发明的第一实施方式，图1表示作为处理装置的自旋处理装置。该自旋处理装置具有盖体1。在该盖体1的底部，在周向上以规定间隔连接有多个排出管2。各排出管2与未图示的排气泵连通。

此外，上述盖体1具有下盖1a和上盖1b，上盖1b通过未图示的汽缸等驱动机构能够在上下方向被驱动。

在上述盖体1内设有旋转台3。在该旋转台3的上表面的周边部，在周向上以规定间隔可旋转地设有多个支承部件4。在各支承部件4的上端面的从支承部件4的旋转中心偏心的位置，设置着具有例如由倾斜面等构成的台阶部的夹紧销5。

作为基板的半导体晶片W以盘面朝上的状态被供给到上述旋转台3。即，被供给到旋转台3的半导体晶片W的周缘部的下表面与上述夹紧部5的台阶部卡合。在该状态下使上述支承部件4旋转时，上述夹紧销5偏心旋转，所以保持了半导体晶片W的周缘部。

此外，由于夹紧销5通过未图示的弹簧向保持半导体晶片W的旋转方向被施力，通过使支承部件4抵抗上述弹簧的施加力而旋转，能够解除半导体晶片W的保持状态。

上述旋转台3由控制马达11进行旋转驱动。该控制马达11中，在筒状的定子12内可旋转地插入有同样为筒状的转子13，在该转子13上通过动力传递部件3a连结了上述旋转台3。

由控制装置14控制上述控制马达11的旋转。由此，通过上述控制装置14能够使上述旋转台3以规定转速旋转。

在上述转子13内插通有筒状的固定轴15。在该固定轴15的上端设有位于上述旋转台3的上表面侧的喷嘴头16。即，喷嘴头16被设置成不与旋转台3一起旋转的状态。在该喷嘴头16上设有喷射作为处理液的蚀刻液的第一下部喷嘴体17和喷射清洗液的第二下部喷嘴体18。

由此，能够从上述下部喷嘴体17、18朝着被旋转台3保持的半导体晶片W的下表面的中央部分有选择地喷射处理液及冲洗液。即，能够对半导体晶片W的下表面进行蚀刻及冲洗处理。

上述旋转台13的上表面侧被紊流防止罩19覆盖。该紊流防止罩19能够防止在被旋转台3保持的半导体晶片W的下表面侧发生紊流，在其中央部分开口形成有可以从上述各喷嘴体17、18向半导体晶片W的下表面喷射蚀刻液和清洗液的透过孔20。

在上述盖体1的侧方设置有作为驱动机构的臂体25。该臂体25具有垂直部26和水平部17，该水平部17的基端部与该垂直部26的上端连结。上述垂直部26的下端与旋转马达28连结着。旋转马达28能够在水平方向上以规定角度对臂体25进行旋转驱动。

上述旋转马达28被安装在可动板29上，该可动板29被设置成通过未图示的直线导轨可在上下方向滑动。该可动板29通过上下驱动气缸31在上下方向被驱动。

在上述臂体25的水平部27的前端部，通过安装构件32连结着喷嘴体33，该喷嘴体33可定位在与被上述旋转台3保持的半导体晶片W的上表面相对置的位置。该喷嘴体33如图2和图3所示地具有与上述半导体晶片W的半径尺寸大致相同的长度尺寸的本体部34，该本体部34的长度方向的一端部上表面通过上述安装构件32连结在上述水平部27的前端部上。

如图3所示，在上述本体部34的上表面的长度方向中途的宽度方向一端部，开口形成有第一供液孔35，在另一端部开口形成有第二供液孔36。在上述第一供液孔35中通过接头37a连接供给硫酸的第一供液管37，在上述第二供液孔36中通过接头38a连接着供给过氧化氢水的第二供液管38。上述第一供液管37及第二供液管38构成本发明的第一药液供给机构。

上述本体部34的宽度方向的一侧面34a和另一侧面34b，通过在该本体部34的下端形成的圆弧状的曲面39连接着。在上述一侧面34a的上端部，在长度方向的整个长度上形成有第一狭缝41。在上述另一侧面34b的上端部，在长度方向的整个长度上形成有第二狭缝42。

上述第一供液孔35与上述第一狭缝41连通，上述第二供液孔36与上述第二狭缝42连通。由上述第一狭缝41及第二狭缝42和上述曲面39构成将从上述第一供液管37及第二供液管38向上述本体部34的第一供液孔35、第二供液孔36供给的硫酸和过氧化氢水如后所述地混合，并向上述半导体晶片W供给的第二药液供给机构。

在上述本体部34的上表面如图2和图3所示地设有振子45。该振子45通过从未图示的超声波发生器供给的高频电力进行超声波振动。即，本体部34通过振子45进行超声波振动。当本体部34进行超声波振动时，对从该本体部34向上述半导体晶片W混合供给的硫酸和过氧化氢水付与超声波振动。

接着，说明利用上述结构的自旋处理装置除去设在半导体晶片W的上表面上的抗蚀剂时的作用。

首先，向旋转台3的上表面供给设有抗蚀剂的半导体晶片W，并且由支承部件4保持。接着，驱动臂体25，将设在该水平部27的前端的喷嘴体33相对于半导体晶片W的上表面定位。即，使喷嘴体33的长度方向的一端位于半导体晶片W的径向的中心部，使长度方向沿着半导体晶片W的径向，并且，将曲面的最下端即顶点定位成，同半导体晶片W的上表面具有一点间隔地隔开对置。

此外，在向旋转台3供给半导体晶片W时，使上述喷嘴体33在从盖体1的上方退避的位置等待。

如果将上述喷嘴体33定位在半导体晶片W的上方，则一边使旋转台3旋转，一边向第一供液管37供给硫酸、向第二供液管38供给过氧化氢水。

向第一供液管37供给的硫酸从第一供液孔35流到第一狭缝41，从上述第一狭缝41的整个长度流出，沿着喷嘴体33的本体部34的一个侧面34a流向下方。

向第二供液管38供给的过氧化氢水从第二供液孔36流到第二狭缝42，从该第二狭缝42的整个长度流出，沿着喷嘴体33的本体部34的另一个侧面34b流向下方。

沿着上述本体部34的一个侧面34a和另一个侧面34b流向下方的硫酸和过氧化氢水，沿着在本体部34的下端部形成的曲面39流动，从而，在成为该曲面39的最下端的顶点混合而成为处理液的同时，在半导体晶片W的上表面的半径方向的整个长度上成狭缝状流出。在图3用箭头表示沿着上述一个侧面34a和另一侧面34b的硫酸和过氧化氢水的流向。

半导体晶片W通过旋转台3旋转。因此，处理液被供给到半导体晶片W的整个上表面，所以设在半导体晶片W的上表面的抗蚀剂被剥离处理。

被供给到喷嘴体33的硫酸和过氧化氢水，在形成于喷嘴体33的本体部34下端部的曲面39混合而成为处理液的同时，被供给到半导体晶片W的上表面。因此，处理液在失去因混合硫酸和过氧化氢水而产生的过硫酸的活性之前被供给到半导体晶片W，能够可靠地进行利用上述处理液的抗蚀剂的剥离。

此时，如果向在本体部34的上表面设置的振子45通电，使本体部34进行超声波振动，则能够更有效地进行利用上述处理液的抗蚀剂的剥离。

上述处理液在半导体晶片W的半径方向的整个长度上，从喷嘴体33的本体部34的曲面39同时供给。即，通过混合硫酸和过氧化氢水因反应热而温度上升的处理液，在半导体晶片W的整个半径方向上同时从上述本体部34的曲面39的下端供给。

因此，被供给到半导体晶片W的处理液在该半导体晶片W的半径方向不产生温度差，所以能够用大致相同温度的处理液对半导体晶片W的整个表面进行处理。其结果，不会产生温度不同而引起的处理偏差，能够均匀地进行半导体晶片W的处理。

即，根据该实施方式，能够在因混合硫酸和过氧化氢水而产生的过硫酸的活性失去之前处理半导体晶片W。并且，能够利用没有温度差的处理液对半导体晶片W的整个上表面进行处理。因此，通过上述构成，能够均匀且可靠地处理半导体晶片W的整个上表面。

图4和图5表示本发明的第二实施方式。该实施方式是，喷嘴体33A的本体部34A的下端部形成为宽度尺寸比其它部分小的狭窄部50。在该狭窄部50的长度方向的大致全长上形成有供液通道51。

在上述本体部34A上，在长度方向以规定间隔形成有多个第一供液孔52，该第一供液孔52的一端在本体部34A的上表面开口，另一端与上述供液通道51连通。再者，在本体部34A上在长度方向以规定间隔形成有多个第二供液孔53(图5仅示出一个)，该第二供液孔53的一端在本体部34A的一面侧开口，另一端与上述供液通道51连通。

在上述第一供液孔52中通过接头54a连接着供给硫酸的第一供液管54，在上述第二供液孔53中通过接头55a连接着供给过氧化氢水的第二供液管55。再者，在上述本体部34A上形成有一端在形成于下端的曲面39上开口、且另一端与上述供液通道51连通的多个供给孔56，该多个供给孔56是在上述本体部34的长度方向具有规定间隔、且在宽度方向以垂直线为中心具有等角度的三个供给孔56。

上述结构的喷嘴体33A与第一实施方式相同，被安装在臂体25的水平部27的前端，沿着被旋转台3保持的半导体晶片W的上表面的半径方向相对置地配置。

该状态下，从第一供液管54向供液通道51供给硫酸，从第二供液管55向供液通道51供给过氧化氢水。硫酸和过氧化氢水在上述供液通道51混合成为处理液，因反应热而温度上升，从与上述供液通道51连通的多个供给孔56如图5的箭头所示地被供给到半导体晶片W的上表面。

在该第二实施方式中，硫酸和过氧化氢水在喷嘴体33A的供液通道51混合成为处理液之后，立即从供给孔56被供给到半导体晶片W。即，处理液在失去通过混合硫酸和过氧化氢水而产生的过硫酸的活性之前供给到半导体晶片W，所以能够迅速且可靠地进行利用处理液的半导体晶片W的处理。

并且，处理液从喷嘴体33A的本体部34A向半导体晶片W的半径方向的整个长度同时供给。所以，因混合硫酸和过氧化氢水而产生的反应热引起温度上升的处理液，以大致相同的温度向半导体晶片W的半径方向供给，因此，能够以相同温度的处理液均匀地处理半导体晶片W的整个上表面。

图6和图7表示本发明的第三实施方式。图6表示作为处理装置的自旋处理装置，该自旋处理装置具有处理槽101。在该处理槽101内配置有盖体102。该盖体102包括：下盖103，设在上述处理槽101的底板上；和上盖104，设置成通过未图示的上下驱动机构可相对于该下盖103上下移动。

在上述下盖103的底壁上，在周向上以规定间隔连接着多个排出管105。这些排出管105与排气泵106连通着。可通过控制装置107控制该排气泵106的启动停止和转速。

在上述盖体102的下表面侧配置了基座板108。在该基座板108上，在对应于上述下盖103的位置形成有安装孔109。在该安装孔109中嵌入固定着构成驱动源的控制马达111的定子112的上端部。

上述定子112构成筒状，在其内部可自由旋转地嵌插着同样为筒状的转子113。并且，通过上述控制装置107如后所述地控制上述控制马达111的启动停止及转速。

在上述转子113的上端面成一体地固定有筒状的连结体114，该连结体114的下端面与上述转子113的上端面接触。在该连结体114的下端形成有直径比上述定子112的内径尺寸大的大直径的锷部115。该锷部115与上述定子112的上端面可滑动地接触着，由此，不需阻止转子113的旋转，就能够防止该转子113从定子112脱离。

在上述下盖103的与上述转子113对应的部分形成通孔103a，上述连结体114从上述通孔103a突出到盖体102内。在该连结体114的上端安装有旋转台116。在该旋转台116的周边部，在周向上以规定间隔、在本实施方式中以60度间隔设有6根(只图示了2根)圆柱状的保持部件117，该保持部件117可通过未图示的驱动机构被旋转驱动。

在上述保持部件117的上端面，在偏离该保持部件117的旋转中心的位置设置了具有锥面的支承销118。向旋转台116供应作为基板的半导体晶片W，使半导体晶片W的周缘部的下表面抵接在上述支承销118的锥面上。如果在该状态下使上述保持部件117旋转，则支承销118偏心旋转，所以被供给到旋转台116上的半导体晶片W通过上述支承销118的夹紧力被保持。

另外，支承销118对上述半导体晶片W的夹紧力，可以根据由上述驱动机构进行的上述保持部件117的偏心旋转角度而设定。此外，在驱动机构是利用弹簧力使保持部件117偏心旋转的结构的情况下，可以根据该弹簧的强度来调整夹紧力。

上述旋转台116被紊流防止罩121覆盖着。该紊流防止罩121具有覆盖上述旋转台116的外周面的外周壁122和覆盖上表面的上面壁123，上述外周壁122的上侧形成小直径部122a、下侧形成大直径部122b。在旋转台116旋转时，该紊流防止罩121防止在该旋转台116的上表面产生紊流。上述上盖104的上表面开口，在其内周面设有环状部件125。

在向上述旋转台116供给未处理的半导体晶片W、或者取出被供给的已处理的半导体晶片W时，上述上盖104如后所述地下降。

在上述处理槽101的上部壁形成有开口部131。在开口部131设有ULPA、HEPA等的风扇及过滤器单元132。该风扇及过滤器单元132用于进一步清洁净化间内的空气并导入到处理槽101内，该清洁空气的导入量是由上述控制装置107控制上述风扇及过滤器单元132的驱动部133而决定。即，由上述驱动部133控制风扇及过滤器单元132的风扇(未图示)的转速，从而能够控制向处理槽101内的清洁空气的供给量。

在上述处理槽101的一侧开口形成有出入口134。该出入口134由开闭器135进行开闭，该开闭器135设在处理槽101的一侧，可在上下方向滑动。该开闭器135由用压缩空气动作的气缸136驱动。即，在上述气缸136上设有控制压缩空气的流动的控制阀137，由上述控制装置107对上述控制阀137进行切换控制，从而，能够使上述开闭器135上下运动。

在上述控制马达111的转子113内插通有筒状的固定轴141。在该固定轴141的上端，设有从形成于上述旋转台116的通孔142向上述旋转台116的上表面侧突出的喷嘴头143。在该喷嘴头143上设有朝着被上述旋转台116保持的半导体晶片W的下表面喷射作为处理液的药液及纯水的一对喷嘴144。

在上述紊流防止罩121的上面壁123中，与上述喷嘴头143对置地形成开口部145，通过该开口部145从上述喷嘴144喷射的处理液可到达半导体晶片W的下表面。

在被旋转台116保持的半导体晶片W的上方，配置着第一双流体喷嘴151、第二双流体喷嘴152及第三双流体喷嘴153，这些喷嘴的前端分别朝着上述半导体晶片W的中心。

如图7所示，第一双流体喷嘴151通过第一配管156同供给硫酸的第一供给源155连接着。第二双流体喷嘴152通过第二配管158同供给过氧化氢水的第二供给源157连接着。第三双流体喷嘴153通过第三配管160同氨水的第三供给源158连接着。

再者，通过从供气管161分支的分支管161a～161c向第一双流体喷嘴至第三双流体喷嘴管151～153供给对供给这些喷嘴的液体进行加压成为雾状并从各喷嘴体151～152喷射的氮等高压的加压气体。

在第一配管至第三配管156、158、160中分别设有第一液体用控制阀至第三液体用控制阀162～164，在各分支管161a～161c中分别设有第一气体用控制阀至第三气体用控制阀165～167。由上述控制装置107对液体用控制阀162～164及气体用控制阀165～167进行开闭控制。

接着，说明通过上述结构的自旋处理装置将抗蚀剂从上述半导体晶片W剥离，在剥离后进行清洗处理的步骤。

首先，向旋转台116供给在上表面设有抗蚀剂的半导体晶片W。然后，如果旋转台116旋转，则通过控制装置107开放第一液体用控制阀162和第二液体用控制阀163，并且开放第一气体用控制阀165和第二气体用控制阀166。

由此，向第一双流体喷嘴151供给硫酸，该硫酸被加压用气体加压而成为雾状，朝着半导体晶片W的上表面被喷射。与此同时，向第二双流体喷嘴152供给过氧化氢水，该过氧化氢水被加压用气体加压而成为雾状，朝着半导体晶片W的上表面被喷射。

从第一双流体喷嘴151和第二双流体152成为雾状而分别喷射的硫酸和过氧化氢水在到达半导体晶片W的上端之前混合。由此，成为硫酸过氧化氢水后向半导体晶片W供给。

硫酸和过氧化氢水被雾化后在将要达半导体晶片W之前混合。即，硫酸和过氧化氢水混合后立即被供给半导体晶片W。因此，如果通过混合硫酸和过氧化氢水来产生过硫酸，则在维持了该过硫酸的活性状态的时间内向半导体晶片W供给硫酸过氧化氢水，所以能够有效且可靠地除去设在半导体晶片W上的抗蚀剂。

如果利用硫酸过氧化氢水的抗蚀剂的去除结束，则关闭第一液体用控制阀162和第一气体用控制阀165，停止硫酸的供给，同时打开第三液体用控制阀164和第三气体用控制阀167，将氨水雾化，从第三双流体喷嘴153向半导体晶片W供给。

由此，被雾化的氨水与从第二双流体152雾化并喷射的过氧化氢水混合，成为清洗液即SC-1后供给半导体晶片W，然后清洗半导体晶片W的被除去了抗蚀剂的上表面。

如此地在旋转台116的上方配置了第一双流体喷嘴至第三双流体喷嘴151～152，所以能够连续且有效地进行设在半导体晶片W的上表面上的抗蚀剂的剥离和剥离后的清洗。

将生成用于剥离抗蚀剂的硫酸过氧化氢水的硫酸和过氧化氢水雾化后供给半导体晶片W。因此，不仅能够将硫酸和过氧化氢水充分混合后供给半导体晶片W，同不雾化就供给时相比，能够大幅减少硫酸和过氧化氢水的使用量。

根据实验，不将硫酸、过氧化氢水、氨水等药液雾化的通常的喷射喷嘴的情况下，药液的使用量是0.4升/分钟，如果由双流体喷嘴进行雾化，药液的使用量成为约十分之一的0.04升/分钟。并且，在不雾化药液的情况和液化的情况下，确认了以相同的处理时间进行抗蚀剂的除去和除去后的清洗时得到了相同效果。

在上述各实施方式中，作为基板例举了半导体晶片，但基板不仅仅限于半导体晶片，也可以是用于液晶显示装置的玻璃板，只要是需要用混合了硫酸和过氧化氢水的处理液除去抗蚀剂的基板就可以。

Claims (9)

1.一种基板处理装置，对设在基板上的抗蚀剂膜进行处理，其特征在于，

该基板处理装置具备：保持上述基板的旋转台；以及喷嘴体，与被该旋转台保持的基板相对置地配置，混合硫酸和过氧化氢水并供给到上述基板；

上述喷嘴体具备：

本体部，沿上述基板的半径方向较长；

第一药液供给机构，向该本体部供给上述硫酸和过氧化氢水；

以及第二药液供给机构，混合由该第一药液供给机构向上述本体部供给的硫酸和过氧化氢水，从上述本体部向上述基板的几乎整个半径方向供给。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第二药液供给机构具有：第一狭缝，沿上述本体部的一个侧面的长度方向形成；第二狭缝，沿上述本体部的另一个侧面的长度方向形成；以及曲面，在上述本体部的下端连接上述本体部的一个侧面和另一个侧面；

上述第一药液供给机构具有：第一供液管，向上述第一狭缝供给上述硫酸；以及第二供液管，向上述第二狭缝供给上述过氧化氢水；

从上述第一供液管向上述第一狭缝供给的硫酸和从上述第二供液管向上述第二狭缝供给的过氧化氢水，分别从各狭缝沿上述本体部的一个侧面和另一个侧面流动，在下端的曲面混合并供给到上述基板。

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第二药液供给机构具有：供液通道，在上述本体部的下端部沿该本体部的长度方向形成；以及多个供给孔，沿上述本体部的长度方向以规定间隔形成，连通上述供液通道和上述本体部的下表面；

上述第一药液供给机构具有：第一供液管，向上述供液通道供给上述硫酸；以及第二供液管，向上述供液通道供给上述过氧化氢水；

上述硫酸和过氧化氢水在上述供液通道混合，从上述供液孔向上述基板供给。

4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述本体部的上表面设有使该本体部超声波振动的振子。

5.一种基板处理方法，利用混合了硫酸和过氧化氢水的处理液对设在基板上的抗蚀剂膜进行处理，其特征在于，包括：

在旋转台上保持上述基板的工序；

在上述基板的上方混合硫酸和过氧化氢水制作处理液的工序；以及

在通过上述旋转台旋转的上述基板的几乎整个半径方向上供给上述处理液的工序。

6.一种基板处理装置，对设在基板上的抗蚀剂膜进行处理，其特征在于，

该基板处理装置具备：

保持上述基板的旋转台；

第一双流体喷嘴，配置在上述旋转台的上方，用加压气体对硫酸加压而成为雾状后进行喷射；以及

第二双流体喷嘴，配置在上述旋转台的上方，用加压气体对过氧化氢水加压而成为雾状后进行喷射；

将从上述第一双流体喷嘴喷射的雾状的硫酸和从上述第二双流体喷嘴喷射的雾状的过氧化氢水，在到达基板之前混合，并供给到上述基板。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述旋转台的上方配置有用加压气体对氨水进行加压而成为雾状后进行喷射的第三双流体喷嘴；

用雾状的硫酸和过氧化氢水对设在上述基板上的抗蚀剂进行处理之后，使以雾状喷射的过氧化氢水和氨水在到达基板之前混合并供给到上述基板。

8.一种基板处理方法，对设在基板上的抗蚀剂膜进行处理，其特征在于，包括：

将上述基板可旋转地保持的工序；

用加压气体对硫酸加压而成为雾状后喷射的工序；

用加压气体对过氧化氢水加压而成为雾状后喷射的工序；以及

混合雾状的上述硫酸和上述过氧化氢水后供给到上述基板的工序。

9.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

具有如下工序：用雾状的硫酸和过氧化氢水对基板进行处理之后，混合雾状的过氧化氢水和雾状的氨水后供给到上述基板。

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