CN107527876A - 封装结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种封装结构，包括基板、传感芯片、基座、导线架、多个导通孔及图案化线路层。基板包括组件设置区及多个电极接点。传感芯片设置于组件设置区并经由图案化线路层与电极接点电性连接。基座以接合面罩覆于基板上并包括容置凹槽、阶梯部、延伸斜面及多个电极。阶梯部突出于容置凹槽的底面。延伸斜面由阶梯部的顶面延伸至接合面。电极设置于接合面并分别与电极接点电性连接。传感芯片位于容置凹槽内。导线架分别设置于基座与基板。导通孔贯穿阶梯部并电性连接至导线架。图案化线路层设置于延伸斜面上以电性连接导通孔与电极。本发明的封装结构制程步骤简单且整体厚度较薄。

Description

封装结构

技术领域

本发明涉及一种封装结构，且特别涉及一种传感芯片的封装结构。

背景技术

随着科技的进步，电子产品无不朝向轻量化与微型化的趋势发展。以麦克风为例，微机电系统传感芯片(MEMS sensors)已广泛地被使用于此领域中。传统的麦克风包括微机电系统传感芯片、用以驱动微机电系统传感芯片的驱动芯片以及用以承载微机电系统传感芯片以及驱动芯片的电路板。电路板除了导电层与介电层之外，还具有一些导电贯孔(conductive through via)，且麦克风内的驱动芯片通常会与这些导电贯孔电性连接。

在现有技术中，制造者会先分别制作感测组件及用以承载电子组件的线路板。之后，再将感测组件封装在线路板上，以形成感测组件封装结构。此作法不但费工费时，且感测组件封装结构的整体厚度不易降低。因此，如何改善现有的感测组件封装，实为研发者所欲达成的目标之一。

发明内容

本发明提供一种封装结构，其制程步骤简单且整体厚度较薄。

本发明的一种封装结构包括基板、传感芯片、基座、第一导线架、多个第一导通孔、第一图案化线路层、第二导线架、多个第二导通孔及第二图案化线路层。基板包括组件设置区以及多个电极接点。电极接点设置于组件设置区的一侧。传感芯片设置于组件设置区并与驱动芯片及电极接点电性连接。基座以接合面罩覆于基板上并包括容置凹槽、延伸斜面以及多个电极。延伸斜面连接于容置凹槽的底面与接合面之间。电极设置于接合面并分别与电极接点电性连接。传感芯片位于容置凹槽的对应区域内。第一导线架设置于基座。第一导通孔贯穿基座并电性连接至第一导线架。第一图案化线路层设置于延伸斜面、容置凹槽的底面以及接合面上以电性连接第一导通孔与电极。第二导线架设置于基板。第二导通孔贯穿基板并电性连接至第二导线架。第二图案化线路层设置于基板并电性连接至第二导通孔及电极接点。

在本发明的一实施例中，上述的基座包括阶梯部，突出于容置凹槽的底面，延伸斜面由阶梯部的顶面延伸至接合面，且第一导通孔贯穿阶梯部以电性连接第一导线架。

在本发明的一实施例中，上述的基座与基板的材料包括可选择性电镀介电材，其中包括非导电的金属复合物。

在本发明的一实施例中，上述的可选择性电镀介电材包括环氧树脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、BT树脂(Bismaleimide-Triazine modified epoxy resin)、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子(liquid crystal polyester,LCP)、聚酰胺(PA)、尼龙6、共聚聚甲醛(POM)、聚苯硫醚(PPS)或环状烯烃共聚物(COC)。

在本发明的一实施例中，上述的非导电的金属复合物中的金属包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、钛或其任意组合。

在本发明的一实施例中，上述的封装结构还包括驱动芯片，设置于基板上，驱动芯片电性连接至传感芯片以及电极接点。

在本发明的一实施例中，上述的传感芯片包括微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)传感芯片，驱动芯片包括专用集成电路(application specific integrated circuit,ASIC)。

在本发明的一实施例中，上述的基板还包括多个电极开口，电极接点分别内嵌于电极开口，且电极接点的上表面低于基板的接合表面。

在本发明的一实施例中，上述的电极突出于接合面，以与电极开口嵌合并与电极接点接触。

在本发明的一实施例中，上述的第二导线架包括多个电性连接传感芯片的外部接垫。

在本发明的一实施例中，上述的第一导线架包括多个电性连接传感芯片的外部接垫，基座相对于接合面的背面暴露外部接垫。

在本发明的一实施例中，上述的第二导线架覆盖基板背离基座的背面。

在本发明的一实施例中，上述的封装结构还包括贯孔，贯穿基板及第二导线架，以暴露部分传感芯片。

在本发明的一实施例中，上述的第二导线架还包括止挡环，环绕贯孔且与贯孔的外周缘维持间距。

在本发明的一实施例中，上述的封装结构还包括基板接地/屏蔽层及基座接地/屏蔽层，基板接地/屏蔽层覆盖基板的周围侧面并连接第二导线架，基座接地/屏蔽层覆盖基座的周围侧面和/或容置凹槽的内表面，并连接第一导线架。

在本发明的一实施例中，上述的第二导线架还包括多个阶梯状通孔，贯穿至该第二导线架，且基板还包括多个阶梯状凸起以与对应的阶梯状通孔嵌合，其中各阶梯状通孔包括顶盖部以及连接顶盖部的连接部，顶盖部的最小直径大于连接部的最大直径。

在本发明的一实施例中，上述的第二导线架包括多个电性连接传感芯片的外部接垫。

在本发明的一实施例中，上述的第一导线架设置于相对于接合面的背面，并完全覆盖第一导线架的背面。

在本发明的一实施例中，上述的封装结构，第一导线架还包括多个阶梯状通孔，贯穿至第一导线架，且基座还包括多个阶梯状凸起以与对应的阶梯状通孔嵌合，其中各阶梯状通孔包括顶盖部以及连接顶盖部的连接部，顶盖部的最小直径大于连接部的最大直径。

在本发明的一实施例中，上述的封装结构还包括黏着胶材，该黏着胶材可为非导电胶或导电胶，设置于接合面与基板之间，以贴合基座与基板。

在本发明的一实施例中，上述的第一图案化线路层的底面低于延伸斜面以及基座的顶面，且第二图案化线路层的底面低于基板的顶面。

基于上述，本发明的封装结构利用阶梯部的设计将线路有效地连接至基座的接合面及相对接合面的背面，提升线路的设计弹性，并且，阶梯部可用以容置封装结构的驱动芯片，提升封装结构的空间利用率。再者，本发明的基座和/或基板的材料包括可选择性电镀介电材，以利用其可选择性电镀的特性直接于其表面上直接化镀及电镀而形成图案化线路层、第一导通孔或是接垫等导电结构。并且，据此形成的图案化线路层可符合微细线路的标准，还提供了封装结构上的连接线路的设计弹性。并且，可选择性电镀介电材可通过模塑(molding)的方式定型，因此对其厚度及外型上具有较大的设计弹性，进而可轻易将基座/基板的厚度控制在100微米以下，因此，本发明的封装结构不仅可提升其设计弹性，更可轻易符合细线路的标准，且可有效减化制程步骤及降低封装结构的整体厚度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。

附图说明

图1A是依照本发明的一实施例的一种封装结构的剖面示意图；

图1B是依照本发明的另一实施例的一种封装结构的剖面示意图；

图2是依照本发明的一实施例的基座与基板的上视示意图；

图3是依照本发明的一实施例的基座的示意图；

图4是依照本发明的一实施例的基座的剖面示意图；

图5是依照本发明的一实施例的基板的剖面示意图；

图6是依照本发明的一实施例的基板的示意图；

图7是依照本发明的一实施例的一种封装结构的底部透视示意图；

图8是依照本发明的一实施例的一种封装结构的剖面示意图；

图9是依照本发明的一实施例的一种导线架的上视示意图；

图10是图9的导线架的剖面示意图；

图11是图9的导线架的另一剖面示意图；

图12是图11的导线架与基板结合的剖面示意图；

图13是图12的导线架与基板结合的上视示意图。

附图标记说明：

100、100a：封装结构

110：基板

112：电极接点

114：电极开口

120：传感芯片

130：基座

132：接合面

134：容置凹槽

136：阶梯部

138：延伸斜面

139：电极

140：第一导线架

144、182：外部接垫

142、184：阶梯状通孔

142a、184a：顶盖部

142b、184b：连接部

150：第一导通孔

160：第一图案化线路层

170：驱动芯片

180：第二导线架

186：止挡环

190：基板接地/屏蔽层

192：基座接地/屏蔽层

200：主板

G1：间距

GL：黏着胶材

H1：贯孔

具体实施方式

图1A是依照本发明的一实施例的一种封装结构的剖面示意图。图1B是依照本发明的另一实施例的一种封装结构的剖面示意图。图2是依照本发明的一实施例的基座与基板的上视示意图。请同时参照图1A、图1B至图2，在本实施例中，封装结构100包括基板110、传感芯片120、基座130、第一导线架140、多个第一导通孔150、第一图案化线路层160、第二导线架180、多个第二导通孔189以及第二图案化线路层188。基板110包括组件设置区以及多个电极接点112。电极接点112如图2所示的设置于组件设置区的一侧。传感芯片120设置于组件设置区并与驱动芯片170及电极接点112电性连接。第二导通孔189贯穿基板110并电性连接至第二导线架180，且第二图案化线路层188如图2所示的设置于基板110并电性连接至第二导通孔189及电极接点112。基座130如图1A及图1B所示的以接合面132罩覆于基板110上，其中，基座130包括容置凹槽134、延伸斜面138以及多个电极139。延伸斜面138如图1A所示的由容置凹槽134的底面延伸至基座130的接合面132。第一导线架140设置于基座130。第一导通孔150贯穿基座且电性连接至第一导线架140。

在本实施例中，基座130还可如图1B所示的包括阶梯部136，且阶梯部136突出于容置凹槽134的底面。并且，延伸斜面138如图1B所示的由阶梯部136的顶面延伸至基座130的接合面132。如此配置，第一导通孔150可贯穿阶梯部136以电性连接至第一导线架140。须说明的是，本实施例的阶梯部136可选择性配置，本发明并不以此为限。

在本实施例中，电极139设置于接合面132并分别与基板110的电极接点112电性连接。在本实施例中，基板110可包括多个电极开口114，电极接点112分别内嵌于电极开口114，且电极接点112的上表面低于基板110的接合表面。相应地，基座130的电极139突出于接合面132，以与电极开口114嵌合，并与电极接点112接触，以形成电性连接。在本实施例中，传感芯片120可如图1所示的设置于基板110上并位于容置凹槽134的对应区域内。第一导线架140则设置于基座130，而第一导通孔150则贯穿阶梯部136以电性连接至第一导线架140。如此，第一图案化线路层160设置于延伸斜面138上以电性连接第一导通孔150与电极139。

图3是依照本发明的一实施例的基座的示意图。图4是依照本发明的一实施例的基座的剖面示意图。请同时参照图3及图4，在本实施例中，基座130和/或基板110的材料包括可选择性电镀介电材，其包括非导电的金属复合物。如此，本实施例的封装结构100可利用可选择性电镀介电材的可选择性电镀的特性，直接于其表面上形成如图1A、图1B及图2所示的第一图案化线路层160，使第一图案化线路层160直接设置于基座130的延伸斜面138、容置凹槽134的底面以及接合面132上，并电性连接对应的电极139及第一导通孔150。在本实施例中，封装结构100还可包括黏着胶材GL，其可为非导电胶或导电胶，设置于接合面132与基板110之间，以贴合基座130与基板110。

具体而言，可选择性电镀介电材可包括环氧树脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、BT树脂(Bismaleimide-Triazinemodified epoxy resin)、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子(liquid crystalpolyester,LCP)、聚酰胺(PA)、尼龙6、共聚聚甲醛(POM)、聚苯硫醚(PPS)或环状烯烃共聚物(COC)等。非导电的金属复合物中的金属则可包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、钛或其任意组合。

详细来说，于基座130的延伸斜面138选择性地电镀而形成第一图案化线路层160的步骤可包括：在基座130的延伸斜面138上以雷射沿着欲形成第一图案化线路层160的路径刻出对应第一图案化线路层160的线路沟槽，使此线路沟槽上的非导电的金属复合物破坏而释放对还原金属化具有高活性的重金属晶核，接着，再对雷射后的可选择性电镀介电材进行选择性电镀，以在线路沟槽上直接化镀及电镀而形成第一图案化线路层160。因此，依上述制程所形成的第一图案化线路层160内嵌于基座130的延伸斜面138，且基座130的延伸斜面138暴露第一图案化线路层160的上表面。并且，由于本实施例是利用雷射直接在基座130的延伸斜面138上刻出对应第一图案化线路层160的线路沟槽，再于线路沟槽上直接化镀及电镀而形成第一图案化线路层160，因此，第一图案化线路层160的上表面可低于基座130的延伸斜面138，或是与基座130的延伸斜面138共平面。在本实施例中，第一图案化线路层160的底面低于延伸斜面138以及基座130的顶面。相似地，第二图案化线路层188的底面低于基板110的顶面。并且，依此方式直接于基座130的表面上所形成的各种图案化线路层的上表面皆可低于基座130的表面，或是与基座130的表面共平面。当然，本实施例仅用以举例说明而并非以此为限。

并且，本实施例可利用模具成形的方式来模塑形成封装结构100中的基座130和/或基板110，因此，基座130和/或基板110的厚度及形状可依产品需求而自由调整，因此，本实施例的封装结构100不仅可简化制程，提升设计的弹性，并且，封装结构100的最大厚度更可有效降低。

图5是依照本发明的一实施例的基板的剖面示意图。图6是依照本发明的一实施例的基板的示意图。请同时参照图1A、图1B、图5及图6，详细而言，本实施例的封装结构100还可包括驱动芯片170，其设置于基板110上并对应阶梯部136，驱动芯片170可例如通过多条导线电性连接至传感芯片120以及电极接点112。具体而言，在本实施例中，封装结构100可为MEMS麦克风封装结构，如此，传感芯片120则可为微机电系统(microelectromechanicalsystems,MEMS)传感芯片，而驱动芯片170则可为用以驱动MEMS传感芯片的专用集成电路(application specific integrated circuit,ASIC)。封装结构100还可包括贯孔H1，其贯穿基板110，以暴露部分传感芯片120。在本实施例中，贯孔H1可为MEMS麦克风封装结构的音孔。当然，本实施例仅用以举例说明，本发明并不限制封装结构100的应用范围。

图7是依照本发明的一实施例的一种封装结构的底部透视示意图。请参照图1A、图1B及图7，在本实施例中，第一导线架140可包括多个电性连接传感芯片120的外部接垫144，基座130相对于接合面132的背面133暴露外部接垫144。如此，如图1A及图1B所示的封装结构100便可通过基座130上的外部接垫144而电性连接至外部电子组件，例如：主板。

在本实施例中，第二导线架180设置于基板110且第二导线架180可为金属层，以至少大部分覆盖基板110背离基座130的背面。前述的贯孔H1则贯穿基板110及第二导线架180，以暴露部分传感芯片120。此外，在本实施例中，封装结构100还可包括基板接地/屏蔽层190，其如图1A及图1B所示的覆盖基板110的周围侧面并连接第二导线架180。如此，在传感芯片120的封装与使用过程中，当静电累积至一定程度而产生放电现象时，由于驱动芯片170与第一导通孔150电性连接，故驱动芯片170很容易受到静电放电的影响而被损害，因此，上述的第二导线架180及基板接地/屏蔽层190可作为接地层或电磁屏蔽层之用，以降低静电放电及电磁干扰的影响。并且，基座130还可包括基座接地/屏蔽层192，其覆盖基座130的周围侧面和/或容置凹槽134的内表面，以达到接地和/或电磁屏蔽的效果。

具体而言，基板接地/屏蔽层190的作法可例如先将基板110以模具成型的方式形成于第二导线架180上，并利用雷射对基板110材料中的非导电金属复合物进行金属化。之后再对基板110进行电镀以形成电极接点112及覆盖基板110的周围侧面的基板接地/屏蔽层190。基座接地/屏蔽层192还可利用相似于上述的作法制成。

此外，为了防止基板110与第二导线架180发生脱层(de-lamination)的情形，第二导线架180还可包括多个如图1A及图1B所示的阶梯状通孔184，贯穿至第二导线架180，其中，各阶梯状通孔184包括顶盖部184a以及连接顶盖部184a的连接部184b。顶盖部184a的最小直径大于连接部184b的最大直径。如此，通过模具成型的方式形成基板110于第二导线架180上时，基板110便可填入阶梯状通孔184内，也就是说，基板110会对应包括多个阶梯状凸起以与对应的阶梯状通孔184嵌合。如此，封装结构100便可通过阶梯状通孔184来增强基板110与第二导线架180之间的结合力，减少脱层的情形发生。

同样地，第一导线架140还可包括阶梯状通孔142，其结构相同于阶梯状通孔184。如此，通过模具成型的方式形成基座130于第一导线架140上时，基座130便可填入阶梯状通孔142内，以与对应的阶梯状通孔142嵌合。封装结构100便可通过阶梯状通孔142来增强基座130与第一导线架140之间的结合力，减少脱层的情形发生。

图8是依照本发明的一实施例的一种封装结构的剖面示意图。在此必须说明的是，本实施例的封装结构100a与图1A及图1B的封装结构100相似，因此，本实施例沿用前述实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，本实施例不再重复赘述。请参照图8，以下将针对本实施例的封装结构100a与图1A及图1B的封装结构100的差异做说明。

在本实施例中，封装结构100a包括第二导线架180，其设置于基板110并包括多个电性连接传感芯片120的外部接垫182。如此，封装结构100a便可如图8所示的通过基板110上的外部接垫182而电性连接至外部电子组件，例如：主板200。在这样的结构配置下，第一导线架140设置于相对于接合面132的背面，且第一导线架140可为金属层，以至少大部分覆盖第一导线架140的背面。此外，封装结构100a还可包括基座接地/屏蔽层192，其覆盖基座130的周围侧面和/或容置凹槽134的内表面，并连接第一导线架140。如此，在传感芯片120的封装与使用过程中，当静电累积至一定程度而产生放电现象时，由于驱动芯片170与第一导通孔150电性连接，故驱动芯片170很容易受到静电放电的影响而被损害，因此，上述的第一导线架140及基座接地/屏蔽层192可作为接地层或电磁屏蔽层之用，以降低静电放电及电磁干扰的影响。并且，基板110还可包括基板接地/屏蔽层190，其完全覆盖基板110的周围侧面以达到接地和/或电磁屏蔽的效果。

具体而言，基座接地/屏蔽层192的作法可例如先将基座130以模具成型的方式形成于第一导线架140上，并利用雷射对基座130材料中的非导电金属复合物进行金属化。之后再对基座130进行电镀以形成电极139、第一图案化线路层160及覆盖基座130的周围侧面和/或容置凹槽134的内表面的基座接地/屏蔽层192。基板接地/屏蔽层190还可利用相似于上述的作法制成。

此外，为了防止基座130与层状的第一导线架140发生脱层的情形，第一导线架140还可包括多个如图1A及图1B所示的阶梯状通孔142，其设置于第一导线架140，其中，各阶梯状通孔142包括顶盖部142a以及连接顶盖部142a的连接部142b。顶盖部142a的最小直径大于连接部142b的最大直径。如此，通过模具成型的方式形成基座130于第一导线架140上时，基座130便可填入阶梯状通孔142内，也就是说，基座130会对应包括多个阶梯状凸起以与对应的阶梯状通孔142嵌合。如此，封装结构100a便可通过阶梯状通孔142来增强基座130与第一导线架140之间的结合力，减少脱层的情形发生。

同样地，第二导线架180还可包括阶梯状通孔184，其结构相同于阶梯状通孔142。如此，通过模具成型的方式形成基板110于第二导线架180上时，基板110便可填入阶梯状通孔184内，以与对应的阶梯状通孔184嵌合。封装结构100a便可通过阶梯状通孔184来增强基板110与第二导线架180之间的结合力，减少脱层的情形发生。

图9是依照本发明的一实施例的一种导线架的上视示意图。图10是图9的导线架的剖面示意图。图11是图9的导线架的另一剖面示意图。请先参照图9至图11，详细而言，本实施例的第二导线架180可包括多个如图9所示的多个阶梯状通孔184以及止挡环186，其如图9所示的环绕贯孔H1且与贯孔H1的外周缘维持间距G1，通过止挡环186的设置，可以防止在通过模具成型的方式灌胶以形成基板110于第二导线架180上时发生溢胶而使胶体流入贯孔H1内的问题。

图12是图11的导线架与基板结合的剖面示意图。图13是图12的导线架与基板结合的上视示意图。须说明的是，为了更清楚区分导线架与基板，图12及图13中的导线架区域以斜线标示。请同时参照图12及图13，在本实施例中，阶梯状通孔184可贯穿至第二导线架180，其中，各阶梯状通孔184包括顶盖部184a以及连接顶盖部184a的连接部184b。连接部184b可例如位于面向基座130的表面，顶盖部184a则位于背离基座130的表面，且顶盖部184a的最小直径大于连接部184b的最大直径。如此，通过模具成型的方式由图12所示的箭头方向灌胶，以形成基板110于第二导线架180上时，胶体便可填入阶梯状通孔184内，以形成与第二导线架180的阶梯状通孔184彼此嵌合的基板110，因而可增强基板110与第二导线架180之间的结合力，减少脱层的情形发生。综上所述，本发明的封装结构利用阶梯部的设计将线路有效地连接至基座的接合面及相对接合面的背面，提升线路的设计弹性，并且，阶梯部可用以容置封装结构的驱动芯片，提升封装结构的空间利用率。此外，本发明的基座和/或基板的材料包括可选择性电镀介电材，以利用其可选择性电镀的特性直接于其表面上直接化镀及电镀而形成图案化线路层、导通孔或是接垫等导电结构。并且，据此形成的图案化线路层可符合微细线路的标准，还提供了封装结构上的连接线路的设计弹性。并且，可选择性电镀介电材可通过模塑(molding)的方式定型，故对其厚度及外型上具有较大的设计弹性，进而可轻易将基座/基板的厚度控制在100微米以下，因此，本发明的封装结构不仅可提升其设计弹性，还可轻易符合细线路的标准，且可有效减化制程步骤及降低封装结构的整体厚度。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求范围所界定的为准。

Claims (25)

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

基板，包括组件设置区以及多个电极接点，多个所述电极接点设置于该组件设置区的一侧；

传感芯片，设置于该组件设置区并与多个所述电极接点电性连接；

基座，以接合面罩覆于该基板上并包括容置凹槽、延伸斜面以及多个电极，该延伸斜面连接于该容置凹槽的底面与该接合面之间，多个所述电极设置于该接合面并分别与多个所述电极接点电性连接，该传感芯片位于该容置凹槽的对应区域内；

第一导线架，设置于该基座；以及

多个第一导通孔，贯穿该基座并电性连接至该第一导线架；以及

第一图案化线路层，设置于该延伸斜面上以电性连接多个所述第一导通孔与多个所述电极；

第二导线架，设置于该基板；

多个第二导通孔，贯穿该基板并电性连接至该第二导线架；以及

第二图案化线路层，设置于该基板并电性连接至多个所述第二导通孔及多个所述电极接点。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该基座包括阶梯部，突出于该容置凹槽的该底面，该延伸斜面由该阶梯部的顶面延伸至该接合面，且多个所述第一导通孔贯穿该阶梯部以电性连接该第一导线架。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该基座与该基板的材料包括可选择性电镀介电材，其中包括非导电的金属复合物。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，该可选择性电镀介电材包括环氧树脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、双马来酰亚胺-三嗪树脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、液晶高分子、聚酰胺、尼龙6、共聚聚甲醛、聚苯硫醚或环状烯烃共聚物。

5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，该非导电的金属复合物中的金属包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、钛或其任意组合。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括驱动芯片，设置于该基板上，该驱动芯片电性连接至该传感芯片以及多个所述电极接点。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，该传感芯片包括微机电系统传感芯片，该驱动芯片包括专用集成电路。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该基板还包括多个电极开口，多个所述电极接点分别内嵌于多个所述电极开口，且多个所述电极接点的上表面低于该基板的接合表面。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，多个所述电极突出于该接合面，以与多个所述电极开口嵌合并与多个所述电极接点接触。

10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该第一导线架包括多个电性连接该传感芯片的外部接垫，该基座相对于该接合面的背面暴露多个所述外部接垫。

11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该第二导线架覆盖该基板背离该基座的背面。

12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，还包括基板接地/屏蔽层以及基座接地/屏蔽层，该基板接地/屏蔽层覆盖该基板的周围侧面并连接该第二导线架，该基座接地/屏蔽层覆盖该基座的周围侧面和/或该容置凹槽的内表面，并连接该第一导线架。

13.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，该第二导线架还包括多个阶梯状通孔，其贯穿该第二导线架，且该基板还包括多个阶梯状凸起以与对应的阶梯状通孔嵌合，其中各该阶梯状通孔包括顶盖部以及连接该顶盖部的连接部，该顶盖部的最小直径大于该连接部的最大直径。

14.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该第一导线架还包括多个阶梯状通孔，其贯穿至该第一导线架，且该基座还包括多个阶梯状凸起以与对应的阶梯状通孔嵌合，其中各该阶梯状通孔包括顶盖部以及连接该顶盖部的连接部，该顶盖部的最小直径大于该连接部的最大直径。

15.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，还包括贯孔，贯穿该基板及该第二导线架，以暴露部分该传感芯片。

16.根据权利要求15所述的封装结构，其特征在于，该第二导线架还包括止挡环，环绕该贯孔且与该贯孔的外周缘维持间距。

17.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该第二导线架包括多个电性连接该传感芯片的外部接垫。

18.根据权利要求17所述的封装结构，其特征在于，还包括贯孔，贯穿该基板及该第二导线架，以暴露部分该传感芯片。

19.根据权利要求18所述的封装结构，其特征在于，该第二导线架还包括止挡环，环绕该贯孔且与该贯孔的外周缘维持间距。

20.根据权利要求17所述的封装结构，其特征在于，该第一导线架设置于相对于该接合面的背面，并覆盖该第一导线架的该背面。

21.根据权利要求20所述的封装结构，其特征在于，还包括基板接地/屏蔽层以及基座接地/屏蔽层，该基板接地/屏蔽层覆盖该基板的周围侧面并连接该第二导线架，该基座接地/屏蔽层覆盖该基座的周围侧面和/或该容置凹槽的内表面，并连接该第一导线架。

22.根据权利要求20所述的封装结构，其特征在于，该第一导线架还包括多个阶梯状通孔，贯穿至该第一导线架，且该基座还包括多个阶梯状凸起以与对应的阶梯状通孔嵌合，其中各该阶梯状通孔包括顶盖部以及连接该顶盖部的连接部，该顶盖部的最小直径大于该连接部的最大直径。

23.根据权利要求17所述的封装结构，其特征在于，该第二导线架还包括多个阶梯状通孔，贯穿至该第二导线架，且该基板还包括多个阶梯状凸起以与对应的阶梯状通孔嵌合，其中各该阶梯状通孔包括顶盖部以及连接该顶盖部的连接部，该顶盖部的最小直径大于该连接部的最大直径。

24.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括黏着胶材，该黏着胶材为非导电胶或导电胶，设置于该接合面与该基板之间，以贴合该基座与该基板。

25.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该第一图案化线路层的底面低于该延伸斜面以及该基座的顶面，且该第二图案化线路层的底面低于该基板的顶面。