CN105870166A - 一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法 - Google Patents
一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105870166A CN105870166A CN201610253781.4A CN201610253781A CN105870166A CN 105870166 A CN105870166 A CN 105870166A CN 201610253781 A CN201610253781 A CN 201610253781A CN 105870166 A CN105870166 A CN 105870166A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- doped
- heterojunction bipolar
- ingap
- bipolar transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 title 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 142
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
- H10D10/80—Heterojunction BJTs
- H10D10/821—Vertical heterojunction BJTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
- H10D10/01—Manufacture or treatment
- H10D10/021—Manufacture or treatment of heterojunction BJTs [HBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/133—Emitter regions of BJTs
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。铟镓磷异质结双极型晶体管从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。本发明能够有效提高异质结双极型晶体管的线性度和可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及异质结双极型晶体管技术领域，尤其涉及一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。
背景技术
异质结双极晶体管（HBT）具有良好的功率附加效率（PAE）和噪声系数特性，其特征频率ft高，高的基极掺杂将导致大的fmax和高的厄利电压（Early Voltage），可控的高击穿电压将产生大功率密度，低的“knee” 电压可产生大的功率效率。异质结双极晶体管其制备技术，特别是外延生长技术促进了异质结双极晶体管这一类半导体器件的发展和应用。
目前，常用的异质结双极晶体管为铝镓砷（AlGaAs）异质结双极晶体管，但是铝镓砷异质结双极晶体管的线性度不及离子注入的MESFET（场效应管），其热稳定性及可靠性较差。
发明内容
本发明的目的是克服现有铝镓砷异质结双极晶体管线性度低，可靠性较差的技术问题，提供了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法，其能够有效提高异质结双极型晶体管的线性度和可靠性。
为了解决上述问题，本发明采用以下技术方案予以实现：
本发明的一种铟镓磷异质结双极型晶体管，从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。
现有的铝镓砷（AlGaAs）异质结双极晶体管的结构中的发射区包括AlGaAs层和渐变层，渐变层包括分开的组成结和电气结两个结，组成结的位置对工艺过程控制有着主要影响，但电气结的位置对ON电压控制有着重要的影响。本发明的发射区层采用InGaP层替代AlGaAs层及渐变层，使得组成结和电气结合二为一，InGaP层采用3.0E17 cm-3 Si掺杂的N+，并且保持晶格配备。InGaP层同时作为基极漏电流的势垒以及发射极边（InGaP Ledge）钝化，从而降低了1/f噪声、提高了线性度和器件的可靠性。
InGaP选择性的湿法刻蚀可以形成较薄的基极，从而提高其特征频率ft。InGaP选择性的湿法刻蚀也可以导致可靠的制造工艺，从而提高产率，降低成本以及提供额外的功能并改善电路性能。
作为优选，所述轻掺杂铟镓磷发射区层厚度为470-530埃米，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度为2.8E17 cm-3-3.2E17 cm-3。
作为优选，所述重掺杂铟镓磷蚀刻终止层厚度为180-220埃米，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度大于1.0E18 cm-3。
作为优选，所述轻掺杂铟镓磷发射区层的极边钝化，轻掺杂铟镓磷发射区层台面边缘和基区层边缘之间的距离为0.5-1µm。降低了1/f噪声和提高了器件的可靠性。
作为优选，铟镓磷异质结双极型晶体管表面设有氮化硅钝化保护薄膜。使得晶体管免受外界环境的污染与损伤，并且隔绝外界的水气。
作为优选，所述重掺杂次集电极区层从下至上依次包括第一次集电极区层和第二次集电极区层，第一次集电极区层为1800-2200埃米厚度无掺杂的AlGaAs层，第二次集电极区层为5300-5700埃米厚度的GaAs层，第二次集电极区层采用Si掺杂的N+，掺杂浓度大于4.0E18 cm-3。
作为优选，所述轻掺杂集电区层从下至上依次包括第一集电极区层、第二集电极区层和第三集电极区层，第一集电极区层为480-520埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度为4.0E18 cm-3-7.0E18 cm-3；第二集电极区层为2800-3200埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N，掺杂浓度为3.8E16 cm-3-4.2E16 cm-3；第三集电极区层为7000-7600埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N，掺杂浓度为1.3E16 cm-3-1.7E16 cm-3。
作为优选，所述基区层为1100-1200埃米厚度的GaAs层，采用C掺杂的P+，掺杂浓度为3.8E19 cm-3-4.2E19 cm-3。
作为优选，所述重掺杂发射帽层从下至上依次包括第一发射帽层、第二发射帽层和第三发射帽层，第一发射帽层为1200-1600埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度大于4.0E18 cm-3；第二发射帽层为400-500埃米厚度的InGaAs层，采用Te掺杂的N+，掺杂浓度大于1.0E19 cm-3，In的浓度小于68%；第三发射帽层为400-500埃米厚度的InGaAs层，采用Te掺杂的N+，掺杂浓度大于1.0E19 cm-3，In的浓度为60%-68%。
本发明的一种铟镓磷异质结双极型晶体管的制造方法，包括以下步骤：
S1：在半绝缘衬底上生长外延材料结构，外延材料结构包括从下至上依次生长的重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层和轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层；
S2：在重掺杂发射帽层上形成发射极欧姆接触，在基区层上形成基极欧姆接触，在重掺杂次集电极区层上形成集电极欧姆接触；
S3：运用等离子增强化学气相沉积方法沉积氮化硅于铟镓磷异质结双极型晶体管表面形成氮化硅钝化保护薄膜。
本发明的有益效果是：（1）发射区层采用InGaP层，作为基极漏电流的势垒以及发射极边（InGaP Ledge）钝化，蚀刻终止层采用InGaP层，从而降低了1/f噪声、提高了线性度和器件的可靠性。（2）铟镓磷异质结双极型晶体管具有高能密度，功率附加效率（PAE），良好的线性度以及理想的OFF状态漏电流。
附图说明
图1是本发明的一种结构示意图；
图2是本发明从下至上各层的材料结构表；
图3是铝镓砷异质结双极晶体管的结构框图；
图4是本发明的结构框图。
图中：1、重掺杂次集电极区层，2、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层，3、轻掺杂集电区层，4、基区层，5、轻掺杂铟镓磷发射区层，6、重掺杂发射帽层，7、氮化硅钝化保护薄膜，8、发射极欧姆接触，9、基极欧姆接触，10、集电极欧姆接触。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例：本实施例的一种铟镓磷异质结双极型晶体管，如图1所示，从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层1、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层2、轻掺杂集电区层3、基区层4、轻掺杂铟镓磷发射区层5和重掺杂发射帽层6，重掺杂发射帽层6上设有发射极欧姆接触8，基区层4上设有基极欧姆接触9，重掺杂次集电极区层1上设有集电极欧姆接触10，轻掺杂铟镓磷发射区层5的极边钝化，轻掺杂铟镓磷发射区层台面边缘和基区层边缘之间的距离为0.5-1µm，铟镓磷异质结双极型晶体管表面设有氮化硅钝化保护薄膜7。
如图2所示，衬底为半绝缘砷化镓衬底，可以使用众所周知的晶体生长技术如提拉法或布里奇曼法形成；
重掺杂次集电极区层1重掺杂次集电极区层从下至上依次包括第一次集电极区层和第二次集电极区层，第一次集电极区层为2000埃米厚度无掺杂的AlGaAs层，Al的浓度为80%；第二次集电极区层为5500埃米厚度的GaAs层，第二次集电极区层采用Si掺杂的N+，掺杂浓度大于4.0E18 cm-3；
重掺杂铟镓磷蚀刻终止层2厚度为200埃米，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度大于1.0E18 cm-3，并且保持晶格配备；
轻掺杂集电区层3从下至上依次包括第一集电极区层、第二集电极区层和第三集电极区层，第一集电极区层为500埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度为4.0E18 cm-3-7.0E18 cm-3；第二集电极区层为3000埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N，掺杂浓度为4.0E16 cm-3；第三集电极区层为7000-7600埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N，掺杂浓度为1.5E16 cm-3；
基区层4为1100-1200埃米厚度的GaAs层，采用C掺杂的P+，掺杂浓度为4.0E19 cm-3；
轻掺杂铟镓磷发射区层5厚度为500埃米，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度为3.0E17 cm-3，并且保持晶格配备；
重掺杂发射帽层6从下至上依次包括第一发射帽层、第二发射帽层和第三发射帽层，第一发射帽层为1200-1600埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度大于4.0E18 cm-3；第二发射帽层为400-500埃米厚度的InGaAs层，采用Te掺杂的N+，掺杂浓度大于1.0E19 cm-3，In的浓度线性分级0-68%；第三发射帽层为400-500埃米厚度的InGaAs层，采用Te掺杂的N+，掺杂浓度大于1.0E19 cm-3，In的浓度为60%-68%。
如图3所示，现有的铝镓砷（AlGaAs）异质结双极晶体管的结构中的发射区包括AlGaAs层和渐变层，渐变层包括分开的组成结和电气结两个结，组成结的位置对工艺过程控制有着主要影响，但电气结的位置对ON电压控制有着重要的影响。如图4所示，本发明的铟镓磷异质结双极型晶体管的发射区层采用一个厚度为500埃米的InGaP层替代AlGaAs层及渐变层，使得组成结和电气结合二为一，InGaP层采用3.0E17 cm-3 Si掺杂的N+，并且保持晶格配备，InGaP层同时作为基极漏电流的势垒以及发射极边（InGaP Ledge）钝化，从而降低了1/f噪声、提高了线性度和器件的可靠性。
轻掺杂集电区层可用来控制器件的击穿电压；基区层的掺杂浓度和厚度用来控制电流增益；重掺杂发射帽层用来降低发射极的接触电阻（Rc），从而可形成欧姆接触；氮化硅钝化保护薄膜使得晶体管免受外界环境的污染与损伤，并且隔绝外界的水气。
为了保持器件的长期可靠性，如图1所示，轻掺杂铟镓磷发射区层的发射极边宽度D（即轻掺杂铟镓磷发射区层台面边缘和基区层边缘之间的距离）为0.5-1µm。InGaP选择性的湿法刻蚀可以形成较薄的基极，从而提高其特征频率ft。InGaP选择性的湿法刻蚀也可以导致可靠的制造工艺，从而提高产率，降低成本以及提供额外的功能并改善电路性能。
本实施例的一种铟镓磷异质结双极型晶体管的制造方法，包括以下步骤：
S1：在半绝缘衬底上生长外延材料结构，外延材料结构包括从下至上依次生长的重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层和轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层；外延材料结构采用金属有机化学汽相沉积法（MOCVD）生长技术生长；
S2：在重掺杂发射帽层上形成发射极欧姆接触，在基区层上形成基极欧姆接触，在重掺杂次集电极区层上形成集电极欧姆接触；
S3：运用等离子增强化学气相沉积方法沉积氮化硅于铟镓磷异质结双极型晶体管表面形成氮化硅钝化保护薄膜。
主要工艺包括：
平台隔离工艺：隔离技术其功能在于定义出元件有效工作区，可隔离不同元件，或是不同电极（如集电极和发射极）之间的漏电。
欧姆接触工艺：欧姆接触制程的目的在于降低电极金属及半导体覆盖材料（cap)之间的接触阻抗，可降低元件电极的寄生阻抗，有效提高讯号的还原度以及操作频率。欧姆接触制程包括下列各项：光刻，电子束蒸发电极，金属剥离制程以及快速升温退火。
保护层沉积与湿法蚀刻工艺: 运用等离子增强化学气相沉积（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)方法沉积氮化硅于元件表面以保护元件，免受外界环境的污染与损伤，并且隔绝外界的水气保护层沉积与开孔湿法蚀刻制程，由于氮化硅保护层必须能达到保护的功能，又不至于让元件表面承受太大的应力，因此如何在制程上找出最佳化的镀膜条件，便成为此一最重要的关键工艺。
电镀金工艺：先溅射金，然后电镀金层做为支持层，以便形成联接。
Claims (10)
1.一种铟镓磷异质结双极型晶体管，其特征在于：从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层（1）、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层（2）、轻掺杂集电区层（3）、基区层（4）、轻掺杂铟镓磷发射区层（5）和重掺杂发射帽层（6）。
2.根据权利要求1所述的一种铟镓磷异质结双极型晶体管，其特征在于：所述轻掺杂铟镓磷发射区层（5）厚度为470-530埃米，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度为2.8E17 cm-3-3.2E17 cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种铟镓磷异质结双极型晶体管，其特征在于：所述重掺杂铟镓磷蚀刻终止层（2）厚度为180-220埃米，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度大于1.0E18 cm-3。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种铟镓磷异质结双极型晶体管，其特征在于：所述轻掺杂铟镓磷发射区层（5）的极边钝化，轻掺杂铟镓磷发射区层（5）台面边缘和基区层（4）边缘之间的距离为0.5-1µm。
5.根据权利要求1或2或3所述的一种铟镓磷异质结双极型晶体管，其特征在于：铟镓磷异质结双极型晶体管表面设有氮化硅钝化保护薄膜（7）。
6.根据权利要求1或2或3所述的一种铟镓磷异质结双极型晶体管，其特征在于：所述重掺杂次集电极区层（1）从下至上依次包括第一次集电极区层和第二次集电极区层，第一次集电极区层为1800-2200埃米厚度无掺杂的AlGaAs层，第二次集电极区层为5300-5700埃米厚度的GaAs层，第二次集电极区层采用Si掺杂的N+，掺杂浓度大于4.0E18 cm-3。
7.根据权利要求1或2或3所述的一种铟镓磷异质结双极型晶体管，其特征在于：所述轻掺杂集电区层（3）从下至上依次包括第一集电极区层、第二集电极区层和第三集电极区层，第一集电极区层为480-520埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度为4.0E18cm-3-7.0E18 cm-3；第二集电极区层为2800-3200埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N，掺杂浓度为3.8E16 cm-3-4.2E16 cm-3；第三集电极区层为7000-7600埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N，掺杂浓度为1.3E16 cm-3-1.7E16 cm-3。
8.根据权利要求1或2或3所述的一种铟镓磷异质结双极型晶体管，其特征在于：所述基区层（4）为1100-1200埃米厚度的GaAs层，采用C掺杂的P+，掺杂浓度为3.8E19 cm-3-4.2E19 cm-3。
9.根据权利要求1或2或3所述的一种铟镓磷异质结双极型晶体管，其特征在于：所述重掺杂发射帽层（6）从下至上依次包括第一发射帽层、第二发射帽层和第三发射帽层，第一发射帽层为1200-1600埃米厚度的GaAs层，采用Si掺杂的N+，掺杂浓度大于4.0E18 cm-3；第二发射帽层为400-500埃米厚度的InGaAs层，采用Te掺杂的N+，掺杂浓度大于1.0E19 cm-3，In的浓度小于68%；第三发射帽层为400-500埃米厚度的InGaAs层，采用Te掺杂的N+，掺杂浓度大于1.0E19 cm-3，In的浓度为60%-68%。
10.一种铟镓磷异质结双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在半绝缘衬底上生长外延材料结构，外延材料结构包括从下至上依次生长的重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层和轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层；
S2：在重掺杂发射帽层上形成发射极欧姆接触，在基区层上形成基极欧姆接触，在重掺杂次集电极区层上形成集电极欧姆接触；
S3：运用等离子增强化学气相沉积方法沉积氮化硅于铟镓磷异质结双极型晶体管表面形成氮化硅钝化保护薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610253781.4A CN105870166B (zh) | 2016-04-22 | 2016-04-22 | 一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610253781.4A CN105870166B (zh) | 2016-04-22 | 2016-04-22 | 一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105870166A true CN105870166A (zh) | 2016-08-17 |
| CN105870166B CN105870166B (zh) | 2019-02-12 |
Family
ID=56633739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610253781.4A Active CN105870166B (zh) | 2016-04-22 | 2016-04-22 | 一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105870166B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108155098A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-12 | 深圳市晶特智造科技有限公司 | 双极晶体管的制作方法 |
| CN110797402A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-02-14 | 中证博芯（重庆）半导体有限公司 | PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法 |
| CN111081769A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-04-28 | 中证博芯（重庆）半导体有限公司 | NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法 |
| CN115863419A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-03-28 | 常州承芯半导体有限公司 | 异质结双极型晶体管结构及其形成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060255367A1 (en) * | 2003-04-28 | 2006-11-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Compound semiconductor epitaxial substrate |
| JP2009231594A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
| CN102299151A (zh) * | 2010-06-24 | 2011-12-28 | 瑞萨电子株式会社 | 具有异质结双极晶体管和场效应晶体管的半导体器件 |
| CN103930994A (zh) * | 2011-11-14 | 2014-07-16 | 量子电镀光学系统有限公司 | 光学倾斜电荷装置及方法 |
-
2016
- 2016-04-22 CN CN201610253781.4A patent/CN105870166B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060255367A1 (en) * | 2003-04-28 | 2006-11-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Compound semiconductor epitaxial substrate |
| JP2009231594A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
| CN102299151A (zh) * | 2010-06-24 | 2011-12-28 | 瑞萨电子株式会社 | 具有异质结双极晶体管和场效应晶体管的半导体器件 |
| CN103930994A (zh) * | 2011-11-14 | 2014-07-16 | 量子电镀光学系统有限公司 | 光学倾斜电荷装置及方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 郑丽萍等: ""钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响"", 《半导体学报》 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108155098A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-12 | 深圳市晶特智造科技有限公司 | 双极晶体管的制作方法 |
| CN108155098B (zh) * | 2017-12-21 | 2020-08-18 | 安徽安芯电子科技股份有限公司 | 双极晶体管的制作方法 |
| CN110797402A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-02-14 | 中证博芯（重庆）半导体有限公司 | PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法 |
| CN111081769A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-04-28 | 中证博芯（重庆）半导体有限公司 | NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法 |
| CN115863419A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-03-28 | 常州承芯半导体有限公司 | 异质结双极型晶体管结构及其形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105870166B (zh) | 2019-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109873034B (zh) | 沉积多晶AlN的常关型HEMT功率器件及其制备方法 | |
| CN107680998A (zh) | 一种GaN基p型栅HFET器件及其制备方法 | |
| TW201301481A (zh) | 雙極高電子遷移率電晶體及其形成方法 | |
| US20230207661A1 (en) | Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same | |
| CN105870166A (zh) | 一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法 | |
| CN102386239A (zh) | 一种平面结构的磷化铟基pin开关二极管及其制备方法 | |
| JP2015126016A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| CN107958939A (zh) | 一种氮化鎵基异质结肖特基二极管结构 | |
| JP3262056B2 (ja) | バイポーラトランジスタとその製造方法 | |
| CN104393045B (zh) | 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 | |
| CN105957886A (zh) | 一种碳化硅双极结型晶体管 | |
| CN117367611A (zh) | 一种T型阳极GaN肖特基温度传感器及其制备方法 | |
| US7144765B2 (en) | Semiconductor device with Schottky electrode including lanthanum and boron, and manufacturing method thereof | |
| TWI681511B (zh) | 整合場效電晶體與異質接面雙極電晶體的結構及其形成方法 | |
| CN101243555A (zh) | 制造异质结双极晶体管的方法 | |
| CN106981510B (zh) | 一种碳化硅双极结型晶体管 | |
| CN110265485B (zh) | 具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法 | |
| CN114823851A (zh) | 氮化镓反向导通晶体管 | |
| CN209766426U (zh) | 一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件 | |
| JP2005026242A (ja) | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 | |
| JP2006294700A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| CN107958930A (zh) | 一种氮化鎵基异质结场效应晶体管结构 | |
| CN107958931A (zh) | 一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构 | |
| US7372084B1 (en) | Low power bipolar transistors with low parasitic losses | |
| KR100347520B1 (ko) | 이종접합 쌍극자 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |