CN108987037A - 线圈部件及其频率特性的变更方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够简单地变更或调整线圈部件的频率特性的线圈部件及其频率特性的变更方法。线圈部件具有：线圈导体层，其在平面上卷绕；外周引出导体；其在与线圈导体层同一平面上从线圈导体层的外周端引出；内周引出导体，其在与线圈导体层同一平面上从线圈导体层的内周端引出；以及分支导体，其在外周引出导体和内周引出导体中的至少一者分支而设置，在与线圈导体层同一平面上延伸。

Description

线圈部件及其频率特性的变更方法

技术领域

本发明涉及线圈部件及其频率特性的变更方法。

背景技术

以往，作为线圈部件，有日本特开2015-133523号公报(专利文献1)中记载的线圈部件。该线圈部件具有螺旋状的第一线圈导体层和借助绝缘层层叠于第一线圈导体层的螺旋状的第二线圈导体层。

专利文献1：日本特开2015-133523号公报

然而，在所述以往那样的线圈部件中，若拟变更或者拟调整其特性，则对第一线圈导体层、第二线圈导体层的匝数、线宽、线间距离、旋回形状等整体构造进行变更。

例如，在共模扼流线圈中，优选第一线圈导体层、第二线圈导体层的构造尽量没有差异，实施上述设计变更时，基本上需要变更第一线圈导体层、第二线圈导体层这两者，设计变更所花费的劳力、成本较大。

另外，若变更整体构造，则不仅是想要变更或者调整的特性发生变化，连其它特性也会变化，因此也会产生试制多个形状来实施特性匹配等追加作业。

发明内容

因此，本发明的课题在于提供能够简单地变更或者调整线圈部件的频率特性的线圈部件及其频率特性的变更方法。

为解决所述课题，作为本发明的一个方式的线圈部件具备：

线圈导体层，其在平面上卷绕；

外周引出导体，其在与所述线圈导体层同一平面上从所线圈导体层的外周端引出；

内周引出导体，其在与所述线圈导体层同一平面上从所述线圈导体层的内周端引出；以及

分支导体，其从所述外周引出导体和所述内周引出导体中的至少一者分支设置，在与所述线圈导体层同一平面上延伸。

采用所述线圈部件，设置有从外周引出导体和内周引出导体中的至少一者分支的分支导体，因此无需变更例如线圈导体层的匝数、线宽、线间距离、旋回形状等整体构造，仅变更分支导体的长度，便能抑制对其它特性的影响，简单地变更或调整线圈部件的必要特性。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，所述分支导体沿所述线圈导体层的卷绕方向延伸。

采用所述实施方式，分支导体沿线圈导体层的卷绕方向延伸，因此能够减少分支导体遮挡线圈导体层的磁路的情况，能减少特性劣化。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，所述分支导体的线宽和所述线圈导体层的线宽相同。

采用所述实施方式，分支导体的线宽和线圈导体层的线宽相同，因此能够减少由分支导体与线圈导体层的电阻成分的差异所致的反射等信号损失。此外，在通过电镀形成分支导体和线圈导体层的情况下，分支导体和线圈导体层受到的电流密度均匀，能够抑制分支导与和线圈导体层的厚度差别。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，

具有其它线圈导体层，其层叠于所述线圈导体层的上侧和下侧中的任一侧，在平面上卷绕，

从层叠方向观察，所述分支导体与所述其它线圈导体层重叠地延伸。

采用所述实施方式，从层叠方向观察，分支导体与其它线圈导体层重叠地延伸，因此能够减少分支导体屏蔽其它线圈导体层的磁路的情况，能够减少特性的劣化。另外，同为导体的分支导体与其它线圈导体层重叠，因此层叠构造稳定。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，所述分支导体从所述外周引出导体分支而设置。

采用所述实施方式，分支导体从外周引出导体分支设置，因此能够更加简单地变更或者调整线圈部件的特性。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，

所述线圈导体层和所述其它线圈导体层构成共模扼流线圈，

所述分支导体的长度与所述线圈导体层的长度之比例为5％以上18％以下。

采用所述实施方式，一方面，分支导体的长度比例为18.0％以下，因此，与不设置分支导体的情况相比，能够将Scc21的峰值衰减值的降低量设定为3dB以下。由此，不会使Scc21的衰减特性显著降低，便能变更特性。另一方面，因为分支导体的长度比例为5％以上，因此能够高效地改变特性。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，所述分支导体有多个。

采用所述实施方式，能够在更大的范围变更或者调整线圈部件的特性。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，所述线圈导体层的纵横比为1以上且2.5以下。

采用所述实施方式，高频特性提高。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，所述线圈导体层的厚度为5μm以上且15μm以下。

采用所述实施方式，能够使线圈部件轻薄化。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，还具备层叠多个绝缘层而成的基体，所述线圈导体层在所述绝缘层上卷绕。

采用所述实施方式，线圈导体层借助绝缘层而绝缘。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，还具备夹持所述基体的磁性基板。

采用所述实施方式，能够提高阻抗。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，还具备：第一外部电极，其与所述外周引出导体电连接；和第二外部电极，其与所述内周引出导体电连接。

采用所述实施方式，能够将第一外部电极和第二外部电极中的一者作为输入端子，将另一者作为输出端子，实现线圈部件的电连接。

另外，在线圈部件的一个实施方式中，从层叠方向观察，所述磁性基板为四边形状，所述第一外部电极和所述第二外部电极分别配置于所述四边形状的对置的两条边。

采用所述实施方式，能够将输入端子和输出端子配置于对置的边，布线设计变得容易。

另外，在线圈部件的频率特性的变更方法的一个实施方式中，

是变更所述线圈部件的频率特性的方法，

通过变更所述分支导体的长度，来变更所述线圈部件的频率特性。

采用所述实施方式，无需变更线圈导体层的匝数、线宽、线间距离、旋回形状等整体构造，仅变更分支导体的长度，便能抑制对其它特性的影响，简单地变更线圈部件的必要特性。

采用本发明的线圈部件及其频率特性的变更方法，能够抑制对其它特性的影响并简单地变更或者调整线圈部件的必要特性。

附图说明

图1是示出本发明的线圈部件的第一实施方式的剖视图。

图2A是线圈部件的局部的分解俯视图。

图2B是线圈部件的局部的分解俯视图。

图2C是线圈部件的局部的分解俯视图。

图3是从层叠方向观察外周引出导体得到的放大图。

图4A是对线圈部件的制造方法进行说明的说明图。

图4B是对线圈部件的制造方法进行说明的说明图。

图4C是对线圈部件的制造方法进行说明的说明图。

图4D是对线圈部件的制造方法进行说明的说明图。

图4E是对线圈部件的制造方法进行说明的说明图。

图4F是对线圈部件的制造方法进行说明的说明图。

图5是示出分支导体的长度比例与Scc21特性之间的关系的曲线图。

图6A是示出Scc21的峰值衰减值的降低量与分支导体的长度比例之间的关系的曲线图。

图6B是示出Scc21的峰值频率的降低量与分支导体的长度比例之间的关系的曲线图。

图7是示出本发明的线圈部件的第二实施方式的俯视图。

图8是示出分支导体的长度比例与Scc21特性之间的关系的曲线图。

图9A是示出Scc21的峰值衰减值的降低量与分支导体的长度比例之间的关系的曲线图。

图9B是示出Scc21的峰值频率的降低量与分支导体的长度比例之间的关系的曲线图。

图10是示出本发明的线圈部件的第三实施方式的放大俯视图。

附图符号说明

1、1A、1B…线圈部件；10…基体；11…绝缘层；21…第一线圈导体层；21a…外周端；21b…内周端；22…第二线圈导体层；22a…外周端；22b…内周端；25…连接导体；30…外周引出导体；31…连接部分；32、32A、32B…分支导体；33…内周引出导体。

具体实施方式

以下，利用图示的实施方式详细说明本发明。

(第一实施方式)

图1是示出线圈部件的第一实施方式的剖视图。图2A、图2B及图2C是线圈部件的局部的分解俯视图。如图1和图2A～图2C所示，线圈部件1具有基体10、设置于基体10的内部的第一线圈导体层21和第二线圈导体层22以及与第一线圈导体层21、第二线圈导体层22电连接的连接电极41～44和外部电极51～54(外部电极51、53未图示)。第一线圈导体层21、第二线圈导体层22构成共模扼流线圈。

线圈部件1经由连接电极41～44和外部电极51～54，与未图示的电路基板的布线电连接。线圈部件1例如作为共模扼流线圈使用，被用于个人计算机、DVD播放器、数码相机、电视、移动电话、汽车用电子设备、医疗用和工业用机械等电子设备。

基体10包括多个绝缘层11，多个绝缘层11在层叠方向A上层叠。绝缘层11例如由以树脂、铁氧体、玻璃等作为主要成分的绝缘性材料构成。此外，基体10存在因烧制等致使多个绝缘层11彼此之间的界面不明确的情况。基体10形成为近似长方体状。在图1中，将层叠方向A设为上下方向。图2A～图2C从上层到下层依次示出。层叠方向A仅表示工艺上的顺序，作为线圈部件1的上下也可以颠倒过来(外部电极51～54位于上侧的结构)。

在基体10的下表面配置有第一基板61，在基体10的上表面设置有第二基板62。第二基板61借助粘合剂65粘贴于基体10的上表面。第一基板61、第二基板62例如为铁氧体基板。此外，针对第一基板61、第二基板62而使用的铁氧体材料既可以是磁性体也可以是非磁性体，如果是磁性体，就能提高阻抗。另外，第一基板61、第二基板62也可以是氧化铝、玻璃等铁氧体材料以外的材料。

连接电极41～44和外部电极51～54例如由Ag、Cu、Au、或者是以这些成分为主要成分的合金等导电性材料构成。电极包括第一连接电极至第四连接电极41～44和第一外部电极至第四外部电极51～54。第一连接电极至第四连接电极41～44分别沿层叠方向A埋入基体10的角部。第一外部电极至第四外部电极51～54从基体10的下表面设置到侧表面。第一连接电极41与第一外部电极51连接，第二连接电极42与第二外部电极52连接，第三连接电极43与第三外部电极53连接，第四连接电极44与第四外部电极54连接。

能够将第一外部电极51、第二外部电极52中的一者作为输入端子，另一者作为输出端子，将第三外部电极53、第四外部电极54中的一者作为输入端子，另一者作为输出端子，实现线圈部件1的电连接。从层叠方向观察，第一基板61、第二基板62为四边形状，第一外部电极51、第二外部电极52分别配置于四边形状的对置的两条边，第三外部电极53、第四外部电极54分别配置于四边形状的对置的两条边。由此，能够将输入端子和输出端子配置于对置的边，布线设计变得容易。

第一线圈导体层21和第二线圈导体层22例如由与连接电极41～44以及外部电极51～54相同的导电性材料构成。第一线圈导体层21、第二线圈导体层22分别在平面上卷绕，呈平面螺旋形状。第一线圈导体层21、第二线圈导体层22的圈数为一圈以上，但也可以是不足一圈。第一线圈导体层21、第二线圈导体层22分别设置于不同的绝缘层11，在层叠方向A上排列。第一线圈导体层21配置于第二线圈导体层22的下方。

在与第一线圈导体层21同一平面上(同一绝缘层11上)，设置有外周引出导体30和内周引出导体33。外周引出导体30被从第一线圈导体层21的外周端21a向外侧引出，与第一连接电极41连接。外周端21a是指偏出第一线圈导体层21的螺旋形状的部分，外周引出导体30是指外周端21a之后的部分。外周引出导体30和第一线圈导体层21一体形成。

内周引出导体33被从第一线圈导体层21的内周端21b向内侧引出，与沿层叠方向A设置于基体10内的连接导体25连接。内周端21b是指偏出第一线圈导体层21的螺旋形状的部分，内周引出导体33是指内周端21b之后的部分。内周引出导体33和第一线圈导体层21一体形成。连接导体25与在第二线圈导体层22的上方的绝缘层11之上设置的第一引出布线36连接，第一引出布线36与第二连接电极42连接。这样，第一线圈导体层21与第一连接电极41和第二连接电极42连接。

在与第二线圈导体层22同一平面上(同一的绝缘层11上)，设置有外周引出导体30和内周引出导体33。外周引出导体30被从第二线圈导体层22的外周端22a向外侧引出，与第三连接电极43连接。

内周引出导体33被从第二线圈导体层22的内周端22b向内侧引出，与在第二线圈导体层22的上方的绝缘层11之上设置的第二引出布线37连接。第二引出布线37与第四连接电极44连接。这样，第二线圈导体层22与第三连接电极43和第四连接电极44连接。

从层叠方向A观察，第一线圈导体层21和第二线圈导体层22重叠为同心状。这里，“重叠”是指第一线圈导体层21的螺旋形状部分与第二线圈导体层22的螺旋形状部分实质上重叠。

第一线圈导体层21与第二线圈导体层22的纵横比优选为1以上且2.5以下。采用该方式，高频特性提高。另外，第一线圈导体层21的厚度和第二线圈导体层22的厚度优选为5μm以上且15μm以下。采用该方式，能够使线圈部件轻薄化。

图3是从层叠方向观察外周引出导体30的附近所得到的放大图。在图3中，用阴影线示出外周引出导体30、第一线圈导体层21以及第一连接电极41，用假想线示出比它们靠上层的第二线圈导体层22。将第二线圈导体层22的线宽描绘得比第一线圈导体层21的线宽大，但实际上是相同的线宽。此外，第一线圈导体层21的线宽和第二线圈导体层22的线宽也可以不同。

如图3所示，在外周引出导体30分支，设置有分支导体32。分支导体32在与第一线圈导体层21同一平面上延伸。外周引出导体30包括与第一线圈导体层21连接的连接部分31。分支导体32与连接部分31连接。图中，连接部分31是从外周端21a起截至分两叉的部位之间的部分。分支导体32从连接部分31延伸。

分支导体32沿第一线圈导体层21的卷绕方向延伸。分支导体32的线宽与第一线圈导体层21的线宽相同。这里，线宽，是指从层叠方向观察，与分支导体32、第一线圈导体层21延伸的方向正交的尺寸。从层叠方向观察，分支导体32与第二线圈导体层22重叠地延伸。分支导体32的长度与第一线圈导体层21的长度之比例(以下，称分支导体32的长度比例)优选为5％以上18％以下。这里，长度是指布线长度、即第一线圈导体层21、分支导体32的沿延伸形状的长度。

接下来，说明所述线圈部件1的制造方法。对图3的X-X剖面的制造方法进行说明。图3的X-X剖面是外周引出导体30的比连接部分31靠后的部分、分支导体32以及第一线圈导体层21的与延伸方向正交的方向上的剖面。

如图4A所示，在第一绝缘层11a之上，设置第一线圈导体层21、外周引出导体30以及分支导体32。进而，在第一线圈导体层21和外周引出导体30上层叠第二绝缘层11b。之后，如图4B所示，在第二绝缘层11b的上表面设置给电膜71，在给电膜71之上设置光致抗蚀剂72。

之后，如图4C所示，从层叠方向观察，与第一线圈导体层21和分支导体32重叠地，在光致抗蚀剂72上设置掩模73。光致抗蚀剂72是负性抗蚀剂。进而，对光致抗蚀剂72进行曝光。如虚线箭头所示，用于曝光的光进入光致抗蚀剂72内。

之后，如图4D所示，去除掩模73，通过显影，去除因掩模73而没有曝光的部分，在光致抗蚀剂72形成开口部72a。之后，如图4E所示，在去除了光致抗蚀剂72的部分(开口部72a)设置第二线圈导体层22。通过向给电膜71通电，由此利用镀敷，形成第二线圈导体层22。

之后，如图4F所示，去除光致抗蚀剂72和给电膜71，在第二线圈导体层22上层叠第三绝缘层11c。如图1所示，在第一基板61之上形成如上述那样形成的基体10，在基体10之上形成第二基板62。引出布线36、37、连接电极41～44等的形成省略，但只要使用公知的方法即可。之后，设置外部电极51～54，制造线圈部件1。

采用所述线圈部件1，在外周引出导体30设置分支导体32，因此无需变更例如线圈导体层21、22的匝数、线宽、线间距离、旋回形状等整体构造，仅变更分支导体32的长度，就能简单地变更或者调整线圈部件1的频率特性。另外，如上所述，由于是利用分支导体32实施特性的变更或者调整，并不变更线圈导体层21、22的整体构造，因此能够抑制对阻抗、Rdc等主要特性的影响。

例如，图5示出线圈部件1为共模扼流线圈时的分支导体32的长度比例与Scc21特性之间的关系。在图5中，纵轴表示Scc21(dB)，横轴表示频率(Hz)。在图5中，曲线图L0(实线)表示没有设置分支导体32的状态，曲线图L1(单点划线)表示分支导体32的长度比例为10.6％的状态，曲线图L2(双点划线)表示分支导体32的长度比例为23.8％的状态，曲线图L3(虚线)表示分支导体32的长度比例为37.4％的状态。

如图5所示，通过增大分支导体32的长度，能够将Scc21特性的最大衰减频率设定为低频带。换言之，仅变更用于制造分支导体32的光掩模的设计，就能变更Scc21的频率特性。与此相对地，在以往的变更或者调整方法中，需要对用于制造线圈导体层21、22的光掩模这两者进行变更，会花费较大成本。

采用所述线圈部件1，分支导体32沿第一线圈导体层21的卷绕方向延伸，因此能够减少分支导体32遮挡第一线圈导体层21的磁路的情况，能够减少特性的劣化。具体而言，能够实现更高衰减的Scc21特性。

采用所述线圈部件1，分支导体32的线宽和第一线圈导体层21的线宽相同，因此能够减少因分支导体与线圈导体层的在电阻成分上的差异所致的反射等信号损失。另外，在通过电镀形成分支导体32和第一线圈导体层21的情况下，在分支导体32和第一线圈导体层21上形成的电流密度均匀，能够抑制分支导体32和第一线圈导体层21的厚度差别。

采用所述线圈部件1，从层叠方向观察，分支导体32与第二线圈导体层22重叠地延伸，因此能够减少分支导体32遮挡第二线圈导体层22的磁路的情况，能够减少特性的劣化。具体而言，能够实现更高衰减的Scc21特性。另外，同为导体的分支导体与其它线圈导体层重叠，因此层叠构造稳定。

采用所述线圈部件1，分支导体32设置于外周引出导体30，因此能够更加简单地变更或者调整线圈部件1的频率特性。具体而言，如后所述，与从内周引出导体33分支设置分支导体32的情况相比，在从外周引出导体30分支设置分支导体32的情况下，分支导体32的单位布线长度的频率特性的变化更大。

采用所述线圈部件1，一方面，分支导体32的长度比例为18.0％以下，因此，如图6A所示，与没有设置分支导体32的情况相比，能够将Scc21的峰值衰减值的降低量设为3dB以下。图6A基于图5的曲线图制成，纵轴表示Scc21的峰值衰减值的降低量(dB)，横轴表示分支导体32的长度比例(％)。因此，不会使Scc21的衰减特性显著降低，便能变更频率特性。

另一方面，分支导体32的长度比例为5％以上，因此，如图6B所示，能够高效地改变特性。图6B基于图5的曲线图制成，纵轴表示Scc21的峰值频率的降低量(Hz)，横轴表示分支导体32的长度比例(％)。

接下来，对变更所述线圈部件1的频率特性的方法进行说明。通过变更分支导体32的长度，来变更线圈部件1的频率特性。例如，如图5、图6A、图6B所示，基于分支导体32的长度与频率特性之间的关系，变更频率特性。因此，能够通过变更分支导体32的长度，而简单地变更线圈部件1的频率特性。

(第二实施方式)

图7是示出本发明的线圈部件的第二实施方式的俯视图。第二实施方式与第一实施方式相比，分支导体的位置不同。以下说明该不同的结构。其它结构都是与第一实施方式相同的结构，标注与第一实施方式相同的附图标记，省略其说明。

如图7所示，在第二实施方式的线圈部件1A中，分支导体32设置于第一线圈导体层21的内周引出导体33。分支导体32在与第一线圈导体层21同一平面上延伸。分支导体32沿与第一线圈导体层21的卷绕方向相反的方向延伸。分支导体32的线宽和第一线圈导体层21的线宽相同。

采用所述线圈部件1A，在内周引出导体33设置有分支导体32，因此，能够通过例如变更分支导体32的长度，简单地变更或者调整线圈部件1A的频率特性。另外，如上所述，由于是利用分支导体32实施特性的变更或者调整，并不改变第一线圈导体层21、第二线圈导体层22的整体构造，因此能够抑制对阻抗、Rdc等主要特性的影响。

例如，通过变更分支导体32的长度与第一线圈导体层21的长度之比例(以下，称分支导体32的长度比例)，能够变更Scc21特性。图8示出线圈部件1A为共模扼流线圈时的分支导体32的长度与Scc21特性之间的关系。在图8中，纵轴表示Scc21(dB)，横轴表示频率(Hz)。在图8中，曲线图L0(实线)表示没有设置分支导体32的状态，曲线图L1(单点划线)表示分支导体32的长度比例为6.8％的状态，曲线图L2(虚线)表示分支导体32的长度比例为16.0％的状态。

如图8所示，通过增大分支导体32的长度，能够将Scc21特性的最大衰减频率设定为低频带。换言之，仅变更用于制造分支导体32的光掩模的设计，就能变更Scc21的频率特性。

图9A示出Scc21的峰值衰减值的降低量(dB)与分支导体32的长度比例(％)之间的关系。图9B示出Scc21的峰值频率的降低量(Hz)与分支导体32的长度比例(％)之间的关系。图9A和图9B基于图8的曲线图而制作。如图9A和图9B所示，通过增大分支导体32的长度比例，能够增大Scc21的峰值衰减值的降低量和Scc21的峰值频率的降低量。

(第三实施方式)

图10是示出本发明的线圈部件的第三实施方式的放大俯视图。第三实施方式与第一实施方式相比，分支导体的数量不同。以下说明该不同的结构。其它结构都是与第一实施方式相同的结构，标注与第一实施方式相同的附图标记，省略其说明。

如图10所示，在第三实施方式的线圈部件1B中，分支导体32有多个。在线圈部件1B中，除了第一实施方式的分支导体32，还设置有第一分支导体32A或者第二分支导体32B中的至少一者。

第一分支导体32A、第二分支导体32B设置于外周引出导体30的连接部分31。第一分支导体32A沿第一线圈导体层21的卷绕方向在分支导体32的外侧延伸。第二分支导体32B沿与第一线圈导体层21的卷绕方向相反的方向在第一线圈导体层21的外侧延伸。

因此，分支导体32、32A、32B有多个，因此能够在更大的范围对线圈部件1B的频率特性进行变更或者调整。此外，分支导体也可以是2个，还可以是4个以上。

此外，本发明并不局限于上述实施方式，能够在不脱离本发明的要旨的范围变更设计。例如，也可以对第一实施方式至第三实施方式的各自特征点进行各种组合。

在所述实施方式中，在第一线圈导体层设置有分支导体，但也可以在第一线圈导体层和第二线圈导体层中的至少一者设置分支导体。

在所述实施方式中，线圈导体层是2个，但线圈导体层的数量也可以是1个或者3个以上，只要设定为在至少一个线圈导体层设置分支导体即可。

在所述实施方式中，在外周引出导体或者内周引出导体中的一者设置有分支导体，但是也可以在外周引出导体和内周引出导体这两者设置分支导体。此外，将图6A、6B与图9A、9B进行对比，与从内周引出导体分支的情况相比，从外周引出导体分支的情况下，单位布线长度的频率特性的变化相对大(即，效果相对好)。

在所述实施方式中，第一线圈导体层和第二线圈导体层分别构成不同的电感器，但也可以将第一线圈导体层与第二线圈导体层连接，来构成同一电感器。此时，外部电极的数量为2个(2个端子)。而且，作为线圈部件，例如作为高频电路的阻抗匹配线圈(匹配线圈：Marching Coil)使用。

在所述实施方式中，线圈部件的用途例如也可以用于调谐电路、滤波电路、整流平滑电路等。

在所述实施方式中，根据分支导体的长度，对Scc21的频率特性、特别是衰减值达到峰值的频率进行了变更或者调整，但并不局限于此。例如，也可以对Scc21的衰减值的大小、峰值形状(窄频带化、宽频带化)进行变更或者调整。另外，例如，还可以对其它S参数的频率特性进行变更或者调整。另外，例如并不局限于频率特性，还可以对其它特性进行变更或者调整。

Claims (14)

1.一种线圈部件，其中，具备：

线圈导体层，其在平面上卷绕；

外周引出导体，其在与所述线圈导体层同一平面上从所线圈导体层的外周端引出；

内周引出导体，其与所述线圈导体层同一平面上从所述线圈导体层的内周端在引出；以及

分支导体，其从所述外周引出导体和所述内周引出导体中的至少一者分支设置，在与所述线圈导体层同一平面上延伸。

2.根据权利要求1所述的线圈部件，其中，

所述分支导体沿所述线圈导体层的卷绕方向延伸。

3.根据权利要求2所述的线圈部件，其中，

所述分支导体的线宽和所述线圈导体层的线宽相同。

4.根据权利要求2或者3所述的线圈部件，其中，

具有其它线圈导体层，其层叠于所述线圈导体层的上侧和下侧中的任一侧，在平面上卷绕，

从层叠方向观察，所述分支导体与所述其它线圈导体层重叠地延伸。

5.根据权利要求4所述的线圈部件，其中，

所述分支导体从所述外周引出导体分支设置。

6.根据权利要求5所述的线圈部件，其中，

所述线圈导体层和所述其它线圈导体层构成共模扼流线圈，

所述分支导体的长度与所述线圈导体层的长度之比例为5％以上18％以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的线圈部件，其中，

所述分支导体有多个。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的线圈部件，其中，

所述线圈导体层的纵横比为1以上且2.5以下。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的线圈部件，其中，

所述线圈导体层的厚度为5μm以上且15μm以下。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的线圈部件，其中，

还具备层叠多个绝缘层而成的基体，所述线圈导体层在所述绝缘层上卷绕。

11.权利要求10所述的线圈部件，其中，

还具备夹持所述基体的磁性基板。

12.根据权利要求11所述的线圈部件，其中，

还具备：第一外部电极，其与所述外周引出导体电连接；和第二外部电极，其与所述内周引出导体电连接。

13.根据权利要求12所述的线圈部件，其中，

从层叠方向观察，所述磁性基板为四边形状，所述第一外部电极和所述第二外部电极分别配置于所述四边形状的对置的两条边。

14.一种线圈部件的频率特性的变更方法，是对权利要求1～13中任一项所述的线圈部件的频率特性进行变更的方法，其中，

通过变更所述分支导体的长度，来变更所述线圈部件的频率特性。