CN108074838A - 基板湿式处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种基板湿式处理装置，其包括一浸泡槽、一喷洗处理槽、一输送载具以及一控制单元。控制单元控制多个基板的湿式处理。浸泡槽包括一多片式容置部，控制单元分别控制每一基板于多片式容置部的浸泡处理时序。喷洗处理槽邻设于浸泡槽。控制单元控制输送载具移送一第一基板至多片式容置部；经过一间隔时间，移送一第二基板至多片式容置部；第一基板经过一浸泡处理时间，移送至喷洗处理槽；经过一喷洗处理时间后，移出第一基板；及第二基板经过该浸泡处理时间，移送至喷洗处理槽。控制单元依据喷洗处理时间排程间隔时间。

Description

基板湿式处理装置

技术领域

本发明系关于一种基板湿式处理装置。

背景技术

在半导体工艺中，需先对基板(如晶圆)进行多道清洁程序，以移除基板表面的杂质。抑或是，以微影蚀刻于基板(如晶圆)形成图案后，也必须藉由多道清洁程序以去除光阻(Photo Resistor,PR)或金属膜(Metal Film)。一般而言，系先将基板浸泡于化学液，再以喷洗的方式清洗基板，最后再以旋转的方式干燥基板，且每个步骤系使用单晶圆水平式处理单元。因此，每一片基板需等待浸泡完后，才能接着进行清洗、干燥等后续步骤。由于每个步骤的处理时间不同，如浸泡的时间较长，进而使基板处理设备的使用效率不佳。

为了改善前述情况，市面上出现一种具有批次式浸泡槽的基板处理设备，一次性将多个片基板置于浸泡槽内，以批次式进行浸泡程序。藉由批次式浸泡槽的设计，以提高基板处理设备使用效率。然而如后续程序仍是使用单晶圆水平式处理单元进行，故仍必须自批次式浸泡槽内依序取出基板(1片/次)进行清洗、干燥等步骤。因此，批次式浸泡槽的设计反而会造成必须维持同一工艺条件的每一片基板的浸泡时间却不同(例如一基板较快被取出，则浸泡时间较短；反之，另一基板浸泡时间则较长)，浸泡后的效果亦有所差异。然，后续仍以同样条件进行清洗、干燥，将使每片基板的清洗程度不同，反而会降低良率，实有改良的必要。

发明内容

有鉴于上述课题，本发明的主要目的系在提供一种基板湿式处理装置，基板湿式处理装置包括具有多片式容置部的浸泡槽，且控制单元控制多个基板的湿式处理，并藉由输送载具分别控制每一基板于多片式容置部的浸泡处理时序(如第一基板及第二基板)，控制单元并依据喷洗处理槽所需喷洗处理时间排程浸泡处理时序，以解决现有基板处理装置的基板湿式处理的问题。

为达成上述的目的，本发明提供一种基板湿式处理装置，其包括一浸泡槽、一喷洗处理槽、一输送载具以及一控制单元。控制单元控制多个基板的湿式处理。浸泡槽包括一多片式容置部，其中控制单元分别控制每一基板于多片式容置部的浸泡处理时序。喷洗处理槽邻设于浸泡槽，并具有至少一单片式喷洗单元。输送载具于浸泡槽及喷洗处理槽之间移送每一基板。控制单元控制输送载具移送该些基板中的一第一基板至浸泡槽的多片式容置部，经过一间隔时间，移送该些基板中的一第二基板至浸泡槽的多片式容置部，第一基板经过一浸泡处理时间，自浸泡槽移送至喷洗处理槽的单片式喷洗单元进行喷洗处理，经过一喷洗处理时间，自单片式喷洗单元移出第一基板，及第二基板经过该浸泡处理时间，自浸泡槽接续移送至喷洗处理槽的单片式喷洗单元进行喷洗处理，其中控制单元依据喷洗处理时间排程间隔时间。

根据本发明之一实施例，基板湿式处理装置更包括一清洗干燥单元，其邻设于单片式喷洗单元，其中输送载具自单片式喷洗单元移送每一该些基板至清洗干燥单元。

根据本发明之一实施例，清洗干燥单元设置于喷洗处理槽内，对每一该些基板先进行喷洗处理及接续进行清洗干燥。

根据本发明之一实施例，清洗干燥单元包括一清洗液供应单元及一挥发性溶液供应单元，清洗干燥单元对基板施予一清洗液及一挥发性溶液。

根据本发明之一实施例，该多片式容置部为一水平多片式容置部。

根据本发明之一实施例，多片式容置部为一垂直多片式容置部。

根据本发明之一实施例，单片式喷洗单元为一垂直单片式喷洗单元。

根据本发明之一实施例，单片式喷洗单元包括一喷洗槽及至少一流体喷头，流体喷头设置于喷洗槽的至少一侧壁，并藉由每一该些基板于该喷洗槽内垂直移动，该流体喷头喷洗每一该些基板。

根据本发明之一实施例，基板于喷洗槽内垂直向上移动时，流体喷头喷洗基板。

根据本发明之一实施例，浸泡槽包括一流场控制单元，于垂直多片式容置部以一降流流场处理基板。

根据本发明之一实施例，输送载具垂直地承载基板并移动至垂直多片式容置部及垂直单片式喷洗单元。

根据本发明之一实施例，其中输送载具更包括一移动轨道，设置于浸泡槽及喷洗处理槽的上方。

根据本发明之一实施例，垂直多片式容置部包括多个单片式容置槽位，该些单片式容置槽位及垂直单片式喷洗单元各包括一处理承载架，输送载具承载基板至处理承载架，由处理承载架承载基板升降置入该些单片式容置槽位之一或垂直单片式喷洗单元。

根据本发明之一实施例，输送载具包括一附加电路板，输送载具移动附加电路板并由附加电路板承载基板升降，以置入浸泡槽或喷洗处理槽。

根据本发明之一实施例，基板湿式处理装置更包括一浸泡前喷洗单元，邻设于多片式容置部，控制单元先控制输送载具移送基板至浸泡前喷洗单元进行喷洗后，再移送至多片式容置部。

根据本发明之一实施例，浸泡前喷洗单元设置于浸泡槽内，对基板先进行喷洗处理及接续移送至多片式容置部进行浸泡处理。

根据本发明之一实施例，基板湿式处理装置更包括一气体喷洗单元，其设置于浸泡槽或喷洗处理槽至少其一的上方，对基板移出槽体时进行气体喷洗。

根据本发明之一实施例，喷洗处理槽设置有多个该单片式喷洗单元，控制单元依据多个该单片式喷洗单元的喷洗处理时间排程间隔时间。

根据本发明之一实施例，基板的浸泡处理时间大于喷洗处理时间，控制单元依据浸泡处理时间及喷洗处理时间排程间隔时间。

根据本发明之一实施例，每一该些基板的浸泡处理时间由控制单元分别控制，控制单元依据每一该些基板的浸泡处理时间及喷洗处理时间排程间隔时间。

承上所述，依据本发明的基板湿式处理装置，其包括一浸泡槽、一喷洗处理槽、一输送载具以及一控制单元。浸泡槽包括一多片式容置部，而喷洗处理槽邻设于浸泡槽。控制单元控制多个基板的湿式处理，并藉由输送载具分别控制每一片基板于多片式容置部的浸泡处理时序。其中，多个基板置于多片式容置部，同一工艺条件的每片基板分别经过相同的浸泡处理时间后，再依序移至喷洗处理槽。由于每片基板的浸泡处理时间相同，故可避免因浸泡时间不同而造成清洗程度的差异，进而可提高良率。

又，置放第一基板及第二基板于浸泡槽的间隔时间大于等于喷洗处理时间，可确保排序较前的第一基板喷洗完成后，排序较后的第二基板始浸泡完成。因此，排序较后的第二基板可顺畅地移动至喷洗处理槽，不会受到排序较前的第一基板的阻碍。

又，本发明的基板湿式处理装置，控制单元可依据工艺需求，处理不同工艺条件的多个基板。不同工艺条件所需的浸泡处理时间有所不同，可藉由控制单元分别控制每一基板所需的特定的浸泡处理时间；及控制单元依据每一基板的浸泡处理时间及喷洗处理时间排程间隔时间。

附图说明

图1为本发明之一实施例的基板湿式处理装置的示意图。

图2为图1所示的浸泡槽、喷洗处理槽及清洗干燥单元的剖面示意图。

图3为图1所示的浸泡槽及喷洗处理槽的立体示意图。

图4为本发明之一实施例的基板湿式处理方法的流程示意图。

图5为图3所示的浸泡槽的作动示意图。

图6为本发明的另一实施例的浸泡槽的示意图。

图7为图3所示的浸泡槽的降流流场示意图。

图8为本发明的另一实施例的喷洗处理槽的示意图。

图9为本发明的另一实施例的喷洗处理槽及清洗干燥单元的示意图。

图10为本发明的又一实施例的喷洗处理槽及清洗干燥单元的示意图。

图11为本发明的另一实施例的基板湿式处理装置的示意图。

其中附图标记为：

基板湿式处理装置1、1d

浸泡槽10、10a、10d

多片式容置部11、11a、11d

单片式容置槽位111d

基板水平垂直转换单元12、12d

喷洗处理槽20、20a、20b、20c、20d

单片式喷洗单元21、21a、21b、21c、21d

喷洗槽211

流体喷头212

处理液收集单元22c

输送载具30

附加电路板31、31d

移动件32、32d

移动轨道33、33d

控制单元40

清洗干燥单元50、50b、50c

清洗液供应单元51、51b、51c

清洗液收集单元52c

气体喷洗单元60

处理承载架A

基板S

第一基板S1

第二基板S2

具体实施方式

为能让贵审查委员能更了解本发明的技术内容，特举较佳具体实施例说明如下。

图1为本发明之一实施例的基板湿式处理装置的示意图，图2为图1所示的浸泡槽、喷洗处理槽及清洗干燥单元的剖面示意图，图3为图1所示的浸泡槽及喷洗处理槽的立体示意图，请一并参考图1、图2及图3所示。本实施例的基板湿式处理装置1用于处理多个片基板S，针对多个片基板S分别进行浸泡、喷洗、清洗及干燥等程序，关于作动的部分系以第一基板S1及第二基板S2为例说明。本实施例的基板湿式处理装置1包括浸泡槽10、喷洗处理槽20、输送载具30、控制单元40以及清洗干燥单元50。其中，喷洗处理槽20邻设于浸泡槽10，输送载具30于浸泡槽10及喷洗处理槽20之间移动，藉此将每一基板S移送至浸泡槽10及喷洗处理槽20。

又，本实施例的控制单元40藉由控制输送载具30的作动，已将多个片基板S进行湿式处理，并分别控制每一基板S(第一基板S1、第二基板S2)于浸泡槽10的多片式容置部11的浸泡处理时序。又，控制单元40储存一基板湿式处理方法(程序)，如图4所示，图4为本发明的一实施例的基板湿式处理方法的流程示意图。控制单元40可控制输送载具30执行以下步骤：移送多个基板中的第一基板至浸泡槽的多片式容置部(步骤S10)；经过一间隔时间，移送多个基板中的第二基板至浸泡槽的多片式容置部(步骤S20)；第一基板经过一浸泡处理时间，自浸泡槽移送至喷洗处理槽的单片式喷洗单元进行喷洗处理(步骤S30)；经过一喷洗处理时间，自单片式喷洗单元移出第一基板(步骤S40)；以及第二基板经过该浸泡处理时间，自浸泡槽接续移送至喷洗处理槽的单片式喷洗单元进行喷洗处理(步骤S50)。以下搭配各步骤，进一步说明本实施例的基板湿式处理装置1的结构特征。

步骤S10：移送多个基板S中的第一基板S1至浸泡槽10的多片式容置部11。

本实施例的浸泡槽10内具有浸泡液，并包括一多片式容置部11，其可容置多个片基板S。其中，多片式容置部11可以为水平式或垂直式，较佳可以为垂直式，本实施例的多片式容置部11为一垂直多片式容置部。垂直式的设计除了可达到节省空间的效果，更使输送载具30可不受空间的限制，夹持并移送控制单元40所指定夹持的基板S。本实施例的输送载具30可移动地设置于浸泡槽10及喷洗处理槽20，且输送载具30垂直地承载基板S。详细而言，输送载具30包括附加电路板31、移动件32及移动轨道33。附加电路板31用以承接基板S，以使基板S进行升降而可置入浸泡槽10及喷洗处理槽20。移动轨道33设置于浸泡槽10及喷洗处理槽20的上方。移动件32设置于附加电路板31的二侧，且部分容置于移动轨道33，使移动件32可沿着移动轨道33移动，以带动附加电路板31将基板S移送指定位置。其中于各处理步骤皆为各别基板的单片式处理，因此可依靠单一的移动件32往返于浸泡槽10及喷洗处理槽20，夹持并移送控制单元40所指定夹持的基板S。在其他实施例中，依据工艺需求，亦可设置多个移动件32，本发明并不限制。

一般而言，藉由机械手臂等机构将基板S以水平的状态送入基板湿式处理装置1，故浸泡槽10前方仍具有可置放水平状态的基板S的空间及一基板水平垂直转换单元12。较佳的，本实施例的浸泡槽10具有基板水平垂直转换单元12，其接收水平状态的基板S后，再转换成垂直状态，并由输送载具30的附加电路板31所接收。请搭配图5所示，图5为图3所示的浸泡槽的作动示意图。移动件32带动附加电路板31及基板S移动至指定位置后，例如多片式容置部11中尚未置放基板S的位置，再将基板S(以第一基板S1为例)垂直地置于多片式容置部11，同时，控制单元40纪录其置放时间。

在其他实施例中，请参考图1所示，基板水平垂直转换单元12设置于喷洗处理槽20及清洗干燥单元50之间，将垂直状态的基板S，再转换成水平状态。

在其他实施例中，多片式容置部11a亦可以水平式，如图6所示，图6为本发明的另一实施例的浸泡槽的示意图。此实施例的浸泡槽10a具有水平式的多片式容置部11a，仅须搭配其他机构，使输送载具30可一次取出一片基板。又，水平式的设计可使基板S进入浸泡槽10a时可不用转换为垂直状态。

步骤S20：经过一间隔时间，移送多个基板S中的第二基板S2，并置于浸泡槽10的多片式容置部11。

换言之，输送载具30先移送第一基板S1至多片式容置部11进行浸泡程序(步骤S10)，经过一间隔时间后，再移送第二基板S2至多片式容置部11进行浸泡程序(步骤S20)，重复多次后，即可将多个片的基板S置放于多片式容置部11进行浸泡程序。需注意的是，每一片基板S(以第一基板S1及第二基板S2为例)皆独立进出浸泡槽10，且其置放时间的时间差即为前述的间隔时间。换言之，第一基板S1及第二基板S2的置放时间的差值为前述的间隔时间。因此，将第一基板S1及第二基板S2(多个片基板S)依序置于浸泡槽10后，可同时于浸泡槽10分别进行浸泡程序，不用等待第一基板S1浸泡完后再置放第二基板S2，藉此提高基板湿式处理装置1的使用效率。

较佳的，浸泡槽10更包括温度控制单元、流场控制单元、或震荡单元，其中，温度控制单元可将浸泡槽10内的浸泡液维持在一指定温度区间，而流场控制单元可控制浸泡液的流场，以均匀地泡软基板S上的光阻，例如可为降流流场，如图7的箭头符号所示，图7为图3所示的浸泡槽的降流流场示意图。具体而言，流场控制单元于垂直多片式容置部11形成降流流场以进一步处理基板S，如基板S有剥离物，可利用降流将剥离物往下带。又，震荡单元连接于多片式容置部11，以摇动置于多片式容置部11的第一基板S1及第二基板S2(多个片基板S)，进而加速移除基板S上的光阻或金属膜。

在其他实施例中，基板湿式处理装置1更可包括一浸泡前喷洗单元，其邻设于多片式容置部11。在步骤S10之前，控制单元40可先控制输送载具30移送第一基板S1(单一基板S)至浸泡前喷洗单元，进行浸泡前的喷洗处理后，再执行步骤S10，以将第一基板S1移送至多片式容置部11。接着，夹持第二基板S2并移送至浸泡前喷洗单元进行喷洗处理后，再执行步骤S20(将第二基板S2移送至多片式容置部11。

又，浸泡前喷洗单元可设置于浸泡槽10内，或邻设于浸泡槽10。以设置于浸泡槽10内为例，浸泡槽10可区分为二个空间，其一具有喷头以作为浸泡前喷洗单元，另一置放多片式容置部11，并可先对基板S进行喷洗处理后，接续移送至多片式容置部11并进行浸泡处理。

步骤S30：第一基板S1经过一浸泡处理时间，自浸泡槽10移送至喷洗处理槽20的单片式喷洗单元21进行喷洗处理。

换言之，第一基板S1置于浸泡槽10内，并经浸泡处理时间后取出。需说明的是，每一片基板S皆经一浸泡处理时间后，即自浸泡槽10取出。又，不同工艺所需的浸泡处理时间有所不同，亦可藉由控制单元40依据工艺排程适当的浸泡处理时间。

在本实施例中，由于多片式容置部11及为垂直式的设计，故输送载具30同样以垂直的方式取出基板S(第一基板S1)，相较于水平式的设计，可大幅降低基板S上的浸泡液的残留量。较佳的，基板湿式处理装置1更可具有一气体喷洗单元60(如图2所示)，并设置于浸泡槽10的上方，取出基板S(第一基板S1)时，可同时喷除基板S上的浸泡液，更进一步降低浸泡液的残留量。气体喷洗单元60设置于浸泡槽10的上方或浸泡槽10的槽壁上方，本发明并不限制。

喷洗处理槽20具有至少一单片式喷洗单元21，本实施例系以二个相邻设置的单片式喷洗单元21为例，故可依据需求使用不同的化学液进行喷洗处理，亦可为相同化学液的两单片式喷洗单元21，以增加处理基板S的数量。又，单片式喷洗单元21系针对单一基板S进行喷洗程序，以确保每一片基板S可在同样条件下被清洗。单片式喷洗单元21亦可以为水平式或垂直式，较佳可以为垂直式，而本实施例的单片式喷洗单元21为一垂直单片式喷洗单元，故可承接上一站的浸泡槽10的垂直状态，不用再转换基板S的状态。举例而言，第一基板S1浸泡完成后，输送载具30的移动件32带动附加电路板31至第一基板S1的位置，附加电路板31向下移动以承接垂直状态的第一基板S1。接着，附加电路板31向上移动至原位(移动件32的顶缘)，移动件32带动附加电路板31及第一基板S1移动至单片式喷洗单元21，并以同样的方式将第一基板S1垂直地置放于单片式喷洗单元21内。简言之，输送载具30垂直地承载基板S并移动至垂直多片式容置部11及垂直单片式喷洗单元21。

又，本实施例的单片式喷洗单元21包括一喷洗槽211及至少一流体喷头212，且流体喷头212设置于喷洗槽211的至少一侧壁，并藉由每一片基板S于喷洗槽211内垂直移动，流体喷头212喷洗每一片基板S。换言之，当第一基板S1(或其他基板S)垂直地移动至喷洗槽211内，位于侧壁的流体喷头212可直接喷洗第一基板S1。

在其他实施例中，单片式喷洗单元21a亦可以水平式，如图8所示，图8为本发明的另一实施例的喷洗处理槽的示意图。此实施例的喷洗处理槽20a具有水平式的单片式喷洗单元21a。

步骤S40：经过一喷洗处理时间，自单片式喷洗单元21移出第一基板S1。

第一基板S1于喷洗槽211内进行喷洗程序，并持续一喷洗处理时间后，移动件32移动至喷洗槽211后，附加电路板31向下移动并承接第一基板S1，接着向上移动，以移出第一基板S1。较佳的，流体喷头212可设置于侧壁的上方，当第一基板S1于单片式喷洗单元21内垂直向上移动时，流体喷头212更可由第一基板S1上至下喷除剥离物(例如光阻及金属膜)。同时，已喷洗过的基板S部位向上移动，进而达到避免回沾及刮伤的效果。

较佳的，除了浸泡槽10的上方以外，基板湿式处理装置1更可具有另一气体喷洗单元60，其设置于喷洗处理槽20的上方，或喷洗处理槽20的槽壁上方。于取出第一基板S1的同时喷除基板S上的化学液，更进一步降低化学液的残留量。接着，输送载具30将第一基板S1移至下一程序，本实施例系移动至清洗干燥单元50。又，控制单元40可依据多个单片式喷洗单元21的喷洗处理时间以排程间隔时间，或依据浸泡处理时间及喷洗处理时间排程间隔时间。例如使(置放第一基板S1及第二基板S2的)间隔时间大于等于喷洗处理时间，以确保前面的基板S(如第一基板S1)可实时的喷洗完成，不会阻碍后续基板S(如第二基板S2)移动至喷洗处理槽20的时序。较佳的，间隔时间大于喷洗处理时间，但若输送载具30具有多个附加电路板31及移动件32时或具有多个单片式喷洗单元21并行处理，则间隔时间可小于等于喷洗处理时间，本发明并不限制。

步骤S50：第二基板S2经过该浸泡处理时间，自浸泡槽10接续移送至喷洗处理槽20的单片式喷洗单元21进行喷洗处理。

首先，第一基板S1与第二基板S2的浸泡处理时间皆相同。又，由于置放第一基板S1及第二基板S2于浸泡槽10的间隔时间大于等于喷洗处理时间，故当第二基板S2浸泡完成时，第一基板S1亦已喷洗完成而移至下一程序(清洗干燥单元50)。因此，输送载具30可直接自浸泡槽10夹持第二基板S2，并移送至单片式喷洗单元21，而不会有任何阻碍。

另外，浸泡处理时间大于喷洗时间，系为使第一基板S1及第二基板S2上的光阻及金属膜可有效脱落的设计。第二基板S2喷洗完成后，亦藉由输送载具30移至下一程序的清洗干燥单元50。

清洗干燥单元50邻设于单片式喷洗单元21，而清洗干燥单元50为单片式的清洗旋转平台，并具有清洗液供应单元51，每次可针对一片基板S(例如第一基板S1或第二基板S2)施予清洗液后，再以旋转的方式使基板S干燥。清洗液可以为去离子水，藉此清洗基板S上所残留的化学液。较佳的，清洗干燥单元50更可包括一挥发性溶液供应单元，以对基板S施予一挥发性溶液，例如异丙醇。当基板S为具表面结构的晶圆时，施予去离子水后，更进一步藉由挥发性溶液供应单元喷撒少许的异丙醇，以有效地去除残留在基板S上的水分。

又，清洗干燥单元50可为水平或垂直式，本实施例系以独立设置的水平式清洗干燥单元50为例。图9为本发明的另一实施例的喷洗处理槽及清洗干燥单元的示意图，请参考图9所示。清洗干燥单元50b亦可为垂直式，并亦可设置于喷洗处理槽20b，亦即，清洗干燥单元50b与单片式喷洗单元21可以为设置于同一槽体(喷洗处理槽20b)的不同处理单元，例如图9所示的左侧为喷洗处理液的单片式喷洗单元21b、右侧为喷洗清洗液的清洗液供应单元51b。图10为本发明的又一实施例的喷洗处理槽及清洗干燥单元的示意图，请参考图10所示。单片式喷洗单元21c与清洗干燥单元50c皆为水平式，设置于同一槽体(喷洗处理槽20c)，并可使用同一喷头于不同时程喷洗处理液、或清洗液，或是使用不同喷头，以分别喷洗处理液、清洗液。而本实施例的喷洗处理槽20c内设置有处理液收集单元22c、及清洗液收集单元52c的二个不同的单元，已分别接收处理液、清洗液。

图11为本发明的另一实施例的基板湿式处理装置的示意图，请参考图11所示。在本实施例中，垂直多片式容置部11d包括多个单片式容置槽位111d，且单片式容置槽位111d及垂直单片式喷洗单元21d具有处理承载架A。输送载具30d同样包括附加电路板31d、移动件32d及移动轨道33d，而移动轨道33d设置于基板湿式处理装置1d的侧壁。输送载具30d的附加电路板31d承载基板S至处理承载架A，由处理承载架A承载基板S升降置入单片式容置槽位111d之一、或置入垂直单片式喷洗单元21d。其中可依靠单一的移动件32d往返于浸泡槽10d及喷洗处理槽20d，夹持并移送控制单元40所指定夹持的基板S。

在其他实施例中，依据工艺需求，亦可设置多个移动件32d，本发明并不限制。

综上所述，依据本发明的基板湿式处理装置，其包括一浸泡槽、一喷洗处理槽、一输送载具以及一控制单元。浸泡槽包括一多片式容置部，而喷洗处理槽邻设于浸泡槽。控制单元控制多个基板的湿式处理，并藉由输送载具分别控制每一基板于多片式容置部的浸泡处理时序。其中，多个基板置于多片式容置部，同一工艺条件的每片基板分别经过相同的浸泡处理时间后，再依序移至喷洗处理槽。由于每片基板的浸泡处理时间相同，故可避免因浸泡时间不同而造成清洗程度的差异，进而可提高良率。

又，置放第一基板及第二基板于浸泡槽的间隔时间大于等于喷洗处理时间，可确保排序较前的第一基板喷洗完成后，排序较后的第二基板始浸泡完成。因此，排序较后的第二基板可顺畅地移动至喷洗处理槽，不会受到排序较前的第一基板的阻碍。

又，本发明的基板湿式处理装置，控制单元可依据工艺需求，处理不同工艺条件的多个基板。不同工艺条件所需的浸泡处理时间有所不同，可藉由控制单元分别控制每一基板所需的特定的浸泡处理时间；及控制单元依据每一基板的浸泡处理时间及喷洗处理时间排程间隔时间。

本发明无论就目的、手段及功效，均显示其迥异于现有技术之特征。惟应注意的是，上述诸多实施例系为了便于说明而举例，本发明所主张的保护范围自应以权利要求所述为准，而非仅限于上述实施例。

Claims (20)

1.一种基板湿式处理装置，其特征在于，包括：

一控制单元，控制多个基板的湿式处理；

一浸泡槽，包括一多片式容置部，其中该控制单元分别控制每一该些基板于该多片式容置部的浸泡处理时序；

一喷洗处理槽，邻设于该浸泡槽，并具有至少一单片式喷洗单元；以及

一输送载具，于该浸泡槽及该喷洗处理槽之间移送每一该些基板；

其中该控制单元，控制该输送载具移送该些基板中之一第一基板至该浸泡槽的该多片式容置部，经过一间隔时间，移送该些基板中的一第二基板置于该浸泡槽的该多片式容置部，该第一基板经过一浸泡处理时间，自该浸泡槽移送至该喷洗处理槽的该单片式喷洗单元进行喷洗处理，

经过一喷洗处理时间，自该单片式喷洗单元移出该第一基板，及该第二基板经过该浸泡处理时间，自该浸泡槽接续移送至该喷洗处理槽的该单片式喷洗单元进行喷洗处理，其中该控制单元依据该喷洗处理时间排程该间隔时间。

2.如权利要求1所述的基板湿式处理装置，其特征在于，更包括：

一清洗干燥单元，邻设于该单片式喷洗单元，其中该输送载具自该单片式喷洗单元移送每一该些基板至该清洗干燥单元。

3.如权利要求2所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该清洗干燥单元设置于该喷洗处理槽内，对每一该些基板先进行喷洗处理及接续进行清洗干燥。

4.如权利要求2所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该清洗干燥单元包括一清洗液供应单元及一挥发性溶液供应单元，该清洗干燥单元对每一该些基板施予一清洗液及一挥发性溶液。

5.如权利要求2所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该多片式容置部为一水平多片式容置部。

6.如权利要求2所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该多片式容置部为一垂直多片式容置部。

7.如权利要求6所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该单片式喷洗单元为一垂直单片式喷洗单元。

8.如权利要求7所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该单片式喷洗单元包括一喷洗槽及至少一流体喷头，该流体喷头设置于该喷洗槽的至少一侧壁，并藉由每一该些基板于该喷洗槽内垂直移动，该流体喷头喷洗每一该些基板。

9.如权利要求8所述的基板湿式处理装置，其特征在于，每一该些基板于该喷洗槽内垂直向上移动时，该流体喷头喷洗每一该些基板。

10.如权利要求9所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该浸泡槽包括一流场控制单元，于该垂直多片式容置部以一降流流场处理该些基板。

11.如权利要求7所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该输送载具垂直地承载每一该些基板并移动至该垂直多片式容置部及该垂直单片式喷洗单元。

12.如权利要求11所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该输送载具更包括一移动轨道，设置于该浸泡槽及该喷洗处理槽的上方。

13.如权利要求12所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该垂直多片式容置部包括多个单片式容置槽位，该些单片式容置槽位及该垂直单片式喷洗单元各包括一处理承载架，该输送载具承载每一该些基板至该处理承载架，由该处理承载架承载每一该些基板升降置入该些单片式容置槽位之一或该垂直单片式喷洗单元。

14.如权利要求12所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该输送载具包括一附加电路板，该输送载具移动该附加电路板并由该附加电路板承载每一该些基板升降，以置入该浸泡槽或该喷洗处理槽。

15.如权利要求1所述的基板湿式处理装置，其特征在于，更包括：

一浸泡前喷洗单元，邻设于该多片式容置部，该控制单元先控制该输送载具移送每一该些基板至该浸泡前喷洗单元进行喷洗后，再移送至该多片式容置部。

16.如权利要求15所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该浸泡前喷洗单元设置于该浸泡槽内，对每一该些基板先进行喷洗处理及接续移送至该多片式容置部进行浸泡处理。

17.如权利要求1所述的基板湿式处理装置，其特征在于，更包括：

一气体喷洗单元，设置于该浸泡槽或该喷洗处理槽至少其一的上方，对每一该些基板移出槽体时进行气体喷洗。

18.如权利要求1所述的基板湿式处理装置，其特征在于，该喷洗处理槽设置有多个该单片式喷洗单元，该控制单元依据多个该单片式喷洗单元的该喷洗处理时间排程该间隔时间。

19.如权利要求1所述的基板湿式处理装置，其特征在于，每一该些基板的该浸泡处理时间大于该喷洗处理时间，该控制单元依据该浸泡处理时间及该喷洗处理时间排程该间隔时间。

20.如权利要求1所述的基板湿式处理装置，其特征在于，每一该些基板的该浸泡处理时间由该控制单元分别控制，该控制单元依据每一该些基板的该浸泡处理时间及该喷洗处理时间排程该间隔时间。