CN107104106B - Tft基板的制作方法及tft基板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，在底层导电层上依次连续沉积一第一绝缘层及一绝缘薄膜，然后在绝缘薄膜上形成层间功能层后，在绝缘薄膜上形成第二绝缘层，绝缘薄膜的膜质和晶体结构与第二绝缘层相同，使对第二绝缘层、绝缘薄膜及第一绝缘层进行干法刻蚀形成一贯穿第二绝缘层、绝缘薄膜及第一绝缘层的过孔时，过孔的侧壁在膜层之间的分界面处不会出现刻蚀倒角，从而避免沉积在过孔内的顶层导电层发生断裂，确保TFT基板的电路稳定性，提高TFT基板的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。因此，不论是LCD的显示面板，还是OLED的显示面板，通常都具有一TFT基板。以LCD的显示面板为例，其主要是由一TFT基板、一彩色滤光片(Color Filter，CF)基板、以及配置于TFT基板和CF基板间的液晶层(LiquidCrystal Layer)所构成，其工作原理是通过在TFT基板与CF基板上施加驱动电压来控制液晶层中液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
在LCD和OLED中，金属导线层或者导电层电极之间会使用透明的绝缘层分隔，而在某些位置中，上下两层金属导线层或者导电层需要连通，则需要对这些位置的绝缘层使用干法刻蚀进行开孔，开孔位置有可能是两层或多层绝缘层叠加，而出现多层绝缘层叠加的原因，往往是因为在各绝缘层之间会进行其他的制程(如进行其他金属导线层的镀膜、曝光和刻蚀)，而上层金属导线层必须穿过该两层或多层绝缘层与底层金属导线层相连接，因此必须进行多层绝缘层的开孔。如图1至图3所示，为现有的一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1’、提供一衬底基板1，在所述衬底基板1上从下到上依次制作底层导电层2、第一绝缘层3，在第一绝缘层3上制作层间功能层4，在第一绝缘层3上制作覆盖层间功能层4的第二绝缘层5；步骤S2’、对第一绝缘层3、及第二绝缘层5进行干法刻蚀，形成贯穿第一绝缘层3、及第二绝缘层5的过孔401；步骤S3’、在第二绝缘层5上制作顶层导电层6，所述顶层导电层6经由过孔401与底层导电层2相连接。
当第一绝缘层3与第二绝缘层5的膜质存在差异时，如第一绝缘层3的膜质较第二绝缘层5的膜质致密，如图2所示，在进行干法刻蚀时，第二绝缘层5较容易被刻蚀，第一绝缘层3刻蚀速率较慢，导致过孔401内壁在第二绝缘层5与第一绝缘层3的分界面501出现刻蚀倒角，如图3所示，在这种形态的过孔401上继续沉积顶层导电层6时，对应刻蚀倒角处的顶层导电层6会发生断裂，断裂处电阻会急剧增大，在固定电压的情况下，流经此处的电流会急剧降低，严重影响导电效果，更为严重的是整个过孔401中的顶层导电层6全部断裂，将会导致整个TFT基板的电路失去应有的功能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，能够消除贯穿多层绝缘层的过孔在膜层界面位置出现的刻蚀倒角，避免沉积在过孔内的顶层导电层发生断裂，确保TFT基板的电路稳定性。
本发明的目的还在于提供一种TFT基板，能够消除贯穿多层绝缘层的过孔在膜层界面位置出现的刻蚀倒角，避免沉积在过孔内的顶层导电层发生断裂，TFT基板的电路稳定性好。
为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成底层导电层；
在所述底层导电层上依次连续沉积第一绝缘层及绝缘薄膜；
在所述绝缘薄膜上形成层间功能层；
在绝缘薄膜及层间功能层上沉积第二绝缘层；
对第一绝缘层、绝缘薄膜、及第二绝缘层进行干法刻蚀，形成贯穿第一绝缘层、绝缘薄膜、及第二绝缘层的过孔，所述过孔暴露出底层导电层的部分；
在第二绝缘层上形成顶层导电层，所述顶层导电层通过所述过孔与底层导电层接触；
所述绝缘薄膜的膜质和晶体结构与第二绝缘层相同。
所述绝缘薄膜的材料与第二绝缘层相同。
所述底层导电层的材料为金属。
所述顶层导电层的材料为透明导电氧化物或金属。
所述层间功能层为金属导线。
形成贯穿第一绝缘层、绝缘薄膜、及第二绝缘层的过孔的具体过程为：在第二绝缘层上涂布光阻材料，对光阻材料进行图形化形成光阻图案，以所述光阻图案为遮蔽层对第一绝缘层、绝缘薄膜、第二绝缘层进行干法刻蚀，形成贯穿第一绝缘层、绝缘薄膜、第二绝缘层的过孔，最后去除光阻图案。
所述绝缘薄膜的厚度小于第一绝缘层的厚度且小于第二绝缘层的厚度。
本发明还提供一种TFT基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的底层导电层、设于底层导电层上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的绝缘薄膜、设于绝缘薄膜上的层间功能层、设于绝缘薄膜上并覆盖层间功能层的第二绝缘层、贯穿所述第二绝缘层、绝缘薄膜及第一绝缘层的过孔、以及设于第二绝缘层上并经由过孔与底层导电层相连接的顶层导电层；
所述绝缘薄膜的膜质和晶体结构与第二绝缘层相同；
所第一绝缘层与绝缘薄膜依次连续沉积在衬底基板上。
所述绝缘薄膜的材料与第二绝缘层相同；
所述底层导电层的材料为金属；
所述顶层导电层的材料为透明导电氧化物或金属；
所述层间功能层为金属导线；
所述绝缘薄膜的厚度小于第一绝缘层的厚度且小于第二绝缘层的厚度。
本发明的有益效果：本发明的TFT基板的制作方法，在底层导电层上依次连续沉积一第一绝缘层及一绝缘薄膜，然后在绝缘薄膜上形成层间功能层后，在绝缘薄膜上形成第二绝缘层，绝缘薄膜的膜质和晶体结构与第二绝缘层相同，使对第二绝缘层、绝缘薄膜及第一绝缘层进行干法刻蚀形成一贯穿第二绝缘层、绝缘薄膜及第一绝缘层的过孔时，过孔的侧壁在膜层之间的分界面处不会出现刻蚀倒角，从而避免沉积在过孔内的顶层导电层发生断裂，确保TFT基板的电路稳定性，提高TFT基板的可靠性。本发明的TFT基板，能够消除贯穿多层绝缘层的过孔在膜层界面位置出现的刻蚀倒角，避免沉积在过孔内的顶层导电层发生断裂，TFT基板的电路稳定性好。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的TFT基板的制作方法的步骤S1’的示意图；
图2为现有的TFT基板的制作方法的步骤S2’的示意图；
图3为现有的TFT基板的制作方法的步骤S3’的示意图；
图4为本发明的TFT基板的制作方法的流程图；
图5为本发明的TFT基板的制作方法的步骤S1的示意图；
图6为本发明的TFT基板的制作方法的步骤S2的示意图；
图7为本发明的TFT基板的制作方法的步骤S3的示意图；
图8为本发明的TFT基板的制作方法的步骤S4的示意图；
图9为本发明的TFT基板的制作方法的步骤S5的示意图；
图10为本发明的TFT基板的制作方法的步骤S6的示意图暨本发明的TFT基板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图4，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、请参阅图5，提供一衬底基板10，在所述衬底基板10上形成底层导电层20。
具体地，所述衬底基板10可为玻璃基板。
具体地，所述底层导电层20的材料为金属。
进一步地，当底层导电层20的材料为金属时，可选择钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、钽(Ta)等金属或其堆栈组合。
步骤S2、请参阅图6，在所述底层导电层20上依次连续沉积第一绝缘层30及绝缘薄膜40。
具体地，所述绝缘薄膜40的膜质和晶体结构根据后续形成于其上的第二绝缘层60的膜质和晶体结构进行选择，使该绝缘薄膜40与后续形成于其上的第二绝缘层60的膜质和晶体结构相同。
优选地，所述绝缘薄膜40的材料与后续形成于其上的第二绝缘层60相同，当然所述绝缘薄膜40的材料也可选择与第二绝缘层60不同的材料，能够满足绝缘薄膜40的膜质和晶体结构与第二绝缘层60相同即可。
步骤S3、请参阅图7，在所述绝缘薄膜40上形成层间功能层50。
具体地，所述层间功能层50可为金属导线等现有技术中制作于两层绝缘层之间的结构。当所述层间功能层50为金属导线时，所述金属导线的材料选择选择钼、钛、铝、钽等金属或其堆栈组合。
步骤S4、请参阅图8，在绝缘薄膜40及层间功能层50上沉积第二绝缘层60。
具体地，所述绝缘薄膜40的厚度小于第一绝缘层30的厚度且小于第二绝缘层60的厚度。
步骤S5、请参阅图9，对第一绝缘层30、绝缘薄膜40、及第二绝缘层60进行干法刻蚀，形成贯穿第一绝缘层30、绝缘薄膜40、及第二绝缘层60的过孔61，所述过孔61暴露出底层导电层20的部分。
具体地，所述步骤S5具体为：在第二绝缘层60上涂布光阻材料，对光阻材料进行图形化形成光阻图案，以所述光阻图案为遮蔽层对第一绝缘层30、绝缘薄膜40、第二绝缘层60进行干法刻蚀，形成贯穿第一绝缘层30、绝缘薄膜40、第二绝缘层60的过孔61，最后去除光阻图案。
步骤S6、请参阅图10，在第二绝缘层60上形成顶层导电层70，所述顶层导电层70通过所述过孔61与底层导电层20接触。
具体地，所述顶层导电层70的材料为透明导电氧化物或金属。当所述顶层导电层70的材料为透明导电氧化物时，优选氧化铟锡(ITO)；当所述顶层导电层70的材料为金属时，优选钼、钛、铝、钽或其堆栈组合。
需要说明的是，上述TFT基板的制作方法中，由于第一绝缘层30与绝缘薄膜40为连续沉积形成，极大地降低了第一绝缘层30与绝缘薄膜40的分界面的晶格缺陷，提高了晶体结构的连续性，因此在使用干法刻蚀形成过孔61时，过孔61的侧壁在第一绝缘层30与绝缘薄膜40的分界面的位置不会出现刻蚀倒角，同时由于绝缘薄膜40和第二绝缘层60的膜质和晶体结构相同，即使经过了绝缘薄膜40上的层间功能层50制程及大气环境的影响，在干法刻蚀形成过孔61时，过孔61的侧壁在绝缘薄膜40与第二绝缘层60的分界面的位置也不会出现刻蚀倒角，使过孔61整体的宽度从远离底层导电层20向靠近底层导电层20的方向逐渐减小，倾斜角较平缓，从而避免在第二绝缘层60上形成顶层导电层70时，顶层导电层70在过孔61中发生断裂，提高顶层导电层70的均匀性，确保TFT基板的电路稳定性，提高TFT基板的可靠性。
请参阅图10，基于上述TFT基板的制作方法，本发明还提供一种TFT基板，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上的底层导电层20、设于底层导电层20上的第一绝缘层30、设于第一绝缘层30上的绝缘薄膜40、设于绝缘薄膜40上的层间功能层50、设于绝缘薄膜40上并覆盖层间功能层50的第二绝缘层60、贯穿所述第二绝缘层60、绝缘薄膜40及第一绝缘层30的过孔61、以及设于第二绝缘层60上并经由过孔61与底层导电层20相连接的顶层导电层70；
所述绝缘薄膜40的膜质和晶体结构与第二绝缘层60相同；
所第一绝缘层30与绝缘薄膜40依次连续沉积在衬底基板上。
具体地，所述衬底基板10的材料为玻璃。
具体地，所述底层导电层20的材料为金属。
优选地，所述绝缘薄膜40的材料与第二绝缘层60相同，当然所述绝缘薄膜40的材料也可选择与第二绝缘层60不同的材料，能够满足绝缘薄膜40的膜质和晶体结构与第二绝缘层60相同即可。
具体地，所述绝缘薄膜40的厚度小于第一绝缘层30的厚度且小于第二绝缘层60的厚度。
具体地，所述层间功能层50为金属导线。
具体地，所述顶层导电层70的材料为透明导电氧化物或金属。
需要说明的是，上述TFT基板，由于第一绝缘层30与绝缘薄膜40为连续沉积形成，极大地降低了第一绝缘层30与绝缘薄膜40的分界面的晶格缺陷，提高了晶体结构的连续性，因此过孔61的侧壁在第一绝缘层30与绝缘薄膜40的分界面的位置不会出现刻蚀倒角，同时由于绝缘薄膜40和第二绝缘层60的膜质和晶体结构相同，过孔61的侧壁在绝缘薄膜40与第二绝缘层60的分界面的位置也不会出现刻蚀倒角，使过孔61整体的宽度从远离底层导电层20向靠近底层导电层20的方向逐渐减小，倾斜角较平缓，从而避免顶层导电层70在过孔61中发生断裂，提高顶层导电层70的均匀性，确保TFT基板的电路稳定性，提高TFT基板的可靠性。
综上所述，本发明的TFT基板的制作方法，在底层导电层上依次连续沉积一第一绝缘层及一绝缘薄膜，然后在绝缘薄膜上形成层间功能层后，在绝缘薄膜上形成第二绝缘层，绝缘薄膜的膜质和晶体结构与第二绝缘层相同，使对第二绝缘层、绝缘薄膜及第一绝缘层进行干法刻蚀形成一贯穿第二绝缘层、绝缘薄膜及第一绝缘层的过孔时，过孔的侧壁在膜层之间的分界面处不会出现刻蚀倒角，从而避免沉积在过孔内的顶层导电层发生断裂，确保TFT基板的电路稳定性，提高TFT基板的可靠性。本发明的TFT基板，能够消除贯穿多层绝缘层的过孔在膜层界面位置出现的刻蚀倒角，避免沉积在过孔内的顶层导电层发生断裂，TFT基板的电路稳定性好。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成底层导电层(20)；
在所述底层导电层(20)上依次连续沉积第一绝缘层(30)及绝缘薄膜(40)；
在所述绝缘薄膜(40)上形成层间功能层(50)；
在绝缘薄膜(40)及层间功能层(50)上沉积第二绝缘层(60)；
对第一绝缘层(30)、绝缘薄膜(40)、及第二绝缘层(60)进行干法刻蚀，形成贯穿第一绝缘层(30)、绝缘薄膜(40)、及第二绝缘层(60)的过孔(61)，所述过孔(61)暴露出底层导电层(20)的部分；
在第二绝缘层(60)上形成顶层导电层(70)，所述顶层导电层(70)通过所述过孔(61)与底层导电层(20)接触；
所述绝缘薄膜(40)的膜质和晶体结构与第二绝缘层(60)相同；
所述绝缘薄膜(40)的材料与第二绝缘层(60)相同。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述底层导电层(20)的材料为金属。
3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述顶层导电层(70)的材料为透明导电氧化物或金属。
4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述层间功能层(50)为金属导线。
5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，形成贯穿第一绝缘层(30)、绝缘薄膜(40)、及第二绝缘层(60)的过孔(61)的具体过程为：在第二绝缘层(60)上涂布光阻材料，对光阻材料进行图形化形成光阻图案，以所述光阻图案为遮蔽层对第一绝缘层(30)、绝缘薄膜(40)、第二绝缘层(60)进行干法刻蚀，形成贯穿第一绝缘层(30)、绝缘薄膜(40)、第二绝缘层(60)的过孔(61)，最后去除光阻图案。
6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述绝缘薄膜(40)的厚度小于第一绝缘层(30)的厚度且小于第二绝缘层(60)的厚度。
7.一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的底层导电层(20)、设于底层导电层(20)上的第一绝缘层(30)、设于第一绝缘层(30)上的绝缘薄膜(40)、设于绝缘薄膜(40)上的层间功能层(50)、设于绝缘薄膜(40)上并覆盖层间功能层(50)的第二绝缘层(60)、贯穿所述第二绝缘层(60)、绝缘薄膜(40)及第一绝缘层(30)的过孔(61)、以及设于第二绝缘层(60)上并经由过孔(61)与底层导电层(20)相连接的顶层导电层(70)；
所述绝缘薄膜(40)的膜质和晶体结构与第二绝缘层(60)相同；
所第一绝缘层(30)与绝缘薄膜(40)依次连续沉积在衬底基板上；
所述绝缘薄膜(40)的材料与第二绝缘层(60)相同。
8.如权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述底层导电层(20)的材料为金属；
所述顶层导电层(70)的材料为透明导电氧化物或金属；
所述层间功能层(50)为金属导线；
所述绝缘薄膜(40)的厚度小于第一绝缘层(30)的厚度且小于第二绝缘层(60)的厚度。
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