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CN107567655A - 用于从衬底堆分离衬底的方法和装置 - Google Patents

用于从衬底堆分离衬底的方法和装置 Download PDF

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CN107567655A
CN107567655A CN201580072353.5A CN201580072353A CN107567655A CN 107567655 A CN107567655 A CN 107567655A CN 201580072353 A CN201580072353 A CN 201580072353A CN 107567655 A CN107567655 A CN 107567655A
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radiation
adhesive
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connecting layer
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J.布格拉夫
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EV Group E Thallner GmbH
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Abstract

本发明涉及一种用于从衬底堆（1，2）分离载体衬底（3）的方法，所述衬底堆（1，2）由所述载体衬底（3）和产品衬底（5）、以及连接所述载体衬底（3）和所述产品衬底（5）的连接层（4，4'）构成，其中所述连接层（4，4'）：a）具有用于连接所述载体衬底（3）和所述产品衬底（5）的粘合强度，而且b）通过电磁辐射的至少主要地指向所述连接层（4，4'）的射线（8，8'）来至少部分地降低所述粘合强度。此外，本发明还涉及一种对应的装置。

Description

用于从衬底堆分离衬底的方法和装置
技术领域
本发明涉及一种按照权利要求1的方法和一种按照权利要求9的装置。
背景技术
工业使用所谓的临时键合方法，以便临时将两个衬底、尤其是两个晶圆彼此连接。在大多数情况下，这两个衬底之一是载体衬底。第二衬底是产品衬底。在产品衬底上制造功能单元（诸如微芯片、MEM、LED等等）。非常常见地，产品衬底必须在另一工艺步骤中予以回薄（rueckgeduennt）。回薄工艺被理解为如下过程，在所述过程中，借助不同工艺技术、尤其是机械抛光明显地减小衬底的厚度、即减小到大约50μm。在通常情况下通过载体衬底来进行稳定。
在工业中存在用于临时固定两个衬底的不同的方法。最重要的方法之一是所谓的ZoneBOND®方法，所述ZoneBOND®方法例如记载在出版文献WO2009094558A2中。在ZoneBOND®方法中，载体衬底利用特定的处理来制备，使得仅仅载体衬底的外边缘能够产生与被涂覆的粘合剂的粘附强度，而在载体衬底的中心与粘合剂之间的粘附性明显小得多，尤其是小得能够被忽略。这样，可能的是在载体衬底上整面地涂覆可固化的粘合剂层，不过所述粘合剂层仅仅沿着外围连接到载体衬底上。相对应地，产品衬底的分离是简单的。ZoneBOND®载体的特点在于低粘附性的中央区和高粘附性的边缘区。低粘附性的中央区大多通过载体衬底的中央涂层来实现。然后，粘合剂整面地被涂覆到载体上并且在外围具有比在中央相对应的更高的粘附特性。
最常用的用于溶解ZoneBOND®载体的外围的方法是使用化学物质。为了能够将这样的化学池用于分离（去键合），限于使用粘合剂，所述粘合剂被溶解在化学物质中或者至少降低其粘合力。化学溶解过程相对应地是缓慢的，因为粘合剂必须首先被分离并且然后被运出。此外，粘合剂的继续分离污染了分离池，这导致了分离过程的虽然缓慢、但是持续的延迟。该问题例如通过溶剂的连续的流入和流出来解决，但是这导致溶剂的消耗提高。
发明内容
本发明的任务是，改进这种类型的用于分离第一衬底的装置和方法，使得能够实现经济并且快速的分离。同时，应当将使用范围扩展到各式各样的粘合剂类型和衬底材料。
该任务利用专利权利要求1和9的特征来解决。本发明的有利的改进方案在从属权利要求中予以说明。由至少两个在说明书、权利要求书和/或附图中所说明的特征构成的全部组合也落入到本发明的保护范围内。在值域的情况下，处在所提及的界限之内的值也应当作为界限值公开，并且能以任意的组合来要求保护。
本发明的基本思想是，通过电磁辐射的至少主要指向连接层的射线而至少部分地降低连接层（随后尤其是被称为粘合剂）相对于产品衬底和/或相对于载体衬底的粘合强度或甚至将粘合剂完全除去、尤其是升华。在此，一个根据本发明的重要方面尤其是在于，将射线聚焦到粘合剂层本身上，使得邻接该粘合剂层的衬底尽可能不通过射线被加热或者至少不直接通过射线被加热。这样的加热会在具有相对应地良好的热传导性的衬底的情况下导致热量在全部衬底内扩散。按照本发明的实施方式因而尤其是通过聚焦与现有技术区分开。在现有技术中，这样的射线主要通过衬底侧、因而通过衬底、尤其是载体衬底聚焦到粘合剂层上，由此发生对衬底的强烈的加热。
粘合强度相对于产品衬底和载体衬底可以是不同的，其中在分离时在通常情况下较低的粘合强度对于所要施加的分离力来说是重要的。存在最大粘合强度的位置也是重要的。这样，按照本发明的一个有利的实施方式规定：在衬底堆的周向边缘区域上的粘合强度大于在中央、尤其是关于较小的面积的粘合强度。在半导体工业中，常见的是：利用为使两个表面彼此分开所需的能量来说明在所述两个表面之间的强度。所述能量关于单位面积并且以J/m2为单位来说明。此外，该强度也可以被理解为粘合剂的粘合强度，利用所述粘合强度使两个衬底的表面集合在一起。根据按照本发明的应用，该粘合强度尤其是小于2.5J/m2，优选地小于2.0J/m2，还更优选地小于1.5J/m2，最优选地小于1.0J/m2，完全最优选地小于0.1J/m2。在完全除去粘合剂的情况下，粘附强度/粘合强度尤其是降低到0J/m2，因为在这两个衬底表面之间不再存在粘合中介。在此，出发点是：所述衬底表面不基于其粘附性而直接彼此连接。对于ZoneBONDTM衬底堆适用针对边缘区的上面提到的粘合强度值。
按照本发明的另一、特别独立的方面规定：有针对性地分离在两个衬底之间的多层系统的特定地选择的层，尤其是通过至少主要地、优选地仅仅指向所选择的层的射线来分离。衬底堆尤其是可以通过分离层（英文：release-layer）的多层系统和粘合层来集合在一起。通过使电磁射线聚焦到两个层之一上，实现所述两个衬底彼此间的特别高效的分离。
本发明尤其是描述了用于使两个衬底、尤其是曾借助ZoneBOND®技术彼此临时键合的两个衬底去键合的方法和装置。按照本发明的思想优选地在于，使用光学元件、尤其是聚焦单元来使电磁辐射、尤其是激光射线（还更优选地是UV激光射线）指向两个衬底之间的界面、尤其是集中到两个衬底之间的界面上。
在一个十分特别的按照本发明的实施方式中，激光可以被液体引导（flüssigkeitsgeleitet）。为此，将液体引导到在衬底堆之间的所要除去的层上并且将激光耦合输入到所述液体中。激光引起粘合剂的快速并且高效的溶解。所述液体可以促进粘合剂的溶解，但是也、尤其是主要负责将所溶解的粘合剂运出。液体的压力尤其是大于1bar，还更优选地大于1.1bar，最优选地大于1.2bar，完全最优选地大于1.4bar。所述液体尤其是：
●水、尤其是蒸馏水
●溶剂，尤其是
○PGMEA、均三甲苯、 异丙醇和/或 柠檬苦素。
所述液体优选地具有某种特性，使得其对于耦合输入的光的所使用的波长至少部分地、优选地主要是透明的。此外，液体射线优选地被引导为使得不发生气泡形成，在所述气泡形成处可能会形成对于按照本发明的实施方式不利的折射。
按照本发明的实施方式也可以被应用到如下系统，在所述系统中，重叠地或者也并排地涂覆不同的材料、尤其是粘合剂、尤其是具有不同的化学和/或物理特性的粘合剂。
在第一种情况下，存在由多种材料、尤其是粘合剂构成的层系统。在特定的按照本发明的实施方式中，粘合剂也可以通过不一定拥有粘附特性的其它材料（诸如分离材料（英文: release-materials））来代替。
在第二种情况下，涉及如下系统，在所述系统中，在外围涂覆第一粘合剂，而在中心有第二材料、尤其是另一粘合剂。这样的实施方式在出版文献US 7910454 B2中被公开。也可设想的是，涂覆多种、在其化学和/或物理特性方面不同的粘合剂，所述粘合剂以变得越来越小的环的形式被涂覆在载体和/或衬底上。接着，该中心由最后的材料、尤其是粘合剂来填满。
按照本发明的意义上的衬底尤其可以是半导体衬底。产品衬底优选地具有功能构件，尤其是芯片。按照本发明的方法尤其适合于载体衬底和/或产品衬底，所述载体衬底和/或产品衬底的材料对于特定的、为连接层的分离所需的波长的电磁辐射来说是不透明的。
尤其是借助透镜来实现聚焦。在此，按照本发明，只有界面、尤其是至少主要地、优选地实际上仅仅处于在两个衬底之间的界面中的连接层、尤其是粘合剂、尤其是键合胶粘剂受到电磁辐射的辐射功率影响。通过被施加到连接层中的辐射量，降低了、尤其是局部地降低了粘合强度。
在一个十分特别优选的按照本发明的实施方式中，电磁辐射、尤其是高能激光借助光导体尽可能近地被移近界面。光导体可以在其朝向界面的端部上拥有光学装置，所述光学装置允许对电磁辐射的附加的聚焦或者操纵。换句话说，本发明的核心尤其是在于电磁辐射、尤其是UV光（还更优选地UF激光）朝连接层的、尤其是临时键合粘合剂的外部区域的目标方向、尤其是聚焦。这优选地在不通过电磁辐射来加热衬底的情况下实现。
优选地，可以完全省去溶剂的使用。因此，代替湿化学工艺，优选地应用干物理和/或干化学工艺。
公开了将不同的电磁源用于产生电磁辐射的射线，所述电磁源可以被用于按照本发明的分离：
- 微波源
- 红外源
- 可见光发射源
- UV源
- X射线源。
尤其是可设想如下每个源，所述每个源都适合于通过电磁波尤其是通过溶解、最优选地通过升华来引起载体衬底、连接层与产品衬底的按照本发明的分开。这种源的电磁辐射可以是非相干的或者是相干的。发射相干的电磁辐射（激光）的所有源都是优选的。发射相干的微波射线的微波源被称为微波激射器。在该专利文献的进一步的走向中，相干性描述了空间上的和/或时间上的相干性。
所使用的电磁辐射的一个重要的物理参数是强度。强度以瓦特为单位来说明。电磁辐射的强度尤其是大于0.1瓦特、优选地大于1瓦特，还更优选地大于100瓦特，最优选地大于1000瓦特，完全最优选地大于10千瓦。
按照本发明的一个改进方案，设置所使用源的脉冲运行用于电磁辐射。由于相对高的强度和功率密度，可发生从粘合剂到衬底的热传递。为了尽可能阻止这样的热传递，优选地使用脉冲化的电磁射线。脉冲持续时间尤其是小于10秒、优选地小于1秒、还更优选地小于1微秒、最优选地小于1纳秒，完全最优选地小于1皮秒。
在另一按照本发明的实施方式中，根据相应的所使用的、待溶解的材料（尤其是粘合剂）来选出所使用的波长。所述波长优选地被选择为使得粘合剂的吸收能力最大。由此，防止了电磁辐射侵入到连接层的大的深度，并且防止了对衬底的随之而来的、不必要的并且不希望的加热。所述波长尤其是被选择为使得在存在材料/粘合剂的情况下，95%的辐射功率在小于10mm、优选地小于5mm、还更优选地小于3mm、最优选地小于2mm、完全最优选地小于1mm处被吸收。本领域技术人员根据朗伯比尔（Lambert-Beer）定律计算相对应的与波长相关的吸收系数ε：
或
。
连接层的可选的制备
连接层可以通过添加剂来制备，以便特别敏感地对一定类型的电磁辐射做出反应。在一个特别的按照本发明的实施方式中，添加剂不是从开始就处在连接层中，而是在其在衬底上沉积期间和/或在衬底上沉积之后才添上。尤其是，这种添加剂的混合限于连接层的外边缘（周向边缘区域）。所述周向边缘区域尤其是被限定为具有宽度B的圆环。该宽度B尤其是等于衬底的半径R，B优选地小于R的95%，还更优选地小于R的50%，还更优选地小于R的10%，最优选地小于R的1%，完全最优选地小于R的0.1%。
为了确定添加剂的优选的量，使用摩尔分数（Molenbruch）。摩尔分数说明了在添加剂的量（以摩尔为单位）和添加剂的量与连接层的其它组成部分（尤其是粘合剂）的量之和（以摩尔为单位）之间的比例。借此，摩尔分数是无量纲的。如果使用无添加剂的粘合剂，则添加剂的摩尔分数是零。如果粘合剂与添加剂之间的摩尔比是0.5，则具有为1:1的摩尔混合比。添加剂的摩尔分数尤其是小于0.5，优选地小于0.25，还更优选地小于0.1，最优选地小于0.01，完全最优选地小于0.001。摩尔分数越小，处在粘合剂中的添加剂越少，而且添加剂对粘合剂的真正的功能特性的影响就越小。添加剂的较少的量在通常情况下导致对电磁辐射的相对应地小的敏感性。
添加剂尤其是：
●分子化合物，尤其是
○水
●聚合物
○波长敏感的聚合物
○热敏感的聚合物
●金属，尤其是
○金属颗粒，尤其是
■纳米颗粒，尤其是由如下项构成：
●Cu、Ag、Au、Pt、Al、W、Co、Ni、Ta、Nb、Fe
●由Cu、Ag、Au、Pt、Al、W、Co、Ni、Ta、Nb、Fe构成的合金
●氧化物。
电磁辐射
电磁辐射的传播方向被称为光子的飞行方向。对于其电磁射线主要应在麦克斯韦理论的意义上来解释的那些源来说，应当将传播方向理解为坡印廷矢量（Poynting-Vektor）的方向。这尤其是适于继续在下面提到的微波。
在按照本发明的第一实施方式中，将源定位为使得所发射的电磁辐射的辐射密度的最大值碰到连接层。在此，尤其是省去了将光学元件用于使电磁辐射聚焦。尤其是当所使用的电磁辐射的波长大于连接层的厚度d时，所述按照本发明的实施方式是优选的。所使用的电磁辐射在这种情况下处在较大的波长并且因此较小的频率的范围内。这样产生的电磁射线优选地借助电动力学的波形图和麦克斯韦方程来考虑。在一个优选的按照本发明的实施方式中，使用微波。微波优选地通过下列微波管来产生：
渡越时间管，尤其是
○交叉场管，尤其是增幅管、磁控管或者稳辐管或者
○线性射线管，尤其是速调管。
所产生的微波优选地以小于10°、优选地小于5°、还更优选地小于1°、完全最优选地小于0.1°的发散角β射到连接层上。
为了应用所述按照本发明的实施方式，连接层的材料（在有或者没有添加剂的情况下）对于利用微波的照射来说是敏感的。
在本发明的改进方案中，连接层的材料（尤其是粘合剂）具有功能团，所述功能团对微波射线做出反应，使得由于强烈的电磁变换负荷而导致聚合链的断裂。
按照一种可替选的改进方案，连接层被添加/添加有添加剂，所述添加剂敏感地对微波辐射做出反应，尤其是导致强烈地加热。所述添加剂尤其是水。起作用的微波辐射主要引起粘合剂或添加剂的分子或侧链（尤其是功能单元）的振荡状态的改变。与此相应地，一个按照本发明独立的方面在于通过电容性加热来提高温度。
在另一按照本发明的实施方式中，使用红外光来在边缘区加载连接层。尤其是，使用光学元件来使电磁辐射聚焦。优选地，连接层的厚度d在红外辐射的波长的尺寸范围内来调节。远红外光具有大约1000μm至大约50μm的波长范围，中间红外光处在大约50μm至大约3μm的波长范围内，而近红外光具有相对应地较小的直至大约0.78μm的波长。连接层的厚度d在这种情况下尤其是在1μm与30μm之间被调节，其中可以考虑待键合的产品晶圆的可能的、待嵌入到连接层的拓扑结构的尺寸。
借此，可以通过选择红外源来选择红外波长，所述红外波长可以借助光学元件被聚焦到连接层的材料上，而不损害衬底。所述光学元件尤其是凸透镜。
在使用红外光的情况下的主要思想尤其是在于：通过按照本发明的光学元件和红外源来局部地加热连接层，尤其是不直接通过红外辐射来加热衬底。因而，所使用的粘合剂优选地应当通过热来经历溶解、解体或者至少改变其粘附特性（降低粘合强度）。
在另一按照本发明的实施方式中，将可见光用于使临时键合体溶解。在此，在有或者没有被添加的添加剂的情况下的连接层的所使用的材料敏感地对可见光的光子做出反应。可见光在分子中尤其是影响电子、尤其是壳层的那些电子。利用光的照射导致电子迁移过程，所述电子迁移过程可以将电子从一个分子轨道转移到另一分子轨道。如果光子的频率以及借此能量足够大，则电子迁移过程可以引起在分子的键合结构方面的改变，所述改变使所加载的材料的粘附特性改变或者使其解体或溶解或者至少降低粘附强度。这些效果被用于当前的实施方式。优选地，选择UV辐射的范围。
在另一优选的按照本发明的实施方式中使用UV光。UV光光子的频率和能量尤其是被选择为使得它们按照本发明可以引起在连接层的材料的分子的键合结构方面的重要改变。尤其是，通过用UV光来照射该材料而发生粘合剂的化学变化，尤其是发生（共价）键的破坏或发生聚合过程，所述聚合过程以重要方式改变了材料的粘附强度。也可设想的是其它任意的化学和/或物理过程，所述化学和/或物理过程以重要方式降低了粘合强度并且从借此允许了按照本发明的去键合过程。
按照另一可设想的按照本发明的实施方式，将X射线辐射用于改变连接层的材料的化学和/或物理特性。X射线辐射的优选地被执行的聚焦不能通过传统的折射光学装置来实现，因为针对实际上所有材料和这样高的频率的折射率接近1.0，而且传统的材料因而不允许折射并且借此也不允许X射线的聚焦。不过已知了如下光学元件，所述光学元件可以通过全反射的物理效应来使X射线聚焦。这些光学元件尤其是由多个毛细管组成，所述毛细管在一定的曲率半径的情况下嵌入到基体中。曲率半径尤其是选择为使得侵入的X射线至少主要地、优选仅仅通过全反射沿着毛细管被引导。
通过多个毛细管的优选的布置，可以使分散的X射线聚焦在一个点。这些光学元件被称为毛细管光学装置。焦点的直径尤其是小于5mm，优选地小于3mm，还更优选地小于1mm，最优选地小于0.1mm，完全最优选地小于0.01mm。
在本发明的改进方案中，所提及的源之一可以与溶解池结合地来使用，使得连接层粘合剂的加载一方面是（液体）化学的而另一方面是光物理或光化学的。通过这样产生的双重应力，可以引起连接层的尤其是仅仅从边缘区域的特别优选的分离。待选择的溶解池具有至少一个部件，连接层的材料在所述部件中分离，即就此而言是选择性的、尤其是与光学加载相结合地是选择性的。
光学系统
对于所有按照本发明的实施方式来说，连接层的材料的尤其是关于部分区域、优选地周向边缘区域的局部损害是常见的。
按照本发明的一个实施方式，为了使衬底堆的径向对称的衬底键合完全分离，在源或射线与衬底堆之间的相对运动是有利的。以这种方式可以降低大量光学系统的设计花费和成本。
按照第一实施方式，所述源在封闭轨道（尤其是环形轨道）中绕着衬底堆运动，而所述衬底堆绕着其自己的轴方向相反地旋转。在此，所述源的环形轨道的法线以及衬底堆的旋转轴彼此平行，使得在运动期间可以将射线加载给连接层。
在第二实施方式中，只有所述源在封闭轨道（尤其是环形轨道）中绕着衬底堆运动，而所述衬底堆静止。由此，可以省去用于使衬底堆运动的第二马达。
在特别优选的第三实施方式中，所述源静止，而所述衬底堆绕着其对称轴旋转。所述衬底堆尤其是固定在衬底试样夹具上，所述衬底试样夹具以能旋转的方式来安置。衬底堆在此优选地被安置为使得在样品支架旋转期间在电磁辐射的焦点与连接层的外边缘之间的距离保持不变直至预先给定的容限。该容限尤其是小于5mm、优选地小于3mm、还更优选地小于2mm、最优选地小于1mm、完全最优选地小于0.5mm。
所述源和/或所述衬底堆的运动（尤其是旋转）的频率以每分钟圈/转（英文：rounds-per-minute，rpm）为单位来说明。该频率尤其是小于5000rpm，优选地小于2500rpm，还更优选地小于1000rpm，最优选地小于100rpm，完全最优选地小于10rpm。
光学系统尤其是具有如下任务：使发出的电磁辐射聚焦或者集中到粘合剂的受限制的区段上。优选地，电磁辐射在此没有或者只是小部分地射到衬底上、尤其是没有直接或者只是小部分地直接射到衬底上。
在按照本发明的实施方式的一个特别的扩展方案中，这些源被设计为使得焦点随着继续的分离过程尤其是自动地予以再调整或者能予以再调整。借此，实现了焦点至还待分离的连接层中的最优的跟踪。通过对焦点的跟踪，随时确保了最优的溶解速率。对焦点的跟踪尤其是通过源的平移和/或旋转运动和/或通过光学元件的适配、尤其是通过使用适合的光学装置来实现，所述适合的光学装置可以连续地改变焦点。对焦点的跟踪手动地、更优选地自动地、尤其是通过相对应的软件和/或硬件和/或固件来实现。
在由连接层吸收的辐射量和由衬底吸收的衬底辐射量之间的比例尤其是大于0.5，优选地大于0.8，还更优选地大于0.9，最优选地大于0.95，完全最优选地大于0.99。
光学系统可以由如下所有光学元件组成，所述光学元件按照本发明可以影响所述源的电磁辐射。尤其是，下面的光学元件单个地或者组合地属于此：
●透镜、尤其是凹透镜和/或凸透镜和/或凹凸镜和/或菲涅尔透镜和/或球面透镜和/或
●瞄准仪
●光阑
●反射镜、尤其是热反射镜或冷反射镜、优选地抛物线反射镜和/或椭圆反射镜和/或平面反射镜和/或
●衍射元件、尤其是衍射光栅和/或
●偏光器、尤其是用于产生线性偏振光的偏光器和/或用于产生椭圆偏振光的偏光器。
所述光学元件中的每个光学元件和/或整个光学系统都可以安装在拥有多个自由度的桌台上，以便能够控制或者调节到连接层、尤其是周向边缘区域的焦点。
优选地，该桌台具有带有三个自由度的用于平移的平移单元和带有三个自由度的用于旋转的旋转单元。平移单元的行驶路径尤其是大于1μm，优选地大于1mm，还更优选地大于10mm，最优选地大于100mm。平移单元的精度尤其是优于1000μm，优选地优于100μm，还更优选地优于10μm，最优选地优于1μm。旋转单元的旋转范围尤其是大于0.1°，优选地大于1°，还更优选地大于10°，最优选地大于100°。旋转单元的精度尤其是优于5°，优选地优于1°，还更优选地优于0.1°，最优选地优于0.01°。
探测器
在本发明的改进方案中，设置探测器，用于测量在利用电磁辐射对连接层起作用或对连接层进行加载的至少一个位置上的物理和/或化学信号，优选地设置探测器作为单元与所述源和/或光学装置连接。通过对所述信号的测量和分析可以评估：连接层在周向边缘区域的材料的按照本发明的分离过程进展了多大程度。因此，可以高效得多地控制分离过程。
通过将去键合过程减少到周向边缘区域和/或使用对连接层的局部受限制的加载，能够实现对连接层的材料特性的局部受限制的测量。尤其是单个地或者组合地考虑下面的探测器类型：
●物理探测器，尤其是
○光学（光谱）探测器、优选地UV-VIS光谱仪和/或拉曼光谱仪和/或红外光谱仪和/或
○光学（可见）探测器、尤其是显微镜和/或放电探测器和/或荧光探测器和/或磷光探测器和/或
○机械探测器、尤其是力探测器和/或固有频率/振荡探测器和/或超声波探测器和/或
●化学探测器、尤其是气体探测器。
对连接层的用于使衬底堆完全去键合的照射时间尤其是小于30分钟，优选地小于15分钟，还更优选地小于1分钟，最优选地小于30秒，完全最优选地小于5秒。
试样夹具
衬底堆尤其是固定在试样夹具上。所述试样夹具可以是带有静电的、磁性的、粘附性的、真空控制的或者机械的固定装置的试样夹具。
在按照本发明的第一实施方式中，试样夹具优选地具有基面，尤其是固定面，所述基面大于待固定的衬底堆的面积。
尤其是，试样夹具的直径大于或者等于待固定的衬底堆的直径。试样夹具的直径尤其是与待固定的衬底堆的直径一样大，优选地是其1.2倍大，还更优选地是其1.3倍大，最优选地是其1.4倍大。
如果用于固定电磁射线的光学元件应当处于与连接层同样的高度上，则优选将试样夹具后移，以便能够实现对光学元件的定位。因而，按照一个有利的实施方式，试样夹具具有基面、尤其是固定面，所述基面小于待固定的衬底堆的面积。尤其是，试样夹具的直径被选择得大于或小于所述待固定的衬底堆的直径。试样夹具的直径尤其是与所述待固定的衬底堆的直径一样大，优选地是其0.9倍大、还更优选地是其0.6倍大、最优选是其0.5倍大。
在另一可设想的实施方式中，衬底堆被固定在薄膜（英文：tape）上，所述薄膜在框架（英文：Frame）上被张紧。尤其是经回薄或者以其它方式处理的产品衬底在此以其朝向外的表面固定在薄膜上，而朝向内的表面以粘合剂来固定到载体衬底。
在一个十分特别的按照本发明的实施方式中，载体衬底的朝向外的表面可以被固定在试样夹具上，同时所述框架由机械分离装置来固定并且在按照本发明的工艺期间被提升。通过对所述框架的提升，所述薄膜被张紧并且借此对在外围的去键合过程进行辅助。通过形成楔子，按照本发明的实施方式的电磁辐射得到相对应地更多位置，以便推进到边界层的深处。
工艺
根据按照本发明的处理的第一实施方式，通过如下装置来实现连接层的应力，在所述装置中，带有电磁辐射的射线的至少一个焦平面F和粘合剂层平面K是彼此平行，尤其是重合的或是成一行的。
在第一工艺步骤中，使衬底堆定位在试样夹具上。优选地实现衬底堆的定位，使得连接层至少布置在电磁辐射的光轴和/或焦平面F附近。衬底堆尤其是通过z平移单元在高度（z方向）方面被调节，直至待分离的连接层的粘合剂层平面K与焦平面F相关。粘合剂层平面K被理解为与连接层平行的并且关于连接层的厚度d居中的平面。在粘合剂层平面K与焦平面F之间在z方向上的距离尤其是小于5mm、优选地小于1mm，还更优选地小于0.1mm，最优选地小于0.01mm。
在第二工艺步骤中，对光学元件进行精调，用来关于厚度d调节电磁辐射。通过精调可以进一步减小在粘合剂层平面K与焦平面F之间的距离。尤其是，在精调之后的距离小于5mm，优选地小于0.1mm，还更优选地小于0.01mm，最优选地小于0.001mm。如果通过按照本发明的第一工艺步骤应当已经进行了这两个平面彼此间的准确调整，则可以相对应地省去所述按照本发明的第二工艺步骤。相对应的距离测量装置被假定为已知的并且可选地作为本发明的有利的实施方式公开。
在第三工艺步骤中，使焦点在键合界面（连接层）内调节。所述焦点被调节到在连接层之内或连接层的边缘处的焦点上。优选地，该焦点容易在连接层之内。焦点与连接层的周向边缘的距离尤其是在如下范围内，所述范围为在0mm至5mm之间、优选地在0mm至4mm之间、还更优选地在0mm至3mm之间、最优选地在0mm至2mm之间、完全最优选地在0mm至1mm之间。
在最优的情况下，本发明的前三个工艺步骤应当只执行一次，以便确定试样夹具、光学元件以及借此焦平面或焦点的准确位置。在一个优选的实施方式中，可以在一次调节之后将具有相同大小和尺寸的多个衬底堆存放在试样夹具上的相同位置上，并且在没有重新调节的情况下加载电磁辐射。尤其是，焦平面F应当与粘合剂层平面K是重合的并且焦点总是具有与周向侧边缘相同的距离。
按照本发明，尤其是当衬底的几何参数之一和/或连接层的厚度改变时，新的校准才是必需的。但是，只要希望，就也可以在每个新的衬底堆的情况下执行校准。优选地，确定并且检验几个参考值，以及只有在有确定的偏差的情况下才进行新的调节。由此使工艺流程加速。
在按照本发明的第四工艺步骤中，电磁辐射的源只要没有已经在校准工艺中出现就被接通。强度被提高到针对连接层的材料预先给定/所必需的值上，并且通过光学元件而尽可能地限制/集中到连接层上。
只要电磁辐射允许使用相对应的透镜，则使电磁辐射聚焦到连接层上。替选地或附加地，使用光阑，以便使由电磁射线引起的对衬底的影响最小化。
在第五工艺步骤中，旋转衬底堆和/或源，使得尤其是指向或者集中到一个点的电磁辐射环周地对连接层的周向边缘区域进行加载。通过该工艺步骤，至少弱化了外围区域，使得可以在另一、尤其是最后的按照本发明的工艺步骤中执行真正的去键合过程。
电磁辐射在连接层的材料中的影响深度或者侵入深度尤其是大于100μm、优选地大于1mm、还更优选地大于5mm、最优选地大于10mm。影响深度被理解为如下那个深度，在所述深度之内，实现对粘合剂的按照本发明的弱化、尤其是完全溶解、优选地升华。因而，通过按照本发明的实施方式，处在影响深度后面的粘合剂没有被碰到或分离。尤其是，由此也得到按照本发明的另一方面，因为通过防止过大的侵入深度，尽可能地、尤其是完全防止了电磁辐射在朝向粘合剂的衬底表面上的反射。
在周向边缘区域中执行对粘合强度的弱化期间，可以将力、尤其是至少一个法向力施加在衬底上、尤其是施加在其外围区域上，以便引起衬底的分开或者对衬底的分开进行辅助。此外，通过所述力以及与此相关地使衬底从彼此除去，防止了衬底尤其是通过重新粘合引起的重新结合。所施加的力可以是点力和/或线力和/或面力。在点力的情况下，所述力尤其是大于0.001N、优选地大于0.1N，还更优选地大于10N，最优选地大于150N。在线力和/或面力的情况下，可以通过上面提到的力除以线长或面积大小来确定相对应的压强。
在第六工艺步骤中，通过使一个或两个衬底从彼此取下来实现使这两个衬底中的至少一个衬底与衬底堆分离（去键合）。所述取下尤其是通过施加拉力和/或剪切力来实现。尤其是通过拉、剪切或者弯曲来实现所述取下。
在特别的实施方式中，在按照本发明的加载之后可以独立地、尤其是仅仅通过重力的作用来实现两个衬底的分开。尤其是，可以将衬底堆固定在其与重力方向相反的衬底上，而按照本发明的工艺使连接层的外围区域弱化。所述按照本发明的实施方式特别优选地在溶剂池中进行，使得外围区不仅受电磁辐射作用、而且受化学物质作用。用于去键合的另一设施例如在专利文献WO2012/139627A1中予以描述。其中，将环周的夹圈用于对载体衬底的弯曲的加载，以便将其从产品衬底分离。在此，按照本发明的实施方式可以通过对外围区域的提前弱化来对去键合过程进行辅助。
在按照本发明的一个替选的、第二工艺中，通过如下装置来实现对连接层的应力，在所述装置中，粘合剂层平面K相对于焦平面具有倾斜角。在此，该倾斜角大于0°、尤其是大于25°、还更优选地大于50°、最优选地大于75°、完全最优选地大于90°。因而，尤其是，通过所述衬底中的至少一个来实现对连接层的周向边缘区域的加载。
类似地，所描述的特征适用于按照本发明的装置和按照本发明的方法以及按照本发明的应用。
附图说明
本发明的其它优点、特征和细节从对优选的实施例的描述以及依据附图得到。在所述附图中：
图1示出了整面地键合的晶圆堆的示意性的、没有按正确比例的横截面图，
图2示出了主要在周向边缘区域键合的晶圆堆（ZoneBOND®）的示意性的、没有按正确比例的横截面图，
图3a 示出了本发明的第一实施方式的示意性的、没有按正确比例的横截面图，
图3b示出了对按照图3a的第一实施方式的示意性的、没有按正确比例的俯视图，
图4a 示出了本发明的第二实施方式的示意性的、没有按正确比例的横截面图，
图4b 示出了对按照图4a的第二实施方式的示意性的、没有按正确比例的俯视图，
图5a 示出了本发明的第三实施方式的示意性的、没有按正确比例的横截面图，
图5b 示出了对按照图5a的第三实施方式的示意性的、没有按正确比例的俯视图，以及
图6 示出了经优化的分离过程的示意性、没有按正确比例的侧视图。
在所述图中，相同的构件或具有相同功能的构件用相同的附图标记来表征。
具体实施方式
图1示出了被构造为整面地键合的晶圆堆1的衬底堆，所述衬底堆由载体衬底3、被构造为粘合剂层的连接层4以及产品衬底5构成。所述两个衬底3、5在所示出的实施例中具有相同的直径D。载体衬底3和产品衬底5的衬底表面3o，5o至少主要地、优选地整面地有关平行的对置的表面由连接层4覆盖。
图2示出了被构造为ZoneBOND®键合的晶圆堆2的衬底堆，所述衬底堆由利用低粘附性的（或者无粘附性的）层6制备的载体衬底3、产品衬底5和连接层4'构成。
低粘附性的层6在中央圆面13之内居中地以小于直径D的直径A来涂覆到载体衬底3上。由此形成的周向边缘区域12尤其是具有尤其是周向恒定的宽度B（尤其是减去在与衬底3、5侧周向的过渡部上的曲率半径）的圆环。
连接层4'主要粘附在沿着边缘区域B的载体衬底表面3o上。粘合强度在周向边缘区域12内相比于在中央圆面13的区域内的粘合强度是过大的，在所述中央圆面13，粘合强度至少相对于载体衬底3降低、尤其是实际上降低到零。根据按照本发明的应用，粘合强度在周向边缘区域12内大于0.1J/m2、优选地大于0.5J/m2，还更优选地大于1.0J/m2，最优选地大于1.5J/m2，完全最优选地大于2.0J/m2。根据按照本发明的应用，粘合强度在中央圆面13的区域内小于1.0J/m2、优选地小于0.75J/m2，还更优选地小于0.5J/m2，最优选地小于0.25J/m2，完全最优选地小于0.01J/m2。
图3a示出了发射长波电磁射线的源7、尤其是微波源。微波源7发射指向衬底堆的射线8。射线8优选地通过电磁场在电动力学的麦克斯韦方程的意义上来表示、尤其是不作为量化的光子多粒子系统来表示。射线8优选地通过光学元件9、尤其是光阑和/或瞄准仪而至少主要地集中到连接层4'上。
在射线8穿过光学元件9之后，使所述射线8变成射线8'、尤其是减少、集中或者聚焦成射线8'。因此，具有未消失的发散性的射线8'离开所述光学元件9，所述发散性通过发散角α来描述，其中所述射线8'被取向并且被改变为使得所述射线8'实际上仅仅直接射到连接层4'的周向边缘区域12的端侧上。
在图3b中，从上方示意性地示出了射线8、8'的微波辐射的电场。在所示出的实施方式中，光学元件9仅仅沿着z方向限制射线8，使得微波射线在（与z方向正交的）x-y平面之内至少朝衬底堆的方向可以自由伸展。相对应地，光学元件9优选地是隙缝光阑。可设想的是使用其它光学元件，所述其它光学元件点状地限制或聚焦微波辐射8。不过，因为微波辐射是长波电磁辐射并且通过相对应的光学元件的每次聚焦总是有错误、尤其是由于球面像差以及色像差引起的错误，所以对微波辐射的屏蔽被视为用于限制于连接层4'的优选的解决方案。
图4a示出了源7'，尤其是红外源、VIS源或UV源，所述源7'可以产生电磁（光子）射线8。所述电磁（光子）射线8通过光学元件9'（尤其是透镜）而作为射线8'指向布置在连接层4'之内的焦点区域11并且被集中或者聚焦到布置在连接层4'之内的焦点区域11上。优选地，焦点区域11布置在周向边缘区域12内。
在此，射线8'优选地不射到载体衬底3和/或产品衬底5上。与按照本发明的第一实施方式不同，可以利用光学元件9'使源7'的电磁射线聚焦到极其小的焦点区域11中。
为了对光学元件9'进行最优的定位，优选地将所述光学元件9'布置在桌台10上，以便可以相对应地控制并且优化电磁射线的光路。每个光学元件9'都可以安装在自己的桌台上，或者优选地将所有光学元件9'都安装在（唯一的）桌台10上。
源7'优选地输出被构造为激光射线、尤其是UV激光射线的射线8。激光器提供强烈准直的、非常明亮的、相干的、单色的光子射线。
图4b示出了：通过将光学元件9'和相对应的源7'组合，可能在两个维度（y和z方向）上聚焦。
图5a示出了带有焦平面F的光学元件9'，所述焦平面F与粘合剂层平面K平行地、尤其是重合地来取向。相对应地，在焦平面F与粘合剂层平面K之间的角度β为零。
图5b示出了如下实施方式，在所述实施方式中，带有焦平面F的光学元件9'相对于粘合剂层平面K以倾斜角β倾斜。优选地，倾斜角β是可调节的。
图6示出了如下实施方式，在所述实施方式中，产品衬底5已经固定在薄膜14上。薄膜14通过框架15被张紧。通过在框架15上施加力L，在外围区域提升产品衬底5并且这样使得通过光学元件9'聚焦的电磁射线容易到达粘合剂4。在此，力L可以以任意角度来作用。在力L的力方向与载体衬底的法线之间的角度尤其是小于45°、优选地小于35°、还更优选地小于25°、最优选地小于15°、完全最优选为0°。力L小于10N、优选地小于5N、最优选地小于1N、完全最优选地小于0.5N。
附图标记列表
1 滑落式衬底堆（SlideOff Substratstapel）
2 ZoneBOND®衬底堆
3 载体衬底
3o 载体衬底表面
4，4' 粘合剂
5 产品衬底
5o 产品衬底表面
6 低粘附性的层
7，7' 源
8，8' 射线
9，9' 光学元件
10 桌台
11 焦点区域
12 周向边缘区域
13 中央面
14 薄膜
15 框架
α 发散角
β 倾斜角
D 直径
A 直径
B 边缘区宽度
K 连接层平面
F 焦点平面
d 连接层的厚度
L 力

Claims (9)

1.一种用于从衬底堆（1，2）分离载体衬底（3）的方法，所述衬底堆（1，2）由所述载体衬底（3）和产品衬底（5）、以及连接所述载体衬底（3）和所述产品衬底（5）的连接层（4，4'）构成，其中所述连接层（4，4'）：
a）具有用于连接所述载体衬底（3）和所述产品衬底（5）的粘合强度，而且
b）通过电磁辐射的至少主要地指向所述连接层（4，4'）的射线（8，8'）来至少部分地降低所述粘合强度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述射线的小于50%、尤其是小于20%、优选地小于10%、还更优选地小于5%的辐射量由所述载体衬底（3）和/或产品衬底（5）吸收。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述连接层（4）具有通过所述电磁辐射软化的材料，所述材料尤其是从随后的、优选地掺有至少一种添加剂的材料中选择：
● 硅酮和/或
● 塑料，尤其是
○ 热塑性塑料和/或
○ 热固性塑料和/或
○ 弹性体。
4.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，所述连接层（4，4'）的粘合强度至少主要地、尤其是直至多于75%地、优选地直至多于85%地在所述衬底堆（1，2）的周向边缘区域（12）内起作用地来构造。
5.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，所述射线（8，8'）借助光学元件（9，9'）指向所述连接层（4，4'），其中所述光学元件（9，9'）布置在所述射线（8，8'）的源（7，7'）与所述连接层（4，4'）之间。
6.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，所述射线（8，8'）相对于所述连接层（4）来取向，使得在所述射线（8，8'）的辐射轴与所述连接层（4）的粘合剂层平面K之间的倾斜角β小于45°、尤其是小于25°、优选地小于15°，还更优选地小于5°、理想地为0°。
7.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，所述被定向的射线（8，8'）尤其是通过至少一个光学元件（9，9'）被聚焦和/或被集中。
8.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，所述射线（8，8'）通过在所述衬底堆（1，2）与所述射线（8，8'）或者产生所述射线（8，8'）的源（7，7'）之间的相对运动、尤其是旋转来指向所述衬底堆（1，2）的周向边缘区域（12）。
9.一种用于从衬底堆（1，2）分离载体衬底（3）的装置，所述衬底堆（1，2）由所述载体衬底（3）和产品衬底（5）、以及连接所述载体衬底（3）和所述产品衬底（5）的连接层（4，4'）构成，其中所述连接层（4，4'）：
a）具有用于连接所述载体衬底（3）和所述产品衬底（5）的粘合强度，而且
b）通过电磁辐射的至少主要地指向所述连接层（4，4'）的射线（8，8'）能至少部分地降低所述粘合强度。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110556345A (zh) * 2018-05-31 2019-12-10 浙江清华柔性电子技术研究院 柔性器件的制作方法
CN115335232A (zh) * 2020-04-20 2022-11-11 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于转移转移层的方法和装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102305505B1 (ko) * 2014-09-29 2021-09-24 삼성전자주식회사 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 이니시에이터 및 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 방법
DE102015118742A1 (de) 2015-11-02 2017-05-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum Bonden und Lösen von Substraten
KR102550390B1 (ko) 2017-09-12 2023-07-03 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 일시적으로 접합된 기판 스택을 분리하는 방법 및 장치

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11243209A (ja) * 1998-02-25 1999-09-07 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
US20070155129A1 (en) * 2006-01-03 2007-07-05 Erich Thallner Combination of a substrate and a wafer
CN102810512A (zh) * 2012-07-16 2012-12-05 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器件的制造方法
US20130014905A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 Yoshiyuki Nakazawa Film peeling apparatus and film peeling method
EP2587530A2 (en) * 2011-10-28 2013-05-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method
JP2013171949A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 支持体分離方法及び支持体分離装置
US20140044962A1 (en) * 2012-08-13 2014-02-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition, film adhesive, and bonding method
WO2014031374A1 (en) * 2012-08-22 2014-02-27 Corning Incorporated Processing of flexible glass substrates and substrate stacks including flexible glass substrates and carrier substrates
US20140130969A1 (en) * 2011-07-07 2014-05-15 Brewer Science Inc. Methods of transferring device wafers or layers between carrier substrates and other surfaces
CN103890908A (zh) * 2011-10-18 2014-06-25 富士电机株式会社 固相键合晶片的支承基板的剥离方法及半导体装置的制造方法
WO2014163188A1 (ja) * 2013-04-04 2014-10-09 富士電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
US20160204015A1 (en) * 2014-11-07 2016-07-14 International Business Machines Corporation Low temperature adhesive resins for wafer bonding

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3467611B2 (ja) * 1995-09-29 2003-11-17 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2002211098A (ja) * 2001-01-16 2002-07-31 Konica Corp 印刷方法および印刷装置
US6905354B1 (en) * 2003-12-10 2005-06-14 Intel Corporation U-clip for optical device alignment
US7462551B2 (en) * 2005-09-30 2008-12-09 Intel Corporation Adhesive system for supporting thin silicon wafer
US20080003780A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Haixiao Sun Detachable stiffener for ultra-thin die
JP4851415B2 (ja) * 2007-10-10 2012-01-11 日東電工株式会社 紫外線照射方法およびこれを用いた装置
RU2010129076A (ru) * 2008-01-24 2012-01-20 Брюэр Сайенс Инк. (Us) Способ обратимого крепления полупроводниковой пластины со сформированными устройствами к несущей подложке
US10381254B2 (en) * 2011-11-29 2019-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer debonding and cleaning apparatus and method
US9029238B2 (en) * 2012-10-11 2015-05-12 International Business Machines Corporation Advanced handler wafer bonding and debonding
KR102305505B1 (ko) * 2014-09-29 2021-09-24 삼성전자주식회사 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 이니시에이터 및 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 방법

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11243209A (ja) * 1998-02-25 1999-09-07 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
US20070155129A1 (en) * 2006-01-03 2007-07-05 Erich Thallner Combination of a substrate and a wafer
US20140130969A1 (en) * 2011-07-07 2014-05-15 Brewer Science Inc. Methods of transferring device wafers or layers between carrier substrates and other surfaces
US20130014905A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 Yoshiyuki Nakazawa Film peeling apparatus and film peeling method
CN103890908A (zh) * 2011-10-18 2014-06-25 富士电机株式会社 固相键合晶片的支承基板的剥离方法及半导体装置的制造方法
EP2587530A2 (en) * 2011-10-28 2013-05-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method
JP2013171949A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 支持体分離方法及び支持体分離装置
CN102810512A (zh) * 2012-07-16 2012-12-05 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器件的制造方法
US20140044962A1 (en) * 2012-08-13 2014-02-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Adhesive composition, film adhesive, and bonding method
WO2014031374A1 (en) * 2012-08-22 2014-02-27 Corning Incorporated Processing of flexible glass substrates and substrate stacks including flexible glass substrates and carrier substrates
WO2014163188A1 (ja) * 2013-04-04 2014-10-09 富士電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
US20160204015A1 (en) * 2014-11-07 2016-07-14 International Business Machines Corporation Low temperature adhesive resins for wafer bonding

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110556345A (zh) * 2018-05-31 2019-12-10 浙江清华柔性电子技术研究院 柔性器件的制作方法
CN110556345B (zh) * 2018-05-31 2020-12-15 浙江清华柔性电子技术研究院 柔性器件的制作方法
CN115335232A (zh) * 2020-04-20 2022-11-11 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于转移转移层的方法和装置

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