WO2022138750A1 - 絶縁性回路基板およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents

Abstract

絶縁性基板の少なくとも一方の面に導体部を接合した絶縁性回路基板において、導体部表面の炭素量をＸＰＳ分析したとき、任意の３か所の平均値が０ａ％以上７０ａｔ％以下の範囲内であることを特徴とする。また、前記導体部表面の酸素量をＸＰＳ分析したとき、任意の３か所の平均値が３ａｔ％以上５０ａｔ％以下の範囲内であることが好ましい。

Description

絶縁性回路基板およびそれを用いた半導体装置

　後述する実施形態は、おおむね、絶縁性回路基板およびそれを用いた半導体装置に関する。

　セラミックス基板と銅板を接合したセラミックス銅回路基板は、半導体素子などを実装する回路基板として用いられている。国際公開第２０１７／０５６３６０号公報（特許文献１）に記載のセラミックス銅回路基板は、セラミックス基板と銅板とを接合層を介して接合した接合体を改良したものである。特許文献１では、銅板端部から接合層をはみ出させたはみ出し部を設けている。このような、接合層はみ出し部のサイズを制御することにより、ＴＣＴ特性を向上させている。セラミックス銅回路基板に半導体素子が実装され、半導体装置となる。また、セラミックス銅回路基板に、リードフレームを接合することや、ワイヤ・ボンディングを行うことも行われている。半導体素子などの実装には、鉛フリー半田が用いられている。半田層との密着性を向上させるために銅板表面にメッキ膜を施すことが行われている。メッキ膜には、Ｎｉメッキ膜やＡｕメッキ膜などが用いられている。また、半導体素子の高性能化に伴い、ジャンクション温度が高くなることが見込まれている。これに伴い、半導体素子の実装において、Ａｇナノ粒子を用いた接合が検討されている。Ａｇナノ粒子を用いた接合を行うにあたり、銅板表面にＡｇメッキ膜を設けることが検討されている。例えば、国際公開第２０１８／２２５８０９号公報（特許文献２）では、Ａｇメッキ膜の表面粗さを制御している。特許文献２では、Ａｇメッキ膜の密着性を向上させている。例えば、国際公開第２０１９／０５４２９４号公報（特許文献３）には、化学研磨工程とエッチング工程を組み合わせた方法が開示されている。特許文献２の化学研磨工程では、過酸化水素水、塩酸、硫酸などの薬液が使われている。さらに、国際公開第２０１９/０５４２９１号公報（特許文献４）には銀、銅、チタンを用いた活性金属ろう材エッチングに用いる薬液として、ペルオキソ二硫酸アンモニウムなどが示されている。

国際公開第２０１７／０５６３６０号公報 国際公開第２０１８／２２５８０９号公報 国際公開第２０１９／０５４２９４号公報 国際公開第２０１９／０５４２９１号公報

　半導体素子との接合性を向上させるために、メッキ膜を用いることが行われていた。一方で、絶縁性回路基板の導体部（特に銅板）にメッキ膜を施した場合、メッキ膜と半導体素子との密着性が低下する現象が起きていた。この原因を追究したところ、導体部表面に存在する炭素が原因であることが判明した。
　本発明は、このような問題に対処するためのものであり、導体部表面の炭素量を低減した絶縁性回路基板を提供することを目的とする。

　実施形態に係る絶縁性回路基板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の少なくとも一方の面に接合された導体部と、を備え、前記導体部の表面の炭素量をＸＰＳ分析したとき、任意の３か所での前記炭素量の平均値が０ａｔ％以上７０ａｔ％以下の範囲内であることを特徴とする。

実施形態に係る絶縁性回路基板の一例を示す模式図。 実施形態に係る半導体装置の一例を示す模式図。 実施形態に係る半導体装置の別の一例を示す模式図。

　実施形態に係る絶縁性回路基板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の少なくとも一方の面に接合された導体部と、を備え、前記導体部の表面の炭素量をＸＰＳ分析したとき、任意の３か所での前記炭素量の平均値が０ａｔ％以上７０ａｔ％以下の範囲内であることを特徴とする。
　図１は、実施形態に係る絶縁性回路基板の一例を示す模式図である。図１において、１は絶縁性回路基板、２は絶縁性基板、３は導体部（表導体部）、４は導体部（裏導体部）、５は接合層である。図１に例示した絶縁性回路基板１では、絶縁性基板２の両面にそれぞれ接合層５を介して導体部３と導体部４が配置されている。図１に例示した構造では、導体部３に回路形状が付与され、導体部４が放熱板として用いられている。便宜上、導体部３を表導体部、導体部４を裏導体部と呼ぶ。また、表導体部３は、２つ配置されている。実施形態に係る絶縁性回路基板は、このような形態に限定されない。表導体部は、１つまたは３つ以上設けられてもよい。裏導体部４に、回路形状が付与されてもよい。また、裏導体部４を設けずに、表導体部３のみが設けられてもよい。
　図２は、実施形態に係る半導体装置の一例を示す模式図である。図２に例示した半導体装置では、表導体部と裏導体部のうち半導体素子との接合に用いられる導体部の面に、メッキ膜が設けられている。
　図３は、実施形態に係る半導体装置の別の一例を示す模式図である。図３は、表導体部と裏導体部の両面にそれぞれメッキ膜が設けられた構造を示す。実施形態に係る半導体装置はこのような形態に限定されない。表導体部ごとにメッキ膜がそれぞれ設けられ、メッキ膜ごとに半導体素子がそれぞれ実装されてもよい。複数のメッキ膜の一部にのみ半導体素子が実装されても良い。メッキ膜が複数の表導体部の一部のみに設けられ、そのメッキ膜に半導体素子が実装されても良い。メッキ膜は、表導体部の表面の一部または全部に設けられる。メッキ膜は、表導体部の表面だけでなく、側面の一部または全部に設けられてもよい。メッキ膜は、必要に応じ、裏導体部にも設けられてもよい。表導体部に設けられるメッキ膜の形態は、裏導体部に設けられるメッキ膜の形態と同じでもよいし、異なっていてもよい。例えば、表導体部に設けられたメッキ膜の面積は、裏導体部に設けられたメッキ膜の面積と同じでもよいし、異なっていてもよい。表導体部と裏導体部の一方については、側面にもメッキ膜が設けられ、他方については、側面にメッキ膜が設けられなくてもよい。表導体部に設けられたメッキ膜の成分は、裏導体部に設けられたメッキ膜の成分と同じでもよいし、異なっていてもよい。また、図１に示す絶縁性回路基板にメッキ膜が設けられてもよい。

　絶縁性基板は、樹脂基板またはセラミックス基板であることが好ましい。
　樹脂基板は、セラミックス基板に比べると低コストであるため、コストを重視する際には好ましい。樹脂基板は、例えば、紙フェノール基板、紙エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、複合基材エポキシ基板、ガラスコンポジット基板、ガラスポリイミド基板、ビスマレイミド-トリアジン（ＢＴ）基板、フッ素樹脂基板、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）基板などである。
　放熱性、３点曲げ強度などを重要視する場合には、セラミックス基板が好ましい。
　セラミックス基板は、窒化珪素、窒化アルミニウム、サイアロン、アルミナ（酸化アルミニウム）、ジルコニア（酸化ジルコニウム）の１種または２種を主成分とすることが好ましい。主成分とは、５０質量％以上含有される成分を指す。セラミックス基板は、特に、窒化珪素基板、窒化アルミニウム基板、アルジル基板のいずれかであることがより好ましい。アルジルは、アルミナとジルコニアの２種を合計で５０質量％以上含む材料である。
　絶縁性基板の厚さは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下が好ましい。基板厚さが０．１ｍｍ未満では、強度が不十分となる可能性がある。また、基板厚さが１ｍｍよりも大きいと、絶縁性基板自体が熱抵抗体となり、絶縁性回路基板の放熱性を低下させる可能性がある。
　窒化珪素基板については、３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上であることが好ましい。熱伝導率は８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。窒化珪素基板の強度を上げることにより、基板厚さを薄くできる。このため、窒化珪素基板の３点曲げ強度は６００ＭＰａ以上であることが好ましく、７００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。窒化珪素基板の基板厚さを、０．４０ｍｍ以下、さらには０．３０ｍｍ以下と薄くできる。
　窒化アルミニウム基板の３点曲げ強度は、３００～４５０ＭＰａ程度である。その一方、窒化アルミニウム基板の熱伝導率は、１６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。窒化アルミニウム基板の強度は低いため、基板厚さは０．６０ｍｍ以上が好ましい。
　酸化アルミニウム基板の３点曲げ強度は３００～４５０ＭＰａ程度であるが、酸化アルミニウム基板は安価である。アルジル基板の３点曲げ強度は５５０ＭＰａ程度と高いが、熱伝導率は３０～５０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。アルジル基板とは、酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムを混合した焼結体からなる基板のことである。
　導体部は、銅部材又はアルミニウム部材であることが好ましい。銅部材は、銅板、銅合金板、銅板に回路形状が付与されて作製された部材、又は銅合金板に回路形状が付与されて作製された部材であり、銅又は銅合金からなる。アルミニウム部材は、アルミニウム板、アルミニウム合金板、アルミニウム板に回路形状が付与されて作製された部材、又はアルミニウム合金板に回路形状が付与されて作製された部材であり、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる。以降では、銅板に回路形状が付与されて作製された部材を、銅回路と呼ぶ。アルミニウム板に回路形状が付与されて作製された部材を、アルミニウム回路と呼ぶ。導体部は、銅部材又はアルミニウム部材以外の、メタライズ層又は導電性薄膜であっても良い。メタライズ層は、金属ペーストの焼成により形成される。

　絶縁性基板２としては、セラミックス基板が好ましい。セラミックス基板は、窒化珪素基板、窒化アルミニウム基板のいずれか一方であることが好ましい。窒化珪素基板と窒化アルミニウム基板は、窒化物系セラミックス基板である。窒化物系セラミックスは、Ｔｉを含有する活性金属ろう材と反応して窒化チタンを形成する。アルミナ基板、ジルコニア基板、アルジル基板は、酸化物系セラミックスである。酸化物系セラミックスは、Ｔｉを含有する活性金属ろう材と反応して酸化チタンを形成する。窒化物系セラミックスおよび酸化物系セラミックスは、活性金属接合法を用いることにより、導体部との接合強度を向上させることができる。セラミックスとＴｉの反応によって窒化チタンまたは酸化チタンが形成された層を、チタン反応層と呼ぶ。
　導体部は、銅部材又はアルミニウム部材であることが好ましい。アルミニウム部材は、銅部材と比較すると安価である。そのため、導体部に、アルミニウム部材を用いてもよい。
　一方、銅部材は、アルミニウム部材と比較すると、熱伝導性が優れているため好ましい。銅板または銅回路として、無酸素銅からなる銅板または銅回路が挙げられる。一般的に、銅の熱伝導率は、約４００Ｗ／ｍ・Ｋと高い。放熱性を向上させるために、銅部材は、無酸素銅からなる銅板又は銅回路であることがより好ましい。
　ここで、導体部３および導体部４の厚さは、０．３ｍｍ以上、さらには０．６ｍｍ以上であってもよい。導体部を厚くすることにより、接合体の放熱性を向上させることができる。表導体部３の厚さは、裏導体部４の厚さと同じでも良いし、異なっていてもよい。導体部としては、銅部材が特に好ましい。銅部材は、無酸素銅からなることが好ましい。無酸素銅はＪＩＳ－Ｈ－３１００に示されたように、９９．９６質量％以上の銅純度を有する。

　実施形態に係る絶縁性回路基板では、導体部表面の炭素量をＸＰＳ分析したとき、任意の３か所の平均値が０ａｔ％以上７０ａｔ％以下の範囲内であることを特徴とする。
　実施形態に係る絶縁性回路基板とは、１つのみの導体部を備えてもよいし、複数の導体部を備えてもよい。つまり、設けられる導体部の数は、特に限定されない。絶縁性回路基板が複数の導体部を備える場合、いずれかの導体部の表面において、任意の３か所の炭素量の平均値が０ａｔ％以上７０ａｔ％以下の範囲内であればよい。より好ましくは、いずれの導体部の表面においても、任意の３か所の炭素量の平均値が０ａｔ％以上７０ａｔ％以下の範囲内である。
　導体部表面とは、表導体部３または裏導体部４の少なくともいずれかの導体部表面を指す。導体部表面の炭素量をＸＰＳ分析する。ＸＰＳ分析は、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS）のことである。ＸＰＳ分析では、試料表面にＸ線を照射し、試料表面から放出される光電子の運動エネルギーを測定する方法である。ＸＰＳ分析は、Ｘ線の侵入深さが数μｍであるため、試料表面の定性分析および定量分析に用いられている。
　ＸＰＳ分析装置として、ＳＳＩ社Ｘプローブまたはそれと同等以上の装置を用いる。分析では、AlKα線(hν=１４８６．６ｅＶ)を用い、Ｘ線のスポット径は直径１ｍｍに設定する。ＸＰＳ分析では、炭素、酸素以外に、導体部に用いた各金属元素の量、窒素の量も併せて測定する。
　導体部として銅部材が用いられる場合は、測定された成分から、窒素、酸素、銅、及び炭素を抽出する。これらの合計を１００ａｔ％として、炭素量を測定する。銅部材が銅合金を含有する場合、測定された成分から、窒素、酸素、銅、その他の合金の金属、及び炭素を抽出し、これらの合計を１００ａｔ％とする。
　導体部としてアルミニウム部材が用いられる場合は、測定された成分から、窒素、酸素、アルミニウム、及び炭素を抽出する。これらの合計を１００ａｔ％として、炭素量を測定する。アルミニウム部材がアルミニウム合金を含有する場合、測定された成分から、窒素、酸素、アルミニウム、その他の合金の金属、及び炭素を抽出し、これらの合計を１００ａｔ％とする。

　以下に示す実施形態では、導体部に銅部材を用い、絶縁性基板にセラミックス基板を用いた例を説明する。以下の説明は、導体部に銅部材以外の部材が用いられる場合にも援用される。導体部としてアルミニウム部材が用いられる場合、以下の説明において、「銅部材」は「アルミニウム部材」に適宜置き換え可能である。同様に、絶縁性基板に、セラミックス基板以外の樹脂基板が用いられる場合、以下の説明において、「セラミックス基板」は樹脂基板に適宜置き換え可能である。
　実施形態では、ＸＰＳ分析によって、銅部材の表面の炭素量を測定する。炭素量として、表面の任意の３か所の平均値が用いられる。分析される「表面」は、銅部材の側面を含まない。任意の３か所とは、一つの銅部材の表面から、選択される３か所である。測定時には、スポット径の最遠部同士が互いに５００μｍ以上離れた３か所が選択される。また、測定箇所は、半導体素子が搭載される箇所であることが好ましい。
　銅部材表面の炭素量が０ａｔ％以上７０ａｔ％以下であることにより、銅部材とメッキ膜の密着性を向上させることができる。メッキ膜には、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、又はこれらを主成分とする合金などが用いられる。合金としては、リンニッケル（ＮｉＰ）などを用いることができる。従来、銅部材表面に存在する炭素が、メッキ膜表面に析出する現象が起きていた。メッキ膜表面の炭素が、半導体素子との接合に用いられる接合層でのボイド発生の原因となっていた。このため、メッキ膜と半導体素子との密着性を阻害する要因となっていた。接合層としては、半田層または銀を主成分とする層（Ａｇナノ粒子層）などが用いられる。
　銅部材表面の炭素量は、０ａｔ％以上７０ａｔ％以下であることが好ましい。より好ましくは、銅部材表面の炭素量は、０ａｔ％以上６０ａｔ％以下である。銅部材表面の炭素量は、５ａｔ％以上６０ａｔ％以下であることがさらに好ましい。炭素量は少ないほどよい。一方で、銅部材表面の炭素量を５ａｔ％未満（０ａｔ％（検出限界以下）を含む）にするには、製造工程の負荷が大きい。
　例えば、特許文献１では、セラミックス回路基板の銅板側面に傾斜形状を付与している。また、接合層はみ出し部の形状を調整している。これらの形状を調製するために、エッチング工程および化学研磨工程が用いられている。国際公開第２０１９／０５４２９４号公報（特許文献３）では、エッチング工程と化学研磨工程を用いたセラミックス回路基板の製造方法が開示されている。形状の制御のためには、エッチング工程または化学研磨工程を行うことが有効である。エッチング工程および化学研磨工程では、様々な薬液が用いられている。また、エッチング工程または化学研磨工程を行うためには、残したい箇所にレジストを塗布する必要がある。一般的に、レジストには樹脂が用いられている。多くの樹脂が、構成元素に炭素を含む。従来、レジストが十分に除去されなかった場合、銅部材表面に炭素が残っていた。また、空気中には、メタンなどの炭化水素が微量に存在している。炭化水素は、銅部材に吸着しやすい。この点も、銅部材表面に炭素が存在する原因となっていた。このため、銅部材表面の炭素量を、７０ａｔ％以下にする必要がある。特に、導体部表面のどこを測定したとしても、炭素量が０ａｔ％以上７０ａｔ％以下の範囲内であることがさらに好ましい。前述のように任意の３か所の平均値を計算した場合、表面の一部に炭素量が７０ａｔ％を超える個所が存在することもある。導体部表面のどこを測定したとしても、炭素量が０ａｔ％以上７０ａｔ％以下の範囲内とすることにより、さらに特性を向上させることができる。

　銅部材表面の酸素量をＸＰＳ分析したとき、３か所の平均値が３ａｔ％以上５０ａｔ％以下の範囲内であることが好ましい。ＸＰＳ分析の方法は、炭素量の分析方法と同じである。酸素量を測定するときの３か所は、炭素量を測定するときの３か所と同じである。つまり、一回のＸＰＳ分析で、炭素量と酸素量の両方を測定する。言い換えると、同じ測定エリアに存在する炭素と酸素の量を同時に測定する。
　銅部材表面の酸素量は、３ａｔ％以上３０ａｔ％以下の範囲内であることがさらに好ましい。また、銅部材表面において、酸素量（Ａ_ｏｘ）に対する炭素量（Ａ_Ｃ）の比（Ａ_Ｃ／Ａ_ｏｘ）は、０以上２０以下であることが好ましい。比の算出に用いられる炭素量および酸素量は、上述した３か所の平均値である。比（Ａ_Ｃ／Ａ_ＯＸ）が０は、炭素量が０ａｔ％のときである。
　銅部材表面に酸素が存在することにより、炭素による不具合を抑制することができる。炭素は、メッキ膜表面に析出して不具合の原因となる。酸素が存在することにより、炭素がメッキ膜表面に析出するのを抑制することができる。銅部材表面の酸素量が３ａｔ％未満であると、酸素が存在することによる効果が不足する可能性がある。また、銅部材表面の酸素量が５０ａｔ％を超えて多いと、酸素自体が銅部材と反応し、銅部材表面に酸化銅が形成される。そのため、銅部材の熱伝導率が低下する可能性がある。よって、銅部材表面の酸素量は、３ａｔ％以上５０ａｔ％以下の範囲内であることが好ましい。さらに、銅部材表面の酸素量が３ａｔ％以上３０ａｔ％以下の範囲内であると、酸素自体が銅部材とメッキ膜の接合またはメッキ膜と半田層の接合を阻害するのを抑制することができる。酸素量が３０ａｔ％を超えて多いと、酸素自体がメッキ膜と半田層との密着性を阻害する可能性がある。同様に、銅部材表面における比（Ａ_Ｃ／Ａ_ｏｘ）が０以上２０以下であることにより、炭素による影響を低減することができる。銅部材表面における比（Ａ_Ｃ／Ａ_ｏｘ）は、０．３以上１６以下であることがより好ましい。前述のように、銅部材表面の炭素量を５ａｔ％未満（検出限界以下を含む）にするのは、製造工程の負荷が大きい。そのため、酸素量と炭素量の比を制御する場合、炭素量は５原子％以上であってもよい。炭素量が５ａｔ％以上６０ａｔ％以下のとき、比（Ａ_Ｃ／Ａ_ｏｘ）が０．３以上１６以下の範囲内であることがより好ましい。
　絶縁性回路基板の表面に存在する塩素イオン量は、絶縁性回路基板の表面積４０ｃｍ^２あたり、０μｇ以上１５μｇ以下であることが好ましい。塩素イオン量は、絶縁性回路基板の表面積４０ｃｍ^２あたり、０μｇ以上３μｇ以下であることがさらに好ましい。
　絶縁性回路基板の表面に存在する硫酸イオン（ＳＯ_４）量は、絶縁性回路基板の表面積４０ｃｍ^２あたり０μｇ以上５μｇ以下であることが好ましい。また、硫酸イオン（ＳＯ_４）量は、絶縁性回路基板の表面積４０ｃｍ^２あたり、０μｇ以上０．５μｇ以下であることがさらに好ましい。
　絶縁性回路基板の表面に存在するフッ素イオン量は、絶縁性回路基板の表面積４０ｃｍ^２あたり０μｇ以上２μｇ以下であることが好ましい。また、フッ素イオン量は、絶縁性回路基板の表面積４０ｃｍ^２あたり、０μｇ以上１μｇ以下であることがさらに好ましい。
　絶縁性回路基板の表面に存在するアンモニウム（ＮＨ_４）イオンは、絶縁性回路基板の表面積４０ｃｍ^２あたり０μｇ以上３μｇ以下であることが好ましい。また、アンモニウムイオン（ＮＨ_４）量は、絶縁性回路基板の表面積４０ｃｍ^２あたり、０μｇ以上１μｇ以下であることがさらに好ましい。
　上記複数のイオンは、絶縁性基板の表面よりも、銅部材表面の方が付着しやすい傾向にある。上記複数のイオンが絶縁性基板表面に存在していた場合、接合時に揮発し、銅部材表面の汚染を誘発する可能性がある。銅部材が汚染されると、銅部材と半導体素子との接合不良を誘発する可能性がある。そのため、銅部材が接合されていない箇所も含む絶縁性回路基板表面全体に存在する上記イオン量を制御することが好ましい。
　絶縁性回路基板１枚当たりの表面積の大きさが４０ｃｍ^２よりも小さい場合には、複数枚の絶縁性回路基板を用いてその表面積の合計値を４０ｃｍ^２以上にすることが好ましい。表面積の合計値が４０ｃｍ^２未満であり、絶縁性回路基板の表面積が極端に小さい場合、比例関係を用いて換算した際に、外れ値やノイズの影響が過大になる可能性があるためである。ここで測定している表面積とは、側面の厚さ成分を含まない、平坦面の面積である。平坦面は、絶縁性回路基板を上から見たとき、絶縁性基板の導体部との接合面に略平行な面を指す。例えば、上から見たとき絶縁性基板端部からはみ出ないように導体部を設けた場合、絶縁性基板の表面（上面）及び裏面（下面）を平坦面とみなすことができる。絶縁性回路基板の表裏を表面積の計算対象とすることから、表面積＝絶縁性基板の縦寸法×横寸法×２倍となる。また、上から見たとき絶縁性基板端部から導体部がはみ出ている場合は、はみ出た導体部の平坦面も表面積にカウントする。このように、表面積の計算には、絶縁性基板および導体部の厚さ成分は含めない。
　ここで、上方向とは、絶縁性基板の端部と端部の点を結んだ直線を考えたとき、この直線に対して垂直の方向で定義される。平坦面の面積とは、この上方向から見たときの面積と下方向から見た面積の和として定義される。したがって、上方向から見たときの面積を２倍した値が、絶縁性回路基板の表面積となる。
　また、絶縁性回路基板が少量しかなく、その表面積の合計値が４０ｃｍ^２より小さい場合には、得られた不純物量をその表面積（ｃｍ^２）で割った後に４０を掛けることで、表面積の大きさを換算してもよい。不純物とは、上述した、塩素イオン、硫酸イオン、フッ素イオン、アンモニウムイオンを指す。絶縁性回路基板１枚当たりの表面積が４０ｃｍ^２でない場合には、絶縁性回路基板の表面積と不純物量に比例関係があるので、この関係を用いて以下の式で換算すれば良い。
　「銅部材の４０ｃｍ^２当たりの不純物量」＝「測定によって得られた不純物量」×４０÷「絶縁性回路基板の表面積の合計値（ｃｍ^２）」
　塩素イオン、硫酸イオン、フッ素イオン、アンモニウムイオンの量はイオンクロマトグラフで測定する。
　塩素イオンは、塩化鉄または塩化銅などの薬液を用いて銅部材のエッチング工程を行った際に付着し易い。また、洗浄の際に塩酸を用いた場合にも付着しやすい。
　硫酸イオンは、チオ硫酸ナトリウムまたは硫酸やペルオキソ二硫酸アンモニウムなどの薬液を用いて、ＡｇまたはＣｕを主成分とする層へのエッチング工程または化学研磨工程を行った際に付着し易い。
　フッ素イオンは、フッ化アンモニウムなどの薬液を用いたＴｉ反応層のエッチング工程を行った際に付着し易い。
　アンモニウムイオンは、フッ化アンモニウムまたはペルオキソ二硫酸アンモニウムなどの薬液を用いて、Ｔｉ反応層のエッチング工程、ＡｇまたはＣｕを主成分とする層へのエッチング工程または化学研磨工程などを行った際に付着し易い。
　塩素イオン、硫酸イオン、フッ素イオン、アンモニウムイオンといったイオンが絶縁性回路基板の表面（特に銅部材表面）に残存すると、導体部（特に銅部材）とメッキ膜との間の接合の信頼性、およびメッキ膜と半導体素子との間の接合の信頼性が低下する。
　また、銅部材以外の箇所にこれらのイオンが存在していた場合に、前記イオンは気化して導体部（特に銅部材）とメッキ膜との間の接合の信頼性、およびメッキ膜と半導体素子との間の接合の信頼性を低下させる可能性がある。そのため、絶縁性回路基板の表面全体における前記イオン量を制御することが好ましい。
　ここでイオンと記載した成分は、測定時にイオンとして検出されていればよく、絶縁性回路基板の表面で化合物として存在していてもよい。硫酸イオンは２価の陰イオンであり、塩素イオンとフッ素イオンは１価の陰イオンである。アンモニウムイオンは１価の陽イオンである。
　絶縁性回路基板の表面におけるこれらのイオン量は、メッキ処理前に制御されていることにより、銅部材とメッキ膜との接合の信頼性が保たれる。そのため、各イオン量は、メッキ処理前に測定することが好ましい。また、メッキ処理後の表面においても、各イオン量が上記記載の範囲内であることが好ましい。
　メッキ膜形成後の表面においても、各イオン量が上記範囲内であることで、メッキ膜と半導体素子との接合の信頼性も確保できる。上述した各イオンは、メッキ処理の際に、硫酸またはアンモニアなどを用いた薬液を使用した際にも付着しうるためである。

　セラミックス基板の両面に銅部材が接合される場合、両面の銅部材表面の炭素量が、０ａｔ％以上７０ａｔ％以下の範囲内であることが好ましい。前述のように、炭素量の制御は、メッキ膜の接合性を改善させる。そのため、メッキ膜が設けられる銅部材表面の炭素量を制御することが重要である。セラミックス基板の両面に銅部材を設ける場合、表側に銅板又は銅回路を設け、裏側に放熱板として銅板を設けることがある。表側の銅板又は銅回路には、半導体素子が実装される。半導体素子を実装する際、メッキ膜を介して半田層または銀を主成分とする層などの接合層が設けられる。放熱板は、ヒートシンク等に実装される面として用いられる。ヒートシンクへの実装には、グリースなどが用いられるため、メッキ膜が使用されない場合もある。しかし、両面の銅部材表面の炭素量を制御することにより、表側と裏側のどちらの銅部材も、半導体素子の実装面として用いることができる。言い換えると、使い勝手のよい絶縁性回路基板（例えばセラミックス銅回路基板）を提供することができる。

　実施形態において、セラミックス基板と銅部材は、炭素を含有する接合層を介して接合されていることが好ましい。セラミックス基板と銅部材は、チタンを含有する接合層を介して接合されていることが好ましい。活性金属接合法では、Ｔｉを含む活性金属ろう材が用いられる。活性金属ろう材は、銀または銅を主成分として含有し、且つＴｉを含有する。活性金属ろう材に炭素を含有させることにより、炭素を含有する接合層を形成することができる。活性金属ろう材に炭素を含有させることで、ろう材の流動性を向上させることができる。これにより、接合強度を向上させることができる。

　活性金属ろう材は、Ａｇ（銀）を０質量％以上７０質量％以下、Ｃｕ（銅）を１５質量％以上８５質量％以下、Ｔｉ（チタン）またはＴｉＨ_２（水素化チタン）を１質量％以上１５質量％以下、含有することが好ましい。また、活性金属ろう材には、Ｔｉの代わりに、ＮｂまたはＺｒを用いたり、ＴｉにＮｂ、Ｚｒを添加してもよい。しかし、活性金属ろう材は、Ｔｉ（チタン）またはＴｉＨ_２（水素化チタン）を、１質量％以上１５質量％以下含有することが好ましい。
　ＴｉとＴｉＨ_２の両方を用いる場合は、それらの合計が１質量％以上１５質量％以下の範囲内とする。ＡｇとＣｕを両方用いる場合、Ａｇの含有量は２０質量％以上７０質量％以下、Ｃｕの含有量は１５質量％以上６５質量％以下であることが好ましい。
　ろう材には、必要に応じ、Ｓｎ（錫）またはＩｎ（インジウム）の１種または２種を１質量％以上５０質量％以下含有させてもよい。ＴｉまたはＴｉＨ_２の含有量は、１質量％以上１５質量％以下であることが好ましい。また、ろう材には、必要に応じ、Ｃ（炭素）を０．１質量％以上２質量％以下含有させても良い。
　活性金属ろう材組成の比率は、混合する固体原料の合計を１００質量％で計算する。この固体原料は、粉末状であることが好ましい。例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉの３種で活性金属ろう材を構成する場合、Ａｇ＋Ｃｕ＋Ｔｉ＝１００質量％とする。Ａｇ、Ｃｕ、ＴｉＨ_２、Ｉｎの４種で活性金属ろう材を構成する場合、Ａｇ＋Ｃｕ＋ＴｉＨ_２＋Ｉｎ＝１００質量％とする。Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｃの５種で活性金属ろう材を構成する場合は、Ａｇ＋Ｃｕ＋Ｔｉ＋Ｓｎ＋Ｃ＝１００質量％とする。
　上記の組成の粉末原料に対し、組成に応じた溶媒を混合することが好ましい。溶媒を混合することで、ろう材をペースト状にすることができる。

　ＡｇまたはＣｕは、ろう材の母材となる成分である。ＳｎまたはＩｎは、ろう材の融点を下げる効果を有する。Ｃ（炭素）は、ろう材の流動性を制御したり、他の成分と反応して接合層の組織を制御する効果を有する。このため、ろう材の成分としては、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ、Ａｇ－Ｃｕ－Ｓｎ－Ｔｉ、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ－Ｃ、Ａｇ－Ｃｕ－Ｓｎ－Ｔｉ－Ｃ、Ａｇ－Ｔｉ、Ｃｕ－Ｔｉ、Ａｇ－Ｓｎ－Ｔｉ、Ｃｕ－Ｓｎ－Ｔｉ、Ａｇ－Ｔｉ－Ｃ、Ｃｕ－Ｔｉ－Ｃ、Ａｇ－Ｓｎ－Ｔｉ－Ｃ、Ｃｕ－Ｓｎ－Ｔｉ－Ｃ、が挙げられる。また、Ｓｎの代わりにＩｎを用いてもよい。ＳｎとＩｎを両方用いてもよい。

　上述した銅部材の側面は、傾斜形状を具備していることが好ましい。すなわち、銅部材の側面は、面内方向及び厚み方向に対して、傾斜していることが好ましい。面内方向は、セラミックス基板の銅部材との接合面に平行な方向である。厚み方向は、セラミックス基板と銅部材とを結ぶ方向であり、面内方向に対して垂直である。
　接合層５の厚さは、１０μｍ以上６０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。また、絶縁性回路基板は、銅部材の側面から接合層がはみ出した形状を有することが好ましい。はみ出した接合層の一部を、接合層はみだし部と呼ぶ。接合層はみだし部は、厚さＴに対する長さＬの比（Ｌ／Ｔ）が、０．５以上３．０以下の範囲内であることが好ましい。接合層はみだし部の厚さは、接合層はみだし部の中で最も厚い箇所の厚さである。接合層はみだし部の長さは、銅部材側面からはみ出た最も長い箇所の長さである。接合層はみだし部の厚さと長さは、セラミックス銅回路基板の任意の断面から測定する。銅部材に傾斜形状を設け、接合層はみだし部を設けることにより、セラミックス銅回路基板のＴＣＴ特性を向上させることができる。
　銅部材表面の最大高さＲｚは、２０μｍ以下であることが好ましい。また、銅部材表面の算術平均粗さＲａは、５μｍ以下であることが好ましい。算術平均粗さＲａは、２μｍ以下であることがより好ましい。算術平均粗さＲａは、１μｍ以下であることがさらに好ましい。銅部材表面をより平坦にすることによって、銅部材とメッキ膜との密着またはメッキ膜と接合層との接合を強固にすることができる。また、メッキ膜の接合に用いる接合層には、半田ペーストまたは銀ペーストを用いることができる。ＲａおよびＲｚは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２０１３に記載されている。ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２０１３は、ＩＳＯ　４２８７：１９９７／ＡＭＥＮＤＭＥＮＴ　１：２００９（ＩＤＴ）に対応している。
　セラミックス基板は、厚さ０．４ｍｍ以下の窒化珪素基板であり、銅部材の厚さは、０．６ｍｍ以上であることが好ましい。厚さ０．４ｍｍ以下の薄い窒化珪素基板であると、セラミックス基板の熱抵抗を下げる効果がある。また、厚さ０．６ｍｍ以上の厚い銅板であると、放熱性が向上する。さらに、３点曲げ強度６００ＭＰａ以上の窒化珪素基板であれば、効果を得やすくなる。

　以上のような、セラミックス銅回路基板などの絶縁性基板は、メッキ膜と接合層を介して導電部に半導体素子を実装した半導体装置に好適である。
　図２は、実施形態に係る半導体装置の一例を示す模式図である。図２において、１は絶縁性回路基板、６は半導体素子、７はメッキ膜、８は半田層、１０は半導体装置である。図２では、１つの絶縁性回路基板に１つの半導体素子６が実装された例を示した。１つの絶縁性回路基板に、２つ以上の半導体素子６が実装されてもよい。図３に示す例は、メッキ膜７が裏導体部にも設けられている点で、図２に示す例と異なる。本発明の実施形態では、図３に示すように、裏導体部にもメッキ膜が設けられていてもよい。裏導体部に設けられるメッキ膜の形態は、表導体部に設けられたメッキ膜の形態と異なっていても良い。これらのメッキ膜は、側面を含む面全体に設けられてもよく、一部の面のみに設けられてもよい。
　半導体装置１０には、リードフレームやワイヤ・ボンディングなどがさらに設けられてもよい。半田層８の代わりに、銀を主成分とする層（Ａｇナノ粒子層）が用いられてもよい。半田層は、半田ペーストを用いた接合層である。半田層の材料として、鉛フリー半田が例示される。また、銀を主成分とする層は、銀ペーストを用いた接合層である。銀ペーストは、Ａｇのナノ粒子が用いられていることから、Ａｇを含む鉛フリー半田とは区別されている。

　実施形態に係る半導体装置１０では、導体部３（例えば銅部材）の表面の炭素量を制御しているため、メッキ膜７表面に炭素が析出するのを抑制することができる。メッキ膜７表面に半田層８を設けたとき、メッキ膜７表面に炭素があると半田層８にボイドが発生し易くなる。半田層８にボイドがあると半導体素子６との接合性が低下する。半田層８をＡｇナノ粒子接合層に置き換えたときも同様である。
　近年、半導体素子の高性能化が進んでいる。これに伴い、半導体素子のジャンクション温度は１５０℃以上、さらには１７０℃以上になっている。半導体装置１０は、ジャンクション温度の高い半導体素子を実装したとしても、メッキ膜７と半導体素子６の接合信頼性を示すことができる。言い換えると、実施形態に係る絶縁性回路基板（例えばセラミックス銅回路基板）は、導電部の表面にメッキ膜が設けられる構成に好適である。

　次に、実施形態に係る絶縁性回路基板の一例であるセラミックス銅回路基板について、その製造方法を説明する。実施形態に係るセラミックス銅回路基板は上記構成を有していれば、その製造方法は特に限定されない。ここでは、歩留まり良くセラミックス銅回路基板を得るための方法を例示する。
　まず、セラミックス基板と銅板の接合体を作製する。セラミックス基板、銅板の具体的な構成は、前述の通りである。

　接合体は、活性金属接合法を用いて接合される。活性金属接合法は、チタンなどの活性金属を含む活性金属ろう材を用いた接合方法である。活性金属ろう材の成分は、前述の通りである。活性金属ろう材ペーストを調製し、セラミックス基板の表面に塗布する。活性金属ろう材ペーストの塗布厚さは、１０μｍ以上６０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。活性金属ろう材ペースト層の上に銅板を配置する。活性金属ろう材ペーストが銅板上に塗布され、セラミックス基板が銅板の上に配置されてもよい。
　セラミックス基板の縦横サイズは、銅板の縦横サイズと同じであってもよいし、銅板の縦横サイズとは異なってもよい。銅板の厚さが０．６ｍｍ以上の場合は、セラミックス基板の縦横サイズと銅板の縦横サイズは同じであることが好ましい。また、セラミックス基板の両面に銅板を配置することが好ましい。このような配置にすると、接合体の反りを低減し易くなる。銅板には、後述するエッチング工程で、任意の回路形状を形成することができる。予め回路形状に加工した銅部材をセラミックス基板に接合することもできる。しかしながら、予め回路形状に加工した銅部材を用意するには、専用の金型が必要である。回路形状に応じた金型を用意するのはコストアップを招く可能性がある。

　次に、加熱接合工程を行う。加熱温度は、６００℃以上９３０℃以下が好ましい。加熱雰囲気として、真空中、不活性雰囲気中などが挙げられる。真空とは、圧力が１０^－３Ｐａ以下の状態を指す。不活性雰囲気とは、希ガス雰囲気又は窒素雰囲気である。希ガス雰囲気は、例えば、アルゴン雰囲気、ヘリウム雰囲気、ネオン雰囲気、キセノン雰囲気などである。特に、コストを考慮すると、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気が好ましい。より好ましくは、窒素雰囲気である。加熱接合工程を行うことにより、セラミックス基板と銅板の接合体を製造することができる。必要に応じ、接合体に対して反り直し工程を行ってもよい。
　次に、接合体に対し、化学研磨工程およびエッチング工程を行う。これらの工程は、銅板に回路形状を付与する工程である。これらの工程において、銅板側面に傾斜形状を付与したり、銅板側面から接合層をはみ出させた接合層はみだし部を形成してもよい。
　活性金属接合法では、ＡｇまたはＣｕを主成分とし、Ｔｉを含有した活性金属ろう材が用いられる。活性金属接合法を用いた接合体は、接合層中にＴｉ反応層が形成される。窒化物系セラミックス基板を用いた場合、Ｔｉ反応層は窒化チタン（ＴｉＮ）層となる。酸化物系セラミックス基板を用いた場合、Ｔｉ反応層は酸化チタン（ＴｉＯ_２）層となる。活性金属接合法で製造された接合体の接合層には、ＡｇまたはＣｕを主成分とする層とＴｉ反応層が形成されている。炭素は、ＡｇまたはＣｕを主成分とする層に分布している。
　窒化物系セラミックス基板は、サイアロン、窒化ケイ素、または窒化アルミニウムなどからなる基板である。
　酸化物系セラミックス基板は、アルミナ、ジルコニア、またはアルジルなどからなる基板である。

　エッチング工程で回路形状を付与するには、銅板のエッチング工程、ＡｇまたはＣｕを主成分とする層のエッチング工程、およびＴｉ反応層のエッチング工程が必要になる。エッチング効率を考慮すると、３種のエッチング工程においてそれぞれ異なる薬液が必要である。また、エッチングしたくない箇所には、レジストを塗布する必要がある。エッチングしたい個所が変わると、その都度、レジスト除去工程とレジスト塗布工程が必要になる。薬液の異なるエッチング工程を複数回行うことが必要である。例えば、銅板のエッチング工程では、塩化鉄または塩化銅を含む薬液が用いられている。ＡｇまたはＣｕを主成分とする層のエッチング工程では、過酸化水素水またはベルオキソ二硫化アンモニウムを含む薬液が用いられている。Ｔｉ反応層のエッチング工程は、過酸化水素水またはフッ化アンモニウムを含む薬液が用いられている。これら以外にも、様々な薬液が用いられている。
　必要に応じてエッチング工程の効率を上げるために、化学研磨工程を用いることが有効である。エッチング工程の薬液により、ＡｇまたはＣｕを主成分とする層が酸化されることがある。酸化物層を除去するために、化学研磨工程が有効である。化学研磨工程では、硫酸、塩酸、およびチオ硫酸ナトリウムから選ばれる１種または２種以上を含んだ薬液が使われている。

　上述した化学研磨工程、エッチング工程などにより、表側の銅板が加工される。例えば、銅板に回路形状が付与され、銅回路が形成される。又は、１つの銅板が分割され、複数の銅板が形成される。これにより、銅部材（銅回路又は銅板）が接合されたセラミックス銅回路基板が得られる。
　また、上述したように、化学研磨工程、エッチング工程、防錆処理工程などでは、様々な薬液が用いられている。銅部材側面の傾斜形状、接合層はみだし部の形状などを調整するには、複数回の工程が必要になる。それぞれの工程では、除去したくない領域にレジストが塗布される。一般的に、レジストは樹脂でできている。樹脂には炭素が含まれている。レジストの除去にも薬液が使われている。レジストの除去が不十分であると、銅部材表面の炭素量が増加する。
　銅部材表面の炭素量を制御するには、洗浄工程が有効である。洗浄工程では、水洗浄またはアルカリ洗浄が行われることが好ましい。

　また、水洗浄のみを行う場合は、浸漬ではない工程である下記の水洗浄工程が少なくとも一回以上実施されることが好ましい。より好ましくは、水洗浄のみを用いる場合の洗浄工程が下記に記載の洗浄工程である回数が多いほど好ましい。また、一回の洗浄工程において複数の洗浄方法を組み合わせても良い。これらの洗浄は、導体部のみではなく、セラミックス銅回路基板全体が洗浄されることが好ましい。
　水洗浄では、流量が１．３Ｌ（リットル）／分以上であることが好ましい。流量が１．３Ｌ／分以上であれば、銅部材表面に付着した炭素を洗い流す効果が十分に得られる。流量が１．３Ｌ／分未満では洗い流す効果が不足する可能性がある。例えば、水の溜まった洗浄槽にセラミックス銅回路基板を浸漬して放置する方法では、流量が不足するため、炭素量を低減する効果が十分得られない。なお、流量の上限は特に限定されないが、１０Ｌ／分以下であることが好ましい。流量が１０Ｌ／分を超えて大きいと、水圧が高すぎて銅部材表面が変形する可能性がある。このため、水洗浄の流量は１．３Ｌ／分以上１０Ｌ／分以下が好ましい。より好ましくは、水洗浄の流量は、１．５Ｌ／分以上６Ｌ／分以下である。
　流量の調整方法として、洗浄槽に溜めた水を循環させる制御やノズルを使って制御する方法などが挙げられる。流量の調整はノズルを使って制御する方法が好ましい。ノズルを使った方が流量を制御し易い。洗浄槽に溜めた水を循環させる方法では、水の量が多くなると、流量の制御が困難となる可能性がある。ノズルを使った場合、ノズルから噴射される水の流量が１．３Ｌ／分以上となるように設定する。また、この水には、超音波を印加してもよく、炭酸や酸素を溶かしてもよい。
　ノズルとセラミックス銅回路基板の距離は、５ｃｍ以上４０ｃｍ以下の範囲内であることが好ましい。５ｃｍ以上２０ｃｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。この範囲内であると、セラミックス銅回路基板に当たる水の量を調整し易くなる。ノズルから噴射された水の着弾形状は、点型、円型、楕円型形、扁平型、四角形型など様々な形状がある。ノズルの型には、コーン型や扇型など様々な形態を適用可能である。ノズルを利用する際は、セラミックス銅回路基板１枚当たり複数のノズルを用いてもよく、表導体部と裏導体部を同時に洗浄してもよい。
　セラミックス銅回路基板に着弾する水量は、ノズル１個あたり０．０１L／分／ｃｍ^２以上０．１L／分／ｃｍ^２以下の範囲内であることが好ましい。セラミックス銅回路基板に着弾する水量のことを着弾水量と呼ぶ。着弾水量は、セラミックス銅回路基板を上から見たとき、１ｃｍ^２あたりに着弾する水量を示している。セラミックス銅回路基板への着弾水量の調整は、前述のノズルからの水量、ノズル型、ノズルとの距離、などで調整できる。また、ノズルから水を噴射する際に、空気噴射を合わせて行うこともできる。また、洗浄工程では、超音波が付与されてもよい。セラミックス銅回路基板を搬送しながら洗浄工程を行うことも有効である。この際に、洗浄効率（液体の回収効率）や、設置面積効率を上げるために、セラミックス銅回路基板を斜めにしてもよい。斜めとは、基板の少なくとも１つの辺の向きが、重力方向に対して垂直な水平面と平行でないことである。水平面と前記少なくとも１つの辺との間の角度は、１０度以上９０度未満であることがさらに好ましい。ノズルからの流量を１．３Ｌ／分以上とし、セラミックス銅回路基板を搬送しながら、セラミックス銅回路基板への着弾水量をノズル１個あたり０．０１L／分／ｃｍ^２以上０．１L／分／ｃｍ^２以下の範囲内にする方法が効率的である。

　水は、ＪＩＳ－Ｋ－０５５７（１９９８）の品質を満たすことが好ましい。ＪＩＳ－Ｋ－０５５７では、Ａ１～Ａ４の品質が示されている。ＪＩＳ－Ｋ－０５５７については、ＩＳＯ３６９６が参照される。

　アルカリ洗浄は、ｐＨ１０以上のアルカリ性水溶液で洗浄する工程を指す。ｐＨ１０以上のアルカリ性水溶液としては、有機アルカリ、金属水酸化物、金属水酸化物と弱酸の塩などの水溶液があげられる。特に、塩の成分の弱酸としては、炭酸、ピロリン酸、リン酸、メタケイ酸などが挙げられる。金属水酸化物およびその塩を用いる場合には、その金属の種類としてリチウム、カリウム、ナトリウム、バリウム、カルシウムなどがあげられる。Ｋ_ｂ（塩基解離定数）が小さすぎると、必要な溶質量が増加するため、用いる金属水酸化物およびその塩の金属の種類としては、カリウム、ナトリウム、リチウムから選ばれるものが好ましい。特に、コストを考慮すると、水酸化ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、リン酸ナトリウム、ピロリン酸ナトリウムが好ましく、前記ナトリウム化合物から選ばれる１種または２種以上を含む水溶液が好ましい。これら成分を０．５質量％以上５質量％以下含有する水溶液がさらに好ましい。アルカリ洗浄は、銅部材表面の不純物を除去し、きれいにする効果がある。
　これらのアルカリ水溶液の純度は、高いことが好ましい。純度は９６質量％以上であることがより好ましい。純度が９６質量％より小さいと、その中に含まれる不純物が、セラミックス銅回路基板に付着する可能性がある。純度が高いほど、水溶液に含まれる不純物が少ないことをさす。したがって純度が高いほど、不純物の付着が少ないため好ましい。そのため、純度は９８質量％以上であることがさらに好ましい。

　レジストには、有機化合物が多用される。有機化合物は、その極性が水よりも低いため、有機溶媒に溶ける性質を有する。そのため、レジストに有機化合物を用いた場合には、アルコール洗浄またはケトン類を用いた洗浄を行ってもよい。アルコール類としては、イソプロパノール、メタノール、ブタノール、ヘキサノール、エタノールなどがあげられる。また、ケトン類としては、アセトンなどがあげられる。有機化合物の溶解性や揮発性も考慮すると、エタノールまたはイソプロパノールが好ましい。イソプロパノールは、ＣＡＳ登録番号６７-６３-０であり、ＩＵＰＡＣ名では２－プロパノールである。イソプロパノールは、ＩＰＡまたはイソプロピルアルコールと呼ばれることもある。
　これらの水や溶媒成分を除いたアルコール類の純度は、９９質量％以上であることが好ましい。洗浄に用いられるアルコール類またはケトン類については、水や溶媒成分を除いた純度が９９質量％より小さいと、その中に含まれる不純物がセラミックス銅回路基板に付着する可能性がある。
　また、アルコール洗浄では、２種以上のアルコール類を混合して用いても良い。さらに、アルコール洗浄は水と混合していてもよい。アルコール類を水と混合する場合に、用いられる水の品質はＪＩＳ－Ｋ－０５５７（１９９８）を満たすことが好ましい。アルコール類にアセトンなどのケトン類を溶媒として添加してもよい。つまり、アルコール類は、水または溶媒を除いた不純物量が１質量％以下であることが好ましい。
　しかし、コスト面を考慮すると、洗浄方法としては、アルコール洗浄よりもアルカリ洗浄または水洗浄が好ましい。また、アルカリ洗浄ののちに水洗浄を行うなど、複数の洗浄方法を組み合わせてもよい。

　以上のような洗浄工程を行うことにより、銅部材表面の炭素量を７０ａｔ％以下に低減できる。また、洗浄工程は、レジストを除去する工程の後に行うことが好ましい。レジストを除去する工程を複数回行う場合は、その都度、洗浄工程を行うことが好ましい。
　最後のレジスト除去工程の後の洗浄を上記洗浄方法で実行し、その他のレジスト除去工程後の洗浄は、通常の水洗浄であってもよい。この場合、最後のレジスト除去工程後の洗浄工程の時間を長めに設定することが好ましい。
　エッチング工程後および化学研磨後の洗浄工程は、通常の水洗浄であってもよいし、流量を制御した水洗浄であってもよい。通常の洗浄工程とは、水洗浄槽に接合体を浸漬する方法である。また、個々の洗浄工程は、バッチ式または連続式のどちらでもよい。バッチ式は、複数の接合体を洗浄かごに収納して洗浄工程を行う方法である。連続式は、複数の接合体をベルトコンベアで搬送しながら洗浄工程を行う方法である。洗浄を行う際に、超音波を印加してもよい。超音波を印加することで洗浄効率を高める効果が期待できる。
　洗浄方法としては、塩素系洗浄剤を用いる方法もある。塩素系洗浄剤では、銅板表面の塩素量が増加する可能性がある。そのため、塩素系洗浄剤は、上述した洗浄方法に比べると好ましくない。また、水蒸気やオゾン水を使った洗浄工程は、銅板を酸化させる可能性があるため好ましくない。このため、水洗浄、アルカリ洗浄、またはアルコール洗浄の洗浄工程が好ましい。
　以上の工程により、実施形態に係るセラミックス銅回路基板を製造することができる。

　次に乾燥工程について説明する。乾燥工程として、揮発し易い溶液での処理、遠心力処理、送風処理などが挙げられる。複数の乾燥工程を組み合わせてもよい。洗浄後のセラミックス銅回路基板に対して、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、またはアセトンなどのケトン類など、揮発しやすい溶媒を用いて残った水を洗い流してもよい。また、アルコール類とケトン類は、混合させて用いてもよい。この際、引火性などの安全面を考慮すると、イソプロパノールを用いることが好ましい。また洗浄後のセラミックス銅回路基板を回転させ遠心力を用いて、残った水滴を除去してもよい。
　また、セラミックス銅回路基板を斜めにしてもよい。この斜めとは、重力方向に対して垂直な平面上に存在する任意の向きを水平方向としたとき、基板のいずれか１つ以上の辺の向きが、この水平方向に対して平行ではない状態を指す。この際、水平方向と重力方向からなる角度を９０度としたとき、水平方向と基板のいずれか１つ以上の辺の向きからなる角度が１０度以上９０度未満であることがさらに好ましい。この基板の向きについては、基板の対角線が、斜めであることがさらに好ましい。このように基板の向きを斜めにすることにより基板に付着した水滴が重力にしたがって落ちやすくなる。この斜めにする方法としては例えば、基板の対角線が斜めになるようにすることなどがあげられる。
　このようにしてある程度の乾燥されたセラミックス銅回路基板に対して、乾燥空気または窒素ガスを送風し、残った水滴を吹き飛ばすことが好ましい。空気、乾燥空気、または窒素ガスを送風する方法は、エアナイフと呼ばれることもある。このエアナイフは、エアブローの一種である。
　このようにして得られたセラミックス銅回路基板をさらに確実に乾燥させるため、１０℃以上の温度、７０％以下の湿度の風を、２０ｍ／ｓ以上１５０ｍ／ｓ以下の風速でセラミックス銅回路基板に当ててもよい。このようにセラミックス銅回路基板に風にあてる乾燥工程をエアブローという。またこのエアブロー工程での好ましい風の温度は、１０℃以上１５０℃以下であり、より好ましくは１５℃以上１００℃未満である。この温度を超えると、熱により導体部表面が酸化する可能性がある。また、エアブロー工程での好ましい湿度は、５％以上７０％以下である。湿度が７０％より大きいと、乾燥工程にかかる時間が長くなる可能性がある。湿度を５％より小さくするには、コストが増加する可能性がある。風速は２０ｍ／ｓ以上１５０ｍ／ｓ以下が好ましい。風速は２０ｍ／ｓ以上１００ｍ／ｓ以下がさらに好ましい。風速が小さすぎると乾燥に時間がかかる。また、風速が大きすぎると銅板の搬送に悪影響を与える可能性がある。この乾燥工程を行う際には、その他の乾燥工程を組み合わせることで温風での乾燥工程を用いたとき温風を当てる乾燥時間を短くし、温風の熱による導体部である銅板表面の酸化を抑制することができる。このため、複数の乾燥工程を組み合わせてもよい。

　銅板に回路形状を付与した後、必要に応じ、メッキ処理を行う。メッキ膜は、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、またはこれらを主成分とする合金などが用いられている。メッキ処理は、電界メッキまたは無電解メッキのどちらでもよい。以上の工程により、実施形態に係るセラミックス銅回路基板を製造することができる。
　その後、メッキ膜を設けたセラミックス銅回路基板に半導体素子を実装することにより半導体装置となる。言い換えると、メッキ膜を設けたセラミックス銅回路基板は、セラミックス銅回路基板の一種である。

（実施例）
（実施例１～１２、比較例１）
　絶縁性基板の一例として、セラミックス基板（窒化珪素基板および窒化アルミニウム基板）を用意した。用意した窒化珪素基板のサイズは、縦５０ｍｍ×横４０ｍｍ×厚さ０．３２ｍｍである。熱伝導率は９０Ｗ／ｍ・Ｋであり、３点曲げ強度は６５０ＭＰａである。また、用意した窒化アルミニウム基板のサイズは、縦５０ｍｍ×横４０ｍｍ×厚さ０．６３５ｍｍである。熱伝導率は１７０Ｗ／ｍ・Ｋであり、３点曲げ強度は４００ＭＰａである。
　導体部の一例として、銅板（無酸素銅板）を用意した。銅板のサイズは、縦５０ｍｍ×横４０ｍｍである。次に、銀、銅、炭素およびチタンを含む活性金属ろう材を用いた活性金属接合法で、セラミックス基板と銅板を接合した。セラミックス基板の両面にそれぞれ銅板を接合した。表１に銅板の厚さ、接合層の厚さを示した。この工程により、実施例１～１２、比較例１、２に係る接合体を製造した。

　次に、接合体に対し、エッチング工程と化学研磨工程を施し、絶縁性回路基板の一例であるセラミックス銅回路基板を作製した。作製されたセラミックス銅回路基板は、表側に回路形状が付与された銅板（銅回路）を備え、裏側に放熱板としての銅板を備える。表側の銅回路及び裏側の銅板は、それぞれ導体部の一例である。銅回路及び銅板の側面には、傾斜形状を付与した。また、銅板側面から接合層がはみ出た接合層はみだし部を設けた。接合層はみだし部について、厚さに対する長さの比を０．５以上３．０以下の範囲内に設定した。
　エッチング工程と化学研磨工程については、銅板エッチング工程→レジスト除去→化学研磨工程（第一の化学研磨工程）→ＡｇまたはＣｕを主成分とする接合層のエッチング工程→レジスト除去→化学研磨工程（第二の化学研磨工程）→チタン反応層のエッチング工程→レジスト除去の順で行った。各工程後の洗浄工程を、表２に示した条件で行った。また、洗浄工程については、水洗浄の場合、ノズルから出る水量は１．５Ｌ／分以上６Ｌ／分以下の範囲内に設定した。セラミックス銅回路基板を搬送しながら洗浄工程を行った。これにより、ノズル１個当たりのセラミックス銅回路基板への着弾水量を表２に示した水量に設定した。また、水洗浄槽に接合体を浸漬させる洗浄工程は、「浸漬」と記載した。
　なお、銅板エッチング工程、第一の化学研磨工程、ＡｇまたはＣｕを主成分とする接合層のエッチング工程、第二の化学研磨工程、および窒化チタン層のエッチング工程のそれぞれの後の洗浄工程については、ノズル１個当たりのセラミックス銅回路基板への着弾水量は、０．０２Ｌ／分／ｃｍ^２に統一した。
　アルカリ洗浄を用いた場合は「アルカリ洗浄」と記載した。
　セラミックス銅回路基板の乾燥工程について、実施例１～１２および比較例１では、エアナイフによる乾燥工程の後にエアブローによる乾燥工程を行った。エアナイフ、エアブローの温度は室温（２５℃近傍）であった。乾燥工程におけるその他の条件について、湿度は５０%程度、風速は２０～６０ｍ／ｓ程度であった。比較例２においては、比較例１と同様の条件で洗浄まで行い、その後自然乾燥を行った。

　実施例および比較例について、セラミックス銅回路基板における銅部材表面の炭素量および酸素量を測定した。炭素量および酸素量の測定には、ＸＰＳ分析を用いた。ＸＰＳ分析装置として、ＳＳＩ社Ｘプローブを用いた。ＸＰＳ分析では、AlKα線(hν=１４８６．６ｅＶ)を用い、Ｘ線のスポット径は、直径１ｍｍに設定した。ＸＰＳ分析では、炭素、酸素、銅、窒素の量を分析した。各成分の量は、炭素、酸素、銅、および窒素の合計を１００ａｔ％として計算した。炭素量および酸素量の測定結果を表３に示した。

　実施例および比較例に係るセラミックス銅回路基板の表面に存在する塩素イオン、アンモニウムイオン、硫酸イオン、フッ素イオンを測定した。塩素イオン、アンモニウムイオン、硫酸イオン、フッ素イオンの各量の測定には、イオンクロマトグラフ分析を用いた。イオンクロマトグラフ分析装置として、（株）日本ダイオネクス社製　ＤＸ５００を用いた。また、イオン抽出には、洗浄済みフッ素樹脂容器（Φ１００ｍｍ）に、サンプル２枚と超純水４０ｍｌを入れ、フッ素樹脂容器の蓋を閉めて、恒温槽にて８０℃で１８時間保持し、イオン成分を抽出した。
　その後、約１時間放冷して共洗いし、オートサンプリングチューブにサンプリングした。次に陰イオンと陽イオンについてそれぞれの測定方法を示す。
　陰イオン（フッ素イオン、塩素イオン、硫酸イオンなど）については、検量線標準サンプルとしてＴｈｅｒｍｏ　ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製Ｄｉｏｎｅｘ　Ａｎｉｏｎ　Ｓｔａｎｄａｒｄ(製品番号：０５６９３３)を１０倍希釈して用いた。また、カラムについて、分離カラムとしてＩｏｎＰａｃ　ＡＳ　４Ａ-ＳＣを用い、ガードカラムとしてＩｏｎＰａｃ　ＡＧ　４Ａ-ＳＣを用いた。溶離液には、３０ｍｌの水酸化カリウム（ＫＯＨ）を用いた。
　陽イオン（アンモニウムイオンなど）については、検量線標準サンプルとしてＴｈｅｒｍｏ　ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製Ｄｉｏｎｅｘ　Ｃａｔｉｏｎ－ＩＩ　Ｓｔａｎｄａｒｄ(製品番号：０４６０７０)を１００倍希釈して用いた。また、カラムについて、分離カラムとしてＩｏｎＰａｃ　ＣＳ　１２Ａを用い、ガードカラムとしてＩｏｎＰａｃ　ＣＧ　１２Ａを用いた。溶離液には、２０ｍｌのメタンスルフォン酸を用いた。
　イオンクロマトグラフ分析では、セラミックス銅回路基板２枚を用いて測定した。このため、得られたイオン量を２で割ってセラミックス銅回路基板１枚当たりのイオンの不純物量とした。セラミックス銅回路基板１枚当たりの表面積は４０ｃｍ^２であった。
　実施例および比較例における各イオン量の測定結果を表４に示した。
　また、セラミックス銅回路基板にメッキ膜を設けた後、同様にイオンクロマトグラフ分析を行ったが、塩素イオン、アンモニウムイオン、硫酸イオン、フッ素イオンのいずれについても、実施例として挙げたセラミックス銅回路基板では、各イオン量が好ましい範囲内であった。

　表４から分かる通り、実施例に係るセラミックス銅回路基板では、炭素量および酸素量は望ましい範囲内であった。裏銅板表面の炭素量および酸素量も同等の値であった。また、得られたセラミックス銅回路基板における銅部材表面の表面粗さＲａは、１μｍ以下であった。次に、メッキ工程を行った。メッキ膜には、Ｎｉメッキ膜またはＡｇメッキ膜を用いた。表側の銅部材に対しては、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍの範囲にメッキ膜を設けた。メッキ膜に対し、密着性の評価を行った。密着性評価はテープ試験で行った。メッキ膜にテープを貼付け、テープをはがした際にメッキ膜が残存する割合を測定した。メッキ膜残存率（％）＝（試験後のメッキ膜面積／試験前のメッキ膜面積）×１００により表示した。その結果を、表５に示す。

　表５から分かる通り、実施例に係るセラミックス銅回路基板について、銅部材とメッキ膜との密着性が良好であった。縦２０ｍｍ×横２０ｍｍの広い範囲のメッキ膜であっても、密着性が良好であった。
　次に、実施例および比較例に係るセラミックス銅回路基板に半導体素子を実装した。Ｎｉメッキ膜上に鉛フリー半田を介して半導体素子を実装した。また、Ａｇメッキ膜上にＡｇナノ粒子接合層を介して半導体素子を実装した。これにより、半導体装置を製造した。
　半導体装置に対し、半導体素子の接合の信頼性を評価した。
　接合の信頼性を調べるために、半導体装置のＴＣＴ試験を行った。ＴＣＴ試験は、－４０℃×３０分→常温×１０分→１７０℃×３０分→常温×１０分を１サイクルとし、５００サイクルの試験を行った。試験前の半導体素子の接合強度と試験後の半導体素子の接合強度を測定した。接合強度は、ピール試験により測定した。試験前の接合強度に対し、その低下率を調べた。この時、低下率は、小数第１位の値を四捨五入し、整数として算出した。
　試験後の接合強度の低下率が１０％以下の半導体装置を、最良品（◎）とした。低下率が１１％以上１９％以下の半導体装置を、良品（〇）とした。低下率が２０％以上３０％未満の半導体装置を、不良品１（×）とした。低下率が３０％以上の半導体装置を、不良品２（××）とした。また、銅板上に半田層を介して半導体素子を２個接合した。１個に対して試験前にピール試験を行い、もう１個に対して試験後にピール試験を行った。これらの結果から、低下率を測定した。その結果を表６に示した。

　表から分かる通り、実施例に係るセラミックス銅回路基板については、メッキ膜の信頼性を向上させることができた。また、Ｎｉメッキ膜、Ａｇメッキ膜の両方共に効果が確認できた。メッキ膜の材質が変わっても、効果が得られることが確認できた。それに対し、比較例１および２では、銅部材表面の炭素量が多いため、信頼性は低下した。また、比較例１に比べて比較例２では、酸素量が多いため、さらに信頼性が低下した。

　以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態はその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１…絶縁性回路基板
２…絶縁性基板
３…導体部（表導体部）
４…導体部（裏導体部）
５…接合層
６…半導体素子
７…メッキ膜
８…半田層
１０…半導体装置

Claims (22)

1. 　絶縁性基板と、
   　前記絶縁性基板の少なくとも一方の面に接合された導体部と、を備えた絶縁性回路基板であって、
   　前記導体部の表面の炭素量をＸＰＳ分析したとき、任意の３か所での前記炭素量の平均値が０ａｔ％以上７０ａｔ％以下の範囲内であることを特徴とする絶縁性回路基板。
2. 　前記炭素量の前記平均値が０ａｔ％以上６０ａｔ％以下の範囲内であることを特徴とする、請求項１記載の絶縁性回路基板。
3. 　前記導体部の前記表面の酸素量をＸＰＳ分析したとき、前記３か所での前記酸素量の平均値が３ａｔ％以上５０ａｔ％以下の範囲内であることを特徴とする、請求項１ないし請求項２のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
4. 　前記酸素量の前記平均値が３ａｔ％以上３０ａｔ％以下の範囲内であることを特徴とする、請求項３記載の絶縁性回路基板。
5. 　前記酸素量の前記平均値に対する前記炭素量の前記平均値の比が、０以上２０以下であることを特徴とする請求項３ないし請求項４のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
6. 　前記絶縁性基板がセラミックスからなることを特徴とする、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
7. 　前記絶縁性基板が窒化珪素または窒化アルミニウムを主成分とすることを特徴とする、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
8. 　前記導体部が銅または銅合金からなる銅部材であることを特徴とする、請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
9. 　絶縁性基板と導体部は、炭素を含有する接合層を介して接合されていることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
10. 　前記絶縁性基板は、セラミックス基板であり、
    　前記導体部は、銅または銅合金からなる銅部材であり、
    　前記セラミックス基板と前記銅部材は、チタンを含有する接合層を介して接合されていることを特徴とする、請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
11. 　前記絶縁性回路基板の表面に存在するアンモニウムイオンをイオンクロマトグラフによって測定したとき、前記アンモニウムイオンの量が４０ｃｍ^２あたり０μｇ以上３μｇ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
12. 　前記絶縁性回路基板の表面に存在するアンモニウムイオンをイオンクロマトグラフによって測定したとき、前記アンモニウムイオンの量が４０ｃｍ^２あたり０μｇ以上１μｇ以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
13. 　前記絶縁性回路基板の表面に存在する塩素イオンをオンクロマトグラフによって測定したとき、前記塩素イオンの量が４０ｃｍ^２あたり０μｇ以上１５μｇ以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
14. 　前記絶縁性回路基板の表面に存在する硫酸イオンをオンクロマトグラフによって測定したとき、前記硫酸イオンの量が４０ｃｍ^２あたり０μｇ以上５μｇ以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
15. 　前記絶縁性回路基板の表面に存在するフッ素イオンをオンクロマトグラフによって測定したとき、前記フッ素イオンの量が４０ｃｍ^２あたり０μｇ以上２μｇ以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項１４のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
16. 　前記導体部は、銅部材であり、
    　前記銅部材の最大高さＲｚが２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項１５のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
17. 　前記導体部は、銅部材であり、
    　前記銅部材の表面粗さＲａが２μｍ以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項１６のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
18. 　前記絶縁性基板は、厚さ０．４ｍｍ以下の窒化珪素基板であり、
    　前記導体部は、厚さ０．６ｍｍ以上の銅部材であることを特徴とする、請求項１ないし請求項１７のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
19. 　前記導体部は、銅部材であり、
    　前記銅部材の表面は、メッキ膜が設けられた箇所を含むことを特徴とする、請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板。
20. 　前記メッキ膜を含む前記絶縁性回路基板の表面に含まれる硫酸イオンをオンクロマトグラフによって測定したとき、前記硫酸イオンの量が４０ｃｍ^２あたり０μｇ以上５μｇ以下であることを特徴とする、請求項１９に記載の絶縁性回路基板。
21. 　前記メッキ膜を含む前記絶縁性回路基板の表面に含まれるアンモニウムイオンをイオンクロマトグラフによって測定したとき、前記アンモニウムイオンの量が４０ｃｍ^２あたり０μｇ以上３μｇ以下であることを特徴とする、請求項２０に記載の絶縁性回路基板。
22. 　請求項１ないし請求項２１のいずれか１項に記載の絶縁性回路基板と、
    　前記導体部の上に半田層または銀を主成分とする層を介して実装された半導体素子と、を備えた半導体装置。

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