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CN105839077A - 用于沉积ⅲ-ⅴ主族半导体层的方法和装置 - Google Patents

用于沉积ⅲ-ⅴ主族半导体层的方法和装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及沉积III‑V主族半导体层的装置，所述装置具有工艺腔(1)、构成工艺腔底部的、用于容纳一个或多个待镀基片的基座(2)、用于将基座加热到工艺温度的加热装置(3)以及进气机构(4)，所述进气机构具有用来将混合物和金属有机化合物引入工艺腔中的至少一个第一和第二工艺气入口区(5，6，7)。建议腐蚀气入口(9)沿混合物和金属有机化合物的流动方向(23)在工艺气入口区下游通入工艺腔中，其中设置控制装置并布置工艺气入口区和腐蚀气入口，使得从工艺气入口区流出的工艺气在沉积半导体层时不进入腐蚀气入口，并且净化工艺腔时从腐蚀气入口流出的腐蚀气不进入工艺气入口区。腐蚀气入口由进气机构周围的工艺气腔盖环形区和用来固定盖板的环形固定元件构成。

Description

用于沉积Ⅲ-Ⅴ主族半导体层的方法和装置
技术领域
本发明涉及一种用于沉积III-V主族半导体层的装置，所述装置包括：工艺腔；构成工艺腔底部、用于容纳一个或者多个待镀基片的基座；用于将基座加热到工艺温度的加热装置；以及进气机构，所述进气机构具有各自用于将工艺气引入工艺腔之中的至少一个第一工艺气入口区和第二工艺气入口区，其中第一工艺气入口区与提供V主族混合物作为工艺气的混合物源相连，并且第二工艺气入口区与提供III主族金属有机化合物作为工艺气的金属有机化合物源相连，其中腐蚀气入口与腐蚀气源相连，并且其中设置可以由控制装置开关的阀和可调节的质量流量控制器，以便通过管道系统将混合物、金属有机化合物和腐蚀气与一种载气一起以质量流量可控的方式引入工艺腔之中。
除此之外，本发明还涉及将III-V主族半导体层沉积到一个或者多个待镀基片上的方法，由构成工艺腔底部的基座容纳所述基片，由加热装置将所述基座加热到工艺温度，其中通过进气机构的第一和第二工艺气入口区分别将工艺气引入工艺腔之中以沉积半导体层，其中通过第一工艺气入口区将一种V主族混合物并且通过第二工艺气入口区将一种III主族金属有机化合物引入工艺腔之中，并且其中在沉积半导体层之后通过腐蚀气入口将腐蚀气引入工艺腔之中以净化工艺腔，其中由受到控制装置控制的质量流量控制器控制工艺气和腐蚀气的质量流量。
背景技术
DE 10 2011 002 145 A1、DE 10 2011 002 146 A1和DE 10 2012 102 661 A1均描述了此类装置和此类方法。所述装置可利用MOCVD法沉积GaN层。在具有圆形轮廓的工艺腔中通过布置于工艺腔中央的进气机构将在H2载气中稀释的TMGa和NH3分别注入。构成工艺腔底部的基座被布置于基座下面的加热装置加热到工艺温度。利用冷却体冷却工艺腔盖。工艺气在沉积过程中在基片表面上热解，使得GaN层沉积在那里。无法避免基座或 工艺腔盖的自由表面也会蒙上反应产物。必须在净化步骤中去除工艺腔盖和基座的这些寄生沉积。为此可使用一种腐蚀气。优先考虑将Cl2与载气结合使用，所述载气是N2。在类似的装置中通过工艺气入口区的其中一个将腐蚀气注入到工艺腔之中。由于工艺气的吸附物附着在工艺气输入管的壁面和进气机构的内腔壁面上，会导致残留工艺气与腐蚀气之间出现并非所愿的反应。此外还可能导致进气机构中的气体输入管或气体分配室的表面与腐蚀气发生反应，所产生的反应产物尤其颗粒是不利的。
发明内容
本发明的任务在于，以有利于使用的方式对沉积方法和随后的净化方法以及所使用的装置加以改进。
可通过权利要求中所述的发明解决这一任务，从属权利要求不仅可以是并列独立权利要求的有益改进实施方式，而且也可以是独立的任务解决方案。
首先基本上设成将腐蚀气入口与工艺气入口区空间分离。工艺气入口区可以具有与DE 10 2008 055 582 A1中所述一样的实施方式。进气机构形成被环形壁封闭的进气腔，其中所述环形壁具有多个彼此紧邻的排气口。后者形成有助于将工艺气均匀分布到工艺腔之中的压力壁垒。工艺气流尤其是用来将工艺气经由工艺气入口区注入到工艺腔之中的载气流这样适配在镀膜过程中经由腐蚀气入口流入工艺腔的冲洗气流，使得工艺气不会进入腐蚀气入口和布置于腐蚀气入口上游的腐蚀气输入管之中，从而使得腐蚀气输入管的壁面不会与工艺气接触。在净化步骤过程中使得气流、也就是使得经过工艺气入口区的冲洗气流和经由腐蚀气入口进入工艺腔之中的腐蚀气流相互匹配，使得腐蚀气不会经由工艺气入口区进入工艺气输入管之中。腐蚀气因此不会与工艺气输入管的壁面接触。本发明所述的装置具有供气系统，所述供气系统具有构成管道系统的多个管道。利用可以开启的阀将这些管道封闭。质量流量控制器位于这些管道之中，以便控制经过这些管道的工艺气、冲洗气、载气或者载气/工艺气混合气的质量流量。由电子控制系统通过程序控制阀的开启和关闭以及调整质量流量值。管道系统形成了工艺气入口区与相应工艺气源的管道连接，或者形成了腐蚀气入口与腐蚀气源的管道连接。工艺腔尤其具有圆形的轮廓。进气机构位于工艺腔的中央，所述进气机构优 选在工艺腔的整个高度上延伸。这些工艺气入口区布置在不同的高度上。可以将三个、四个、五个或者更多的工艺气入口区相互叠置。相应的工艺气从各个工艺气入口区在径向水平流动通过工艺腔。排气口位于工艺腔的径向外侧边缘上，反应产物和载气可以经由排气口离开工艺腔。并非通过工艺气入口区将腐蚀气送入工艺腔，而是通过与工艺气入口区空间分离的腐蚀气入口将腐蚀气送入工艺腔。腐蚀气入口可以具有多个开口，腐蚀气可以与载气一起流动通过这些开口。优选地，腐蚀气入口配置有呈环状围绕进气机构延伸的区域。该腐蚀气入口区优选地由工艺腔盖构成，尤其优选地由固定工艺腔盖的至少一个盖板的固定元件构成。优选地通过与进气机构空间分离的腐蚀气进入机构注入腐蚀气。腐蚀气进入机构具有多个开口形成的环形腐蚀气入口区。通过构成腐蚀气入口的腐蚀气入口区将在载气中稀释的腐蚀气在垂直方向、也就是垂直于工艺气的径向流动方向送入工艺腔之中。尤其相对于工艺气流动方向以90°或者更小的角度将腐蚀气送入工艺腔之中。优选地从工艺腔的冷侧注入腐蚀气。通过位于气体输入机构中的单独的工艺气输入管将工艺气输入到进气机构，所述气体输入机构垂直布置于进气机构上方。在一种优选实施方式中，具有腐蚀气输入管的壳体包围气体输入机构。腐蚀气输入管通入到围绕气体输入机构延伸的环形气体分配腔之中。在载气中稀释的腐蚀气可以通过一个或者多个优选地以均匀角度分布排列的气体通过口从气体分配腔向外流出。这些开口起到压力壁垒作用。另一个分配腔位于这些开口下游，该分配腔具有通入到腐蚀气入口区中的气体通过口。可以由补充性冲洗气流对最后提及的分配腔进行冲洗。与此相关的冲洗气输入管通入到另一个气体分配腔之中。利用该装置使得GaN沉积。为此可使用在H2载气中输运的NH3和在H2载气中输运的TMGa作为工艺气。H2在沉积过程中流动通过腐蚀气入口。用于净化工艺腔的N2流动通过工艺气入口区。N2和Cl2流动通过腐蚀气入口。在沉积半导体层的时候，冲洗气流流动通过腐蚀气入口区或者流动通过构成腐蚀气入口区的开口。冲洗气的流动速度这样选择，使得工艺气能够只有少量扩散到腐蚀气入口之中。工艺气最多到达被冲洗气冲洗的分配腔之中。当执行净化步骤时，冲洗气以适当的流动速度流动通过工艺气入口区也就是进气机构的彼此紧密排列的开口，使得腐蚀气不会扩散到布置于工艺气入口背面的工艺气分配腔之中。优选地将一个或多个压力壁垒布置在腐蚀气输入管中。压力壁垒可以由横断面相应的小的气 体通过口构成，使得腐蚀气输入管中气体通过口上游压力明显高于气体通过口下游。可以将一个或多个压力壁垒布置在气体分配腔下游。这些压力壁垒可起到阻止从工艺腔朝向气体分配腔扩散的作用。
以下将根据附图对本发明的一种实施例进行解释。
附图说明
图1本发明所述用于沉积III-V主族半导体层的装置的横断面，类似于DE 10 2008055 582 A1的图5，图中所示的横截面平面穿过腐蚀气输入管29，
图2根据图1绘制，然而有所放大并且在冲洗气输入管26和气体通过口30所在的另一个横截面平面中，
图3图1和2中以剖面图绘制的腐蚀气进入机构8的俯视图，
图4腐蚀气进入机构的透视图，以及
图5用于解释本发明的气体混合系统主要元件。
具体实施方式
关于该实施例的工艺腔的实施方式，可参考开头所述现有技术的描述。反应器的工艺腔具有圆形轮廓与布置在径向外侧的排气机构24，该排气机构连接在真空泵和气体洗涤器上。与DE 10 2008 055 582 A1中所述的进气机构4位于工艺腔1的中央。工艺腔1的底部例如由石墨制成的基座2构成，将待镀基片布置在该基座上。在基座2下方设置加热装置3，所述加热装置可以是红外加热系统的电阻加热装置，或者是射频加热装置。利用加热装置3将指向工艺腔1的基座2顶面加热到工艺温度。工艺腔1的腔盖由一个或者多个盖板25构成，在盖板背面对盖板进行冷却。采用了传热体38。通过调温气体输入管37注入调温气体，所述调温气体流动通过盖板25和传热体38之间的间隙。图1和2所示为穿过进气机构24中轴线的横断面，所述中轴线与工艺腔1的中轴线相同，其中图1和2的剖面呈角度偏置地延伸。
进气机构4具有三个垂直叠置的工艺气入口区5、6、7，可以利用分开的气体输入管给这些工艺气入口区供应工艺气，其中通过气体输入机构36注入工艺气。垂直布置在进气机构4上方的气体输入机构36被壳体 28包围，所述壳体具有腐蚀气输入管29，所述气体输入机构处于图1的剖切面中。输入管29是腐蚀气输入装置的一部分，并且通入到将气体输入机构36包围的环腔29’之中。环腔29’具有多个以均匀角度分布排列在环腔的整个圆周上的开口30，这些开口构成压力壁垒。通过腐蚀气输入管29注入的气体从这些开口30流出，所述气体可以是一种腐蚀气或者冲洗气，从壳体28的分段28’流出到分配腔31之中，该分配腔同样呈环形包围气体输入机构36。壳体分段28’的外壁形成分配腔31的一个壁面，并且腐蚀气进入机构8的外壁形成分配腔31的另一个壁面。腐蚀气进入机构8具有多个布置于进气机构4周围的环形区中的孔10，这些孔的入口形成腐蚀气入口9。采用了两排同心排列的开口10，但也可以仅仅采用一排开口10，同心排列的数量也可以是两个以上。
所述腐蚀气进入机构8可以是承载盖板25的固定元件。可以通过卡口连接将固定元件8固定在工艺腔盖或壳体28上，或者固定在气体输入机构36上。
腐蚀气进入口10所在的腐蚀气入口区9在空间上与进气机构4分离，与进气机构4有一定的径向距离。
冲洗气管道26位于壳体28之内，并且经由开口33通入隔离体的分配腔34。冲洗气管道26相对于中轴线与腐蚀气输入管29角度偏置，如图2中所示。隔离体由径向布置于腐蚀气进入机构8之外的隔离环27构成。注入到冲洗气输入管26之中的冲洗气可以通过充当压力壁垒的开口35从分配腔34朝向工艺腔1流出。冲洗气流通过溢流道32溢出腐蚀气进入机构8的法兰段，以便流入分配腔31并且与腐蚀气一起穿过腐蚀气进入口10流入工艺腔1之中。利用通过冲洗气输入管26注入的冲洗气，但也可以利用镀膜过程中通过腐蚀气输入管29流入的冲洗气，冲洗腐蚀气进入机构8与壳体28之间的狭窄间隙。
采用了调整质量流量控制器17、18的质量流量值的电子控制装置22。也可利用控制装置22切换控制换向阀16、19。尤其是设成，利用换向阀16在来自源14的冲洗气如H2和来自源15的冲洗气如N2之间进行切换。在源12、13中准备工艺气。TMGa源12通过质量流量控制器和换向阀与工艺气入口区6相连。NH3源13通过质量流量调整器和换向阀与工艺气入口区5、7相连，使得工艺气和携带工艺气的载气可以通过工艺气入口区 5、6、7沿流动方向23流动通过工艺腔1。入口区5、6、7呈环形围绕进气机构4中轴线并且在腐蚀气入口区9上游或者径向朝向腐蚀气入口区9之内延伸。工艺气入口区5、6、7相互垂直叠置，并且具有多个很小的气体通过口，相应的工艺气可通过这些气体通过口从径向内侧的气体分配腔流入工艺腔1之中。
可以利用换向阀将载气/工艺气混合气切换到排气管20中，使得气流不会流动通过工艺气入口区5、6、7。
腐蚀气入口9与具有换向阀19的腐蚀气输入管21相连。可以利用换向阀19选择将气流切换到输入管21中或者排气管20中，所述气流包含质量流量调节器18进行了质量流量调节的载气和质量流量调节器17控制的腐蚀气。可在将工艺气注入到排气管20中的下游将腐蚀气-载气混合气注入到排气管20之中。
在层生长过程中一直使用气体(例如H2)冲洗所有工艺气入口区5、6、7和腐蚀气入口9。
通过工艺气入口5、6、7还将工艺气注入到工艺腔1之中。在净化过程中同样用气体冲洗所有工艺气入口区5、6、7和腐蚀气入口9。N2流动通过工艺气入口区5、6、7。N2和Cl2的混合气流动通过腐蚀气入口9。从生长过程转换到净化过程之前以及接通腐蚀气之前，利用阀16将载气从H2转换到N2。然后才通过管道系统将大约5～10％Cl2和95％N2的混合气注入到在气体分配器平面中延伸的分配腔31之中，腐蚀气从那里出发从开口10在垂直方向流入工艺腔1之中。所涉及的是总计包括96个开口10的分配器孔圈。布局这样选择，从而仅仅在气密空间中存在过压，并且不会在系统中产生可能导致氧化的寄生气流。为了能够进一步杜绝氧化或腐蚀气扩散，可以使用进一步导引的结构如导向板或者可以使用附加气体入口。有利地，也将不同的材料用于入口。因此规定，气体输入机构36由不锈钢如Inconel构成。壳体28可以用同样的材料制成。优选地将陶瓷、石英用于隔离环27和腐蚀气进入机构9，但也可以使用不锈钢。还可以使用SOCl2作为净化气体。气体流向这样选择，使得进入工艺气入口区和腐蚀气入口的气体大致以90°或＜90°的角度相遇。工艺气入口区5、6、7和腐蚀气入口9可以由相互不同的材料构成，但也可以由相同材料组但具有不同合金的材料构成。工艺气和腐蚀气向工艺腔1之中的引入的空间分离这样 设计，使得针对工艺气的气体入口的攻击距离的计算表明，腐蚀气以LOG10计减少五个数量级。
上述实施方式用于解释本申请所概括的发明，这些实施方式各自至少通过以下特征组合改进了现有技术：
一种装置，其特征在于，腐蚀气入口9沿混合物和金属有机化合物的流动方向23在工艺气入口区5、6、7下游通入工艺腔1之中，其中控制装置22这样设置并且工艺气入口区5、6、7和腐蚀气入口9这样布置，使得从工艺气入口区5、6、7流出的工艺气在沉积半导体层的时候不会进入腐蚀气入口9中，并且在净化工艺腔的时候从腐蚀气入口9流出的腐蚀气不会进入工艺气入口区5、6、7中；
一种方法，其特征在于，通过沿混合物和金属有机化合物的流动方向布置于工艺气入口区5、6、7下游的腐蚀气入口9将腐蚀气注入到工艺腔1之中，其中在沉积半导体层的时候适当调整经由工艺气入口区5、6、7流入工艺腔1的气体和经由腐蚀气入口9流入工艺腔1的冲洗气的质量流量，使得工艺气不会进入腐蚀气入口9中，并且当净化工艺腔1的时候经由腐蚀气入口9引入工艺腔1中的腐蚀气流和经由工艺气入口区5、6、7注入到工艺腔1中的冲洗气流的质量流量这样调整，使得腐蚀气不会进入布置于工艺气入口区5、6、7上游的气体输入管。
一种装置，其特征在于，工艺腔1具有圆形轮廓，并且将进气机构4布置在工艺腔1的中间，并且腐蚀气入口9由进气机构4周围的工艺腔盖的环形区构成；
一种装置，其特征在于，腐蚀气入口9的环形区由用来固定盖板25的环形固定元件8构成；
一种方法或者一种装置，其特征在于，垂直布置在进气机构4上方的气体输入机构36构成的气体输入管给工艺气入口区5、6、7供气，其中所述气体输入机构36被构成腐蚀气输入管29、29’的壳体28包围；
一种方法或者一种装置，其特征在于，腐蚀气输入管29通入到包围气体输入机构36的环形流道29’之中，所述环形流道通过多个在环形流道29′的整个圆周上分布排列的气体通过口30与分配腔31相连，所述开口30起到压力壁垒作用；
一种装置，其特征在于，分配腔31是环形腔，其利用腐蚀气入口9形 成的气体通过口10与工艺腔1流体连通；
一种装置，其特征在于用来将冲洗气注入到分配腔31之中的冲洗气输入管26；
一种方法，其特征在于，腐蚀气是Cl2，并且净化步骤过程中的冲洗气是N2；
一种方法，其特征在于，工艺气包含第III主族的元素和/或者第V主族的元素，并且尤其是NH3和TMGa，层沉积时的冲洗气是H2或者N2；
一种装置，其特征在于腐蚀气输入管29中的至少一个压力壁垒，该压力壁垒尤其由气体通过口30构成；
一种装置，其特征在于，压力壁垒30布置在气体分配腔31下游。
所有公开的特征(本身，但也可相互组合)均为发明特征。因此相关/附加优先权资料的公开内容(在先申请书副本)均被整个纳入本申请书的公开内容，也旨在将这些资料所述的特征收纳为本发明的权利要求。从属权利要求所述的特征均为本发明对现有技术的改进实施方式，尤其可根据这些权利要求提出分案申请。
附图标记清单：
1 工艺腔
2 基座
3 加热装置
4 进气机构
5 工艺气入口区
6 工艺气入口区
7 工艺气入口区
8 固定元件
9 腐蚀气入口
10 气体通过口
11 Cl2源
12 TMGa源，控制装置
13 NH3源
14 H2源
15 N2源
16 换向阀N2/H2
17 质量流量控制器Cl2
18 质量流量控制器N2/H2
19 换向阀
20 排气管
21 输入管
22 控制装置
23 流动方向
24 排气口
25 盖板
26 冲洗气输入管
27 隔离环
28 壳体
29 腐蚀气输入管
29’ 腐蚀气输入管，环形流道
30 气体通过口
31 分配腔
32 溢流道
33 开口
34 分配腔
35 开口
36 气体输入机构
37 调温气体输入管
38 传热体

Claims (15)

1.一种用于沉积III-V主族半导体层的装置，所述装置具有：工艺腔(1)；构成工艺腔(1)底部的、用于容纳一个或者多个待镀基片的基座(2)；用于将基座(2)加热到工艺温度的加热装置(3)；以及进气机构(4)，所述进气机构具有分别用于将工艺气引入工艺腔(1)之中的至少一个第一工艺气入口区(5，7)和第二工艺气入口区(6)，第一工艺气入口区(5，7)与提供V主族混合物作为工艺气的混合物源(13)相连，并且第二工艺气入口区(6)与提供III主族金属有机化合物作为工艺气的金属有机化合物源(12)相连，其中腐蚀气入口(9)与腐蚀气源(11)相连，并且设置了可以由控制装置(22)开关的阀(16，19)和可调节的质量流量控制器(17，18)，以便通过管道系统(21)将混合物、金属有机化合物和腐蚀气分别与载气一起以质量流量可控的方式引入工艺腔(1)之中，其特征在于，腐蚀气入口(9)沿混合物和金属有机化合物的流动方向(23)在工艺气入口区(5，6，7)下游通入工艺腔(1)之中，其中，控制装置(22)这样设置并且工艺气入口区(5，6，7)和腐蚀气入口(9)这样布置，使得从工艺气入口区(5，6，7)流出的工艺气在沉积半导体层的时候不能进入腐蚀气入口(9)，并且在净化工艺腔的时候从腐蚀气入口(9)流出的腐蚀气不能进入工艺气入口区(5，6，7)。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，工艺腔(1)具有圆形轮廓，并且进气机构(4)布置在工艺腔(1)的中间，并且腐蚀气入口(9)由进气机构(4)周围的工艺腔盖的环形区构成。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，腐蚀气入口(9)的环形区由用来固定盖板(25)的环形固定元件(8)构成。
4.根据上述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，由垂直布置在进气机构(4)上方的气体输入机构(36)构成的气体输入管给工艺气入口区(5，6，7)供气，其中所述气体输入机构(36)被构成腐蚀气输入管(29，29’)的壳体(28)包围。
5.根据上述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，腐蚀气输入管(29)通入到包围气体输入机构(36)的环形流道(29’)之中，所述环形流道通过多个在环形流道(29′)的整个圆周上分布排列的气体通过口(30)与分配腔(31)相连，其中所述开口(30)起到压力壁垒作用。
6.根据上述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，分配腔(31)是利用由腐蚀气入口(9)形成的气体通过口(10)与工艺腔(1)流体连通的环形腔。
7.根据上述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于用来将冲洗气注入到分配腔(31)之中的冲洗气输入管(26)。
8.根据上述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于腐蚀气输入管(29)中的至少一个压力壁垒，所述压力壁垒尤其由气体通过口(30)构成。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，压力壁垒(30)布置在气体分配腔(31)下游。
10.一种用于将III-V主族半导体层沉积到一个或者多个待镀基片上的方法，所述基片由构成工艺腔(1)底部的基座(2)容纳，由加热装置(3)将所述基座(2)加热到工艺温度，其中通过进气机构(4)的第一工艺气入口区(5，7)和第二工艺气入口区(6)分别将工艺气引入工艺腔(1)之中以沉积半导体层，其中通过第一工艺气入口区(5，7)将V主族混合物并且通过第二工艺气入口区(6)将III主族金属有机化合物引入工艺腔(1)之中，并且其中在沉积半导体层之后通过腐蚀气入口(9)将腐蚀气引入工艺腔(1)之中以净化工艺腔，其中由受到控制装置(22)控制的质量流量控制器(17，18)控制工艺气和腐蚀气的质量流量，其特征在于，通过沿混合物和金属有机化合物的流动方向布置于工艺气入口区(5，6，7)下游的腐蚀气入口(9)将腐蚀气注入到工艺腔(1)之中，其中在沉积半导体层的时候这样调整经由工艺气入口区(5，6，7)流入工艺腔(1)的气体和经由腐蚀气入口(9)流入工艺腔(1)的冲洗气的质量流量，使得工艺气不能进入腐蚀气入口(9)，并且当净化工艺腔(1)的时候这样调整经由腐蚀气入口(9)引入工艺腔(1)中的腐蚀气流和经由工艺气入口区(5，6，7)注入到工艺腔(1)中的冲洗气流的质量流量，使得腐蚀气不能进入布置于工艺气入口区(5，6，7)上游的气体输入管。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，工艺腔(1)具有圆形轮廓，并且将进气机构(4)布置在工艺腔(1)的中间，并且腐蚀气入口(9)由进气机构(4)周围的工艺腔盖的环形区构成。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，由垂直布置在进气机构(4)上方的气体输入机构(36)构成的气体输入管给工艺气入口区(5，6，7)供气，其中所述气体输入机构(36)被构成腐蚀气输入管(29，29’)的壳体(28)包围。
13.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，腐蚀气输入管(29)通入到包围气体输入机构(36)的环形流道(29’)之中，所述环形流道通过多个在环形流道(29′)的整个圆周上分布排列的气体通过口(30)与分配腔(31)相连，其中所述开口(30)起到压力壁垒作用。
14.根据权利要求10～13中任一项所述的方法，其特征在于，腐蚀气是Cl2，并且净化步骤过程中的冲洗气是N2。
15.根据权利要求10～14中任一项所述的方法，其特征在于，工艺气具有第V主族的元素，并且/或者具有第III主族的元素，尤其是NH3和TMGa，并且层沉积时的冲洗气是H2或者N2。
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