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CN106292101A - 电光学装置以及电子设备 - Google Patents

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CN106292101A
CN106292101A CN201610230845.9A CN201610230845A CN106292101A CN 106292101 A CN106292101 A CN 106292101A CN 201610230845 A CN201610230845 A CN 201610230845A CN 106292101 A CN106292101 A CN 106292101A
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film
electro
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CN201610230845.9A
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伊藤智
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

本发明提供即使在使第二电极与使其从绝缘膜的平坦面露出的第一电极导通的结构的情况下，也能够提高针对形成第二电极的面的构成的自由度的电光学装置以及电子设备。在电光学装置(100)中，中继电极(8a)(第一电极)具备与层间绝缘膜(45)的凸部(45e)重合的导通部(8c)，导通部(8c)从层间绝缘膜(46)的表面(平坦面(460))露出。在层间绝缘膜(46)的表面(平坦面(460))形成有比凸部(45e)的高度h薄的膜厚t的绝缘膜(47)，像素电极(9a)经由绝缘膜(47)的开口部(47a)与导通部(8c)导通。在该情况下，由于开口部(47a)较浅，所以不容易在像素电极(9a)的表面产生较大的凹凸。

Description

电光学装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及第一电极与第二电极经由绝缘膜导通的电光学装置以及电子设备。
背景技术
在液晶装置等电光学装置所使用的元件基板中，像素电极经由形成于层间绝缘膜的接触孔与下层侧的导电层导通。在这样的电光学装置中，若接触孔的平面尺寸较大，而在像素电极的表面形成较大的凹凸，则由于不能够合适地形成定向膜等原因而显示质量降低。因此，提出了在层间绝缘膜的接触孔内埋入塞柱，并经由这样的塞柱使像素电极与下层侧的电极导通的结构。然而，由于形成塞柱需要重新准备在电光学装置通常未使用的钨等金属材料，所以成本增大。另外，在采用基于塞柱的导通结构的情况下，由于需要使塞柱用的金属膜较厚地溅射成膜直至填满接触孔，所以生产性降低。
因此，提出了设置具备俯视时与凸部的前端面重合的导通部的导电层(第一电极)、和具备使导通部在像素电极(第二电极)侧露出的平坦面的绝缘膜，并使像素电极与绝缘膜的平坦面层叠来使其与导通部导通的结构(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2013-25069号公报
然而，在专利文献1所记载的结构中，由于绝缘膜需要进行平坦处理使导通部露出，所以难以使绝缘膜担负其它的功能。例如，由于绝缘膜的膜厚较厚，所以难以利用上述的绝缘膜作为用于抑制透过像素电极的光的波长色散的折射率调整用电介质层。另外，若由硼掺杂硅酸盐玻璃形成绝缘膜，并利用为保护膜，则由于硼掺杂硅酸盐玻璃在成膜时膜厚容易不均，所以平坦处理的效率降低。
发明内容
鉴于以上的问题点，本发明的技术问题在于提供即使在使第二电极与使其从绝缘膜的平坦面露出的第一电极导通的结构的情况下，也能够提高针对形成第二电极的面的构成的自由度的电光学装置以及电子设备。
为了解决上述课题，本发明所涉及的电光学装置的一方式的特征在于，具有：基板；凸部，其在上述基板的一面侧向与上述基板相反的一侧突出；第一电极，上述第一电极的一部分与上述凸部的前端面重合；第一绝缘膜，其相对于上述第一电极形成在与上述基板相反的一侧且在与上述基板相反的一侧具备平坦面；第二绝缘膜，其相对于上述第一绝缘膜在与上述基板相反的一侧以比上述凸部的高度薄的膜厚形成；以及第二电极，其相对于上述第二绝缘膜形成在与上述基板相反的一侧，上述第一电极经由在俯视时与上述凸部的前端面重合部分中上述第一绝缘膜与上述第二绝缘膜被开口的部分，与上述第二电极导通。
在本发明中，第一电极的一部分与凸部重合，第二电极与第一电极的从第一绝缘膜的表面(平坦面)露出的部分接触。另外，在第一绝缘膜的表面(平坦面)形成有比凸部的高度薄的膜厚的第二绝缘膜，第二电极经由第二绝缘膜的开口部与第一电极导通。因此，第二绝缘膜不进行用于形成用于使导通部露出的平坦面的平坦处理等，所以针对第二绝缘膜的材质、膜厚等构成的自由度较高。该情况下，由于第二绝缘膜的膜厚较薄，所以开口部也较浅。因此，在第二电极的表面不容易产生较大的凹凸。
在本发明中，例如，在上述基板与上述第一电极之间具有像素晶体管，上述第二电极是像素电极，上述第一电极是与上述像素晶体管电连接的中继电极。根据这样的结构，能够使第二绝缘膜为硼掺杂硅酸盐玻璃等，并作为针对水分的保护膜利用。另外，若使第二绝缘膜的膜厚、折射率合理化，则第二绝缘膜能够通过第二绝缘膜和像素电极的层叠膜，抑制对于透过像素电极的光的波长色散。
在本发明中，能够采用上述第二绝缘膜包含硼掺杂硅酸盐玻璃的方式。
在本发明中，能够采用上述像素电极至少具备：层叠在上述第二绝缘膜的与上述基板相反的一侧的第一透光性导电膜、和层叠在上述第一透光性导电膜的与上述基板相反的一侧的折射率调整用介电膜的方式。根据这样的结构，能够抑制对于透过像素电极的光的波长色散。
在本发明中，能够采用上述像素电极还具备层叠在上述折射率调整用介电膜的与上述基板相反的一侧的第二透光性导电膜的方式。根据这样的结构，能够抑制对于透过像素电极的光的波长色散。
在本发明中，优选在上述基板与上述像素电极之间设置有规定上述像素电极的透光区域的遮光层，上述像素电极在俯视时与上述遮光层重合的位置具备使上述第一透光性导电膜与上述第二透光性导电膜电连接的连接部。根据这样的结构，能够对第二透光性导电膜施加与第一透光性导电膜相同的电位。因此，不需要对像素电极施加较高的驱动电压等，而能够适当地进行驱动。另外，由于连接部设置在俯视时与遮光层重合的区域，所以不容易产生连接部减少透过像素电极的光量这样的情况。
在本发明中，能够采用上述连接部是上述第一透光性导电膜以及上述第二透光性导电膜从上述折射率调整用介电膜的端部突出而接触的部分的方式。根据这样的结构，由于连接部设置在像素电极的端部，所以容易将连接部设置在俯视时与遮光层重合的区域。
在本发明中，优选上述第一透光性导电膜与上述第二透光性导电膜形成为相同的形状的方式。根据这样的结构，能够连续地对第一透光性导电膜以及第二透光性导电膜进行图案化，所以能够提高生产性。
在本发明中，优选上述连接部设置成包围上述折射率调整用介电膜的周围。根据这样的结构，能够减少像素电极整体的电阻。
在本发明中，能够采用具有：电容电极，其设置成俯视时与上述中继电极重合，并被施加恒电位；和电介质层，其层叠在上述第一电极与上述电容电极之间的方式。
该情况下，能够采用上述凸部在俯视时与上述电容电极重合的方式。根据这样的结构，能够将电容电极的厚度等利用于凸部的形成。
应用了本发明的电光学装置在各种电子设备中能够使用于直视型显示装置等各种显示装置。另外，应用了本发明的电光学装置能够使用于投射型显示装置。这样的投射型显示装置具有射出照射到应用了本发明的电光学装置的照明光的光源部、和投射已被上述电光学装置调制的光的投射光学系统。
附图说明
图1是表示应用了本发明的电光学装置的电气结构的一方式的框图。
图2是表示应用了本发明的电光学装置所使用的液晶面板的一方式的俯视图。
图3是图2所示的液晶面板的剖视图。
图4是表示应用了本发明的电光学装置的第一基板中相邻的像素的一方式的俯视图。
图5是示意地表示应用了本发明的电光学装置的像素的一方式的剖视图。
图6是图3以及图4所示的像素晶体管的俯视图。
图7是图3以及图4所示的源电极以及第一漏电极的俯视图。
图8是图3以及图4所示的数据线以及第二漏电极的俯视图。
图9是图3以及图4所示的电容线的俯视图。
图10是图3以及图4所示的电容电极以及电介质层的俯视图。
图11是图3以及图4所示的中继电极的俯视图。
图12是图3以及图4所示的像素电极的俯视图。
图13是表示应用了本发明的电光学装置的制造方法的工序剖面图。
图14是表示应用了本发明的电光学装置的制造方法的工序剖面图。
图15是表示应用了本发明的电光学装置的制造方法的工序剖面图。
图16是表示应用了本发明的电光学装置的制造方法的工序剖面图。
图17是应用了本发明的电光学装置的变形例1的说明图。
图18是应用了本发明的电光学装置的变形例2的说明图。
图19是使用应用了本发明的电光学装置的投射型显示装置(电子设备)的一方式的概略结构图。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在以下的说明所参照的图中，为了使各层、各部件成为能够在附图上识别的程度的大小，而按照各层、各部件使比例尺不同。另外，在采用了使在像素晶体管流通的电流的方向反转的驱动方式的情况下，源极与漏极调换，但在以下的说明中，将连接像素电极的一侧(像素侧源极漏极区域)作为漏极，将连接数据线的一侧(数据线侧源极漏极区域)作为源极。另外，在对形成于第一基板的层进行说明时，上层侧或者表面侧是指与第一基板的基板主体所在的一侧相反的一侧(第二基板所在的一侧)，下层侧是指第一基板的基板主体所在的一侧(与第二基板所在的一侧相反的一侧)。
电光学装置(液晶装置)的说明
整体结构
图1是表示应用了本发明的电光学装置的电气结构的一方式的框图。此外，图1仅是表示电气结构的框图，所以是触底示出电容电极等延伸的方向等布局。
在图1中，本方式的电光学装置100(液晶装置)具有TN(TwistedNematic：扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment：垂直对准)模式的液晶面板100p，液晶面板100p在其中央区域具备多个像素100a排列为矩阵状的图像显示区域10a(像素区域)。在液晶面板100p中，在后述的第一基板10(参照图2等)中，在图像显示区域10a的内侧纵横地延伸多条数据线5a以及多条扫描线3a，在与它们的交叉部分对应的位置构成像素100a。在多个像素100a的各个形成有由场效应型晶体管等构成的像素晶体管30、以及后述的像素电极9a。在像素晶体管30的源极电连接数据线5a，在像素晶体管30的栅极电连接扫描线3a，在像素晶体管30的漏极电连接像素电极9a。
在第一基板10中，在与图像显示区域10a相比外周侧设有扫描线驱动电路104、数据线驱动电路101。数据线驱动电路101与各数据线5a电连接，将从图像处理电路供给的图像信号依次供给至各数据线5a。扫描线驱动电路104与各扫描线3a电连接，将扫描信号依次供给至各扫描线3a。
在各像素100a中，像素电极9a经由液晶层与形成于后述的第二基板20(参照图2等)的共用电极对置，构成液晶电容50a。在各像素100a为了防止被液晶电容50a保持的图像信号的变动，与液晶电容50a并联地附加有保持电容55。在本方式中，为了构成保持电容55，设置施加了恒电位(共用电位)的电容线6a，电容线6a与恒电位线5c导通。
液晶面板100p的结构
图2是表示应用了本发明的电光学装置100所使用的液晶面板100p的一方式的俯视图。图3是图2所示的液晶面板100p的剖视图(H-H′剖视图)。
如图2以及图3所示，在液晶面板100p中，第一基板10与第二基板20经由规定的缝隙被密封材料107贴合，密封材料107以沿第二基板20的外缘的方式设置为框状。密封材料107是由光固化树脂、热固化性树脂等构成的粘合剂，配合用于使两基板间的距离成为规定值的玻璃纤维，或者玻璃珠等间隙材料。
在本方式的液晶面板100p中，第一基板10以及第二基板20均为四角形，在液晶面板100p的大致中央作为四角形的区域设有参照图1说明的图像显示区域10a。与这样的形状对应地，密封材料107也大致设为四角形，在密封材料107的内周边与图像显示区域10a的外周边之间边框状地设有大致四角形的周边区域10b。在第一基板10中，在图像显示区域10a的外侧，沿第一基板10的一边形成有数据线驱动电路101以及多个端子102，沿与该一边邻接的其它的边形成有扫描线驱动电路104。此外，在端子102连接有柔性布线基板(未图示)，在第一基板10经由柔性布线基板输入有各种电位、各种信号。
虽然详细后述，但在第一基板10的一面10s以及另一面10t中，在一面10s侧，在图像显示区域10a以矩阵状形成参照图1说明的像素晶体管30、以及与像素晶体管30电连接的像素电极9a，在这样的像素电极9a的上层侧形成有定向膜16。在第一基板10的一面10s侧中，在周边区域10b形成有与像素电极9a同时形成的虚拟像素电极9b。
在第二基板20中在与第一基板10对置的一面侧形成有共用电极21，在共用电极21的第一基板10侧的面形成有定向膜26。共用电极21形成在第二基板20的大致整个面。在第二基板20中在与第一基板10对置的一面侧，在共用电极21的下层侧形成遮光层108。在本方式中，遮光层108形成为沿图像显示区域10a的外周边延伸的边框状，作为分离部发挥作用。遮光层108的外周边处于在与密封材料107的内周边之间隔开了缝隙的位置，遮光层108与密封材料107不重合。此外，在第二基板20中，遮光层108也在与被相邻的像素电极9a夹着的像素间区域重合的区域等形成作为黑矩阵部。另外，第二基板20有时也作为形成了与多个像素电极9a的各个对置的透镜(微型透镜)的透镜阵列基板构成。
在液晶面板100p中，在第一基板10，在与密封材料107相比外侧中与第二基板20的角部分重合的区域，形成有用于在第一基板10与第二基板20之间取得电导通的基板间导通用电极109。在基板间导通用电极109配置有包含导电粒子的基板间导通材料109a，第二基板20的共用电极21经由基板间导通材料109a以及基板间导通用电极109，与第一基板10侧电连接。因此，共用电极21从第一基板10侧施加共用电位。密封材料107具有大致相同的宽度尺寸并沿第二基板20的外周边设置。因此，密封材料107大致为四角形。但是，密封材料107在与第二基板20的角部分重合的区域以避开基板间导通用电极109而通过内侧的方式设置，密封材料107的角部分大致为圆弧状。
在电光学装置100中，若由ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide：氧化铟锌)等透光性的导电膜形成像素电极9a以及共用电极21，则能够构成透射型液晶装置。与此相对，若由透光性导电膜形成共用电极21，并由铝等反射性导电膜形成像素电极9a，则能够构成反射型液晶装置。在电光学装置100为反射型的情况下，从第二基板20侧射入的光在被第一基板10侧的基板反射并射出的期间被调制并显示图像。在电光学装置100为透射型的情况下，从第一基板10以及第二基板20中的一侧的基板射入的光在透过另一侧的基板并射出的期间被调制并显示图像。在本方式中，电光学装置100构成为透射型液晶装置。
电光学装置100能够作为移动计算机、移动电话机等等电子设备的彩色显示装置使用，该情况下，在第二基板20形成有彩色滤光片(未图示)、保护膜。另外，在电光学装置100中，根据使用的液晶层50的种类、常白模式/常黑模式的不同，相对于液晶面板100p以规定的方向配置相位差膜、偏光板等。并且，电光学装置100在后述的投射型显示装置(液晶投影仪)中，能够作为RGB用的光阀使用。该情况下，在RGB用的各电光学装置100的各个分别射入有经由RGB颜色分解用的二向色镜分解的各颜色的光作为投射光，所以不形成彩色滤光片。
在本方式中，以电光学装置100是在后述的投射型显示装置中作为RGB用的光阀使用的透射型液晶装置，从第二基板20射入的光透过第一基板10并射出的情况为中心进行说明。另外，在本方式中，以电光学装置100具备使用了介电各向异性为负的向列型液晶化合物的VA模式的液晶面板100p，作为液晶层50的情况为中心进行说明。
像素的具体的结构
图4是表示应用了本发明的电光学装置100的第一基板10中相邻的像素的一方式的俯视图。图5是示意地表示应用了本发明的电光学装置100的像素的一方式的剖视图。此外，在图5中，示出了沿数据线5a、像素晶体管30的源极区域1b、扫描线3a、像素电极9a与中继电极8a的导通部分切断了电光学装置100的样子，但为了容易理解各构成的电连接关系，也图示像素晶体管30的漏极区域1c等。
图6是图3以及图4所示的像素晶体管30的俯视图。图7是图3以及图4所示的源电极4a以及第一漏电极4b的俯视图。图8是数据线5a以及第二漏电极5b的俯视图。图9是图3以及图4所示的电容线6a的俯视图。图10是图3以及图4所示的电容电极7a的俯视图。图11是图3以及图4所示的中继电极8a的俯视图。图12是图3以及图4所示的像素电极9a的俯视图。
此外，在图4、图6、图7、图8、图9、图10、图11、以及图12中，以以下的线表示各区域。另外，图4仅图示像素电极9a的外缘，而未形成折射率调整用介电膜96a。
图4以及图6
扫描线3a＝细实线
半导体层1a＝细短的虚线
栅电极3b＝粗实线
图4以及图7
源电极4a以及第一漏电极4b＝粗点划线
图4以及图8
数据线5a以及第二漏电极5b＝细点划线
图4以及图9
电容线6a＝细双点划线
图4以及图10
电容电极7a＝细长的虚线
电介质层55e＝粗短的虚线
贯通孔44c以及凹部7e＝细短的虚线
图4以及图11
电容电极8a＝粗双点划线
凹部7e＝细短的虚线
图4以及图12
像素电极9a(第一透光性导电膜91a、第二透光性导电膜92a)＝粗长的虚线
像素电极9a的折射率调整用介电膜96a＝细点划线
像素100a的概略结构
如图4所示，在第一基板10，在多个像素100a的各个形成有矩形状的像素电极9a。虽然这样的多个像素电极9a具有同一结构，但将多个像素电极9a中的一个表示为第一像素电极9a1，将与第一像素电极9a1相邻的像素电极9a表示为第二像素电极9a2。沿与多个像素电极9a中相邻的像素电极9a(第一像素电极9a1以及第二像素电极9a2)所夹着的纵横的像素间区域10f重合的区域形成数据线5a以及扫描线3a。
即，扫描线3a沿像素间区域10f中向第一方向(X方向)延伸的第一像素间区域10g延伸，数据线5a沿向第二方向(Y方向)延伸的第二像素间区域10h延伸。数据线5a以及扫描线3a分别直线地延伸，与数据线5a和扫描线3a交叉的部分对应地形成像素晶体管30。并且，在第一基板10中，以沿着像素间区域10f(第一像素间区域10g以及第二像素间区域10h)的方式，形成后述的各种电极、布线。这里，数据线5a、扫描线3a等由遮光层10k构成。因此，数据线5a、扫描线3a以及各种电极等遮光层10k沿像素电极9a的端部延伸，并规定像素电极9a的透光区域9a0(像素开口部)。
如图5所示，在第一基板10中，在石英基板、玻璃基板等透光性的基板主体10w的液晶层50侧的面(一面10s侧)构成像素晶体管30、像素电极9a以及定向膜16等。在第二基板20中，在石英基板、玻璃基板等透光性的基板主体20w的液晶层50侧的表面(与第一基板10对置的一面侧)构成共用电极21以及定向膜26等。
像素晶体管30等的结构
在第一基板10中，在基板主体10w的一面10s侧形成有由导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等导电膜构成的扫描线3a。在本方式中，扫描线3a由钨硅化物(WSix)等遮光性导电膜构成，也作为针对像素晶体管30的遮光膜发挥作用。
在扫描线3a的上层侧(相对于扫描线3a与基板主体10w相反的一侧)形成有硅氧化膜等透光性的基底绝缘膜40。在基底绝缘膜40的上层侧(相对于基底绝缘膜40与基板主体10w相反的一侧)形成有像素晶体管30的半导体层1a。像素晶体管30具备沿数据线5a延伸的半导体层1a、和与半导体层1a的延伸方向的中央部分重合的栅电极3c(参照图6)。像素晶体管30在半导体层1a与栅电极3c之间具有透光性的栅极绝缘层2。半导体层1a具备经由栅极绝缘层2与栅电极3c对置的沟道区域1g，并在沟道区域1g的两侧具备源极区域1b以及漏极区域1c。在本方式中，像素晶体管30具有LDD结构。因此，源极区域1b以及漏极区域1c分别在沟道区域1g的两侧具备低浓度区域1b1、1c1，并在相对于低浓度区域1b1、1c1在与沟道区域1g相反的一侧邻接的区域具备高浓度区域1b2、1c2。
半导体层1a由多晶硅膜等构成。栅极绝缘层2例如，利用由使半导体层1a热氧化后的硅氧化膜构成的第一栅极绝缘层、和由通过CVD法等形成的硅氧化膜等构成的第二栅极绝缘层的双层结构构成。栅电极3c由导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等导电膜构成，在半导体层1a的两侧，经由贯通栅极绝缘层2以及基底绝缘膜40的接触孔2a与扫描线3a导通(参照图6)。栅电极3c例如，具有导电性的多晶硅膜与钨硅化物膜的双层结构。在本方式中，以在透过了电光学装置100后的光被其它的部件反射时，防止这样的反射光射入半导体层1a而在像素晶体管30产生起因于光电流的误动作为目的，由遮光性的导电膜形成扫描线3a。但是，也可以在栅极绝缘层2的上层形成扫描线3a，并将其一部分作为栅电极3c。该情况下，图5所示的扫描线3a仅以遮光为目的形成。
在栅电极3c的上层侧(栅电极3c与像素电极9a之间)形成有透光性的层间绝缘膜41。层间绝缘膜41由通过等离子体CVD法等形成的硅氧化膜等构成。
在层间绝缘膜41的上层侧(层间绝缘膜41与像素电极9a之间)由同一种类的导电膜形成有源电极4a以及第一漏电极4b。源电极4a以及第一漏电极4b由导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等遮光性导电膜构成。在本方式中，源电极4a以及第一漏电极4b例如，由钛(Ti)膜、氮化钛(TiN)膜、以及铝(Al)膜的多层膜或者氮化钛膜与铝膜的多层膜等构成。源电极4a经由贯通层间绝缘膜41以及栅极绝缘层2的接触孔41a与源极区域1b导通。第一漏电极4b经由贯通层间绝缘膜41以及栅极绝缘层2的接触孔41b与漏极区域1c导通。源电极4a从与像素晶体管30的源极区域1b重合的位置向第二方向Y延伸，第一漏电极4b从与像素晶体管30的漏极区域1c重合的位置向第一方向X延伸(参照图7)。
在源电极4a以及第一漏电极4b的上层侧(源电极4a与像素电极9a之间)形成有透光性的层间绝缘膜42。层间绝缘膜42例如，由通过等离子体CVD法等形成的硅氧化膜等构成。在本方式中，层间绝缘膜42的表面通过化学机械研磨等成为平坦面420。
在层间绝缘膜42的上层侧(层间绝缘膜42与像素电极9a之间)由同一种类的导电膜形成有数据线5a以及第二漏电极5b。数据线5a以及第二漏电极5b由导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等遮光性导电膜构成。在本方式中，数据线5a以及第二漏电极5b例如，由钛膜、氮化钛膜、以及铝膜的多层膜或者氮化钛膜和铝膜的多层膜等构成。数据线5a经由贯通层间绝缘膜42的接触孔42a与源电极4a导通。第二漏电极5b经由贯通层间绝缘膜42的接触孔42b与第一漏电极4b导通。数据线5a在与第二像素间区域10h重合的区域，从与源电极4a重合的位置向第二方向Y延伸。第二漏电极5b在与第一像素间区域10g重合的区域，从与第一漏电极4b重合的位置向第一方向X延伸，并在第一方向X的大致中央位置经由接触孔42b与第一漏电极4b导通(参照图8)。
在数据线5a以及第二漏电极5b的上层侧(数据线5a与像素电极9a之间)形成有透光性的层间绝缘膜43。层间绝缘膜43例如，由通过等离子体CVD法等形成的硅氧化膜等构成。
保持电容55等的结构
在层间绝缘膜43的上层(层间绝缘膜43与像素电极9a之间)形成有施加了恒电位的电容线6a。电容线6a由导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等遮光性导电膜构成。在本方式中，电容线6a例如，由钛膜、氮化钛膜、以及铝膜的多层膜或者氮化钛膜和铝膜的多层膜等构成。电容线6a具备以俯视时与数据线5a重合的方式向第二方向Y延伸的干线部分6a1、和从干线部分6a1以俯视时与扫描线3a重合的方式向第一方向X的一侧X1突出的支线部分6a2，在支线部分6a2中与干线部分6a1连接的部分6a3的宽度比前端侧的宽度大(参照图9)。
在电容线6a的上层(电容线6a与像素电极9a之间)形成有透光性的层间绝缘膜44。层间绝缘膜44例如由通过等离子体CVD法等形成的硅氧化膜等构成。
在层间绝缘膜44形成有到达电容线6a的贯通孔44c。贯通孔44c具有从数据线5a与扫描线3a的交叉部分沿数据线5a向第二方向Y的一侧Y1延伸的第一部分44c1、和从数据线5a与扫描线3a的交叉部分沿扫描线3a向第一方向X的一侧X1延伸的第二部分44c2(参照图10)。
在贯通孔44c的内侧设有电容电极7a，电容电极7a在贯通孔44c的底部与电容线6a连接。电容电极7a由导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等遮光性导电膜构成。在本方式中，电容电极7a例如，由钛膜、氮化钛膜、以及铝膜的多层膜或者氮化钛膜和铝膜的多层膜等构成。电容电极7a形成在贯通孔44c的底部整体以及侧面整体，并且，形成到层间绝缘膜44的表面的一部分。因此，电容电极7a成为具备了贯通孔44c反映成的凹部7e的形状。电容电极7a具有从数据线5a与扫描线3a的交叉部分沿数据线5a向第二方向Y的一侧Y1延伸的第一部分7a1，且在俯视时与电容线6a的干线部分6a1重(参照图10)。另外，电容电极7a具有从数据线5a与扫描线3a的交叉部分沿扫描线3a向第一方向X的一侧X1延伸的第二部分7a2，且在俯视时与电容线6a的支线部分6a2重合(参照图10)。另外，在第二部分7a2中与第一部分7a1连接的部分7a3的宽度比前端侧的宽度大(参照图10)。
在电容电极7a的上层(电容电极7a与像素电极9a之间)形成有透光性的层间绝缘膜45。层间绝缘膜45例如由通过等离子体CVD法等形成的硅氧化膜等构成。在俯视时与贯通孔44c重合的区域不形成层间绝缘膜45，仅在电容电极7a中宽幅地形成的部分7a3(参照图10)、以及其周边形成层间绝缘膜45。另外，在俯视时与电容电极7a中宽幅地形成的部分7a3重合的部分形成有朝向像素电极9a突出的凸部45e。
在凸部45e的前端面45f以及贯通孔44c的内部形成有电介质层55e。电介质层55e形成于贯通孔44c的底部整体以及侧面整体，并且，形成在比电容电极7a宽的范围。作为电介质层55e，能够使用硅氧化膜、硅氮化膜等硅化合物，除此之外还能够使用铝氧化膜、钛氧化膜、钽氧化膜、铌氧化膜、铪氧化膜、镧氧化膜、锆氧化膜等高介电常数的介电膜。
在电介质层55e的上层(电介质层55e与像素电极9a之间)层叠有中继电极8a(第一电极)，中继电极8a形成在与层间绝缘膜44的表面的一部分重合的区域。中继电极8a由导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等遮光性导电膜构成。在本方式中，中继电极8a例如，由钛膜、氮化钛膜、以及铝膜的多层膜或者氮化钛膜和铝膜的多层膜等构成。中继电极8a具有从数据线5a与扫描线3a的交叉部分沿数据线5a向第二方向Y的一侧Y1延伸的第一部分8a1，且在俯视时与电容电极7a的第一部分7a1重合(参照图11)。另外，中继电极8a具有从数据线5a与扫描线3a的交叉部分沿扫描线3a向第一方向X的一侧X1延伸的第二部分8a2，且在俯视时与电容电极7a的第二部分7a2重合(参照图11)。第二部分7a2从俯视时与电容电极7a的第二部分7a2重合的位置进一步向第一方向X的一侧X1延伸，并经由贯通层间绝缘膜43、44的接触孔44b与第二漏电极5b导通(参照图11)。另外，第二部分8a2中与第一部分8a1连接的部分8a3的宽度比前端侧的宽度大，这样的部分8a2的一部分成为俯视时与层间绝缘膜45的凸部45e的前端面45f重合的导通部8c(参照图5)(参照图11)。
中继电极8a在俯视时在贯通孔44c的底部整体以及侧面整体与电容电极7a重合。另外，在中继电极8a与电容电极7a之间层叠有电介质层55e。因此，中继电极8a、电介质层55e、以及电容电极7a在贯通孔44c的底部整体以及侧面整体构成保持电容55。根据这样的结构，能够在狭窄的面积内，设置静电电容较高的保持电容55。
中继电极8a与像素电极9a的导通部分的结构
在中继电极8a与像素电极9a之间，形成有透光性的层间绝缘膜46(第一绝缘膜)。层间绝缘膜46例如由通过等离子体CVD法等形成的硅氧化膜等构成。在层间绝缘膜46形成有使导通部8c在像素电极9a侧露出的平坦面460，在平坦面460的开口部46a中，导通部8c露出。因此，像素电极9a与在开口部46a露出的导通部8c接触。
在本方式中，在层间绝缘膜46与像素电极9a之间形成透光性的绝缘膜47(第二绝缘膜)。在层间绝缘膜47形成有与从导通部8c的平坦面460的露出部分的至少一部分重合的开口部47a，像素电极9a在层间绝缘膜46的开口部46a的内侧、以及层间绝缘膜47的开口部47a的内侧与导通部8c接触。绝缘膜47的膜厚t比层间绝缘膜45的凸部45e的高度h薄。因此，开口部47a的深度较浅。另外，绝缘膜47的与基板主体10w相反的一侧的面(像素电极9a侧的面)成为平坦面470。在本方式中，绝缘膜47由硼掺杂硅酸盐玻璃等构成。
像素电极9a的结构
如图5以及图12所示，像素电极9a(第二电极)由在多个透光性导电膜之间层叠折射率调整用介电膜的层叠膜(IMITO膜：IndexMatched ITO)构成。在本方式中，像素电极9a具备依次层叠了第一透光性导电膜91a、折射率调整用介电膜96a以及第二透光性导电膜92a的三层结构。因此，通过调整第一透光性导电膜91a、折射率调整用介电膜96a以及第二透光性导电膜92a的各个的折射率、膜厚，能够抑制在像素电极9a的光的波长色散。
在本方式中，像素电极9a在俯视时与参照图4～图10进行说明的扫描线3a、数据线5a、电容线6a等遮光层10k重合的位置具备使第一透光性导电膜91a与第二透光性导电膜92a电连接的连接部99。更具体而言，首先，第一透光性导电膜91a与第二透光性导电膜92a的形成区域相同，具有相同形状且俯视时重合。另外，第一透光性导电膜91a以及第二透光性导电膜92a形成在比折射率调整用介电膜96a宽的范围，在俯视时与遮光层10k重合的位置，从折射率调整用介电膜96a的端部突出。因此，第一透光性导电膜91a以及第二透光性导电膜92a在由从折射率调整用介电膜96a的端部的突出部91e、92e构成的连接部99接触，并导通。在本方式中，第一透光性导电膜91a以及第二透光性导电膜92a遍及折射率调整用介电膜96a的整个从折射率调整用介电膜96a的端部突出。因此，连接部99以遍及折射率调整用介电膜96a的整个进行包围的方式设置。此外，在俯视时与像素电极9a和导通部8c的连接部分(开口部47a)重合的区域未形成折射率调整用介电膜96a。
电光学装置100的制造方法
参照图13～图16，对电光学装置100的制造工序中第一基板10的制造工序进行说明。图13～图16是表示应用了本发明的电光学装置100的制造方法的工序剖面图。此外，在图14～图16中，仅示出与数据线5a相比上层侧。
在图13所示的像素晶体管形成工序ST1中，形成像素晶体管30，之后形成层间绝缘膜41、源电极4a、以及第一漏电极4b。接下来，在数据线形成工序ST2中，形成层间绝缘膜42，之后形成接触孔42a、42b，其后，形成数据线5a以及第二漏电极5b。接下来，在电容线形成工序ST3中，形成层间绝缘膜43，之后形成电容线6a。
接下来，在图14所示的层间绝缘膜形成工序ST4中，形成层间绝缘膜44，之后在贯通孔形成工序ST5在层间绝缘膜44形成贯通孔44c。此时，也形成贯通层间绝缘膜44以及层间绝缘膜43的接触孔44b。接下来，在电容电极形成工序ST6中，形成导电膜，之后对导电膜进行图案化，形成电容电极7a。
接下来，在层间绝缘膜形成工序ST7中，形成层间绝缘膜45，之后在凸部形成工序ST8中，对层间绝缘膜45进行蚀刻，从形成贯通孔44c的区域除去层间绝缘膜45。此时，根据需要，进行多次掩膜形成工序以及蚀刻，在层间绝缘膜45形成朝向与基板主体10w相反的一侧突出的凸部45e。此外，也可以在通过使用了半色调掩膜的光刻法工序形成了蚀刻掩膜之后，进行蚀刻，形成具备了凸部45e的层间绝缘膜45。
接下来，在图15所示的保持电容形成工序ST9中，形成介电膜，之后对介电膜进行图案化，形成电介质层55e。接下来，形成导电膜，之后对导电膜进行图案化，形成中继电极8a。此外，也可以在形成电介质层55e之后，形成贯通层间绝缘膜44以及层间绝缘膜43的接触孔44b。
接下来，在层间绝缘膜形成工序ST10中，形成由硅氧化膜等构成的层间绝缘膜46。接下来，在平坦化工序ST11中，在层间绝缘膜46进行化学机械研磨等平坦化工序，使层间绝缘膜46的表面成为平坦面460。其结果，导通部8c在平坦面460的开口部46a露出，导通部8c构成与平坦面460连续的平面。接下来，在绝缘膜形成工序ST12中，形成由硼掺杂硅酸盐玻璃等构成的绝缘膜47。由于这样的绝缘膜47形成在层间绝缘膜46的平坦面460以及导通部8c的表面，所以表面成为平坦面470。接下来，在开口部形成工序ST13中，在绝缘膜47的俯视时与导通部8c重合的区域形成开口部47a。
接下来，进行图16所示的像素电极形成工序。在像素电极形成工序中，在第一工序ST14中，在绝缘膜47的表面(平坦面470)形成第一透光性导电膜91。接下来，在第二工序ST15中，在第一透光性导电膜91的表面(与基板主体10w相反的一侧)层叠由硅氧化膜、铝氧化膜等构成的折射率调整用介电膜96，之后在第三工序ST16中，在折射率调整用介电膜96中，对俯视时与参照图4等说明的遮光层10k重合的区域进行蚀刻，使第一透光性导电膜96在俯视时与遮光层10k重合的区域部分地露出。其结果，在被遮光层10k包围的区域(图4所示的透光区域9a0)残留折射率调整用介电膜96a。此时，进行相对于折射率调整用介电膜96a以及第一透光性导电膜91的蚀刻选择性较高的蚀刻，将第一透光性导电膜91作为蚀刻阻挡层对折射率调整用介电膜96进行蚀刻。
接下来，在第四工序ST17中，在折射率调整用介电膜96a的与表面(基板主体10w)相反的一侧层叠第二透光性导电膜92。其结果，在第一透光性导电膜91的从折射率调整用介电膜96a的露出部分形成使第一透光性导电膜91和第二透光性导电膜92连接的连接部99。即，在第一透光性导电膜91以及第二透光性导电膜92中，从折射率调整用介电膜96a的端部96e的突出部91e、92e重合地连接，形成连接部99。
接下来，在第五工序ST18中，以至少残留俯视时与透光区域9a0重合的部分以及连接部99的方式对第一透光性导电膜91以及第二透光性导电膜92进行图案化。在本方式中，在第五工序中，通过共用的蚀刻掩膜对第一透光性导电膜91以及第二透光性导电膜92进行蚀刻，以同一形状对第一透光性导电膜91以及第二透光性导电膜92进行图案化。其结果，由依次层叠了第一透光性导电膜91a、折射率调整用介电膜96a以及第二透光性导电膜92a的层叠膜，形成像素电极9a。在此之后，如图5所示，若在像素电极9a的表面形成定向膜16，则第一基板10完成。
根据这样的制造方法，由于通过共用的蚀刻掩膜对第一透光性导电膜91以及第二透光性导电膜92进行蚀刻，形成第一透光性导电膜91a以及第二透光性导电膜92a，所以有生产性较高这样的优点。另外，由于在第三工序ST16对折射率调整用介电膜96进行蚀刻时，将第一透光性导电膜91作为蚀刻阻挡层利用，所以能够可靠地从俯视时与遮光层10k重合的区域除去折射率调整用介电膜96。因此，在连接部99中，第一透光性导电膜91a与第二透光性导电膜92a可靠地导通。
本方式的主要的效果
如以上所说明的那样，中继电极8a(第一电极)具备与层间绝缘膜45的凸部45e重合的导通部8c，像素电极9a(第二电极)与从层间绝缘膜46(第一绝缘膜)的表面(平坦面460)露出的中继电极8a的导通部8c接触。因此，不容易在像素电极9a的表面产生较大的凹凸。另外，在层间绝缘膜46的表面(平坦面460)形成有比凸部45e的高度h薄的膜厚t的绝缘膜47(第二绝缘膜)，像素电极9a经由绝缘膜47的开口部47a与导通部8c导通。这样的绝缘膜47针对材质、膜厚等构成的自由度较高。因此，能够使绝缘膜47为硼掺杂硅酸盐玻璃，该情况下，从像素电极9a露出的面成为硼掺杂硅酸盐玻璃。因此，能够通过绝缘膜47吸附、保持在制造工序的中途侵入的水分、存在于液晶层50的水分，所以能够抑制起因于水分的液晶层50的劣化。另外，能够使绝缘膜47中，俯视时与像素电极9a重合的部分作为用于抑制光的波长色散的折射率调整用介电膜发挥作用。在该情况下，由于开口部47a较浅，所以在像素电极9a的表面也不容易产生较大的凹凸。这里，虽然不形成绝缘膜47，而使层间绝缘膜46为硼掺杂硅酸盐玻璃等也能够实现防止水分所引起的液晶层50的劣化，但由于在硼掺杂硅酸盐玻璃的情况下，膜厚容易不均匀，所以在层间绝缘膜46进行化学机械研磨使导通部8c露出的工序容易产生不均。然而在本方式中，由于在层间绝缘膜46与像素电极9a之间形成了由硼掺杂硅酸盐玻璃等构成的较薄的绝缘膜47，所以通过绝缘膜47实现防止水分所引起的液晶层50的劣化，并且通过在由硅氧化膜等构成的层间绝缘膜46进行化学机械研磨，能够稳定地进行使导通部8c露出的工序。
另外，凸部45e在俯视时与电容电极7a重合。因此，能够将电容电极7a的厚度等利用于凸部45e的形成。
另外，由于像素电极9a由层叠了第一透光性导电膜91a、折射率调整用介电膜96a、以及第二透光性导电膜92a的层叠膜构成，所以能够抑制透过像素电极9a的光的波长色散。另外，由于在像素电极9a设有连接第一透光性导电膜91a与第二透光性导电膜92a的连接部99，所以能够在第二透光性导电膜92a施加与第一透光性导电膜91a相同的电位。因此，不需要将较高的驱动电压施加给像素电极9a等，而能够适当地驱动液晶层50。另外，由于连接部99设在俯视时与遮光层10k重合的区域，所以不容易产生连接部99减少透过像素电极9a的光量这样的情况。
另外，连接部99由第一透光性导电膜91a以及第二透光性导电膜92a从折射率调整用介电膜96a的端部突出并接触的部分构成。因此，连接部99设在像素电极9a的端部，所以容易将连接部99设在俯视时与遮光层10k重合的区域。另外，由于连接部99以包围折射率调整用介电膜96a的周围的方式设置，所以能够减少像素电极9a整体的电阻。
变形例1
图17是应用了本发明的电光学装置的变形例1的说明图。此外，本例以及后述的变形例的基本的构成均与参照图1～图16进行说明的方式相同，所以在共同的部分附加同一附图标记并省略它们的说明。
在图5所示的方式中，像素电极9a是第一透光性导电膜91a、折射率调整用介电膜96a以及第二透光性导电膜92a的三层结构。与此相对，在本方式中，如图17所示，像素电极9a是依次层叠了第一透光性导电膜91a、折射率调整用介电膜96a、第二透光性导电膜92a、以及折射率调整用介电膜97a的四层结构。
变形例2
图18是应用了本发明的电光学装置的变形例2的说明图。如图18所示，像素电极9a是依次层叠了第一透光性导电膜91a、折射率调整用介电膜96a、第二透光性导电膜92a、折射率调整用介电膜97a、以及第三透光性导电膜93a的五层结构。这里，折射率调整用介电膜96a、97a具有相同的平面形状。另外，第一透光性导电膜91a、第二透光性导电膜92a、以及第三透光性导电膜93a具有相同的平面形状。在连接部99中，从折射率调整用介电膜96a的端部96e突出的第一透光性导电膜91a的突出部91e与第二透光性导电膜92a的突出部92e连接。另外，在连接部99中，从折射率调整用介电膜97a的端部97e突出的第二透光性导电膜92a的突出部92e与第三透光性导电膜93a的突出部93e连接。
其它的实施方式
在上述实施方式中，在像素电极9a中，第一透光性导电膜91a与第二透光性导电膜92a从折射率调整用介电膜96a的端部突出并连接，但只要连接部99在俯视时与遮光层10k重合，则也可以是在折射率调整用介电膜96a的端部以外的位置形成的接触孔成为第一透光性导电膜91a与第二透光性导电膜92a的连接部99。
在上述实施方式中，作为像素电极9a，例示了三层结构、四层结构、五层结构，但也可以将本发明应用于由六层以上的层叠膜构成像素电极9a的情况。
在上述实施方式中，像素电极9a为层叠膜，但在像素电极9a为单层膜的情况下，也可以采用本发明所涉及的像素电极9a和中继电极8a的导通结构。
在上述实施方式中，像素电极9a具有透光性，但在像素电极9a具有反射性的情况下，也可以采用本发明所涉及的像素电极9a和中继电极8a的导通结构。
在上述实施方式中，对将本发明应用于电光学装置100的例子进行了说明，但也可以将本发明应用于有机电致发光装置、电泳显示面板等液晶装置以外的电光学装置100。
电子设备的构成例
投射型显示装置的结构
图19是使用应用了本发明的电光学装置100的投射型显示装置110(电子设备)的一方式的概略结构图。此外，在以下的说明中，使用供给彼此不同的波长范围的光的多个电光学装置100，但任意的电光学装置100均使用应用了本发明的电光学装置100。
图19所示的投射型显示装置110是使用了透射型电光学装置100的液晶投影仪，向由屏幕111等构成的被投射部件照射光，显示图像。投射型显示装置110沿装置光轴L，具有照明装置160、供给从照明装置160射出的光的多个电光学装置100(液晶光阀115～117)、合成从多个电光学装置100射出的光并射出的十字分色棱镜119(光合成光学系统)、以及投射由十字分色棱镜119合成的光的投射光学系统118。另外，投射型显示装置110具备二向色镜113、114、以及中继系统120。在投射型显示装置110中，电光学装置100以及十字分色棱镜119构成光学单元200。
在照明装置160中，沿装置光轴L，依次配置光源部161、由复眼透镜等透镜阵列构成的第一积分透镜162、由复眼透镜等透镜阵列构成的第二积分透镜163、偏振转换元件164、以及聚光透镜165。光源部161具备射出包含红色光R、绿色光G以及蓝色光B的白色光的光源168、和反射器169。光源168由超高压水银灯等构成，反射器169具有抛物线状的剖面。第一积分透镜162以及第二积分透镜163使从光源部161射出的光的照度分布均匀化。偏振转换元件164使从光源部161射出的光例如成为s偏振光那样的具有特定的振动方向的偏振光。
二向色镜113使从照明装置160射出的光所包含的红色光R透过，并且反射绿色光G以及蓝色光B。二向色镜114使被二向色镜113反射的绿色光G以及蓝色光B中蓝色光B透过并且反射绿色光G。这样，二向色镜113、114构成将从照明装置160射出的光分离为红色光R、绿色光G以及蓝色光B的颜色分离光学系统。
液晶光阀115是根据图像信号对透过二向色镜113并被反射镜123反射的红色光R进行调制的透射型液晶装置。液晶光阀115具备λ/2相位差板115a、第一偏光板115b、电光学装置100(红色用电光学装置100R)、以及第二偏光板115d。这里，射入液晶光阀115的红色光R即使透过二向色镜113光的偏振光也不变化，所以保持为s偏振光。
λ/2相位差板115a是将射入液晶光阀115的s偏振光转换为p偏振光的光学元件。第一偏光板115b是遮断s偏振光并使p偏振光透过的偏光板。电光学装置100(红色用电光学装置100R)构成为通过与图像信号对应的调制将p偏振光转换为s偏振光(若是半色调则为圆偏振光或者椭圆偏振光)。第二偏光板115d是遮断p偏振光并使s偏振光透过的偏光板。因此，液晶光阀115根据图像信号对红色光R进行调制，并朝向十字分色棱镜119射出调制后的红色光R。λ/2相位差板115a以及第一偏光板115b以与不使偏振光转换的透光性的玻璃板115e接触的状态配置，能够避免λ/2相位差板115a以及第一偏光板115b由于发热而形变。
液晶光阀116是根据图像信号调制被二向色镜113反射之后被二向色镜114反射的绿色光G的透射型液晶装置。液晶光阀116与液晶光阀115相同，具备第一偏光板116b、电光学装置100(绿色用电光学装置100G)、以及第二偏光板116d。射入液晶光阀116的绿色光G是被二向色镜113、114反射而射入的s偏振光。第一偏光板116b是遮断p偏振光并使s偏振光透过的偏光板。电光学装置100(绿色用电光学装置100G)构成为通过与图像信号对应的调制将s偏振光转换为p偏振光(若是半色调则为圆偏振光或者椭圆偏振光)。第二偏光板116d是遮断s偏振光并使p偏振光透过的偏光板。因此，液晶光阀116根据图像信号调制绿色光G，并朝向十字分色棱镜119射出调制后的绿色光G。
液晶光阀117是根据图像信号调制被二向色镜113反射，透过二向色镜114之后经过中继系统120的蓝色光B的透射型液晶装置。液晶光阀117与液晶光阀115、116相同，具备λ/2相位差板117a、第一偏光板117b、电光学装置100(蓝色用电光学装置100B)、以及第二偏光板117d。射入液晶光阀117的蓝色光B被二向色镜113反射并透过二向色镜114之后被中继系统120的两个反射镜125a、125b反射，所以成为s偏振光。
λ/2相位差板117a是将射入液晶光阀117的s偏振光转换为p偏振光的光学元件。第一偏光板117b是遮断s偏振光并使p偏振光透过的偏光板。电光学装置100(蓝色用电光学装置100B)构成为通过与图像信号对应的调制将p偏振光转换为s偏振光(若是半色调则为圆偏振光或者椭圆偏振光)。第二偏光板117d是遮断p偏振光使s偏振光透过的偏光板。因此，液晶光阀117根据图像信号对蓝色光B进行调制，并朝向十字分色棱镜119射出调制后的蓝色光B。此外，λ/2相位差板117a、以及第一偏光板117b以与玻璃板117e接触的状态配置。
中继系统120具备中继透镜124a、124b和反射镜125a、125b。为了防止蓝色光B的光路较长所引起的光损耗而设置中继透镜124a、124b。中继透镜124a配置在二向色镜114与反射镜125a之间。中继透镜124b配置在反射镜125a、125b之间。反射镜125a朝向中继透镜124b反射透过二向色镜114并从中继透镜124a射出的蓝色光B。反射镜125b朝向液晶光阀117反射从中继透镜124b射出的蓝色光B。
十字分色棱镜119是将两个分光膜119a、119b正交配置为X形的颜色合成光学系统。分光膜119a是反射蓝色光B并透过绿色光G的膜，分光膜119b是反射红色光R并透过绿色光G的膜。因此，十字分色棱镜119合成被液晶光阀115～117的各个调制后的红色光R、绿色光G和蓝色光B，并朝向投射光学系118射出。
此外，从液晶光阀115、117射入十字分色棱镜119的光是s偏振光，从液晶光阀116射入十字分色棱镜119的光是p偏振光。通过像这样使射入十字分色棱镜119的光为不同种类的偏振光，能够在十字分色棱镜119中合成从各液晶光阀115～117射入的光。这里，一般来说，分光膜119a、119b对s偏振光的反射特性优异。因此，使被分光膜119a、119b反射的红色光R、以及蓝色光B为s偏振光，并使透过分光膜119a、119b的绿色光G为p偏振光。投射光学系统118具有投影透镜(图示省略)，将被十字分色棱镜119合成的光投射到屏幕111等被投射部件。
其它的投射型显示装置
在上述投射型显示装置中，使用透射型电光学装置100，但也可以使用反射型电光学装置100构成投射型显示装置。另外，在投射型显示装置中，也可以构成为作为光源部，使用射出各颜色的光的LED光源等，并将从这样的LED光源射出的颜色光分别供给至独立的液晶装置。
其它的电子设备
对于应用了本发明的电光学装置100，chuck上述的电子设备之外，也可以在移动电话机、信息移动终端(PDA：Personal DigitalAssistants)，数字照相机、液晶电视、车辆导航装置、可视电话、POS终端、具备触摸面板的设备等电子设备中作为直视型显示装置使用。
附图标记说明：1a…半导体层，1b…源极区域，1c…漏极区域，1g…沟道区域，2…栅极绝缘层，3a…扫描线，3c…栅电极，4a…源电极，4b…第一漏电极，5a…数据线，5b…第二漏电极，6a…电容线，7a…电容电极，8a…中继电极(第一电极)，9a…像素电极(第二电极)，10…第一基板，10f…像素间区域，10g…第一像素间区域，10h…第二像素间区域，20…第二基板，21…共用电极，30…像素晶体管，41、42、43、44…层间绝缘膜，44c…贯通孔，45…层间绝缘膜，45e…凸部，45f…凸部的前端面，46…层间绝缘膜(第一绝缘膜)，46a…开口部，47…绝缘膜(第二绝缘膜)，47a…开口部，50…液晶层，55…保持电容，55e…电介质层，91a…第一透光性导电膜，91e、92e、93e…突出部，92a…第二透光性导电膜，93a…第一透光性导电膜，96a、97a…折射率调整用介电膜，100…电光学装置，100a…像素，110…投射型显示装置，460、470…平坦面。

Claims (13)

1.一种电光学装置，其特征在于，具有：
基板；
凸部，其在上述基板的一面侧向与上述基板相反的一侧突出；
第一电极，上述第一电极的一部分与上述凸部的前端面重合；
第一绝缘膜，其相对于上述第一电极形成在与上述基板相反的一侧且在与上述基板相反的一侧具备平坦面；
第二绝缘膜，其相对于上述第一绝缘膜在与上述基板相反的一侧以比上述凸部的高度薄的膜厚形成；以及
第二电极，其相对于上述第二绝缘膜形成在与上述基板相反的一侧，
上述第一电极经由在俯视时与上述凸部的前端面重合的部分中上述第一绝缘膜与上述第二绝缘膜被开口的部分，与上述第二电极导通。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
在上述基板与上述第一电极之间具有像素晶体管，
上述第二电极是像素电极，
上述第一电极是与上述像素晶体管电连接的中继电极。
3.根据权利要求2所述的电光学装置，其特征在于，
上述第二绝缘膜包含硼掺杂硅酸盐玻璃。
4.根据权利要求2或者3所述的电光学装置，其特征在于，
上述像素电极至少具备：层叠在上述第二绝缘膜的与上述基板相反的一侧的第一透光性导电膜、和层叠在上述第一透光性导电膜的与上述基板相反的一侧的折射率调整用介电膜。
5.根据权利要求4所述的电光学装置，其特征在于，
上述像素电极还具备层叠在上述折射率调整用介电膜的与上述基板相反的一侧的第二透光性导电膜。
6.根据权利要求5所述的电光学装置，其特征在于，
在上述基板与上述像素电极之间设置有规定上述像素电极的透光区域的遮光层，
上述像素电极在俯视时与上述遮光层重合的位置具备使上述第一透光性导电膜与上述第二透光性导电膜电连接的连接部。
7.根据权利要求6所述的电光学装置，其特征在于，
上述连接部是上述第一透光性导电膜以及上述第二透光性导电膜从上述折射率调整用介电膜的端部突出而接触的部分。
8.根据权利要求7所述的电光学装置，其特征在于，
上述第一透光性导电膜与上述第二透光性导电膜形成为相同的形状。
9.根据权利要求7或者8所述的电光学装置，其特征在于，
上述连接部设置成包围上述折射率调整用介电膜的周围。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的电光学装置，其特征在于，具有：
电容电极，其设置成俯视时与上述第一电极重合，并被施加恒电位；和
电介质层，其层叠在上述第一电极与上述电容电极之间。
11.根据权利要求10所述的电光学装置，其特征在于，
上述凸部在俯视时与上述电容电极重合。
12.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～11中任一项所述的电光学装置。
13.根据权利要求12所述的电子设备，其特征在于，具有：
光源部，其射出照射到上述电光学装置的照明光；和
投射光学系统，其投射已被上述电光学装置调制的光。
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