CN109037109A - 一种半导体设备及清洗晶圆的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体设备及清洗晶圆的方法，其中，半导体设备包括吸附盘、缓冲垫及动力系统，采用晶圆清洗设备进行晶圆清洗，通过位于吸附盘与晶圆之间的具有较低弹性模量系数的缓冲垫，降低晶圆划伤及破碎现象、降低晶圆与吸附盘的接触面积及有效降低缓冲垫在晶圆进行破真空时产生弹性形变的概率，从而降低破真空的难度；通过动力系统中的气体部，增强释放晶圆的压力，降低破真空的难度；通过动力系统中的液体部，增强晶圆的润湿性，从而减小晶圆的摩擦阻力，降低破真空的难度；有效降低晶圆破真空时，破片的风险以及消除机台频繁报警的问题，提高WPH。

Description

一种半导体设备及清洗晶圆的方法

技术领域

本发明涉及半导体加工及生产领域，特别是涉及一种半导体设备及清洗晶圆的方法。

背景技术

在集成电路的制造工艺过程中，晶圆的表面状态及洁净度是影响器件质量与可靠性的最重要的因素之一，因此，在晶圆制造的过程中，必须对晶圆进行化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization of Microelectronic Materials，简称CMP)用于从晶圆表面去除各种杂质。常规的CMP方法使用抛光垫(Polishing Pad)与待平坦化的晶圆旋转接触，同时在晶圆和抛光垫之间引入合适的CMP研磨剂，以促进杂质的去除。CMP研磨剂通常包括研磨淤浆，除此之外还包括各种研磨颗粒和氧化剂，如二氧化硅和氧化铝。

随着技术的进步，CMP技术的应用范围已被广泛拓宽，针对金属进行CMP处理的技术手段日渐成熟，例如可以对晶圆的金属钨塞或铜塞进行CMP。但是，抛光金属产生的杂质流与常规CMP相比，其成分更加复杂，不仅含有研磨剂中的各种研磨颗粒和氧化物，还会带入其他大分子聚合物颗粒以及金属离子流，上述这些成分构成的复杂的杂质流容易吸附在晶圆表面上，造成晶圆污染，因此需要在CMP后对晶圆进行清洗，得到符合要求的洁净晶圆，提高晶圆的良率，避免大量晶圆由于污染所造成的报废。

现有设备中，晶圆在机台中完成抛光的过程后，通常会通过晶圆传送器将晶圆传输到清洁区域的吸附盘上，晶圆清洁完之后，晶圆传送器将晶圆从吸附盘上传输出去。但是，由于晶圆与吸附盘之间的吸附作用，晶圆破真空时，在机械力的作用下，容易导致晶圆破片或者触发机台报警，使得晶圆传输失败，造成成本上升或机台频繁报警，降低WPH。

基于以上所述，提供一种半导体设备及清洗晶圆的方法，以解决现有技术中晶圆在机台中完成晶圆清洁之后，由于晶圆与吸附盘之间的吸附作用，晶圆破真空时，在机械力的作用下，导致晶圆破片或者触发机台报警，使得晶圆传输失败，造成成本上升或机台频繁报警，降低WPH的问题实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体设备及清洗晶圆的方法，用于解决现有技术中晶圆在机台中完成晶圆清洁之后，由于晶圆与吸附盘之间的吸附作用，晶圆破真空时，在机械力的作用下，导致晶圆破片或者触发机台报警，使得晶圆传输失败，造成成本上升或机台频繁报警，降低WPH的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体设备，包括：

吸附盘，用于吸附晶圆；

缓冲垫，所述缓冲垫位于所述吸附盘与所述晶圆之间，且所述缓冲垫与所述吸附盘及所述晶圆相接触；所述晶圆的边缘区域凸出于所述缓冲垫；

动力系统，包括气体部及液体部，所述气体部及液体部与所述吸附盘相连接，通过所述气体部及液体部的交替释放所述晶圆。

可选地，所述吸附盘的边缘处还包括自所述吸附盘的边缘向所述吸附盘的内部延伸的凹槽，所述半导体设备还包括具有接触部的晶圆传送器，且所述凹槽用于容纳所述接触部。

可选地，所述接触部设有卡槽，所述卡槽用于容纳所述晶圆的边缘区域，以固定所述晶圆。

可选地，所述吸附盘包括N≥2个所述凹槽，且由所述凹槽所围成的曲线与所述吸附盘的边缘周长的比值的范围为1/3～1/2。

可选地，所述吸附盘还包括分流槽，所述分流槽与位于所述吸附盘中的气孔相连接。

可选地，所述缓冲垫固定于所述吸附盘，其中，固定方式包括机械固定法及化学固定法中的一种或组合。

可选地，所述缓冲垫包括PE缓冲垫及硅胶缓冲垫中的一种。

可选地，所述缓冲垫与所述吸附盘具有相同形貌。

可选地，所述气体部包括储气装置、气体加速装置及气体控制装置；所述液体部包括储液装置、液体加速装置及液体控制装置。

可选地，所述气体部提供的气体包括N₂及惰性气体中的一种或组合。

可选地，所述液体部提供的液体包括去离子水及抛光清洗液中的一种。

本发明还提供一种清洗晶圆的方法，包括以下步骤：

S1：提供一晶圆清洗设备，所述晶圆清洗设备包括吸附盘、缓冲垫及动力系统，其中，所述吸附盘用于吸附晶圆；所述缓冲垫位于所述吸附盘与所述晶圆之间，所述缓冲垫与所述吸附盘及所述晶圆相接触；所述晶圆的边缘区域凸出于所述缓冲垫；所述动力系统包括气体部及液体部，所述气体部及液体部与所述吸附盘相连接；

S2：通过所述吸附盘吸附所述晶圆，对所述晶圆进行清洗；

S3：开启所述气体部，用于增强释放所述晶圆的压力；

S4：开启所述液体部，用于增强所述晶圆的润湿性，通过所述液体部降低所述晶圆与所述缓冲垫之间的摩擦力，从而释放所述晶圆。

可选地，所述缓冲垫包括PE缓冲垫及硅胶缓冲垫中的一种。

可选地，所述气体部包括储气装置、气体加速装置及气体控制装置；所述液体部包括储液装置、液体加速装置及液体控制装置。

可选地，所述气体部提供的气体包括N₂及惰性气体中的一种或组合。

可选地，所述液体部提供的液体包括去离子水及抛光清洗液中的一种。

如上所述，本发明的半导体设备及清洗晶圆的方法，具有以下有益效果：(1)通过位于吸附盘与晶圆之间的具有较低弹性模量系数的缓冲垫，降低晶圆划伤及破碎现象、降低晶圆与吸附盘的接触面积及有效降低缓冲垫在晶圆进行破真空时产生弹性形变的概率，从而降低破真空的难度；(2)通过动力系统中的气体部，增强释放晶圆的压力，降低破真空的难度；(3)通过动力系统中的液体部，增强晶圆的润湿性，从而减小晶圆的摩擦阻力，降低破真空的难度；(4)有效降低晶圆破真空时，破片的风险以及消除机台频繁报警的问题，提高WPH。

附图说明

图1显示为本发明中半导体设备的结构示意图。

图2显示为本发明中吸附盘的结构示意图。

图3显示为本发明中缓冲垫的结构示意图。

图4显示为本发明中晶圆传送器的结构示意图。

图5显示为本发明中晶圆传送器承载晶圆时的结构示意图。

图6显示为本发明中晶圆传送器的运行路径示意图。

图7显示为本发明中清洗晶圆的工艺流程示意图。

图8显示为本发明中清洗晶圆的结构示意图。

元件标号说明

100 吸附盘

200 缓冲垫

101、201 气孔

102、202 凹槽

300 晶圆

400 晶圆传送器

401 接触部

402 卡槽

500 动力系统

501 气体部

502 液体部

600 晶圆传送器的运行路径

700 晶圆传送器的垂直位置

701 晶圆传送器的第一垂直位置

702 晶圆传送器的第二垂直位置

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1～图8，需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图1所示，本发明提供一种半导体设备，所述半导体设备包括吸附盘100、缓冲垫200及动力系统500。

具体的，所述吸附盘100用于吸附晶圆300；所述缓冲垫200位于所述吸附盘100与所述晶圆300之间，且所述缓冲垫200与所述吸附盘100及所述晶圆300相接触；所述晶圆300的边缘区域凸出于所述缓冲垫200，所述动力系统500包括气体部501及液体部502，所述气体部501及液体部502与所述吸附盘100相连接，通过所述气体部501及液体部502的交替释放所述晶圆300。

作为示例，所述吸附盘100的边缘处还包括自所述吸附盘100的边缘向所述吸附盘100的内部延伸的凹槽102，所述半导体设备还包括具有接触部401的晶圆传送器400，且所述凹槽102用于容纳所述接触部401。所述接触部401设有卡槽402，所述卡槽402用于容纳所述晶圆300的边缘区域，以固定所述晶圆300。

具体的，如图1～2所示，所述吸附盘100用于吸附所述晶圆300，所述吸附盘100包括气孔101，所述吸附盘100对所述晶圆300进行抽真空，通过所述气孔101以吸附所述晶圆300。所述凹槽102位于所述吸附盘100的边缘，用于容纳与其相对应的所述晶圆传送器400的所述接触部401，从而为所述晶圆传送器400的所述接触部401提供容纳空间，所述卡槽402的宽度与所述晶圆300的宽度概呈相等，所述卡槽402的深度范围优选为1mm～15mm，以便于容纳所述晶圆300的边缘区域，使得所述晶圆传送器400传送所述晶圆300时，通过所述卡槽402固定所述晶圆300。

作为示例，所述晶圆300的边缘区域凸出于所述缓冲垫100的距离不小于所述卡槽402的深度，以防止所述晶圆300在依靠重力落入所述卡槽402时，造成所述晶圆300产生破碎的现象。本实施例中，所述晶圆300的边缘区域凸出于所述缓冲垫100的距离与所述卡槽402的深度概呈相等。在另一实施例中，所述晶圆300的边缘区域凸出于所述缓冲垫100的距离也可大于所述接触部401中的所述卡槽402的深度。

作为示例，所述吸附盘100还可包括分流槽(未图示)，所述分流槽连接于所述气孔101，以增大所述吸附盘100对所述晶圆300的吸附及释放作用。

具体的，所述气孔101及与所述气孔101相连接的所述分流槽用以增大气体或液体与所述晶圆300的接触面积，从而增强所述吸附盘100对所述晶圆300的吸附及释放的能力。本实施例中，所述气孔101在所述吸附盘100上呈中心对称分布，在另一实施例中，所述吸附盘100还可包括所述分流槽，如若干个同心环形槽、若干个径向槽或由两者组合形成的分流槽。所述分流槽及所述气孔101的形貌、数量及分布，本领域技术人员可根据具体需求进行选择，此处不作限制。

作为示例，所述凹槽102自与所述晶圆300相接触的所述吸附盘100的下表面向与所述吸附盘100的下表面相对应的上表面延伸贯穿所述吸附盘100，以便于所述晶圆传送器400的运行，防止所述晶圆传送器400与所述吸附盘100发生碰撞，造成所述晶圆300的损伤。在另一实施例中，所述凹槽102也可不贯穿所述吸附盘100，仅自所述吸附盘100的边缘向所述吸附盘100的中心延伸，且自所述吸附盘100的下表面向所述吸附盘100的上表面延伸形成可容纳所述接触部401的收容空间即可，此处不作限制。

作为示例，所述吸附盘100包括N≥2个所述凹槽102，且由所述凹槽102所围成的曲线与所述吸附盘100的边缘周长的比值的范围为1/3～1/2。

具体的，如图4及图5所示，所述凹槽102的个数与所述晶圆传送器400的所述接触部401的个数相对应，由于所述接触部401中的所述卡槽402用于固定所述晶圆300，并通过所述晶圆传送器400的移动使得所述晶圆300进行移动，因此，当由所述凹槽102所围成的曲线与所述吸附盘100的边缘周长的比值达到1/3以上时，即所述接触部401所围成的曲线与所述晶圆300的周长达到1/3以上时，可使得所述晶圆300在所述卡槽402中具有较稳定的状态，从而防止所述晶圆300在运行时，发生跌落，引起碎片的风险。为便于操作，所述晶圆传送器400传送所述晶圆300的方式可采用插入式及夹持式中的一种，因此所述凹槽102及所述接触部401所围成的曲线与所述晶圆300的周长的比值优选为小于1/2。本实施例中，所述凹槽102及接触部401的个数为3个，且构成三角形平面，提高所述晶圆传送器400传送所述晶圆300的稳定性，所述晶圆传送器400采用较为简单的插入式，在另一实施例中，所述凹槽102及与其相对应的所述接触部401的个数、形貌、分布及所述晶圆传送器400传送所述晶圆300的方式，本领域技术人员可进行选择，此处不作限制。

作为示例，所述缓冲垫200固定于所述吸附盘100，其中，固定方式包括机械固定法及化学固定法中的一种或组合，所述缓冲垫200与所述吸附盘100具有相同形貌，如图3所示。

具体的，所述缓冲垫200采用机械固定法固定于所述吸附盘100的边缘，以便于所述缓冲垫200的更换。所述缓冲垫200与所述吸附盘100相接触，所述缓冲垫200包括与所述吸附盘100中的所述气孔101及凹槽102相对应的缓冲垫的气孔201及缓冲垫的凹槽202，所述缓冲垫200与所述吸附盘100具有相同形貌，以便于增强所述吸附盘100对所述晶圆300的吸附及释放的效果。在另一实施例中，所述缓冲垫200与所述吸附盘100也可具有不同形貌，如所述缓冲垫200覆盖部分所述气孔101，所述缓冲垫200的具体形貌及固定方式，此处不作限制。

作为示例，所述缓冲垫200包括PE缓冲垫及硅胶缓冲垫中的一种。

具体的，所述缓冲垫200，一方面可用于所述晶圆300与所述吸附盘100之间的缓冲结构，从而降低所述晶圆300与硬度较高的所述吸附盘100之间直接接触，造成所述晶圆300的划伤及破碎现象；另一方面，所述缓冲垫200还可用于降低所述晶圆300与所述吸附盘100的接触面积，从而可降低所述晶圆300破真空的难度。因此，所述缓冲垫200的材料需采用具有一定弹性系数的材料，同时为避免所述缓冲垫200在破真空过程中产生形变，本实施例中，优选为具有较低弹性模量系数的硅胶缓冲垫(弹性模量约为6.11N/mm²)，一方面，可用于所述晶圆300与所述吸附盘100之间的缓冲结构，从而降低所述晶圆300与硬度较高的所述吸附盘100之间直接接触，避免造成所述晶圆300的划伤及破碎现象；另一方面，可用于降低所述晶圆300与所述吸附盘100的接触面积，从而可降低所述晶圆300破真空的难度；再者，由于所述硅胶缓冲垫具有较低弹性模量系数还可有效防止所述缓冲垫200在进行破真空时产生弹性形变，防止由于所述缓冲垫200发生形变，造成所述晶圆300在进行破真空时，难以恢复原状，导致所述晶圆300很难通过自身重力落在所述卡槽402内，进而在所述晶圆传送器400进行运行时，在机械力的作用下，容易导致所述晶圆300破片或者触发所述半导体设备的报警，造成所述晶圆300传输失败，使得成本上升及所述半导体设备频繁报警，降低所述半导体设备的WPH的问题。

作为示例，所述气体部501包括储气装置、气体加速装置及气体控制装置；所述液体部502包括储液装置、液体加速装置及液体控制装置。

具体的，所述动力系统500包括所述气体部501及液体部502，所述气体部501及液体部502与所述气孔101相连接，通过所述气体部501及液体部502的交替作用释放所述晶圆300。其中，所述气体部501用于所述晶圆300的破真空，所述储气装置中的气体通过所述气体加速装置对所述气体进行加速，而后被加速的所述气体通过所述控制装置控制所述气体的流量及流速，从而可增强释放所述晶圆300的压力，破除所述晶圆300被所述吸附盘100所吸附的真空。所述液体部502用于增强所述晶圆300的润湿性，降低所述晶圆300与所述缓冲垫200之间的摩擦力，进一步降低所述晶圆300破真空的难度，所述储液装置中的液体通过所述液体加速装置对所述液体进行加速，而后被加速的所述液体通过所述液体控制装置控制所述液体的流量及流速，从而使所述晶圆300与所述缓冲垫200之间润湿，降低所述晶圆300与所述缓冲垫200之间的摩擦力，进一步降低所述晶圆300破真空的难度。本实施例中，所述气体加速装置及液体加速装置包括各种泵体，所述气体控制装置及所述液体控制装置包括电磁阀门及气动阀门，通过所述电磁阀门控制所述气动阀门，而后由所述气动阀门控制所述气体及液体，从而达到对所述气体及液体的精确控制。所示泵体、电磁阀门及气动阀门的种类，可根据需要进行选择，此处不作限制。

作为示例，所述气体部501提供的所述气体包括N₂及惰性气体中的一种或组合；所述液体部502提供的所述液体包括去离子水及抛光清洗液中的一种。

具体的，所述气体及液体用于破除所述晶圆300的真空，因此所述气体及液体与所述晶圆300相接触，在选择所述气体及液体时，需选择不与所述晶圆300发生反应的气体及液体。如所述气体可选用N₂、惰性气体中的氦(He)、氖(Ne)及氩(Ar)中得一种或组合；所述液体可选用去离子水及抛光清洗液中的一种。

具体的，如图6所示，显示为所述晶圆传送器的运行路径示意图，包括晶圆传送器的垂直位置700及晶圆传送器的运行路径600。所述晶圆传送器的垂直位置700包括晶圆传送器的第一垂直位置701及晶圆传送器的第二垂直位置702。

本发明还提供一种清洗晶圆的方法，如图7所示，具体包括以下步骤：

S1：提供一晶圆清洗设备，所述晶圆清洗设备包括吸附盘、缓冲垫及动力系统，其中，所述吸附盘用于吸附晶圆；所述缓冲垫位于所述吸附盘与所述晶圆之间，所述缓冲垫与所述吸附盘及所述晶圆相接触；所述晶圆的边缘区域凸出于所述缓冲垫；所述动力系统包括气体部及液体部，所述气体部及液体部与所述吸附盘相连接；

S2：通过所述吸附盘吸附所述晶圆，对所述晶圆进行清洗；

S3：开启所述气体部，用于增强释放所述晶圆的压力；

S4：开启所述液体部，用于增强所述晶圆的润湿性，通过所述液体部降低所述晶圆与所述缓冲垫之间的摩擦力，从而释放所述晶圆。

具体的，如图8所示，显示本发明中清洗晶圆的结构示意图，包括晶圆传送器的垂直位置700及晶圆传送器的运行路径600。

首先进行步骤S1：提供一晶圆清洗设备。

具体的，所述晶圆清洗设备与所述半导体设备概呈相同，包括吸附盘100、缓冲垫200及动力系统500，其中，所述吸附盘100用于吸附晶圆300；所述缓冲垫200位于所述吸附盘100与所述晶圆300之间，且所述缓冲垫200与所述吸附盘100及所述晶圆300相接触；所述晶圆300的边缘区域凸出于所述缓冲垫200。所述吸附盘100的边缘处还包括自所述吸附盘100的边缘向所述吸附盘100的内部延伸的凹槽，所述半导体设备还包括晶圆传送器400，所述晶圆传送器400还包括接触部401，且所述凹槽用于容纳所述接触部401。所述接触部401设有卡槽402，所述卡槽402用于容纳所述晶圆300的边缘区域，以固定所述晶圆300。所述动力系统500包括气体部501及液体部502，所述气体部501及液体部502与所述吸附盘100的气孔相连接。所述吸附盘100、缓冲垫200的形貌及所述动力系统500的结构组成，此处不再赘述。

而后进行步骤S2：通过所述吸附盘100吸附所述晶圆300，对所述晶圆300进行清洗。

具体的，将承载有所述晶圆300的所述晶圆传送器400沿晶圆传送器的第一垂直位置701水平移动，使所述接触部401位于所述凹槽处，所述吸附盘100通过所述气孔真空吸附所述晶圆300。而后垂直移动所述晶圆传送器400至晶圆传送器的第二垂直位置702，释放所述晶圆300。水平移动所述晶圆传送器400，将所述晶圆传送器400移动至所述吸附盘100的后方，通过所述吸附盘100的旋转以及清洗液喷嘴(未图示)对所述晶圆300的表面喷涂清洗液，从而对所述晶圆300进行清洗。

而后进行步骤S3：在完成对所述晶圆300的清洗过程后，开启所述气体部501，用于增强释放所述晶圆300的压力，通过所述气体部501可释放所述晶圆300的压力，破除所述晶圆300被所述吸附盘100所吸附的真空。

具体的，完成所述晶圆300的清洗后，沿所述晶圆传送器的第二垂直位置702平行移动所述晶圆传送器400，而后垂直移动所述晶圆传送器400，使所述晶圆传送器400恢复至所述晶圆传送器的第一垂直位置701，使所述接触部401恢复至所述凹槽处，所述卡槽402固定所述晶圆300。

最后进行步骤S4：开启所述液体部502，用于增强所述晶圆300的润湿性，通过所述液体部502降低所述晶圆300与所述缓冲垫200之间的摩擦力，进一步降低所述晶圆300破真空的难度，释放所述晶圆300。

具体的，所述晶圆300可依靠自身重力落入所述接触部401的所述卡槽402中，所述晶圆传送器400也可依靠机械力，将所述晶圆300从所述吸附盘100上脱离，所述晶圆传送器400沿所述晶圆传送器的第一垂直位置701平行移动恢复至原始位置。

作为示例，所述缓冲垫200包括PE缓冲垫及硅胶缓冲垫中的一种；所述气体部501提供的气体包括N₂及惰性气体中的一种或组合；所述液体部502提供的液体包括去离子水及抛光清洗液中的一种；所述缓冲垫200、气体及液体的种类，本领域技术人员可根据具体需要进行选择，此处不再赘述。

综上所述，本发明的半导体设备及清洗晶圆的方法，(1)通过位于吸附盘与晶圆之间的具有较低弹性模量系数的缓冲垫，降低晶圆划伤及破碎现象、降低晶圆与吸附盘的接触面积及有效降低缓冲垫在晶圆进行破真空时产生弹性形变的概率，从而降低破真空的难度；(2)通过动力系统中的气体部，增强释放晶圆的压力，降低破真空的难度；(3)通过动力系统中的液体部，增强晶圆的润湿性，从而减小晶圆的摩擦阻力，降低破真空的难度；(4)有效降低晶圆破真空时，破片的风险以及消除机台频繁报警的问题，提高WPH。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (16)

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：

吸附盘，用于吸附晶圆；

缓冲垫，所述缓冲垫位于所述吸附盘与所述晶圆之间，且所述缓冲垫与所述吸附盘及所述晶圆相接触；所述晶圆的边缘区域凸出于所述缓冲垫；

动力系统，包括气体部及液体部，所述气体部及液体部与所述吸附盘相连接，通过所述气体部及液体部的交替释放所述晶圆。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述吸附盘的边缘处还包括自所述吸附盘的边缘向所述吸附盘的内部延伸的凹槽，所述半导体设备还包括具有接触部的晶圆传送器，且所述凹槽用于容纳所述接触部。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：所述接触部设有卡槽，所述卡槽用于容纳所述晶圆的边缘区域，以固定所述晶圆。

4.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：所述吸附盘包括N≥2个所述凹槽，且由所述凹槽所围成的曲线与所述吸附盘的边缘周长的比值的范围为1/3～1/2。

5.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述吸附盘还包括分流槽，所述分流槽与位于所述吸附盘中的气孔相连接。

6.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述缓冲垫固定于所述吸附盘，其中，固定方式包括机械固定法及化学固定法中的一种或组合。

7.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述缓冲垫包括PE缓冲垫及硅胶缓冲垫中的一种。

8.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述缓冲垫与所述吸附盘具有相同形貌。

9.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述气体部包括储气装置、气体加速装置及气体控制装置；所述液体部包括储液装置、液体加速装置及液体控制装置。

10.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述气体部提供的气体包括N₂及惰性气体中的一种或组合。

11.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述液体部提供的液体包括去离子水及抛光清洗液中的一种。

12.一种清洗晶圆的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一晶圆清洗设备，所述晶圆清洗设备包括吸附盘、缓冲垫及动力系统，其中，所述吸附盘用于吸附晶圆；所述缓冲垫位于所述吸附盘与所述晶圆之间，所述缓冲垫与所述吸附盘及所述晶圆相接触；所述晶圆的边缘区域凸出于所述缓冲垫；所述动力系统包括气体部及液体部，所述气体部及液体部与所述吸附盘相连接；

S2：通过所述吸附盘吸附所述晶圆，对所述晶圆进行清洗；

S3：开启所述气体部，用于增强释放所述晶圆的压力；

S4：开启所述液体部，用于增强所述晶圆的润湿性，通过所述液体部降低所述晶圆与所述缓冲垫之间的摩擦力，从而释放所述晶圆。

13.根据权利要求12所述的清洗晶圆的方法，其特征在于：所述缓冲垫包括PE缓冲垫及硅胶缓冲垫中的一种。

14.根据权利要求12所述的清洗晶圆的方法，其特征在于：所述气体部包括储气装置、气体加速装置及气体控制装置；所述液体部包括储液装置、液体加速装置及液体控制装置。

15.根据权利要求12所述的清洗晶圆的方法，其特征在于：所述气体部提供的气体包括N₂及惰性气体中的一种或组合。

16.根据权利要求12所述的清洗晶圆的方法，其特征在于：所述液体部提供的液体包括去离子水及抛光清洗液中的一种。