CN108054162A - 一种mim电容制造工艺 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 58
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 3
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 claims 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 14
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/60—Capacitors
- H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
- H10D1/692—Electrodes
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Abstract
本发明公开了一种MIM电容制造工艺，包括以下步骤：S1：得到第一金属连接层；S2：通过PECVD，在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层；S3：在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti，作为上层金属电板；S4：利用NM光罩在第二M1图形上制作NM图形；S5：对上层金属电板进行蚀刻；S6：蚀刻后利用NMP溶液进行湿法去胶；S7：利用NV2光罩在第一M1图形上光刻出氮化硅图形，并利用干法刻蚀对第一M1图形上的氮化硅介电层开孔；S8：采用旋涂方式制作聚合物层；S9：利用PV光罩制作PV图形，并制作聚合物层开孔；S10：得到第二金属连接层。本发明避免电容击穿电压及可靠度下降。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种MIM电容制造工艺。
背景技术
MIM电容是作为器件中被动组件除电感电阻外的一部份。其中MIM电容需靠两个金属电板及中间一层介电层形成主结构，另外两层金属板有部份也作金属连接层，层间需有一道低介电系数的聚合物层(POLYIMIDE) 降低高频下的层间电容。
现有技术在制作MIM电容时，包括以下步骤：下层电板的制作、氮化硅介电层沉积、介电层的开孔、制作聚合物层、聚合物层的开孔、上层电板的制作。然而现有技术在对厚度薄的电容介电层(氮化硅)表面作上层电极时，在对聚合物(POLYIMIDE)开孔的步骤中，刻蚀到介电层表面时容易造成击穿电压及可靠度下降。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种MIM电容制造工艺。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种MIM电容制造工艺，包括以下步骤：
S1：利用金属M1光罩在下层金属电板上光刻出两个M1图形，金属蒸镀后采取liftoff反转方式，得到第一金属连接层；
S2：通过PECVD，在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层；
S3：在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti，作为上层金属电板；
S4：利用NM光罩在第二M1图形上制作NM图形，其中NM为金属或金属化合物；
S5：利用湿法或者干法对上层金属电板进行蚀刻；
S6：蚀刻后利用NMP溶液进行湿法去胶；
S7：利用NV2光罩在第一M1图形上光刻出氮化硅图形，并利用干法刻蚀对第一M1图形上的氮化硅介电层开孔；
S8：采用旋涂方式制作聚合物层；
S9：利用PV光罩制作PV图形，并通过干法刻蚀制作聚合物层开孔；
S10：利用金属M2光罩光刻出M2图形，金属蒸镀后采取liftoff反转方式，得到第二金属连接层。
进一步地，所述的下层金属电板的材料为Au，所述的第二金属连接层的材料为Au。
进一步地，步骤S9中对聚合物层进行开孔时，开孔的面积小于上层金属电板的面积。
进一步地，所述的步骤S4在利用NM光罩进行制作时，光刻胶为负胶或者正胶。
进一步地，在步骤S5中，当上层金属电板的材料为Ti时，采用稀释氢氟酸或用氯气进行湿法蚀刻；当上层金属电板的材料为TiN或者TaN时，采用氯气进行干法蚀刻。
本发明的有益效果是：本发明在电容介电层(氮化硅)开孔前在电容介电层(氮化硅)表面上制作新的上层金属电板，新的上层金属电板（Ti或TiN或TaN及其与Au的组合）在聚合物层开孔时挡住了原本直接刻蚀电容介电层(氮化硅)表面的伤害，避免电容击穿电压及可靠度下降；同时取代了聚合物层开孔后所作的上层金属电板，原先的上层电板成了新上层电板的金属连接层，新的MIM电容制造流程工艺方法用以改善电容击穿电压及可靠度均匀性，保证产品良率稳定可靠。
附图说明
图1为本发明方法流程图；
图2为步骤S1结果示意图；
图3为步骤S2结果示意图；
图4为步骤S3结果示意图；
图5为步骤S4结果示意图；
图6为步骤S5结果示意图；
图7为步骤S7结果示意图；
图8为步骤S8结果示意图；
图9为步骤S9结果示意图；
图10为步骤S10结果示意图；
图中，1-下层金属电板，2-第一M1图形，3-第二M1图形，4-氮化硅介电层，5-上层金属电板，6-NM光罩，7-NV2光罩，8-聚合物层，9-PV光罩，10-第二金属连接层。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案：
如图1所示，一种MIM电容制造工艺，包括以下步骤：
S1：如图2所示，利用金属M1光罩在下层金属电板1上光刻出两个M1图形（第一M1图形2和第二M1图形3），金属蒸镀后采取liftoff反转方式，得到第一金属连接层；具体地，在本实施例中，所述的下层金属电板1的材料为Au；
S2：如图3所示，通过PECVD，在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层4；
S3：如图4所示，在氮化硅介电层4上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti，作为上层金属电板5；光刻胶为负胶或者正胶；
S4：如图5所示，利用NM光罩6在第二M1图形3上制作NM图形，其中NM为金属或金属化合物，优选为金属氮化物；
S5：如图6所示，利用湿法或者干法对上层金属电板5进行蚀刻；其中，当上层金属电板5的材料为Ti时，采用稀释氢氟酸或用氯气进行湿法蚀刻；当上层金属电板5的材料为TiN或者TaN时，采用氯气进行干法蚀刻；
S6：蚀刻后利用NMP溶液进行湿法去胶；
S7：如图7所示，利用NV2光罩7在第一M1图形2上光刻出氮化硅图形，并利用干法刻蚀对第一M1图形2上的氮化硅介电层4开孔；
S8：如图8所示，采用旋涂方式制作聚合物层8；
S9：如图9所示，利用PV光罩9（polyimide via）制作PV图形，并通过干法刻蚀制作聚合物层8开孔，其中开孔的面积小于上层金属电板5的面积；
S10：如图10所示，利用金属M2光罩光刻出M2图形，金属蒸镀后采取liftoff反转方式，得到第二金属连接层10；其中，在本实施例中，所述的第二金属连接层10的材料为Au。
本发明是通过实施例来描述的，但并不对本发明构成限制，参照本发明的描述，所公开的实施例的其他变化，如对于本领域的专业人士是容易想到的，这样的变化应该属于本发明权利要求限定的范围之内。
Claims (5)
1.一种MIM电容制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：
S1：利用金属M1光罩在下层金属电板上光刻出两个M1图形，金属蒸镀后采取liftoff反转方式，得到第一金属连接层；
S2：通过PECVD，在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层；
S3：在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti，作为上层金属电板；
S4：利用NM光罩在第二M1图形上制作NM图形，其中NM为金属或金属化合物；
S5：利用湿法或者干法对上层金属电板进行蚀刻；
S6：蚀刻后利用NMP溶液进行湿法去胶；
S7：利用NV2光罩在第一M1图形上光刻出氮化硅图形，并利用干法刻蚀对第一M1图形上的氮化硅介电层开孔；
S8：采用旋涂方式制作聚合物层；
S9：利用PV光罩制作PV图形，并通过干法刻蚀制作聚合物层开孔；
S10：利用金属M2光罩光刻出M2图形，金属蒸镀后采取liftoff反转方式，得到第二金属连接层。
2.根据权利要求1所述的一种MIM电容制造工艺，其特征在于：所述的下层金属电板的材料为Au，所述的第二金属连接层的材料为Au。
3.根据权利要求1所述的一种MIM电容制造工艺，其特征在于：步骤S9中对聚合物层进行开孔时，开孔的面积小于上层金属电板的面积。
4.根据权利要求1所述的一种MIM电容制造工艺，其特征在于：所述的步骤S4在利用NM光罩进行制作时，光刻胶为负胶或者正胶。
5.根据权利要求1所述的一种MIM电容制造工艺，其特征在于：在步骤S5中，当上层金属电板的材料为Ti时，采用稀释氢氟酸或用氯气进行湿法蚀刻；当上层金属电板的材料为TiN或者TaN时，采用氯气进行干法蚀刻。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711450476.5A CN108054162A (zh) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 一种mim电容制造工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711450476.5A CN108054162A (zh) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 一种mim电容制造工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108054162A true CN108054162A (zh) | 2018-05-18 |
Family
ID=62127893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711450476.5A Pending CN108054162A (zh) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 一种mim电容制造工艺 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN108054162A (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN113832441A (zh) * | 2021-09-26 | 2021-12-24 | 北京市春立正达医疗器械股份有限公司 | 一种多层复合膜及其制备方法 |
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