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CN108807435A - 半导体装置封装以及其制造方法 - Google Patents

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CN108807435A
CN108807435A CN201810295824.4A CN201810295824A CN108807435A CN 108807435 A CN108807435 A CN 108807435A CN 201810295824 A CN201810295824 A CN 201810295824A CN 108807435 A CN108807435 A CN 108807435A
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詹勋伟
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Abstract

半导体装置封装包括载体、设置在所述载体上的半导体装置和设置在所述半导体装置上的盖。所述盖与所述载体隔开第一距离。所述盖包括基底部分、从所述基底部分朝向所述半导体装置延伸的第一接脚和透明部分。所述第一接脚与所述载体隔开第二距离。

Description

半导体装置封装以及其制造方法
相关申请的交叉参考
本申请要求2017年4月26日提交的美国临时申请No.62/490,571的权利和优先权，所述美国临时申请的内容以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开涉及包含邻近于载体的盖的半导体装置封装，并且涉及包含具有第一长度的第一延伸部分和具有第二长度的第二延伸部分的盖的半导体装置封装，所述第一延伸部分的所述第一长度大于所述第二延伸部分的所述第二长度。
背景技术
一些半导体装置封装包含半导体装置(例如，传感器、裸片或芯片)、盖和设置在盖上的透镜。然而，半导体装置封装的性能可由于在制造半导体装置封装的过程期间的不准确性(例如，组件之间的未对准大于组件的制造公差)而恶化。
发明内容
在一些实施例中，根据一个方面，一种半导体装置封装包含载体、设置在所述载体上的半导体装置和设置在所述半导体装置上的盖。所述盖与所述载体隔开第一距离。所述盖包含基底部分、从所述基底部分朝向所述半导体装置延伸的第一接脚和透明部分。所述第一接脚与所述载体隔开第二距离。
在一些实施例中，根据另一方面，一种半导体装置封装包含载体、设置在上所述载体上的半导体装置模块和覆盖并且包围所述半导体装置模块的盖。所述盖包含基底部分、从所述基底部分朝向所述半导体装置模块延伸的接脚和透明部分。所述接脚接触所述半导体装置模块。
在一些实施例中，根据另一方面，一种半导体装置封装包含载体、设置在所述载体上的半导体装置和邻近于所述载体的盖。所述盖包含基底部分、具有第一长度的第一延伸部分、具有第二长度的第二延伸部分以及透明部分。所述第一延伸部分和所述第二延伸部分从所述基底部分朝向所述载体延伸。所述第一延伸部分的所述第一长度大于所述第二延伸部分的所述第二长度。
在一些实施例中，根据另一方面，一种用于制造半导体装置封装的方法包含：提供载体和半导体装置模块；以及在所述半导体装置模块上提供盖，所述盖与所述载体隔开间隙。所述盖包含朝向所述半导体装置模块突出的多个接脚。所述多个接脚接触所述半导体装置模块。
附图说明
图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。
图1B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。
图1C说明根据本公开的一些实施例的盖的立体图。
图1D说明根据本公开的一些实施例的盖的立体图。
图1E说明根据本公开的一些实施例的盖的立体图。
图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。
图2B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的截面图。
图3说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。
图4说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。
图5说明对比半导体装置封装的截面图。
具体实施方式
贯穿图式和实施方式使用共同参考数字以指示相同或相似组件。从结合附图的以下详细描述将更容易理解本公开的实施例。
对于如相关联图中所展示的组件的定向，关于某一组件或某一组组件，或一组件或一组组件的某一平面而指定空间描述，例如“在…之上”、“在…之下”、“上”、“左”、“右”、“下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧”、“较高”、“下部”、“上部”、“在…上方”、“在…下方”等。应理解，本文中所使用的空间描述仅出于说明目的，并且本文中所描述的结构的实际实施可以任何定向或方式在空间上布置，其限制条件是本公开的实施例的优点不因此布置而有偏差。
图1A是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装1的截面图。半导体装置封装1包含载体10、粘合材料11、盖12、支撑件14以及半导体装置15。
载体10可包含电路。载体10可包含重分配结构。
半导体装置15被设置在载体10上。半导体装置15经由导电线(图1A中未表示)电连接到载体10的电路。半导体装置15可包含光学裸片，例如互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器或类似物。
支撑件14被设置在半导体装置15上。支撑件14可附接到半导体装置15。支撑件14可通过例如粘合剂17附接到半导体装置15。支撑件14可保护半导体装置15免受损害。支撑件14可保护半导体装置15免受污染物(例如，湿气、颗粒、灰尘等)影响。
支撑件14包含至少一个间隔件141。支撑件14包含板142。间隔件141和板142可形成整体以作为单块结构。间隔件141和板142构成支撑件14的至少一部分。支撑件14包含透明材料(例如，大体上透射半导体装置15被配置以处理或发射的光(例如约80％或更大透射率、约90％或更大透射率或约95％或更大透射率)的材料)。
间隔件141接触半导体装置15。板142覆盖半导体装置15的至少一部分。板142覆盖半导体装置15的感测区。板142可包含或可涂布有一或多个光学滤光器。粘合剂17邻近于间隔件141而设置。粘合剂17包围间隔件141。间隔件141防止粘合剂17进入半导体装置15的感测区。支撑件14和半导体装置15构成半导体装置模块16的至少一部分。半导体装置模块16也可以包含粘合剂17。
盖12被设置在半导体装置模块16上。盖12被设置在板142上。盖12覆盖并且包围半导体装置模块16。盖12被设置在半导体装置15上。盖12被设置在支撑件14上。盖12接触支撑件14。盖12接触板142。
盖12与载体10隔开间隙/距离G1。盖12由粘合材料11与载体10隔开。盖12包含基底部分122。盖12包含延伸部分(在本文中也被称作接脚)121。盖12包含延伸部分(在本文中也被称作接脚)123。盖12包含透明部分13。尽管未说明，但盖12可界定通风孔。盖12可包含透明材料(例如，大体上透射半导体装置15被配置以处理或发射的光(例如约80％或更大透射率、约90％或更大透射率或约95％或更大透射率)的材料)。盖12可包含不透光材料(例如，对半导体装置15被配置以处理或发射的光具有约20％或更小、约10％或更小或约5％或更小的透射率的材料)。
透明部分13可包含透镜。透明部分13可包含板。透明部分13可集成到盖12中。透明部分13和盖12可形成整体以作为单块结构。透明部分13可被嵌入或设置在基底部分122中。透明部分13可包含，例如但不限于，凸面部分、凹面部分和/或平面部分。
基底部分122覆盖半导体装置模块16的至少一部分。基底部分122可具有大体上平面的底表面。延伸部分121从盖12的基底部分122(例如，从基底部分122的底表面)朝向载体10延伸，并且具有长度L1。延伸部分123从盖12的基底部分122(例如，从基底部分122的底表面)朝向载体10和朝向半导体装置15延伸，并且具有长度L2。延伸部分121的长度L1大于延伸部分123的长度L2(例如，倍数是约1.5或更大、约2或更大或约3或更大)。延伸部分123可具有长度L2，所述长度大体上等于透明部分13的焦距。延伸部分123接触半导体装置模块16。延伸部分123接触支撑件14。延伸部分123邻接半导体装置模块16。延伸部分123与载体10隔开间隙/距离G2。延伸部分121与载体10隔开间隙/距离G1。间隙/距离G2大于间隙/距离G1(例如，倍数是约2或更大、约3或更大或约4或更大)。间隙/距离G1可小于约200微米(μm)(例如，可为约190μm或更小、约180μm或更小或约170μm或更小)。
粘合材料11被设置在盖12的延伸部分121与载体10之间。粘合材料11大体上填充间隙/距离G1。粘合材料11包围半导体装置15。粘合材料11用以将盖12接合到载体10。在一些其它实施例中，粘合材料11可分开盖12的延伸部分121与载体10。
盖12邻接支撑件14。盖12接触支撑件14。透明部分13与半导体装置15之间的有效光学路径或焦距可取决于延伸部分123的长度L2。透明部分13与半导体装置15之间的有效光学路径或焦距可取决于支撑件14的厚度(可根据支撑件14的厚度来设定)。此等布置可缓解或最小化由装配未对准/偏差造成的光学问题。此等布置可缓解或最小化由偏离制造公差/偏差造成的光学问题。支撑件14的制造偏差可影响半导体装置封装1的光学性能。延伸部分123的制造偏差可影响半导体装置封装1的光学性能。延伸部分123的制造公差可在大致10μm到大致20μm的范围内。透明板142的制造公差可在大致5μm到大致10μm的范围内。间隔件141的制造公差可在大致5μm到大致10μm的范围内。半导体装置封装1的总制造公差可在大致20μm到大致40μm的范围内。
延伸部分121的制造公差可在大致20μm到大致30μm的范围内。值得注意地，由于(可充当焦距接脚)的延伸部分123的尺寸小于延伸部分121的尺寸，因此可使得延伸部分123的偏差较小。
图1B是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装1'的截面图。除了省略粘合材料11之外，图1B的半导体装置封装1'的结构类似于图1A的半导体装置封装1。盖12通过盖12的延伸部分123的支撑而设置在半导体装置模块16上。盖12被放置在支撑件14上。盖12的延伸部分121设计成与载体10隔开间隙/距离G1。盖12的延伸部分123设计成与载体10隔开间隙/距离G2。间隙/距离G2大于间隙/距离G1(例如，倍数是约2或更大、约3或更大或约4或更大)。间隙/距离G1可小于约200μm(例如，可为约190μm或更小、约180μm或更小或约170μm或更小)。
图1C是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装1的盖12的立体图。盖12包含延伸部分121、基底部分122、三个延伸部分123以及透明部分13。所述延伸部分123从盖12延伸。所述延伸部分123具有大体上相同的长度/高度L2。在一些实施例中，三个延伸部分123的尺寸(例如，直径或高度)相同。所述延伸部分123在基底部分122的底表面上的位置可视需要设定。
图1D是根据本公开的一些实施例的盖12'的立体图。除了盖12'具有一个延伸部分123之外，图1D的盖12'的结构类似于图1C的盖12。此布置可降低盖12'的成本。延伸部分123的所述布置可帮助避免或缓解爆米花效应(例如，因温度改变所致的充气，此可导致一或多个组件的变形或移位)。延伸部分123的所述布置可帮助避免延伸部分123影响入射光。
图1E是根据本公开的一些实施例的盖12”的立体图。除了盖12”具有包围透明部分13的延伸部分123'之外，图1E的盖12”的结构类似于图1C的盖12。延伸部分123'的形状可为例如圆形、椭圆形、矩形或多边形。延伸部分123'的所述布置可使盖12”稳定地布置在半导体装置模块16上。
图2A是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装2的截面图。半导体装置封装2包含载体10、粘合材料11、盖22以及半导体装置15。
载体10可包含电路。载体10可包含重分配结构。
半导体装置15被设置在载体10上。半导体装置15经由导电线(图2A中未表示)电连接到载体10的电路。半导体装置15可包含光学裸片，例如CMOS影像传感器或类似物。
盖22被设置在半导体装置15上。盖22接触半导体装置15。盖22覆盖并且包围半导体装置15。
盖22与载体10隔开间隙/距离G1'。盖22由粘合材料11与载体10隔开。盖22包含基底部分222。盖22包含延伸部分(在本文中也被称作接脚)221。盖22包含延伸部分(在本文中也被称作接脚)223。盖22包含透明部分13。尽管未说明，但盖22可界定通风孔。盖22可包含透明材料(例如，大体上透射半导体装置15被配置以处理或发射的光(例如约80％或更大透射率、约90％或更大透射率或约95％更大透射率)的材料)。盖22可包含不透光材料(例如，对半导体装置15被配置以处理或发射的光具有约20％或更小、约10％或更小或约5％或更小的透射率的材料)。
透明部分13可包含透镜。透明部分13可包含板。透明部分13可集成到盖22中。透明部分13和盖22可形成整体以作为单块结构。透明部分13可被嵌入或设置在基底部分222中。透明部分13可包含，例如但不限于，凸面部分、凹面部分和/或平面部分。
基底部分222覆盖半导体装置15的至少一部分。基底部分122可具有大体上平面的底表面。延伸部分221从盖22的基底部分222(例如，从基底部分222的底表面)朝向载体10延伸，并且具有长度L1'。延伸部分223从盖22的基底部分222(例如，从基底部分222的底表面)朝向载体10和朝向半导体装置15延伸，并且具有长度L2'。延伸部分221的长度L1'大于延伸部分223的长度L2'(例如，倍数是约1.5或更大、约2或更大或约3或更大)。延伸部分223可具有长度L2'，所述长度大体上等于透明部分13的焦距。延伸部分223接触半导体装置15。延伸部分223邻接半导体装置15。延伸部分223与载体10隔开间隙/距离G2'。间隙/距离G2'大于间隙/距离G1'(例如，倍数是约1.5或更大、约2或更大或约3或更大)。延伸部分221与载体10隔开间隙/距离G1'。间隙/距离G1'可小于约200μm(例如，可为约190μm或更小、约180μm或更小或约170μm或更小)。
粘合材料11被设置在盖22的延伸部分221与载体10之间。粘合材料11大体上填充间隙/距离G1'。粘合材料11包围半导体装置15。粘合材料11用以将盖22接合到载体10。在一些实施例中，粘合材料11可不连续地包围半导体装置15。
盖22邻接半导体装置15。盖22接触半导体装置15。透明部分13与半导体装置15之间的有效光学路径或焦距可取决于延伸部分223的长度L2'。此等布置可缓解或最小化由装配未对准/偏差造成的光学问题。此等布置可缓解或最小化由偏离制造公差造成的光学问题。(可充当焦距接脚)的延伸部分223的制造偏差影响半导体装置封装2的光学性能。延伸部分223的制造公差可在大致10μm到大致20μm的范围内。半导体装置封装2的总制造公差可在大致10μm到大致20μm的范围内。
延伸部分221的制造公差可在大致20μm到大致30μm的范围内。由于延伸部分223的尺寸小于延伸部分221的尺寸，因此可使得延伸部分223的偏差较小。
图2B是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装3的截面图。半导体装置封装3包含载体10、粘合材料11、盖32以及半导体装置15。图2B的半导体装置封装3的结构类似于图2A的半导体装置封装2，并且包含盖32。半导体装置封装3的半导体装置15是发射体。盖32包含透明材料(例如，大体上透射半导体装置15被配置以发射的光(例如约80％或更大透射率、约90％或更大透射率或约95％或更大透射率)的材料)。
盖32包含基底部分322。盖32包含延伸部分321。盖32包含延伸部分323。盖32包含透明部分324。延伸部分321、基底部分322、延伸部分323以及透明部分324可形成整体以作为单块结构。
图3说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装1的方法。提供载体10，并且将半导体装置15接合并且线接合到载体10。半导体装置15可以是光学裸片。在一些实施例中，半导体装置15可以是影像传感器。将粘合剂17设置或提供在半导体装置15上。
将粘合材料11施加到载体10。施加的粘合材料11可以是软凝胶或胶水。施加的粘合材料11的高度/厚度或体积足够大，以确保当将盖12附接到半导体装置15上的支撑件14时，施加的粘合材料11接触盖12。在一或多个实施例中，施加的粘合材料11的高度/厚度大于装配后的半导体装置封装1的间隙G1(且例如，施加的粘合材料11在制造过程期间被压缩)。
将支撑件14附接到半导体装置15。支撑件14包含间隔件141和透明板142。粘合剂17邻近于间隔件141。粘合剂17可帮助将支撑件14固定到半导体装置15。支撑件14和半导体装置15构成半导体装置模块16的至少一部分。
将盖12附接到支撑件14。盖12包含延伸部分121、基底部分122、延伸部分123以及透明部分13。透明部分13可经由射出操作来预成型。透明部分13被嵌入盖12的基底部分122中。延伸部分123直接接触支撑件14的透明板142。盖12经由延伸部分123而设置在支撑件14上。延伸部分121邻近于载体10。延伸部分121与载体10隔开间隙/距离G1。延伸部分123与载体10隔开间隙/距离G2。间隙/距离G2大于间隙/距离G1(例如，倍数是约2或更大、约3或更大或约4或更大)。间隙/距离G1可小于200μm(例如，可为约190μm或更小、约180μm或更小或约170μm或更小)。延伸部分121接触粘合材料11。由延伸部分121压紧粘合材料11。粘合材料11填充间隙/距离G1。粘合材料11可固化。固化的粘合材料11的高度或厚度可大于G1。
盖12包含不透光材料(例如，对半导体装置15被配置以处理或发射的光具有约20％或更小、约10％或更小或约5％或更小的透射率的材料)。延伸部分121、基底部分122和延伸部分123可形成整体以作为单块结构。延伸部分121、基底部分122和延伸部分123包含不透光材料(例如，对半导体装置15被配置以处理或发射的光具有约20％或更小、约10％或更小或约5％或更小的透射率的材料)。在一些实施例中，盖12可包含朝向半导体装置模块16突出的多个延伸部分123。
延伸部分121具有长度L1。延伸部分123具有长度L2。延伸部分121的长度L1大于延伸部分123的长度L2(例如，倍数是约1.5或更大、约2或更大或约3或更大)。长度L1和长度L2可根据设计规范来设定。透明部分13与半导体装置15之间的焦距可通过设定延伸部分123的长度L2来控制。
延伸部分123的制造公差可在大致10μm到大致20μm的范围内。透明板142的制造公差可在大致5μm到大致10μm的范围内。间隔件141的制造公差可在大致5μm到大致10μm的范围内。半导体装置封装1的总制造公差可在大致20μm到大致40μm的范围内。
图3的制造方法可类似地适用于制造图1B的半导体装置封装1'。
图4说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装2的方法。图4可类似地适用于制造图2B的半导体装置封装3。提供载体10，并且将半导体装置15接合并且线接合到载体10。半导体装置15可以是光学裸片。在一些实施例中，半导体装置15可以是影像传感器。
将粘合材料11施加到载体10。施加的粘合材料11可以是软凝胶或胶水。施加的粘合材料11的高度/厚度或体积足够大，以确保当将盖22附接到半导体装置15时，施加的粘合材料11接触盖22。在一或多个实施例中，施加的粘合材料11的高度/厚度大于装配后的半导体装置封装3的间隙G1'(且例如，施加的粘合材料11在制造过程期间被压缩)。
将盖22附接到半导体装置15。盖22包含延伸部分221、基底部分222、延伸部分223以及透明部分13。透明部分13可经由射出操作在盖22中预成型。透明部分13被嵌入盖22的基底部分222中。延伸部分223直接接触半导体装置15。盖22经由延伸部分223而设置在半导体装置15上。延伸部分221邻近于载体10。延伸部分221与载体10隔开间隙/距离G1'。延伸部分223与载体10隔开间隙/距离G2'。间隙/距离G2'大于间隙/距离G1'(例如，倍数是约2或更大、约3或更大或约4或更大)。延伸部分221接触粘合材料11。由延伸部分221压紧粘合材料11。粘合材料11填充间隙/距离G1'。粘合材料11固化。固化的粘合材料11的厚度可大于G1'。
盖22包含不透光材料(例如，对半导体装置15被配置以处理或发射的光具有约20％或更小、约10％或更小或约5％或更小的透射率的材料)。延伸部分221、基底部分222和延伸部分223可形成整体以作为单块结构。延伸部分221、基底部分222和延伸部分223包含不透光材料(例如，对半导体装置15被配置以处理或发射的光具有约20％或更小、约10％或更小或约5％或更小的透射率的材料)。在一些实施例中，盖22的材料可包含透明材料(例如，大体上透射半导体装置15被配置以处理或发射的光(例如约80％或更大透射率、约90％或更大透射率或约95％或更大透射率)的材料)。半导体装置15可以是发射体。
延伸部分221具有长度L1'。延伸部分223具有长度L2'。延伸部分221的长度L1'大于延伸部分223的长度L2'(例如，倍数是约1.5或更大、约2或更大或约3或更大)。长度L1'和长度L2'可根据设计规范来设定。透明部分13与半导体装置15之间的焦距可通过设定延伸部分223的长度L2'来控制。
延伸部分223的制造公差可在大致10μm到大致20μm的范围内。半导体装置封装2的总制造公差可在大致10μm到大致20μm的范围内。
图5说明对比半导体装置封装4的截面图。半导体装置封装4包含载体10、粘合材料11、盖42、支撑件14以及半导体装置15。
半导体装置15经由粘合剂而设置在载体10上。半导体装置15是影像传感器。
支撑件14被设置在半导体装置15上。支撑件14包含间隔件141和透明板142。间隔件141接触半导体装置15。透明板142保护半导体装置15的感测区。
盖42被设置在载体10上。盖42邻接载体10。盖42包含延伸部分421和基底部分422，以及透明部分13。透明部分13包含透镜。盖42包含不透光材料(例如，对半导体装置15被配置以处理或发射的光具有约20％或更小、约10％或更小或约5％或更小的透射率的材料)。
延伸部分421从基底部分422朝向载体10延伸。延伸部分421被设置在载体10上。粘合材料11被设置在盖42的延伸部分421与载体10之间。盖12被附接到载体10。由延伸部分421压紧粘合材料11。在制造期间，粘合材料11固化。固化的粘合材料11的厚度在大致10μm到大致100μm的范围内。固化的粘合材料11的此厚度可帮助确保盖42紧密接近载体10而设置。相应地，盖42无需从载体10拆离即可固定到载体10。
透明部分13与半导体装置15之间的有效光学路径或焦距可取决于盖42的多个特征(包含延伸部分421的长度)。透明部分13与半导体装置15之间的有效光学路径或焦距可取决于支撑件14的厚度。透明部分13与半导体装置15之间的有效光学路径或焦距可取决于半导体装置15的特征。此等布置可使得难以缓解由装配未对准/偏差造成的光学问题。此等布置可使得难以缓解由与制造公差的偏差造成的光学问题，这是因为盖42、支撑件14和半导体装置15的制造公差可影响装配未对准/偏差。延伸部分421的制造公差可在大致20μm到大致30μm的范围内。因此，盖42的制造公差可在大致20μm到大致30μm的范围内。粘合材料11的制造公差可小于大致50μm。半导体装置15的制造公差可为大致10μm。用于接合半导体装置15到载体10的粘合剂厚度的制造公差可小于大致50μm。
藉助于比较，在本文中所描述的一或多个实施例中，透明部分13与半导体装置15之间的有效光学路径或焦距可取决于设置在半导体装置上的盖的延伸部分(例如，设置在半导体装置15上的盖12的延伸部分123)，延伸部分可提供容易控制或设定透明部分13与半导体装置15之间的有效光学路径或焦距。本文中所描述的一或多个实施例可提供经改良的制造公差。
如本文中所使用且不另外定义，术语“大体上”、“大体的”、“大致”以及“约”用以描述和解释小变化。当结合事件或情形使用时，术语可涵盖事件或情形精确发生的情况以及事件或情形接近大致发生的情况。举例而言，当结合数值使用时，术语可涵盖小于或等于彼数值的±10％的变化范围，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％。术语“大体上共面”可指沿着同一平面处于若干微米内(例如，沿着同一平面处于40μm内、30μm内、20μm内、10μm内或1μm内)的两个表面。举例而言，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10％(例如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
除非上下文另外明确规定，否则如本文中所用，单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含多个指示物。在对一些实施例的描述中，提供“在”另一组件“上”或“上方”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件实体接触)的情况，以及一或多个介入组件位于前一组件与后一组件之间的情况。
尽管本公开已参考其特定实施例加以描述和说明，但此等描述和说明并非限制性的。本领域技术人员应理解，在不脱离如由所附权利要求书界定的本公开的真实精神和范畴的情况下，可作出各种改变且可取代等效物。说明可不必按比例绘制。归因于制造过程和公差，本公开中的艺术再现与实际设备之间可存在区别。可存在未特定说明的本公开的其它实施例。应将本说明书和图式视为说明性而非限制性的。可做出修改，以使特定情形、材料、物质组成、方法或过程适应于本公开的目标、精神和范畴。所有此类修改意欲在此处附加的权利要求书的范畴内。尽管已参考按特定次序执行的特定操作来描述本文中所揭示的方法，但应理解，在不脱离本公开的教示的情况下，可组合、再细分或重新定序此等操作以形成等效方法。因此，除非本文中特定指示，否则操作的次序和分组并非限制。

Claims (31)

1.一种半导体装置封装，所述半导体装置封装包括：
载体；
设置在所述载体上的半导体装置；以及
设置在所述半导体装置上的盖，所述盖与所述载体隔开第一距离，所述盖包括：
基底部分；
从所述基底部分朝向所述半导体装置延伸的第一接脚，所述第一接脚与所述载体隔开第二距离；以及
透明部分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二距离大于所述第一距离。
3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第一距离小于大致200μm。
4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一接脚接触所述半导体装置。
5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，所述半导体装置封装还包括设置在所述半导体装置上的支撑件。
6.根据权利要求5所述的半导体装置封装，其中所述第一接脚接触所述支撑件。
7.根据权利要求5所述的半导体装置封装，其中所述支撑件包括接触所述半导体装置的间隔件。
8.根据权利要求7所述的半导体装置封装，所述半导体装置封装还包括设置在所述半导体装置上并且邻近于所述间隔件的粘合剂。
9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，所述半导体装置封装还包括设置在所述盖与所述载体之间的粘合剂。
10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述盖还包括从所述基底部分朝向所述半导体装置延伸的第二接脚，其中所述第一接脚的高度大体上等于所述第二接脚的高度。
11.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述半导体装置是光传感器或发射体。
12.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述盖包括不透光材料。
13.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述盖包括透明材料。
14.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述透明部分被嵌入所述基底部分中。
15.根据权利要求14所述的半导体装置封装，其中所述盖的所述基底部分覆盖所述半导体装置，并且所述盖包围所述半导体装置。
16.一种半导体装置封装，所述半导体装置封装包括：
载体；
设置在所述载体上的半导体装置模块；以及
覆盖并且包围所述半导体装置模块的盖，所述盖包括：
基底部分；
从所述基底部分朝向所述半导体装置模块延伸的接脚，所述接脚接触所述半导体装置模块；以及
透明部分。
17.根据权利要求16所述的半导体装置封装，其中所述半导体装置模块包括支撑件和半导体装置，并且其中所述接脚接触所述半导体装置模块的所述支撑件。
18.根据权利要求17所述的半导体装置封装，其中所述盖包括不透光材料，并且其中所述半导体装置是光传感器。
19.根据权利要求17所述的半导体装置封装，其中所述支撑件包括接触所述半导体装置的间隔件。
20.根据权利要求19所述的半导体装置封装，其中所述半导体装置模块还包括设置在所述半导体装置上并且邻近于所述间隔件的粘合剂。
21.根据权利要求16所述的半导体装置封装，其中所述盖包括透明材料，并且其中所述半导体装置模块是发射体模块。
22.根据权利要求16所述的半导体装置封装，其中所述盖还包括延伸部分，并且所述盖的所述延伸部分与所述载体隔开距离。
23.根据权利要求22所述的半导体装置封装，其中所述距离小于大致200μm。
24.根据权利要求22所述的半导体装置封装，所述半导体装置封装还包括设置在所述盖的所述延伸部分与所述载体之间的粘合剂。
25.根据权利要求16所述的半导体装置封装，其中所述基底部分和所述接脚形成整体。
26.一种半导体装置封装，所述半导体装置封装包括：
载体；
设置在所述载体上的半导体装置；以及
邻近于所述载体的盖，所述盖包括基底部分、具有第一长度的第一延伸部分、具有第二长度的第二延伸部分以及透明部分，
其中所述第一延伸部分和所述第二延伸部分从所述基底部分朝向所述载体延伸，并且
其中所述第一延伸部分的所述第一长度大于所述第二延伸部分的所述第二长度。
27.一种用于制造半导体装置封装的方法，所述方法包括：
提供载体和半导体装置模块；以及
在所述半导体装置模块上提供盖，所述盖与所述载体隔开间隙；
其中所述盖包括朝向所述半导体装置模块突出的多个接脚，并且
其中所述多个接脚接触所述半导体装置模块。
28.根据权利要求27所述的方法，所述方法还包括在所述载体上施加粘合剂。
29.根据权利要求28所述的方法，所述方法还包括使所述粘合剂固化以将所述盖固定到所述载体。
30.根据权利要求28所述的方法，其中所述粘合剂具有高度，并且所述粘合剂的所述高度大于所述间隙。
31.根据权利要求27所述的方法，其中所述盖包括透明部分。
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