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CN106637407A - 一种防止cbo晶体生长过程掉入熔体的方法 - Google Patents

一种防止cbo晶体生长过程掉入熔体的方法 Download PDF

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CN106637407A
CN106637407A CN201710008604.4A CN201710008604A CN106637407A CN 106637407 A CN106637407 A CN 106637407A CN 201710008604 A CN201710008604 A CN 201710008604A CN 106637407 A CN106637407 A CN 106637407A
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CN
China
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seed crystal
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falling
growth process
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CN201710008604.4A
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Inventor
王昌运
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Fujian Castech Crystals Inc
Castech Inc
Original Assignee
Fujian Castech Crystals Inc
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
    • C30B9/08—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
    • C30B9/12—Salt solvents, e.g. flux growth

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  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
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Abstract

本发明采用铂金片包裹籽晶，籽晶末端剩余1.8mm露出外面，晶体下种过程中，籽晶末端2mm浸入熔体，利用熔体封住铂片和籽晶交界处，使得晶体生长过程，籽晶不再断掉，得到完整的晶体毛坯。

Description

一种防止CBO晶体生长过程掉入熔体的方法
技术领域
本发明属于一种人工晶体生长领域，特别是CBO晶体生长。
背景技术
三硼酸铯（化学式CsB3O5，简称CBO）是硼酸盐中一种新型的非线性晶体，非线性系数和LBO大致相同，紫外波段透光能力优于BBO，抗激光损伤阈值高于BBO，特别在晶体制备上优于BBO和LBO，CBO是同成分熔融化合物，不用采用外加助熔剂，可以有效减少助熔剂带来影响。
该晶体虽然在某些方面具有比BBO和LBO更好的性能，但是该晶体具有潮解性，以及生长过程挥发严重，在晶体生长过程，随着晶体长大，籽晶容易断掉，晶体掉入熔体，给生长完整晶体带来困难。
发明内容
本发明采用铂金片包裹籽晶，籽晶末端剩余1.8mm露出外面，见图1，晶体下种过程中，籽晶末端2mm浸入熔体，利用熔体封住铂片和籽晶交界处，该方法使的籽晶不再裸露于空气中，一方面防止挥发物腐蚀籽晶，另一方面又防止籽晶潮解；使得晶体生长过程，籽晶不再断掉，得到完整的晶体毛坯。
附图说明
图1是籽晶示意图。
具体实施方式
称取一定量的碳酸铯和硼酸为原料，其中铯过量5％（摩尔百分比），于普通硅碳棒炉子900℃条件下熔融反应至原料全部熔解，装入φ60坩埚，然后放入熔盐炉中生长，将籽晶用铂片包裹，籽晶末端剩余1.8mm露出外面，籽晶于饱和温度点高5℃条件下下种，籽晶浸没熔体2mm，然后温度降回饱和温度，开始生长，经过3个月得到完整晶体。

Claims (1)

1.一种防止CBO晶体生长过程掉入熔体的方法其特征在于：采用铂金片包裹籽晶，籽晶末端剩余1.8mm露出外面，晶体下种过程中，籽晶末端2mm浸入熔体，利用熔体封住铂片和籽晶交界处。
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Date Code Title Description
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
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Application publication date: 20170510

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