CN109036494A - 一种快速检测闪存瑕疵的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种快速检测闪存瑕疵的方法,包括以下步骤:A、将全字节为0x55的测试资料写入闪存的资料暂存器;B、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区1;C、将全字节为0xAA的测试资料写入闪存的资料暂存器;D、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区2;E、取出缓冲区1与0x55进行比特比对,是否有某位比特错误;F、有错误表示该位置的输入输出有问题;G、取出缓冲区2与0xAA进行比特比对,是否有某位比特错误;H、有错误表示该位置的输入输出有问题;I、设定一组时间阈值,本发明采用从资料暂存器读取测试资料与采用一组时间阈值,在区域数内进行读取测试的方法相结合,使检测的速度快,检测准确,提高对闪存的检测方法与检测闪存品质的速度。
Description
技术领域
本发明涉及快速检测闪存瑕疵的技术领域,具体为一种快速检测闪存瑕疵的方法。
背景技术
闪存为非消失性的存储器装置,由块组成,每个块又分成多个页,每个页会有多个列组合而成,藉由下命令进行一些特性的控制以及读写资料。生产闪存的良率并非百分之百,常伴随着就绪忙碌引脚信号不良或读写上输入输出不正确的瑕疵。虽然读取闪存的标识号码是正确的,但之后进行生产失败后,追查原因后发现是闪存本身的瑕疵造成的,白白浪费时间。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用从资料暂存器读取测试资料与采用一组时间阈值,在区域数内进行读取测试的方法相结合,使检测的速度快,检测准确,提高对闪存的检测方法与检测闪存品质的速度的一种快速检测闪存瑕疵的方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种快速检测闪存瑕疵的方法,包括暂存器内部的资料写入与寄存器的缓冲区域内的数据读取,所述暂存器上设块组,每个块又分成多个页,每个页会有多个列组合而成,所述暂存器上还设有缓冲区域。
优选的,所闪存芯片上包括资料资料暂存器。
优选的,一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、将全字节为0x55的测试资料写入闪存的资料暂存器;
B、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区1;
C、将全字节为0xAA的测试资料写入闪存的资料暂存器;
D、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区2;
E、取出缓冲区1与0x55进行比特比对,是否有某位比特错误;
F、有错误表示该位置的输入输出有问题;
G、取出缓冲区2与0xAA进行比特比对,是否有某位比特错误;
H、有错误表示该位置的输入输出有问题;
I、设定一组时间阈值。
优选的,一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、以块0为起始点,逐次往下一个块;
B、向页0发出读取命令;
C、取得读取反应时间,如果超过时间阈值,表示就绪忙碌引脚信号不良;
D、测试块是否小于区域数,测试块小于区域数的时候,选择大于0的数据,返回步骤A重新开始读取,当测试块大于区域数;
E、直接输出测试结果。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明采用从资料暂存器读取测试资料与采用一组时间阈值,在区域数内进行读取测试的方法相结合,使检测的速度快,检测准确,提高对闪存的检测方法与检测闪存品质的速度。
附图说明
图1为本发明检测闪存瑕疵方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种快速检测闪存瑕疵的方法,包括暂存器内部的资料写入与寄存器的缓冲区域内的数据读取,其特征在于:所述暂存器上设块组,每个块又分成多个页,每个页会有多个列组合而成,所述暂存器上还设有缓冲区域。
闪存芯片上包括资料资料暂存器。
一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、将全字节为0x55的测试资料写入闪存的资料暂存器;
B、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区1;
C、将全字节为0xAA的测试资料写入闪存的资料暂存器;
D、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区2;
E、取出缓冲区1与0x55进行比特比对,是否有某位比特错误;
F、有错误表示该位置的输入输出有问题;
G、取出缓冲区2与0xAA进行比特比对,是否有某位比特错误;
H、有错误表示该位置的输入输出有问题;
I、设定一组时间阈值。
一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、以块0为起始点,逐次往下一个块;
B、向页0发出读取命令;
C、取得读取反应时间,如果超过时间阈值,表示就绪忙碌引脚信号不良;
D、测试块是否小于区域数,测试块小于区域数的时候,选择大于0的数据,返回步骤A重新开始读取,当测试块大于区域数;
E、直接输出测试结果。
将全字节为0x55的测试资料写入闪存的资料暂存器,接从资料暂存器读取测试资料到缓冲区1,同样将全字节为0xAA的测试资料写入闪存的资料暂存器,从资料暂存器读取测试资料到缓冲区2。取出缓冲区1,2与0x55,0xAA进行比特比对,是否有某位比特错误,有错误表示该位置的输入输出有问题。
接下来设定一组时间阈值,再区域数内,以块0为起始点,逐次往每一个块,向页0发出读取命令,然后取得读取反应时间,如果超过时间阈值,表示就绪忙碌引脚信号不良。经过上述两项检测便可先把有瑕疵的闪存先筛选掉。
本发明采用从资料暂存器读取测试资料与采用一组时间阈值,在区域数内进行读取测试的方法相结合,使检测的速度快,检测准确,提高对闪存的检测方法与检测闪存品质的速度。
本发明的有益效果是:
本发明采用从资料暂存器读取测试资料与采用一组时间阈值,在区域数内进行读取测试的方法相结合,使检测的速度快,检测准确,提高对闪存的检测方法与检测闪存品质的速度。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种快速检测闪存瑕疵的方法,包括暂存器内部的资料写入与寄存器的缓冲区域内的数据读取,其特征在于:所述暂存器上设块组,每个块又分成多个页,每个页会有多个列组合而成,所述暂存器上还设有缓冲区域。
2.根据权利要求1所述的一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于:所闪存芯片上包括资料资料暂存器。
3.根据权利要求1所述的一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、将全字节为0x55的测试资料写入闪存的资料暂存器;
B、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区1;
C、将全字节为0xAA的测试资料写入闪存的资料暂存器;
D、从资料暂存器读取测试资料到缓冲区2;
E、取出缓冲区1与0x55进行比特比对,是否有某位比特错误;
F、有错误表示该位置的输入输出有问题;
G、取出缓冲区2与0xAA进行比特比对,是否有某位比特错误;
H、有错误表示该位置的输入输出有问题;
I、设定一组时间阈值。
4.根据权利要求1所述的一种快速检测闪存瑕疵的方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、以块0为起始点,逐次往下一个块;
B、向页0发出读取命令;
C、取得读取反应时间,如果超过时间阈值,表示就绪忙碌引脚信号不良;
D、测试块是否小于区域数,测试块小于区域数的时候,选择大于0的数据,返回步骤A重新开始读取,当测试块大于区域数;
E、直接输出测试结果。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1554069A (zh) * | 2001-09-13 | 2004-12-08 | ��ʽ���������Ƽ� | 存储卡及其初始化设置方法 |
| CN101540202A (zh) * | 2008-03-21 | 2009-09-23 | 深圳市朗科科技股份有限公司 | 闪存介质的快速筛选方法和系统 |
| CN101866676A (zh) * | 2009-04-16 | 2010-10-20 | 智微科技股份有限公司 | 用于多通道快闪存储系统的数据存取方法及其数据存取装置 |
| CN102063943A (zh) * | 2010-11-01 | 2011-05-18 | 香港应用科技研究院有限公司 | Nand闪存参数自动检测系统 |
| US20170308438A1 (en) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device, memory system, and method of operating memory device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100559509C (zh) * | 2007-04-13 | 2009-11-11 | 福州瑞芯微电子有限公司 | Bch纠错技术中的校验码写入方法及其写入装置 |
| CN100458977C (zh) * | 2007-04-29 | 2009-02-04 | 北京中星微电子有限公司 | 一种自适应控制闪存接口读写速度的装置和方法 |
| CN103839592B (zh) * | 2014-03-05 | 2017-06-06 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 用于嵌入式快闪存储器的内建自测试方法及装置 |
-
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- 2018-09-15 WO PCT/CN2018/105887 patent/WO2020015130A1/zh not_active Ceased
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1554069A (zh) * | 2001-09-13 | 2004-12-08 | ��ʽ���������Ƽ� | 存储卡及其初始化设置方法 |
| CN101540202A (zh) * | 2008-03-21 | 2009-09-23 | 深圳市朗科科技股份有限公司 | 闪存介质的快速筛选方法和系统 |
| CN101866676A (zh) * | 2009-04-16 | 2010-10-20 | 智微科技股份有限公司 | 用于多通道快闪存储系统的数据存取方法及其数据存取装置 |
| CN102063943A (zh) * | 2010-11-01 | 2011-05-18 | 香港应用科技研究院有限公司 | Nand闪存参数自动检测系统 |
| US20170308438A1 (en) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device, memory system, and method of operating memory device |
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