CN106997874B - 半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。

Description

半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法

技术领域

本发明涉及能够利用焊料与其它部件接合的半导体装置用部件和半导体装置以及它们的制造方法。半导体装置用部件可以用于功率半导体模块等半导体装置。

背景技术

作为功率半导体模块的一个例子，具备：层叠基板，其具有绝缘板和电路板；半导体芯片，其在正面具有电极，背面固定于上述电路板；以及连接端子。层叠基板成为在绝缘板的正面配置有电路板，在背面配置有金属板而层叠的一体结构。电路板和金属板的材料通常是铜和/或铝。半导体芯片利用焊接接合于电路板。另外，连接端子也有时利用焊接接合于电路板。此外，散热板也有时利用焊接接合于金属板。

在组装功率半导体模块时，在层叠基板的电路板上与半导体芯片的接合位置配置焊料，在该焊料上配置半导体芯片，通过加热使焊料熔融而进行接合。用焊料将连接端子与电路板接合的情况也是同样。另外，通过在层叠基板的金属板与散热板之间配置焊料并进行加热，从而使焊料熔融而进行接合。

在焊接接合之前，为了进行防氧化、防腐蚀，有时在层叠基板的电路板和金属板的表面被覆有防锈剂。作为防锈剂，通常使用苯并三唑系防锈剂(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-114429号公报

发明内容

技术问题

使用苯并三唑系防锈剂而形成在层叠基板的电路板或金属板的表面的防锈性被膜在焊接接合时有时会残留在电路板或金属板的表面，阻碍焊料的润湿性，或者在焊接接合时发生气化而成为气泡，导致在焊料中产生大量的空隙。如果焊料中的空隙的量多，则焊料接合部的机械可靠性降低，或者热阻变大等，无法充分发挥功率半导体模块的性能。

另外，由于专利文献1的防锈性被膜在表面含有有机卤化物，因此如果该有机卤化物残留在焊料接合部，则在高温高湿环境下可能导致腐蚀，并且，在高温高湿偏压环境下可能导致绝缘性降低。在焊料接合前通过清洗除去有机卤化物的情况下，可以预料到制造成本增加。

也有在电路板或金属板的表面未使用防锈剂的层叠基板。但是，未使用防锈剂的层叠基板在焊料焊接之前的层叠基板的保存时、运输时可能在电路板或金属板的表面发生氧化、腐蚀等化学变化。

由于近年来对功率半导体模块要求保证高电流密度化和伴随着高电流密度化的高温工作，所以要求焊料接合部中的空隙的量尽量减少。另外，不限于功率半导体模块的层叠基板，为了提高焊料接合部的可靠性，优选减少焊料接合部中的空隙的量。

本发明能够有利地解决上述问题，目的在于提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件和半导体装置的制造方法及半导体装置用部件。

技术方案

本发明是具有具备金属部的第一部件，且能够用焊料将上述金属部与第二部件接合的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备上述第一部件的工序；以及在上述第一部件的上述金属部的表面涂布处理剂，形成在上述焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。

另外，本发明是半导体装置的制造方法。上述半导体装置的制造方法包括：准备半导体装置用部件的工序，上述半导体装置用部件具有具备金属部的第一部件，且在上述金属部的表面形成有在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜；以将上述处理被膜夹在上述金属部与上述第二部件的中间并使上述金属部与上述第二部件相向的方式配置上述第一部件和第二部件的工序；以及在上述焊料熔融之前将上述处理被膜加热，使其气化之后，使上述焊料熔融而将上述第一部件与上述第二部件接合的工序。

另外，本发明是半导体装置用部件。上述半导体装置用部件具备能够用焊料与其它部件接合的金属部，上述金属部的表面被在上述焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜被覆。此处的气化是指构成处理被膜的化合物通过加热而蒸发、升华、或者热分解。

发明效果

根据本发明，通过用处理剂在具备用焊料接合的金属部的第一部件的上述金属部的表面形成在上述焊料的固相线温度以下气化的处理被膜，从而在焊料接合时，在焊料熔融之前使处理被膜气化，因此能够抑制在焊料接合部产生大量空隙。

附图说明

图1是说明本发明的实施方式1的制造方法的流程图。

图2是层叠基板的示意性截面图。

图3是被覆有处理被膜的层叠基板的示意性截面图。

图4是表示焊料接合时的加热温度与经过时间之间的关系的图表。

图5是组装功率半导体模块时的主要部分的示意性截面图。

图6的(a)是被覆有处理被膜的焊料的示意性截面图，图6的(b)是被覆有处理被膜的连接端子的示意性截面图。

图7是说明本发明的实施方式2的制造方法的流程图。

图8是表示针对实施例1与比较例1进行的XPS的分析结果的柱形图。

图9是利用超声波探伤装置观察实施例2的试样而得到的图像的复制图。

图10是利用超声波探伤装置观察比较例2的试样而得到的图像的复制图。

符号说明

1：层叠基板

1a：绝缘板

1b：电路板

1c：金属板

2：处理被膜

3：半导体芯片

4：焊料

5：连接端子

6：散热板

7：焊料

21：功率半导体模块

具体实施方式

(实施方式1)

以下，参照附图对本发明的半导体装置用部件的制造方法及半导体装置用部件的实施方式1进行具体说明。

在图1中示出说明本发明的实施方式1的制造方法的流程图。首先，准备具备能够用焊料接合的金属部的第一部件(S1)。接下来，用处理剂对第一部件的金属部的表面进行表面处理(S2)。

在本发明中，半导体装置用部件具有具备金属部的第一部件，该金属部的表面被处理被膜覆盖。金属部能够利用焊料与第二部件接合。换言之，半导体装置用部件包括上述第一部件，且在该第一部件的表面具备处理被膜。处理被膜也可以覆盖第一部件的金属部以外的表面。

利用图2所示的作为本实施方式的第一部件的一个例子的层叠基板1的示意性截面图说明上述步骤S1。层叠基板1可以用于半导体装置，更具体而言可以用于功率半导体模块。在图2中，层叠基板1具有层叠有绝缘板1a、电路板1b和金属板1c的结构，其中，电路板1b设置于绝缘板1a的正面，即设置于主面，金属板1c设置于绝缘板1a的背面。电路板1b与金属板1c对应于本实施方式的第一部件的金属部。在上述步骤S2之后，能够利用焊料将电路板1b和金属板1c中的任一个，或者它们两个与其它部件接合。

绝缘板1a例如包括氧化铝、氮化硅、氮化铝等绝缘性陶瓷。除了绝缘性陶瓷以外，绝缘板1a也可以使用包括聚酰亚胺等绝缘性树脂、环氧玻璃材料的部件。

电路板1b选择性地形成在绝缘板1a的正面上，由此构成预定的电气电路。电路板1b包括铜、铜合金、铝、铝合金等。金属板1c形成在绝缘板1a的背面。金属板1c包括铜、铜合金、铝、铝合金等。

作为层叠基板1，例如可以使用DCB(Direct Copper Bonding：直接键合铜)基板等。DCB基板是在绝缘板1a直接接合有电路板1b、金属板1c的基板。由于绝缘板1a是绝缘性的，所以电路板1b与金属板1c被电绝缘。

对于层叠基板1而言，在功率半导体模块中，后述的半导体芯片3(参照图5)以与电路板1b的正面相向的方式配置，电路板1b和半导体芯片3在与焊料4接触的状态下被加热，而进行焊料接合。另外，连接端子5的一端以与电路板1b的正面相向的方式配置，电路板1b和连接端子5在与焊料4接触的状态下被加热，而进行焊料接合。此外，散热板6以与金属板1c的背面相向的方式配置，金属板1c和散热板6在与焊料7接触的状态下被加热，而进行焊料接合。在本实施方式中，焊料接合到层叠基板1的半导体芯片3、连接端子5或散热板6相当于本发明的第二部件。

用图3所示的本实施方式的半导体装置用部件11的示意性截面图说明上述步骤S2。如图3所示，图2中示出的层叠基板1的电路板1b的表面利用处理剂进行表面处理。另外，金属板1c的表面利用处理剂进行表面处理。通过这些表面处理来制造在层叠基板1的电路板1b、金属板1c和绝缘板1a的表面被覆有处理被膜2的半导体装置用部件11。

处理被膜2是在焊料4或焊料7的固相线温度以下气化的处理被膜。处理剂与一直以来用作防锈剂的苯并三唑系处理剂不同，是非苯并三唑系处理剂。

在图4中示出以焊料接合时的加热温度为纵轴、以经过时间为横轴的图。图4是比较了使用现有的处理剂的现有例1与使用了本发明中使用的处理剂的本发明例而进行说明的图表。在图4中，在焊料接合时，从常温起加热，保持在焊料充分熔融的预定的温度T1而使焊料接合。在进行图示的加热作业的焊料接合工序中，使用了一直以来用作防锈剂的苯并三唑系处理剂的现有例1的处理被膜的气化温度T2与焊料的固相线温度Ts，即焊料开始熔融的温度重叠，或者比Ts更高。因此，即使在焊料开始熔融之后处理被膜也继续气化，或者残留在半导体装置用部件11的电路板1b、金属板1c的表面，阻碍焊料的润湿性。因此，可能在焊料接合部中产生大量空隙。

与此相对，图4所示的本发明例的处理被膜的气化温度T3为焊料的固相线温度Ts以下。因此，处理被膜在从常温升温到Ts为止的时间内，气化结束。因此，在焊料开始熔融之后，处理被膜不气化，或者也不会残留在半导体装置用部件11的电路板1b、金属板1c的表面。因此，能够抑制在焊料接合部中产生空隙，进而能够得到具有可靠性高的焊料接合部的半导体装置。

作为现有例2，作为焊料接合前的前处理，在对半导体装置用部件11单体进行用于使处理被膜气化的加热处理时，即使在使用一直以来用作防锈剂的苯并三唑系处理剂的情况下，也能够抑制在接合后的焊料中产生空隙。但是，前处理使制造工序增加，导致制造成本增加。因此，在本发明中，使用图4中示出的在焊料的固相线温度Ts以下气化的处理被膜。

与层叠基板1的电路板1b或金属板1c接合的焊料是包含选自Ag、Cu、Sb、Ni、Ge、P、In、Bi、Zn和Pb中的至少一种金属和Sn的合金。焊料可以含有不可避免的杂质。可以是含铅焊料，也可以是无铅焊料。无铅焊料不含有对人体有害的铅，作为废弃物对自然环境的影响小，因此优选。作为焊料的优选的成分体系，例如可举出Pb-Sn系、Pb-Ag-Sn系、Sn-Sb系、Sn-Cu系、Sn-Cu-Ag系、Sn-Ag系、Sn-Ag-Cu系、Sn-Ag-Cu-Ni-Ge系、Sn-Ag-Cu-Ni-P系、Sn-Cu-Ni系、Sn-In-Ag-Bi系、Sn-Zn系等。将这些成分体系的代表性组成和固相线温度、液相线温度示于表1。应予说明，图中的％为质量％。

表1

本发明中使用的处理被膜2是在表1中示出的成分组成的焊料中，在表1中示出的固相线温度以下气化的处理被膜。由于焊料接合时的加热通常在常压(大气压)下进行，所以在此所说的气化温度是常压(大气压)下的气化温度。更优选处理被膜2是在比该固相线温度低10℃以上的温度下气化的处理被膜。

由表1可知，功率半导体模块的组装时使用的焊料具有大约200～300℃的固相线温度。因此，本发明中使用的处理被膜2的气化温度是80～250℃，但由于能够在焊料熔融之前使处理被膜2充分气化，所以优选，最优选为100～200℃。如果小于80℃，则在保存过程中、运输过程中气化，无法抑制直到使用部件之前的化学变化。应予说明，一直以来用作防锈剂的苯并三唑系处理被膜的气化温度为250℃～300℃的程度。

本发明中使用的处理剂含有选自羧酸、羧酸的金属盐和羧酸酯中的至少一种有机物。羧酸优选为脂肪酸，羧酸的金属盐优选为脂肪酸的金属盐，羧酸酯优选为脂肪酸酯。

作为有机物，具体而言，可以例示甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一烷酸、十二烷酸、十三烷酸、十四烷酸、十五烷酸、十六烷酸、十七烷酸、十八烷酸、十九烷酸、二十烷酸、丙烯酸、丁烯酸、戊烯酸、己烯酸、庚烯酸、辛烯酸、壬烯酸、癸烯酸、十一烯酸、十二烯酸、十三烯酸、十四烯酸、十五烯酸、十六烯酸、十七烯酸、十八烯酸、十九烯酸、二十烯酸、2-乙基己酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、十一烷二酸、十二烷二酸、十三烷二酸、十四烷二酸、十五烷二酸、十六烷二酸、十七烷二酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、苹果酸、柠檬酸等羧酸、

这些羧酸的碱金属盐，例如钾盐、钠盐、

这些羧酸的铵盐、

这些羧酸的胺盐，例如烷基胺盐、烷醇胺盐，

这些羧酸的酯化合物。

对于本发明中使用的处理剂，由于上述有机物的碳原子数在1～25的程度，或者分子量在30～400g/mol的程度能够使处理被膜2的气化温度在80～250℃的范围内，因此优选。

处理剂可以通过使上述的有机物的1种或2种以上溶解在水中或乙醇中来制备。

在层叠基板1的表面，利用浸涂、旋涂、喷涂或者使用刷子的涂布法将制备的处理剂被覆于电路板1b和/或金属板1c的表面，形成上述处理剂的被膜。

处理剂的被膜物理吸附于电路板1b和/或金属板1c的表面。对于这一点，与一直以来用作防锈剂的苯并三唑系处理剂与电路板1b和/或金属板1c的表面的金属(例如铜)反应而进行化学吸附不同。处理被膜2覆盖电路板1b和/或金属板1c的表面，具有防锈功能，因此在层叠基板1的保存时、运输时，能够抑制电路板1b、金属板1c的氧化、腐蚀等化学变化。

处理被膜2通常不含有助熔剂成分，因此在通过焊料接合时的加热而气化之后，在电路板1b和/或金属板1c得到干净的露出面。因此，在接合时得到良好的焊料的润湿性。这意味着即便使用不含有助熔剂成分的板状焊料，也能够可靠性高地进行焊料接合。因此，本发明的半导体装置用部件的制造方法在使用板状焊料作为焊料时效果显著。

处理被膜2通常不含有助熔剂成分，因此使焊料接合时的气氛为还原性气氛在进行良好的焊料接合的方面考虑是优选的。还原性气氛具体而言可举出H₂气体气氛、H₂与N₂的混合气体气氛等。

(实施方式2)

上述的实施方式1是第一部件为层叠基板1的例子，但本发明的半导体装置用部件的制造方法的第一部件不限于层叠基板1。

在图5中示出在功率半导体模块21组装时的主要部分的示意性截面图。应予说明，由于图中的层叠基板1具有与图3中示出的层叠基板1同样的构成，所以标注相同的符号。因此，在以下的说明中，省略针对层叠基板1的重复的说明。在层叠基板1的电路板1b、金属板1c和绝缘板1a的表面被覆有处理被膜2。

在层叠基板1的电路板1b的区域1ba的正面与半导体芯片3的背面之间接合有焊料4。在电路板1b的另一区域1bb的正面与连接端子5之间接合有焊料4。在金属板1c的背面与散热板6之间接合有焊料7。

在形成于半导体芯片3的正面的电极可以配置导电柱的一个端部并进行焊料接合，或者可以接合键合线的一端。

在图5所示出的截面图中，半导体芯片3的背面电极被覆有处理被膜2。另外，连接端子5的下端被覆有处理被膜2。另外，散热板6被覆有处理被膜2。这样，在本实施方式中，利用处理剂进行表面处理而被覆处理被膜2的第一部件不限于层叠基板1，可以是选自半导体芯片3、配置于半导体芯片3的背面的焊料4(板状焊料)、连接端子5、散热板6和焊料7中的至少一个部件。在焊料的表面可以被覆有处理被膜2。在图6的(a)中示出用处理被膜2被覆焊料4(板状焊料)的表面的例子，在图6的(b)中示出用处理被膜2被覆预先利用焊料41被覆了的连接端子5的表面的例子。此时，焊料本身相当于第一部件。

被覆于这些部件的处理被膜2具有抑制各部件在保存时或运输时的表面的化学变化的功能。另外，焊料接合时，在从常温开始升温的过程中，由于在焊料熔融之前气化，所以能够抑制焊料接合部的空隙的产生。在本实施方式中，焊料接合于上述第一部件的部件相当于本发明的第二部件。例如，在散热板6和/或连接端子5为第一部件时，层叠基板1相当于第二部件。

接着，对使用了半导体装置用部件的半导体装置的制造方法进行说明。图7表示半导体装置的制造方法的流程图。利用具备如下工序的方法制造半导体装置：准备具有具备金属部的第一部件，并在上述金属部的表面形成有在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的半导体装置用部件的工序(S10)；以将上述处理被膜夹在上述金属部与第二部件的中间，使上述金属部与第二部件相向的方式配置上述第一部件和第二部件的工序(S20)；以及在上述焊料熔融之前将上述处理被膜加热，使其气化之后，使上述焊料熔融而将上述第一部件与上述第二部件接合的工序(S30)。

在一个例子中，准备图3或图5所示的形成了处理被膜2的层叠基板1，以将处理被膜2夹在电路板1b与半导体芯片3和连接端子5的中间并使电路板1b与半导体芯片3和连接端子5相向的方式，另外，以使金属板1c与散热板6相向的方式配置层叠基板1、半导体芯片3、连接端子5和散热板6。在此，进一步分别将焊料4配置在处理被膜2与半导体芯片3和连接端子5之间，将焊料7配置在处理被膜2与散热板6之间。接下来，在焊料4、焊料7熔融之前将处理被膜2加热，使其气化，之后使焊料4、焊料7熔融，接合层叠基板1、半导体芯片3、连接端子5和散热板6。

在此，也可以在半导体芯片3的电极、连接端子5、散热板6形成处理被膜2。

在另一例中，准备图6所示的形成有处理被膜2的焊料4或连接端子5，以将处理被膜2夹在焊料4与金属板1c或散热板6的中间并使焊料4与金属板1c或散热板6相向的方式，另外，以使连接端子5与电路板1b相向的方式配置焊料4、连接端子5等。接下来，在焊料4、焊料41熔融之前将处理被膜2加热，使其气化，之后使焊料4、焊料41熔融而将焊料4与金属板1c或散热板6接合，另外，将连接端子5与电路板1b接合。

应予说明，在半导体装置的制造工序中，可以包括在金属部的表面涂布处理剂，形成上述处理被膜的工序。另外，可以在还原性气氛下进行使上述焊料熔融，将上述第一部件与上述第二部件接合的工序。

实施例

＜试验1＞

准备层叠基板1、作为处理剂而在本发明中使用的处理剂以及一直以来用作防锈剂的苯并三唑系处理剂。本发明中使用的处理剂是将从纯正化学株式会社购买的1质量％的戊酸甲酯与99质量％的纯水混合，用氢氧化钾将其调节成pH＝11而制备的。所形成的处理被膜的气化温度为160～190℃。苯并三唑系处理剂含有从东京化成工业株式会社购买的2质量％的1,2,3-苯并三唑、25质量％的异丙醇、5质量％的氢氧化钾和68质量％的纯水。

(实施例1)

在层叠基板1的表面涂布作为处理被膜的本发明的处理被膜2之后，在200℃进行保持10秒的加热。

(比较例1)

为了进行比较，将一直以来用作防锈剂的苯并三唑系处理被膜涂布于层叠基板1的表面之后，一个试样在200℃进行保持10秒的加热，另一个试样在260℃进行保持10秒的加热，再一个试样在320℃进行保持10秒的加热。

利用XPS对加热后的层叠基板1的表面进行分析，求出该表面的氮元素(N)和碳元素(C)的半定量值。

将其结果示于表2，另外，在图8中用柱形图进行表示。应予说明，在表2和图8中，为了进行参考，也一并示出利用XPS对未涂布处理剂，另外也未进行加热的层叠基板进行分析而得到的结果。

表2

由表2和图8可知，对于本发明中使用的处理被膜2而言，所说的10秒200℃下，是焊料未开始熔融的低温，利用模拟了焊料接合时的升温过程的短时间的加热，与未涂布处理剂，另外也未进行加热的层叠基板显示同等的N量和C量。其结果推断为被膜消失。与此相对，可知苯并三唑系处理被膜即使在260℃加热10秒，与未涂布处理剂，另外也未进行加热的层叠基板相比，N量和C量多，气化不充分。另外，可知苯并三唑系处理被膜显示了在320℃加热10秒中，与未进行加热的层叠基板同等的N量和C量，但320℃这一温度是比焊料的固相线温度Ts高的高温。

＜试验2＞

(实施例2)

在组装功率半导体模块时，用本发明中使用的处理剂对层叠基板1的电路板1b进行表面处理。在表面处理后的该电路板1b的表面配置焊料4，与焊料4对置地配置半导体芯片3之后，加热到320℃而将电路板1b与半导体芯片3接合。处理剂与试验1中使用的处理剂相同。焊料是Sn-3％的Ag-0.5％的Cu焊料，固相线温度为217℃。

(比较例2)

作为比较，除了用一直以来用作防锈剂的苯并三唑系处理剂对层叠基板1的电路板1b进行表面处理以外，与上述实施例2同样地进行，将电路板1b与半导体芯片3焊料接合。

利用超声波探伤(SAT)装置对电路板1b与半导体芯片3之间的焊料接合部中的空隙进行观察。使观察结果图像化，求出空隙的面积比例。

针对实施例2和比较例2的试样，将观察到的图像的复制图示于图9和图10。图9和图10是从与层叠基板1的表面垂直的方向观察功率半导体模块而得到的图像，在半导体芯片3的区域观察空隙BD。图9是用本发明中使用的处理剂进行了表面处理的情况，图10是用一直以来用作防锈剂的苯并三唑系处理剂进行了表面处理的情况。从图9与图10的对比可知，用本发明中使用的处理剂进行了表面处理的实施例2与图10中示出的比较例相比，空隙BD大幅度减少。空隙的面积比例在实施例2中为0.2％，比较例2为4.2％。

以上，使用附图和实施方式具体说明了本发明的半导体装置用部件的制造方法及半导体装置用部件，但本发明的半导体装置用部件的制造方法及半导体装置用部件不限于实施方式和附图的记载，在不脱离本发明的主旨的范围内可以进行多种变形。

Claims (17)

1.一种半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，是具有具备金属部的第一部件，且能够用焊料将所述金属部与第二部件接合的半导体装置用部件的制造方法，包括：

准备所述第一部件的工序；以及

在所述金属部的表面涂布处理剂，形成处理被膜的工序，所述处理被膜抑制所述金属部在保存时或运输时的表面的化学变化，且在焊料接合时在所述焊料的固相线温度以下的温度气化。

2.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述处理被膜的气化温度为80～250℃。

3.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述处理剂包括选自羧酸、羧酸的金属盐、羧酸的铵盐、羧酸的胺盐和羧酸酯中的至少一种有机物。

4.根据权利要求3所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述有机物的碳原子数为1～25。

5.根据权利要求3所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述有机物的分子量为30～400g/mol。

6.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述焊料是包括选自Ag、Cu、Sb、Ni、Ge、P、In、Bi和Pb中的至少一种金属与Sn的合金。

7.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述焊料为板状焊料。

8.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述第一部件是选自半导体芯片、层叠基板、散热板、焊料和连接端子中的至少一种部件。

9.根据权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述第一部件是半导体装置的部件之一的具备绝缘板、电路板和金属板的层叠基板，在该制造方法中，在所述电路板和所述金属板中的至少一个的表面形成所述处理被膜。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备半导体装置用部件的工序，所述半导体装置用部件具有具备金属部的第一部件，在所述金属部的表面形成有处理被膜，所述处理被膜抑制所述金属部在保存时或运输时的表面的化学变化，且在焊料接合时在所述焊料的固相线温度以下的温度气化；

以将所述处理被膜夹在所述金属部与第二部件的中间并使所述金属部与第二部件相向的方式配置所述第一部件和第二部件的工序；以及

在所述焊料熔融之前将所述处理被膜加热，使所述处理被膜气化，之后使所述焊料熔融而将所述第一部件与所述第二部件接合的工序。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括在所述金属部的表面涂布处理剂，形成所述处理被膜的工序。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在还原性气氛下进行使所述焊料熔融，将所述第一部件与所述第二部件接合的工序。

13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一部件是选自半导体芯片、层叠基板、散热板和连接端子中的至少一种部件，

在该制造方法中，进一步在所述处理被膜与所述第二部件之间配置所述焊料，并配置所述第一部件和第二部件。

14.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述金属部为所述焊料。

15.一种半导体装置用部件，其特征在于，具备能够用焊料与其它部件接合的金属部，所述金属部的表面被处理被膜被覆，所述处理被膜抑制所述金属部在保存时或运输时的表面的化学变化，且在焊料接合时在所述焊料的固相线温度以下的温度气化。

16.一种半导体装置用部件，其特征在于，利用权利要求1所述的半导体装置用部件的制造方法制造而成。

17.一种半导体装置，其特征在于，利用权利要求10所述的半导体装置的制造方法制造而成。

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