CN105593300A - 膜用树脂组合物、绝缘膜和半导体装置 - Google Patents

Abstract

本发明目的于提供一种绝缘性、耐热性优异而且即使充填绝缘填料也仍能维持粘接强度的膜用树脂组合物，尤其是一种即使高充填高导热性填料也仍能维持粘接强度的膜用树脂组合物。膜用树脂组合物特征在于，含有(A)在两末端具有键合了特定乙烯基的苯基的聚醚化合物、(B)热塑性弹性体、(C)萘型环氧树脂、(D)硬化剂和(E)绝缘填料；相对(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分之合计100质量份，(C)成分为0.5～30.0质量份。

Description

膜用树脂组合物、绝缘膜和半导体装置

技术领域

本发明涉及膜用树脂组合物、由该膜用树脂组合物形成的绝缘膜和含有该绝缘膜硬化物的半导体装置。

背景技术

近年，随着模块或电子部件的高功能化、高密度化，从模块或电子部件等发热体产生的热量越发大起来。来自这些发热体的热被传递给基板等而被排热。为了有效地使其导热，发热体与基板之间的粘接剂采用高导热系数的。另外，从便于操作处理(handling)出发，用高导热粘接膜代替粘接剂。

在此，若粘接膜导热不良，则组装了模块或电子部件的半导体装置会蓄热，存在诱发半导体装置故障的问题。故各公司都在推进高导热系数的粘接膜的开发。

对上述粘接膜，不光只要求导热性，还要求绝缘性、耐热性以及连接可靠性(粘接强度)。关于导热性，虽然让粘接膜含有大量高导热性填料(filler)即可得到提高，但是由于随着填料充填量增加，粘接膜中树脂成分量相对减少，所以存在给粘接膜赋予所期望粘接强度变得困难的问题。另外，伴随该填料充填量增加而引起的粘接膜粘接强度降低的问题不仅限于高导热粘接膜，在譬如从低热膨胀率化观点出发而对组合物充填填料之际也会产生。

另外，关于耐热性，希望使用比已有的作为掺填料的粘接膜的树脂主要成分的丙烯酸树脂或环氧树脂有高耐热性的树脂成分。

对此，作为具有足够适用于膜成形·涂布等工序的制膜性、延伸性，在导热性、耐热性、挠性等各种物性方面也优异的环氧树脂，公开有一种具有联苯骨架(biphenylskeleton)的环氧树脂(专利文献1)；还公开有一种环氧树脂，其尽管导入了介晶单元(mesogenicunits)，但却容易制造，对有机溶剂的溶解性优异，给予强韧性、导热系数性优异的硬化物(专利文献2)。

已有技术文献

专利文献

专利文献1:特开2012-107215号公报

专利文献2:特开2010-001427号公报

发明内容

技术问题

然而，上述的具有联苯骨架的环氧树脂(专利文献1)和导入了介晶单元的环氧树脂(专利文献2)，在充填填料时都存在粘接强度不充分的问题。

本发明正是鉴于上述情况而提出的，其目的就在于提供一种绝缘性、耐热性优异而且即使充填填料也仍能维持粘接强度的膜用树脂组合物，尤其是一种即使高充填高导热性填料也仍能维持粘接强度的膜用树脂组合物。

技术方案

本发明涉及通过具有以下结构而解决了上述问题的膜用树脂组合物、绝缘膜和半导体装置。

〔1〕一种膜用树脂组合物，其特征在于，含有(A)在两末端具有至少键合了以下通式(1)所示乙烯基的苯基的聚醚化合物、(B)热塑性弹性体、(C)萘型环氧树脂(naphthalenetypeepoxyresin)、(D)硬化剂和(E)绝缘填料；

式中，

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇均相同或不同，为氢原子、卤素原子、烷基、卤代烷基(alkylhalide)或苯基；

-(O-X-O)-由结构式(2)给出，其中，R₈、R₉、R₁₀、R₁₄、R₁₅均相同或不同，为卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基，R₁₁、R₁₂、R₁₃均相同或不同，为氢原子、卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基；

-(Y-O)-是结构式(3)所示的1种结构或结构式(3)所示的2种以上结构随机排列而成之物，其中，R₁₆、R₁₇均相同或不同，为卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基，R₁₈、R₁₉均相同或不同，为氢原子、卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基；

Z为碳数1以上的有机基，视具体情况也可含有氧原子、氮原子、硫原子、卤素原子；

a、b表示0～300的整数，且两者中至少一方不为0；

c、d表示0或1的整数；

相对(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分之合计100质量份，(C)成分为0.5～30.0质量份。

〔2〕根据上述〔1〕所述的膜用树脂组合物，其中，(E)成分是从由MgO、Al₂O₃、AlN、BN、金刚石填料、ZnO和SiC构成的群选择的至少1种。

〔3〕根据上述〔1〕或〔2〕所述的膜用树脂组合物，其中，硬化后膜用树脂组合物的体积电阻系数为1×10¹⁰Ω·cm以上。

〔4〕根据上述〔1〕～〔3〕中任一项所述的膜用树脂组合物，其中，相对膜用树脂组合物100质量份，(E)成分为40～95质量份。

〔5〕一种绝缘膜，其中，是通过上述〔1〕～〔4〕中任项所述的膜用树脂组合物形成的。

〔6〕一种半导体装置，其中含有上述〔5〕所述的绝缘膜的硬化物。

发明的效果

根据本发明〔1〕，因使用绝缘性和耐热性优异的(A)成分、使得粘接性得到提高的(C)成分，能提供绝缘性和耐热性优异且即使充填(E)绝缘填料也仍能维持粘接强度的膜用树脂组合物。

根据本发明〔5〕，能提供绝缘性和耐热性优异且即使充填(E)绝缘填料也仍能维持粘接强度的绝缘膜。

根据本发明〔6〕，能提供含有绝缘膜的硬化物的可靠性高的半导体装置，该绝缘膜绝缘性和耐热性优异且即使充填(E)绝缘填料也仍能维持粘接强度。

附图说明

图1是本发明半导体装置之一例的说明图。

附图标记

1半导体装置

10绝缘膜

11绝缘膜的硬化物

20基板

30发热体

具体实施方式

〔膜用树脂组合物〕

本发明膜用树脂组合物特征在于，含有(A)在两末端具有至少键合了以下通式(1)所示乙烯基的苯基的聚醚化合物、(B)热塑性弹性体、(C)萘型环氧树脂、(D)硬化剂和(E)绝缘填料；

式中，

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇均相同或不同，为氢原子、卤素原子、烷基、卤代烷基或苯基；

-(O-X-O)-由结构式(2)给出，其中，R₈、R₉、R₁₀、R₁₄、R₁₅均相同或不同，为卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基，R₁₁、R₁₂、R₁₃均相同或不同，为氢原子、卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基；

-(Y-O)-是结构式(3)所示的1种结构或结构式(3)所示的2种以上结构随机排列而成之物，其中，R₁₆、R₁₇均相同或不同，为卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基，R₁₈、R₁₉均相同或不同，为氢原子、卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基；

Z为碳数1以上的有机基，视具体情况也可含有氧原子、氮原子、硫原子、卤素原子；

a、b表示0～300的整数，且两者中至少一方不为0；

c、d表示0或1的整数；

相对(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分之合计100质量份，(C)成分为0.5～30.0质量份。

(A)成分是在两末端具有至少键合了通式(1)所示乙烯基的苯基的聚醚化合物(以下称改性OPE)。本发明中，由于用改性OPE作热硬化性树脂，所以同主要用环氧树脂的已有产品相比，硬化物的Tg高(216℃)，耐热性优异，硬化后膜用树脂组合物难以发成经时变化，能长期维持半导体装置的可靠性。而且，由于树脂中亲水基数量少，所以具有吸湿性优异这一特点。因此，即便是在需要接近150℃的温度的用途上，硬化后膜用树脂组合物也不产生剥离，能提供可靠性高的半导体装置。进一步，通过改性OPE和(B)热塑性弹性体带来的效果，硬化后膜用树脂组合物具有如能缓冲来自外部的应力的这种适度的柔软性，故能缓冲在半导体装置内产生的应力。还有，改性OPE绝缘性优异，即使将由膜用树脂组合物形成的绝缘膜的厚度减薄，也能维持半导体装置的可靠性。该改性OPE如日本专利特开2004-59644号公报所记载。须指出的是，使用了Tg高的环氧树脂的组合物不能成形为膜状，而使用了Tg低的环氧树脂的组合物能成形为膜状，但由于所得膜的Tg变低，所以膜耐热性差。然而，含有改性OPE的膜用树脂组合物，由于粘接强度变低，所以本发明中通过将改性OPE和作为(C)成分的萘型环氧树脂加以组合，能提高膜用树脂组合物的粘接强度。

关于通式(1)所示改性OPE的-(O-X-O)的结构式(2)，R₈、R₉、R₁₀、R₁₄、R₁₅优选为碳数3以下的烷基，R₁₁、R₁₂、R₁₃优选为氢原子或碳数3以下的烷基。具体可例举出结构式(4)。

关于-(Y-O)-的结构式(3)，R₁₆、R₁₇优选为碳数3以下的烷基，R₁₈、R₁₉优选为氢原子或碳数3以下的烷基。具体可例举出结构式(5)或(6)。

Z可例举出碳数3以下的亚烷基(alkylene)，具体为亚甲基(methylene)。

a、b表示0～300的整数，优选为0～30的整数，且两者中至少一方不为0。

优选数均分子量1000～4500的通式(1)的改性OPE。更优选数均分子量为1000～3000。数均分子量设为根据凝胶渗透谱法(gelpermeationchromatography；GPC)使用基于标准聚丙乙烯的校准曲线之值。

上述改性OPE既可单独使用也可组合2种以上使用。

(B)成分是为了膜成形性而使用的。而且，由于硬化后膜用树脂组合物具有如能缓冲来自外部的应力的这种适度的柔软性，所以(B)成分能缓冲在半导体装置内产生的应力。作为(B)成分可例举出苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物(styrene-butadieneblockcopolymer；SBS)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(styreneethylene-butylenestyreneblockcopolymer；SEBS)、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(styrene-isoprene-styrene-blockcopolymer)(SIS)、聚丁二烯(polybutadiene；PB)、苯乙烯-[乙烯-(乙烯-丙烯)]-苯乙烯嵌段共聚物(styrene-(ethylene-ethylene/propylene)-styreneblockcopolymer；SEEPS)。(B)成分既可单独使用也可并用2种以上。这些当中到底使用哪个，可根据赋予粘接膜的特性来适宜选择。譬如，从硬化后对粘接膜赋予耐热性的观点出发优选苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物，从对粘接膜赋予粘接强度的观点出发优选苯乙烯-[乙烯-(乙烯-丙烯)]-苯乙烯嵌段共聚物。因此，作为(B)成分，尤其优选并用苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物和苯乙烯-[乙烯-(乙烯-丙烯)]-苯乙烯嵌段共聚物。(B)成分优选重均分子量为30,000～200,000。重均分子量设为根据凝胶渗透谱法(GPC)使用基于标准聚丙乙烯的校准曲线之值。

(C)成分，由于使得膜用树脂组合物粘接强度(剥离强度(peelstrength))提高，所以能增加膜用树脂组合物中(E)绝缘填料的充填量。作为(C)成分的萘型环氧树脂是指具有1分子内至少含有1个以上的萘环的骨架的环氧树脂，可例举出萘酚(naphthol)系、萘二酚(naphthalenediol)系等。作为萘型环氧树脂譬如可例举出：1,3-二缩水甘油醚萘(1,3-diglycidylethernaphthalene)、1,4-二缩水甘油醚萘(1,4-diglycidylethernaphthalene)、1,5-二缩水甘油醚萘(1,5-diglycidylethernaphthalene)、1,6-二缩水甘油醚萘(1,6-diglycidylethernaphthalene)、2,6-二缩水甘油醚萘(2,6-diglycidylethernaphthalene)、2,7-二缩水甘油醚萘(2,7-diglycidylethernaphthalene)、1,3-二缩水甘油酯萘(1,3-diglycidylesternaphthalene)、1,4-二缩水甘油酯萘(1,4-diglycidylesternaphthalene)、1,5-二缩水甘油酯萘(1,5-diglycidylesternaphthalene)、1,6-二缩水甘油酯萘(1,6-diglycidylesternaphthalene)、2,6-二缩水甘油酯萘(2,6-diglycidylesternaphthalene)、2,7-二缩水甘油酯萘(2,7-diglycidylesternaphthalene)、1,3-四缩水甘油胺萘(1,3-tetraglycidylaminenaphthalene)、1,4-四缩水甘油胺萘(1,4-tetraglycidylaminenaphthalene)、1,5-四缩水甘油胺萘(1,5-tetraglycidylaminenaphthalene)、1,6-四缩水甘油胺萘(1,6-tetraglycidylaminenaphthalene)、1,8-四缩水甘油胺萘(1,8-tetraglycidylaminenaphthalene)、2,6-四缩水甘油胺萘(2,6-tetraglycidylaminenaphthalene)、2,7-四缩水甘油胺萘(2,7-tetraglycidylaminenaphthalene)等萘型环氧树脂。(C)成分，只要是含有上述萘型环氧树脂的即可，既可单独使用1种也可并用2种以上。尤其是，从低粘度这点看，优选液态2官能萘型环氧树脂。通过使用萘型环氧树脂，粘接强度(剥离强度)提高，能增加填料的充填量。其结果，能实现粘接膜高导热化。另外，萘型环氧树脂，其耐热性也优异，从这点来看也很适于高导热用途。

作为(D)成分，可例举出苯酚系硬化剂、胺系硬化剂、咪唑系硬化剂、酸酐系硬化剂等。从对于(C)成分的硬化性、粘接性的观点出发，尤其优选(D)成分为咪唑系硬化剂。

作为(E)成分，从保持绝缘性的观点出发，能使用一般的无机填料。作为(E)成分，优选导热系数为5W/m·K以上。从绝缘性和热膨胀系数观点出发，优选为从由MgO、Al₂O₃、AlN、BN、金刚石填料、ZnO、SiC、SiO₂构成的群选择的至少1种以上的无机填料。从导热系数、绝缘性和热膨胀系数的观点出发，优选为从由MgO、Al₂O₃、AlN、BN、金刚石填料、ZnO和SiC构成的群中选择的至少1种以上的无机填料。另外，对于ZnO和SiC也可以根据需要实施绝缘处理。作为各材料导热系数测定结果之一例(单位W/m·K)，MgO为37，Al₂O₃为30，AlN为200，BN为30，金刚石为2000，ZnO为54，SiC为90。另外，SiO₂的导热系数测定结果之一例(单位W/m·K)是1.4。

(E)成分的平均粒径(非粒状时指其平均最大径)没有特别限定，但在让(E)成分均匀分散于膜用树脂组合物中的基础上，优选为0.05～50μm。当不满0.05μm时，膜用树脂组合物的粘度上升，有成形性恶化之虞。若超过50μm，则有由膜用树脂组合物形成的绝缘膜中均匀分散(E)成分变得困难之虞。这里，(E)成分的平均粒径通过动态光散射纳米粒度分析仪(nanotrackparticlesizeanalyzerofdynamiclightscattering)来测定。(E)成分既可单独使用也可并用2种以上。

从硬化后绝缘膜的导热系数和耐热性的观点出发，优选：相对(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分之合计(以下称“(A)～(D)成分之合计”)100质量份，(A)成分为10～60质量份。

从绝缘膜的成形性和硬化后绝缘膜的弹性模量之观点出发，优选：相对(A)～(D)成分之合计100质量份，(B)成分为10～60质量份。

相对(A)～(D)成分之合计100质量份，(C)成分为0.5～30质量份，优选1.0～15质量份。相对(A)～(D)成分之合计100份(C)成分不满0.5质量份时，得不到密接性效果；若超过30质量份则膜单体耐折性(折曲性)会丧失，膜成形变得无法实现。

(D)成分，其有效量因种类而异。(D)成分为苯酚系硬化剂、胺系硬化剂、酸酐系硬化剂时，优选：相对(A)～(D)成分之合计100份，(D)成分为1～10质量份。而(D)成分为咪唑系硬化剂时则优选：相对(A)～(D)成分之合计100质量份，(D)成分为0.1～5质量份。

从绝缘性、粘接性和热膨胀系数的观点出发，优选：相对膜用树脂组合物:100质量份，(E)成分为40～95质量份。(E)成分超过95质量份时，绝缘膜粘接力容易降低。而(E)成分不满40质量份时，即使绝缘填料导热系数高也有硬化后导热不充分之虞。

另外，在不有损于本发明效果的范围内，膜用树脂组合物可含有粘接性赋予剂、防沫剂、流动调整剂、成膜辅助剂、分散促进剂等添加剂或有机溶剂。

作为有机溶剂可例举出：芳香族系溶剂，譬如甲苯(toluene)、二甲苯(xylene)等；酮(ketone)系溶剂，譬如甲基乙基酮(methylethylketone)、甲基异丁基酮(methylisobutylketone)等。有机溶剂既可单独使用也可组合2种以上使用。另外，有机溶剂的使用量虽无特别限定，但优选在满足固含量为20～50质量％之条件下使用。从操作性观点出发，膜用树脂组合物优选在200～3000mPa·s的粘度范围。粘度设为用E型粘度计在转数10rpm、25℃下测定的值。

膜用树脂组合物能通过将含有(A)～(E)成分等的原料往有机溶剂溶解或分散等而获得。作为这些原料的溶解或分散等的装置，没有特别限定，可使用具有搅拌、加热装置的捣碎机、三辊轧机、球磨机(ballmill)、行星式搅拌机(planetarymixer)、珠磨机(beadsmill)等。另外，也可将这些装置加以适当组合来使用。

〔绝缘膜〕

本发明绝缘膜由上述膜用树脂组合物形成。

绝缘膜通过将膜用树脂组合物往所期望的支撑体涂布后进行干燥来获得。支撑体，无特别限定，可例举出铜、铝等金属箔、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate)树脂等有机膜等。支撑体也可用硅系化合物等作脱膜处理。

膜用树脂组合物往支撑体涂布的方法，无特别限定，从薄膜化·膜厚控制的观点出发，优选微型凹版涂布方法(microgravuremethod)、狭缝模头挤出涂布法(slotdiecoatingmethod)、刮匀涂布法(doctorblademethod)。通过狭缝模头挤出涂布法能获得热硬化后的厚度譬如为10～300μm的绝缘膜。

干燥条件可根据膜用树脂组合物所使用的有机溶剂的种类或量、涂布厚度等来适当设定，譬如可设为50～120℃、1～30分左右。这样获得的绝缘膜具有良好的保存稳定性。另外，绝缘膜可在所期望的时刻从支撑体剥离。

绝缘膜譬如能在130～220℃下热硬化30～180分钟。

绝缘膜的厚度，优选为10μm以上300μm以下，更优选为10μm以上100μm以下，进一步更优选为10μm以上50μm以下。不满10μm时有不能获得所期望绝缘性之虞。若超过300μm时则有半导体装置排热性变得欠缺之虞。

硬化后绝缘膜的剥离强度优选为大于5N/cm。

硬化后绝缘膜的体积电阻系数、即硬化后膜用树脂组合物的体积电阻系数最好为1×10¹⁰Ω·cm以上，较优选体积电阻系数为1×10¹²Ω·cm以上，更优选为1×10¹³Ω·cm以上。另外，硬化后绝缘膜的导热系数、即硬化后膜用树脂组合物的导热系数较优选为1.0W/m·K以上。硬化后绝缘膜的体积电阻系数不满1×10¹⁰Ω·cm时有不能满足半导体装置所要求的绝缘性之虞。另外，硬化后绝缘膜的导热系数不满1.0W/m·K时则有半导体装置排热性变得欠缺之虞。硬化后绝缘膜的体积电阻系数和导热系数能通过(E)成分的种类和含量来控制。

〔半导体装置〕

本发明半导体装置含有上述绝缘膜的硬化物。作为半导体装置可例举出用绝缘膜的硬化物把模块或电子部件等发热体和基板粘接而成之物、或者用绝缘膜的硬化物把基板和排热板粘接而成之物。图1是本发明半导体装置之一例的说明图。图1所示半导体装置1是：把绝缘膜10(图1(A))夹在基板20和模块或电子部件等发热体30之间粘接后使绝缘膜硬化而变成绝缘膜的硬化物11而成之物(图1(B))。

实施例

根据实施例描述本发明，但本发明并非受此限制。另外，以下实施例中，只要没有特别说明，份、％均表示质量份、质量％。

〔实施例1～6、比较例1～3〕

按表1所示配比计量配制了(A)成分、(B)成分、(C)成分和适量的甲苯后，将这些投入已加温到80℃的反应釜，一边以转数150rpm使之旋转一边进行3小时常压混合，制作出清漆(clear)。往制作出的清漆加入(D)成分、(E)成分和其它成分，通过行星式搅拌机进行分散，制作出膜用树脂组合物。将这样得到的膜用树脂组合物往支撑体即实施了脱膜处理的PET膜的一面涂布，100℃下使之干燥，据此得到带支撑体的绝缘膜。须指出的是，比较例2没能成形为膜，也没能作下述的导热系数、剥离强度之评价。另外，实施例1～6的硬化后膜用树脂组合物的体积电阻系数均为1×10¹⁰Ω·cm以上。具体而言，实施例1为1.5×10¹⁴Ω·cm，实施例2为2.1×10¹⁴Ω·cm。硬化后膜用树脂组合物的体积电阻系数是这样测定出来的：以用压力机热硬化(200℃、60min、0.1MPa)后的膜用树脂组合物为试片，用东亚电波工业公司制极超绝缘计(型号:SM-8220)测定了试片的体积电阻系数。

[表1]

1)三菱瓦斯化学产品名：OPE-2st22008)堺化学工业制产品名：SMO-5平均粒径：8μm

2)旭化成制SEBS产品名：TUFTECH10529)住友化学制产品名：AA-3平均粒径：3μm

3)可乐丽制SEEP产品名：SEPTON404410)电气化学工业制产品名：ASFP-20平均粒径：0.3μm

4)DIC制产品名：HP4032D11)ADMATECHS制产品名：SE2050平均粒径：0.6μm

5)日本化药制产品名：NC3000H12)信越化学工业制3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷产品名：KBM403

6)四国化成工业制2-乙基-4-甲基咪唑产品名：2E4MZ13)桥本化成工业制产品名：ED152

7)堺化学工业制产品名：SMO-2平均粒径：4μm

〔导热系数的评价〕

用压力机使未硬化的绝缘膜热硬化(200℃、60min、0.1MPa)。用NETZSCH公司制导热系数计(XeFlashAnalyzer，型号:LFA447Nanoflash)测定了硬化了的绝缘膜的导热系数。

〔剥离强度的评价〕

以粗糙面为内侧将铜箔粘贴于绝缘膜两面，用压力机热压接(200℃、60min、0.1MPa)。将该试片切成10mm宽，用电子万能试验机(AUTOGRAPH)拉拽剥离，测定了剥离强度。对测定结果，计算了各N＝5的平均值。

从表1可知，实施例1～7全体，即使使用绝缘性、耐热成分优异的(A)成分且(E)成分含有75质量份以上，也照样是膜成型性良好、硬化后的导热系数、剥离强度高。对此，从表1可知，(C)成分过少的比较例1的剥离强度则不够。另外，(C)成分过多的比较例2，膜成形性差。而用联苯型环氧树脂取代了(C)成分的比较例3，剥离强度显著降低。

实用性

本发明膜用树脂组合物，膜成形性良好，硬化后导热系数和剥离强度高，对于制造高可靠性半导体装置是非常有用的。

Claims (6)

1.一种膜用树脂组合物，其特征在于，含有(A)在两末端具有至少键合了以下通式(1)所示乙烯基的苯基的聚醚化合物、(B)热塑性弹性体、(C)萘型环氧树脂、(D)硬化剂和(E)绝缘填料；

式中，

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇均相同或不同，为氢原子、卤素原子、烷基、卤代烷基(alkylhalide)或苯基；

-(O-X-O)-由结构式(2)给出，其中，R₈、R₉、R₁₀、R₁₄、R₁₅均相同或不同，为卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基，R₁₁、R₁₂、R₁₃均相同或不同，为氢原子、卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基；

-(Y-O)-是结构式(3)所示的1种结构或结构式(3)所示的2种以上结构随机排列而成之物，其中，R₁₆、R₁₇均相同或不同，为卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基，R₁₈、R₁₉均相同或不同，为氢原子、卤素原子或碳数6以下的烷基或苯基；

Z为碳数1以上的有机基，视具体情况也可含有氧原子、氮原子、硫原子、卤素原子；

a、b表示0～300的整数，且两者中至少一方不为0；

c、d表示0或1的整数；

相对(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分之合计100质量份，(C)成分为0.5～30.0质量份。

2.根据权利要求1所述的膜用树脂组合物，其中，(E)成分是从由MgO、Al₂O₃、AlN、BN、金刚石填料、ZnO和SiC构成的群选择的至少1种。

3.根据权利要求1或2所述的膜用树脂组合物，其中，硬化后膜用树脂组合物的体积电阻系数为1×10¹⁰Ω·cm以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的膜用树脂组合物，其中，相对膜用树脂组合物100质量份，(E)成分为40～95质量份。

5.一种绝缘膜，其中，是通过权利要求1～4中任一项所述的膜用树脂组合物形成的。

6.一种半导体装置，其中含有权利要求5所述的绝缘膜的硬化物。