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CN107516627A - 对称等离子体处理室 - Google Patents

对称等离子体处理室 Download PDF

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CN107516627A CN201710702460.2A CN201710702460A CN107516627A CN 107516627 A CN107516627 A CN 107516627A CN 201710702460 A CN201710702460 A CN 201710702460A CN 107516627 A CN107516627 A CN 107516627A
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Abstract

本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。

Description

对称等离子体处理室
本申请是2012年10月8日提交的、优先权日为2011年10月5日、名称为“对称等离子体处理室”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明一般涉及用于制造其中等离子体被施加在电极之间的RF功率激发的衬底的等离子体处理设备。更具体地，本发明涉及为改进的等离子体均匀控制而提供电、气体流和热对称的等离子体处理室。
背景技术
诸如平板显示器和集成电路的电子装置通过一系列处理步骤来制造，其中，层沉积在衬底上，并且沉积的材料被蚀刻为期望的图案。处理步骤通常包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子增强CVD(PECVD)和其他等离子体处理。具体地，等离子体处理要求将处理气体混合物供应到真空处理室，并施加电或者电磁功率(RF功率)以将处理气体激发到等离子体状态。等离子体将气体混合物分解成执行期望的沉积或者蚀刻处理的离子颗粒。
等离子处理遇到的一个问题是与在处理过程中在衬底的表面上建立均匀的等离子体密度相关的困难，这会导致在衬底的中心和边缘区域之间不均匀的处理。建立均匀等离子体密度的困难的一个原因涉及由于物理处理室设计的不对称而造成的固有的电、气流和热差异(skew)。这种差异不仅造成固有地、方位角的、非均匀等离子体密度，而且还难以使用其他处理变量或者“旋钮”来控制中心到边缘的等离子体均匀性。
因而，存在对提高电、气流和热对称性以提高等离子体均匀控制的等离子体处理设备的需要。
发明内容
在本发明的一个实施例中，提供一种等离子体设备，包括盖组件和室体，其围成处理区域。衬底支撑组件设置在室体中。设置在室体内限定抽真空区域的排气组件。室体包括围绕衬底支撑组件的中心轴线对称设置并将处理区域与抽真空区域流体连接的多个通路(passage)。衬底支撑组件包括下电极和设置在中心区域中的支撑基座，中心区域与处理和抽真空区域流体地密封。多个进出管贯穿室体定位以提供到中心区域的进出，并布置成围绕衬底支撑组件的中心轴线而对称布置。
在另一实施例中，等离子体设备包括盖组件和室体，其围成处理区域。衬底支撑组件设置在室体中。盖组件包括上电极，其具有构造成将处理气体分配到处理区域中的中心歧管和构造成将处理气体分配到处理区域中的一个或者多个外部歧管。盖组件还包括环形歧管，其经由多个气体管耦合到一个或者多个外部歧管，气体管围绕衬底支撑组件的中心轴线对称地布置。
在另一实施例中，等离子体设备包括：盖组件和室体，其围成处理区域。衬底支撑组件设置在室体中。上衬里设置在室体内并包围处理区域。上衬里具有圆柱形壁，该圆柱形壁具有多个槽，该多个槽贯穿设置并围绕衬底支撑组件的中心轴线对称地布置。背衬耦合到圆柱形壁并覆盖多个槽中的至少一者。网衬围绕衬底支撑组件环形地设置，并电耦合到上衬里。
附图说明
以本发明以上所述的特征能被详细理解的方式，通过参照实施例，对以上简要概括的本发明进行更具体地描述，实施例的一部分图示在附图中。然而，要注意，附图仅仅图示本发明的典型实施例，因而不能认为限制其范围，因为本发明允许其他等同的实施例。
图1是根据本发明的一个实施例的等离子体处理设备的示意横截面视图。
图2是图1的处理设备的上电极的示意顶视图。
图3A是设置在室体的上部内包围图1的处理设备的处理区域的上衬里组件的示意等距视图。
图3B是室体和上衬里组件的一部分的局部、横截面视图。
图4是沿着图1所示的线4-4所取的处理设备的示意视图。
图5是延伸通过图1的处理设备的进出管的布局的示意描述。
具体实施方式
如之前提及，传统的等离子体系统的问题是由于室的不对称而难以提供均匀等离子体密度。本发明的实施例通过提供允许极其对称的电、热和气流传导通过室的室设计而缓解此问题。通过提供这种在室内形成的对称、等离子体，已经提高了设置在室的处理区域中的衬底的表面上均匀性。此外，其他室的附加情况，诸如提供操纵上下电极之间以及气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力，与传统的系统相比提供能更好地控制等离子处理和均匀性的大的处理窗。
图1是根据本发明的一个实施例的等离子体处理设备100的示意横截面视图。等离子体处理设备100可以是等离子体蚀刻室、等离子体增强化学气相沉积室、物理气相沉积室、等离子体处理室、离子植入室或者其他适合的真空处理室。如图1所示，等离子体处理设备100一般包括室盖组件110、室体组件140和排气组件190，它们一起围成处理区域102和抽真空区域104。在实践中，处理气体引入到处理区域102中，并使用RF功率点燃成等离子体。衬底105定位在衬底支撑组件160上，并暴露到在处理区域102中产生的等离子体，以在衬底105上执行等离子体处理，诸如蚀刻、化学气相沉积、物理气相沉积、植入、等离子体退火、等离子体处理、除尘或者其他等离子体处理。通过排气组件190在处理区域102中维持真空，该排气组件190通过抽真空区域104从等离子体处理去除已经使用的处理气体和副产品。
盖组件110一般包括从室体组件140隔离并被室体组件140支撑的上电极(或者阳极)和包围上电极112的室盖114。图2是上电极112的示意顶视图。上电极112经由导电的气体入口管126而耦合到RF功率源103。导电的气体入口管126与室体组件140的中心轴线(CA)同轴，使得RF功率和处理气体对称设置。上电极112包括附接到传热板118的喷头板116。喷头板116、传热板118和气体入口管126都由诸如铝或者不锈钢的RF导电材料制成。
喷头板116具有中心歧管120和一个或者多个外部歧管122。一个或者多个外部歧管122包围中心歧管120。中心歧管120通过气体入口管126接收来自气体源106处理气体，并将接收到的处理气体通过多个气体通路121而分配到处理区域102的中心区域。一个或多个外部歧管122从气体源106接收处理气体，该气体可以是与在中心歧管120中接收到的气体相同或者不同的混合物。一个或多个外部歧管122然后将所接收到的处理气体通过多个气体通路123而分配到处理区域102的外部。歧管120、122具有足够的体积以用作增压室，使得均匀的压力提供到与各个歧管120、122相关的每个气体通路121。喷头板116的双歧管构造允许提高对气体输送到处理区域102中的控制。例如，提供到处理区域102的中心部分因而提供到位于其中的衬底105的中心部分的处理气体可以以与提供到处理区域102的外部因而衬底105的外部的处理气体不同的流速和/或压力引入。与传统的单歧管版本相反，多歧管喷头板116能够增强对处理结果的中心到边缘的控制。
参照图1和图2可见，来自气体源的处理气体通过入口管127输送到围绕入口管126共心地设置的环形歧管128。处理气体从环形歧管128通过多个气体管129输送到一个或多个外部歧管122。在一个实施例中，环形歧管128包括回归气体路径以确保气体从环形歧管128平均地流入气体管129中。环形歧管128和气体管129由诸如铝或者不锈钢的导电材料制造。因而，环形歧管128和气体管129可以影响RF电流的对称性，造成上电极112提供的电场的差异，潜在地造成处理区域102内等离子体均匀性的效果。
为了防止电场中的这种差异，气体管129绕竖直延伸通过处理设备100的中心轴线(CA)对称地定位。因而，气体管129以等角度(A)从中心定位的环形歧管128延伸，以输送处理气体通过冷却板118，并进入到外部歧管122中。例如，图2中所示的实施例描述了120度的角度间隔开的三个气体管129。在其他示例(未示出)中，可以使用更多或者更少的气体管129，只要它们围绕中心轴线(CA)对称地(即，彼此等角度(A)地)定位。通过采用环形歧管并围绕中心轴线(CA)对称地布置气体管129，上电极112的电气对称性相较于传统的系统显著地得到改善，从而在处理区域102中得到更均匀和一致的等离子体形成。附加地，气体管129的对称布置将气体以均匀环形阵列提供到外部歧管122中，由此在外部歧管122内提供方位角均匀压力分布，结果，提供通过外部歧管122到处理区域102中气体的方位角均匀的流动，由此，增强处理均匀性。
传热流体从流体源109通过流体入口管130输送到传热板118。流体循环通过设置在传热板118中的一个或者多个流体通道(channel)119，并经由流体出口管131返回到流体源109。适合的传热流体包括水、水基乙二醇混合物、全氟聚醚(例如，流体)、油基传热流体或者类似的流体。
流体入口管130和流体出口管131各由诸如适合的塑料材料的非导电材料制造。因而，管子自身不影响上电极112的电气对称。然而，配件132由诸如铝或者不锈钢的导电材料制造，因而可以影响上电极112的电气对称，因而造成差异效果。因而，导电塞133由与配件132相同的材料制造并具有相同尺寸和形状，并如图2所示围绕中心轴线(CA)对称地设置，使得塞子133和配件132一起限定以室体组件140的中心轴线(CA)为中心的环形阵列。导电塞133的添加提高了上电极112的电气对称，造成在处理区域102中比传统的系统更均匀和一致的等离子体形成。
回来参照图1，室体组件140包括由对处理环境有耐性的导电材料(诸如铝或者不锈钢)制造的室体142。衬底支撑组件160设置在室体142的中心，并定位成在处理区域102中围绕中心轴线(CA)对称地支撑衬底105。
图3A是设置在室体142的上部内并包围处理区域102的上衬里组件144的示意等距视图。上衬里组件144可以由诸如铝、不锈钢和/或氧化钇(例如，涂覆氧化钇的铝)的导电、处理兼容的材料构造。在实践中，上衬里组件144遮蔽室体142的上部免受处理区域102中的等离子体，并可移除以允许周期性地清洁和维护。在一个实施例中，上衬里组件144的温度受到控制，诸如通过AC加热器(未示出)，以增强室内的热对称和设置在处理区域102中的等离子体的对称。
参照图1和图3A，室体142包括对上衬里组件144的外凸缘145进行支撑的壁架143。上衬里组件144的内凸缘146支撑上电极112。绝缘体113定位在上衬里组件144和上电极112之间以提供室体组件140和上电极112之间的电气绝缘。
上衬里组件144包括附接到内凸缘146和外凸缘145的外壁147、底壁148和内壁149。外壁147和内壁149是大致竖直的圆柱形的壁。外壁147定位成对于室体142屏蔽处理区域102中的等离子体，并且内壁149定位成对于衬底支撑组件160的一侧至少部分地屏蔽处理区域102中的等离子体。底壁148除了在形成抽真空通路189的某些区域之外将内壁149和外壁147结合起来，这些区域随后将在此处讨论。
回来参照图1，通过设置在室体142中的狭缝阀隧道141而进入处理区域102，狭缝阀隧道允许衬底105从衬底支撑组件160进入和移除。上衬里组件144具有贯穿设置的槽150，其与狭缝阀隧道141匹配以允许衬底105贯穿通过。室体组件140包括狭缝阀门组件151，其包括定位和构造成使得狭缝阀门153竖直延伸以密封狭缝阀隧道141和槽150并使得狭缝阀门153竖直收缩以允许通过狭缝阀隧道141和槽150进入的致动器152。狭缝阀门组件151及其部件在附图没有以阴影绘制，以使附图的杂乱最小。狭缝阀门153可以由与上衬里组件144的材料(例如，涂有氧化钇的铝)大致匹配的材料构成，以在衬里中提供增大的电气对称。在一个实施例中，狭缝阀门153的温度受到控制，诸如通过AC加热器(未示出)，以与上衬里组件144的温度匹配，以在处理区域102中提供增大的热对称。
参照图3A，附加槽154与槽150的尺寸和形状大致匹配，并贯穿上衬里组件144设置。附加槽154贯穿上衬里组件144围绕中心轴线(CA)对称地设置。例如，如图3A所示，两个附加槽154以与槽150成120度的角度设置，使得槽150和附加槽154形成围绕中心轴线(CA)的环形阵列。附加槽154围绕上衬里组件144对称地设置，以补偿由于槽150的存在而引起的上衬里组件144中出现的电流密度和/或分布的变化。此外，槽150和附加槽154可以按照各个气体管129定位，以在室中提供改善的电气对称。
图3B是室体142和上衬里组件144的一部分的局部横截面视图。可以设置背衬155，以附接和覆盖上衬里组件144的附加槽154。背衬155的尺寸、形状和构成材料可以确定为模仿狭缝阀门153。背衬155还与上衬里组件144导电接触，以维持与上衬里组件144的电气和热接触。因而，背衬155还提供围绕上衬里组件144的电以及热对称，以相较于传统的系统在处理区域102内实现更均匀等离子体密度。
图4是沿着图1所示的线4-4所取的处理设备100的示意图，且为了清楚而将衬底105移除。参照图1和图4，衬底支撑组件160对称设置在室体组件140的中心区域156内，并共用中心轴线(CA)。即，中心轴线(CA)竖直经过衬底支撑组件160的中心。衬底支撑组件160一般包括下电极161(或者阴极)和中空基座162，并被中心支撑构件157支撑，其中，中心轴线(CA)经过中空基座162的中心，中心支撑构件157设置在中心区域156中并被室体142支撑。中心轴线(CA)还经过中心支撑构件157的中心。下电极161通过随后要描述的匹配网络(未示出)和经过中空基座162的缆线(未示出)耦合到RF功率源103。当RF功率供应到上电极112和下电极161时，形成在之间的电场将处理区域102中存在的处理气体点燃成等离子体。
中心支撑构件157诸如通过紧固件和O环(未示出)而被密封到室体142，并且下电极161诸如通过波纹管158被密封到中心支撑构件157。因而，中心区域156被从处理区域102密封，并可以维持在大气压力下，同时处理区域102维持在真空的条件下。
致动组件163定位在中心区域156内，并附接到室体142和/或中心支撑构件157。注意，致动组件163在没有绘制阴影的情况下示出以使附图的杂乱最小。致动组件163包括致动器164(例如，电动机)、丝杠165和附接到基座162的螺母166。在实践中，致动器164使丝杠165旋转，丝杠165又使螺母166旋转因而基座162升高或者降低。由于下电极161被基座162支撑，致动组件163提供下电极161相对于室体142、中心支撑构件157和上电极112的竖直移动。因为下电极161在处理区域102内的这种竖直移动提供下电极161和上电极112之间可变的间隙，从而允许增大对之间形成的电场的控制，进而提供对在处理区域102中形成的等离子体的密度的更大的控制。此外，由于衬底105被下电极161支撑，衬底105和喷头板116之间的间隙还可以变化，造成对衬底105上的处理气体分布更大的控制。
还设置等离子体屏159，其由下电极161支撑，并与上衬里组件144的内壁149重叠，以保护衬底支撑组件160和波纹管158免受处理区域102中的等离子体。由于等离子体屏159耦合到基座162并相对于基座162竖直移动，等离子体屏159和上衬里组件144的内壁149之间的重叠足以允许基座162在等离子体屏159和上衬里组件144分离的情况下享有充分的移动范围，并允许基座162下方的区域暴露以暴露于处理气体。
衬底支撑组件160还包括升降销组件167以便于衬底105的装载和卸载。升降销组件167包括附接到升降销板169的升降销168。升降销板169设置在下电极161内的开口170内，并且升降销168延伸通过设置在开口170和处理区域102之间的升降销孔171。升降销板169耦合到丝杠172，丝杠172延伸通过下电极161中的开口173，并进入到中空基座162中。致动器195(例如，电动机)可以定位在基座162上。注意，致动器195在没有绘制阴影的情况下示出以使附图杂乱最小化。致动器195使螺母旋转，从而使丝杠172前进或者后退。丝杠172耦合到升降销板169。因而，随着致动器195使丝杠172升高或者降低升降销板169，升降销168延长或者收缩。因而，不管下电极161的竖直定位如何，致动器195都允许升降销168延长或者收缩。通过提供这样的升降销169的分开致动，能与下电极161的竖直定位分开地改变衬底105的竖直定位，从而允许在衬底105的装载和卸载过程中以及在衬底105的处理过程中对定位的更大的控制，例如通过在处理过程中升降衬底以允许背侧气体从衬底的下方逃逸。
衬底支撑组件160还包括将开口170与排气区域104耦合的通气管路174。通气管路174沿着中心行进通过中空的基座162，并通过多个进出管(access tube)180中的一者而离开室体142，如随后所述，进出管180以轮辐的图案围绕中心轴线(CA)对称地布置。通气管路174为开口170的抽空而设置，以去除会经由升降销孔171而泄露到开口170中的任何处理气体。此外，开口170的抽空还有助于去除会存在于衬底105的背侧的任何处理气体，该衬底105设置在下电极161或者升降销168上。
衬底支撑组件160还可以包括贯穿设置并经由气体供应管路178而耦合到惰性气体供应177的气体端口176。气体供应177将诸如氦的惰性气体通过气体供应管路178和气体端口176而供应到衬底105的背侧，以帮助阻止处理气体处理衬底105的背侧。气体供应管路178还通过中空基座162行进，并通过多个进出管180中的一者而离开室体142。
衬底支撑组件160还可以包括从热交换流体源198通过下电极161中的一个或者多个热交换通道(未示出)而行进的一个或者多个流体入口管路179和流体出口管路181，以在处理过程中提供对下电极161的温度控制。流体入口管路178和流体出口管路181从下电极161行进通过中空基座162，并通过多个进出管180中的一者而离开室体142。
在一个实施例中，衬底支撑组件160还可以包括设置在下电极161中的一个或者多个温度传感器182，以便于下电极161的温度控制。
在一个实施例中，下电极161是静电吸盘，因而包括设置在其中的一个或者多个电极(未示出)。在处理过程中，电压源(未示出)相对于衬底105而对该一个或者多个电极加偏压，以形成吸引力以将衬底105保持就位。将一个或者多个电极耦合到电压源的缆线行进通过中空基座162，并通过多个进出管180中的一者而离开室体142。
图5是室体组件140的轮辐191内的进出管180的布局的示意描述。参照图1和图5，轮辐191和进出管180以所示的轮辐图案围绕处理设备100的中心轴线(CA)对称布置。在所示的实施例中，三个相同的进出管180设置成穿过室体142进入中心区域156中以便于将多个管道和缆线从室体142的外部供应到下电极161。为了便于下电极162的竖直移动，通过每个进出管180的开口183大致等于下电极161的竖直行程。例如，在一个构造中，下电极162可竖直移动约7.2英寸的距离。在此情况下，每个进出管180中开口183的高度也为约7.2英寸。保持这些距离大致相等有助于使得所要求的缆线的长度最小，并防止在下电极161的竖直移动过程中缆线的缠绕和磨损。此外，轮辐191的宽度(W)最小化，使得提供高的纵横比(高度：宽度)，使得用于抽真空通路189的敞开面积得到提高，同时还允许足够的空间供使用(例如，气体、配线)。这种构造降低排气气体的流动阻力，导致由于泵送和更小成本的泵而降低能耗。
为了进一步便于缆线行进到下电极161，缆线的行进路线在多个进出管180之间划分。例如，流体管路179、181、气体供应管路178和真空管174可以都设置成通过进出管180a；用于温度传感器184的缆线和其他电缆(例如，到致动器164、195)可以设置成通过进出管180b；并且RF电压馈送和其他电极(例如，到用于卡夹功能的电极)可以设置成通过进出管180c。因而，从室体142的外部到下电极162的电缆的数目和体积在进出管180之间划分，以使进出管180的尺寸最小化，同时提供足够的间隙以便于下电极161的移动。
进出管180可以由诸如铝或者不锈钢的材料构成。进出管180的对称轮辐布置设计成进一步便于处理设备100的电气和热对称。在一个实施例中，进出管180以120度间隔开定位，并且每个进出管180与各个气体管129对齐。进出管180的对称布置还在室体142中尤其是在处理区域102中提供电气和热对称，以在处理过程中允许在处理区域102中形成更加均匀的等离子体，并改善对衬底105的表面上等离子体密度的控制。
回来参照图1和图4，抽真空通路189围绕中心轴线(CA)对称地定位在上衬里组件144中。抽真空通路189允许将来自处理区域102的气体通过抽真空区域104并通过排气端口196而离开室体142而抽空。排气端口196围绕室体组件140的中心轴线(CA)定位在中心，使得气体均匀地抽吸经过抽真空通路189。抽空衬里187可以分别定位在设置在室体142中的抽空管道188中每个抽真空通路189的下方，以在处理过程中保护室体142免受处理气体。抽空衬里187可以由类似于如上所述的上衬里组件144的材料构造。
抽空管道188定位成远离处理区域102，使得基本上没有电气相互作用存在。然而，抽空管道188围绕中心轴线(CA)的对称定位在处理设备100内提供改进的热和气流对称。例如，抽空管道188围绕中心轴线(CA)并且因而处理区域的对称定位促进从处理区域102对称地去除气体，造成气体在衬底105上对称流动。此外，抽空管道188和抽空衬里187的对称定位促进室中热分布的对称。因而，在处理设备100中抽空管道188的对称定位便于在处理区域102中形成均匀的等离子体，并允许对处理区域102中的等离子体密度和气体流动更大的控制。
排气组件190在室体142的底部与抽真空区域104相邻定位。排气组件可以包括耦合到真空泵194的节流阀192。节流阀192可以是提升阀，其与真空泵194结合使用，通过从处理区域102经过抽真空通路189并通过中心定位的排气端口196而从室对称地抽吸排气气体来控制处理区域102内的真空状况，并进一步提供对处理区域102中的等离子体状况的更大的控制。提升阀如图1所示提供均匀的360度间隙199，抽空气体通过该间隙被抽吸经过排气端口196。相反，传统的阻尼式节流阀提供了非均匀间隙供抽空气体流动。例如，当阻尼式阀打开时，阀的一侧吸出比阀的另一侧更多的气体。因而，提升节流阀相较于在等离子体处理室中传统使用的传统的阻尼式节流阀对差异的气体传导具有更小的影响。
再次，参照图1和图4，导电的倾斜网衬400定位在上衬里组件144的下部中。倾斜的网衬400可以由诸如铝、不锈钢和/或者氧化钇(例如，涂有氧化钇的铝)的导电的、处理兼容的材料构成。倾斜的网衬400可以具有底壁402和从底壁402以向外和向上的角度延伸的外壁404。外壁404可以具有多个贯穿形成的开孔410。开孔410可以围绕倾斜网衬400的中心轴线对称定位，以允许排气气体被贯穿地均匀抽吸，这便于在处理区域102中形成均匀的等离子体，并允许对处理区域102中等离子体密度和气体流动更大的控制。在一个实施例中，倾斜网衬400的中心轴线与室体组件140的中心轴线(CA)对齐。
网衬400的底壁402可以电耦合到上衬里组件144的底壁148和/或者内壁149。附加地，网衬400的外壁404可以电耦合到上衬里组件144的外壁147。当RF等离子体出现在处理区域102内时，寻找向接地的返回路径的RF电流可以沿着网衬400的表面行进到上衬里组件144的外壁147。因而，网衬400的环形对称构造提供到接地的对称RF返回，并绕过上衬里组件400的下部中的任何RF对称。
因而，本发明的实施例通过提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计，解决了传统的等离子体系统中由于室的不对称而难以提供均匀等离子体密度的问题。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
尽管前述涉及本发明的实施例，但是本发明的其他和进一步的实施例可以在不脱离其基本范围的情况下进行设计，并且其范围由权利要求确定。

Claims (20)

1.一种等离子体处理设备，包括：
盖组件和室体，所述盖组件和所述室体围成处理区域；
排气组件，所述排气组件在所述室体内限定抽真空区域；
中心支撑构件，所述中心支撑构件在所述盖组件下方耦合至所述室体；
衬底支撑组件，所述衬底支撑组件设置在所述处理区域与所述抽真空区域之间且能移动地耦合至所述中心支撑构件，所述衬底支撑组件包括下电极和支撑基座，所述下电极密封至所述中心支撑构件，以便围成中心区域并将所述中心区域从所述处理区域和所述抽真空区域隔离；
多个抽真空通道，所述多个抽真空通道围绕所述衬底支撑组件对称地设置，并且将所述处理区域与所述抽真空区域流体地耦合；
多个进出管，所述多个进出管贯穿所述室体且在所述中心支撑构件下方定位以提供对所述中心区域的进出。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述室体具有排气端口，所述排气端口贯穿所述室体形成，所述排气端口围绕所述衬底支撑基座的中心轴线是对称的。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述盖组件包括上电极，所述上电极具有：中心歧管，所述中心歧管配置成将处理气体分配到所述处理区域中；以及一个或多个外部歧管，所述一个或多个外部歧管配置成将处理气体分配到所述处理区域中。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理设备，其中，所述盖组件还包括环形歧管，所述环形歧管经由多个气体管耦合到所述一个或多个外部歧管，所述多个气体管围绕所述衬底支撑组件的中心轴线对称地布置。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述盖组件包括：
各自都具有导电配件的流体入口和流体出口；以及
多个导电塞，其中，所述导电配件和导电塞围绕所述衬底支撑组件的中心轴线对称地布置。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，还包括：
真空管，所述真空管设成贯穿所述进出管中的一者，并流体地耦合到设置在所述下电极内的一个或多个升降销孔。
7.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，还包括：
第一致动装置，所述第一致动装置设置在所述中心区域内，耦合至所述中心支撑构件，并配置成将所述衬底支撑组件竖直地移动一距离。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其中，所述距离与所述进出管中的每一个进出管的开口的竖直长度基本上相等。
9.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，还包括：
第二致动装置，所述第二致动装置设置在所述中心区域内，并配置成竖直地移动设置在所述衬底支撑组件内的多个衬底支撑销。
10.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，还包括：
上衬里，其中所述上衬里包围所述处理区域，其中所述上衬里具有圆柱形壁，所述圆柱形壁具有多个槽，所述多个槽贯穿所述圆柱形壁而设置并围绕所述衬底支撑组件的中心轴线对称地布置。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理设备，还包括：
背衬，所述背衬耦合到覆盖所述多个槽中的至少一者的所述圆柱形壁。
12.根据权利要求10所述的等离子体处理设备，还包括：
网衬，所述网衬围绕所述衬底支撑组件环形地设置并电耦合至所述上衬里。
13.根据权利要求12所述的等离子体处理设备，其中所述网衬耦合至所述上衬里的底壁且具有贯穿所述网衬设置的多个开孔，所述多个开孔围绕所述网衬的中心轴线对称地布置。
14.一种等离子体处理设备，包括：
盖组件和室体，所述盖组件和所述室体围成处理区域，其中所述盖组件包括：
上电极，所述上电极具有：中心歧管，所述中心歧管构配置成将处理气体分配到所述处理区域中；以及一个或多个外部歧管，所述一个或多个外部歧管配置成将处理气体分配到所述处理区域中；以及
环形歧管，所述环形歧管经由多个气体管耦合到所述一个或多个外部歧管，所述多个气体管围绕竖直轴线对称地布置；以及
多个抽真空通道，所述多个抽真空通道围绕所述室体中的所述竖直轴线对称地设置；
中心支撑构件，所述中心支撑构件在所述盖组件下方耦合至所述室体；以及
衬底支撑组件，所述衬底支撑组件在所述室体中、在所述处理区域与所述抽真空区域之间、围绕与所述竖直轴线共线的中心轴线而设置，其中所述衬底支撑组件能移动地耦合至所述中心支撑构件且包括：
下电极和支撑基座，所述下电极和所述支撑基座设置在所述室体的中心区域中，密封至所述中心支撑构件，并将所述中心区域从所述处理区域流体地密封；以及
多个进出管，所述多个进出管贯穿所述室体而定位以提供对所述中心区域的进出，所述多个进出管从设置在所述支撑基座下方的所述室体水平地延伸。
15.根据权利要求14所述的等离子体处理设备，其中，所述盖组件还包括：
各自都具有导电配件的流体入口和流体出口；以及
多个导电塞，其中，所述导电配件和导电塞围绕所述衬底支撑组件的中心轴线对称地布置。
16.根据权利要求14所述的等离子体处理设备，其中所述衬底支撑组件包括第一致动装置，所述第一致动装置设置在所述中心区域内，耦合至所述中心支撑构件，并配置成将所述衬底支撑组件竖直地移动一距离。
17.根据权利要求16所述的等离子体处理设备，其中，所述距离与所述进出管中的每一个进出管的开口的竖直长度基本上相等。
18.根据权利要求16所述的等离子体处理设备，还包括：
第二致动装置，所述第二致动装置设置在所述中心区域内，并配置成竖直地移动设置在所述衬底支撑组件内的多个衬底支撑销。
19.一种等离子体处理设备，包括：
盖组件和室体，所述盖组件和所述室体围成位于上衬里的底壁上方的处理区域：
中心支撑构件，所述中心支撑构件在所述盖组件下方耦合至所述室体；
衬底支撑组件，所述衬底支撑组件能移动地耦合至所述中心支撑构件并设置在所述处理区域与抽真空区域之间，其中所述衬底支撑组件包括：
下电极和支撑基座，所述下电极和所述支撑基座设置在所述室体的中心区域中，密封至所述中心支撑构件，以便围成所述中心区域并将所述中心区域从所述处理区域和所述抽真空区域隔离；以及
多个进出管，所述多个进出管贯穿所述室体而定位以提供对所述中心区域的进出，所述多个进出管从设置在所述中心支撑基座下方的所述室体水平地延伸，并且布置成围绕所述衬底支撑组件的中心轴线以轮辐的图案间隔开；
多个抽真空通路，所述多抽真空通路定位在所述上衬里的所述底壁中，所述上衬里围绕所述衬底支撑组件的中心轴线对称地设置；以及
多个抽真空通道，所述多个抽真空通道限定抽真空区域并围绕所述室体中的中心轴线对称地设置，每一个抽真空通道在所述多个进出管中的两个进出管之间、在所述多个抽真空通路中的对应的一个抽真空通路下方延伸，其中每一个进出管与所述处理区域竖直地间隔开。
20.根据权利要求19所述的等离子体处理设备，其中所述衬底支撑组件包括第一致动装置，所述第一致动装置设置在所述中心区域内，耦合至所述中心支撑构件，并配置成将所述衬底支撑组件竖直地移动一距离。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110571119A (zh) * 2019-09-05 2019-12-13 合肥晞隆光电有限公司 离子源放电室导气结构以及离子源
CN113394069A (zh) * 2020-03-13 2021-09-14 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN114284176A (zh) * 2021-12-21 2022-04-05 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及半导体加工设备

Families Citing this family (420)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
TWI502617B (zh) * 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
KR20120043636A (ko) * 2010-10-26 2012-05-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 ｃｖｄ 장치
CN103430285B (zh) * 2011-03-22 2016-06-01 应用材料公司 用于化学气相沉积腔室的衬里组件
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
TWI594667B (zh) * 2011-10-05 2017-08-01 應用材料股份有限公司 對稱電漿處理腔室
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10586686B2 (en) * 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
SG10201604037TA (en) * 2011-11-24 2016-07-28 Lam Res Corp Symmetric rf return path liner
US10170279B2 (en) 2012-07-20 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding
US9449794B2 (en) 2012-07-20 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna
US9082590B2 (en) 2012-07-20 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates
US9879684B2 (en) 2012-09-13 2018-01-30 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for shielding a controlled pressure environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
WO2014149200A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with highly symmetrical four-fold gas injection
KR102202406B1 (ko) * 2013-05-23 2021-01-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 처리 챔버를 위한 코팅된 라이너 어셈블리
US9837250B2 (en) * 2013-08-30 2017-12-05 Applied Materials, Inc. Hot wall reactor with cooled vacuum containment
KR101518398B1 (ko) * 2013-12-06 2015-05-08 참엔지니어링(주) 기판 처리 장치
CN104752131B (zh) * 2013-12-25 2017-07-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 上电极组件进气装置及上电极组件
JP6581602B2 (ja) * 2014-02-06 2019-09-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改善されたフローコンダクタンス及び均一性のため軸対称性を可能にするインラインｄｐｓチャンバハードウェア設計
CN104862667B (zh) * 2014-02-26 2017-04-19 甘志银 对称的气相沉积设备的反应腔体
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6660936B2 (ja) * 2014-04-09 2020-03-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改良されたフロー均一性／ガスコンダクタンスを備えた可変処理容積に対処するための対称チャンバ本体設計アーキテクチャ
US20150371889A1 (en) * 2014-06-20 2015-12-24 Applied Materials, Inc. Methods for shallow trench isolation formation in a silicon germanium layer
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
KR102262109B1 (ko) * 2014-08-01 2021-06-10 세메스 주식회사 플라즈마 발생 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 기판 처리 균일도 조절 방법
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
JP6544902B2 (ja) * 2014-09-18 2019-07-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6373160B2 (ja) * 2014-10-15 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR102438139B1 (ko) 2014-12-22 2022-08-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 높은 처리량의 프로세싱 챔버를 위한 프로세스 키트
US11333246B2 (en) * 2015-01-26 2022-05-17 Applied Materials, Inc. Chamber body design architecture for next generation advanced plasma technology
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10049862B2 (en) * 2015-04-17 2018-08-14 Lam Research Corporation Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and RF delivery
KR101682155B1 (ko) * 2015-04-20 2016-12-02 주식회사 유진테크 기판 처리 장치
KR101792941B1 (ko) * 2015-04-30 2017-11-02 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이 화학기상증착장치 및 그 세정방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US11004661B2 (en) * 2015-09-04 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Process chamber for cyclic and selective material removal and etching
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
JP6607795B2 (ja) * 2016-01-25 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
WO2017165016A1 (en) * 2016-03-25 2017-09-28 Applied Materials, Inc. Chamber liner for high temperature processing
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
JP6710783B2 (ja) * 2016-06-15 2020-06-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高出力プラズマエッチングプロセスのためのガス分配プレートアセンブリ
US11145495B2 (en) 2016-06-15 2021-10-12 Evatec Ag Vacuum treatment chamber and method of manufacturing a vacuum treated plate-shaped substrate
KR101680850B1 (ko) * 2016-06-28 2016-11-29 주식회사 기가레인 배기유로의 크기가 조절되는 플라즈마 처리 장치
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
US20180005851A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 Lam Research Corporation Chamber filler kit for dielectric etch chamber
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
WO2018039315A1 (en) * 2016-08-26 2018-03-01 Applied Materials, Inc. Plasma screen for plasma processing chamber
WO2018039578A1 (en) * 2016-08-26 2018-03-01 Applied Materials, Inc. Low pressure lift pin cavity hardware
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102587615B1 (ko) * 2016-12-21 2023-10-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치의 온도 조절기 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
CN108257840B (zh) * 2016-12-29 2021-03-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子处理装置
CN106783500A (zh) * 2017-01-03 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 镀膜设备
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10559451B2 (en) * 2017-02-15 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10510575B2 (en) 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10636629B2 (en) * 2017-10-05 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Split slit liner door
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
KR102470206B1 (ko) * 2017-10-13 2022-11-23 삼성디스플레이 주식회사 금속 산화막의 제조 방법 및 금속 산화막을 포함하는 표시 소자
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN108346554A (zh) * 2018-04-24 2018-07-31 西南林业大学 一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
TWI879056B (zh) 2018-05-11 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
JP7301075B2 (ja) * 2018-06-14 2023-06-30 エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド リモートプラズマ源用のラジカル出力モニタ及びその使用方法
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
JP6921796B2 (ja) 2018-09-28 2021-08-18 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理装置
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
JP7539873B2 (ja) * 2018-10-18 2024-08-26 ラム リサーチ コーポレーション ベベルエッチャ用の下側プラズマ排除区域リング
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
CN112955997B (zh) * 2018-11-21 2024-04-05 应用材料公司 用于使用相位控制来调整等离子体分布的设备及方法
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
CN111383896B (zh) * 2018-12-29 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 内衬及反应腔室
US11127610B2 (en) * 2019-01-04 2021-09-21 Lam Research Corporation Split chamber assembly
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
JP7451540B2 (ja) 2019-01-22 2024-03-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102894603B1 (ko) * 2019-04-05 2025-12-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 가변 유동 밸브를 갖는 프로세스 시스템
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
WO2020231665A1 (en) * 2019-05-13 2020-11-19 Applied Materials, Inc. Titanium liner to reduce metal contamination
JP7329960B2 (ja) * 2019-05-14 2023-08-21 東京エレクトロン株式会社 載置台およびプラズマ処理装置
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
CN113853672B (zh) * 2019-05-24 2025-08-15 应用材料公司 具有改良的接合层保护的基板支撑载体
JP7565947B2 (ja) * 2019-05-24 2024-10-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板処理チャンバ
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
JP7374016B2 (ja) * 2019-06-18 2023-11-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102746083B1 (ko) 2019-06-21 2024-12-26 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR102239116B1 (ko) * 2019-08-07 2021-04-09 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
TWI838570B (zh) 2019-08-23 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 使用雙(二乙基胺基)矽烷藉由peald沉積具有經改良品質之氧化矽膜的方法
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
CN112447579B (zh) * 2019-09-04 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器、晶片顶升装置及其方法
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US11564292B2 (en) * 2019-09-27 2023-01-24 Applied Materials, Inc. Monolithic modular microwave source with integrated temperature control
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR102879443B1 (ko) 2019-10-10 2025-11-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11236424B2 (en) * 2019-11-01 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN113035680B (zh) * 2019-12-24 2024-06-14 中微半导体设备(上海)股份有限公司 用于真空设备的调平机构和等离子体处理装置
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20220127895A (ko) 2020-01-13 2022-09-20 램 리써치 코포레이션 트렌치 프로파일 최적화를 위한 멀티 존 가스 분배 플레이트
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TWI871421B (zh) 2020-02-03 2025-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11581206B2 (en) 2020-03-06 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Capacitive sensor for chamber condition monitoring
US11415538B2 (en) 2020-03-06 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Capacitive sensor housing for chamber condition monitoring
US11545346B2 (en) 2020-03-06 2023-01-03 Applied Materials, Inc. Capacitive sensing data integration for plasma chamber condition monitoring
US12437979B2 (en) 2020-03-06 2025-10-07 Applied Materials, Inc. Capacitive sensors and capacitive sensing locations for plasma chamber condition monitoring
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
US11380524B2 (en) * 2020-03-19 2022-07-05 Applied Materials, Inc. Low resistance confinement liner for use in plasma chamber
USD979524S1 (en) 2020-03-19 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Confinement liner for a substrate processing chamber
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
TWI884193B (zh) 2020-04-24 2025-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
US12100576B2 (en) * 2020-04-30 2024-09-24 Applied Materials, Inc. Metal oxide preclean chamber with improved selectivity and flow conductance
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
KR102916735B1 (ko) 2020-06-24 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘이 구비된 층을 형성하는 방법
TWI888573B (zh) * 2020-06-24 2025-07-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
JP7803890B2 (ja) * 2020-07-24 2026-01-21 ラム リサーチ コーポレーション ウェハ処理システム用の高コンダクタンス真空バルブ
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
JP7479236B2 (ja) * 2020-07-31 2024-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11462388B2 (en) 2020-07-31 2022-10-04 Applied Materials, Inc. Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
KR20220027772A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114388427A (zh) 2020-10-06 2022-04-22 Asm Ip私人控股有限公司 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
WO2022076809A1 (en) 2020-10-09 2022-04-14 Lam Research Corporation Faceless showerhead
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
JP2022079159A (ja) * 2020-11-16 2022-05-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
CN112509901B (zh) * 2020-11-19 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及半导体工艺设备
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11499223B2 (en) 2020-12-10 2022-11-15 Applied Materials, Inc. Continuous liner for use in a processing chamber
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
US11881375B2 (en) 2021-04-15 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Common substrate and shadow ring lift apparatus
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
FI130020B (en) * 2021-05-10 2022-12-30 Picosun Oy Substrate processing apparatus and method
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US20220399186A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to reduce feature charging in plasma processing chamber
US12148595B2 (en) 2021-06-09 2024-11-19 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control in pulsed DC plasma chamber
US11984306B2 (en) 2021-06-09 2024-05-14 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US12106938B2 (en) 2021-09-14 2024-10-01 Applied Materials, Inc. Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber
US20230084826A1 (en) * 2021-09-15 2023-03-16 Wonik Ips Co., Ltd. Substrate processing apparatus
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
KR20230086279A (ko) 2021-12-08 2023-06-15 삼성전자주식회사 물리 기상 증착 장치
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
CN114420604B (zh) * 2022-01-17 2025-03-14 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室组件、半导体工艺设备及其方法
DE102022102768A1 (de) * 2022-02-07 2023-08-10 Stephan Wege Symmetrischer Prozessreaktor
JP2023127761A (ja) * 2022-03-02 2023-09-14 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理装置
JP7092959B1 (ja) * 2022-03-23 2022-06-28 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板処理装置
JP7245378B1 (ja) 2022-03-23 2023-03-23 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板処理装置
US20230374660A1 (en) * 2022-05-17 2023-11-23 Applied Materials, Inc. Hardware to uniformly distribute active species for semiconductor film processing
US20230377855A1 (en) * 2022-05-20 2023-11-23 Applied Materials, Inc. Lower deposition chamber ccp electrode cleaning solution
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US12315732B2 (en) 2022-06-10 2025-05-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber
US20240006203A1 (en) * 2022-06-30 2024-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Chamber liner for semiconductor processing
US12272524B2 (en) 2022-09-19 2025-04-08 Applied Materials, Inc. Wideband variable impedance load for high volume manufacturing qualification and on-site diagnostics
US12111341B2 (en) 2022-10-05 2024-10-08 Applied Materials, Inc. In-situ electric field detection method and apparatus
CN115692263B (zh) 2022-10-31 2023-06-16 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室及半导体工艺设备
KR102760147B1 (ko) * 2022-11-09 2025-02-03 세메스 주식회사 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
CN118824825A (zh) * 2023-04-17 2024-10-22 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理设备及其安装维护方法
KR102627141B1 (ko) * 2023-07-20 2024-01-23 (주)효진이앤하이 플라즈마 가스 변환 시스템

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1225747A (zh) * 1996-06-05 1999-08-11 兰姆研究公司 包括设备组件例如等离子发生源、真空泵送设备和/或悬臂基片支承件的通用真空室
US20020088542A1 (en) * 1999-07-07 2002-07-11 Kazuyasu Nishikawa Plasma processing apparatus
WO2002059933A2 (en) * 2001-01-22 2002-08-01 Tokyo Electron Limited Vertically translatable chuck assembly and method for a plasma reactor system
WO2004006320A1 (ja) * 2002-07-03 2004-01-15 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置
US20050139321A1 (en) * 2002-07-03 2005-06-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
WO2005124844A1 (ja) * 2004-06-21 2005-12-29 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置及び方法
CN101118865A (zh) * 2006-08-01 2008-02-06 应用材料股份有限公司 具有耐等离子体腐蚀性的保护层的衬底支架
WO2009078921A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate with path splitting manifold
CN101504928A (zh) * 2008-02-06 2009-08-12 东京毅力科创株式会社 基板载置台、基板处理装置和被处理基板的温度控制方法
TWM520621U (zh) * 2015-01-29 2016-04-21 Hsueh-Ju Chen 瓦斯熱水器精密步進電機控制氣閥

Family Cites Families (160)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5841658B2 (ja) * 1979-06-15 1983-09-13 パイオニア株式会社 ドライエッチング装置
JPS5841658A (ja) 1981-09-02 1983-03-10 Furukawa Electric Co Ltd:The 連続鋳造法
US4982067A (en) * 1988-11-04 1991-01-01 Marantz Daniel Richard Plasma generating apparatus and method
JPH02224231A (ja) * 1988-11-30 1990-09-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2888253B2 (ja) * 1989-07-20 1999-05-10 富士通株式会社 化学気相成長法およびその実施のための装置
JPH0383334A (ja) 1989-08-28 1991-04-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
US6545420B1 (en) 1990-07-31 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes
US5698070A (en) * 1991-12-13 1997-12-16 Tokyo Electron Limited Method of etching film formed on semiconductor wafer
JP3142397B2 (ja) * 1992-09-29 2001-03-07 東京応化工業株式会社 プラズマ処理装置
US5346578A (en) * 1992-11-04 1994-09-13 Novellus Systems, Inc. Induction plasma source
JP2593282Y2 (ja) * 1992-11-10 1999-04-05 株式会社島津製作所 プラズマｃｖｄ装置
JPH06295866A (ja) 1993-04-08 1994-10-21 Canon Inc プラズマ反応装置
US5486235A (en) * 1993-08-09 1996-01-23 Applied Materials, Inc. Plasma dry cleaning of semiconductor processing chambers
JPH07249586A (ja) * 1993-12-22 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法
JP3671379B2 (ja) 1994-02-03 2005-07-13 アネルバ株式会社 静電吸着された被処理基板の離脱機構を持つプラズマ処理装置および静電吸着された被処理基板の離脱方法
TW254030B (en) * 1994-03-18 1995-08-11 Anelva Corp Mechanic escape mechanism for substrate
JP3608121B2 (ja) * 1994-03-18 2005-01-05 アネルバ株式会社 基板の機械的脱離機構およびその機構を用いた脱離方法
US5900103A (en) 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
US5641375A (en) * 1994-08-15 1997-06-24 Applied Materials, Inc. Plasma etching reactor with surface protection means against erosion of walls
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JP3121524B2 (ja) * 1995-06-07 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置
JP3192370B2 (ja) * 1995-06-08 2001-07-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5708556A (en) 1995-07-10 1998-01-13 Watkins Johnson Company Electrostatic chuck assembly
US6070551A (en) 1996-05-13 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films
US5948704A (en) 1996-06-05 1999-09-07 Lam Research Corporation High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US6170428B1 (en) 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
US5800621A (en) 1997-02-10 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Plasma source for HDP-CVD chamber
US6432203B1 (en) 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US6189483B1 (en) 1997-05-29 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Process kit
US6083344A (en) 1997-05-29 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone RF inductively coupled source configuration
JP3501930B2 (ja) * 1997-12-01 2004-03-02 株式会社ルネサステクノロジ プラズマ処理方法
US6073577A (en) * 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US6192827B1 (en) 1998-07-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Double slit-valve doors for plasma processing
US6231716B1 (en) * 1998-11-09 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber with rapid wafer exchange
JP2000286242A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US20040149214A1 (en) * 1999-06-02 2004-08-05 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US6245192B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6406545B2 (en) * 1999-07-27 2002-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor workpiece processing apparatus and method
JP2001077088A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP4394778B2 (ja) 1999-09-22 2010-01-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4592856B2 (ja) * 1999-12-24 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及びガス処理装置
JP4437351B2 (ja) * 2000-01-14 2010-03-24 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマエッチング装置
US6517634B2 (en) 2000-02-28 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber lid assembly
US6572708B2 (en) 2000-02-28 2003-06-03 Applied Materials Inc. Semiconductor wafer support lift-pin assembly
US7196283B2 (en) * 2000-03-17 2007-03-27 Applied Materials, Inc. Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface
JP4454781B2 (ja) * 2000-04-18 2010-04-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4291499B2 (ja) 2000-06-28 2009-07-08 パナソニック株式会社 真空処理装置
JP4672113B2 (ja) * 2000-07-07 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 誘導結合プラズマ処理装置
US6403491B1 (en) * 2000-11-01 2002-06-11 Applied Materials, Inc. Etch method using a dielectric etch chamber with expanded process window
JP4535356B2 (ja) * 2000-12-19 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置
US6514870B2 (en) 2001-01-26 2003-02-04 Applied Materials, Inc. In situ wafer heat for reduced backside contamination
KR100443905B1 (ko) * 2001-03-23 2004-08-09 삼성전자주식회사 화학 기상 증착장치
JP2002286242A (ja) * 2001-03-27 2002-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 空気調和装置
JP2002343787A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Research Institute Of Innovative Technology For The Earth プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法
JP2002367965A (ja) 2001-06-05 2002-12-20 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6527911B1 (en) * 2001-06-29 2003-03-04 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber
TWI234417B (en) 2001-07-10 2005-06-11 Tokyo Electron Ltd Plasma procesor and plasma processing method
KR100431660B1 (ko) * 2001-07-24 2004-05-17 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조를 위한 건식 식각 장치
JP2003056617A (ja) 2001-08-20 2003-02-26 Nissan Motor Co Ltd 衝撃エネルギ吸収構造部材
JP2003124287A (ja) * 2001-10-19 2003-04-25 Komatsu Electronic Metals Co Ltd エピタキシャルウェハ製造装置及びウェハ製造方法
JP2003163206A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びマルチチャンバシステム
JP4030302B2 (ja) * 2001-12-18 2008-01-09 株式会社アルバック 真空処理装置
JP4389424B2 (ja) 2001-12-25 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送機構及び処理システム
AU2002367178A1 (en) * 2001-12-27 2003-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Etching method and plasma etching device
WO2003060973A1 (en) * 2002-01-10 2003-07-24 Tokyo Electron Limited Processing device
US6664738B2 (en) 2002-02-27 2003-12-16 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus
ITBO20020440A1 (it) * 2002-07-05 2004-01-05 Cefla Coop Unita per l ' acquisizione e la visualizzazione di immagini radiografiche dentali
US7147749B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
KR20040033831A (ko) * 2002-10-16 2004-04-28 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 장치
JP4141234B2 (ja) 2002-11-13 2008-08-27 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JP4584565B2 (ja) 2002-11-26 2010-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20040129221A1 (en) 2003-01-08 2004-07-08 Jozef Brcka Cooled deposition baffle in high density plasma semiconductor processing
JP4173389B2 (ja) * 2003-03-19 2008-10-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4079834B2 (ja) * 2003-06-04 2008-04-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP2005034817A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Ucb Sa 放射線硬化可能な固体粒状組成物から耐熱性の隆起したプリントの形成方法
TWM250219U (en) 2003-07-22 2004-11-11 Global Win Technology Co Ltd Fixing apparatus of water-cooling heat sink
US20050022736A1 (en) * 2003-07-29 2005-02-03 Lam Research Inc., A Delaware Corporation Method for balancing return currents in plasma processing apparatus
KR20060064067A (ko) * 2003-09-03 2006-06-12 동경 엘렉트론 주식회사 가스 처리 장치 및 처리 가스 토출 기구의 방열 방법
JP4607517B2 (ja) 2003-09-03 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2005089823A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Seiji Sagawa 成膜装置および成膜方法
JP4288127B2 (ja) * 2003-09-30 2009-07-01 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US8317968B2 (en) * 2004-04-30 2012-11-27 Lam Research Corporation Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (RF) power for plasma processing
WO2005117083A1 (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Tokyo Electron Limited 基板処理装置
DE102004028784A1 (de) * 2004-06-16 2006-01-05 Behr Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Luftzuführung in einen Innenraum eines Fahrzeuges
KR101063737B1 (ko) * 2004-07-09 2011-09-08 주성엔지니어링(주) 기판 제조장비의 샤워헤드
JP4559202B2 (ja) * 2004-07-30 2010-10-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置
JP4770167B2 (ja) * 2004-12-16 2011-09-14 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマｃｖｄ装置を用いた成膜方法
KR100661744B1 (ko) 2004-12-23 2006-12-27 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
KR100572118B1 (ko) 2005-01-28 2006-04-18 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
WO2006114976A1 (ja) * 2005-03-30 2006-11-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマドーピング方法及びプラズマ処理装置
KR20060127599A (ko) * 2005-06-08 2006-12-13 삼성전자주식회사 기판처리장치
US7621285B2 (en) * 2005-09-15 2009-11-24 Steris Inc. Tunnel washer system with improved cleaning efficiency
DE102005046463A1 (de) * 2005-09-22 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Plasmabearbeitungsgerät
JP4665795B2 (ja) * 2006-02-23 2011-04-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
KR101012910B1 (ko) 2006-02-28 2011-02-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용하는 기판 가열 기구
JP4878188B2 (ja) 2006-03-20 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、堆積物モニタ装置、及び堆積物モニタ方法
US7432467B2 (en) 2006-03-28 2008-10-07 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP5031252B2 (ja) 2006-03-30 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5486301B2 (ja) * 2006-05-29 2014-05-07 ベバスト エスエー 冷熱および／または温熱蓄熱器
JP4850592B2 (ja) * 2006-06-14 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2007335755A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
EP1879382B1 (en) * 2006-07-10 2017-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-screen display apparatus and method for digital broadcast receiver
JP2008041969A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の脱離方法
JP5073751B2 (ja) 2006-10-10 2012-11-14 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 前駆体送出システム
US20080193673A1 (en) 2006-12-05 2008-08-14 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece using a mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma flow control grid and electrode
KR101312292B1 (ko) 2006-12-11 2013-09-27 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치의 기판 파손 방지장치 및 그 방법
US7732728B2 (en) 2007-01-17 2010-06-08 Lam Research Corporation Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor
US7943007B2 (en) * 2007-01-26 2011-05-17 Lam Research Corporation Configurable bevel etcher
US8444926B2 (en) 2007-01-30 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Processing chamber with heated chamber liner
JP4928991B2 (ja) 2007-03-12 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5348848B2 (ja) 2007-03-28 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4874870B2 (ja) 2007-05-29 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理装置
TWI339860B (en) 2007-06-29 2011-04-01 Winbond Electronics Corp Method of manufacturing a semiconductor structure and method of manufacturing a shallow trench isolation structure
US8416773B2 (en) * 2007-07-11 2013-04-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Packet monitoring
US8108883B2 (en) * 2007-07-16 2012-01-31 Apteryx, Inc. Methods of populating a third-party document with digital information content
US9184072B2 (en) * 2007-07-27 2015-11-10 Mattson Technology, Inc. Advanced multi-workpiece processing chamber
KR101437522B1 (ko) * 2007-09-05 2014-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 반응기 챔버에서 웨이퍼 에지 가스 주입부를 갖는캐소드 라이너
US20090071403A1 (en) 2007-09-19 2009-03-19 Soo Young Choi Pecvd process chamber with cooled backing plate
JP5194125B2 (ja) 2007-09-25 2013-05-08 ラム リサーチ コーポレーション シャワーヘッド電極アセンブリ用の温度制御モジュール、シャワーヘッド電極アセンブリ及びシャワーヘッド電極アセンブリの上部電極の温度を制御する方法
JP2009088298A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5329072B2 (ja) * 2007-12-03 2013-10-30 東京エレクトロン株式会社 処理容器およびプラズマ処理装置
US20090159213A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate having a path splitting manifold immersed within a showerhead
US8512509B2 (en) * 2007-12-19 2013-08-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate with radially distributed path splitting manifold
US20090162262A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Material, Inc. Plasma reactor gas distribution plate having path splitting manifold side-by-side with showerhead
US20090188624A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing flow uniformity in a process chamber
US20090188625A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Carducci James D Etching chamber having flow equalizer and lower liner
JP5759177B2 (ja) * 2008-02-08 2015-08-05 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ プラズマ処理装置、半導体基板を処理する方法、および軸直角変位ベローズユニット
JP5188849B2 (ja) 2008-03-14 2013-04-24 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
JP5264238B2 (ja) 2008-03-25 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7987814B2 (en) * 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
JP2008226857A (ja) 2008-05-16 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
JP2010016343A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Advanced Display Process Engineering Co Ltd ガス供給装置及びこれを用いた基板処理装置｛Ａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒｓｕｐｐｌｙｉｎｇｇａｓａｎｄａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｓｕｂｓｔｒａｔｅｕｓｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝
JP4580040B2 (ja) * 2008-07-31 2010-11-10 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置および電子デバイスの製造方法
KR20100055618A (ko) * 2008-11-18 2010-05-27 주식회사 케이씨텍 샤워헤드 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치
CN101740340B (zh) * 2008-11-25 2011-12-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室及半导体加工设备
US8627783B2 (en) * 2008-12-19 2014-01-14 Lam Research Corporation Combined wafer area pressure control and plasma confinement assembly
CN102272896A (zh) * 2009-01-09 2011-12-07 株式会社爱发科 等离子体处理装置
US20100186674A1 (en) 2009-01-26 2010-07-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Methods and compositions for treating fertilized avian eggs
JP2010171286A (ja) 2009-01-26 2010-08-05 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
US8313612B2 (en) * 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
US20100247804A1 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 Applied Materials, Inc. Biasable cooling pedestal
JP5350043B2 (ja) * 2009-03-31 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101058832B1 (ko) 2009-05-11 2011-08-24 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조
US8360003B2 (en) * 2009-07-13 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with uniform process rate distribution by improved RF ground return path
DE102009035386B4 (de) * 2009-07-30 2011-12-15 Cochlear Ltd. Hörhilfeimplantat
JP5496568B2 (ja) * 2009-08-04 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5650935B2 (ja) * 2009-08-07 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
US9313872B2 (en) 2009-10-27 2016-04-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP5551420B2 (ja) * 2009-12-04 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその電極間距離の測定方法並びにプログラムを記憶する記憶媒体
JP2011146464A (ja) * 2010-01-13 2011-07-28 Panasonic Corp プラズマ処理装置
JP5554099B2 (ja) 2010-03-18 2014-07-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20110226739A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Process chamber liner with apertures for particle containment
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TWI502617B (zh) 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
JP5723130B2 (ja) 2010-09-28 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5781349B2 (ja) 2011-03-30 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2012222719A (ja) 2011-04-13 2012-11-12 Nec Access Technica Ltd 中継装置及び電力制御方法
TWI594667B (zh) 2011-10-05 2017-08-01 應用材料股份有限公司 對稱電漿處理腔室
JP7421180B2 (ja) * 2020-05-29 2024-01-24 国立大学法人秋田大学 ピッキング作業支援システム及びそのプログラム

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1225747A (zh) * 1996-06-05 1999-08-11 兰姆研究公司 包括设备组件例如等离子发生源、真空泵送设备和/或悬臂基片支承件的通用真空室
US20020088542A1 (en) * 1999-07-07 2002-07-11 Kazuyasu Nishikawa Plasma processing apparatus
WO2002059933A2 (en) * 2001-01-22 2002-08-01 Tokyo Electron Limited Vertically translatable chuck assembly and method for a plasma reactor system
WO2004006320A1 (ja) * 2002-07-03 2004-01-15 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置
US20050139321A1 (en) * 2002-07-03 2005-06-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
WO2005124844A1 (ja) * 2004-06-21 2005-12-29 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置及び方法
CN101118865A (zh) * 2006-08-01 2008-02-06 应用材料股份有限公司 具有耐等离子体腐蚀性的保护层的衬底支架
WO2009078921A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate with path splitting manifold
TW200946236A (en) * 2007-12-19 2009-11-16 Applied Materials Inc Plasma reactor gas distribution plate with path splitting manifold
CN101504928A (zh) * 2008-02-06 2009-08-12 东京毅力科创株式会社 基板载置台、基板处理装置和被处理基板的温度控制方法
TWM520621U (zh) * 2015-01-29 2016-04-21 Hsueh-Ju Chen 瓦斯熱水器精密步進電機控制氣閥

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110571119A (zh) * 2019-09-05 2019-12-13 合肥晞隆光电有限公司 离子源放电室导气结构以及离子源
CN113394069A (zh) * 2020-03-13 2021-09-14 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN114284176A (zh) * 2021-12-21 2022-04-05 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及半导体加工设备

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