CN106898685A - Uv芯片封装结构及其封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种UV芯片封装结构及其封装方法，该封装结构包括导线架、UV芯片本体和UV填充胶，所述导线架上设有多个基板和由基板延伸出的多边形碗杯，每个多边形碗杯的底部均设有两个功能区和一个隔离板，所述隔离板设置在两个功能区之间；所述UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且所述UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合后，所述多边形碗杯套设在模具中，且所述多边形碗杯和模具内注入UV填充胶后固化成型为透镜。本发明的隔离板有效间隔UV芯片本体的正电极和负电极，避免短路，使得热电分离，有效降低光衰，且增加了封装产品的可靠性；多边形使得碗杯体积较小，有利于增加碗杯深度，有效减少光线损失，增加了发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种UV芯片封装结构及其封装方法。
背景技术
紫外线LED当前的用途广泛包括：波长为230-400nm的主要用于光学传感器和仪器，波长为230-280nm的主要用于紫外线身份验证、条码，波长为240-280nm的主要用于表面积水的杀菌，波长为250-405nm的主要用于鉴别和体液检测和分析，波长为270-300nm的主要用于蛋白质分析和药物发明，波长为300-320nm的主要用于医学光照疗法，波长为300-365nm的主要用于高分子和油墨印刷，波长为375-395nm的主要用于辨伪，波长为390-410nm的主要用于表面除菌或美容除菌。
然而，现有技术中的紫外线LED，常常具有发光效率低、可靠性不足的缺陷。
发明内容
针对上述技术中存在的不足之处，本发明提供一种提高发光效率、保证焊接可靠性的UV芯片封装结构及其封装方法。
为了达到上述目的，本发明一种UV芯片封装结构，包括导线架、UV芯片本体和UV填充胶，所述导线架上设有多个基板和由基板延伸出的多边形碗杯，每个多边形碗杯的底部均设有两个功能区和一个隔离板，所述隔离板设置在两个功能区之间；所述UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且所述UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合后，所述多边形碗杯套设在模具中，且所述多边形碗杯和模具内注入UV填充胶后固化成型为透镜。
其中，所述基板与多边形碗杯之间通过连接层固定连接，且所述两个功能区的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀有金属镀层。
其中，所述UV芯片本体的底部通过粘结剂键结在两个功能区上的金属镀层及隔离板上，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接。
其中，两个功能区的金属镀层上均设有金球后，所述UV芯片本体的顶部正电极连接一根金属键合丝的一端，且所述一根金属键合丝的另一端压线在一个功能区的金球上；所述UV芯片本体的顶部负电极连接另一根金属键合丝的一端，且所述另一根金属键合丝的另一端压线在另一个功能区的金球上。
其中，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接后进行种金球，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接后进行种金球。
其中，所述UV芯片本体的正极通过锡膏与一个功能区上的金属镀层键结，所述UV芯片本体的负极通过锡膏与另一个功能区上的金属镀层键结，且所述UV芯片本体的正极与负极之间通过隔离板隔离。
其中，两个功能区的厚度均比隔离板的厚度大，且两个功能区与隔离板之间形成台阶结构。
为了实现上述目的，本发明还提供一种UV芯片封装结构的封装方法，包括以下步骤：
步骤1，将UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且将UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合；
步骤2，在多边形碗杯中点入UV填充胶，且将多边形碗杯套设在模具中；
步骤3，在多边形碗杯和模具中注入UV填充胶后进行加热，直至固化成型为透镜；
步骤4，将导线架放入裂片夹具内进行分片作业，切成单颗透镜。
其中，所述基板与多边形碗杯之间通过连接层固定连接，且所述两个功能区的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀后金属镀层。
其中，所述步骤1中，当UV芯片本体以正装的方式键合时，所述UV芯片本体的底部通过粘结剂键结在两个功能区上的金属镀层及隔离板上，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接；当UV芯片以倒装的方式键合时，所述UV芯片本体的正极通过锡膏与一个功能区上的金属镀层键结，所述UV芯片本体的负极通过锡膏与另一个功能区上的金属镀层键结，且所述UV芯片本体的正极与负极之间通过隔离板隔离。
本发明的有益效果是：
与现有技术相比，本发明的UV芯片封装结构及其封装方法，通过隔离板设置在两个功能区之间，UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合后，隔离板有效间隔UV芯片本体的正电极和负电极，避免短路，使得热电分离，有效降低光衰，且增加了封装产品的可靠性；填充UV填充胶且固化成型为透镜后，完成该封装结构；多边形使得碗杯体积较小，有利于增加碗杯深度，有效减少光线损失，增加了发光效率。
附图说明
图1为本发明UV芯片封装结构单个透镜的第一立体图；
图2为本发明的UV芯片封装结构单个透镜的第二立体图；
图3为本发明的UV芯片封装结构单个透镜的主视图；
图4为本发明的UV芯片封装结构中单个基板的剖视图；
图5为本发明的UV芯片封装结构的第一实施例剖视图；
图6为本发明的UV芯片封装结构的第二实施例剖视图；
图7为本发明的UV芯片封装结构中多边形碗杯的立体图；
图8为本发明的UV芯片封装结构的封装方法的方框流程图。
主要元件符号说明如下：
1、UV芯片本体 2、UV填充胶
3、基板 4、多边形碗杯
5、连接层 6、金属镀层
7、金属键合丝
41、功能区 42、隔离板。
具体实施方式
为了更清楚地表述本发明，下面结合附图对本发明作进一步地描述。
参阅图1-6，本发明一种UV芯片封装结构，包括导线架（图未示）、UV芯片本体1和UV填充胶2，导线架上设有多个基板3和由基板3延伸出的多边形碗杯4，每个多边形碗杯4的底部均设有两个功能区41和一个隔离板42，隔离板42设置在两个功能区41之间；UV芯片本体1的正电极与一个功能区41键合，且UV芯片本体1的负电极与另一个功能区41键合后，多边形碗杯4套设在模具中，且多边形碗杯4和模具内注入UV填充胶2后固化成型为透镜。
与现有技术相比，本发明提供的UV芯片封装结构，通过隔离板42设置在两个功能区41之间，UV芯片本体1的正电极与一个功能区41键合，且UV芯片本体1的负电极与另一个功能区41键合后，隔离板42有效间隔UV芯片本体1的正电极和负电极，避免短路，使得热电分离，有效降低光衰，且增加了封装产品的可靠性；填充UV填充胶2且固化成型为透镜后，完成该封装结构；多边形使得碗杯体积较小，有利于增加碗杯深度，有效减少光线损失，增加了发光效率。
请参阅图4，基板3与多边形碗杯4之间通过连接层5固定连接，且两个功能区41的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀有金属镀层6。磁控溅射的方式就是现有技术中通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离电子在加速飞向基片的过程中受到电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的束缚，集中在靠近靶面的等离子体区域内，并在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚远离靶材图，磁控溅射原理，最终沉积在基板1上，子体密度以增加溅射率的方法。
金属镀层6为银层或金层，隔离板42为PPA塑料，基板3的材质为氧化铝、氮化铝、EMC、SMC、铜或铝中的一种，且连接层5的材质为镍、铜或金中的一种。PPA塑料为聚对苯二甲酰对苯二胺，其热变形温度高达300℃以上，连续使用温度可达170℃，能满足所需的短期和长期的热性能，且可在宽广的温度范围内和高湿度环境中保持其优越的机械性特性，如强度、硬度、耐疲劳性及抗蠕变性；EMC为环氧树脂，具有良好的物理、化学性能，它对金属和非金属材料的表面具有优异的粘接强度，介电性能良好，变形收缩率小，制品尺寸稳定性好，硬度高，柔韧性较好，对碱及大部分溶剂稳定；SMC为硅树脂，是具有高度交联网状结构的聚有机硅氧烷，兼具有机树脂及无机材料的双重特性，具有独特的物理、化学性能。
本发明包括两个实施例，第一实施例中，请参阅图5，采用正装方式，UV芯片本体1的底部通过粘结剂键结在两个功能区41上的金属镀层6及隔离板42上，UV芯片本体1的顶部正电极通过金属键合丝7与一个功能区41的金属镀层6连接，且UV芯片本体1的顶部负电极通过金属键合丝7与另一个功能区41的金属镀层6连接。
本实施例中，两个功能区41的金属镀层6上均设有金球后，UV芯片本体1的顶部正电极连接一根金属键合丝7的一端，且一根金属键合丝7的另一端压线在一个功能区41的金球上；UV芯片本体1的顶部负电极连接另一根金属键合丝7的一端，且另一根金属键合丝7的另一端压线在另一个功能区41的金球上。
本实施例中，UV芯片本体1的顶部正电极通过金属键合丝7与一个功能区41的金属镀层6连接后进行种金球，且UV芯片本体1的顶部负电极通过金属键合丝7与另一个功能区41的金属镀层6连接后进行种金球。
本案中，通过金属键合丝7连接电极和功能区41上的金属镀层6的方式有两种，一种是先种金球后再压线，另一种是先连线后再种金球。
第二实施例中，请参阅图6，UV芯片本体1的正极通过锡膏与一个功能区41上的金属镀层6键结，UV芯片本体1的负极通过锡膏与另一个功能区41上的金属镀层6键结，且UV芯片本体1的正极与负极之间通过隔离板42隔离。本案中并不局限于采用锡膏进行键结，也可以采用金锡膏或镀银层进行键结，可根据UV芯片本体1的峰值波长来选择，有效防止深紫外线破坏锡膏、金锡膏或镀银层的结构。
请参阅图7，两个功能区41的厚度均比隔离板42的厚度大，且两个功能区41与隔离板42之间形成台阶结构。台阶结构的功能区41和隔离板42使得UV芯片本体1的正电极和负电极有效隔离，避免短路，且有利于点胶及灌胶后形成透镜。
本案中，连接层5和金属镀层6的厚度均为60-120微米。连接层5和金属镀层6均通过电镀方式实现，厚度为60-120微米，连接层5使得功能区41与基板3之间牢固连接，金属镀层6使得功能区41便于固晶。
本案中，UV芯片本体1为UVB芯片或UVC芯片。UVB芯片的波长为300-365nm，UVC芯片的波长为200-300nm。
本案中，多边形碗杯4的形状为对称的四边形、五边形、六边形、七边形或八边形中的一种，且透镜的形状为半球形。多边形碗杯4的形状使得碗杯的发光角度达110-120度，当然，影响发光角度的因素还有杯深、倒角或塑料材质等。对称的四边形、五边形、六边形、七边形或八边形有利于功能区41和塑料区的均匀划分，有利于电热分离。且有利于固晶、焊线及灌胶工艺的操作，有利于提高良品率。
请参阅图8，为了实现上述目的，本发明还提供一种UV芯片封装结构的封装方法，包括以下步骤：
步骤S1，将UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且将UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合；
步骤S2，在多边形碗杯中点入UV填充胶，且将多边形碗杯套设在模具中；
步骤S3，在多边形碗杯和模具中注入UV填充胶后进行加热，直至固化成型为透镜；
步骤S4，将导线架放入裂片夹具内进行分片作业，切成单颗透镜。
本实施例中，所述基板与多边形碗杯之间通过连接层固定连接，且所述两个功能区的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀后金属镀层。
本实施例中，步骤S1中，当UV芯片本体以正装的方式键合时，所述UV芯片本体的底部通过粘结剂键结在两个功能区上的金属镀层及隔离板上，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接；当UV芯片以倒装的方式键合时，所述UV芯片本体的正极通过锡膏与一个功能区上的金属镀层键结，所述UV芯片本体的负极通过锡膏与另一个功能区上的金属镀层键结，且所述UV芯片本体的正极与负极之间通过隔离板隔离。
本发明的优势在于：
1）UV填充胶2可以采用硅胶、玻璃、石英玻璃或氧化铝，实现透镜角度范围达到5度-150度；
2）磁控溅射的方式使得功能区41表面金属化，利于电镀金属镀层6，有效增加功能区41的光反射率；
3）多边形碗杯4有利于增加碗杯深度，提升角度及亮度，防潮效果好；
4）两个功能区41之间通过隔离板42隔开，倒装键合在功能区41上的方式使得热电分离，有效降低光衰，且增加了产品的可靠性；
5）采用锡膏、金锡膏或镀银层进行键结，可根据UV芯片本体1的峰值波长来选择，有效防止深紫外线破坏锡膏、金锡膏或镀银层的结构。
以上公开的仅为本发明的几个具体实施例，但是本发明并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种UV芯片封装结构，其特征在于，包括导线架、UV芯片本体和UV填充胶，所述导线架上设有多个基板和由基板延伸出的多边形碗杯，每个多边形碗杯的底部均设有两个功能区和一个隔离板，所述隔离板设置在两个功能区之间；所述UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且所述UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合后，所述多边形碗杯套设在模具中，且所述多边形碗杯和模具内注入UV填充胶后固化成型为透镜。
2.根据权利要求1所述的UV芯片封装结构，其特征在于，所述基板与多边形碗杯之间通过连接层固定连接，且所述两个功能区的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀有金属镀层。
3.根据权利要求2所述的UV芯片封装结构，其特征在于，所述UV芯片本体的底部通过粘结剂键结在两个功能区上的金属镀层及隔离板上，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接。
4.根据权利要求3所述的UV芯片封装结构，其特征在于，两个功能区的金属镀层上均设有金球后，所述UV芯片本体的顶部正电极连接一根金属键合丝的一端，且所述一根金属键合丝的另一端压线在一个功能区的金球上；所述UV芯片本体的顶部负电极连接另一根金属键合丝的一端，且所述另一根金属键合丝的另一端压线在另一个功能区的金球上。
5.根据权利要求3所述的UV芯片封装结构，其特征在于，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接后进行种金球，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接后进行种金球。
6.根据权利要求2所述的UV芯片封装结构，其特征在于，所述UV芯片本体的正极通过锡膏与一个功能区上的金属镀层键结，所述UV芯片本体的负极通过锡膏与另一个功能区上的金属镀层键结，且所述UV芯片本体的正极与负极之间通过隔离板隔离。
7.根据权利要求1所述的UV芯片封装结构，其特征在于，两个功能区的厚度均比隔离板的厚度大，且两个功能区与隔离板之间形成台阶结构。
8.一种UV芯片封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，将UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且将UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合；
步骤2，在多边形碗杯中点入UV填充胶，且将多边形碗杯套设在模具中；
步骤3，在多边形碗杯和模具中注入UV填充胶后进行加热，直至固化成型为透镜；
步骤4，将导线架放入裂片夹具内进行分片作业，切成单颗透镜。
9.根据权利要求8所述的UV芯片封装的封装方法，其特征在于，所述基板与多边形碗杯之间通过连接层固定连接，且所述两个功能区的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀后金属镀层。
10.根据权利要求9所述的UV芯片封装的封装方法，其特征在于，所述步骤1中，当UV芯片本体以正装的方式键合时，所述UV芯片本体的底部通过粘结剂键结在两个功能区上的金属镀层及隔离板上，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接；当UV芯片以倒装的方式键合时，所述UV芯片本体的正极通过锡膏与一个功能区上的金属镀层键结，所述UV芯片本体的负极通过锡膏与另一个功能区上的金属镀层键结，且所述UV芯片本体的正极与负极之间通过隔离板隔离。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN110645490A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-03 | 周孔礼 | 采用磁控溅射法进行uvled灯玻璃件封装的结构及方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005210057A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置 |
| CN102237484A (zh) * | 2010-04-23 | 2011-11-09 | 三星Led株式会社 | 用于发光器件封装的引线框架、发光器件封装和照明装置 |
| CN103000773A (zh) * | 2011-09-13 | 2013-03-27 | 复盛精密工业股份有限公司 | 发光二极管的支架结构及其制作方法 |
| CN203134860U (zh) * | 2013-03-07 | 2013-08-14 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种中小功率led贴片封装结构 |
| CN104124318A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
| CN104253191A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管制造方法 |
| CN205488200U (zh) * | 2016-01-19 | 2016-08-17 | 深圳市华天迈克光电子科技有限公司 | 全彩smd显示屏封装 |
| CN206379371U (zh) * | 2017-01-04 | 2017-08-04 | 深圳市华天迈克光电子科技有限公司 | Uv芯片封装结构 |
-
2017
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005210057A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置 |
| CN102237484A (zh) * | 2010-04-23 | 2011-11-09 | 三星Led株式会社 | 用于发光器件封装的引线框架、发光器件封装和照明装置 |
| CN103000773A (zh) * | 2011-09-13 | 2013-03-27 | 复盛精密工业股份有限公司 | 发光二极管的支架结构及其制作方法 |
| CN203134860U (zh) * | 2013-03-07 | 2013-08-14 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种中小功率led贴片封装结构 |
| CN104124318A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
| CN104253191A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管制造方法 |
| CN205488200U (zh) * | 2016-01-19 | 2016-08-17 | 深圳市华天迈克光电子科技有限公司 | 全彩smd显示屏封装 |
| CN206379371U (zh) * | 2017-01-04 | 2017-08-04 | 深圳市华天迈克光电子科技有限公司 | Uv芯片封装结构 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110645490A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-03 | 周孔礼 | 采用磁控溅射法进行uvled灯玻璃件封装的结构及方法 |
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