CN106409508A - 片式复合元器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种片式复合元器件及其制备方法。一种片式复合元器件包括：陶瓷体，陶瓷体包括：第一介质层具有相对的第一表面及第二表面；第一电极层形成于第一介质层的第一表面；第二电极层与第二表面的一条边至少部分平齐形成引出边；第二介质层层叠于第二电极层的表面且完全覆盖第二表面，第二介质层具有第三表面；第三电极层与第三表面的一条边至少部分平齐形成引出边；第三介质层层叠于第三电极层的表面且完全覆盖第三表面，第三介质层具有第四表面；第四电极层，形成于第四表面；电阻，附着在陶瓷体的一侧，电阻层与第一电极层及第三电极层电连接，且与第四电极层及第二电极层绝缘。这种片式复合元器件结构紧凑。

Description

片式复合元器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及电子元件领域，尤其是涉及一种片式复合元器件及其制备方法。

背景技术

随着科技的发展，电子产品日新月异，对元器件的主要要求是小型化和多功能化。在许多电路应用中，需要使用电阻和电容串联结构的电路时，一般使用分立元件，即单个电阻和单个电容，这样占用较多的电路空间，不利于整机的小型化，并且贴装效率较低。

发明内容

基于此，有必要提供一种结构紧凑的电阻电容串联的片式复合元器件及其制备方法。

一种片式复合元器件，包括：

陶瓷体，所述陶瓷体为矩形体，所述陶瓷体包括：

第一介质层，所述第一介质层具有相对的第一表面及第二表面；

第一电极层，形成于所述第一介质层的第一表面；

第二电极层，形成于所述第一介质层的第二表面，所述第二电极层与所述第二表面的一条边至少部分平齐形成引出边；

第二介质层，层叠于所述第二电极层的表面且完全覆盖所述第二表面，所述第二介质层具有第三表面，所述第三表面为所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧表面；

第三电极层，形成于所述第三表面，且所述第三电极层与所述第三表面的一条边至少部分平齐形成引出边；

第三介质层，层叠于所述第三电极层的表面且完全覆盖所述第三表面，所述第三介质层具有第四表面，所述第四表面为所述第三介质层远离所述第二介质层的一侧表面；

第四电极层，形成于所述第四表面；

电阻，附着在所述陶瓷体的一侧；

其中，所述电阻层与第一电极层及所述第三电极层电连接，且与所述第四电极层及第二电极层绝缘，及/或，所述电阻与所述第二电极层及所述第四电极层电连接，且与所述电阻与第一电极层及第三电极层绝缘。

在其中一个实施例中，所述第二电极层在所述第一电极层的正投影与所述第一电极层至少部分重叠。

在其中一个实施例中，所述第三电极层在所述第一电极层的投影与所述第一电极层重合；及/或，所述第四电极层在所述第二电极层的投影与所述第二电极层重合。

在其中一个实施例中，所述第一电极层与所述第一表面的一条边至少部分平齐形成引出边，所述第一电极层的引出边与所述第三电极层的引出边位于所述第一介质层的同一端。

在其中一个实施例中，所述第四电极层与所述第四表面的一条边至少部分平齐形成引出边，所述第四电极层的引出边与所述第二电极层的引出边位于所述第二介质层的同一端。

在其中一个实施例中，所述第一表面、第二表面、第三表面及第四表面均为矩形，所述第一表面具有相对的第一侧边及第二侧边，所述第二表面具有相对的第三侧边及第四侧边，所述第三表面具有相对的第五侧边及第六侧边，所述第四表面具有相对的第七侧边及第八侧边，所述第一侧边与所述第五侧边平行且与所述第四侧边垂直，所述第七侧边与所述第三侧边平行且与所述第一侧边垂直，所述第二电极层的引出边与所述第三侧边至少部分平齐，所述第三电极层的引出边与所述第五侧边至少部分平齐。

在其中一个实施例中，所述第一电极层自所述第一侧边延伸至所述第二侧边，所述第二电极层自所述第四侧边延伸至所述第三侧边，所述第三电极层自所述第五侧边延伸至所述第六侧边，所述第四电极层自所述第八侧边延伸至所述第七侧边。

在其中一个实施例中，所述第一电极层在所述第二表面的正投影绕所述正投影的中心旋转90°后与所述第二电极层重叠，第三电极层在第一表面的正投影与所述第一电极层完全重叠，所述第四电极层在所述第二表面的正投影与所述第二电极层完全重合。

在其中一个实施例中，所述第一表面、第二表面、第三表面及第四表面均为正方形，所述第一表面具有第一侧边及与所述第一侧边相交的第二侧边，所述第二表面具有第三侧边及与所述第三侧边相交的第四侧边，所述第三表面具有第五侧边及与所述第五侧边相交的第六侧边，所述第四表面具有第七侧边及与所述第七侧边相交的第八侧边，所述第一侧边及所述第二侧边在所述第二表面的正投影与所述第三侧边及所述第四侧边组成正方形，所述第五侧边及所述第六侧边在所述第一表面的正投影分别与所述第一侧边及所述第二侧边重合，所述第七侧边及所述第八侧边在所述第二表面的正投影分别与所述第三侧边及所述第四侧边重合，所述第一电极层与所述第一表面的第一侧边及第二侧边至少部分平齐，所述第二电极层与所述第二表面的第三侧边及第四侧边至少部分平齐，所述第三电极层与所述第三表面的第五侧边及第六侧边至少部分平齐，所述第四电极层与所述第四表面的第七侧边及第八侧边至少部分平齐。

上述片式复合元器件的制备方法，包括步骤：

在淀粉膜表面制备第一电极层；

在所述第一电极层的表面层叠第一介质层；

在所述第一介质层的表面制备第二电极层；

在所述第二电极层的表面层叠第二介质层；

在所述第二介质层的表面制备第三电极层；

在所述第三电极层的表面层叠第三介质层；

在所述第三介质层的表面制备第四电极层得到层叠基板；

将所述层叠基板压合得到层叠体；

对所述层叠体进行排粘和烧结得到陶瓷体；及

在所述陶瓷体的一个侧面形成电阻得到片式复合元器件。

上述片式复合元器件，将电阻贴附在第三电极层的引出边所在的陶瓷体的侧面，将电阻与第一电极层及第三电极层电连接，且与第四电极层及第二电极层绝缘，由第一电极层及第四电极层与外部线路形成电连接，第三电极层、第三介质层及第四电极层组成电容，位于第一电极层及第三电极层之间的那部分电阻与电容串联组成串联结构，从而把电阻和电容集成到单个元件中；将电阻贴附在第二电极层的引出边所在的陶瓷体的侧面，将电阻与第二电极层及第四电极层电连接，且与第一电极层及第三电极层绝缘，由第一电极层及第四电极层与外部线路形成电连接，第一电极层、第一介质层及第二电极层组成电容，位于第二电极层及第四电极层之间的那部分电阻与电容串联组成串联结构，从而把电阻和电容集成到单个元件中；电阻直接贴附在陶瓷体的侧面，结构简单且紧凑，可实现片式复合元器件的小型化，第一电极层及第四电极层位于片式复合元器件的表面，使得片式复合元器件可通过具有较大的表面积的第一电极层及第四电极层与外部电路形成电连接。

附图说明

图1为一实施方式的片式复合元器件的立体组装结构示意图；

图2为图1中的片式复合元器件的陶瓷体的分解示意图；

图3为另一实施方式的片式复合元器件的立体组装结构示意图；

图4为图3中的片式复合元器件的陶瓷体的分解示意图；

图5为另一实施方式的片式复合元器件的立体组装结构示意图；

图6为图5中的片式复合元器件的陶瓷体的分解示意图。

具体实施方式

下面主要结合附图对片式复合元器件及其制备方法作进一步详细的说明。

请同时参阅图1及图2，一实施方式的片式复合元器件100包括陶瓷体110及形成于陶瓷体110一侧的电阻150。

陶瓷体110为矩形体，在图示的实施方式中，陶瓷体110大致为长方体，当然，在其他实施例中，陶瓷体110还可以为正方体。陶瓷体110包括依次层叠的第一介质层111、第一电极层112、第二电极层113、第二介质层114、第三电极层115、第三介质层116及第四电极层117。

在图示的实施方式中，第一介质层111为矩形片状，具有相对的第一表面(图未示)及第二表面1112。当然，在其他实施方式中，第一介质层111还可以为正方形片状或其他形状。

第一表面具有相对的第一侧边及第二侧边。在图示的实施方式中，第一表面为矩形，第一侧边及第二侧边为矩形的短边。

第二表面1112具有相对的第三侧边及第四侧边。在图示的实施方式中，第二表面1112为矩形，第三侧边及第四侧边为矩形的短边。

第一电极层112层叠于第一表面。第一电极层112自第一侧边向第二侧边延伸。在图示的实施方式中，第一电极层112为矩形，第一电极层112的长度比第一表面的长度稍短，第一电极层112与第二侧边之间形成有宽度为0.2mm～0.5mm的间隙；第一电极层112的宽度小于第一表面的宽度，第一电极层112与第一表面的另外两条边之间形成有宽度为0mm～0.5mm的间隙，在图示的实施方式中，间隙具有一定的宽度，当然在其他实施例中，间隙的宽度可以为0，也就是第一电极层112的宽度与第一表面的宽度相等。第一电极层112与第一侧边平齐的边为引出边。第一电极层112具有较大的面积以便于与外部线路形成电连接。在图示的实施方式中，第一电极层112的宽度大于第一表面的宽度的二分之一，第一电极层112的长度大于第一表面的长度的二分之一。

第二电极层113层叠于第二表面1112。第二电极层113自第四侧边向第三侧边延伸。第三侧边与第一侧边位于第一介质层111的同一端。在图示的实施方式中，第二电极层113为矩形，第二电极层113的长度比与第二表面1112的长度稍短，第二电极层113与第三侧边之间形成有宽度为0.2mm～0.5mm的间隙；第二电极层113的宽度小于第二表面1112的宽度，第二电极层113与第二表面1112的另外两条边之间形成宽度为0mm～0.5mm的间隙，在图示的实施方式中，间隙具有一定的宽度，当然在其他实施例中，间隙的宽度可以为0，也就是第二电极层113的宽度与第二表面1112的宽度相同。第二电极层113与第四侧边平齐的边为引出边。在图示的实施方式中，第一电极层112在第二表面1112的正投影与第二电极层113部分重叠。第二电极层113没有覆盖第二表面的全部面积，从而可以增大第二介质层114和第一介质层111之间的粘合力。在图示的实施方式中，第二电极层113的宽度大于第二表面1112的宽度的二分之一，第二电极层113的长度大于第二表面1112的长度的二分之一。

第二介质层114层叠于第二电极层113的表面。第二介质层114为矩形片状，在图示的实施方式中，第二介质层114完全覆盖第二电极层113及第二表面1112的表面。第二介质层114远离第一介质层111的一侧表面为第三表面1141。第三表面1141大致为矩形，具有相对的第五侧边及第六侧边，第五侧边及第六侧边为短边。在图示的实施方式中，第一侧边、第三侧边及第五侧边位于陶瓷体110的第一端，第二侧边、第四侧边及第六侧边位于陶瓷体110的第二端。

第三电极层115形成于第二介质层114远离第一介质层111的一侧表面。在图示的实施方式中，第三电极层115为矩形，第三电极层115自第三表面1141的第五侧边向第六侧边延伸，第三电极层115的长度比第三表面1141的长度稍短，第三电极层115与第六侧边之间形成有宽度为0.2mm～0.5mm的间隙；第三电极层115的宽度小于第三表面1141的宽度，第三电极层115与第三表面1141的另外两条边之间形成宽度为0mm～0.5mm的间隙，在图示的实施方式中，间隙具有一定的宽度，当然在其他实施例中，间隙的宽度可以为0，也就是第三电极层115的宽度与第三表面1141宽度相同。第三电极层115与第五侧边平齐的边为引出边。在图示的实施方式中，第三电极层115在第一表面的正投影与第一电极层112完全重叠，当然，在其他实施方式中，第三电极层115在第一表面的正投影与第一电极层112也可部分重叠。

第三介质层116层叠于第三电极层115的表面。第三介质层116为矩形片状，在图示的实施方式中，第三介质层116完全覆盖第三电极层115及第三表面1141的表面。第三介质层116远离第二介质层114的一侧表面为第四表面1161。第四表面1161大致为矩形，具有相对的第七侧边及第八侧边，第七侧边及第八侧边为短边。在图示的实施方式中，第一侧边、第三侧边、第五侧边及第七侧边位于陶瓷体110的第一端，第二侧边、第四侧边、第六侧边及第八侧边位于陶瓷体110的第二端。

第四电极层117层叠于第四表面1161。第四电极层117自第八侧边向第七侧边延伸。在图示的实施方式中，第四电极层117为矩形，第四电极层117的长度比第四表面1161的长度稍短，第四电极层117与第七侧边之间形成有宽度为0.2mm～0.5mm的间隙；第四电极层117的宽度小于第四表面1161的宽度，第四电极层117与第四表面1161的另外两条边之间形成宽度为0mm～0.5mm的间隙，在图示的实施方式中，间隙具有一定的宽度，当然在其他实施例中，间隙的宽度可以为0，也就是第四电极层117的宽度与第四表面1161的宽度相同。第四表面1161与第八侧边平齐的边为引出边。在图示的实施方式中，第四电极层117在第二表面1112的正投影与第二电极层113重合。

在图示的实施方式中，第一电极层112及第三电极层115在第一表面的投影完全重合，第二电极层113及第四电极层117在第四表面1161的投影完全重合，如此，不论电阻150附着在陶瓷体110的第二电极层113的引出边所在的侧面还是第三电极层115的引出边所在的侧面，片式复合元器件100的电阻值不会产生差异。

第一介质层111、第一电极层112、第二电极层113、第二介质层114、第三电极层115、第三介质层116及第四电极层117依次层叠形成长方体的陶瓷体110。优选的，陶瓷体110的长度比宽度及厚度大0.2mm以上。

在图示的实施方式中，第一介质层111及第二介质层114的厚度相同，当然，在其他实施方式中，第二介质层114的厚度也可以与第一介质层111不同。第二介质层114的厚度对片式复合元器件100的电容量不产生影响，因此可以通过调整第二介质层114的厚度去调整片式复合元器件100的厚度。当要求片式复合元器件具有较大的电容量时，可以减小第一介质层111的厚度，同时增加第二介质层114的厚度，以保证片式复合元器件100具有足够的厚度避免断裂；当要求片式复合元器件100具有较小的电容量时，可以增加第一介质层111的厚度，同时减少第二介质层114的厚度。

在图示的实施方式中，第一介质层111及第三介质层116的厚度相同，如此，不论电阻150附着在陶瓷体110的第二电极层113的引出边所在的侧面还是第三电极层115的引出边所在的侧面，片式复合元器件100的电容量不会产生差异。当然，在其他实施方式中，第三介质层116的厚度也可以与第一介质层111不同。

电阻150附着在陶瓷体110的一侧，具体的，电阻150附着在第二电极层113的引出边所在的一侧，或者附着在第三电极层115的引出边所在的一侧。当电阻150附着在第二电极层113的引出边所在的一侧时，电阻150与第二电极层113及第四电极层117电连接，且与第一电极层112及第三电极层115绝缘，由第一电极层112及第四电极层117与外部线路形成电连接，第一电极层112、第一介质层111及第二电极层113组成电容，位于第二电极层113及第四电极层117之间的那部分电阻与电容串联组成串联结构，从而把电阻和电容集成到单个元件中；当电阻150附着在第三电极层115的引出边所在的一侧时，电阻150与第一电极层112及第三电极层115电连接，且与第二电极层113及第四电极层117绝缘，第三电极层115、第三介质层116及第四电极层117组成电容，位于第一电极层112及第三电极层115之间的那部分电阻与电容串联组成串联结构，从而把电阻和电容集成到单个元件中。

在图示的实施方式中，第一电极层112与第二侧边之间形成有0.2mm～0.5mm的间隙，第二电极层113与第三侧边之间形成有0.2mm～0.5mm的间隙，第三电极层115与第六侧边之间形成有0.2mm～0.5mm的间隙，第四电极层117与第七侧边之间形成有0.2mm～0.5mm的间隙，从而可以实现与电阻150的绝缘，当然在其他实施方式中，间隙可以为0，此时通过与电阻150之间进行绝缘处理即可。

在图示的实施方式中，第一电极层112形成有引出边，第四电极层117形成有引出边，从而通过引出边与电阻150实现电连接，当然，在其他的实施方式中，第一电极层112及第四电极层117的引出边可以省略，即，第一电极层112与第一侧边之间形成有间隙，第四电极层117与第八侧边之间形成有间隙，此时，将电阻150向第一表面或第四表面1161延伸直至与第一电极层112或第四电极层117接触实现电连接即可。

上述片式复合元器件100，电阻150附着在第二电极层113的引出边所在的一侧，或者附着在第三电极层115的引出边所在的一侧。当电阻150附着在第二电极层113的引出边所在的一侧时，电阻150与第二电极层113及第四电极层117电连接，且与第一电极层112及第三电极层115绝缘，由第一电极层112及第四电极层117与外部线路形成电连接，第一电极层112、第一介质层111及第二电极层113组成电容，位于第二电极层113及第四电极层117之间的那部分电阻与电容串联组成串联结构，从而把电阻和电容集成到单个元件中；当电阻150附着在第三电极层115的引出边所在的一侧时，电阻150与第一电极层112及第三电极层115电连接，且与第二电极层113及第四电极层117绝缘，第三电极层115、第三介质层116及第四电极层117组成电容，位于第一电极层112及第三电极层115之间的那部分电阻与电容串联组成串联结构，从而把电阻和电容集成到单个元件中；电阻150直接贴附在陶瓷体110的侧面，由第一电极层112及第四电极层117与外部线路形成电连接即可，结构简单且紧凑，可实现小型化；电阻150附着在第二电极层113的引出边所在的一侧，或者附着在第三电极层115的引出边所在的一侧即可，在制备时，仅仅需要将电阻附着在陶瓷体110的两个侧面中的任意一个即可，无需识别，简化工艺。

通过调节第一电极层112及第二电极层113的正对面积、第一介质层111的厚度及介电常数可以调整片式复合元器件100的电容量，通过调节电阻150的电阻率、第四侧边与第八侧边之间的间距可以调整片式复合元器件100的电阻值；通过调整第一介质层111及第二介质层114的厚度可以调整片式复合元器件100的厚度，增加通用性。

当第一电极层112在第三表面1141的投影与第三电极层115完全重叠，第二电极层113在第四表面1161的投影与第四电极层117完全重叠，从而将电阻150设置在第三电极层115的引出边所在的侧面及第二电极层113的引出边所在的侧面中的任意一个不会引起性能的改变。

上述片式复合元器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤S210、制备淀粉膜。

在本实施方式中，将淀粉、第一粘合剂和第一溶剂混合均匀得到淀粉浆料，以淀粉浆料为原料制备淀粉膜。

优选的，采用球磨的方式将淀粉、第一粘合剂和第一溶剂混合均匀得到淀粉浆料。进一步的，球磨的时间为3小时～4小时。

优选的，淀粉、第一粘合剂和第一溶剂的质量比为10：2.5～3：10～15。

优选的，淀粉为玉米淀粉。

优选的，第一粘合剂选自丙烯酸树脂及聚乙烯醇缩丁醛中的至少一种。

优选的，第一溶剂为质量比为1：1～1.25：1的甲苯和无水乙醇的混合溶剂。

优选的，淀粉浆料还包括增塑剂，在一个实施例中，增塑剂为邻苯二甲酸二辛酯(DOP)。进一步的，增塑剂与淀粉的质量比为1：20～1：10。

优选的，采用流延法将淀粉浆料流延形成淀粉膜。

优选的，淀粉膜的厚度为90μm～130μm。

步骤S220、制备陶瓷膜。

在本实施方式中，将陶瓷粉、第二粘合剂、第二溶剂混合均匀后得到陶瓷浆料，以陶瓷浆料为原料制备得到陶瓷膜。

优选的，将陶瓷粉、第二粘合剂、第二溶剂采用球磨的方式混合均匀得到陶瓷浆料。进一步的，球磨的时间为12小时～16小时。

优选的，陶瓷粉、第二粘合剂、第二溶剂的质量比为10：3～5：4～6。

优选的，陶瓷粉为钛酸钡陶瓷粉，当然，其他业内常用的陶瓷粉也可以。钛酸钡陶瓷粉具有较高的介电常数，使得制备的片式复合元器件的电容量范围较宽。

优选的，第二粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛，第二溶剂为质量比为1:1～1.5:1的甲苯和无水乙醇的混合溶剂。

优选的，采用流延法将陶瓷浆料流延形成陶瓷膜。

优选的，陶瓷膜的厚度为20μm～60μm。

步骤S230、在衬底表面层叠多个陶瓷膜，得到固定在衬底上的保护层。

优选的，衬底为不锈钢板，当然，其他强度和韧性合适的材料都可以作为衬底的材料。

优选的，保护层的厚度为0.2mm～0.3mm。

步骤S240、在保护层上层叠至少一个淀粉膜。

步骤S250、在淀粉膜的表面制备第一电极层。

本实施方式中，采用丝网印刷的方式在淀粉膜表面制备第一电极层。进一步的，采用丝网在淀粉膜表面印刷电极浆料，烘干后得到层叠在淀粉膜上的第一电极层。

第一电极层的材料可以为银、钯或银钯合金。进一步的，钯银合金中钯和银的质量比并无特别限制。

优选的，电极浆料可以为银浆料、钯浆料或者银钯合金浆料。

优选的，在淀粉膜表面制备第一电极层时采用三点定位的方法来定位衬底。

优选的，第一电极层的厚度为1μm～3μm。

步骤S260、在第一电极层表面层叠至少一个陶瓷膜，得到层叠在第一电极层表面的第一介质层。

在该步骤中，根据第一介质层的设计厚度确定陶瓷膜的数量，从而可以达到所需要的厚度。

优选的，第一介质层的厚度为25μm～200μm。

步骤S270、在第一介质层的表面制备第二电极层。

本实施方式中，采用丝网印刷的方式在第一介质层表面制备第二电极层。进一步的，采用丝网在第一介质层表面印刷电极浆料，烘干后得到层叠在第一介质层上的第二电极层。该步骤中使用的丝网和步骤S250中使用的丝网可以相同也可以不同，当两个步骤中使用的丝网相同时，该步骤中无需再次重新对位。

第二电极层的材料可以为银、钯或银钯合金。进一步的，钯银合金中钯和银的质量比并无特别限制。

优选的，电极浆料可以为银浆料、钯浆料或者银钯合金浆料。

优选的，第二电极层的厚度为1μm～3μm。

步骤S280、在第二电极层的表面层叠至少一个陶瓷膜，得到层叠在第二电极层表面的第二介质层。

在该步骤中，根据第二介质层的设计厚度确定陶瓷膜的数量，从而可以达到所需要的厚度。

优选的，第二介质层的厚度为20μm～350μm。

步骤S290、在第二介质层的表面制备第三电极层。

本实施方式中，采用丝网印刷的方式在第二介质层表面制备第三电极层。进一步的，采用丝网在第二介质层表面印刷电极浆料，烘干后得到层叠在第二介质层上的第三电极层。

第三电极层的材料可以为银、钯或银钯合金。进一步的，钯银合金中钯和银的质量比并无特别限制。

优选的，电极浆料可以为银浆料、钯浆料或者银钯合金浆料。

优选的，第三电极层的厚度为1μm～3μm。

步骤S300、在第三电极层表面层叠至少一个陶瓷膜，得到层叠在第三电极层表面的第三介质层。

在该步骤中，根据第三介质层的设计厚度确定陶瓷膜的数量，从而可以达到所需要的厚度。

优选的，第三介质层的厚度为25μm～200μm。

步骤S310、在第三介质层的表面制备第四电极层得到层叠基板。

本实施方式中，采用丝网印刷的方式在第三介质层表面制备第四电极层。进一步的，采用丝网在第三介质层表面印刷电极浆料，烘干后得到层叠在第三介质层上的第四电极层。

第三电极层的材料可以为银、钯或银钯合金。进一步的，钯银合金中钯和银的质量比并无特别限制。

优选的，电极浆料可以为银浆料、钯浆料或者银钯合金浆料。

优选的，第四电极层的厚度为1μm～3μm。

丝网印刷制备第一电极层、第二电极层、第三电极层及第四电极层时可以使用同一个丝网，因此在印刷第二电极层时无需对丝网进行重新对位，操作简单；通过错位印刷的方式，可以制备得到各个电极层。

步骤S320、将层叠基板进行压合得到层叠体。

在本实施方式中，压合采用等静压法压合，使层叠基板内各膜层紧密粘结以避免分层。

在本实施方式中，将层叠基板进行压合后按照所需尺寸进行切割，之后与衬底分离得到层叠体。与衬底分离可以采用刀片将层叠体铲下来，在该步骤中，保护层能保证第一电极层在此操作中不被刀片划伤。

步骤S330、对层叠体进行排粘和烧结得到陶瓷体。

在其中一个实施例中，排粘的具体操作为：将层叠体加热至350℃～450℃并保温1～3小时。进一步的，排粘在空气气氛下进行。

在其中一个实施例，烧结的具体操作为：将排粘后的层叠体加热至900℃～1320℃并保温2小时～3小时进行烧结。进一步的，烧结在空气气氛下进行。

该步骤中，烧结时，淀粉膜灰化，使得保护层脱离。

烧结后得到的陶瓷体包括依次层叠的第一电极层、第一介质层、第二电极层、第二介质层、第三电极层、第三介质层及第四电极层。

步骤S340、在陶瓷体的一个侧面形成电阻得到片式复合元器件。

在本实施方式中，通过浸渍的方式在陶瓷体的一个侧面形成电阻。

需要说明的是，该步骤中所说的一个侧面为第一侧边或第二侧边所在的侧面。

优选的，采用合适的夹具比如封端板将陶瓷体固定，通过浸渍的方式将电阻浆料粘附在陶瓷体的一个侧面，烘干后烧结得到电阻。进一步的，烧结的温度为840℃～850℃。进一步的，电阻浆料为钌系电阻浆料。进一步的，烧结在空气气氛下进行。进一步的，烘干的温度为140℃～150℃。

通过调节浸渍的深度，可以保证电阻浆料只粘附在陶瓷体110的目标表面上而不会延伸至与目标表面邻接的其他四个表面；当然，也可以通过调整浸渍的深度，使电阻浆料粘附至第一表面及第四表面中的至少一个，使得电阻150与陶瓷体110的第一电极层112及第四电极层117中的其中一个形成电连接。

陶瓷体110的长度比陶瓷体110的宽度以及陶瓷体110的厚度大0.2mm以上，可以保证陶瓷体110在夹具中的正确定位，即保证电阻浆料不会误被粘附在陶瓷体110的其他表面上。

上述片式复合元器件的制备方法，工艺简单。

需要说明的是，步骤S210和步骤S220的次序可以调换，也可以同步执行，当然，在其他实施方式中，淀粉膜和陶瓷膜也可以外购，则步骤S210及步骤S220可以省略。步骤S230可以省略，此时采用其他方式将层叠体自衬底分离即可。步骤S240可以省略，此时通过其他工艺直接在淀粉膜上制备第一电极层即可。

请参阅图3及图4，另一实施方式的片式复合元器件500的结构与片式复合元器件100的结构大致相同，其不同在于：第一表面、第二表面5112、第三表面5141及第四表面5161均为正方形，第一表面的第一侧边与第三表面5141的第五侧边相互平行且与第二表面5112的第四侧边垂直，第四表面5161的第七侧边与第二表面5112的第三侧边平行且与第一表面的第一侧边垂直。第二电极层513的引出边与第三侧边至少部分平齐，第三电极层515的引出边与第五侧边至少部分平齐。陶瓷体510的长度和宽度相等，使得片式复合元器件500的电路空间利用率较高。

在图示的实施方式中，第一电极层512自第一侧边延伸至第二侧边，第二电极层513自第三侧边延伸至第四侧边，第三电极层515自第五侧边延伸至第六侧边，第四电极层517自第七侧边延伸至第八侧边。进一步的，第一电极层512与第一表面的另外两侧边之间形成有宽度为0.2mm～0.5mm的间隙，第二电极层513与第二表面5112的另外两侧边之间形成有宽度为0.2mm～0.5mm的间隙，第三电极层515与第三表面5141的另外两侧边之间形成有宽度为0.2mm～0.5mm的间隙，第四电极层517与第四表面5161的另外两侧边之间形成有宽度为0.2mm～0.5mm的间隙。如此将电阻550设于陶瓷体510的任意一个侧面即可。

更进一步的，第一电极层512在第二表面5112的正投影绕正投影的中心旋转90°后与第二电极层513重叠，第三电极层515在第一表面的正投影与第一电极层512完全重叠，第四电极层517在第二表面5112的正投影与第二电极层513完全重合。如此，将电阻550设于陶瓷体510的任意一个侧面，片式复合元器件500的电阻值和电容量都不会产生的差异，简化了制备工艺。

需要说明的是，在其他实施方式中，第一表面、第二表面5112、第三表面5141及第四表面5161也可不为正方形，可以设计为长方形。

请参阅图5和图6，另一实施方式的片式复合元器件700的结构与片式复合元器件100的结构大致相同，其不同在于：第一表面、第二表面7112、第三表面7141及第四表面7161均为正方形，第一表面具有第一侧边及与所述第一侧边相交的第二侧边，第二表面7112具有第三侧边及与第三侧边相交的第四侧边，第三表面7141具有第五侧边及与第五侧边相交的第六侧边，第四表面7161具有第七侧边及与第七侧边相交的第八侧边。

第一侧边及第二侧边在第二表面7112的正投影与第三侧边及第四侧边组成正方形，第五侧边及第六侧边在第一表面的正投影分别与第一侧边及第二侧边重合，第七侧边及第八侧边在第二表面7112的正投影分别与第三侧边及第四侧边重合。

第一电极层712与第一表面的第一侧边及第二侧边至少部分平齐形成两条引出边，第二电极层713与第二表面7112的第三侧边及第四侧边至少部分平齐形成两条引出边，第三电极层715与第三表面7141的第五侧边及第六侧边至少部分平齐形成两条引出边，第四电极层717与第四表面7161的第七侧边及第八侧边至少部分平齐形成两条引出边。

在图示的实施方式中，第一电极层712、第二电极层713、第三电极层715及第四电极层717均为正方形。第一电极层712在第三表面7141的正投影与第三电极层715重合。第四电极层717在第二表面7112的正投影与第二电极层713重合。

在图示的实施方式中，第一电极层712与第一表面的另外两条侧边之间形成宽度为0.2mm～0.5mm的间隙。第二电极层713与第二表面7112的另外两条侧边之间形成宽度为0.2mm～0.5mm的间隙。第三电极层715与第三表面7141的另外两条侧边之间形成宽度为0.2mm～0.5mm的间隙。第四电极层717与第四表面7161的另外两条侧边之间形成宽度为0.2mm～0.5mm的间隙。

在图示的实施方式中，第一电极层712、第二电极层713、第三电极层715及第四电极层717均为正方形且大小相同。第一电极层712的边长大于第一表面的边长的二分之一，第一电极层712在第二表面7112的正投影与第二电极层713部分重合。

在图示的实施方式中，第一介质层711与第三介质层716的厚度相等。

第二介质层714的厚度对片式复合元器件700的厚度不产生影响，可以用来调节片式复合元器件700的厚度。

上述片式复合元器件700，将电阻750设于陶瓷体710的任意一个侧面，片式复合元器件700的电阻值和电容量都不会产生的差异，简化了制备工艺。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种片式复合元器件，其特征在于，包括：

陶瓷体，所述陶瓷体为矩形体，所述陶瓷体包括：

第一介质层，所述第一介质层具有相对的第一表面及第二表面；

第一电极层，形成于所述第一介质层的第一表面；

第二电极层，形成于所述第一介质层的第二表面，所述第二电极层与所述第二表面的一条边至少部分平齐形成引出边；

第二介质层，层叠于所述第二电极层的表面且完全覆盖所述第二表面，所述第二介质层具有第三表面，所述第三表面为所述第二介质层远离所述第一介质层的一侧表面；

第三电极层，形成于所述第三表面，且所述第三电极层与所述第三表面的一条边至少部分平齐形成引出边；

第三介质层，层叠于所述第三电极层的表面且完全覆盖所述第三表面，所述第三介质层具有第四表面，所述第四表面为所述第三介质层远离所述第二介质层的一侧表面；

第四电极层，形成于所述第四表面；

电阻，附着在所述陶瓷体的一侧；

其中，所述电阻层与第一电极层及所述第三电极层电连接，且与所述第四电极层及第二电极层绝缘，及/或，所述电阻与所述第二电极层及所述第四电极层电连接，且与所述电阻与第一电极层及第三电极层绝缘。

2.如权利要求1所述的片式复合元器件，其特征在于，所述第二电极层在所述第一电极层的正投影与所述第一电极层至少部分重叠。

3.如权利要求1所述的片式复合元器件，其特征在于，所述第三电极层在所述第一电极层的投影与所述第一电极层重合；及/或，所述第四电极层在所述第二电极层的投影与所述第二电极层重合。

4.如权利要求1所述的片式复合元器件，其特征在于，所述第一电极层与所述第一表面的一条边至少部分平齐形成引出边，所述第一电极层的引出边与所述第三电极层的引出边位于所述第一介质层的同一端。

5.如权利要求1所述的片式复合元器件，其特征在于，所述第四电极层与所述第四表面的一条边至少部分平齐形成引出边，所述第四电极层的引出边与所述第二电极层的引出边位于所述第二介质层的同一端。

6.如权利要求1所述的片式复合元器件，其特征在于，所述第一表面、第二表面、第三表面及第四表面均为矩形，所述第一表面具有相对的第一侧边及第二侧边，所述第二表面具有相对的第三侧边及第四侧边，所述第三表面具有相对的第五侧边及第六侧边，所述第四表面具有相对的第七侧边及第八侧边，所述第一侧边与所述第五侧边平行且与所述第四侧边垂直，所述第七侧边与所述第三侧边平行且与所述第一侧边垂直，所述第二电极层的引出边与所述第三侧边至少部分平齐，所述第三电极层的引出边与所述第五侧边至少部分平齐。

7.如权利要求6所述的片式复合元器件，其特征在于，所述第一电极层自所述第一侧边延伸至所述第二侧边，所述第二电极层自所述第四侧边延伸至所述第三侧边，所述第三电极层自所述第五侧边延伸至所述第六侧边，所述第四电极层自所述第八侧边延伸至所述第七侧边。

8.如权利要求7所述的片式复合元器件，其特征在于，所述第一电极层在所述第二表面的正投影绕所述正投影的中心旋转90°后与所述第二电极层重叠，第三电极层在第一表面的正投影与所述第一电极层完全重叠，所述第四电极层在所述第二表面的正投影与所述第二电极层完全重合。

9.如权利要求1所述的片式复合元器件，其特征在于，所述第一表面、第二表面、第三表面及第四表面均为正方形，所述第一表面具有第一侧边及与所述第一侧边相交的第二侧边，所述第二表面具有第三侧边及与所述第三侧边相交的第四侧边，所述第三表面具有第五侧边及与所述第五侧边相交的第六侧边，所述第四表面具有第七侧边及与所述第七侧边相交的第八侧边，所述第一侧边及所述第二侧边在所述第二表面的正投影与所述第三侧边及所述第四侧边组成正方形，所述第五侧边及所述第六侧边在所述第一表面的正投影分别与所述第一侧边及所述第二侧边重合，所述第七侧边及所述第八侧边在所述第二表面的正投影分别与所述第三侧边及所述第四侧边重合，所述第一电极层与所述第一表面的第一侧边及第二侧边至少部分平齐，所述第二电极层与所述第二表面的第三侧边及第四侧边至少部分平齐，所述第三电极层与所述第三表面的第五侧边及第六侧边至少部分平齐，所述第四电极层与所述第四表面的第七侧边及第八侧边至少部分平齐。

10.如权利要求1～9任一项所述的片式复合元器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在淀粉膜表面制备第一电极层；

在所述第一电极层的表面层叠第一介质层；

在所述第一介质层的表面制备第二电极层；

在所述第二电极层的表面层叠第二介质层；

在所述第二介质层的表面制备第三电极层；

在所述第三电极层的表面层叠第三介质层；

在所述第三介质层的表面制备第四电极层得到层叠基板；

将所述层叠基板压合得到层叠体；

对所述层叠体进行排粘和烧结得到陶瓷体；

在所述陶瓷体的一个侧面形成电阻得到片式复合元器件。