CN108257891A - 基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种使用紫外线进行多个处理也能抑制尺寸增加的基板处理装置。基板处理装置具有紫外线照射装置(2)和基板保持装置(31、32)。紫外线照射装置2位于处理室(11、12)的边界，并且能够向处理室(11、12)照射紫外线。基板保持装置31配置于处理室(11)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。基板保持装置(32)配置于处理室(12)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。

Description

基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法

技术领域

本发明涉及基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法。

背景技术

以往，在半导体基板(以下，简称“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置对具有氧化膜等绝缘膜的基板实施各种处理。例如，通过向在表面上有形成抗蚀图案的基板供给处理液，来对基板表面进行蚀刻等处理。另外，在结束蚀刻等之后，还进行去除基板上的抗蚀膜的处理。

基板处理装置中进行处理的基板在搬入到基板处理装置之前，进行干式蚀刻、等离子CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)等干燥工序。在这种干燥工序中，设备内产生电荷并带电，因此基板以带电的状态搬入到基板处理装置(所谓的电荷带入)。而且，在基板处理装置中，如果SPM液这样的电阻率小的处理液供给到基板上，则设备内的电荷从设备急剧地移动到处理液(即，向处理液放电)，由伴随该移动的发热而会存在对设备产生损伤的忧虑。

因此，在现有技术中，使用着用于防止基板带电的带电防止装置(例如，专利文献1)。该带电防止装置具备气体供给路径和照射部。照射部向玻璃基板照射紫外线。气体供给路径与玻璃基板和照射部之间的空间连通。包含氧气的气体经过该气体供给路径而供给到该空间。在该状态下向玻璃基板照射紫外线，由此对玻璃基板的表面进行亲水化，从而防止玻璃基板带电。另外，该空间的氧气被该紫外线变为臭氧。该臭氧促进玻璃基板的亲水性。

另外，在半导体制造中，对基板表面进行使用处理液的处理。根据该处理液的种类，有时处理液所包含的有机物会作为杂质残留在基板。

因此，在现有技术中，也使用着利用紫外线来去除基板上的有机物的装置(例如，专利文献2)。在专利文献2中使用了准分子(excimer)灯。该准分子灯能够照射例如具有172nm波长的紫外线。准分子灯向附着有有机物的基板照射该紫外线。由此，基板上的有机物被分解并被去除。

此外，作为与本发明相关的技术，列举出专利文献3-7。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-60221号公报

专利文献2：日本特开2011-204944号公报

专利文献3：日本特开平7-22530号公报

专利文献4：日本特开2011-233774号公报

专利文献5：日本特开2011-129583号公报

专利文献6：日本特开2010-251596号公报

专利文献7：日本特开2011-124410号公报

发明内容

在基板处理装置中形成有两个处理室，并且将基板保持部和紫外线光源两者设置于各个处理室的情况下，装置的整体尺寸变为大型化。

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供一种使用紫外线进行多个处理，还能够抑制尺寸增加的基板处理装置。

为了解决上述问题，第一实施方案的基板处理装置具备紫外线照射装置、第一基板保持装置以及第二基板保持装置。紫外线照射装置位于第一处理室和第二处理室的边界，并且能够向第一处理室和第二处理室照射紫外线。第一基板保持装置配置于第一处理室，将基板保持成与紫外线照射装置对置。第二基板保持装置配置于第二处理室，将基板保持成与紫外线照射装置对置。

第二实施方案的基板处理装置在第一实施方案所述的基板处理装置的基础上，还具备遮光装置和气体供给装置。遮光装置，以所述紫外线照射装置和所述第二基板保持装置之间的空间分隔为所述紫外线照射装置侧的第一空间和所述第二基板保持装置侧的第二空间的方式配置，并且遮蔽来自紫外线照射装置的紫外线，而且使所述第一空间内的气体和所述第二空间内的气体连通。气体供给装置向第二处理室供给气体。

第三实施方案的基板处理装置在第二实施方案所述的基板处理装置的基础上，遮光装置具备对紫外线具有遮光性的第一板部和第二板部。在第一板部形成有至少一个第一贯通孔。在第二板部形成有至少一个第二贯通孔。第一板部和第二板部以至少一个第一贯通孔的位置和至少一个第二贯通孔的位置在与各个板面平行的方向上互相错开的配置关系，互相隔开间隔且对置配置。

第四实施方案的基板处理装置在第三实施方案所述的基板处理装置的基础上，还具备第一移动装置。第一移动装置使第一板部和第二板部在第一位置和第二位置之间相对地进行移动，所述第一位置是至少一个第一贯通孔和至少一个第二贯通孔互相错开的位置，所述第二位置是至少一个第一贯通孔和至少一个第二贯通孔在位置上互相对齐的位置。

第五实施方案的基板处理装置在第四实施方案所述的基板处理装置的基础上，至少一个第一贯通孔包括多个第一贯通孔，至少一个第二贯通孔包括多个第二贯通孔。在该第二位置伤，多个第一贯通孔与多个第二贯通孔一对一地对置。

第六实施方案的基板处理装置在第三至第五实施方案中任一所述的基板处理装置的基础上，还具备第三基板保持装置，第三基板保持装置在遮光装置和紫外线照射装置之间，将基板保持成与紫外线照射装置对置。

第七实施方案的基板处理装置在第一实施方案所述的基板处理装置的基础上，具备第一气体供给装置和第二气体供给装置。第一气体供给装置向第一处理室供给气体。第二气体供给装置向第二处理室供给气体。

第八实施方案的基板处理装置在第七实施方案所述的基板处理装置的基础上，第一气体供给装置和第二气体供给装置中的至少任意一个，选择性地供给多种类型的气体。

第九实施方案的基板处理装置在第一至第八实施方案中任一所述的基板处理装置的基础上，还具备至少一个反射装置和第二移动装置。至少一个反射装置配置于第一处理室和第二处理室中的至少任意一个处理室，并且将来自紫外线照射装置的紫外线向第一处理室和第二处理室中的另一个处理室反射。第二移动装置在至少一个反射装置与紫外线照射装置对置的位置、和至少一个反射装置未与紫外线照射装置对置的位置之间，使至少一个反射装置进行移动。

第十实施方案的基板处理装置在第一至第九实施方案中任一所述的基板处理装置的基础上，还具备第四基板保持装置。第四基板保持装置在第二基板保持装置和紫外线照射装置之间，将形成有低电介质膜的基板保持成与紫外线照射装置对置。

第十一实施方案的基板处理装置在第一至第十实施方案中任一所述的基板处理装置的基础上，第一基板保持装置将具有形成有低电介质膜的第一主表面和未形成有低电介质膜的第二主表面的基板，保持成第二主表面朝向紫外线照射装置的姿势。

第十二实施方案的基板处理系统，具备：容纳器保持部，其保持用于容纳基板的容纳器；基板处理部，其使用处理液对基板实施处理；以及基板通过部，用于在所述容纳器保持部和所述基板处理部之间进行往返的基板经过。在基板通过部设置有第一至第十一实施方案中任一所述的基板处理装置。

第十三实施方案的基板处理系统在第十二实施方案所述的基板处理系统的基础上，具备第一搬运装置和第二搬运装置。第一搬运装置在各个第一基板保持装置及第二基板保持装置和容纳器保持部之间交接基板。第二搬运装置在各个第一基板保持装置及第二基板保持装置和基板处理部之间交接基板。

第十四实施方案的基板处理系统在第十三实施方案所述的基板处理系统的基础上，第一搬运装置将来自容纳器保持部的基板移交到第一基板保持装置和第二基板保持装置中的一个基板保持装置，并且将基板从第一基板保持装置和第二基板保持装置中的另一个基板保持装置移交到容纳器保持部。第二搬运装置将基板从第一基板保持装置和第二基板保持装置中的所述一个基板保持装置移交至基板处理部，并且将基板从基板处理部移交到第一基板保持装置和第二基板保持装置中的所述另一个基板保持装置。

第十五实施方案的基板处理方法，具有：在第一处理室中，使第一基板保持装置将基板保持成与紫外线照射装置对置的工序，所述紫外线照射装置位于所述第一处理室和第二处理室的边界，并且能够向所述第一处理室和所述第二处理室照射紫外线；在所述第二处理室中，使第二基板保持装置将基板保持成与所述紫外线照射装置对置的工序；以及向遮光装置和所述紫外线照射装置之间的第一空间供给气体的工序，所述遮光装置以将所述紫外线照射装置和所述第二基板保持装置之间的空间分隔为所述紫外线照射装置侧的第一空间和所述第二基板保持装置侧的第二空间的实施方案的方式配置，并且遮挡来自所述紫外线照射装置的紫外线，并使所述第一空间内的气体和所述第二空间内的气体连通。

第十六实施方案的基板处理方法在第十五实施方案所述的基板处理方法的基础上，所述遮光装置具备对紫外线具有遮光性的第一板部和第二板部，在所述第一板部形成有至少一个第一贯通孔，在所述第二板部形成有至少一个第二贯通孔，所述第一板部和所述第二板部以至少一个第一贯通孔的位置和所述至少一个第二贯通孔的位置在与各个板面平行的方向上互相错开的配置关系，互相隔开间隔且对置配置。

第十七实施方案的基板处理方法在第十六实施方案所述的基板处理方法的基础上，还具备使所述第一板部和所述第二板部在第一位置和第二位置之间相对地移动的工序，所述第一位置是所述至少一个第一贯通孔和所述至少一个第二贯通孔互相错开的位置，所述第二位置是所述至少一个第一贯通孔和所述至少一个第二贯通孔在位置上互相对齐的位置。

第十八实施方案的基板处理方法在第十七实施方案所述的基板处理方法的基础上，所述至少一个第一贯通孔包括多个第一贯通孔，所述至少一个第二贯通孔包括多个第二贯通孔，在所述第二位置，所述多个第一贯通孔与所述多个第二贯通孔一对一地对置。

第十九实施方案的基板处理方法在第十六实施方案所述的基板处理方法的基础上，还具备在所述遮光装置和所述紫外线照射装置之间，使第三基板保持装置将基板保持成与所述紫外线照射装置对置的工序。

第二十实施方案的基板处理方法在第十五实施方案所述的基板处理方法，具有向所述第一处理室供给气体的工序和向所述第二处理室供给气体的工序。

发明效果

根据基板处理装置，在第一处理室和第二处理室中能够进行使用紫外线的处理。而且，第一处理室和第二处理室能够共用紫外线照射装置。因此，与紫外线照射装置独立地配置于第一处理室和第二处理室的情况相比，能够减小基板处理装置的尺寸。

附图说明

图1是概略地表示基板处理系统的结构的一例的图。

图2是概略地表示基板处理装置的结构的一例的图。

图3是概略地表示基板处理装置的结构的一例的图。

图4是概略地表示遮光部的结构的一例的图。

图5是表示基板处理系统的动作的一例的流程图。

图6是概略地表示基板处理装置的结构的一例的图。

图7是概略地表示基板处理装置的结构的一例的图。

图8是概略地表示基板处理装置的结构的一例的图。

图9是概略地表示基板处理装置的结构的一例的图。

图10是表示基板处理系统的动作的一例的流程图。

图11是概略地表示基板处理装置的结构的一例的图。

图12是概略地表示基板处理装置的结构的一例的图。

图13是概略地表示基板处理装置的结构的一例的图。

图14是表示低电介质膜的吸收率和波数之间的关系的一例的图表。

图15是表示低电介质膜的吸收率和波数之间的关系的一例的图表。

图16是表示表面电荷和照射时间之间的关系的一例的图表。

图17是表示表面电荷和照射时间之间的关系的一例的图表。

图18是概略地表示基板处理装置的结构的一例的图。

附图标记的说明：

1 腔室

2 紫外线照射装置(紫外线照射器)

31-33 基板保持装置(基板保持部)

5 遮光装置(遮光部)

8 移动装置(移动机构)

10 基板处理装置

11、12 处理室

41、42 气体供给装置(气体供给部)

51、52 板部

91、92 反射装置(反射部)

93、94 移动装置(移动机构)

100 基板处理系统

110 容纳器保持部

120 基板通过部

121 搬运装置(分度器机械手)

123 搬运装置(搬运机械手)

130 基板处理部

511、521 贯通孔

具体实施方式

下面，参照附图，详细说明本发明的实施方式。

第一实施方式

＜基板处理系统的整体结构的一例＞

图1是概略地表示基板处理系统100的整体结构的一例的图。需要说明的是，为了便于理解，在图1和之后的各个附图中，根据需要放大或简化各个部分的尺寸、数量。

基板处理系统100是用于对半导体基板实施各种处理的装置。该基板处理系统100例如具备容纳器保持部110、基板通过部120以及基板处理部130。容纳器保持部110用于保持基板容纳器。在该基板容纳器中，例如容纳有多个基板。在图1的例子中，设置有多个容纳器保持部110，这些容纳器保持部110沿着与水平面平行的一个方向(以下，也称为X方向)排列。

基板处理部130是用于对基板实施规定的处理的装置。在图1的例子中，设置有多个基板处理部130(在图示的例子中，为基板处理部130a-130d)。基板处理部130a-130d分别对基板进行各种处理。为了便于说明，设想各个基板以基板处理部130a至基板处理部130d的顺序接受处理的情况。例如，基板处理部130a向基板供给处理液(药液、冲洗液或IPA(异丙醇)液等的处理液)。由此，对基板进行与处理液相对应的处理。对于之后的基板处理部130c中的处理而言，不希望电荷积聚在基板中。另外，因基于基板处理部130b的处理(例如，使用IPA的处理)，有时会导致有机物作为杂质残留在基板的主表面上，因此优选去除上述有机物。

基板通过部120位于容纳器保持部110和各个基板处理部130a-130d之间。将未实施处理的基板从容纳器保持部110经由基板通过部120而移交到基板处理部130a。将在基板处理部130a中已实施处理的、结束处理的基板，从该基板处理部130a经由基板通过部120而移交到容纳器保持部110或其他的基板处理部130b。基板在基板处理部130b-130d之间以时间顺序搬运也是相同的。

基板通过部120，例如具备分度器机械手121、路径(path)部122以及搬运机械手123。分度器机械手121能够使以下说明的分度器搬运路径124在X方向上进行往返移动。分度器搬运路径124是，与多个容纳器保持部110相邻且在X方向上延伸的搬运路径。分度器机械手121能够停止在该分度器搬运路径124中的与各个容纳器保持部110对置的位置。

分度器机械手121例如具有臂部和手部。手部设置于臂部的顶端，并且能够保持基板或者解除被保持的基板。手部通过臂部的驱动在与水平面平行且与X方向垂直的方向(以下，也称为Y方向)上可进行往返移动。分度器机械手121在与容纳器保持部110对置的状态下，使手部移动至容纳器保持部110，从容纳器保持部110取出未实施处理的基板，或者将结束处理的基板移交到容纳器保持部110。

路径部122相对于分度器搬运路径124位于与容纳器保持部110相反的一侧。例如，路径部122也可以形成在与分度器搬运路径124的X方向上的中央部对置的位置。例如，路径部122可以具有用于载置基板的载置台或搁板。分度器机械手121能够使臂部在水平面上旋转180度。由此，分度器机械手121能够使手部移动至路径部122。分度器机械手121能够将从容纳器保持部110取出的基板移交到路径部122，或者能够从路径部122取出载置于路径部122的基板。

搬运机械手123相对于路径部122设置在与分度器搬运路径124相反的一侧。另外，多个(在图1中，为四个)基板处理部130以包围搬运机械手123的方式配置。在图1的例子中，设置有与各个基板处理部130相邻的流体箱131。流体箱131能够向相邻的基板处理部130供给处理液，并且能够从该基板处理部130回收已使用过的处理液。

搬运机械手123也与分度器机械手121同样地，具有臂部和手部。该搬运机械手123既能够从路径部122取出基板，也能够将基板移交到路径部122。另外，搬运机械手123既能够将基板移交到各个基板处理部130，也能够从各个基板处理部130取出基板。需要说明的是，分度器机械手121和搬运机械手123可以看作是用于搬运基板的搬运装置。

根据这些结构，例如能够实现如下的概略性动作。即，容纳于容纳器保持部110的各个半导体基板，通过分度器机械手121依次搬运到路径部122。接着，基板通过搬运机械手123依次搬运至基板处理部130a-130d，并在基板处理部130a-130d中接受各种处理。结束了一系列处理的基板，通过路径部122和分度器机械手121返回至容纳器保持部110。

＜基板处理装置＞

图2和图3是概略地表示基板处理装置10的结构的一例的图。该基板处理装置10例如设置在路径部122也可。图2表示例如垂直于Y方向的截面，图3表示例如垂直于X方向的截面。另外，基板处理装置10没有必要必须设置于路径部122，例如也可以作为基板处理部130d来设置。换言之，基板处理装置10也可以作为多个基板处理部130中的一部分来设置。

基板处理装置10具备：腔室1；紫外线照射器2；基板保持部31、32；气体供给部41、42；遮光部5；以及排气部61、62。

腔室1具有处理室11、12。处理室11、12例如在铅垂方向(以下，也称为Z方向)上相邻而形成。在处理室11、12的边界设置有紫外线照射器2。即，处理室11、12被紫外线照射器2隔开。

紫外线照射器2能够产生紫外线，并且将该紫外线照射到处理室11、12中的任意一个。作为紫外线照射器2，例如可以采用准分子UV(紫外线)灯。该紫外线照射器2例如具备填充了放电用气体(例如，稀有气体或稀有气体卤素化合物)的石英管、和容纳于该石英管内的一对电极。放电用气体存在于一对电极之间。通过在一对电极之间以高频施加高电压，来放电用气体被激励而处于准分子状态。放电用气体从准分子状态返回至基态时，产生紫外线。

紫外线照射器2例如可以形成为平板状。紫外线照射器2，例如以其法线方向沿Z方向的姿势配置。换言之，紫外线照射器2是水平配置的面光源。或者，紫外线照射器2也可以以圆柱状的多个紫外线单位照射器排列的方式设置。例如，多个紫外线单位照射器中的每一个均以其中心轴沿X方向的姿势配置。此时，多个紫外线单位照射器沿着Y方向并行配置。即，在该状态下，通过将多个紫外线单位照射器水平配置来构成实质上的面光源。

在紫外线照射器2的处理室11、12侧，分别可以设置保护用石英玻璃板Ga、Gb。即，紫外线照射器2可以位于，对紫外线具有透光性且作为耐热性、抗腐蚀性的板状体的一对石英玻璃板Ga、Gb之间。这些石英玻璃板Ga、Gb能够从外力和处理室11、12内的气体中保护紫外线照射器2。

一侧的基板保持部31配置于第一处理室11。基板保持部31以基板W1的主表面与紫外线照射器2对置的方式保持基板W1。在基板W1为半导体基板(即，半导体晶片)的情况下，基板W1为大致圆形的平板状，并且基板保持部31以支撑该基板W1的外缘部分的方式水平保持基板W1。

虽然对基板保持部31的具体结构没有特别的限定，但是例如也可以形成于腔室1的内侧面。图2的例子中，在腔室1的内侧面中互相面对的一对内侧面，分别形成有槽形状的凹部。这些凹部在Z方向上形成为大致相同的高度。而且，基板W1的直径方向上的两端部，分别进入到该凹部。基板W1在该凹部中的铅垂下方侧的面被支撑。即，该凹部起到作为基板保持部31的作用。

另一侧的基板保持部32设置于第二处理室12。基板保持部32以基板W2的主表面与紫外线照射器2对置的方式保持基板W2。基板W2例如也具有平板状的圆形。基板保持部32也水平保持基板W2。虽然对基板保持部32的具体结构没有特别的限定，但是例如也可以具有与基板保持部31相同的结构。

图3所示的气体供给部41向第一处理室11供给气体。气体供给部41例如具备配管411-413、气体容纳部414、415以及开关阀416、417。在腔室1的侧壁，例如形成有用于供气的贯通孔11a。贯通孔11a使处理室11和配管411的一端连通。该配管411的另一端与配管412、413的各个一端连接。配管412的另一端与气体容纳部414连接，配管413的另一端与气体容纳部415连接。气体容纳部414、415例如为储气瓶，分别容纳有不同的气体。例如，在气体容纳部414中容纳有非活性气体(例如，氮气或氩气等)，在气体容纳部415中容纳有氧气。或者，在各个气体容纳部414、415中可以容纳有包含多种气体成分的混合气体。例如，包含氧气和氮气的空气分别容纳于气体容纳部414、415，该混合比在气体容纳部414、415中可以是不同的。在配管412设置有开关阀416，在配管413设置有开关阀417。开关阀416、417分别对配管412、413的开闭进行切换。

例如，当开关阀416打开且开关阀417关闭时，容纳于气体容纳部414的气体(例如，氮气)供给到处理室11。另一方面，当开关阀416关闭且开关阀417打开时，容纳于气体容纳部415的气体(例如，氧气)供给到处理室11。

排气部61具有配管611。在腔室1的侧壁，例如形成有用于排气的贯通孔11b。贯通孔11b使处理室11和配管611的一端连通。处理室11内的气体经由配管611向外部排出。

气体供给部42向处理室12供给气体。气体供给部42具备：配管421-423；气体容纳部424、425；以及开关阀426、427。除了与配管421的一端连通的部分以外，配管421-423、气体容纳部424、425以及开关阀426、427分别与配管411-413、气体容纳部414、415以及开关阀416、417相同。配管421的一端与用于供气得贯通孔12a连通。该贯通孔12a例如形成于腔室1的侧壁，并且使配管421的一端和处理室12连通。

通过该气体供给部42来能够适当地控制开关阀426、427的开闭，由此能够选择性地向处理室12供给不同的气体(例如，非活性气体(氮气或氩气等)和氧气)。

排气部62具有配管621。在腔室1的侧壁，例如形成有用于排气的贯通孔12b。贯通孔12b使处理室12和配管621的一端连通。处理室12内的气体经由配管621向外部排出。

遮光部5配置于处理室12。更具体而言，遮光部5配置成：将紫外线照射器2和基板W2之间的空间分隔为紫外线照射器2侧的空间和基板保持部32侧的空间。换言之，基板保持部32以基板W2的主表面隔着遮光部5而与紫外线照射器2对置的方式，对基板W2进行保持。遮光部5适当地固定在腔室1中。

遮光部5用于遮挡紫外线，并且使气体穿过。遮光部5具有板部51、52。图4是概略地表示从Z方向观察遮光部5时的部分结构的图。板部51、52具有板状的形状。另外，在板部51、52分别形成有贯通孔511、521。贯通孔511、521分别沿着所述板部51、52的厚度方向贯通板部51、52。板部51、52对紫外线具有遮光性。例如，板部51、52可以在其表面具备用于遮挡紫外线的滤光器(filter)。但是，该滤光器不设置在贯通孔511、521。

这些板部51、52以其厚度方向与Z方向平行的姿势配置。即，板部51、52水平配置。另外，板部51、52隔开间隔且互相对置而配置。板部51相对于板部52配置于紫外线照射器2侧。在图4的例子中，遮光部5形成有多个贯通孔511、521。多个贯通孔511形成于以下位置。即，分别在假想的四边形的四个顶点和该四边形的重心形成有贯通孔511，并且多个贯通孔511以该位置关系在X方向和Y方向上重复的方式分散形成。多个贯通孔521也是相同的。

板部51、52以贯通孔511的位置和贯通孔521的位置在与该板面平行的方向上互相错开的方式配置。即，板部51、52配置成，在Z方向上任意一个贯通孔511均与任意一个贯通孔52不对置。

遮光部5和紫外线照射器2之间的空间12A经由遮光部5，与遮光部5和基板W2之间的空间12B连通。具体而言，空间12A、12B经由贯通孔511、521以及板部51、52之间的空间而互相连通。由此，气体能够从空间12A穿过遮光部5并流向空间12B。

另一方面，由于贯通孔511、521的位置互相错开，因此，来自紫外线照射器2的紫外线被遮光部5遮挡。具体而言，来自紫外线照射器2的紫外线的一部分被板部51遮挡，而紫外线的另一部分虽然穿过贯通孔511，但被板部52遮挡。因此，紫外线难以照射到基板W2的主表面。即，遮光部5形成为具有遮光性和通气性的板状构件。

在图3的例子中，用于供气的贯通孔12a设置在适合向空间12A供给气体的位置。由于来自紫外线照射器2的紫外线向空间12A照射，因此，能够使该紫外线有效地作用于由气体供给部42供给的气体。在气体供给部42供给氧气的情况下，由于紫外线有效地作用于氧气，因此能够有效地产生臭氧。该臭氧穿过遮光部5并作用于基板W2。

此外，在腔室1设置有起到作为基板W1、W2用出入口的作用的闸门(未图示)。当该闸门打开时，处理室11、12与外部连通，当该闸门关闭时，处理室11、12被密闭。闸门也可以对处理室11、12独立地设置。即，也可以通过打开第一闸门来使处理室11与外部连通，并且可以通过打开第二闸门来使处理室12与外部连通。

另外，在基板处理装置10配置于路径部122的情况下，例如，只要设置有分度器机械手121用闸门和搬运机械手123用闸门即可。分度器机械手121和搬运机械手123经由相对应的闸门而能够使基板出入。此外，分度器机械手121和搬运机械手123能够使臂部和手部分别在Z方向上进行往返移动。由此，分度器机械手121和搬运机械手123能够使臂部和手部分别移动到适合基板保持部31、32的高度。由此，分度器机械手121和搬运机械手123既能够将基板移交到各个基板保持部31、32，也能够从各个基板保持部31、32取出基板。

紫外线照射器2、开关阀416、417、426、427以及闸门由控制部7控制。

控制部7是电子电路设备，例如可以具有数据处理装置和存储介质。数据处理装置，例如可以是CPU(Central Processor Unit)等运算处理装置。存储部可以具有非临时性存储介质(例如，ROM(Read Only Memory)或硬盘)和临时性存储介质(例如，RAM(RandomAccess Memory))。非临时性存储介质例如可以存储对控制部7所执行的处理进行规定的程序。控制部7通过处理装置执行该程序来能够执行程序所规定的处理。当然，控制部7执行的一部分处理或者全部处理也可以通过硬盘执行。

根据上述基板处理装置10，能够分别在处理室11、12中使用紫外线对基板进行处理。而且，紫外线照射器2能够向处理室11、12中的任意一个照射紫外线。即，处理室11、12共用紫外线照射器2。因此，与在处理室11、12中单独设置紫外线照射器2的情况相比，能够减小基板处理装置10的尺寸，而且能够降低制造成本。

＜基板处理动作的一例＞

下面，对基板处理装置10中的具体动作的一例进行说明。图5是表示基板处理装置10的具体动作的一例的流程图。图5例示处理室11、12中的处理并行进行时的动作的一例。首先，在步骤S1中，将基板W1、W2配置在腔室1内。具体而言，控制闸门、分度器机械手121或搬运机械手123，使得控制部7进行下一个动作。即，打开腔室1的闸门，并经由打开了的闸门将基板W1、W2分别配置于基板保持部31、32，之后，关闭闸门。

接下来，在步骤S2中，控制部7例如打开开关阀416、427，并关闭开关阀417、426。由此，向处理室11供给容纳于气体容纳部414的气体(此处，为氮气)，向处理室12供给容纳于气体容纳部425的气体(此处，为氧气)。此外，步骤S2也可以在步骤S1之前执行。

接着，在步骤S3中，控制部7使紫外线照射器2照射紫外线。需要说明的是，当处理室11、12内的气体(特别是，各个基板W1、W2和紫外线照射器2之间的空气)形成为规定的气体时，控制部7也可以执行步骤S3。例如，控制部7对从步骤S2开始经过的时间进行计时。针对经过时间的计时，可以由定时器电路等的计时电路实现。控制部7判断该经过时间是否大于规定的基准值，当作出肯定的判断时，可以执行步骤S3。或者，也可以对处理室11、12内的气体进行测量。

图6示意性地表示步骤S3中的基板处理装置10的状态。在图6中，用双箭头表示紫外线照射器2向处理室11、12照射紫外线。

该紫外线在处理室11中向基板W1的主表面照射。由此，去除积聚在基板W1的电荷。对于电荷被去除的理由之一而言，认为是在基板W1产生由紫外线引起的光电效应。作为紫外线的波长，例如可以采用252nm以下的波长。这是因为，在该波长范围内能够有效地去除基板W1的电荷。作为更有效的波长，可以采用172±20nm内的波长。

来自紫外线照射器2的紫外线，也向处理室12照射。该紫外线被紫外线照射器2和遮光部5之间的氧气吸收。由此，产生臭氧。臭氧穿过遮光部5并作用于基板W2的主表面。在图6的例子中，用标注在臭氧的分子式附近的箭头示意性地表示该臭氧的流向。通过将臭氧作用于基板W2的主表面，来能够对存在于基板W2的主表面的有机物进行氧化，从而能够分解该有机物并进行去除。

另一方面，由于紫外线被遮光部5遮挡，因此，能够减少或避免照射到基板W2上的紫外线。由此，能够减少如下说明的紫外线对基板W2的损伤。例如，有时在基板W2的主表面形成有低电介质膜。该低电介质膜也称为Low-k(低介电常数)膜。该低电介质膜的材料，可以采用包含SiO₂的有机化合物。该有机化合物中存在有Si-C键。例如在0K中，Si-C键的键能为293kJ/mol。另一方面，波长为172nm的紫外线的能量为694kJ/min，能够高于Si-C的键能。据此，通过向基板W2的主表面照射紫外线，来能够切断Si-C键。由此，能够增加低电介质膜的k值(介电常数)。即，紫外线能够对基板W2产生损伤(例如Si-C键的切断)。如果该k值增加，则在制造出的半导体设备产生布线迟延，并且响应速度降低。另一方面，在图6的例子中，遮光部5遮挡紫外线，因此能够抑制对基板W2造成上述损伤。

再次参照图5，在步骤S4中，控制部7判断是否应该结束处理。例如，在从步骤S3开始经过的时间超出规定时间时，控制部7可以判断为应该结束处理。在判断不应该结束处理时，控制部7再次执行步骤S4。当判断应该结束处理时，在步骤S5中，控制部7使紫外线照射器2停止。接着，在步骤S6中，控制部7关闭开关阀427，打开开关阀426。由此，向处理室12供给容纳于气体容纳部424的气体(此处，为氮气)。由此，适当地排出臭氧。

如上所述，根据该动作，使用单一的紫外线照射器2也能够在处理室11、12中进行处理。

＜对基板背面的照射＞

当在基板W1的一侧主表面(以下，也称为表面)形成有低电介质膜，而在另一侧主表面(以下，也称为背面)未形成有低电介质膜时，基板保持部31可以以基板W1的背面朝向紫外线照射器2的姿势对基板W1进行保持。换言之，控制部7通过控制分度器机械手121或搬运机械手123，来以基板W1的背面朝向紫外线照射器2的方式将基板W1移交到基板保持部31。在图2的例子中，基板保持部31位于紫外线照射器2的铅垂上方。据此，分度器机械手121或搬运机械手123以表面朝向铅垂上方的方式搬运基板W1，并且以该姿势将基板W1配置于基板保持部31也可。

据此，与形成有低电介质膜的基板W1的表面朝向紫外线照射器2的情况相比，能够降低紫外线对低电介质膜的损伤。这是因为紫外线并没有直接照射到低电介质膜。

＜经由路径部的往返移动＞

在基板处理装置10配置于路径部122的情况下，基板在从容纳器保持部110到基板处理部130的去程、和从基板处理部130到容纳器保持部110的返程中的任一路程中，均经过基板处理装置10。因此，基板处理系统100例如可以使基板在去程中经由处理室11、12中的一个处理室，而在返程中经由处理室11、12中的另一个处理室。换言之，例如，分度器机械手121可以将基板从容纳器保持部110移交到基板保持部31、32中的一个基板保持部，并且将基板从基板保持部31、32中的另一个基板保持部移交至容纳器保持部110。搬运机械手123可以将基板从上述一个基板保持部移交到基板处理部130，也可以将基板从基板处理部130移交到上述另一个基板保持部。由此，在基板处理系统100的往返搬运中，能够进行处理室11、12的处理两者。

作为具体的一例，控制部7可以控制基板处理系统100的各个结构，以进行以下说明的动作。例如，在去程中使用处理室11。具体而言，分度器机械手121从容纳器保持部110取出基板，并将该基板载置于处理室11的基板保持部31。在处理室11中，如上所述那样对该基板实施除电处理。去除了电荷的基板通过搬运机械手123移交到基板处理部130。基板处理部130使用处理液来对基板的主表面进行处理。由于基板的电荷已经被去除，因此，在基板处理部130中难以产生由处理液引起的电弧，从而能够适当地进行上述处理。

根据处理液的类型，有机物残留在基板的主表面。因此，在返程中使用处理室12。具体而言，搬运机械手123从基板处理部130取出结束处理的基板，并将该基板载置于处理室12的基板保持部32。在处理室12中，如上所述那样对该基板实施去除有机物的处理。由此，基板的有机物被去除。分度器机械手121从处理室12中取出基板，并将该基板移交到容纳器保持部110。

据此，将在基板处理部130的处理前后适合进行的处理，能够在路径部122中进行。

＜向处理室11供给氧气＞

在上述例子的步骤S2中，向处理室11供给了氮气。然而，并不必须限于此。例如，当以去除有机物作为主要目标时，也可以向处理室11供给氧气。具体而言，控制部7关闭开关阀416，并打开开关阀417。由此，容纳于气体容纳部415的气体(此处为氧气)供给到处理室11。

图7示意性地表示向处理室11、12供给氧气时的基板处理装置10的状态的一例。此时，在处理室11中产生较多的臭氧，该臭氧作用于基板W1的主表面。由于臭氧作用于基板W1的主表面，因此，能够有效地去除存在于基板W1的主表面的有机物。

在上述动作中，由于在处理室11中产生臭氧，因此在步骤S6中，停止向处理室11供给氧气并供给氮气也可。据此，能够切实地排出处理室11内的臭氧。

＜变形例＞

上述例子中，在虽配置有遮光部5但也可以向基板W2的主表面照射紫外线的情况下，不是必须需要遮光部5。另外，在上述例子中，气体供给部41、42能够选择性地供给不同类型的气体，但这也不是必须的条件。总之，只要处理室11、12共用紫外线照射器2即可。由此，能够产生减小基板处理装置10的尺寸的效果。

第二实施方式

图8和图9是概略地表示基板处理装置10A的结构的一例的图。基板处理装置10A具有移动机构8，在这点上与基板处理装置10不同。需要说明的是，在图8和图9中，省略了气体供给部41、42和排气部61、62的图示。在之后参照的其他附图中，也省略了这些图示。

移动机构8配置于处理室12。移动机构8能够使板部51、52相对地进行移动。更具体而言，移动机构8在贯通孔511、521互相错开的第一位置(参照图8)和贯通孔511、521在Z方向上互相对置的第二位置(参照图9)之间，使板部51、52相对地进行移动。移动机构8的动作，例如由控制部7控制。作为移动机构8，例如可以采用公知的单轴载物台(也称为X轴载物台)。例如移动机构8使板部5进行移动。

另外，对于贯通孔511在板部51的分布和贯通孔521在板部52的分布而言，仅仅在其形成位置上不同，分布形式是互相对应的。即，各个贯通孔511、521的大小相同，而且其形成间隔、排列方向也相同。因此，如果使板部51、52中的一个相对于另一个在水平方向(Y方向)上错开，则各个贯通孔511、521的形成位置互相形成对齐。

当移动机构8使板部52相对于板部51停止在第一位置(图8)时，与第一实施方式同样地，来自紫外线照射器2的紫外线被遮光部5遮挡。另一方面，当移动机构8使板部52相对于板部51停止在第二位置(图9)时，来自紫外线照射器2的紫外线穿过贯通孔511、521并照射到基板W2的主表面。因此，能够使紫外线作用于基板W2的主表面。

如上所述，根据基板处理装置10A，通过板部51、52的位置关系来能够控制是否向基板W2的主表面照射紫外线。例如，控制部7可以从外部接收在基板W2的主表面是否形成有低电介质膜的信息。该信息可以包括在规定针对基板的处理内容的、所谓的方案(作业指示书)中。接着，控制部7在基板W2的主表面形成有低电介质膜时，可以对移动机构8进行控制使得板部52相对于板部51停止在第一位置(图8)。另一方面，控制部7在基板W2的主表面未形成有低电介质膜时，可以对移动机构8进行使得板部52相对于板部51停止在第二位置(图9)。由此，紫外线照射到基板W2的主表面，因此能够去除例如由光电效应引起的电荷。

如上所述，贯通孔分布的状况对于两个板部51、52是共通的，在第二位置上，多个贯通孔511分别与多个贯通孔521在Z方向上对置。即，多个贯通孔511、521互相一对一地对置。在图4所示的例子中，从Z方向观察多个贯通孔521时的相对位置关系，与多个贯通孔511的相对位置关系相同。由此，通过使板部51、52在水平方向上相对地进行移动，来能够使多个贯通孔511与多个贯通孔521一对一地对置。由此，遮光部5能够在更宽的区域使紫外线通过。因此，能够在更宽的范围内向基板W2的主表面照射紫外线。

当然，只要适当地设定多个贯通孔511、521的形状、大小以及位置关系即可，并不必须限于图4的方式。例如，代替圆形的贯通孔511，可以将在X方向上长长地延伸而成的缝隙状的多个贯通孔沿着Y方向并行地配置。贯通孔521也是同样的。此时，将板部51中的缝隙状的贯通孔的间距设定为，大致与板部52中的缝隙状的贯通孔的间距相同。由此，通过使板部52相对于板部51在Y方向上进行移动，来能够使板部51中的贯通孔和板部52中的贯通孔在Z方向上一对一地对置。

上述第二位置的两组贯通孔在位置上的对齐，并不必须完全一致。即，即使在一部分存在有不一致的部位的情况下，只要多数贯通孔的位置互相一致，并且能够向处理充分地穿透紫外线，也是可以的。另外，在各个板部51、52中，各个贯通孔的尺寸变小且在水平方向上相邻的贯通孔的间隔变窄，并由此各个板部51、52接近于“网状”的情况，也属于“具有贯通孔的板状构件”的概念。即使在各个板部51、52中的贯通孔的数量为一个的情况下，只要该贯通孔如形成往复蛇形的缝隙那样能够实现在空间上的选择性透光分布，也是可以的。与贯通孔的形状、分布相关的这些条件，不仅在本实施方式中，也同样可适用于其他实施方式。

基板保持部32也可以使基板W2以Z方向为旋转轴进行旋转。具体而言，只要基板保持部32具有用于保持基板W2的载物台(未图示)和使载物台进行旋转的旋转机构(未图示)即可。旋转轴，例如穿过基板W2的中心。作为这种基板保持部32，可以采用所谓的旋转卡盘。由此，能够使穿过遮光部5的紫外线在更宽的范围内更加均匀地作用于基板W2的主表面。

＜基板处理动作的一例＞

图10是表示基板处理装置10A的动作的一例的流程图。图10例示，向基板的主表面照射紫外线而去除电荷的除电处理在处理室11、12中同时进行时的动作。首先，在步骤S11中，与步骤S1同样地，将基板W1、W2分别配置于各个基板保持部31、32。

接下来，在步骤S12中，控制部7打开开关阀416、426，关闭开关阀417、427。由此，向处理室11供给容纳于气体容纳部414的气体(此处，为氮气)，向处理室12供给容纳于气体容纳部424的气体(此处，为氮气)。

接着，在步骤S13中，控制部7控制移动机构8来使板部51、52相对地进行移动，使得贯通孔511、521在Z方向上互相对置。另外，步骤S11-S13的执行顺序并不限于此，也可以适当地进行变更。

接下来，在步骤S14中，控制部7使紫外线照射器2照射紫外线。此外，与步骤S3相同地，在处理室11、12内的气体形成为所期望的气体时执行步骤S14即可。

图11是表示基板处理装置10A的结构的一例的图。图11示意性地表示步骤S14中的基板处理装置10A的状态。向处理室11、12供给氮气。另外，在图11中，用起始点位于紫外线照射器2的箭头表示紫外线照射器2向处理室11、12照射紫外线。紫外线照射器2在处理室11中向基板W1的主表面照射紫外线，并且在处理室12中穿过贯通孔511、521而向基板W2的主表面照射紫外线。

由此，能够向基板W1、W2的主表面照射紫外线，因此，例如通过光电效应来能够去除积聚在基板W1、W2的电荷。此外，在紫外线的照射中，控制部7也可以使基板W2在基板保持部32中旋转。

第三实施方式

图12是概略地表示基板处理装置10B的结构的一例的图。基板处理装置10B具有基板保持部33，在这点上与基板处理装置10不同。基板保持部33例如配置于处理室12并保持基板W2，使得基板W2的主表面与紫外线照射器2对置。另外，该基板保持部33将基板W2保持在与被基板保持部32保持的基板不同的位置。例如，基板保持部33将基板W2保持在比基板保持部32更靠近紫外线照射器2的位置。作为更具体的一例，基板保持部33将基板W2保持在紫外线照射器2和遮光部5之间。对基板保持部33的具体结构没有特别的限定，例如可以具有与基板保持部32相同的结构(例如，在腔室1的内侧面形成的凹部)。

在基板W2载置于基板保持部33的情况下，不经由遮光部5而能够将紫外线照射到基板W2的主表面。由此，能够将紫外线照射到基板W2的更宽的范围。据此，能够更有效地去除基板W2的电荷。另外，由于能够将基板W2载置于紫外线照射器2的附近，因此，能够提高紫外线在基板W2的主表面上的强度。由此，能够迅速地去除基板W2的电荷。

第四实施方式

图13是概略地表示基板处理装置10C的结构的一例的图。基板处理装置10C具有从基板处理装置10B中省略了遮光部5的结构。由于基板处理装置10C具有基板保持部32、33，因此，能够将基板W2选择性地载置于基板保持部32、33中的一个基板保持部。

但是，如果向形成有低电介质膜的基板W2的主表面照射紫外线，则如上所述那样，会在低电介质膜产生损伤。紫外线的强度越高，该损伤量(例如，k值的增大量)越大。

距紫外线照射器2的距离越长，紫外线的强度越低。因此，基板保持部32远离紫外线照射器2，基板保持部33靠近紫外线照射器2。由此，紫外线在被基板保持部32保持的基板W2上的强度，低于紫外线在被基板保持部33保持的基板W2上的强度。因此，在基板W2被基板保持部32保持的情况下，能够降低对低电介质膜的损伤。

另一方面，基板W2上的紫外线的强度越高，越能够在短时间内去除电荷。因此，基板W2被基板保持部33保持时的电荷的去除速度比基板W2被基板保持部32保持时的电荷的去除速度更快。

下面，考察针对低电介质膜的损伤量和照射时间之间的关系、以及电荷的去除和照射时间之间的关系。此处，利用上述低电介质膜对光的吸收率的变化来评价针对低电介质膜的损伤量。图14和图15示意性地表示低电介质膜的吸收率和光的波数之间的关系的一例。作为低电介质膜，采用多孔质有机硅酸盐(OSG2.4)。与该低电介质膜的Si-CH3键相对应的波数为1274cm^-1。

图14表示基板的主表面的紫外线的强度较高时的上述关系，图15表示基板的主表面的紫外线的强度较低时的上述关系。例如，在图14中，基板的主表面的紫外线的强度为19mW/cm²，在图15中，基板的主表面的紫外线的强度为2mW/cm²。此处，通过对基板和紫外线照射器之间的距离进行调整来调整紫外线的强度，例如在图14中，该距离为3mm，而在图15中，该距离为17.6mm。

在图14中，用曲线R0表示紫外线照射前的吸收率，分别用曲线R11-R13表示从照射紫外线开始的10秒后、20秒后以及30秒后的吸收率。在图15中，分别用曲线R21-R23表示从照射紫外线的5分钟后、7分钟后以及10分钟后的吸收率。

图16和图17示意性地表示基板的主表面中的电位(也称为表面电荷)和照射时间之间的关系的一例。需要说明的是，在图16中，横轴所表示的时间的单位为秒，而在图17中，横轴所表示的时间的单位为分钟。图16表示基板的主表面中的紫外线的强度较高时的上述关系，图17表示基板的主表面中的紫外线的强度较低时的上述关系。图16中的紫外线的强度的值与图14中的紫外线的强度相同，图17中的紫外线的强度的值与图15中的紫外线的强度相同。

但是，由于低电介质膜难以产生光电效应，因此，有时会用离子去除电荷。例如，可以利用氧离子。通过紫外线被氧气吸收来能够产生上述氧离子。通过将上述氧离子采用于基板，来能够去除基板的电荷。此处，将基板和紫外线照射器之间的空间的氧气浓度设为20.9％。

如图16和图17所示，当紫外线的强度较高时，通过紫外线的照射来迅速地去除电荷。因此，仅在去除电荷的观点上，优选紫外线的强度高。然而，如图14所示，当紫外线的强度较高时，在照射紫外线开始的10秒后，波数1274cm^-1的吸收率出现变化(曲线R11)。即，在照射紫外线开始的10秒后，在低电介质膜产生损伤。在图16的例子中，此时的表面电荷小于-50V。

另一方面，如图15所示，当紫外线的强度较低时，波数1274cm^-1的吸收率在照射紫外线开始5分钟后也基本没有变化(曲线R21)，而在7分钟后出现了变化(曲线R22)。即，在照射紫外线开始5分钟以内，基本没有对基板产生损伤。而且，如图17所示，在照射紫外线开始5分钟后的表面电荷大于-30V且小于-20V。即，能够确认与图16所示的10秒后的表面电荷相比，能够去除电荷。

如上所述，能够确认：通过降低紫外线在基板的主表面的强度，来能够抑制针对低电介质膜的损伤，并且能够去除电荷。

因此，控制部7在基板W2的主表面形成有低电介质膜时，对分度器机械手121或搬运机械手123进行控制以将基板W2移交到基板保持部32。由此，能够抑制针对低电介质膜的损伤，并且能够有效地去除电荷。

另一方面，控制部7在基板W2的主表面未形成有低电介质膜时，对分度器机械手121或搬运机械手123进行控制以将基板W2移交到基板保持部33。由此，能够迅速地去除基板W2的电荷。

如上所述，在基板W2形成有低电介质膜时，基板W2被基板保持部32保持，而在基板W2未形成有低电介质膜时，基板W2被基板保持部33保持。有关在基板W2是否形成有低电介质膜的信息，例如可以从外部装置接收。

第五实施方式

图18是概略地表示基板处理装置10D的结构的一例的图。基板处理装置10D在具备反射部91、92和移动机构93、94这点上，与基板处理装置10不同。

反射部91和移动机构93配置于处理室11。反射部91具有反射面，紫外线在该反射面上进行反射。只要反射部91的反射面由针对紫外线的反射率高的构件形成即可，例如可以为表面粗糙度低的铝。例如，反射部91例如形成为板状，其另一个主表面起到作为反射面的作用。

移动机构93使反射部91在以下的两个位置之间进行移动。第一个位置是，反射部91与紫外线照射器2对置的位置(以下，称为第一反射位置)。在该第一反射位置上，反射部91的反射面与紫外线照射器2对置。在该状态下，从紫外线照射器2照射的紫外线被反射部91反射到紫外线照射器2。换言之，只要第一反射位置是反射部91能够使紫外线反射到紫外线照射器2的位置即可。第二个位置是，反射部91不与紫外线照射器2对置的位置。

反射部92和移动机构94配置于处理室12。反射部92具有反射面，紫外线在该反射面上进行反射。只要反射部92的反射面由针对紫外线的反射率高的构件形成即可，例如可以为表面粗糙度低的铝。例如，反射部92例如形成为板状，其另一个主表面起到作为反射面的作用。

移动机构94使反射部92在以下的两个位置之间进行移动。第一个位置是，反射部92与紫外线照射器2对置的位置(以下，称为第二反射位置)。在该第二反射位置上，反射部92的反射面与紫外线照射器2对置。在该状态下，从紫外线照射器2照射的紫外线被反射部92反射到紫外线照射器2。换言之，只要第二反射位置是反射部92能够使紫外线反射到紫外线照射器2的位置即可。第二个位置是，反射部92不与紫外线照射器2对置的位置。

反射部91、92的反射面，可以具有与紫外线照射器2的整个面对置的宽度。由此，能够在更宽的范围上将紫外线反射到紫外线照射器2。

紫外线照射器2能够使从外部入射的紫外线穿过。例如，在石英玻璃制的外壳的内部，使一对电极在水平方向(例如，X方向或Y方向)上对置，在电极之间填充放电气体。由此，紫外线在Z方向上穿过石英玻璃。即，来自外部的紫外线在Z方向上穿过紫外线照射器2。

移动机构93例如可以是单轴载物台，例如可以使反射部91直线移动。或者，移动机构93也可以使反射部91在水平面上沿圆弧进行移动。此时，例如移动机构93可以具有：旋转体，其以Z方向为旋转轴进行转动；连结部，其具有与该旋转体连结的一端和与反射部91连结的另一端。连结部在旋转体的径向上延伸。由此，伴随旋转体的转动，反射部91在圆弧上进行移动。移动机构94也是相同的。移动机构93、94的动作由控制部7控制。

在反射部91、92两者不与紫外线照射器2对置时，紫外线照射器2能够向基板W1和基板W2(或遮光部5)照射紫外线。

在反射部91与紫外线照射器2对置，而反射部92不与紫外线照射器2对置时，从紫外线照射器2向处理室11照射的紫外线被反射部91反射。反射后的紫外线穿过紫外线照射器2并照射到处理室12。由此，能够提高照射到处理室12的紫外线的量。此时，在处理室11中，不进行针对基板的处理。

同样地，在反射部91不与紫外线照射器2对置，而反射部92与紫外线照射器2对置时，从紫外线照射器2向处理室12照射的紫外线被反射部92反射，反射后的紫外线穿过紫外线照射器2并照射到处理室11。由此，能够提高照射到处理室12的紫外线的量。此时，在处理室1中不进行针对基板的处理。

如上所述，在处理室11、12的一个处理室中进行针对基板的处理，而在另一个处理室中不进行针对基板的处理的情况下，能够将向不需要紫外线的另一个处理室照射的紫外线供给至需要紫外线的一个处理室。由此，能够有效地利用紫外线。

另外，如在第四实施方式中进行说明的那样，针对形成有低电介质膜的基板，优选降低基板上的紫外线的强度。因此，控制部7可以根据有无低电介质膜而对移动机构93、94进行控制。

例如，在处理室11中进行针对未形成有低电介质膜的基板W1的处理的情况下，控制部7控制移动机构93使得反射部91不与紫外线照射器2对置，并且控制移动机构93使得反射部92与紫外线照射器2对置。由此，能够提高紫外线在基板W1的主表面的强度，因此，能够迅速地去除积聚在基板W1的电荷。

另一方面，在处理室11中进行针对形成有低电介质膜的基板W1的处理的情况下，控制部7控制移动机构93、94使得反射部91、92不与紫外线照射器2对置。由此，能够降低紫外线在基板W1的主表面的强度，因此，能够降低针对低电介质膜的损伤，并且能够有效地去除积聚在基板W1的电荷。在处理室12中进行处理的情况下，相同的动作也能够适用。

此外，在第一至第五实施方式中，作为处理室11、12中的使用紫外线的处理，举出了电荷的去除处理(除电处理)和有机物的去除处理。但是，使用紫外线的处理并不限于此。例如，也可以采用去除残留在基板的防水剂的处理。例如，有时用纯水对基板的表面进行冲洗以去除基板上的药液。如果使该纯水干燥，则形成于基板的图案有可能被表面张力倒塌。为了防止这种情况，有时向基板的表面供给防水剂。在纯水干燥后，通过照射紫外线去除残留的防水剂。另外，通过臭氧的作用也能去除。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，具备：

紫外线照射装置，位于第一处理室和第二处理室的边界，并且能够向所述第一处理室和所述第二处理室照射紫外线；

第一基板保持装置，配置于所述第一处理室，将基板保持成与所述紫外线照射装置对置；以及

第二基板保持装置，配置于所述第二处理室，将基板保持成与所述紫外线照射装置对置。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，还具备：

遮光装置，以将所述紫外线照射装置和所述第二基板保持装置之间的空间分隔为所述紫外线照射装置侧的第一空间和所述第二基板保持装置侧的第二空间的方式配置，并且遮挡来自所述紫外线照射装置的紫外线，而且使所述第一空间内的气体和所述第二空间内的气体连通；以及

气体供给装置，向所述第一空间供给气体。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，

所述遮光装置具备对紫外线具有遮光性的第一板部和第二板部，

在所述第一板部形成有至少一个第一贯通孔，

在所述第二板部形成有至少一个第二贯通孔，

所述第一板部和所述第二板部以所述至少一个第一贯通孔的位置和所述至少一个第二贯通孔的位置在与各个板面平行的方向上互相错开的配置关系，互相隔开间隔且对置配置。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，还具备：

第一移动装置，使所述第一板部和所述第二板部在第一位置和第二位置之间相对地进行移动，所述第一位置是所述至少一个第一贯通孔和所述至少一个第二贯通孔互相错开的位置，所述第二位置是所述至少一个第一贯通孔和所述至少一个第二贯通孔在位置上互相对齐的位置。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，

所述至少一个第一贯通孔包括多个第一贯通孔，

所述至少一个第二贯通孔包括多个第二贯通孔，

在所述第二位置上，所述多个第一贯通孔与所述多个第二贯通孔一对一地对置。

6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，还具备：

第三基板保持装置，在所述遮光装置和所述紫外线照射装置之间将基板保持成与所述紫外线装置对置。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，具备：

第一气体供给装置，向所述第一处理室供给气体；

第二气体供给装置，向所述第二处理室供给气体。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

所述第一气体供给装置和所述第二气体供给装置中的至少任意一个选择性地供给多种气体。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其中，还具备：

至少一个反射装置，配置于所述第一处理室和所述第二处理室中的至少任意一个处理室，并且将来自所述紫外线照射装置的紫外线向所述第一处理室和所述第二处理室中的另一个处理室反射；以及

第二移动装置，使所述至少一个反射装置在所述至少一个反射装置与所述紫外线照射装置对置的位置和所述至少一个反射装置不与所述紫外线照射装置对置的位置之间进行移动。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其中，还具备：

第四基板保持装置，在所述第二基板保持装置和所述紫外线照射装置之间将形成有低电介质膜的基板保持成与所述紫外线照射装置对置。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述第一基板保持装置将具有形成有低电介质膜的第一主表面和未形成有低电介质膜的第二主表面的基板，保持成所述第二主表面朝向所述紫外线照射装置的姿势。

12.一种基板处理系统，具备：

容纳器保持部，保持用于容纳基板的容纳器；

基板处理部，使用处理液对基板实施处理；以及

基板通过部，用于在所述容纳器保持部和所述基板处理部之间进行往返的基板经过，

在所述基板通过部设置有权利要求1-8中任一项所述的基板处理装置。

13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其中，具备：

第一搬运装置，在各个所述第一基板保持装置及所述第二基板保持装置和所述容纳器保持部之间交接基板；以及

第二搬运装置，在各个所述第一基板保持装置及所述第二基板保持装置和所述基板处理部之间交接基板。

14.根据权利要求13所述的基板处理系统，其中，

所述第一搬运装置将来自所述容纳器保持部的基板移交到所述第一基板保持装置和所述第二基板保持装置中的一个基板保持装置，并且将基板从所述第一基板保持装置和所述第二基板保持装置中的另一个基板保持装置移交到所述容纳器保持部，

所述第二搬运装置将基板从所述第一基板保持装置和所述第二基板保持装置中的所述一个基板保持装置移交到所述基板处理部，并且将基板从所述基板处理部移交到所述第一基板保持装置和所述第二基板保持装置中的所述另一个基板保持装置。

15.一种基板处理方法，具有：

在第一处理室中，使第一基板保持装置将基板保持成与紫外线照射装置对置的工序，所述紫外线照射装置位于所述第一处理室和第二处理室的边界，并且能够向所述第一处理室和所述第二处理室照射紫外线；

在所述第二处理室中，使第二基板保持装置将基板保持成与所述紫外线照射装置对置的工序；以及

向遮光装置和所述紫外线照射装置之间的第一空间供给气体的工序，所述遮光装置以将所述紫外线照射装置和所述第二基板保持装置之间的空间分隔为所述紫外线照射装置侧的所述第一空间和所述第二基板保持装置侧的第二空间的方式配置，并且，遮挡来自所述紫外线照射装置的紫外线，并使所述第一空间内的气体和所述第二空间内的气体连通。

16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，

所述遮光装置具备对紫外线具有遮光性的第一板部和第二板部，

在所述第一板部形成有至少一个第一贯通孔，

在所述第二板部形成有至少一个第二贯通孔，

所述第一板部和所述第二板部以所述至少一个第一贯通孔的位置和所述至少一个第二贯通孔的位置在与各个板面平行的方向上互相错开的配置关系，互相隔开间隔且对置配置。

17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，还具有：

使所述第一板部和所述第二板部在第一位置和第二位置之间相对地进行移动的工序，所述第一位置是所述至少一个第一贯通孔和所述至少一个第二贯通孔互相错开的位置，所述第二位置是所述至少一个第一贯通孔和所述至少一个第二贯通孔在位置上互相对齐的位置。

18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，

所述至少一个第一贯通孔包括多个第一贯通孔，

所述至少一个第二贯通孔包括多个第二贯通孔，

在所述第二位置，所述多个第一贯通孔与所述多个第二贯通孔一对一地对置。

19.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，还具有：

在所述遮光装置和所述紫外线照射装置之间，使第三基板保持装置将基板保持成与所述紫外线照射装置对置的工序。

20.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，具有：

向所述第一处理室供给气体的工序；以及

向所述第二处理室供给气体的工序。