CN107275234A - 封装晶片的制造方法和器件芯片的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供封装晶片的制造方法和器件芯片的制造方法，利用模制树脂将晶片的正面覆盖并且将模制树脂合适地填充在槽内。封装晶片的制造方法构成为通过如下的步骤制造出利用模制树脂将晶片的器件区域(A1)包覆并利用模制树脂埋设了沿着分割预定线而形成的槽的封装晶片：从晶片(W)的正面侧沿着分割预定线形成深度为完工厚度以上的槽(12)的步骤；将晶片的外周的倒角部去除而形成槽以上的深度的阶部(13)的步骤；以及将成型装置的凹状的模具(36)载置在阶部底面(14)上而对由模具和晶片围成的空间填充模制树脂(M)的步骤。

Description

封装晶片的制造方法和器件芯片的制造方法

技术领域

本发明涉及利用模制树脂对正面侧进行了密封的封装晶片的制造方法和器件芯片的制造方法。

背景技术

近年来，在晶片的状态下进行直至封装的加工的WL-CSP(Wafer Level Chip SizePackage：晶圆级芯片尺寸封装)备受瞩目。在WL-CSP中，在利用模制树脂对形成于晶片的正面侧的多个器件进行了密封之后，将晶片分割成各个器件芯片。由于仅晶片的正面侧被模制树脂覆盖，所以分割后的器件芯片的侧面(切断面)会露出于外部而使外观性等变差。因此，提出了如下方案：沿着分割预定线形成槽并填充模制树脂，按照该模制树脂沿着分割预定线对晶片进行分割，由此，利用模制树脂将器件芯片的侧面覆盖(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2006-100535号公报

但是，在专利文献1所记载的技术中，由于以横贯晶片整体的方式沿着分割预定线形成槽，所以在利用模制树脂将晶片的正面侧覆盖时，模制树脂会从露出于晶片的外周面的各槽的两端漏出。因此，有时无法将模制树脂合适地填充在晶片的槽内。

发明内容

本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于，提供封装晶片的制造方法和器件芯片的制造方法，能够利用模制树脂将晶片的正面覆盖并且将模制树脂合适地填充在槽内。

根据本发明，提供一种封装晶片的制造方法，其中，该封装晶片的制造方法具有如下的步骤：槽形成步骤，从晶片的正面侧沿着分割预定线形成深度为完工厚度以上的槽，其中，该晶片具有器件区域和形成于外周侧面的倒角部，该器件区域在由形成为格子状的多条该分割预定线划分的正面的各区域中形成有具有凸块的器件；倒角部去除步骤，将切削刀具按照比该槽深的深度切入该倒角部，将该倒角部去除；以及模制树脂填充步骤，在实施了该槽形成步骤和该倒角部去除步骤之后，使成型装置的模具与器件区域的正面之间具有规定的空间并且与去除了该倒角部而形成的阶部底面抵接而进行载置，对该模具与该器件区域的正面之间的该空间内填充模制树脂，其中，该模具是与该倒角部去除后的凸形的器件区域卡合的凹形，利用该封装晶片的制造方法制造出在该器件区域的正面上包覆有模制树脂并且在该槽中埋设有模制树脂的封装晶片。

根据该结构，沿着分割预定线以横贯晶片整体的方式形成有槽，并通过将晶片的倒角部去除而使器件区域形成为凸状。当成型装置的凹状的模具与凸状的器件区域卡合时，模具与阶部底面在比沿着分割预定线的槽深的位置抵接而将晶片的外周液密地密封。因此，在填充模制树脂时模制树脂不会从晶片的外周漏出到外侧，能够良好地制造出利用模制树脂将器件区域的正面包覆并且利用模制树脂埋设了槽的封装晶片。

在本发明的封装晶片的制造方法中，具有如下的外周切削槽形成步骤：在实施该倒角部去除步骤之前或之后，对去除了该倒角部而形成的阶部底面上的至少一条该分割预定线的延长线上的外周两端利用切削刀具进行切入而形成外周切削槽，在该外周切削槽形成步骤之后的步骤中利用该外周切削槽进行对位。

本发明的器件芯片的制造方法包含如下步骤：切削槽形成步骤，以上述的封装晶片的该外周切削槽为基准进行对位，使用切削刀具从封装晶片正面侧沿着该分割预定线以比完工厚度深的深度切入，在填充有该模制树脂的该槽的中心处形成切削槽；以及分割步骤，在实施了该切削槽形成步骤之后，对封装晶片背面进行磨削直至成为该完工厚度而使该切削槽露出，将封装晶片分割成具有被该模制树脂围绕的外周的各个器件芯片。

根据本发明，在沿着晶片的分割预定线形成了槽之后，通过将晶片的倒角部去除而使器件区域形成为能够与成型装置的凹状的模具卡合的凸状。通过使凹状的模具与该凸状的器件区域卡合，能够抑制填充在晶片上的模制树脂向外侧漏出，能够良好地制造出利用模制树脂将器件区域包覆并且利用模制树脂埋设了槽的封装晶片。

附图说明

图1是本实施方式的晶片的立体图。

图2的(A)是示出第1比较例的槽形成步骤的俯视图，图2的(B)是示出第1比较例的模制树脂填充步骤的剖视图。

图3的(A)是示出第2比较例的槽形成步骤的俯视图，图3的(B)是示出第2比较例的模制树脂填充步骤的剖视图。

图4是示出本实施方式的槽形成步骤的一例的剖视图。

图5是示出本实施方式的倒角部去除步骤的一例的剖视图。

图6是本实施方式的实施了外周切削槽形成步骤之后的立体图。

图7是示出本实施方式的模制树脂填充步骤的一例的剖视图。

图8是本实施方式的封装晶片的立体图。

图9是示出本实施方式的切削槽形成步骤的一例的剖视图。

图10是示出本实施方式的分割步骤的一例的剖视图。

图11是示出其他实施方式的磨削步骤的一例的剖视图。

图12是示出其他实施方式的分割步骤的一例的剖视图。

标号说明

11：倒角部；12：槽；13：阶部；14：阶部底面；15：外周切削槽；16：器件区域的凸状部分；18：模具与晶片之间的空间；19：切削槽；36：模具；A1：器件区域；A2：外周剩余区域；D：器件；L：分割预定线；M：模制树脂；PW：封装晶片；W：晶片。

具体实施方式

以下，参照附图对封装晶片的制造方法进行说明。首先，对封装前的晶片进行说明。图1是本实施方式的晶片的立体图。图2的(A)和(B)是比较例的封装晶片的制造方法的说明图，图3的(A)和(B)是比较例的封装晶片的其他制造方法的说明图。另外，图2的(B)和图3的(B)的虚线示出了在纸面左右方向上延伸的槽的底面。

如图1所示，晶片W的正面被格子状的分割预定线L划分成多个区域，在分割预定线L所划分出的各区域内形成有带有凸块的器件D(凸块未图示)。晶片W的正面被分成形成有多个器件D的器件区域A1和围绕器件区域A1的外周剩余区域A2。为了防止晶片W的亏缺而对外周剩余区域A2的外周侧面实施倒角加工从而形成倒角部11。另外，作为晶片W，例如，使用在半导体基板上形成有IC、LSI等半导体器件的半导体晶片。

通常，利用模制树脂对这样的晶片W的正面进行密封从而制造出封装晶片，当将该封装晶片分割成器件芯片时，由于仅器件面被模制树脂覆盖而侧面露出于外部，所以外观性等变差。为了解决该问题，考虑了如下结构：如图2的(A)所示，沿着分割预定线L利用切削刀具51以横贯晶片W整体的方式进行半切割而形成槽52，并在该槽52中填充模制树脂M(参照图2的(B))。由此，能够利用模制树脂M对晶片W的分割后的器件芯片的侧面进行覆盖。

在该情况下，如图2的(B)所示，在利用模具53覆盖了晶片W整体的状态下对模具53与晶片W的正面之间的空间提供模制树脂M，但模制树脂M会从露出于晶片W的外周面的各槽52的两端漏出。因此，晶片W的正面整体被模制树脂M覆盖而分割预定线L(槽52)被完全掩埋，不能沿着分割预定线L对晶片W进行分割。因此，必须通过抛光、修整等将晶片W的外周侧的模制树脂M去除而使分割预定线L局部露出，作业工时会增加。

并且，考虑如下结构：如图3的(A)所示，沿着分割预定线L利用切削刀具56留出晶片W的外周部分而进行半切割从而仅在内侧形成槽57，并将模制树脂M填充在该槽57中(参照图3的(B))。在该情况下，如图3的(B)所示，在将模具58载置在晶片W的外周部分的状态下对模具58与晶片W的正面之间的空间提供模制树脂M，由于槽57仅形成在晶片W的内侧，所以模制树脂M不会从晶片W漏出到外侧。因此，载置着模具58的晶片W的外周部分不会被模制树脂M覆盖，在晶片W的外周部分，分割预定线L(槽57)露出于外部。

但是，为了仅在晶片W的内侧形成槽57，在切削开始时会产生利用切削刀具56(参照图3的(A))从正上方对晶片W进行切入的动作(chopper cut：斩切式切割)。在该情况下，为了防止晶片W的破损，必须使切削刀具56缓慢地下降。因此，虽然晶片W的外周部分没有被模制树脂M覆盖从而能够减少抛光等作业工时，但对晶片W形成槽57的形成时间变长而使作业效率降低。这样，追求一种既考虑到作业工时又考虑到对晶片W形成槽57的形成时间的封装晶片的制造方法。

因此，在本实施方式中，在沿着分割预定线L以横贯晶片W整体的方式形成了槽12之后，将晶片W的外周部分的倒角部11去除而使器件区域A1形成为凸状，使凹状的模具36与该凸状的器件区域A1卡合(参照图4到图7)。在通过与晶片W卡合的模具36液密地密封了晶片W的外周的状态下填充模制树脂M，从而抑制模制树脂M从晶片W的外周漏出。并且，利用切削刀具从侧方对晶片W进行切入，从而不使晶片W的槽12的形成时间变长。

以下，参照图4到图7对本实施方式的封装晶片的制造方法进行详细地说明。图4是示出本实施方式的槽形成步骤的一例的图，图5是示出本实施方式的倒角部去除步骤的一例的图，图6是示出本实施方式的外周切削槽形成步骤的一例的图，图7是示出本实施方式的模制树脂填充步骤的一例的图。图8是本实施方式的封装晶片的立体图。另外，在以下的说明中，为了方便说明而省略了凸块。并且，图5和图7的虚线示出了在纸面左右方向上延伸的槽的底面。

如图4所示，首先实施槽形成步骤。在槽形成步骤中，将晶片W搬送到切削装置的卡盘工作台21上，以正面朝向上方的状态将晶片W吸引保持在卡盘工作台21上。当在晶片W的径向外侧将切削刀具22对位于分割预定线L(参照图1)时，使切削刀具22下降至比晶片W的完工厚度t1深的位置，并使卡盘工作台21相对于该切削刀具22进行切削进给。由此，沿着分割预定线L对卡盘工作台21上的晶片W进行半切割，形成深度为完工厚度t1以上的槽12。

通过重复进行该切削进给，沿着卡盘工作台21上的晶片W的全部的分割预定线L形成槽12。此时，切削刀具22从侧方对晶片W进行切入，以横贯晶片W整体的方式进行切削。因此，不产生使切削刀具22从正上方对晶片W进行切入的动作，与之相应地能够缩短在晶片W上形成槽12的形成时间。另外，这里所说的完工厚度t1是指后述的器件芯片制造方法中的磨削加工后的晶片W的完工厚度。

如图5所示，在槽形成步骤之后实施倒角部去除步骤。在倒角部去除步骤中，将晶片W搬送到修整装置的卡盘工作台26上，以正面朝向上方的状态将晶片W吸引保持在卡盘工作台26上。将晶片W的中心保持为与卡盘工作台26的旋转轴一致，将切削刀具27对位于晶片W的倒角部11(参照图4)。然后，使切削刀具27高速旋转而通过切削刀具27按照比沿着分割预定线L(参照图1)的槽12深的深度切入晶片W的倒角部11。

接着，通过使卡盘工作台26相对于切削刀具27旋转而将晶片W的倒角部11(参照图4)去除，沿着晶片W的外周形成深度为槽12的深度以上的阶部13。由于在晶片W的整周区域内将倒角部11环状地去除，所以在去除了倒角部11之后的晶片W的正面侧仅呈凸状地残留有器件区域A1。并且，由于倒角部去除用的切削刀具27的前端形状是平坦的，所以将倒角部11从晶片W去除而得到的阶部底面14形成为平坦。另外，也可以在槽形成步骤之前实施倒角部去除步骤。

如图6所示，在倒角部去除步骤之后实施外周切削槽形成步骤。在外周切削槽形成步骤中，将晶片W搬送到切削装置的卡盘工作台(未图示)上，以正面朝向上方的状态将晶片W吸引保持在卡盘工作台上。当在晶片W的径向外侧使切削刀具(未图示)对位于分割预定线L时，使切削刀具下降至比晶片W的去除了倒角部11而得到的阶部底面14深的位置。通过使卡盘工作台相对于该切削刀具稍微地进行切削进给，使切削刀具切入阶部底面14的外周端。

由于在晶片W的四周进行该切削刀具的切入，所以在垂直的两个方向上在晶片W的阶部底面14上的1条分割预定线L的延长线上的外周两端形成外周切削槽15。该外周切削槽15在后述的器件芯片的制造方法中作为对位用的对准标记来使用。并且，也可以在倒角部去除步骤和外周槽形成步骤之前实施外周切削槽形成步骤。在该情况下，对晶片W的倒角部11较深地进行切入，以便在去除倒角部11之后仍残留有外周切削槽15。

如图7所示，在外周切削槽形成步骤之后实施模制树脂填充步骤。在模制树脂填充步骤中，将晶片W搬送到成型装置上，将成型装置的模具36罩在晶片W的正面侧。模具36形成为凹状以便与晶片W的去除了倒角部11(参照图4)的凸状的器件区域A1卡合。模具36的侧壁37的下表面与阶部底面14抵接，侧壁37与器件区域A1的凸状部分16卡合，由此，在晶片W的器件区域A1的正面与模具36之间具有空间18而将模具36载置在晶片W上。

在该情况下，为了使模具36容易与晶片W的正面侧卡合，在模具36的侧壁37与器件区域A1的凸状部分16之间设置有微小的空隙20。并且，由于晶片W的外周的阶部底面14形成为比沿着分割预定线L(参照图6)的槽12的底面深，所以模具36的内侧的空间18被阶部底面14上所载置的模具36的侧壁37液密地密封。然后，从提供源33对模具36提供模制树脂M，通过形成于模具36的上壁38的提供口39对模具36与器件区域A1的正面之间的空间18填充模制树脂M。

当模制树脂M被填充到器件区域A1时，该模制树脂M从器件区域A1的正面进入沿着分割预定线L的槽12内，并沿着槽12朝向晶片W的外侧流动。当槽12内的模制树脂M到达模具36的侧壁37时，该模制树脂M顺着模具36的侧壁37与器件区域A1的凸状部分16之间的空隙20而缓慢地流落到阶部底面14上。由于模具36的侧壁37的下表面抵接在阶部底面14上，所以通过模具36的侧壁37来可靠地阻挡模制树脂M。因此，模制树脂M不会从晶片W的外周漏出，晶片W的正面被模制树脂M包覆。

这样，如图8所示，制造出如下的封装晶片PW：器件区域A1的正面被模制树脂M包覆，并且在沿着分割预定线L的槽12(参照图6)内埋设有模制树脂M。由于封装晶片PW的槽12内的模制树脂M会成为封装晶片PW的分割后的器件芯片C的侧面，所以封装晶片PW的分割后的器件芯片C不仅正面被模制树脂M覆盖，而且侧面整体也被模制树脂M覆盖，提高了外观性(参照图10)。在模制树脂填充步骤中，由于封装晶片PW的外周切削槽15没有被模制树脂M覆盖，所以能够以外周切削槽15为基准将封装晶片PW分割成各个器件芯片C。

因此，不需要像图2所示的比较例所示的晶片W那样进行抛光或修整等工序，从而能够短作业时间。并且，不会像图3所示的其他比较例所示的晶片W那样产生从正上方利用切削刀具56对晶片W进行切入的动作。由于从侧方利用切削刀具22对晶片W进行切入而形成槽12，所以能够缩短槽12的形成时间。另外，模制树脂填充步骤只要是在实施了槽形成步骤和倒角去除步骤之后实施的，也可以在外周切削槽形成步骤之前实施。

如上述那样，在本实施方式的封装晶片PW的制造方法中，沿着分割预定线L以横贯晶片W整体的方式形成槽，将晶片W的倒角部11去除从而器件区域A1形成为凸状。当成型装置的凹状的模具36与凸状的器件区域A1卡合时，模具36与阶部底面14在比沿着分割预定线L的槽12深的位置抵接从而晶片W的外周被液密地密封。因此，在填充模制树脂M时模制树脂M不会从晶片W的外周漏出到外侧，能够良好地制造出利用模制树脂M将器件区域A1的正面包覆并且利用模制树脂M埋设了槽12的封装晶片PW。

接着，参照图9和图10对器件芯片的制造方法进行详细地说明。图9是示出本实施方式的切削槽形成步骤的一例的剖视图，图10是示出本实施方式的分割步骤的一例的剖视图。

如图9所示，首先实施切削槽形成步骤。在切削槽形成步骤中，将封装晶片PW搬送到切削装置的卡盘工作台41上，以正面朝向上方的状态将封装晶片PW吸引保持在卡盘工作台41上。这里，使用宽度比槽宽度窄的切削刀具42以便在槽12内留有模制树脂M。由于器件区域A1的正面被模制树脂M包覆，所以无法对分割预定线L(参照图6)进行确认。因此，以分割预定线L的延长线上的外周切削槽15(参照图8)为基准，在封装晶片PW的径向外侧使切削刀具42对位于分割预定线L。

然后，使切削刀具42下降至比封装晶片PW的完工厚度t2深的位置，并使卡盘工作台41相对于该切削刀具42进行切削进给。由此，对填充有模制树脂M的槽12的中心进行半切割而形成深度为完工厚度t2以上的切削槽19。通过重复进行该切削进给，沿着卡盘工作台41上的封装晶片PW的全部的槽12形成切削槽19。这样，使用宽度比填充有模制树脂M的槽12的槽宽度窄的切削刀具42形成切削槽19以便在槽12内留有模制树脂M。

如图10所示，在切削槽形成步骤之后实施分割步骤。在分割步骤中，以在封装晶片PW的正面侧粘贴有保护带T的状态将封装晶片PW搬送到磨削装置的卡盘工作台46上，以背面朝向上方的状态将封装晶片PW隔着保护带T吸引保持在卡盘工作台46上。使磨削磨轮47与封装晶片PW的背面旋转接触而进行磨削直至成为完工厚度t2，使切削槽19从封装晶片PW的背面露出而将封装晶片PW分割成各个器件芯片C。这样，形成外周被模制树脂M围绕的器件芯片C。

另外，器件芯片的制造方法并不仅限于当在封装晶片PW的正面上形成了切削槽19之后从背面侧对封装晶片PW进行磨削而分割成各个器件芯片C的结构。器件芯片的制造方法只要能够从封装晶片PW制造出器件芯片C即可。例如，也可以如以下的器件芯片的其他的制造方法那样，在从背面侧对封装晶片PW进行磨削而磨削至完工厚度t2之后，对封装晶片PW进行切削而分割成各个器件芯片C。

以下，参照图11和图12对器件芯片的其他的制造方法进行说明。图11是示出其他的实施方式的磨削步骤的一例的图，图12是示出其他的实施方式的分割步骤的一例的图。另外，在器件芯片的其他的制造方法中，由于先对封装晶片进行薄化再进行分割，所以即使如上述那样在封装晶片上形成有外周切削槽，也会在封装晶片的磨削时被去除。因此，在分割步骤中，代替将外周切削槽作为对准标记而对位的方式，按照通过磨削而从封装晶片PW的背面露出的槽12进行对位。

如图11所示，首先实施磨削步骤。在磨削步骤中，以在封装晶片PW的正面上粘贴有保护带T的状态将封装晶片PW搬送到磨削装置的卡盘工作台46上，以背面朝向上方的状态将封装晶片PW隔着保护带T吸引保持在卡盘工作台46上。使磨削磨轮47与封装晶片PW的背面旋转接触而对封装晶片PW进行磨削直至成为完工厚度t2。由此，使填充有模制树脂M的槽12从封装晶片PW的背面露出。

如图12所示，在磨削步骤之后实施分割步骤。在分割步骤中，将封装晶片PW搬送到切削装置的卡盘工作台41上，以背面朝向上方的状态将封装晶片PW隔着保护带T吸引保持在卡盘工作台41上。这里，使用宽度比槽宽度窄的切削刀具42以便在槽12内留有模制树脂M。由于没有如上述那样在封装晶片PW上形成外周切削槽15(参照图8)，所以使切削刀具42对位于从封装晶片PW的背面露出的槽12(模制树脂M)的中心。

然后，使切削刀具42下降至能够切断封装晶片PW的高度，并使卡盘工作台41相对于该切削刀具42进行切削进给。由此，封装晶片W在填充有模制树脂M的槽12的中心被切断。通过重复进行该切削进给，将卡盘工作台41上的封装晶片PW沿着分割预定线L(参照图6)分割成各个器件芯片C。这样，形成外周被模制树脂M围绕的器件芯片C。另外，在器件芯片C的其他的制造方法中，由于不需要在封装晶片PW上形成外周切削槽15，所以能够在上述的封装晶片PW的制造方法中省略外周切削槽形成步骤。

另外，本发明并不仅限于上述实施方式，能够实施各种变更。在上述实施方式中，在附图中图示的大小或形状等并不仅限于此，能够在发挥本发明的效果的范围内进行适当变更。另外，只要在不脱离本发明的目的的范围内便能够实施适当变更。

例如，在上述的实施方式的模制树脂填充步骤中，构成为在使模具36与晶片W的正面侧卡合的状态下对晶片W的正面侧填充模制树脂M，但并不仅限于该结构。在模制树脂填充步骤中，也可以构成为对晶片W的正面滴下适量的模制树脂M并利用模具36对模制树脂M的积液进行按压从而在晶片W的正面侧填充模制树脂M。

并且，在上述的实施方式的外周切削槽形成步骤中，构成为在晶片W的阶部底面14上的1条分割预定线L的延长线上形成外周切削槽15，但并不仅限于该结构。在外周切削槽形成步骤中，可以在晶片W的阶部底面14上的至少1条分割预定线L的延长线上形成外周切削槽15，例如，也可以在全部的分割预定线L的延长线上形成外周切削槽15。

并且，在上述的实施方式中，构成为在封装晶片PW上形成外周切削槽15来作为对准标记，但并不仅限于该结构。对准标记只要是能够对封装晶片PW的分割预定线进行确定的标记即可，例如，也可以通过激光加工等进行标记。

并且，在上述的实施方式中，槽形成步骤、倒角部去除步骤以及外周切削槽形成步骤是在不同的装置中实施的，但也可以在同一装置中实施。

如以上说明的那样，本发明具有能够利用模制树脂将晶片的正面覆盖并且将模制树脂适当地填充在槽内的效果，特别对WL-CSP等封装晶片的制造方法和器件芯片的制造方法有用。

Claims (3)

1.一种封装晶片的制造方法，其中，该封装晶片的制造方法具有如下的步骤：

槽形成步骤，从晶片的正面侧沿着分割预定线形成深度为完工厚度以上的槽，其中，该晶片具有器件区域和形成于外周侧面的倒角部，该器件区域在由形成为格子状的多条该分割预定线划分的正面的各区域中形成有具有凸块的器件；

倒角部去除步骤，将切削刀具按照比该槽深的深度切入该倒角部，将该倒角部去除；以及

模制树脂填充步骤，在实施了该槽形成步骤和该倒角部去除步骤之后，使成型装置的模具与器件区域的正面之间具有规定的空间并且与去除了该倒角部而形成的阶部底面抵接而进行载置，对该模具与该器件区域的正面之间的该空间内填充模制树脂，其中，该模具是与该倒角部去除后的凸形的器件区域卡合的凹形，

利用该封装晶片的制造方法制造出在该器件区域的正面上包覆有模制树脂并且在该槽中埋设有模制树脂的封装晶片。

2.根据权利要求1所述的封装晶片的制造方法，其特征在于，

该封装晶片的制造方法还具有如下的外周切削槽形成步骤：在实施该倒角部去除步骤之前或之后，利用切削刀具切入至少一条该分割预定线的延长线上的外周两端而形成外周切削槽，

在该外周切削槽形成步骤之后的步骤中利用该外周切削槽进行对位。

3.一种器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：

切削槽形成步骤，以权利要求2所述的封装晶片的该外周切削槽为基准进行对位，使用切削刀具沿着该分割预定线从封装晶片正面侧按照比完工厚度深的深度切入，在填充有该模制树脂的该槽的中心形成切削槽；以及

分割步骤，在实施了该切削槽形成步骤之后，对封装晶片背面进行磨削直至成为该完工厚度而使该切削槽露出，将封装晶片分割成具有被该模制树脂围绕的外周的各个器件芯片。