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CN108303817A - 彩色滤光基板及其制作方法 - Google Patents

彩色滤光基板及其制作方法 Download PDF

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CN108303817A
CN108303817A CN201810060014.0A CN201810060014A CN108303817A CN 108303817 A CN108303817 A CN 108303817A CN 201810060014 A CN201810060014 A CN 201810060014A CN 108303817 A CN108303817 A CN 108303817A
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CN
China
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layer
insulating layer
substrate
optical filtering
reflecting layer
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Application number
CN201810060014.0A
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English (en)
Inventor
李兰艳
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TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Priority to US16/068,880 priority patent/US10809560B2/en
Priority to PCT/CN2018/078184 priority patent/WO2019140753A1/zh
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Abstract

本发明提供一种彩色滤光基板及其制作方法。本发明的彩色滤光基板的制作方法包括:步骤1、提供基底,在所述基底上形成抗反射层;步骤2、在所述抗反射层上形成彩色光阻层,所述彩色光阻层通过光刻制程制得,所述光刻制程包括涂布光阻、曝光及显影制程。通过在彩色光阻层下方设置抗反射层,在彩色光阻层的光刻制程中,由于光阻的下方设有抗反射层,因此在对光阻进行曝光的过程中,所述抗反射层能够有效吸收入射到所述抗反射层中的紫外光,并且通过相消干涉减弱从所述光阻与抗反射层的接触界面出射的反射光,进而消除光刻技术中的驻波效应、摇摆效应与凹缺效应,提高色阻单元的关键尺寸均一性和图案分辨率。

Description

彩色滤光基板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种彩色滤光基板及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器,其包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。传统的液晶显示面板是由一片薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate,TFT ArraySubstrate)与一片彩色滤光片基板(Color Filter Substrate,CF Substrate)贴合而成,分别在TFT基板和CF基板上形成像素电极和公共电极,并在TFT基板与CF基板之间灌入液晶,其工作原理是通过在像素电极与公共电极之间施加驱动电压,利用像素电极与公共电极之间形成的电场来控制液晶层内的液晶分子的旋转,将背光模组的光线折射出来产生画面。所述CF基板中设有彩色光阻层,通过彩色光阻层对背光进行过滤,实现红绿蓝三原色显示。
目前业界还有一种COA(Color Filter on Array)技术,其将彩色光阻层制备于薄膜晶体管阵列基板上,可以避免彩色滤光片(CF)基板与阵列(Array)基板的对位问题,降低显示面板制备过程中对盒制程的难度,避免了对盒时的误差,提高了像素的开口率。
近年来,随着光电技术的蓬勃发展,光刻技术朝着更高分辨率的方向迈进,要求彩色光阻层中的红、绿、蓝色色阻单元的线宽越来越小。然而,在彩色光阻层的光刻制程中,由于入射光在光阻与基底的接触界面处容易进行反射,导致光阻进行曝光时容易出现驻波效应、摇摆效应与凹缺效应,使色阻单元的侧壁出现凹凸不平的情况,从而影响色阻单元的成型效果,这一问题在现在盛行的COA、POA(PS On Array)显示器中表现尤为显著,因此,如何改善光刻制程中色阻单元的成型状况成为业界急需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种彩色滤光基板的制作方法,通过在彩色光阻层下方设置抗反射层,能够消除光刻技术中的驻波效应、摇摆效应与凹缺效应,提高色阻单元的关键尺寸均一性和图案分辨率。
本发明的目的还在于提供一种彩色滤光基板,通过在彩色光阻层下方设置抗反射层,能够提高彩色光阻层中的色阻单元的关键尺寸均一性和图案分辨率,进而提升含有该彩色滤光基板的液晶显示器的分辨率与显示效果。
为实现上述目的,本发明提供一种彩色滤光基板的制作方法,包括如下步骤:
步骤1、提供基底,在所述基底上形成抗反射层;
步骤2、在所述抗反射层上形成彩色光阻层,所述彩色光阻层通过光刻制程制得,所述光刻制程包括涂布光阻、曝光及显影制程。
所述抗反射层的材料包括接枝吸光基团的聚合物,所述吸光基团的吸光波段为200~400nm;所述抗反射层通过涂布的方式形成;所述抗反射层的厚度为1~5μm。
所述吸光基团包括萘与蒽中的一种或多种,所述聚合物包括甲酚醛环氧树脂与聚乙烯基醚中的一种或多种。
所述基底为TFT基板,所述步骤1具体包括:
步骤11、提供衬底基板,在所述衬底基板上形成第一金属层,所述第一金属层包括栅极;
步骤12、在所述第一金属层与衬底基板上形成覆盖所述第一金属层的第一绝缘层,在所述第一绝缘层上形成对应于所述栅极上方的有源层;
步骤13、在所述有源层与第一绝缘层上形成第二金属层,所述第二金属层包括间隔设置的源极与漏极,所述源极与漏极分别与有源层的两侧相接触;
步骤14、在所述第二金属层、有源层与第一绝缘层上形成第二绝缘层,制得基底;
步骤15、在所述基底的第二绝缘层上形成抗反射层。
所述彩色滤光基板的制作方法还包括:
步骤3、在所述彩色光阻层上形成第三绝缘层,在所述第二绝缘层、抗反射层、彩色光阻层与第三绝缘层中形成通孔;
步骤4、在所述第三绝缘层上形成像素电极,所述像素电极经由所述通孔与漏极相接触;
步骤5、在所述第三绝缘层上形成与像素电极间隔设置的黑色矩阵以及设于所述黑色矩阵上的光阻间隙物。
本发明还提供一种彩色滤光基板,包括:基底、设于所述基底上的抗反射层、设于所述抗反射层上的彩色光阻层。
所述抗反射层的材料包括接枝吸光基团的聚合物,所述吸光基团的吸光波段为200~400nm;所述抗反射层的厚度为1~5μm。
所述吸光基团包括萘与蒽中的一种或多种,所述聚合物包括甲酚醛环氧树脂与聚乙烯基醚中的一种或多种。
所述基底为TFT基板,所述TFT基板包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的第一金属层、设于所述第一金属层与衬底基板上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的有源层、设于所述有源层与第一绝缘层上的第二金属层、设于所述第二金属层、有源层与第一绝缘层上的第二绝缘层;
所述第一金属层包括栅极;所述有源层对应于所述栅极上方设置;
所述第二金属层包括间隔设置的源极与漏极,所述源极与漏极分别与有源层的两侧相接触。
所述彩色滤光基板还包括:设于所述彩色光阻层上的第三绝缘层、设于所述第三绝缘层上的像素电极、设于所述第三绝缘层上且与像素电极间隔设置的黑色矩阵以及设于所述黑色矩阵上的光阻间隙物;
所述第二绝缘层、抗反射层、彩色光阻层与第三绝缘层中设有通孔,所述像素电极经由所述通孔与漏极相接触。
本发明的有益效果:本发明的彩色滤光基板的制作方法通过在彩色光阻层下方设置抗反射层,在彩色光阻层的光刻制程中,由于光阻的下方设有抗反射层,因此在对光阻进行曝光的过程中,所述抗反射层能够有效吸收入射到所述抗反射层中的紫外光,并且通过相消干涉减弱从所述光阻与抗反射层的接触界面出射的反射光,进而消除光刻技术中的驻波效应、摇摆效应与凹缺效应,提高色阻单元的关键尺寸均一性和图案分辨率。本发明的彩色滤光基板通过在彩色光阻层下方设置抗反射层,能够提高彩色光阻层中的色阻单元的关键尺寸均一性和图案分辨率,进而提升含有该彩色滤光基板的液晶显示器的分辨率与显示效果。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中,
图1为在光阻的曝光过程中入射光在光阻与基底的接触界面进行反射的示意图;
图2为在图1的光阻与基底之间设置抗反射层后反射光减弱的示意图;
图3为本发明的彩色滤光基板的制作方法的流程图;
图4为本发明的彩色滤光基板的制作方法的步骤11的剖视示意图;
图5为本发明的彩色滤光基板的制作方法的步骤12的剖视示意图;
图6为本发明的彩色滤光基板的制作方法的步骤13的剖视示意图;
图7为本发明的彩色滤光基板的制作方法的步骤14的剖视示意图;
图8为本发明的彩色滤光基板的制作方法的步骤15的剖视示意图;
图9为本发明的彩色滤光基板的制作方法的步骤2的剖视示意图;
图10为本发明的彩色滤光基板的制作方法的步骤31的剖视示意图;
图11为本发明的彩色滤光基板的制作方法的步骤32的剖视示意图;
图12为本发明的彩色滤光基板的制作方法的步骤4的剖视示意图;
图13为本发明的彩色滤光基板的制作方法的步骤5的剖视示意图以及本发明的彩色滤光基板的剖视示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
本发明的构思在于通过在光阻下方设置抗反射层,有效消除光刻技术中的驻波效应、摇摆效应与凹缺效应,提高光阻的关键尺寸均一性和图案分辨率。
图1为在光阻200的曝光过程中入射光IR在光阻200与基底100的接触界面进行反射的示意图;如图1所示,在光阻200的曝光过程中,入射光IR在光阻200与基底100的接触界面进行反射,产生反射光IS,所述反射光IS是导致光阻200的曝光过程中出现驻波效应、摇摆效应与凹缺效应,进而影响光阻200的成型效果的原因。
图2为在图1的光阻200与基底100之间设置抗反射层300后反射光IR减弱的示意图;如图2所示,在光阻200与基底100之间设置抗反射层300后,抗反射层300能够通过两种方式降低入射光IR的反射率:第一种方式是,抗反射层300中固有的吸光基团能够对紫外光进行大量吸收;第二种方式是,进入光阻200中的入射光IR的一部分在光阻200与抗反射层300的接触界面进行反射,生成第一反射光Is,同时,进入光阻200中的入射光IR中的另一部分折射进入抗反射层300,在抗反射层300与基底100的接触界面进行反射,生成的反射光重新折射进入光阻200后,形成第二反射光IB,所述第一反射光Is会与第二反射光IB之间产生相消干涉,进一步减弱反射光。借由以上两种方式,所述抗反射层300能够显著降低进入光阻200中的入射光IR的反射率,有效消除光刻技术中的驻波效应、摇摆效应与凹缺效应,提高光阻200的关键尺寸均一性和图案分辨率。
请参阅图3,本发明提供一种彩色滤光基板的制作方法,包括如下步骤:
步骤1、如图4至图8所示,提供基底10,在所述基底10上形成抗反射层61。
具体的,所述抗反射层61的材料包括接枝吸光基团的聚合物,所述吸光基团的吸光波段为200~400nm,从而所述抗反射层61的吸光波段为200~400nm。
具体的,所述抗反射层61通过涂布的方式形成。
具体的,所述抗反射层61的厚度为1~5μm。
具体的,所述吸光基团包括萘与蒽中的一种或多种,所述聚合物包括甲酚醛环氧树脂与聚乙烯基醚中的一种或多种。
具体的,所述基底10可以为素基板或者TFT基板,所述基底10为TFT基板时,后续制得的彩色滤光基板为COA型阵列基板。
所述基底10为TFT基板时,所述步骤1具体包括:
步骤11、如图4所示,提供衬底基板11,在所述衬底基板11上形成第一金属层20,所述第一金属层20包括栅极21。
具体的,所述衬底基板11为素玻璃基板。
具体的,所述第一金属层20的制备方法包括物理气相沉积(PVD)、涂布光阻、曝光(PHOTO)、显影、湿蚀刻(WET)、光阻剥离(STRIP)制程。
具体的,所述第一金属层20的材料包括铝及其合金、铜及其合金、钼及其合金中的至少一种。
具体的,所述第一金属层20还包括与栅极21间隔设置的公共电极线22。在阵列基板制作完成后,将阵列基板与具有公共电极的基板对组,所述阵列基板中的公共电极线22与具有公共电极的基板中的公共电极通过接线端子相连,所述公共电极线22用于为所述公共电极提供电压信号。
步骤12、如图5所示,在所述第一金属层20与衬底基板11上形成覆盖所述第一金属层20的第一绝缘层31,在所述第一绝缘层31上形成对应于所述栅极21上方的有源层41。
具体的,所述第一绝缘层31通过化学气相沉积法(CVD)制得,所述第一绝缘层31为氮化硅(SiNx)层。
具体的,所述有源层41的制备方法包括化学气相沉积(CVD)、涂布光阻、曝光(PHOTO)、显影、干蚀刻(DRY)、光阻剥离(STRIP)制程。
具体的,所述有源层41的材料为非晶硅或多晶硅。
步骤13、如图6所示,在所述有源层41与第一绝缘层31上形成第二金属层50,所述第二金属层50包括间隔设置的源极51与漏极52,所述源极51与漏极52分别与有源层41的两侧相接触。
具体的,所述第二金属层50的制备方法包括物理气相沉积(PVD)、涂布光阻、曝光(PHOTO)、显影、湿蚀刻(WET)、光阻剥离(STRIP)制程。
具体的,所述第二金属层50的材料包括铝及其合金、铜及其合金、钼及其合金中的至少一种。
步骤14、如图7所示,在所述第二金属层50、有源层41与第一绝缘层31上形成第二绝缘层32,制得基底10。
具体的,所述第二绝缘层32通过化学气相沉积法(CVD)制得,所述第二绝缘层32为氮化硅(SiNx)层。
步骤15、如图8所示,在所述基底10的第二绝缘层32上形成抗反射层61。
步骤2、如图9所示,在所述抗反射层61上形成彩色光阻层70,所述彩色光阻层70通过光刻制程制得,所述光刻制程包括涂布光阻、曝光及显影制程。
具体的,所述彩色光阻层70包括呈阵列排布的数个红色色阻单元71、数个绿色色阻单元72、数个蓝色色阻单元73。
具体的,所述红色色阻单元71采用红色光阻材料通过光刻制程制得,所述绿色色阻单元72采用绿色光阻材料通过光刻制程制得,所述蓝色色阻单元73采用蓝色光阻材料通过光刻制程制得;所述红色色阻单元71、绿色色阻单元72、蓝色色阻单元73的形成顺序不限。
具体的,所述步骤2制得的彩色光阻层70中设有对应于漏极52上方的第一过孔75。
所述步骤2中,在所述彩色光阻层70的光刻制程中,由于光阻的下方设有抗反射层61,因此在对光阻进行曝光的过程中,所述抗反射层61能够有效吸收入射到所述抗反射层61中的紫外光,并且通过相消干涉减弱从所述光阻与抗反射层61的接触界面出射的反射光,进而消除光刻技术中的驻波效应、摇摆效应与凹缺效应,提高色阻单元的的关键尺寸均一性和图案分辨率。
另一方面,本发明将彩色光阻层70设置于抗反射层61上,还具有以下技术效果:
现有技术中,光阻材料通常与无机基底直接接触,所述光阻材料通常含有硅烷偶联剂,所述光阻材料附着于无机基底上的原理包括:(1)所述光阻材料中的硅烷偶联剂水解为硅醇;(2)硅醇缩合为低聚物;(3)低聚物与无机基底表面的羟基(-OH)形成氢键;(4)在干燥、固化条件下,所述低聚物与无机基底表面的羟基缩合失水形成共价键,然而,此种连接方式对光阻材料特性与制程条件均要求极高,限制了光阻材料的应用,提高了光阻材料的开发成本。本发明通过在无机基底表面涂布一层由有机材料制备的抗反射层61,相较于无机基底,所述抗反射层61的表面含有更多羟基,表面张力大,润湿能力强,光阻材料与抗反射层61的偶联效果更好,光阻附着能力显著提升,能有效改善光阻脱落问题(peelingissue)。
具体的,所述步骤1中提供的基底10为TFT基板时,所述彩色滤光基板的制作方法还包括:
步骤3、如图10至图11所示,在所述彩色光阻层70上形成第三绝缘层33,在所述第二绝缘层32、抗反射层61、彩色光阻层70与第三绝缘层33中形成通孔81。
所述步骤3具体包括:
步骤31、如图10所示,在所述彩色光阻层70上形成第三绝缘层33,在所述第三绝缘层33中形成对应于所述第一过孔75的第二过孔332;
步骤32、如图11所示,以所述第三绝缘层33与彩色光阻层70为掩膜板,对所述第二绝缘层32与抗反射层61进行干蚀刻,在所述第二绝缘层32与抗反射层61中形成第三过孔323;相互贯通的第一过孔75、第二过孔332、第三过孔323共同构成通孔81。
具体的,所述步骤32中,对所述第二绝缘层32与抗反射层61进行干蚀刻的方式为等离子体轰击,所述等离子体为惰性气体等离子体,所述惰性气体优选为氩气。具体的,所述第三绝缘层33为有机平坦层或者无机钝化层,所述第三绝缘层33为有机平坦层时,所述有机平坦层的材料为光阻材料,所述第三绝缘层33通过涂布方式形成;所述第三绝缘层33为无机钝化层时,所述第三绝缘层33通过化学气相沉积法(CVD)形成,所述无机钝化层优选为氮化硅(SiNx)层。
具体的,所述第三绝缘层33为有机平坦层时,所述步骤31还可以包括:在所述彩色光阻层70上形成位于所述彩色光阻层70与第三绝缘层33之间的抗反射层(未图示),所述抗反射层能够提升在所述第三绝缘层33中形成的第二过孔332的成型效果。
步骤4、如图12所示,在所述第三绝缘层33上形成像素电极82,所述像素电极82经由所述通孔81与漏极52相接触。
具体的,所述像素电极82的材料为氧化铟锡(ITO)。
步骤5、如图13所示,在所述第三绝缘层33上形成与像素电极82间隔设置的黑色矩阵91以及设于所述黑色矩阵91上的光阻间隙物92。
优选的,所述黑色矩阵91与光阻间隙物92采用同种材料一体成型制得。
具体的,所述步骤5还可以包括:在所述第三绝缘层33上形成位于所述第三绝缘层33与黑色矩阵91之间的抗反射层(未图示),所述抗反射层能够提升黑色矩阵91与光阻间隙物92的成型效果。
上述彩色滤光基板的制作方法通过在彩色光阻层70下方设置抗反射层61,在彩色光阻层70的光刻制程中,由于光阻的下方设有抗反射层61,因此在对光阻进行曝光的过程中,所述抗反射层61能够有效吸收入射到所述抗反射层61中的紫外光,并且通过相消干涉减弱从所述光阻与抗反射层61的接触界面出射的反射光,进而消除光刻技术中的驻波效应、摇摆效应与凹缺效应,提高色阻单元的关键尺寸均一性和图案分辨率。
请参阅图13,基于上述彩色滤光基板的制作方法,本发明还提供一种彩色滤光基板,包括:基底10、设于所述基底10上的抗反射层61、设于所述抗反射层61上的彩色光阻层70。
具体的,所述抗反射层61的材料包括接枝吸光基团的聚合物,所述吸光基团的吸光波段为200~400nm,从而所述抗反射层61的吸光波段为200~400nm。
具体的,所述抗反射层61的厚度为1~5μm。
具体的,所述吸光基团包括萘与蒽中的一种或多种,所述聚合物包括甲酚醛环氧树脂与聚乙烯基醚中的一种或多种。
具体的,所述彩色光阻层70包括呈阵列排布的数个红色色阻单元71、数个绿色色阻单元72、数个蓝色色阻单元73。
具体的,所述基底10可以为素基板或者TFT基板,所述TFT基板包括:衬底基板11、设于所述衬底基板11上的第一金属层20、设于所述第一金属层20与衬底基板11上的第一绝缘层31、设于所述第一绝缘层31上的有源层41、设于所述有源层41与第一绝缘层31上的第二金属层50、设于所述第二金属层50、有源层41与第一绝缘层31上的第二绝缘层32;
所述第一金属层20包括栅极21;所述有源层41对应于所述栅极21上方设置;
所述第二金属层50包括间隔设置的源极51与漏极52,所述源极51与漏极52分别与有源层41的两侧相接触。
具体的,所述基底10为TFT基板时,所述彩色滤光基板为COA型阵列基板。
具体的,所述基底10为TFT基板时,所述彩色滤光基板还包括:设于所述彩色光阻层70上的第三绝缘层33、设于所述第三绝缘层33上的像素电极82、设于所述第三绝缘层33上的黑色矩阵91以及设于所述黑色矩阵91上且与像素电极82间隔设置的光阻间隙物92;
所述第二绝缘层32、抗反射层61、彩色光阻层70与第三绝缘层33中设有通孔81,所述像素电极82经由所述通孔81与漏极52相接触。
具体的,所述衬底基板11为素玻璃基板。
具体的,所述第一金属层20的材料包括铝及其合金、铜及其合金、钼及其合金中的至少一种。
具体的,所述第一金属层20还包括与栅极21间隔设置的公共电极线22。
具体的,所述第一绝缘层31为氮化硅(SiNx)层。
具体的,所述有源层41的材料为非晶硅或多晶硅。
具体的,所述第二金属层50的材料包括铝及其合金、铜及其合金、钼及其合金中的至少一种。
具体的,所述第二绝缘层32为氮化硅(SiNx)层。
具体的,所述第三绝缘层33为有机平坦层或者无机钝化层,所述第三绝缘层33为有机平坦层时,所述有机平坦层的材料为光阻材料;所述第三绝缘层33为无机钝化层时,所述无机钝化层优选为氮化硅(SiNx)层。
优选的,所述黑色矩阵91与光阻间隙物92采用同种材料一体成型制得。
具体的,所述像素电极82的材料为氧化铟锡(ITO)。
具体的,所述通孔81包括:设于所述彩色光阻层70上的第一过孔75、设于所述第三绝缘层33上的第二过孔332、设于所述第二绝缘层32与抗反射层61中的第三过孔323;所述第一过孔75、第二过孔332、第三过孔323相互贯通。
具体的,所述彩色滤光基板还可以包括位于所述彩色光阻层70与第三绝缘层33之间的抗反射层(未图示),也可以包括位于所述第三绝缘层33与黑色矩阵91之间的抗反射层(未图示)。
上述彩色滤光基板通过在彩色光阻层70下方设置抗反射层61,能够提高彩色光阻层70中的色阻单元的关键尺寸均一性和图案分辨率,进而提升含有该彩色滤光基板的液晶显示器的分辨率与显示效果。
综上所述,本发明的彩色滤光基板的制作方法通过在彩色光阻层下方设置抗反射层,在彩色光阻层的光刻制程中,由于光阻的下方设有抗反射层,因此在对光阻进行曝光的过程中,所述抗反射层能够有效吸收入射到所述抗反射层中的紫外光,并且通过相消干涉减弱从所述光阻与抗反射层的接触界面出射的反射光,进而消除光刻技术中的驻波效应、摇摆效应与凹缺效应,提高色阻单元的关键尺寸均一性和图案分辨率。本发明的彩色滤光基板通过在彩色光阻层下方设置抗反射层,能够提高彩色光阻层中的色阻单元的关键尺寸均一性和图案分辨率,进而提升含有该彩色滤光基板的液晶显示器的分辨率与显示效果。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种彩色滤光基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供基底(10),在所述基底(10)上形成抗反射层(61);
步骤2、在所述抗反射层(61)上形成彩色光阻层(70),所述彩色光阻层(70)通过光刻制程制得,所述光刻制程包括涂布光阻、曝光及显影制程。
2.如权利要求1所述的彩色滤光基板的制作方法,其特征在于,所述抗反射层(61)的材料包括接枝吸光基团的聚合物,所述吸光基团的吸光波段为200~400nm;所述抗反射层(61)通过涂布的方式形成;所述抗反射层(61)的厚度为1~5μm。
3.如权利要求2所述的彩色滤光基板的制作方法,其特征在于,所述吸光基团包括萘与蒽中的一种或多种,所述聚合物包括甲酚醛环氧树脂与聚乙烯基醚中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的彩色滤光基板的制作方法,其特征在于,所述基底(10)为TFT基板,所述步骤1具体包括:
步骤11、提供衬底基板(11),在所述衬底基板(11)上形成第一金属层(20),所述第一金属层(20)包括栅极(21);
步骤12、在所述第一金属层(20)与衬底基板(11)上形成覆盖所述第一金属层(20)的第一绝缘层(31),在所述第一绝缘层(31)上形成对应于所述栅极(21)上方的有源层(41);
步骤13、在所述有源层(41)与第一绝缘层(31)上形成第二金属层(50),所述第二金属层(50)包括间隔设置的源极(51)与漏极(52),所述源极(51)与漏极(52)分别与有源层(41)的两侧相接触;
步骤14、在所述第二金属层(50)、有源层(41)与第一绝缘层(31)上形成第二绝缘层(32),制得基底(10);
步骤15、在所述基底(10)的第二绝缘层(32)上形成抗反射层(61)。
5.如权利要求4所述的彩色滤光基板的制作方法,其特征在于,还包括:
步骤3、在所述彩色光阻层(70)上形成第三绝缘层(33),在所述第二绝缘层(32)、抗反射层(61)、彩色光阻层(70)与第三绝缘层(33)中形成通孔(81);
步骤4、在所述第三绝缘层(33)上形成像素电极(82),所述像素电极(82)经由所述通孔(81)与漏极(52)相接触;
步骤5、在所述第三绝缘层(33)上形成与像素电极(82)间隔设置的黑色矩阵(91)以及设于所述黑色矩阵(91)上的光阻间隙物(92)。
6.一种彩色滤光基板,其特征在于,包括:基底(10)、设于所述基底(10)上的抗反射层(61)、设于所述抗反射层(61)上的彩色光阻层(70)。
7.如权利要求6所述的彩色滤光基板,其特征在于,所述抗反射层(61)的材料包括接枝吸光基团的聚合物,所述吸光基团的吸光波段为200~400nm;所述抗反射层(61)的厚度为1~5μm。
8.如权利要求7所述的彩色滤光基板,其特征在于,所述吸光基团包括萘与蒽中的一种或多种,所述聚合物包括甲酚醛环氧树脂与聚乙烯基醚中的一种或多种。
9.如权利要求6所述的彩色滤光基板,其特征在于,所述基底(10)为TFT基板,所述TFT基板包括:衬底基板(11)、设于所述衬底基板(11)上的第一金属层(20)、设于所述第一金属层(20)与衬底基板(11)上的第一绝缘层(31)、设于所述第一绝缘层(31)上的有源层(41)、设于所述有源层(41)与第一绝缘层(31)上的第二金属层(50)、设于所述第二金属层(50)、有源层(41)与第一绝缘层(31)上的第二绝缘层(32);
所述第一金属层(20)包括栅极(21);所述有源层(41)对应于所述栅极(21)上方设置;
所述第二金属层(50)包括间隔设置的源极(51)与漏极(52),所述源极(51)与漏极(52)分别与有源层(41)的两侧相接触。
10.如权利要求9所述的彩色滤光基板,其特征在于,还包括:设于所述彩色光阻层(70)上的第三绝缘层(33)、设于所述第三绝缘层(33)上的像素电极(82)、设于所述第三绝缘层(33)上且与像素电极(82)间隔设置的黑色矩阵(91)以及设于所述黑色矩阵(91)上的光阻间隙物(92);
所述第二绝缘层(32)、抗反射层(61)、彩色光阻层(70)与第三绝缘层(33)中设有通孔(81),所述像素电极(82)经由所述通孔(81)与漏极(52)相接触。
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