CN106660079A - 显示面板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
液晶面板(11)的制造方法具备:湿式清洗工序,对CF基板(11a)和阵列基板(11b)的外面(11a1、11b1)进行湿式清洗;等离子体清洗工序,在湿式清洗工序之前和之后中的至少一方进行,通过对CF基板(11a)和阵列基板(11b)的外面(11a1、11b1)照射等离子体来清洗该外面(11a1、11b1);以及偏振板贴附工序,在结束湿式清洗工序和等离子体清洗工序后,将偏振板(11f、11g)贴附到CF基板(11a)和阵列基板(11b)的外面(11a1、11b1)。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板的制造方法。
背景技术
以往,作为一种显示面板的液晶面板的制造方法已知下述专利文献1中记载的方法。在该专利文献1中,在清洗液晶用玻璃基板时,在大气压附近的压力下,在含有4体积%以上的氧的气氛中,在相对的一对电极中的至少一方的相对面设置固体电介质,使通过对该一对相对电极间施加脉冲化的电场而产生的放电等离子体与液晶用玻璃基板接触,由此能流水线化,并且实现大面积处理、处理的高速化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开2002-143795号公报
发明内容
发明要解决的问题
上述专利文献1以高速清洗液晶用玻璃基板的有机污物等为目的,因此是在特定的条件(4体积%以上的氧气氛)下进行等离子体清洗。然而,在该专利文献1记载的等离子体清洗中,存在如下问题:将牢固地固定到液晶用玻璃基板的表面的异物充分地分解或分离是困难的,由这样的异物引起的不合格率的改善是困难的。
本发明是基于上述情况而完成的,其目的在于改善显示面板的合格率。
用于解决问题的方案
本发明的显示面板的制造方法具备:湿式清洗工序,对显示基板的表面进行湿式清洗;等离子体清洗工序,在上述湿式清洗工序之前和之后中的至少一方进行,通过对上述显示基板的表面照射等离子体来清洗该表面;以及偏振板贴附工序,在结束上述湿式清洗工序和上述等离子体清洗工序后,将偏振板贴附到上述显示基板的表面。
在湿式清洗工序中,通过对显示基板的表面进行湿式清洗,将附着到显示基板的表面的异物除去。在该湿式清洗工序中,通过选择清洗方式、清洗液,能高效地除去附着到显示基板的表面的水溶性异物、油溶性异物等。另一方面,在等离子体清洗工序中,通过对显示基板的表面照射等离子体来清洗该表面,由此将固定到显示基板的表面的异物除去。在该等离子体清洗工序中,能将在上述湿式清洗工序中难以分解、分离的牢固地固定到显示基板的表面的异物高效地分解或分离。
这样,先于偏振板贴附工序而进行湿式清洗工序和干式等离子体清洗工序,因此在偏振板贴附工序中,在将偏振板贴附到显示基板的表面时不易产生以夹在显示基板和偏振板之间的形式残存异物的情况。由此,不易产生由夹在显示基板和偏振板之间的异物引起的显示不良,从而制造的显示面板的合格率变高。而且,先于偏振板贴附工序而进行等离子体清洗工序,从而在偏振板贴附工序中贴附到显示基板的表面的偏振板的紧贴性变高。由此,在显示基板和偏振板之间不易产生气泡,因此不易产生由这样的气泡引起的不良,另外,在偏振板贴附工序之后能不需要用于除去气泡的脱泡工序,因此能实现显示面板的制造成本的低廉化。
作为本发明的实施方式,优选如下构成。
(1)上述等离子体清洗工序在上述湿式清洗工序之前进行。这样,在等离子体清洗工序中,牢固地固定到显示基板的表面的异物通过等离子体的照射而成为从该表面分离的状态。通过在该等离子体清洗工序之后进行湿式清洗工序,能高效地除去从显示基板的表面分离的异物。由此,不易产生在等离子体清洗工序中从显示基板的表面分离的异物在偏振板贴附工序中还残存在显示基板的表面上的情况,因此,制造的显示面板的合格率进一步变高。
(2)在上述湿式清洗工序和上述等离子体清洗工序中,对上述显示基板中的至少显示图像的显示区域的整个区域进行清洗。这样,通过对至少显示图像的显示区域的整个区域进行湿式清洗和等离子体清洗,不易产生在显示区域中异物夹在显示基板和偏振板之间的情况,并且不易产生由该异物引起的显示不良。
(3)在上述等离子体清洗工序中,将等离子体的照射所使用的等离子体照射装置的输出设为200W~500W的范围来进行等离子体的照射。这样,等离子体的照射所使用的等离子体照射装置的输出在低于200W时,有可能无法充分地进行牢固地固定到显示基板的表面的异物的分解、分离,而在高于500W时,照射的等离子体有可能对设置于显示基板的用于显示的结构物(配线等)造成不良影响。在这点上,通过将在等离子体清洗工序中等离子体的照射所使用的等离子体照射装置的输出设为200W~500W的范围,能将牢固地固定到显示基板的表面的异物充分地分解或分离,并且不易产生所照射的等离子体对设置于显示基板的用于显示的结构物(配线等)造成不良影响的情况。
发明效果
根据本发明,能改善显示面板的合格率。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施方式1的液晶面板的制造方法制造的液晶面板的截面构成的概略截面图。
图2是示出构成液晶面板的阵列基板的显示部的平面构成的放大俯视图。
图3是示出构成液晶面板的CF基板的显示部的平面构成的放大俯视图。
图4是示出液晶面板的制造方法所包含的各工序的图。
图5是概略地示出远程型的等离子体清洗装置的图。
图6是概略地示出直接型的等离子体清洗装置的图。
图7是表示对进行等离子体清洗工序前的各基板的外面拍摄的照片、对进行等离子体清洗工序后的各基板的外面拍摄的照片以及对进行湿式清洗工序后的各基板的外面拍摄的照片的图。
图8是示出本发明的实施方式2的液晶面板的制造方法所包含的各工序的图。
具体实施方式
<实施方式1>
根据图1至图7说明本发明的实施方式1。在本实施方式中,例示了液晶显示装置(显示装置)所使用的液晶面板11的制造方法。此外,在各附图的一部分示出X轴、Y轴以及Z轴,各轴方向以成为各附图中示出的方向的方式进行描述。
首先,说明液晶面板11的构成。如图1所示,液晶面板11具备:一对透明的(透光性优异的)基板11a、11b;以及液晶层11c,其介于两基板11a、11b间,包含作为伴随着施加电场而光学特性变化的物质的液晶分子,两基板11a、11b在维持液晶层11c的厚度程度的单元间隙的状态下通过未图示的密封剂贴合。该液晶面板11为TN(Twisted Nematic:扭曲向列)型。两基板11a、11b分别具备大致透明的玻璃基板GS,并设为在各自的玻璃基板GS上通过已知的光刻法等层叠多个膜的构成。两基板11a、11b中的表侧(正面侧)基板为CF基板(显示基板、相对基板)11a,里侧(背面侧)基板为阵列基板(显示基板、元件基板、有源矩阵基板)11b。在两基板11a、11b的外面(表面)11a1、11b1侧,分别贴附有偏振板11f、11g。因此,两基板11a、11b的外面11a1、11b1为偏振板11f、11g的贴附面。这一对偏振板11f、11g为偏振方向相互正交(相差90°)的所谓的正交尼科尔配置。即,该液晶面板11在不通电时(不对像素电极18施加电压时)透射率最小而成为黑显示的常黑模式。此外,在两基板11a、11b的内面侧,分别形成有用于使液晶层11c所包含的液晶分子取向的取向膜11d、11e。
在阵列基板11b中的显示图像的画面中央侧的显示区域的内面侧(液晶层11c侧、与CF基板11a相对的一面侧),如图1和图2所示,作为开关元件的TFT(Thin FilmTransistor:薄膜晶体管)17和像素电极18按矩阵状排列设置有多个,并且在这些TFT17和像素电极18的周围以包围的方式配设有呈格子状的栅极配线19和源极配线20。换句话说,在呈格子状的栅极配线19和源极配线20的交叉部,TFT17和像素电极18并列配置成矩阵状。栅极配线19和源极配线20分别连接到TFT17的栅极电极和源极电极,像素电极18连接到TFT17的漏极电极。另外,像素电极18在俯视时呈纵长的方形状(矩形状),并且包括使用了ITO(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)或ZnO(Zinc Oxide:氧化锌)等透光性和导电性优异的材料的透光性导电膜。此外,在阵列基板11b上也能设置与栅极配线19并行并且横穿像素电极18的电容配线(未图示)。
另一方面,在CF基板11a中的显示图像的画面中央侧的显示区域的内面侧,如图1和图3所示,设置有彩色滤光片11h,彩色滤光片11h是将R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)等的各着色部以与阵列基板11b侧的各像素电极18在俯视时重叠的方式按矩阵状并列配置多个而成的。在形成彩色滤光片11h的各着色部间,形成有用于防止混色的大致格子状的遮光层(黑矩阵)11i。遮光层11i配置为与上述栅极配线19及源极配线20在俯视时重叠。在彩色滤光片11h和遮光层11i的表面,设置有与阵列基板11b侧的像素电极18相对的整面状的相对电极11j。此外,在该液晶面板11上,如图1至图3所示,R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的3色的着色部和与它们相对的3个像素电极18的组构成作为显示单位的1个显示像素。显示像素包括具有R着色部的红色像素、具有G着色部的绿色像素以及具有B着色部的蓝色像素。该各色的像素在液晶面板11的板面上沿着行方向(X轴方向)反复排列配置从而构成像素组,该像素组沿着列方向(Y轴方向)排列配置有多个。
上述构成的液晶面板11利用从未图示的作为外部光源的背光源装置照射的光来显示图像。具体地说,从背光源装置照射的光在透射过液晶面板11的里侧的偏振板11g时偏振方向一致。该偏振方向一致的光在液晶层11c中根据液晶分子的取向状态而偏振状态发生变化。在此,基于像素电极18和共用电极11j之间产生的电位差来控制液晶层11c所包含的液晶分子的取向状态,因此会按各像素电极18(按各显示像素)控制透射光的偏振状态。透射过液晶层11c的光通过透射过彩色滤光片11h而成为与各着色部对应的颜色的光,透射过表侧的偏振板11f而出射。按各显示像素单独地控制该液晶面板11的出射光量,由此能显示规定的彩色图像。
接着,说明液晶面板11的制造方法。如图4所示,液晶面板11的制造方法具备:结构物形成工序(光刻工序),利用已知的光刻法等在构成CF基板11a和阵列基板11b的各玻璃基板GS的内面层叠形成各种金属膜、绝缘膜等而分别形成各种结构物;基板贴合工序,以使液晶层11c介于CF基板11a和阵列基板11b之间的形式将CF基板11a和阵列基板11b贴合;湿式清洗工序,对CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1进行湿式清洗;干式等离子体清洗工序,在上述湿式清洗工序之前对CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1进行等离子体清洗;以及偏振板贴附工序,对CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1贴附偏振板11f、11g。以下,详细说明上述各工序中的湿式清洗工序和等离子体清洗工序。
湿式清洗工序是在进行下面描述的等离子体清洗工序后并且在偏振板贴附工序的紧前进行的。在湿式清洗工序中,对经历基板贴合工序而相互贴合的CF基板11a和阵列基板11b的作为偏振板11f、11g的贴附面的外面11a1、11b1整个面进行湿式清洗,由此能高效地除去附着到该11a1、11b1的异物。在该湿式清洗工序中从CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1除去的异物主要是水溶性异物、油溶性异物等,是在经历结构物形成工序、基板贴合工序的过程中附着到上述外面11a1、11b1的异物。在该湿式清洗工序中,对CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1整个面进行湿式清洗,因此对显示图像的显示区域的整个区域和不显示图像的非显示区域的整个区域均进行清洗。
作为在该湿式清洗工序中采用的清洗方式,例如,可举出研磨式、刷式、温水清洗式、蒸气清洗式等。其中,在研磨式中,利用研磨片等对CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1进行物理性研磨而将附着到该外面11a1、11b1的异物除去,之后利用纯水、超纯水等清洗液进行冲洗。在刷式中,使清洗刷一边旋转一边接触CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1,从而擦去附着到该外面11a1、11b1的异物,之后利用超纯水等清洗液进行冲洗。在温水清洗式中,通过从喷嘴向CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1喷射温水来冲洗附着到该外面11a1、11b1的异物。在蒸气清洗式中,由蒸气生成器(蒸气锅炉)将纯水、超纯水等清洗液变成清洗用蒸气,通过将该清洗用蒸气从喷嘴喷出到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1来冲洗附着到该外面11a1、11b1的异物。如上所述将纯水、超纯水等用作清洗液对于除去附着到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的水溶性异物是优选的。此外,作为清洗液,除了纯水、超纯水以外也能使用有机溶剂,使用有机溶剂对于除去附着到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的油溶性异物是优选的。
等离子体清洗工序是在进行上述湿式清洗工序前的阶段进行的。在该等离子体清洗工序中,通过对CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1照射等离子体而将该外面11a1、11b1整个面进行等离子体清洗,由此能高效地分解或分离牢固地固定到该外面11a1、11b1且在上述湿式清洗工序中难以分解或分离的异物。在等离子体清洗工序中分解或分离的异物主要是丙烯酸系等树脂系异物、橡胶系异物、碎玻璃等,是在经历结构物形成工序或基板贴合工序的过程中牢固地固定到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的异物。在该等离子体清洗工序中,对CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1整个面进行等离子体清洗,因此对显示图像的显示区域的整个区域和不显示图像的非显示区域的整个区域均进行清洗。
在该等离子体清洗工序中,使用照射大气压等离子体的大气压等离子体式的等离子体清洗装置。作用等离子体清洗装置,例如能使用远程型的等离子体清洗装置30。如图5所示,该远程型的等离子体清洗装置30具备:搬送部31,其搬送CF基板11a和阵列基板11b;一对电极部32,其相对于被搬送的CF基板11a和阵列基板11b配置在与搬送部31侧相反的一侧,相互相对状地配置;以及空气喷嘴33,其相对于一对电极部32配置在与搬送部31侧相反的一侧,将净化后的压缩空气吹出到一对电极部32之间。根据远程型的等离子体清洗装置30,在一对电极部32之间产生电场的状态下从空气喷嘴33吹出的压缩空气经过一对电极部32之间而产生等离子体,该产生的等离子体照射到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1。除了该远程型的等离子体清洗装置30以外,例如,也能使用直接型的等离子体清洗装置40作为等离子体清洗装置。如图6所示,直接型的等离子体清洗装置40具备:搬送部41,其搬送CF基板11a和阵列基板11b;以及一对电极部42,其以在板厚方向上从两侧夹着被搬送的CF基板11a和阵列基板11b的形式配置。根据直接型的等离子体清洗装置40,通过在一对电极部42之间产生电场而产生等离子体,该产生的等离子体照射到经过一对电极部42之间的CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1。
在使用上述等离子体清洗装置进行等离子体清洗工序时,优选将等离子体清洗装置的输出设为200W~500W的范围。等离子体照射装置的输出在低于200W时,有可能无法充分地进行牢固地固定到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的异物的分解、分离,而在高于500W时,照射的等离子体有可能对设置于CF基板11a和阵列基板11b的用于显示的结构物(TFT17、像素电极18、各配线19、20等)造成不良影响。在这点上,如上所述通过将等离子体照射装置的输出设为200W~500W的范围,能将牢固地固定到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的异物充分地分解或分离,并且不易产生所照射的等离子体对设置于CF基板11a和阵列基板11b的用于显示的结构物造成不良影响的情况。另外,在远程型的等离子体清洗装置30中,优选CF基板11a和阵列基板11b的搬送速度为30mm/sec~200mm/sec的范围,优选CF基板11a及阵列基板11b与电极部32之间的距离(工作距离)为3mm~50mm的范围,而且优选由空气喷嘴33吹出的压缩空气的流量为5l/min~30l/min的范围。此外,一般地,为了提高基板的表面的亲水性、紧贴性而进行等离子体照射的情况下,等离子体照射装置的输出为50W程度的低输出。
并且,根据该液晶面板11的制造方法,在进行贴合工序后,首先,进行等离子体清洗工序,由此能将牢固地固定到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的异物分解或分离。此时,在CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1,异物即使不分离也至少会被分解,异物的外形变小,因此之后被判断为显示不良的可能性降低,由此能实现合格率的改善。在图7的左端记载有对进行等离子体清洗工序前的各基板11a、11b的外面11a1、11b1拍摄的照片,在该图中央记载有对进行等离子体清洗工序后的各基板11a、11b的外面11a1、11b1拍摄的照片,根据该图中央的照片可知,与进行等离子体清洗工序前相比异物被分解而变细小。当在进行等离子体清洗工序后,进行湿式清洗工序时,在之前的等离子体清洗工序中从CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1分离的异物被高效地除去而防止其再次附着,并且高效地除去附着到该外面11a1、11b1的水溶性异物、油溶性异物等。在图7的右端记载有对进行湿式清洗工序后的各基板11a、11b的外面11a1、11b1拍摄的照片,根据该图右端的照片可知,成为了几乎不存在异物的状态。此外,在图7中矩阵状地排列有多个的方形状的图案是彩色滤光片11h映照出的图案。当在进行湿式清洗工序后,进行偏振板贴附工序时,对CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1分别贴附偏振板11f、11g。此时,CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1成为其大致整个区域的异物已通过上述等离子体清洗工序和湿式清洗工序被去除的状态,因此不易产生以夹在贴附的偏振板11f、11g之间的形式残存异物的情况。因此,不易产生由夹在CF基板11a及阵列基板11b的外面11a1、11b1与偏振板11f、11g之间的异物引起的显示不良,从而制造的液晶面板11的合格率变高。具体地说,以往采用不进行等离子体清洗工序的制造方法的情况下的异物引起的不合格率为2%~3%程度,但是如本实施方式这样采用进行等离子体清洗工序的制造方法的情况下的异物引起的不合格率为1.5%~2.5%程度,由异物引起的不合格率实现了0.5%程度的改善。而且,通过经历等离子体清洗工序,在偏振板贴附工序中贴附到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的偏振板11f、11g的紧贴性变高。由此,在CF基板11a及阵列基板11b与偏振板11f、11g之间不易产生气泡,因此不易产生由这样的气泡引起的不良,另外在偏振板贴附工序之后能不需要用于除去气泡的脱泡工序,因此能实现液晶面板11的制造成本的低廉化。
如以上说明所示,本实施方式的液晶面板(显示面板)11的制造方法具备:湿式清洗工序,对CF基板11a和阵列基板11b(显示基板)的外面(表面)11a1、11b1进行湿式清洗;等离子体清洗工序,在湿式清洗工序之前和之后中的至少一方进行,通过对CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1照射等离子体来清洗该外面11a1、11b1;以及偏振板贴附工序,在结束湿式清洗工序和等离子体清洗工序后,将偏振板11f、11g贴附到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1。
在湿式清洗工序中,对CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1进行湿式清洗,由此除去附着到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的异物。在该湿式清洗工序中,通过选择清洗方式、清洗液,能高效地除去附着到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的水溶性异物、油溶性异物等。另一方面,在等离子体清洗工序中,通过对CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1照射等离子体来清洗该外面11a1、11b1,由此除去固定到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的异物。在该等离子体清洗工序中,能将在上述湿式清洗工序中难以分解、分离的牢固地固定到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的异物高效地分解或分离。
这样,先于偏振板贴附工序而进行湿式清洗工序和干式等离子体清洗工序,因此在偏振板贴附工序中,在将偏振板11f、11g贴附到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1时不易产生以夹在CF基板11a及阵列基板11b与偏振板11f、11g之间的形式残存异物的情况。由此,不易产生由夹在CF基板11a及阵列基板11b与偏振板11f、11g之间的异物引起的显示不良,从而制造的液晶面板11的合格率变高。而且,先于偏振板贴附工序而进行等离子体清洗工序,由此在偏振板贴附工序中贴附到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的偏振板11f、11g的紧贴性变高。由此,在CF基板11a及阵列基板11b与偏振板11f、11g之间不易产生气泡,因此不易产生由这样的气泡引起的不良,另外,在偏振板贴附工序之后能不需要用于除去气泡的脱泡工序,因此能实现液晶面板11的制造成本的低廉化。
另外,等离子体清洗工序在湿式清洗工序之前进行。这样,在等离子体清洗工序中,牢固地固定到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的异物通过等离子体的照射而成为从该外面11a1、11b1分离的状态。通过在该等离子体清洗工序之后进行湿式清洗工序,能高效地除去从CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1分离的异物。由此,不易产生在等离子体清洗工序中从CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1分离的异物在偏振板贴附工序中还残存在CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1上的情况,因此,制造的液晶面板11的合格率进一步变高。
另外,在湿式清洗工序和等离子体清洗工序中,对CF基板11a和阵列基板11b中的至少显示图像的显示区域的整个区域进行清洗。这样,通过对至少显示图像的显示区域的整个区域进行湿式清洗和等离子体清洗,不易产生在显示区域中异物夹在CF基板11a及阵列基板11b与偏振板11f、11g之间的情况,并且不易产生由该异物引起的显示不良。
另外,在等离子体清洗工序中,将等离子体的照射所使用的等离子体照射装置30、40的输出设为200W~500W的范围来进行等离子体的照射。这样,等离子体的照射所使用的等离子体照射装置30、40的输出在低于200W时,有可能无法充分地进行牢固地固定到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的异物的分解、分离,而在高于500W时,照射的等离子体有可能对设置于CF基板11a和阵列基板11b的用于显示的结构物(各配线19、20等)造成不良影响。在这点上,通过将在等离子体清洗工序中等离子体的照射所使用的等离子体照射装置30、40的输出设为200W~500W的范围,能将牢固地固定到CF基板11a和阵列基板11b的外面11a1、11b1的异物充分地分解或分离,并且不易产生所照射的等离子体对设置于CF基板11a和阵列基板11b的用于显示的结构物(各配线19、20等)造成不良影响的情况。
<实施方式2>
根据图8说明本发明的实施方式2。在该实施方式2中,示出调换了等离子体清洗工序和湿式清洗工序的顺序的情况。此外,对与上述实施方式1同样的结构、作用以及效果省略重复的说明。
如图8所示,在本实施方式的液晶面板的制造方法中,在进行基板贴合工序后进行湿式清洗工序,之后进行等离子体清洗工序,然后进行偏振板贴附工序。这样,即使在进行湿式清洗工序后进行等离子体清洗工序的情况下,牢固地附着到各基板的外面的异物也会通过等离子体照射而被分解,异物的外形变小,因此在之后被判断为显示不良的可能性降低,由此能实现合格率的改善。
<实施方式3>
说明本发明的实施方式3。在该实施方式3中,示出从上述实施方式2变更了在等离子体清洗工序中使用的等离子体清洗装置的输出的情况。此外,对与上述实施方式2同样的结构、作用以及效果省略重复的说明。
在本实施方式的等离子体清洗工序中,等离子体照射装置的输出为50W~200W的范围,为比上述实施方式1、2的等离子体清洗工序中所使用的等离子体照射装置的输出(200W~500W的范围)低的输出。通过在湿式清洗工序之后且在偏振板贴附工序的紧前进行这样的等离子体清洗工序,在偏振板贴附工序中贴附到各基板的外面的偏振板的紧贴性变高。由此,在各基板和偏振板之间不易产生气泡,因此不易产生由这样的气泡引起的不良,另外,在偏振板贴附工序之后能不需要用于除去气泡的脱泡工序,因此能实现液晶面板的制造成本的低廉化。
<其它实施方式>
本发明不限于根据上述记载和附图说明的实施方式,例如下面的实施方式也包含在本发明的技术范围中。
(1)在上述各实施方式中,例示了在湿式清洗工序之前或之后进行等离子体清洗工序的制造方法,但是也可以在湿式清洗工序之前和之后均进行等离子体清洗工序。
(2)本发明能适用于对各基板的外面的整个区域贴附偏振板的构成的液晶面板的制造方法。除此以外,本发明也能适用于对各基板的外面的中央侧的大部分(至少包含显示区域的整个区域)贴附偏振板但是不对外端部贴附偏振板的构成的液晶面板的制造方法。
(3)在上述实施方式1中,作为等离子体清洗工序的具体例,示出了大气压等离子体式,但是除此以外,也能进行真空等离子体式的等离子体清洗工序。
(4)在上述实施方式1中,作为湿式清洗工序的具体例,示出了研磨式、刷式、温水清洗式、蒸气清洗式,但是除此以外,例如,也能进行超声波式、浸渍式、鼓泡式、电解式等湿式清洗工序。
(5)在上述各实施方式中,例示了一对偏振板为正交尼科尔配置的液晶面板的制造方法,但是本发明也能适用于设为一对偏振板的偏振方向相互平行的所谓的平行尼科尔配置,在不通电时(不对像素电极施加电压时)透射率最大而成为白显示的常白模式的液晶面板的制造方法。
(6)在上述各实施方式中,例示了透射型的液晶面板的制造方法,但是本发明也能适用于半透射型的液晶面板的制造方法或反射型的液晶面板的制造方法。
(7)在上述各实施方式中,例示了液晶面板的制造方法,但是除此以外本发明也能适用于有机EL面板的制造方法。具体地说,只要在进行将用于防反射的圆偏振板贴附到有机EL面板的偏振板贴附工序之前进行湿式清洗工序和等离子体清洗工序即可。
附图标记说明
11...液晶面板(显示面板),11a...CF基板(显示基板),11a1...外面(表面),11b...阵列基板(显示基板),11b1...外面(表面),11f、11g...偏振板,30...远程型的等离子体清洗装置(等离子体清洗装置),40...直接型的等离子体清洗装置(等离子体清洗装置)。
Claims (4)
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,具备:
湿式清洗工序,对显示基板的表面进行湿式清洗;
等离子体清洗工序,在上述湿式清洗工序之前和之后中的至少一方进行,通过对上述显示基板的表面照射等离子体来清洗该表面;以及
偏振板贴附工序,在结束上述湿式清洗工序和上述等离子体清洗工序后,将偏振板贴附到上述显示基板的表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制造方法,
上述等离子体清洗工序在上述湿式清洗工序之前进行。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的显示面板的制造方法,
在上述湿式清洗工序和上述等离子体清洗工序中,对上述显示基板中的至少显示图像的显示区域的整个区域进行清洗。
4.根据权利要求1至权利要求3中的任1项所述的显示面板的制造方法,
在上述等离子体清洗工序中,将等离子体的照射所使用的等离子体照射装置的输出设为200W~500W的范围来进行等离子体的照射。
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