CN107438897A - 用于待处理的基板的载体系统 - Google Patents

Abstract

本文描述了一种用于待处理基板的载体系统。所述载体系统包括主载体(100)，所述主载体(100)包括用于将一个或多个副载体(400；800)耦接到主载体(100)的副载体耦接装置(201)。所述主载体(100)包括具有带交叉格栅(121)的网格形状的副载体支撑部分(120)，其中副载体耦接装置(201)提供在格栅(121)处。所述载体系统还包括用于支撑一个或多个待处理基板(500)的副载体(400；800)，其中副载体(400；800)包括一个或多个开口(422)。副载体(400；800)还包括用于耦接基板(500)的基板耦接装置(430；431)，其中基板耦接装置(430；431)被配置用于将基板(500)保持在与副载体(400；800)的开口(422)部分地重叠的位置。

Description

用于待处理的基板的载体系统

技术领域

本发明的实施方式涉及一种用于在处理期间承载基板的载体系统。本发明的实施方式具体涉及具有主载体和副载体的载体系统，特别地涉及用于在真空工艺中承载待处理的基板、具有主载体和副载体的载体系统。

背景技术

已知用于在基板上沉积材料的若干种方法。例如，可以通过物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺等来涂覆基板。通常，所述工艺在待涂覆的基板所位于的处理设备或处理腔室中进行。在所述设备中提供沉积材料。多种材料，也可以是所述多种材料的氧化物、氮化物或碳化物，可以用于沉积在基板上。

涂覆的材料可以用于若干应用中和若干技术领域中。例如，在微电子领域的应用中，诸如生成半导体装置。此外，用于显示器的基板通常通过PVD工艺涂覆。另外的应用包括绝缘板、电池、有机发光二极管(OLED)面板、具有TET的基板、滤色器或类似物。

在涂覆工艺或其他沉积工艺中，将基板有用地支撑在载体中。例如，可以将基板装载在载体中，然后将载体传送通过基板处理设备或沉积设备，以在基板上沉积层或层堆叠。载体可以在沉积期间用于一个或多个基板。

还存在其中将一个或多个基板分离成对应于待制造的装置的大小的多个较小块(小基板)，并且所述小基板对应于待处理的装置大小的基板处理应用。例如，可以将层或层堆叠沉积在大小为1m²或更小的基板上。在具有装置大小的多个基板上的沉积有利地仍然在大面积规模上进行，即在对应于大面积基板(例如1.2m²或更大)的处理区域内进行。在一些系统中，可以由载体支撑多个基板，或者可以提供承载待处理基板并且耦接至主载体的副载体。

鉴于上述情况，各实施方式的目的是提供用于承载待处理的一个或多个基板、克服了本领域中的至少一些问题的副载体、主载体和载体系统。

发明内容

鉴于上述，提供了根据独立权利要求的用于待处理基板的副载体、用于真空处理设备的主载体、载体系统，以及用于传递热量的方法。其他方面、优点和特征根据从属权利要求、说明书和附图显而易见。

根据一个实施方式，提供了用于待在真空腔室中处理的基板的副载体。副载体包括具有基板支撑部分表面的基板支撑部分，其中基板支撑部分被配置用于支撑一个或多个待处理基板。基板支撑部分包括一个或多个开口。副载体还包括基板耦接装置，所述基板耦接装置被配置用于将至少一个基板保持在基板支撑部分表面上且基板与一个或多个开口至少部分地重叠的位置处。此外，副载体被配置为耦接至主载体。

根据另一实施方式，提供了一种用于真空处理设备的主载体。主载体包括主载体框架和由主载体框架围绕的副载体支撑部分。副载体支撑部分具有带交叉格栅的网格(grid)形状，所述交叉格栅被配置为支撑用于待处理基板的一个或多个副载体。

根据另一实施方式，提供了一种用于待处理基板的载体系统。载体系统包括主载体，所述主载体包括用于将一个或多个副载体耦接到主载体的副载体耦接装置。所述主载体包括具有带交叉格栅的网格形状的副载体支撑部分，其中副载体耦接装置提供在格栅处。所述载体系统还包括用于支撑至少一个待处理基板的副载体，其中副载体包括一个或多个开口。副载体还包括用于耦接所述至少一个基板的基板耦接装置，其中基板耦接装置被配置用于将基板保持在与副载体的开口部分地重叠的位置。

根据另一实施方式，提供了一种用于在载体系统中传递热量的方法。所述方法包括提供主载体，所述主载体包括主载体框架和副载体支撑部分，所述副载体支撑部分由所述主载体框架围绕并且具有带交叉格栅的网格形状，所述交叉格栅被配置为支撑用于待处理基板的至少一个副载体。主载体还包括用于将副载体耦接到多个格栅中的一个格栅的副载体耦接装置。所述方法还包括使用副载体耦接装置以在副载体面对主载体的格栅之间的网格开口的位置处将副载体连接到主载体。

实施方式还涉及用于执行所披露的方法的设备并且包括用于执行每个所述方法步骤的多个设备部分。这些方法步骤可以通过硬件部件、由适当软件编程的计算机、通过两者的任何组合或以任何其他方式来执行。此外，实施方式还可以涉及用来使所描述的设备运作的方法。所述方法包括用于执行设备的各个功能的方法步骤。

附图说明

因此，以可以详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施方式对上述简要概述的本公开内容进行更具体的描述。附图涉及本公开内容的实施方式，并在下面描述：

图1示出了根据本文所述的实施方式的主载体的示意图；

图2a至图2e示出了根据本文所述的实施方式的主载体的细节的示意图；

图3示出了根据本文所述的实施方式具有副载体支撑装置的主载体的示意图；

图4a和图4b示出了根据本文所述的实施方式的副载体的前侧和背侧的示意图；

图5示出了根据本文所述的实施方式的副载体的示意图；

图6a至图6c示出了根据本文所述的实施方式的副载体中的穿透孔(breakthrough)的形状的示意图；

图7a和图7b示出了根据本文所述的实施方式的副载体的基板支撑装置的示意图；

图8示出了根据本文所述的实施方式的具有掩模的副载体的示意图；

图9a和图9b示出了根据本文所述的实施方式的载体系统的示意图；以及

图10示出了根据本文所述的实施方式的用于在载体系统中传递热量的方法的流程图。

具体实施方式

现在将详细述及各种实施方式，所述实施方式的一个或多个示例在诸图中示出。在附图的以下描述中，相同的附图标记表示相同的部件。通常，仅描述个别实施方式的差异。各实施方式是通过对本发明说明而提供的，并且并非意味着作为限制。此外，作为一个实施方式的一部分示出或描述的特征可以在其他实施方式上使用或与其他实施方式结合使用以产生另一实施方式。描述旨在包括这样的修改和变化。

此外，在以下描述中，主载体可以被理解为能够支撑一个或多个副载体的载体。根据一些实施方式，主载体可以提供用于将一个或多个副载体耦接到主载体的相应耦接装置。在一个示例中，主载体不是被配置用于将一个或多个基板耦接到主载体。本文提及的副载体可以被理解为基板的载体，所述载体可以耦接到主载体，例如以提供在处理腔室中。将副载体耦接到主载体可以意味着副载体能够随着主载体一起移动通过处理腔室或处理设备。根据一些实施方式，副载体可以提供用于耦接到主载体的相应耦接装置。在一些实施方式中，主载体经适配用于移动通过处理腔室或处理设备，诸如通过包括允许将主载体传送通过处理腔室的移动装置(诸如导轨)、用于将主载体连接到处理腔室中的传送系统的连接装置、滑动表面、辊和类似物。通常，副载体包括用于将基板耦接到副载体的耦接装置。

本文提及的耦接装置可以被理解为用于支撑、承载、附接或固定的装置。具体地，耦接装置可以经适配用于将一个部件耦接、附接或固定到另一部件，诸如将基板耦接、附接或固定到副载体，或者将副载体耦接、附接或固定到主载体。在一个示例中，耦接装置可以经适配用于例如在沉积工艺期间将基板或副载体夹持(grip)或保持在限定位置。耦接装置可以允许承载被耦接的部件(诸如基板或副载体)的重量。

此外，网格可以被理解为具有交叉栅条和在所述交叉栅条之间的开口的图案。例如，网格可以具有由格栅围绕的多于一个网格开口。在一些实施方式中，网格开口可以具有实质上矩形的形状。通常，网格可以提供在交叉格栅之间约90°的角度。根据一些实施方式，交叉格栅之间的角度可以低于90°，诸如80°、70°或小于70°。通常，围绕低于90°的角度的格栅可以包括以高于90°的角度(诸如100°、110°，或者甚至高于110°)交叉的其他格栅。在其他实施方式中，网格开口具有偏离矩形形状的形状，诸如圆形、三角形、多边形、不对称形状和类似形状。

如上所述，可以将基板传送通过用于执行工艺(诸如沉积工艺)的处理系统或在所述处理系统中传送。对于若干工艺，处理腔室或用于待执行的处理的其他部件可能经历热输入，例如通过加热处理腔室，或通过使用具有与处理腔室外部的温度相比升高的温度的材料。待处理基板还可能经受高温，例如通过处理腔室中的温度，或通过沉积在基板上并具有高温的沉积材料。当基板经受高温时，基板的特性可能改变，诸如表面粘附性。此外，如果具有低熔点的材料被沉积在具有接近于该熔点的温度的基板上，则可能无法以令人满意的方式将待沉积的材料粘附到基板上，例如待沉积的材料的粘度在具有高温的基板上变得过低。本文所述的实施方式是指允许在处理期间将基板温度保持在一定范围内的载体系统。

根据本文所述的实施方式，提供了一种用于真空处理设备的主载体。主载体包括主载体框架和由主载体框架围绕的副载体支撑部分。通常，副载体支撑部分实质上具有带交叉格栅的网格形状，所述交叉格栅被配置为支撑用于待处理基板的一个或多个副载体。

图1示出了根据本文所述的实施方式的主载体100。主载体100包括主载体框架110和由主载体框架110围绕的副载体支撑部分120。根据本文所述的一些实施方式，副载体支撑部分110实质上具有网格形状。如从图1可以看出，副载体支撑部分120可以包括格栅121和网格开口122。在一些实施方式中，格栅121围绕网格开口。根据本文所述的实施方式，网格包括交叉格栅，如上文详细所述的。格栅被示出为围绕实质上矩形的网格开口。本领域的技术人员将理解，本文所述的实施方式不限于矩形的网格开口形状。主载体的主载体支撑部分的网格开口可以具有任何合适的形状，诸如圆形、三角形、多边形、不对称形状和类似形状。交叉格栅可以适配于网格开口的形状。在一个实施方式中，主载体的副载体支撑部分可以由具有开口的板形成。

根据一些实施方式，副载体支撑部分的格栅包括多于一个开口。图1的实施方式示出了12个网格开口和相应的周围格栅。本领域技术人员将理解，本文所述的实施方式不限于具有12个开口的主载体。根据本文所述实施方式的主载体可以具有少于12个开口，诸如10个、8个、6个或2个开口。根据其他实施方式，主载体支撑部分可以包括多于12个网格开口，诸如16个、24个，或者甚至多于24个网格开口，诸如50个、60个或80个网格开口。

根据一些实施方式，副载体支撑部分的格栅可经配置为支撑用于在真空处理设备中待处理基板的一个或多个副载体。例如，格栅可以具有相应的尺寸，以便能够将副载体中的一个或多个副载体与基板保持在一起(例如通过足够稳定以将副载体的重量与基板保持在一起)。例如，格栅可以具有用于保持重量通常在100g和1kg之间、更通常地在200g和1kg之间、甚至更通常地在200g和600g之间的副载体的尺寸。在一个实施方式中，一个副载体的重量可以是300g。根据一些实施方式，一个格栅可以经适配用于承载若干个副载体的重量，诸如通常为2到20个副载体，更通常地为4到16个副载体，甚至更通常地为6到14个副载体。在一个示例中，一个格栅被定尺寸为承载八个副载体的重量。本领域的技术人员将理解，格栅不仅被定尺寸为承载一个或多个副载体的重量，而且还承载耦接到副载体的基板的重量。在一个示例中，基板可以具有在几克范围内的重量，诸如通常低于20g、更通常低于10g，以及甚至更通常低于5g。

在一个示例中，格栅可以由适用于在真空处理腔室中的工艺期间承载副载体和基板的材料制成。例如，格栅可以由承受工艺条件的材料制成，所述工艺条件为诸如改变温度条件、热输入、压力变化，蚀刻材料的存在和类似条件。例如，可以考虑与真空工艺相关的参数(诸如除气率、耐磨性、耐温性和类似参数)来选择材料。根据一些实施方式，主载体(和/或副载体)可以包括铝、不锈钢、陶瓷、钛和类似物。

根据本文所述的一些实施方式，主载体的长度可以为通常在0.5m与2.0m之间、更通常地在1.0m和2.0m之间，以及甚至更通常地在1.2m和2.0m之间。在一个示例中，主载体的长度可以是1.6m。根据本文描述的一些实施方式，主载体的宽度可以为通常在0.3m与2.0m之间、更通常地在0.5m与1.8m之间，以及甚至更通常地在1.0m与1.5m之间。在一个示例中，主载体的长度可以为1.25m。

在一些实施方式中，主载体提供用于将副载体耦接到主载体的副载体耦接装置。具体地，副载体支撑部分的网格的格栅可以经适配为包括或已经附接至副载体耦接装置。通常，副载体耦接装置可以附接到主载体，诸如被焊接到主载体、通过粘合剂附接到主载体、被夹持到主载体、作为主载体的部分，和类似方式。图2a至图2e示出了图1的部分A的不同实施方式。具体地，图2a至图2e示出了副载体耦接装置的不同实施方式，副载体耦接装置可以帮助格栅在处理期间保持副载体。

图2a示出了提供在主载体100处的副载体耦接装置201的示例。副载体耦接装置201被提供为一种类型的钩(hook)，副载体可以附接在所述钩处，例如通过相应的耦接装置(诸如开口或凹槽)。根据一些实施方式，钩201可以经适配用于保持副载体，例如通过经适配用于保持副载体的重量并允许副载体的大小由钩保持。图2a所示的实施方式示出了两个钩201。本领域技术人员将理解，用作副载体耦接装置的钩的数量不限于图2a所示的实施方式。例如，一个副载体的副载体耦接装置的数量可以是一个或大于两个，诸如3个、4个、5个或多于5个副载体耦接装置。在一个实施方式中，副载体耦接装置的数量依赖于待耦接到主载体的副载体的尺寸和重量。

图2b示出了副载体耦接装置202的一实施方式，所述副载体耦接装置202包括用于将副载体夹持到主载体100的夹具。在一个实施方式中，夹具202可以包括用于在副载体上施加夹持力的夹持力装置，诸如弹簧或类似装置。夹持力装置可以被配置用于至少在处理期间施加足够高的夹持力来保持副载体。夹具202可以包括夹持表面，所述夹持表面经适配成在处理期间与副载体接触。例如，夹持表面可以包括具有适当摩擦系数的材料，所述材料允许将副载体保持在夹持表面处。

图2c示出了具有副载体耦接装置203的主载体100的一实施方式。图2c的实施方式中所示的副载体耦接装置203包括两个栅条或杆，所述栅条或杆允许将待附接的具有相应形状的副载体耦接到主载体。例如，副载体可以包括耦接开口，栅条203可以接合在所述耦接开口中以用于保持副载体。根据一些实施方式，所述栅条可以具有用于改善栅条和副载体之间的接触的结构化或图案化表面。

图2d示出了具有副载体耦接装置204的主载体100的一实施方式。在图2d的实施方式中示出的副载体耦接装置204包括用于将副载体耦接到主载体100的两个开口。开口204可以经适配用于接收副载体的相应部分，诸如适配在开口204中的栅条或杆。根据一些实施方式，开口204可以包括实质上垂直的孔、弯曲孔、结构化或图案化的孔和类似者，例如以用于改善副载体与主载体之间的耦接。

图2e示出了主载体100的一实施方式，所述主载体具有提供在主载体的网格开口122内的副载体耦接装置。图2d的实施方式中所示的副载体耦接装置包括两个翼片(flap)205，所述翼片可以用于将副载体耦接到主载体100。在一些实施方式中，翼片205可以经适配用于将副载体夹持、附接或固定在各翼片之间，例如用于将副载体提供在网格开口122中。在一个实施方式中，翼片205可以包括夹持表面，所述夹持表面用于将副载体夹持在各翼片205之间。

根据一些实施方式，关于图2a描述的特征，诸如提及副载体耦接装置的大小、尺寸和数量，也可以应用于图2b至图2e所示的实施方式。在一些实施方式中，可以组合关于图2a至图2d所示例性描述的特征，只要所述特征不彼此矛盾即可。例如，夹持装置可以另外具有用于限定副载体的位置的多个开口。在另一个示例中，可以为图2b所示的仅具有一个副载体耦接装置的实施方式选择数目为两个副载体耦接装置。

根据本文所述的实施方式，一个耦接装置可以经适配用于支撑一个副载体。在其他实施方式中，可以使用多于一个副载体耦接装置来耦接一个副载体，诸如图2a、图2c、图2d和图2e所示的副载体耦接装置201、203、204和205。

在一些实施方式中，为将由主载体支撑的一个副载体提供一个网格开口122。在一个示例中，将一个副载体放置在主载体的一个开口的前面。根据一些实施方式，一个副载体还可以被描述为面对主载体的一个开口或与主载体的一个开口重叠。例如，在图2a中，两个副载体耦接装置201经适配和/或放置为用于承载放置在网格开口122的前面或面对所述网格开口122的一个副载体。在其他实施方式中，可以将一个副载体放置在多于一个网格开口的前面，诸如在主载体的两个或三个开口的前面或面对所述两个或三个开口。根据其他实施方式，具有网格开口的主载体可以适用于不同的副载体大小和类型，使得一个第一类型的副载体可以放置在一个网格开口的前面，并且一个第二类型的副载体可以放置在多于一个网格开口的前面。在一个示例中，副载体耦接装置还可适用于不同尺寸和类型的副载体。

如从图2a至图2e的实施方式可以看出，副载体耦接装置提供在主载体的网格的格栅处，所述格栅通常围绕网格开口122。根据一些实施方式，格栅可以提供在网格开口之间并且可以围绕所述网格开口。根据本文所述的实施方式，格栅经适配用于提供副载体耦接装置。在一些实施方式中，副载体支撑部分的最外侧格栅与主载体框架相邻，如图3可示例性示出的。

图3示出了主载体100，所述主载体包括主载体框架110和副载体支撑部分120，所述副载体支撑部分具有格栅121和网格开口122。根据一些实施方式，最外侧的开口122的格栅，诸如围绕各开口中的第一排123的网格开口的格栅，与主载体框架110相邻。通常，格栅提供副载体耦接装置，并且主载体框架不提供副载体耦接装置。根据一些实施方式，主载体的框架110可以经适配用于通过处理设备来传送主载体，诸如经适配用于确保对主载体的适当传送。在一个示例中，主载体的框架可以包括传送使能装置。例如，主载体的框架110可以包括用于接合导轨的部分、导轨或轨道、所连接的辊、传送机构能够抓住主载体的区域的部分和类似部分。

在一个示例中，格栅可以是围绕网格开口的主载体的一部分，并且宽度为约1cm至约20cm，更通常地约2cm至约15cm，以及甚至更通常地为约3cm至约10cm。图3还示出了副载体耦接装置205，所述副载体耦接装置205如图2e示例性描述地用于将副载体耦接到主载体。根据一些实施方式，副载体支撑部分可以与载体框架相比凹陷，或者可以包括用于副载体的凹槽，例如一个凹槽用于一个副载体，其中副载体适配在所述凹槽中。

根据本文所述的实施方式，提供了用于待在真空腔室中处理的基板的副载体。副载体包括具有基板支撑部分表面的基板支撑部分。此外，基板支撑部分被配置用于支撑一个或多个待处理基板。根据本文所述的实施方式的基板支撑部分包括一个或多个开口。副载体还包括基板耦接装置，所述基板耦接装置被配置用于将基板保持在基板支撑部分表面上且基板与一个或多个开口至少部分地重叠的位置处。副载体被进一步配置为耦接到主载体。

图4a和图4b示出了根据本文描述的实施方式的副载体的一实施方式。图4a示出了副载体400的前侧。图4b示出了副载体400的后侧。根据本文所述的一些实施方式，副载体包括基板支撑部分420和基板支撑部分420中的开口422。通常，当将基板安装到副载体时，基板支撑部分420可以至少部分地与基板接触。基板支撑部分420通常包括基板支撑部分表面421。基板支撑部分表面可以被理解为其上可以提供基板以由副载体承载的表面。根据一些实施方式，基板支撑部分表面是面对基板将经受的工艺的表面。例如，当将由副载体承载的基板要经受沉积工艺时，基板支撑部分表面可以面向沉积工艺。根据一些实施方式，基板支撑部分可以是凹陷的，或者可以包括用于基板的凹槽，例如一个凹槽用于一个基板，其中基板适配在所述凹槽中。

根据将在下面详细讨论的一些实施方式，副载体400包括基板耦接装置，所述基板耦接装置被定位成使得基板处于副载体的基板支撑部分表面上的基板与一个或多个开口至少部分地重叠的位置。

“与开口重叠”的基板可以被理解为面向开口的基板，或者位于开口前面的基板。根据一些实施方式，可以将与开口重叠的基板描述为覆盖所述开口。具体地，仅与开口部分地重叠的基板可能意味着基板的仅一部分与开口重叠。然而，在一些实施方式中，仅与开口部分地重叠的基板可以完全覆盖开口。基板的另一部分可与副载体的基板支撑部分表面重叠。副载体的基板耦接装置被放置并经适配用于确保适当定位根据本文所述的实施方式的基板。对术语“重叠”的上述描述也可以应用于被描述为彼此重叠的其他部件，诸如副载体和主载体的开口。

在一些实施方式中，副载体或基板支撑部分可以经适配用于支撑与副载体或副载体的基板支撑部分部分地重叠的基板。例如，副载体或基板支撑部分可以被配置为使得基板的边界部分与副载体或基板支撑部分重叠。在一个示例中，基板的边界部分的宽度可以通常为在0.5mm与10mm之间、更通常地在1mm与8mm之间、以及甚至更通常地在1mm与5mm之间。根据一些实施方式，基板支撑部分表面可以经处理以与基板重叠，例如以与基板接触。在一个示例中，基板支撑部分表面(或基板支撑部分表面的各部分)可以用表面处理进行处理，以具有确定的粗糙度、确定的硬度、确定的均匀度和类似方面。

根据一些实施方式，如本文所述的副载体可以被配置为被支撑、附接或固定到主载体，诸如如上所述的主载体。图4b示出了图4a所示的副载体400的后视图。在一个实施方式中，当由主载体保持副载体时，副载体的背侧也可以被表示为面向主载体的一侧。图4b示出了用于允许使副载体由主载体承载的主载体耦接装置。在图4b所示的实施方式中，主载体耦接装置401包括凹槽或开口，所述凹槽或开口可以适用于接收主载体的副载体耦接装置。例如，设计为钩或栅条的副载体耦接装置201和203可以接合到开口401中。

图5示出了副载体400的背侧的一实施方式。副载体400可以被配置为耦接到主载体并且可以包括主载体耦接装置。图5所示的主载体耦接装置可以以凹槽405的形式提供，其中副载体耦接装置(例如，作为翼片205提供的副载体耦接装置)可以接合在所述凹槽中以将副载体耦接到主载体。

根据一些实施方式，副载体可以包括用于允许将副载体耦接或附接到主载体的主载体耦接装置，如图2a至图2e中示例性描述的。然而，主载体耦接装置以及副载体耦接装置不限于所示的实施方式。

根据本文所述的实施方式，副载体的开口可以根据真空工艺中的待处理基板来设计。例如，开口的数量可以依赖于待处理基板。在一个实施方式中，副载体被配置为使得为一个基板提供一个开口。如上所述，可以提供相应的基板耦接装置，以确保开口与基板的适当对准。在一些实施方式中，多于一个开口被提供为面对一个基板。例如，当基板耦接到副载体时，两个开口423、424(参见图5作为示例)可以提供为被一个基板覆盖。本领域的技术人员将理解，在一些实施方式中多于两个开口可以被提供为由一个基板覆盖(例如，四个开口被提供为由一个基板覆盖)。根据一些实施方式，副载体可以是可适应的，例如通过使基板耦接装置适合于不同尺寸的基板。例如，可以使用一个第一类型的基板覆盖副载体的一个开口。一个第二类型的基板可以与副载体的两个或更多个开口重叠。

在一些实施方式中，副载体的开口的位置可以依赖于待处理基板的类型。例如，副载体的开口的距离可以根据待处理基板的数量和大小来选择。此外，开口的大小可以依赖于待处理基板的类型。根据一些实施方式，一个开口的大小在基板大小的通常30％与95％之间、更通常地在基板大小的40％与90％之间、以及甚至更通常地在将由副载体支撑的基板的大小的50％与80％之间。在一些实施方式中，副载体还可以包括用于限定基板位置的凹槽(例如，在基板支撑部分表面上)。在各实施方式中，当多于一个开口经适配为面对一个基板时，用于所述一个基板的所述多于一个开口的总大小在所述基板大小的通常30％与95％之间、更通常地在所述基板大小的40％与90％之间、以及甚至更通常地在要由副载体支撑的基板的大小的50％与90％之间。例如，副载体的两个开口的总大小可以为基板大小的约85％。

基板的大小可以被理解为旨在经受工艺的区域的大小。例如，经受沉积工艺的区域可以被认为是基板的大小。根据一些实施方式，开口的大小可以被描述为在副载体的前侧处的开口的面积，所述前侧可以是面向所述工艺的一侧。例如，开口的大小可以被描述为处于具有基板的平面中，或者在安装状态下与基板实质平行的平面中。在一个实施方式中，如果执行垂直工艺则可以在垂直方向上测量基板的大小，或者如果执行水平工艺则可以在水平方向上测量基板的大小。

根据一些实施方式，开口的形状可以依赖于待处理基板。图6a至图6c示出了副载体的开口122的不同形状。图6a示出了副载体的开口的矩形形状，图6b示出了开口的圆形形状(例如类圆形形状)，而图6c示出了开口的正多边形形状。本领域的技术人员将理解，副载体的开口可以具有用于诸如通过热辐射，将热量传导离开基板的任何合适的形状。此外，开口的形状可以依赖于待处理基板的形状。根据可以与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式，基板支撑部分的一个或多个开口可以在适于面向基板的一侧处具有比在适于面向主载体的一侧更大的直径。

通常，开口可以允许对基板进行更好的热辐射，特别是在真空环境中。在处理期间经受升高的温度的基板可由于载体中的开口而至少部分地发出所吸收的热量。根据一些实施方式，基板可以由副载体和/或主载体中的开口冷却。例如，如果基板的温度变得过高，则要在基板上进行的工艺可能会失去品质。在一个示例中，将在基板上执行材料沉积工艺。如果基板具有接近于或甚至高于待沉积材料的熔点的温度，则沉积在材料上的材料层可能再次熔化，并且仅有不足量的材料粘附到基板上。

在一些实施方式中，副载体的开口可以被配置和定位成使得副载体的开口与主载体的开口重合。通过主载体与副载体的重合开口，可以提高来自基板的热辐射。例如，基板可以在基板与副载体的开口重叠的位置处耦接到副载体。此外，根据该示例，副载体可以耦接到主载体，使得副载体(以及在操作期间与副载体一起的基板)面对主载体的开口和/或与主载体的开口重叠。以所描述的方式耦接到副载体的基板和耦接到主载体的副载体允许改进来自基板的热辐射。

图7a和图7b示出了根据本文所述的实施方式在副载体上提供的基板耦接装置的各实施方式。具体地，图7a和图7b示出了如图4a所示的部分B的实施方式的放大图。通常，基板耦接装置可以提供在基板支撑部分表面上的副载体上。在一些实施方式中，可以通过附接、固定、焊接、胶合或通过作为副载体的结构部分来将基板耦接装置提供在副载体上。

图7a示出了由两个夹具提供的基板耦接装置430。当基板由夹具夹持时，夹具可以提供与基板接触的夹持表面。根据一些实施方式，可以为一个基板提供一个夹具。根据其他实施方式，可以为一个基板提供多于一个夹具，例如在基板与副载体中的多于一个开口重叠的情况下。

图7b示出了由两个轨道或导轨提供的基板耦接装置431的一实施方式。根据一些实施方式，基板可以在基板的第一侧(诸如底侧)处由第一轨道支撑，并且可以在基板的第二侧(诸如顶侧)处由第二轨道保持在适当位置处或被夹持。当使用用于将基板耦接到副载体的轨道或导轨时，基板的大部分可以经受处理，而不会在基板的边缘部分处显著损失材料。

图8示出了当基板耦接到副载体时具有开口422和用于掩蔽基板的一部分的掩模411的副载体400的一实施方式。根据一些实施方式，掩模411可以是边缘排除掩模(edge-exclusion mask)。

根据可以与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式，基板可以在基板支撑部分表面处附接至副载体，所述基板支撑部分表面不面对处理设备中的处理，例如为副载体的背侧。在一些实施方式中，副载体的开口可以充当基板的掩模，诸如边缘排除掩模。

在本文所述的一些实施方式中，基板被描述为耦接到基板支撑部分上，具体地是基板支撑部分表面上。根据一些实施方式，基板耦接到表面上可以意味着基板通过提供在基板支撑部分表面上的基板耦接装置而耦接到基板支撑部分表面。根据替代或另外的实施方式，基板耦接到表面上可以意味着基板已经至少部分地与基板支撑部分表面接触。例如，不与开口重叠的基板部分可以与基板支撑部分表面接触。在另一个示例中，基板在基板的限定点或区域处与基板支撑部分表面接触，例如在基板的2至5个点处与基板支撑部分表面接触。

在一些实施方式中，副载体可以具有在安装状态下实质上垂直于面向基板的副载体表面(诸如基板支撑部分表面)延伸的厚度。通常，副载体的厚度通常可以在0.1mm至2cm的范围内、更通常地在0.2mm至1.5cm的范围内，以及甚至更通常地在0.3mm至1cm的范围内。根据本文描述的实施方式，副载体的厚度可以依赖于副载体的稳定性来选择，副载体的稳定性在一个示例中依赖于副载体的材料。根据本文所描述的一些实施方式，副载体的长度通常可以在10cm与1m之间、更通常地在15cm与50cm之间，以及甚至更通常地在15cm与30cm之间。在一个示例中，副载体的长度可以为20cm。根据本文描述的一些实施方式，副载体的宽度通常可以在5cm与50cm之间、更通常地在5cm与30cm之间，以及甚至更通常地在10cm与20cm之间。在一个示例中，副载体的宽度为12cm。

根据本文所述的一些实施方式，副载体可以经适配用于支撑长度在10cm与50cm之间、更通常地在15cm与40cm之间，以及甚至更通常地在15cm与30cm之间的基板。在一些实施方式中，载体可以经适配用于宽度通常在5cm与30cm之间、更通常地在10cm与25cm之间，以及甚至更通常地在15cm与20cm之间的基板。在一个实施方式中，副载体可以适用于大小在10cm×30cm和15cm×20cm之间的基板。

在一些实施方式中，副载体可以适用于支撑通常在1个与30个之间的基板、更通常地在2个与20个之间的基板、以及甚至更通常地在2个与18个之间的基板。根据一些实施方式，开口的数量可以依赖于基板的数量。在一个示例中，开口的数量对应于待支撑的基板的数量，在另一示例中，开口的数量是要支撑的基板的数量的两倍。在一些实施方式中，主载体可以适用于支撑通常在5个与50个之间的副载体、更通常地在10个与50个之间的副载体，以及甚至更通常地在15个与40个之间的副载体。

根据本文所述的实施方式，副载体可以适用于任何类型的基板，诸如包含箔、玻璃、金属、绝缘材料、云母、聚合物和类似物的基板。在一些示例中，副载体和主载体可用于PVD沉积工艺、CVD沉积工艺、基板结构化切边(substrate structuring edging)、加热(例如退火)或任何类型的基板处理。如本文所述的副载体和主载体的实施方式对于垂直取向的基板的非静止(即连续的)基板处理特别有用。本领域的技术人员将理解，副载体和主载体也可以用于非静止的工艺。

在一些实施方式中，副载体和主载体可以被使用并且可以适用于工艺温度为约100℃至约600℃的工艺。根据一些实施方式，副载体和主载体可以特别地用于工艺温度可能高于所包含材料(例如沉积材料)的熔化温度的工艺。在一些实施方式中，副载体和主载体可以用于其中基板具有例如通过工艺温度或处理设备中的温度而被加热到高于要沉积在基板上的材料的熔化温度的温度的风险。在一个实施方式中，根据本文所述实施方式的副载体和主载体可用于沉积熔点为约160℃的锂。根据可以与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式，主载体和副载体可以有利地用于沉积工艺中，以沉积层厚度通常为约1μm至约15μm、更通常地为在约1μm与约10μm之间，以及甚至更通常地在约5μm与约10μm之间的层。

根据本文所述的实施方式，基板可以经历沉积工艺，例如以沉积如陶瓷、金属、碱金属(诸如锂)、ITO、IZO、IGZO、AZO、SnO、AlSnO、InGaSnO、钛、铝、铜、钼以及它们的组合的材料。

图9a和图9b示出了根据本文所述的实施方式的载体系统。

根据本文所述实施方式用于真空工艺中的待处理基板的载体系统可以包括主载体，所述主载体包括用于将一个或多个副载体耦接到主载体的副载体耦接装置。通常，主载体具有副载体支撑部分，所述副载体支撑部分具有带交叉格栅的网格形状。根据一些实施方式，副载体耦接装置被提供在格栅处。在可以与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式中，主载体可以是如上所述的主载体。

根据本文所述的实施方式的载体系统还包括用于支撑一个或多个待处理基板的副载体。通常，副载体包括一个或多个开口。副载体通常还包括用于耦接基板的基板耦接装置。根据本文所描述的实施方式的载体系统的副载体的基板耦接装置经配置为将基板保持在与副载体的开口部分地重叠的位置。根据一些实施方式，载体系统的副载体可以是如上述实施方式中所述的副载体。

图9a示出了用于待处理基板的载体系统。载体系统包括具有虚线所示的开口122的主载体100。在开口前面或开口的上方，副载体400耦接到主载体100。在图9a所示的实施方式中，副载体400大于主载体的开口122。本领域的技术人员将会理解，主载体100的开口122也可以与副载体的大小相等，或甚至可以大于副载体，例如依赖于用于主载体的副载体耦接装置(示例在图2a至图2e中示出)。副载体400具有开口422。

图9a和图9b所示的耦接到主载体的副载体的数目和副载体的开口的数目可以理解为仅仅示例性的，并且可以被理解为不限制根据本文所述的实施方式的载体系统。

在图9b中，基板500耦接到副载体400，所述副载体400耦接到主载体100。基板500位于其中基板500与副载体的开口422重叠的位置。由基板500重叠的副载体的开口422以虚线示出。如从图9b的实施方式可以看出，基板处于基板与副载体400的开口422重叠以及与主载体100的开口122重叠的位置。

如本文所用的术语“实质上”可以意味着可能与以“实质上”表示的特性存在一定偏差。例如，术语“实质上矩形形状”是指可能与精确矩形形状有一定偏差的形状，诸如偏差在一个方向上的一般延伸的约1％至10％。根据另一示例，术语“具有实质上网格形状”可以指具有彼此规则距离的格栅的形状，但是可以允许偏离格栅的规则距离。例如，“实质上网格形状”可以包括偏离两个格栅之间的规则距离的约1％至15％的偏差。

根据本文描述的实施方式的副载体和主载体允许降低处理期间的基板温度。具体地，根据本文所述的实施方式的副载体和主载体允许通过增加来自基板的热辐射来降低处理期间的基板温度。降低基板的温度可产生更好的处理品质和最终产品中更少的不良品。此外，根据本文所述的实施方式的主载体和副载体允许将基板保持在规定的温度范围内，而不增加处理的成本，或不延迟处理。

图10示出了根据本文所述的实施方式用于在载体系统中传递热量，特别是用于传送来自基板的热量的方法的流程图600。所述方法包括在框610中提供主载体。主载体可以包括主载体框架和由主载体框架围绕的副载体支撑部分。如上面关于主载体所述的，副载体支撑部分可以具有带交叉格栅的网格形状，其中所述交叉格栅被配置为支撑用于待处理基板的至少一个副载体。此外，主载体可以包括用于将副载体耦接到多个格栅中的一个格栅的副载体耦接装置。根据一些实施方式，副载体耦接装置可以是如图2a至图2e所示的副载体耦接装置。本领域的技术人员可以理解，副载体耦接装置不限于图2a至图2e所示的示例。

所述方法还包括在框620中使用副载体耦接装置以在副载体面对格栅之间的网格开口的位置处将副载体连接到主载体。在一些实施方式中，副载体包括提供至少一个开口的基板支撑部分。根据一些实施方式，当副载体以使得副载体面向主载体的开口的方式安装到主载体时，可以传递来自副载体(或基板)的热量。副载体和主载体可以一起表示为载体系统。

根据一些实施方式，所述方法还可以包括在副载体耦接到主载体之前或在副载体耦接到主载体之后将基板耦接到副载体。在一些实施方式中，副载体可以包括基板耦接装置，如例如关于图7a和图7b所描述的。基板可以耦接到副载体，使得基板面对副载体中的一个或多个开口，以确保来自基板的热传递。在一些实施方式中，基板可以在一个位置处耦接到载体系统，使得每个基板面向副载体中的至少一个开口以及主载体中的开口。以使得基板面对副载体的开口并且主载体允许传递热量远离基板的方式耦接基板。例如，可以至少在基板的背侧(所述背侧可以是基板的并非旨在经受处理腔室中的处理的一侧)处，通过主载体和副载体中的开口排出基板。

在可以与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式中，主载体和副载体可以是如上述实施方式中所述的载体。

根据一些实施方式，提供了如本文实施方式中所述的副载体、主载体和/或载体系统的用途。

虽然前述内容涉及本发明的若干实施方式，但是可以在不脱离基本范围的情况下设计出其他和进一步的实施方式，并且范围由以下权利要求书来确定。

Claims (15)

1.一种用于待在真空腔室中处理的基板(500)的副载体(400；800)，所述副载体(400；800)包括：

基板支撑部分(420)，所述基板支撑部分包括基板支撑部分表面(421)，所述基板支撑部分(420)被配置用于支撑至少一个待处理基板(500)，其中所述基板支撑部分(420)包括至少一个开口(422)；

基板耦接装置(430；431)，所述基板耦接装置被配置用于将所述至少一个基板(500)保持在所述基板支撑部分表面(421)上且所述基板(500)与所述至少一个开口(422)至少部分的重叠的位置；

其中所述副载体(400；800)被配置用于耦接到主载体(100)。

2.根据权利要求1所述的副载体(400；800)，其中当所述基板(500)安装到所述副载体(400；800)时，一个开口(422)的大小在与所述开口重叠的所述基板(500)的大小的40％与90％之间。

3.根据权利要求1所述的副载体(400；800)，其中当所述基板(500)耦接到所述副载体(400；800)时，多于一个开口经适配为面对一个基板(500)，并且其中用于所述一个基板(500)的所述多于一个开口的总大小在所述待处理基板(500)的大小的50％与90％之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的副载体(400；800)，其中所述副载体(400；800)被配置用于支撑在5个与15个之间的基板(500)，以及

其中所述开口(422)的数目至少与由所述副载体(400；800)支撑的基板(500)的数目一样高。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的副载体(400；800)，其中所述副载体(400；800)经适配用于耦接到根据权利要求7至11中任一项所述的主载体(100)。

6.一种用于真空处理设备的主载体(100)，所述主载体(100)包括：

主载体框架(110)；

副载体支撑部分(120)，所述副载体支撑部分由所述主载体框架(110)围绕并且具有带交叉格栅(121)的网格形状，所述交叉格栅被配置为支撑用于待处理基板(500)的至少一个副载体(400；800)。

7.根据权利要求6所述的主载体(100)，其中所述副载体(400；800)支撑部分被配置用于将至少两行和两列副载体(400；800)支撑至所述主载体(100)。

8.根据权利要求6至7中任一项所述的主载体(100)，进一步包括用于将所述副载体(400；800)耦接到所述格栅(121)中的一个格栅的副载体耦接装置(201；202；203；204；205)，其中所述副载体耦接装置(201；202；203；204；205)允许当所述副载体(400；800)安装到所述主载体(100)时，在所述副载体(400；800)面向所述格栅(121)之间的网格开口的位置处将所述副载体(400；800)耦接到所述主载体(100)。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的主载体(100)，其中所述主载体(100)适用于温度高于160°的工艺。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的主载体(100)，其中所述副载体支撑部分(120)经适配用于将根据权利要求1至5中任一项所述的一个或多个副载体(400；800)固定到所述主载体(100)。

11.一种用于待处理基板(500)的载体系统，包括：

主载体(100)，所述主载体包括用于将一个或多个副载体(400；800)耦接到所述主载体(100)的副载体耦接装置(201；202；203；204；205)，所述主载体(100)包括具有带交叉格栅(121)的网格形状的副载体支撑部分(120)，其中所述副载体耦接装置(201；202；203；204；205)提供在所述格栅(121)处；

用于支撑至少一个待处理基板(500)的副载体(400；800)，其中所述副载体(400；800)包括至少一个开口(422)并且其中所述副载体(400；800)包括用于耦接所述基板(500)的基板耦接装置(430；431)，其中所述基板耦接装置(430；431)被配置用于将所述基板(500)保持在与所述副载体(400；800)的所述开口(422)部分地重叠的位置。

12.根据权利要求11所述的载体系统，其中所述主载体(100)是根据权利要求6至10中任一项所述的主载体(100)，并且其中所述副载体(400；800)是根据权利要求1至5中任一项所述的副载体(400；800)。

13.根据权利要求11至12中任一项所述的载体系统，其中所述副载体(400；800)的所述一个或多个开口(422)的大小为将由所述副载体(400；800)支撑的所述基板(500)的大小的40％至90％，以及

其中所述主载体(100)的所述副载体(400；800)耦接装置经适配用于当所述基板(500)安装到所述副载体(400；800)并且所述副载体(400；800)安装到所述主载体(100)时，在待耦接至所述副载体(400；800)的所述基板(500)面对所述主载体(100)的所述开口的位置处将所述副载体(400；800)耦接至所述主载体(100)。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的载体系统，其中所述主载体被配置用于支撑在5个与50个之间的副载体(400；800)，其中每个副载体(400；800)被配置用于支撑2个至20个基板(500)，并且其中所述副载体(400；800)被具体地配置用于支撑尺寸在10cm×30cm和15cm×20cm之间的基板(500)。

15.一种用于在载体系统中传递热量的方法，所述方法包括：

提供主载体，所述主载体包括主载体框架(110)和副载体支撑部分(120)，所述副载体支撑部分(120)由所述主载体框架(110)围绕并且具有带交叉格栅(121)的网格形状，所述交叉格栅被配置为支撑用于待处理基板(500)的至少一个副载体(400；800)，所述主载体还包括用于将副载体(400；800)耦接到所述格栅(121)中的一个格栅的副载体耦接装置(201；202；203；204；205)；以及

使用所述副载体耦接装置以在所述副载体(400；800)面对所述格栅(121)之间的网格开口的位置处将副载体连接到所述主载体。