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CN105892178A - 液晶透镜 - Google Patents

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CN105892178A CN201610472247.2A CN201610472247A CN105892178A CN 105892178 A CN105892178 A CN 105892178A CN 201610472247 A CN201610472247 A CN 201610472247A CN 105892178 A CN105892178 A CN 105892178A
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Abstract

本发明提供一种液晶透镜，该液晶透镜包括第一基板、配置于第一基板上的第一电极、第二电极、配置于第一基板上的第一导电图案与第二导电图案、相对于第一基板的第二基板、配置于第二基板上的共用电极及位于第一基板、第二基板之间的液晶层。第一导电图案及第二导电图案电连接于第一电极、第二电极之间。第一导电图案的电阻率及第二导电图案的电阻率大于第一电极、第二电极的电阻率。第一导电图案与第二导电图案之一的电阻率不同。第二导电图案穿插在第一导电图案中。第一导电图案与第二导电图案彼此电连接。

Description

液晶透镜
技术领域
本发明是有关于一种透镜，且特别是有关于一种液晶透镜。
背景技术
电子装置(例如：手机、计算机等)多设有具备对焦功能的镜头。一般而言，镜头大多利用音圈电机(Voice Coil Motor；VCM)调整其内部透镜的位置，进而达到对焦效果。音圈电机具有低成本、模块厚度小的优点，因而被广泛使用。然而，音圈电机的缺点是，横向尺寸(lateral size)偏大，且较易因外力受损。
因此，有人欲采用液晶透镜(LC lens)取代包括音圈电机的镜头。电子装置搭载液晶透镜的优点是，液晶透镜的横向尺寸小，且相较于包括音圈电机的镜头来得省电。然而，为达到一般镜头的焦距要求，相邻两个电极的间距(pitch)往往会远大于液晶透镜的间隙(cell gap)。举例而言，液晶透镜的电极间距约数个毫米(mm)，而液晶透镜的间隙约数个微米(μm)。当液晶透镜的电极间距与其间隙差距过大时，电力线的分布会被局限在电极附近，而使液晶透镜无法具有良好的光学特性。
发明内容
本发明提供一种液晶透镜，其光学特性佳。
本发明的液晶透镜包括第一基板、配置于第一基板上的第一电极、第二电极、配置于第一基板上的至少一第一导电图案与至少一个第二导电图案、相对于第一基板的第二基板、配置于第二基板上的共用电极及位于第一基板、第二基板之间的液晶层。第一导电图案及第二导电图案电连接于第一电极、第二电极之间。第一导电图案的电阻率及第二导电图案的电阻率大于第一电极、第二电极的电阻率。第一导电图案的电阻率与第二导电图案的电阻率不同。第二导电图案穿插在第一导电图案中。第一导电图案与第二导电图案彼此电连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一导电图案覆盖第一电极与第二电极，而至第一导电图案的电阻率小于每一第二导电图案的电阻率。
在本发明的一实施例中，上述的第一导电图案覆盖第一电极与第二电极，而第一导电图案的电阻率大于每一第二导电图案的电阻率。
在本发明的一实施例中，上述的第一导电图案具有至少一开口，第二导电图案填入开口且覆盖第一导电图案、第一电极与第二电极。
在本发明的一实施例中，上述的第一导电图案的材质以及第二导电图案的材质之一为N型掺杂半导体，而第一导电图案的材质以及第二导电图案的材质之另一为未掺杂的半导体。
在本发明的一实施例中，上述的液晶透镜更包括第三导电图案以及第四导电图案。第四导电图案穿插在第三导电图案中。第三导电图案以及第四导电图案配置于第一导电图案以及第二导电图案上且电连接于第一电极与第二电极之间。第三导电图案的电阻率以及第四导电图案的电阻率大于第一电极的电阻率以及第二电极的电阻率。第三导电图案与第四导电图案之一的电阻率小于第三导电图案与第四导电图案之另一的电阻率。第三导电图案与第四导电图案的电阻率较小的一个与第一导电图案与第二导电图案的电阻率较小的一个错开，或者第三导电图案与第四导电图案的电阻率较大的一个与第一导电图案与第二导电图案的电阻率较大的一个错开。
在本发明的一实施例中，上述的第三导电图案与第四导电图案的电阻率较小一个的材质与第一导电图案与第二导电图案的电阻率较小一个的材质相同。
在本发明的一实施例中，上述的第四导电图案覆盖第三导电图案。
在本发明的一实施例中，上述的第一导电图案以及第二导电图案位于同一第一半导体层，第一导电图案与第二导电图案之一的材质为N型掺杂的部分第一半导体层，而第一导电图案与第二导电图案之另一的材质为未掺杂的另一部分的第一半导体层。第三导电图案以及第四导电图案位于同一第二半导体层，第三导电图案与第四导电图案之一的材质为N型掺杂的部分第二半导体层，而第三导电图案与第四导电图案之另一的材质为未掺杂的另一部分的第二半导体层。
在本发明的一实施例中，上述的至少一第二导电图案为多个第二导电图案。多个第二导电图案平均分布于第一电极与第二电极之间。
在本发明的一实施例中，上述的至少一第二导电图案为多个第二导电图案。多个第二导电图案随机分散在第一电极与第二电极之间。
在本发明的一实施例中，上述的第一导电图案的材质包括金属氧化物、N型掺杂的半导体、低温氧化硅、低温氧化氮或未经掺杂的半导体。
基于上述，在本发明一实施例的液晶透镜中，高阻值且电阻率不同的第一导电图案、第二导电图案电连接于液晶透镜的第一电极、第二电极之间。电压在高电阻的导电图案的两侧会产生电压降。藉此，第一电极到第二电极之间可形成多段电压降。利用所述多段电压降，第一电极、第二电极之间的电压差在液晶层中形成的电力线可理想地分布在第一电极、第二电极之间，而不易局限在第一电极、第二电极附近，进而使液晶透镜具有良好的光学特性。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的液晶透镜的剖面示意图；
图2为本发明另一实施例的液晶透镜的剖面示意图；
图3为本发明又一实施例的液晶透镜的剖面示意图；
图4为本发明再一实施例的液晶透镜的剖面示意图；
图5为本发明一实施例的液晶透镜的剖面示意图；
图6为本发明另一实施例的液晶透镜的剖面示意图；
图7为本发明又一实施例的液晶透镜的剖面示意图；
图8为本发明一实施例的第一导电图案、第二导电图案的上视示意图；
图9为本发明另一实施例的第一导电图案、第二导电图案的上视示意图。
附图标记
100、100A～100F：液晶透镜
110：第一基板
110a：承载面
112、112A、112C～112F：第一导电图案
112a：开口
114、114A、114B、114C～114F：第二导电图案
118、118F：第三导电图案
119、119F：第四导电图案
120：第二基板
122：共用电极
130：液晶层
132a、132b：液晶分子
E1：第一电极
E2：第二电极
x、z：方向
具体实施方式
图1为本发明一实施例的液晶透镜的剖面示意图。请参照图1，液晶透镜100包括第一基板110、第一电极E1、第二电极E2、至少一个第一导电图案112、多个第二导电图案114、第二基板120、共用电极122以及液晶层130。第一电极E1与第二电极E2配置于第一基板110上。第二电极E2实质上环绕第一电极E1。举例而言，在本实施例中，第一电极E1可设置于一个圆形的圆心上，而第二电极E2可分布于所述圆形的圆周上。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，第一电极E1与第二电极E2也可视实际需求做其他适当的图案设计。在本实施例中，第一基板110可为透光基板。举例而言，第一基板110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是其它适当材料。基于导电性考量，第一电极E1与第二电极E2一般是使用金属材料。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，第一电极E1与第二电极E2也可使用其他适当导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。
请参照图1，第二基板120设置于第一基板110的对向。共用电极122配置于第二基板120上。在本实施例中，共用电极122可全面性地覆盖第二基板120。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，共用电极122也可具有其他适当图案。液晶层130配置于第一基板110与第二基板120之间。在本实施例中，液晶层130的液晶分子132a、132b可选择性地采用向列型(nematic)液晶分子，但本发明不限于此，在其他实施例中，液晶层130的液晶分子132a、132b也可采用其他适当类型的液晶分子。第二基板120可为透光基板。举例而言，第二基板120的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是其它适当材料。在本实施例中，共用电极122例如是透明导电层，其包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两个的堆叠层。
第一导电图案112及第二导电图案114配置于第一基板110上。第二导电图案114穿插在第一导电图案112中。第一导电图案112与第二导电图案114彼此电连接。第一导电图案112与第二导电图案114电连接于第一电极E1与第二电极E2之间。第一导电图案112的电阻率(resistivity)及第二导电图案114的电阻率大于第一电极E1的电阻率及第二电极E2的电阻率。换言之，第一导电图案112、第二导电图案114举例皆为高阻值的导电材料。
第一导电图案112与第二导电图案114之一的电阻率大于第一导电图案112与第二导电图案114之另一的电阻率。具体而言，在本实施例中，第一导电图案112覆盖第一电极E1与第二电极E2，而第一导电图案112的电阻率可小于第二导电图案114的电阻率。举例而言，第一导电图案112的材质可为电阻率较小金属氧化物(例如：铟锡氧化物；ITO)，而第二导电图案114的材质可为电阻率较大的金属氧化物(例如：氧化铟镓锌；IGZO)。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，也可选用其他适当材料制作第一导电图案112、第二导电图案114。
值得一提的是，由于第一导电图案112与第二导电图案114电连接于第一电极E1与第二电极E2之间，且第一导电图案112与第二导电图案114之一的电阻率小于第一导电图案112与第二导电图案114之另一的电阻率，因此电压在高电阻导电图案(例如：图1的每一第二导电图案114)的两侧会产生电压降。藉此，第一电极E1到第二电极E2之间可形成多段电压降。利用所述多段电压降，第一电极E1、第二电极E2的电压差在液晶层130中形成的电力线可理想地分布在第一电极E1、第二电极E2之间，而减少或避免局限在第一电极E1、第二电极E2附近，进而使液晶透镜100具有良好的光学特性。
举例而言，当第一电极E1的电位小于第二电极E2的电位时，第一电极E1、第二电极E2的电压差在液晶层130中形成的电力线分布可使液晶层130的液晶分子132b的光轴以特定方式排列，进而使液晶透镜100具有良好的凸透镜特性。当第二电极E2的电位小于第一电极E1的电位时，第一电极E1、第二电极E2的电压差在液晶层130中形成的电力线分布可使液晶层130的液晶分子132a的光轴以另一特定方式排列，进而使液晶透镜100具有良好的凹透镜特性。
图2为本发明另一实施例的液晶透镜的剖面示意图。请参照图2，图2所示的液晶透镜100A与图1所示的液晶透镜100类似，因此相同或相对应的元件，以相同或相对应的附图标记表示。液晶透镜100A与液晶透镜100的差异在于：液晶透镜100A的覆盖第一电极E1、第二电极E2的第一导电图案112A的电阻率较其第二导电图案114A的电阻率大，而不像液晶透镜100的覆盖第一电极E1、第二电极E2的第一导电图案112的电阻率较其第二导电图案114的电阻率小。以下主要就此差异处做说明，两者相同处还请依照图2中的附图标记参照前述说明，于此便不再重述。
请参照图2，液晶透镜100A包括第一基板110、第一电极E1、第二电极E2、至少一个第一导电图案112A、多个第二导电图案114A、第二基板120、共用电极122以及液晶层130。第一电极E1与第二电极E2配置于第一基板110上。第二电极E2实质上环绕第一电极E1。第二基板120设置于第一基板110的对向。共用电极122配置于第二基板120上。第一导电图案112A及第二导电图案114A配置于第一基板110上。第二导电图案114A穿插在第一导电图案112A中。第一导电图案112A与第二导电图案114A彼此电连接。第一导电图案112A与第二导电图案114A电连接于第一电极E1与第二电极E2之间。第一导电图案112A的电阻率以及第二导电图案114A的电阻率大于第一电极E1的电阻率以及第二电极E2的电阻率。
第一导电图案112A与第二导电图案114A之一的电阻率大于第一导电图案112A与第二导电图案114A之另一的电阻率。与图1的实施例不同的是，第一导电图案112A覆盖第一电极E1与第二电极E2，而第一导电图案112A的电阻率大于第二导电图案114A的电阻率。举例而言，在本实施例中，第一导电图案112A的材质可为电阻率较大金属氧化物(例如：氧化铟镓锌；IGZO)，而第二导电图案114A的材质可为电阻率较小的金属氧化物(例如：铟锡氧化物；ITO)。但本发明不限于此，在其他实施例中，也可选用其他适当材质制作第一导电图案112A、第二导电图案114A。液晶透镜100A具有与液晶透镜100类似的功效与优点，于此便不再重述。
图3为本发明又一实施例的液晶透镜的剖面示意图。请参照图3，图3所示的液晶透镜100B与图1所示的液晶透镜100类似，因此相同或相对应的元件，以相同或相对应的附图标记表示。液晶透镜100B与液晶透镜100的差异在于：液晶透镜100B的第二导电图案114B除了填入第一导电图案112的开口112a外，更覆盖第一导电图案112，且由第一电极E1上方延伸到第二电极E2上方。以下主要就此差异处做说明，两者相同处还请依照图3中的附图标记参照前述说明，于此便不再重述。
请参照图3，液晶透镜100B包括第一基板110、第一电极E1、第二电极E2、至少一个第一导电图案112、多个第二导电图案114B、第二基板120、共用电极122以及液晶层130。第一电极E1与第二电极E2配置于第一基板110上。第二电极E2实质上环绕第一电极E1。第二基板120设置于第一基板110的对向。共用电极122配置于第二基板120上。第一导电图案112及第二导电图案114B配置于第一基板110上。第二导电图案114B穿插在第一导电图案112中。第一导电图案112与第二导电图案114B彼此电连接。第一导电图案112与第二导电图案114B电连接于第一电极E1与第二电极E2之间。第一导电图案112的电阻率以及第二导电图案114B的电阻率大于第一电极E1的电阻率以及第二电极E2的电阻率。第一导电图案112与第二导电图案114之一的电阻率大于第一导电图案112与第二导电图案114之另一的电阻率。第一导电图案112覆盖第一电极E1与第二电极E2。在本实施例中，第一导电图案112的电阻率可大于第二导电图案114的电阻率，但本发明不限于此。
第一导电图案112具有开口112a。与图1的实施例不同的是，液晶透镜100B的第二导电图案114B除了填入第一导电图案112的开口112a外，更覆盖第一导电图案112，且由第一电极E1上方延伸到第二电极E2上方。液晶透镜100B具有与液晶透镜100类似的功效与优点，于此便不再重述。
图4为本发明再一实施例的液晶透镜的剖面示意图。请参照图4，图4所示的液晶透镜100C与图3所示的液晶透镜100B类似，因此相同或相对应的元件，以相同或相对应的附图标记表示。液晶透镜100C与液晶透镜100B的差异在于：液晶透镜100C的覆盖第一电极E1、第二电极E2的第一导电图案112C的电阻率较其第二导电图案114C的电阻率大，而不像液晶透镜100B的覆盖第一电极E1、第二电极E2的第一导电图案112的电阻率较其第二导电图案114的电阻率小。以下主要就此差异处做说明，两者相同处还请依照图4中的附图标记参照前述说明，于此便不再重述。
液晶透镜100C包括第一基板110、第一电极E1、第二电极E2、至少一个第一导电图案112C、多个第二导电图案114C、第二基板120、共用电极122以及液晶层130。第一电极E1与第二电极E2配置于第一基板110上。第二电极E2实质上环绕第一电极E1。第二基板120设置于第一基板110的对向。共用电极122配置于第二基板120上。第一导电图案112C及第二导电图案114C配置于第一基板110上。第二导电图案114C穿插在第一导电图案112C中。第一导电图案112C与第二导电图案114C彼此电连接。第一导电图案112C与第二导电图案114C电连接于第一电极E1与第二电极E2之间。第一导电图案112C的电阻率以及第二导电图案114C的电阻率大于第一电极E1的电阻率以及第二电极E2的电阻率。第一导电图案112C与第二导电图案114C之一的电阻率大于第一导电图案112C与第二导电图案114C之另一的电阻率。
第一导电图案112具有开口112a。液晶透镜100C的第二导电图案114C除了填入第一导电图案112的开口112a外，更覆盖第一导电图案112，且由第一电极E1上方延伸到第二电极E2上方。与图3的实施例不同的是，第一导电图案112C覆盖第一电极E1与第二电极E2，而第一导电图案112C的电阻率大于第二导电图案114C的电阻率。液晶透镜100C具有与液晶透镜100B类似的功效与优点，于此便不再重述。
图5为本发明一实施例的液晶透镜的剖面示意图。请参照图5，图5所示的液晶透镜100D与图1所示的液晶透镜100类似，因此相同或相对应的元件，以相同或相对应的附图标记表示。液晶透镜100D与液晶透镜100的差异在于：液晶透镜100D的第一导电图案112D、第二导电图案114D的材质与液晶透镜100的第一导电图案112、第二导电图案114的材质不同。以下主要就此差异处做说明，两者相同处还请依照图5中的附图标记参照前述说明，于此便不再重述。
请参照图5，液晶透镜100D包括第一基板110、第一电极E1、第二电极E2、至少一个第一导电图案112D、多个第二导电图案114D、第二基板120、共用电极122以及液晶层130。第一电极E1与第二电极E2配置于第一基板110上。第二电极E2实质上环绕第一电极E1。第二基板120设置于第一基板110的对向。共用电极122配置于第二基板120上。第一导电图案112D及第二导电图案114D配置于第一基板110上。第二导电图案114D穿插在第一导电图案112D中。第一导电图案112D与第二导电图案114D彼此电连接。第一导电图案112D与第二导电图案114D电连接于第一电极E1与第二电极E2之间。第一导电图案112D的电阻率以及第二导电图案114D的电阻率大于第一电极E1的电阻率以及第二电极E2的电阻率。第一导电图案112D与第二导电图案114D之一的电阻率大于第一导电图案112D与第二导电图案114D之另一的电阻率。
与图1的实施例不同的是，第一导电图案112D的材质与第二导电图案114D的材质之一为N型掺杂半导体，而第一导电图案112D的材质与第二导电图案114D的材质之另一为未掺杂半导体。举例而言，在图5的实施例中，覆盖第一电极E1、第二电极E2的第一导电图案112D的材质可为N型掺杂半导体(例如：N型掺杂多晶硅)，而穿插在第一导电图案112D中的第二导电图案114D的材质可为未掺杂半导体(例如：未掺杂的多晶硅)。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，覆盖第一电极E1、第二电极E2的第一导电图案112D的材质也可为未掺杂半导体，而穿插在第一导电图案112D中的第二导电图案114D的材质也可为N型掺杂半导体。液晶透镜100D具有与液晶透镜100类似的功效与优点，于此便不再重述。
图6为本发明另一实施例的液晶透镜的剖面示意图。请参照图6，图6所示的液晶透镜100E与图1所示的液晶透镜100类似，因此相同或相对应的元件以相同或相对应的附图标记表示。液晶透镜100E与液晶透镜100的主要差异在于：液晶透镜100E更包括第三导电图案118与第四导电图案119。以下主要就此差异处做说明，两者相同处还请依照图6中的附图标记参照前述说明，于此便不再重述。
请参照图6，液晶透镜100E包括第一基板110、第一电极E1、第二电极E2、至少一个第一导电图案112E、多个第二导电图案114E、第二基板120、共用电极122以及液晶层130。第一电极E1与第二电极E2配置于第一基板110上。第二电极E2实质上环绕第一电极E1。第二基板120设置于第一基板110的对向。共用电极122配置于第二基板120上。第一导电图案112E及第二导电图案114E配置于第一基板110上。第二导电图案114E穿插在第一导电图案112E中。第一导电图案112E与第二导电图案114E彼此电连接。第一导电图案112E与第二导电图案114E电连接于第一电极E1与第二电极E2之间。第一导电图案112E的电阻率以及第二导电图案114E的电阻率大于第一电极E1的电阻率以及第二电极E2的电阻率。第一导电图案112E与第二导电图案114E之一的电阻率大于第一导电图案112E与第二导电图案114E之另一的电阻率。
与图1的实施例不同的是，液晶透镜100E更包括配置于第一基板110上的第三导电图案118与第四导电图案119。第四导电图案119穿插在第三导电图案118中。在本实施例中，第四导电图案119更可覆盖第三导电图案118。第三导电图案118以及第四导电图案119配置于第一导电图案112以及第二导电图案114上且电连接于第一电极E1与第二电极E2之间。第三导电图案118的电阻率以及第四导电图案119的电阻率大于第一电极E1的电阻率以及第二电极E2的电阻率。第三导电图案118与第四导电图案119之一的电阻率小于第三导电图案118与第四导电图案119之另一的电阻率。
第三导电图案118与第四导电图案119的电阻率较小的一个与第一导电图案112E与第二导电图案114E的电阻率较小的一个在方向z上错开。第一基板110具有承载面110a，而方向z与承载面110a的法线方向平行。举例而言，在图6的实施例中，第一导电图案112E覆盖第一电极E1、第二电极E2，而第二导电图案114E的电阻率可小于第一导电图案112E的电阻率。第三导电图案118的电阻率可小于第四导电图案119的电阻率。第二导电图案114E与第三导电图案118在方向z上错开。换言之，第二导电图案114E与第三导电图案118在方向z上不重叠。第三导电图案118与第四导电图案119的电阻率较小一个(例如：第三导电图案118)的材质与第一导电图案112E与第二导电图案114E的电阻率较小一个(例如：第二导电图案114E)的材质可相同。换言之，第二导电图案114E与第三导电图案118可属于同一膜层。在本实施例中，第三导电图案118与第二导电图案114E的材质可为金属氧化物，例如：铟锡氧化物(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)等；第一导电图案112E及第四导电图案119的材质可为崩溃电压低(或者说，漏电流高)的氧化物，例如：低温氧化硅(SiOx)、低温氧化氮(SiNx)等，但本发明不以此为限。
值得一提的是，通过第三导电图案118与第四导电图案119的设置，在第一电极E1与第二电极E2之间的范围内，不仅在第一电极E1指向第二电极E2的方向x上可形成多段电压降，更可在与方向x交错的方向z上形成多段电压降。藉此，第一电极E1、第二电极E2的电压差在液晶层130中形成的电力线分布可更接近理想状态，以使液晶层130的液晶分子132a、132b的光轴沿指定方向排列，进而使液晶透镜100E具有更佳的光学特性。
图7为本发明又一实施例的液晶透镜的剖面示意图。请参照图7，图7所示的液晶透镜100F与图6所示的液晶透镜100E类似，因此相同或相对应的元件以相同或相对应的附图标记表示。液晶透镜100F与液晶透镜100E的主要差异在于：液晶透镜100F的第一、二、三、四导电图案112F、114F、118F、119F的材质与液晶透镜100E的第一、二、三、四导电图案112E、114E、118、119的材质不同；液晶透镜100F的第四导电图案119F与液晶透镜100E的第四导电图案119不同。以下主要就此差异处做说明，两者相同处还请依照图7中的附图标记参照前述说明，于此便不再重述。
请参照图7，液晶透镜100F包括第一基板110、第一电极E1、第二电极E2、至少一个第一导电图案112F、多个第二导电图案114F、第二基板120、共用电极122以及液晶层130。第一电极E1与第二电极E2配置于第一基板110上。第二电极E2实质上环绕第一电极E1。第二基板120设置于第一基板110的对向。共用电极122配置于第二基板120上。第一导电图案112F及第二导电图案114F配置于第一基板110上。第二导电图案114F穿插在第一导电图案112F中。第一导电图案112F与第二导电图案114F彼此电连接。第一导电图案112F与第二导电图案114F电连接于第一电极E1与第二电极E2之间。第一导电图案112F的电阻率以及第二导电图案114F的电阻率大于第一电极E1的电阻率以及第二电极E2的电阻率。第一导电图案112F与第二导电图案114F之一的电阻率大于第一导电图案112F与第二导电图案114F之另一的电阻率。
液晶透镜100F更包括配置于第一基板110上的第三导电图案118F与第四导电图案119F。第四导电图案119F穿插在第三导电图案118F中。第三导电图案118F以及第四导电图案119F配置于第一导电图案112以及第二导电图案114上且电连接于第一电极E1与第二电极E2之间。第三导电图案118F的电阻率以及第四导电图案119F的电阻率大于第一电极E1的电阻率以及第二电极E2的电阻率。第三导电图案118F与第四导电图案119F之一的电阻率小于第三导电图案118F与第四导电图案119F之另一的电阻率。
第三导电图案118F与第四导电图案119F的电阻率较大的一个与第一导电图案112F与第二导电图案114F的电阻率较大的一个在方向z上错开。第一基板110具有承载面110a，而方向z与承载面110a的法线方向平行。举例而言，在图7的实施例中，第一导电图案112F覆盖第一电极E1、第二电极E2，而第二导电图案114F的电阻率可大于第一导电图案112F的电阻率。第四导电图案119F覆盖第一电极E1、第二电极E2，而第三导电图案118F的电阻率可大于第四导电图案119F的电阻率。第二导电图案114F与第三导电图案118F在方向z上错开。
在图7的实施例中，第一导电图案112F以及第二导电图案114F可位于同一第一半导体层。第一导电图案112F与第二导电图案114F之一(例如：第一导电图案112F)的材质可为N型掺杂的部分第一半导体层。第一导电图案112F与第二导电图案114F之另一(例如：第二导电图案114F)的材质可为未掺杂的另一部分的第一半导体层。第三导电图案118F以及第四导电图案119F位于同一第二半导体层。第三导电图案118F与第四导电图案119F之一(例如：第四导电图案119F)的材质可为N型掺杂的部分第二半导体层。第三导电图案118F与第四导电图案119F之另一(例如：第三导电图案118F)的材质可为未掺杂的另一部分的第二半导体层。举例而言，第一导电图案112F与第四导电图案119F的材质可为N型掺杂半导体(例如：N型掺杂多晶硅)，而第二导电图案114F与第三导电图案118F的材质可为未掺杂半导体(例如：未掺杂的多晶硅)。液晶透镜100F具有与液晶透镜100E类似的功效与优点，于此便不再重述。
图8为本发明一实施例的第一导电图案、第二导电图案的上视示意图。请参照图8，多个第二导电图案114、114A、114C、114D、114E或114F可选择性地平均分布于第一电极E1与第二电极E2之间。更进一步地说，在本实施例中，多个第一导电图案112、112A、112C、112D、112E或112F与多个第二导电图案114、114A、114C、114D、114E或114F可为在方向x上交替排列的多个同心圆。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，第一导电图案112、112A、112C、112D、112E或112F与第二导电图案114、114A、114C、114D、114E或114F也可以其他适当方式排列，以下以图9为例说明之。
图9为本发明另一实施例的第一导电图案、第二导电图案的上视示意图。请参照图9，第二导电图案114、114A、114C、114D、114E或114F可选择性地随机分散在第一电极E1与第二电极E2之间。第一导电图案112、112A、112C、112D、112E或112F可覆盖第一电极E1、第二电极E2以及第二导电图案114、114A、114C、114D、114E或114F与第一电极E1、第二电极E2之间的间隙。
以上实施例中，第二电极E2实质上环绕第一电极E1中环绕的定义举例为完全环绕、部分环绕或第二电极E2仅对应第一电极E1的一小部分设置，第二电极E2可为封闭图案或非封闭图案，但不以局限本发明。
以上实施例中，导电图案在方向z上错开中错开的定义举例为导电图案间在方向z上不重叠或在方向z上部分重叠，但不以局限本发明。
综上所述，在本发明一实施例的液晶透镜中，高阻值且电阻率不同的第一导电图案、第二导电图案电连接于液晶透镜的第一电极、第二电极之间。电压在高电阻的导电图案的两侧会产生电压降。藉此，第一电极到第二电极之间可形成多段电压降。利用所述多段电压降，第一电极、第二电极之间的电压差在液晶层中形成的电力线可理想地分布在第一电极、第二电极之间，而不易局限在第一电极、第二电极附近，进而使液晶透镜具有良好的光学特性。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求书所界定的为准。

Claims (12)

1.一种液晶透镜，其特征在于，所述的液晶透镜包括：
一第一基板；
一第一电极，配置于所述第一基板上；
一第二电极；
至少一第一导电图案以及至少一第二导电图案，配置于所述第一基板上且电连接于所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述至少一第一导电图案的电阻率以及所述至少一第二导电图案的电阻率大于所述第一电极的电阻率以及所述第二电极的电阻率，所述至少一第一导电图案的电阻率不同于所述至少一第二导电图案的电阻率，所述至少一第二导电图案穿插在所述至少一第一导电图案中，所述至少一第一导电图案与所述至少一第二导电图案彼此电连接；
一第二基板，设置于所述第一基板的对向；以及
一液晶层，配置于所述第一基板与所述第二基板之间。
2.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，所述至少一第一导电图案覆盖所述第一电极与所述第二电极，而所述至少一第一导电图案的电阻率小于所述至少一第二导电图案的电阻率。
3.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，所述至少一第一导电图案覆盖所述第一电极与所述第二电极，而所述至少一第一导电图案的电阻率大于所述至少一第二导电图案的电阻率。
4.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，所述至少一第一导电图案具有至少一开口，所述至少一第二导电图案填入所述至少一开口且覆盖所述至少一第一导电图案、所述第一电极与所述第二电极。
5.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，所述至少一第一导电图案的材质以及所述至少一第二导电图案的材质之一为N型掺杂半导体，而所述至少一第一导电图案的材质以及所述至少一第二导电图案的材质之另一为未掺杂的半导体。
6.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，所述的液晶透镜更包括：
至少一第三导电图案以及至少一第四导电图案，所述至少一第四导电图案穿插在所述至少一第三导电图案中，所述至少一第三导电图案以及所述至少一第四导电图案配置于所述至少一第一导电图案以及所述至少一第二导电图案上且电连接于所述第一电极与所述第二电极之间，所述至少一第三导电图案的电阻率以及所述至少一第四导电图案的电阻率大于所述第一电极的电阻率以及所述第二电极的电阻率，所述至少一第三导电图案与所述至少一第四导电图案之一的电阻率小于所述至少一第三导电图案与所述至少一第四导电图案之另一的电阻率，其中，
所述至少一第三导电图案与所述至少一第四导电图案的电阻率较小的一个与所述至少一第一导电图案与所述至少一第二导电图案的电阻率较小的一个错开；或者所述至少一第三导电图案与所述至少一第四导电图案的电阻率较大的一个与所述至少一第一导电图案与所述至少一第二导电图案的电阻率较大的一个错开。
7.根据权利要求6所述的液晶透镜，其特征在于，所述至少一第三导电图案与每一所述第四导电图案的电阻率较小一个的材质与所述至少一第一导电图案与所述至少一第二导电图案的电阻率较小一个的材质相同。
8.根据权利要求6所述的液晶透镜，其特征在于，所述至少一第四导电图案更覆盖所述至少一第三导电图案。
9.根据权利要求6所述的液晶透镜，其特征在于，所述至少一第一导电图案以及所述至少一第二导电图案位于同一第一半导体层，所述至少一第一导电图案与所述至少一第二导电图案之一的材质为N型掺杂的部分所述第一半导体层，而所述至少一第一导电图案与所述至少一第二导电图案之另一的材质为未掺杂的另一部分的所述第一半导体层；所述至少一第四导电图案为多个第四导电图案，所述至少一第三导电图案以及所述多个第四导电图案位于同一第二半导体层，所述至少一第三导电图案与每一所述第四导电图案之一的材质为N型掺杂的部分所述第二半导体层，而所述至少一第三导电图案与每一所述第四导电图案之另一的材质为未掺杂的另一部分的所述第二半导体层。
10.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，所述至少一第二导电图案为多个第二导电图案，而所述多个第二导电图案平均分布于所述第一电极与所述第二电极之间。
11.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，所述至少一第二导电图案为多个第二导电图案，而所述多个第二导电图案随机分散在所述第一电极与所述第二电极之间。
12.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，所述第一导电图案的材质包括：金属氧化物、N型掺杂的半导体、低温氧化硅、低温氧化氮或未经掺杂的半导体。
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