CN104600006A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能不产生异常放电等而高效率地加热各构成构件的基板处理装置。基板处理装置(10)包括能减压的处理室(11)、设于该处理室(11)内的基座(12)、与该基座(12)相对地设于处理室(11)的顶部的簇射头(27)、配置于基座(12)的上表面外周部的聚流环(24)，具有配置在聚流环(24)的附近的红外线辐射式的环状的加热器(26)，加热器(26)由红外线辐射体(26a)和封入红外线辐射体(26a)的石英制环(26b)构成，使在聚流环(24)和加热器(26)之间不存在阻碍红外线辐射的构件。

Description

基板处理装置

本申请是申请号为2010101322451、申请日为2010年03月16日、发明名称为“基板处理装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及基板处理装置，特别是涉及在处理室内设有加热器，消除阻碍基板处理的主要原因的基板处理装置。

背景技术

作为基板处理装置，例如列举出有半导体制造装置、真空处理装置、成膜处理装置等，作为使用等离子体对基板进行处理的基板处理装置，公知有等离子处理装置。等离子处理装置具有在内部产生等离子体的能减压的处理室(室)，在该室内配置有载置作为基板的晶圆的基板载置台(基座)。基座包括配置于该基座的上表面的圆板状的静电吸盘(ESC)和配置于该静电吸盘上表面的外周缘部的、例如由硅构成的聚流环。

公知在等离子处理装置中，在处理开始前进行排出处理室内气体的排气处理。即，通过预先去除吸附于处理室内的壁面、构成构件的水分、反应生成物等基板处理阻碍成分，使晶圆的蚀刻率的分布形态均匀化，由此提高面内处理的均匀性。通常，加热水分等使其蒸发，排出该蒸发的水分等而将其去除。可是，为了加热水分等，在处理室内配置例如金属电阻式的加热器，金属暴露于处理室内而成为异常放电的原因。

因此，提出一种基板处理装置，该基板处理装置在基座内设有埋入式的导热加热器，控制聚流环和其周边部的温度(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2008-159931号公报

可是，基板处理装置具有组合多个构件的构造，由于各构件相互间的间隙作为真空绝热层而起作用，所以导热性降低，在以往的设有埋入式加热器的基板处理装置中，各构成构件特别是无法高效率地加热聚流环和其周边部。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能不产生异常放电且高效率地加热各构成构件的基板处理装置。

为了实现上述目的，技术方案1所述的基板处理装置包括：能减压的处理室、设于该处理室内的基板载置台、与该基板载置台相对地设于上述处理室的顶部的簇射头、配置于上述基板载置台的上表面外周部的聚流环，其特征在于，具有配置在上述聚流环的附近的红外线辐射式的环状的加热器，上述加热器由红外线辐射体和封入该红外线辐射体的玻璃体构成。

技术方案2所述的基板处理装置是根据技术方案1所述的基板处理装置，其特征在于，使在上述聚流环和上述加热器之间不存在阻碍红外线辐射的构件。

技术方案3所述的基板处理装置是根据技术方案1或2所述的基板处理装置，其特征在于，上述聚流环和上述加热器直接相邻。

技术方案4所述的基板处理装置是根据技术方案1～3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述加热器经由贯穿上述基板载置台的电力供给线与外部电源连接。

技术方案5所述的基板处理装置是根据技术方案1或2所述的基板处理装置，其特征在于，上述加热器以与上述聚流环隔有空间地围绕该聚流环的方式设于该聚流环的外周部。

技术方案6所述的基板处理装置是根据技术方案5所述的基板处理装置，其特征在于，上述加热器经由贯穿上述处理室的侧壁的电力供给线与外部电源连接。

技术方案7所述的基板处理装置是根据技术方案5所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理室具有用于划分上述基板载置台与上述簇射头之间的空间、和上述基板载置台的下方的排气空间这两个空间的排气板，上述加热器经由贯穿上述排气板的电力供给线与外部电源连接。

技术方案8所述的基板处理装置是根据技术方案5或7所述的基板处理装置，其特征在于，上述加热器被设置为沿着上述处理室的内壁面在上下方向上自由移动。

技术方案9所述的基板处理装置是根据技术方案1～8中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，在上述加热器的上述玻璃体表面上的与构件相对的部分涂敷有红外线反射膜。

技术方案10所述的基板处理装置是根据技术方案1～9中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述红外线辐射体由碳丝构成。

技术方案11所述的基板处理装置是根据技术方案1～10中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述红外线辐射体在波长1200nm附近具有发光峰值。

采用技术方案1所述的基板处理装置，具有配置在聚流环附近的红外线辐射式的环状的加热器，该加热器由红外线辐射体和封入该红外线辐射体的玻璃体构成，所以红外线辐射体不暴露在处理室内，始终绝缘，其结果，即使在处理室内设置加热器也能够防止产生异常放电。此外，由于加热器辐射红外线，所以能够高效率地加热以聚流环为首的构成构件。

采用技术方案2所述的基板处理装置，因为使聚流环和加热器之间不存在阻碍红外线辐射的构件，所以即使聚流环和加热器不相邻，也能够由红外线辐射而高效率地加热聚流环。

采用技术方案3所述的基板处理装置，因为聚流环和加热器直接相邻，所以不仅能够用红外线辐射加热聚流环，而且能直接导热加热聚流环，由此，能进一步高效率地加热聚流环和周边构件。

采用技术方案4所述的基板处理装置，因为加热器经由贯穿基板载置台的电力供给线与外部电源连接，所以能消除因电力供给线暴露在处理室内而造成的问题。

采用技术方案5所述的基板处理装置，因为加热器以与聚流环隔有空间地围绕该聚流环的方式设于该聚流环的外周部，所以能够利用红外线辐射高效率地间接加热聚流环和其周边构件。而且也不会产生异常放电。

采用技术方案6所述的基板处理装置，因为加热器经由贯穿处理室的侧壁的电力供给线与外部电源连接，所以能尽可能地缩短处理室内的电力供给线布线的长度。

采用技术方案7所述的基板处理装置，因为处理室具有用于划分基板载置台与簇射头之间的空间、和基板载置台的下方的排气空间的排气空间，加热器经由贯穿排气板的电力供给线与外部电源连接，所以能尽可能地减小由在处理室内配置电力供给线而造成的影响。

采用技术方案8所述的基板处理装置，因为加热器被设置为沿着处理室的内壁面在上下方向上自由移动，所以能够根据需要使其移动，从而积极地利用红外线辐射间接加热处理室内需要加热的部分。

采用技术方案9所述的基板处理装置，因为在加热器的玻璃体表面上的与构件相对的部分涂敷有红外线反射膜，所以通过使不需要加热的构成构件与该部分相对，能够避开对该构成构件的红外线辐射，从而能防止加热。

采用技术方案10所述的基板处理装置，因为红外线辐射体由碳丝束构成，所以作为加热器的构成材料能够不使用金属，由此，能避免异常放电。

采用技术方案11所述的基板处理装置，因为红外线辐射体在波长为1200nm附近具有发光峰值，所以能够利用特定波长的红外线辐射，高效率地加热各构成构件。

附图说明

图1是概略地表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的构成的剖视图。

图2是表示图1中的主要部分的放大图。

图3是表示加热器的发光光谱的分光分布图。

图4是表示加热器的形态的说明图，图4的(A)是表示其外观的示意图，图4的(B)是沿着图4的(A)的B-B线的剖视图。

图5是表示对30A型的供试用加热器供给的电流(A)、经过时间(h)和到达温度(℃)的关系的图。

图6是表示存在于处理室11内的气体的室温(25℃)时的排气时间和处理室内分压的关系的图，图6的(A)表示用TMP真空排气的情况，图6的(B)是并用TMP和低温泵进行真空排气的情况。

图7是概略地表示本发明的第2实施方式的基板处理装置的主要部分的构成的剖视图。

图8是概略地表示本发明的第3实施方式的基板处理装置的主要部分的构成的剖视图。

具体实施方式

下面、一边参照附图一边详述本发明的第1实施方式。

图1是概略地表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的构成的剖视图。该基板处理装置被构成为对作为基板的半导体晶圆W实施RIE(反应离子蚀刻Reactive Ion Etching)处理。

在图1中，基板处理装置10具有圆筒形状的处理室11，该处理室11在内部上方具有处理空间S。后述的等离子体在处理空间S中产生。而且，在处理室11内配置有作为基板载置台的圆柱状的基座12，该基板载置台载置例如直径300mm的半导体晶圆W(以下、仅称为“晶圆W”)。处理室11的内壁面被由绝缘性材料构成的侧壁构件13覆盖。

在基板处理装置10中，利用处理室11的内侧壁面和基座12的侧面形成排气流路14，该排气流路14作为将基座12上方的气体排出到处理室11的外部的流路而发挥作用。在该排气流路14中配置有具有多个通气孔的板状构件即排气板15，该排气板15分隔出排气流路14和作为处理室11的下部空间的排气空间ES。而且，在排气空间ES中连接有粗抽排气管16和完全排气管17。粗抽排气管16与DP(干燥泵Dry Pump)(省略图示)连接，完全排气管17与TMP(涡轮分子泵Turbo Mole cular Pump)(省略图示)连接。

粗抽排气管16、完全排气管17、DP和TMP等构成排气装置，该排气装置将处理空间S的气体经由排气流路14和排气空间ES向处理室11的外部排出，将处理空间S减压成高真空状态。

基座12在内部具有由导电性材料例如铝构成的高频电力板18，在该高频电力板18上经由第1匹配器(Matcher)20连接有第1高频电源19，该第1高频电源19对高频电力板18施加第1高频电力。第1匹配器20通过降低自高频电力板18的高频电力的反射，使向高频电力板18供给的第1高频电力的供给效率成为最大。此外，在高频电力板18上经由第2匹配器33连接有第2高频电源32，该第2高频电源32对高频电力板18施加频率与第1高频电力不同的第2高频电力。而且，第2匹配器33的功能和第1匹配器20的功能相同。由此，基座12作为下部高频电极而发挥作用，对处理空间S施加第1高频电力和第2高频电力。另外，在基座12的高频电力板18的下方配设有由绝缘性材料例如氧化铝(A1₂O₃)构成的基台21。

在基座12的高频电力板18的上方配设有静电吸盘23。静电吸盘23内部具有电连接直流电源29的电极板22。基座12载置晶圆W时，该晶圆W被载置在静电吸盘23上。载置在静电吸盘23上的晶圆W被因施加于电极板22的直流电压而引起的库仑力或约翰逊·拉别克(Johnsen-Rahbek)力吸附保持。

在基座12上以围绕被吸附保持在基座12的上表面上的晶圆W的周缘部的方式载置有环状的聚流环24。聚流环24由硅(Si)、氧化硅(SiO₂)或碳化硅(SiC)构成，暴露在处理空间S中，朝向晶圆W表面汇聚处理空间S的等离子体，提高RIE处理的效率。在聚流环24的周围配置有保护聚流环24的侧面的、由石英构成的环状的覆盖环25。

在聚流环24的下方配置有红外线辐射式的环状的加热器(以下称为光源(lamp)加热器)26。光源加热器26是将由碳丝束构成的红外线辐射体封入到玻璃体中的构件。后面详述光源加热器26的构成、作用。

在基座12的上表面的吸附保持有晶圆W的部分开设有多个导热气体供给孔(省略图示)。这些多个导热气体供给孔将作为导热气体的氦(He)气供给到基座12和晶圆W的背面之间的间隙，改善晶圆W和基座12的热传导效率。

在处理室11的顶部与基座12相对地配置有气体导入用的簇射头27。簇射头27包括内部形成有缓冲室28的电极板支承体30和吊挂支承于该电极板支承体30的上部电极板31。上部电极板31是由导电性材料例如硅构成的圆板状的构件，电极板支承体30也由导电性材料构成。而且，处理室11的顶部和电极板支承体30之间夹设有由绝缘性材料构成的绝缘环30a。绝缘环30a使电极板支承体30与处理室11的顶部绝缘。另外，电极板支承体30接地。

在簇射头27的缓冲室28中连接有来自处理气体供给部(省略图示)的处理气体导入管34。而且，簇射头27具有使缓冲室28与处理空间S导通的多个气体孔35。簇射头27将从处理气体导入管34向缓冲室28供给的处理气体经由气体孔35向处理空间S供给。

在基板处理装置10的处理室11内，如上所述，通过基座12对作为基座12与上部电极板31之间的空间的处理空间S施加第1高频电力和第2高频电力，在处理空间S中使由簇射头27供给的处理气体成为高密度的等离子体，产生阳离子和自由基，利用产生的阳离子和自由基对晶圆W实施RIE处理。

图2是表示图1的主要部分的放大图。

如图2所示，载置于基座12的晶圆W的周缘部与聚流环24的内周缘部相对，聚流环24的下表面与光源加热器26的上表面抵接。而且，光源加热器26与分别配置于左右两侧的静电吸盘23和石英制的覆盖环25、以及配置于下方的石英制的绝缘环36接触，通过导热加热直接加热静电吸盘23、石英制的覆盖环25、绝缘环36，并且利用对石英或玻璃制构件所传导的辐射热而间接加热周边的构成构件。

在此，作为光源加热器26，例如适用Covalent Materials公司的ES环HT。ES环HT(以下称为“光源加热器")是红外线发光式的加热器，通常在波长为1200nm附近具有发光峰值。

图3是表示光源加热器26的发光光谱的分光分布图。在图3中，光源加热器在波长1200nm附近具有发光峰值，特别是在加热器温度为100℃以上的情况下，该特征表现得较明显。

图4是表示光源加热器26的形态的说明图，图4的(A)是表示光源加热器26的外观的示意图、图4的(B)是沿着图4的(A)的B-B线的剖视图。在图4的(A)中，光源加热器26具有与聚流环24一样的环状，主要由被成形为环状的碳丝束构成的红外线辐射体26a和封入该红外线辐射体26a的石英制环26b(参照图4的(B))构成，具有连接红外线辐射体26a和外部电源(省略图示)的电力供给线26c。碳丝例如是7μm/P，例如通过将3000根该碳丝组成一束，重叠10束来构成红外线辐射体26a。另外，石英制环26b具有不吸收辐射热的表面状态。

如图4的(B)所示，红外线辐射体26a的截面例如是矩形，石英制环26b的截面也优选是矩形。由此，通过与以聚流环24为首的相邻构件面接触，不仅能有效地进行辐射加热，而且经由接触面能有效地进行导热加热。电力供给线26c贯穿例如构成基板载置台的静电吸盘23，连接红外线辐射体26a和外部电源(未图示)。另外，光源加热器26的红外线辐射体26a和石英制环26b的截面形状不限于矩形，例如也可以是圆形。

光源加热器26是主要通过辐射加热方式间接加热被加热构件的加热器，即使距构件表面200mm，也能够将构件加热到700℃左右。光源加热器26的升温时间比通常的金属电阻加热器快，例如将7～16A的电流阶段性地供给30A型的供试用加热器的情况下，分别在短时间内到达规定温度，之后，稳定地维持到达温度。

图5是表示对30A型的供试用加热器供给的电流(A)、经过时间(h)和到达温度(℃)的关系的图。另外，在图5中，光源加热器的温度是使用红外热摄像仪测量的温度，将热电偶插入到红外线辐射体26a内，在利用该热电偶使测量温度稳定的时刻，测量红外热摄像仪的测量温度、电流、电压值等。

在图5中，使供给电流以7A、10A、13A和16A发生变化。在供给7A的电流的情况下，在15分左右加热器温度稳定，显示为210℃。之后，使电流值增加为10A、13A和16A，然而，在切换电流值的大致同时，加热器温度分别上升为260℃、320℃、360℃，之后，分别稳定地维持到达温度。由此可知，光源加热器26的控制响应性优异。另外可知，红外热摄像仪的测量温度与热电偶的测量温度相对应，测量值是可靠的。

另外，光源加热器26比金属电阻加热器等消耗电力少，经济上也有利。而且，光源加热器26是以辐射加热为主的，不会产生例如如卤素灯那样地在表面附着有水分等而模糊，由此停止发热的这种问题。

接着，说明具有这样的光源加热器26的图1的基板处理装置的动作。

在图1的基板处理装置中，在将被处理晶圆W收容在处理室11内之前，对光源加热器26通电，将聚流环24和其周边构件加热到例如200℃，并且对处理室11内进行了排气处理，排气处理开始后大约1小时，处理室11内的水分基本完全地脱离、排出。

图6是表示存在于处理室11内的气体在室温(25℃)时的排气时间与处理室内分压的关系的图，图6的(A)表示用主泵TMP进行真空排气的情况，图6的(B)表示并用主泵TMP和低温泵(Cryo Pump)(110-140K)真空排气的情况。在图6的(A)中，被认为对等离子处理造成不良影响水分在排气开始后大约1小时，其分压降低到1×10^-3Pa左右，但是如图6的(B)那样，并用低温泵时的处理室11内的水分分压进一步降低，成为1×10^-4pa以下。由此可知，在未应用低温泵的情况下，水分未从构成构件充分地脱离而被排出到处理室11的外部。此外，虽然并用低温泵是有效的，但因在中断排气时吸附于构件表面的水分，处理室11内的水分分压接近于图6的(A)的情况。从该结果认为，为了有效地降低处理室11内的水分分压，如本实施方式那样，需要将构件表面加热到水的沸点以上从而加速水分的排出。

对处理室11内的水分进行了排气处理之后，将处理室11的内部压力设定为例如1×10Pa(75mTorr)，将被处理晶圆W搬入处理室11内，载置在基座12上。之后，由簇射头27将作为处理气体的例如CF系或CH系气体以流量10～100sccm供给到处理室11内，将Ar和O₂气体以流量200～1000sccm供给到处理室11内，并且，对基座12的高频电力板18作为激励用电力施加200～500W、作为偏压电力施加2000～4000W，对簇射头27施加0～－300V的直流电压。此时，处理气体被施加于处理空间S中的高频电力激励成为等离子体，产生离子、自由基，利用这些离子、自由基对晶圆W实施了等离子处理。

采用本实施方式，在聚流环24的附近例如下部配置了红外线辐射式的环状的光源加热器26，所以能够通过导热或辐射高效率地加热以聚流环为首的处理室内构成构件。因此，以聚流环为首的构成构件温度稳定，所以等离子处理稳定。此外，即使光源加热器26和各构成构件相互间存在间隙，只要是在红外线辐射到达的范围内就能良好地加热，所以也不需要以往所必要的构件互相问的导热片。此外，光源加热器不使用金属构件，即使配置在处理室11内也不会产生异常放电。

采用本实施方式，光源加热器26的截面呈矩形，所以与以聚流环24为首的周边的构成构件的抵接面为平面。因此，除了红外线辐射加热之外，能经由抵接平面导热加热各构成构件，提高热效率。

采用本实施方式，因为能高效率地加热处理室11内的各构成构件，所以在开始处理前的排气处理中，能尽量降低水分分压。因此，能够将以往为了将水分分压抑制在希望值以下所需要几十～几百张虚设晶圆减少到几张～十几张左右。而且，处理室内的构成构件例如较多为由玻璃构成的易耗件，定期更换为新品，所以在更换构件上附着的水分被带入处理室11内，然而，在开始处理前预先通过进行加热、排气处理，不仅是存在于处理室11内的已有的水分，而且随着更换构件而被导入的水分也能够在较短时间内排出到处理室的外部，所以之后的处理稳定。

在本实施方式中，光源加热器26经由贯穿构成基板载置台12的静电吸盘23的电力供给线26c与外部电源连接。由此，能消除由于电力供给线26c暴露在处理室11内而造成的问题。

接着，说明本发明的第2实施方式。

图7是概略地表示本发明的第2实施方式的基板处理装置的构成的剖视图。

在图7中，因为与图1的基板处理装置相同的构成起相同的作用，所以标注相同的附图标记并省略说明。该基板处理装置与图1的基板处理装置不同的是，替换光源加热器26，具有以与基座12的聚流环24隔有规定空间地围绕该聚流环24的方式设于该聚流环24的外周部的光源加热器46。

光源加热器46经由贯穿处理室11的侧壁的电力供给线46c与外部电源(省略图示)连接。此时，也可以将电力供给线46c经由处理室11的服务口与外部电源连接。还可以在处理室11的侧壁的电力供给线46c的贯穿部外侧设置波纹管构造，吸收处理室11的侧壁和电力供给线46c的热膨胀差。另外，也可以将电力供给线46c以贯穿排气板15的方式朝向下方延伸设置，由该电力供给线46c连接发热体46a和外部电力。由此，由于在处理室11内配置电力供给线46c带来的影响较小。

采用本实施方式，以与聚流环24隔有空间地围绕该聚流环24的方式在该聚流环24的外周部设置环状的光源加热器46，所以能利用该光源加热器46高效率地间接加热聚流环24和其周边构件。因此，能稳定地加热聚流环24、其周边构件和处理室内壁面等的温度，由此，等离子体密度稳定，基板的面内均匀性也得到提高。

此外，采用本实施方式，因为在处理室11内设置光源加热器46，所以能够在处理开始前预先利用光源加热器46加热处理室内，缩短对以水分、反应生成物为首的基板处理阻碍成分进行蒸发、脱离、排气的排气处理所需要的时间。因此，也能尽量减少虚设晶圆的所需张数。而且，光源加热器46的红外线辐射体46a由碳丝束构成，并且由石英制玻璃体46B所覆盖，所以也不会因金属构件暴露在处理室11内而产生异常放电。

基板处理装置通过组合多个构件而构成，有可能构件相互间作为真空绝热部而起作用，然而，采用本实施方式，利用光源加热器46的红外线辐射，即使对位于分离的位置的构成构件也能间接地加热，所以能够高效率地加热处理室内，从而进行稳定的基板处理。

此外，采用本实施方式，因为光源加热器46经由贯穿处理室11的侧壁的电力供给线46c与外部电源连接，所以能尽可能地缩短处理室内电力供给线的长度。

在本实施方式中，需要避开红外线辐射加热的构件，通过例如在与基板和基板载置台相对的光源加热器46的玻璃体46b表面涂敷红外线反射膜，能避免使避免加热构件被加热。作为红外线反射膜例如举出OPTO-LINE公司的热光镜、冷光镜、半透半反镜等。这些红外线反射膜例如具有通过光但是隔绝热的性质，对等离子处理不会带来不良影响。

在本实施方式中，光源加热器46被省略图示的支承构件，例如石英制柱支承并固定于排气隔板或处理室。

接着，说明本发明的第3实施方式。

图8是概略地表示本发明的第3实施方式的基板处理装置的构成的剖视图。在图8中，因为与图1和图7的基板处理装置相同的构成起同样地作用，所以标注相同的附图标记并省略说明。该基板处理装置与图7的基板处理装置不同的是，替换光源加热器46，设置构成为能够沿着处理室11的侧壁面在上下方向上移动自由的光源加热器56。

在图8中，光源加热器56经由贯穿排气板15的电力供给线56c与外部电源(未图示)连接，该排气板15用于划分处理空间S和排气空间ES。另外，优选在处理室11的外部设置吸收沿着电力供给线56c的上下方向的移动的波纹管(省略图示)。

采用本实施方式，因为将光源加热器56设置成沿着处理室11的侧壁在上下方向上移动自由，所以特别是在对晶圆W实施等离子处理的处理中，通过将光源加热器56固定于聚流环24的附近、并加热聚流环24和其周边构件而确保处理稳定性，处理后，通过使其例如移动到下方而待命，或使光源加热器56随着排气处理在簇射头27的附近与排气板15之间上下运动，由此，也能均匀地加热处理室内，高效率地消除基板处理阻碍成分。

在本实施方式中，作为升降装置，例如较佳地使用公知的基板搬送用升降机(晶圆升降器)来支承光源加热器56。升降机驱动部通常被设在处理室11外侧。

在本发明的第2和第3实施方式中，也能并用第1实施方式中的光源加热器26。由此，能利用各光源加热器的协同作用高效率地加热处理室11内。

在上述的各实施方式中，被实施等离子处理的基板不限于半导体器件用的晶圆，也可以是用于包括LCD(Liquid CrystalDisplay)的FPD(Flat Panel Display)等的各种基板、光掩模、CD基板、印刷电路板等。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置包括：

能减压的处理室；

设于该处理室内的基板载置台；

与该基板载置台相对地设于上述处理室的顶部的簇射头；

配置于上述基板载置台的上表面外周部的聚流环；

配置在上述聚流环的附近的红外线辐射式的环状的加热器，

上述加热器由红外线辐射体和封入有该红外线辐射体的玻璃体构成，

上述红外线辐射体的截面为矩形，上述玻璃体的截面也由矩形构成。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述红外线辐射体由碳丝束构成。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

上述红外线辐射体在波长为1200nm附近具有发光峰值。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述加热器的上述玻璃体表面上的与构件相对的部分涂敷有红外线反射膜。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

上述加热器经由贯穿上述基板载置台的电力供给线与外部电源连接。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

上述处理室具有用于将上述基板载置台与上述簇射头之间的空间、和上述基板载置台的下方的排气空间这两个空间之间划分开的排气板，上述加热器经由贯穿上述排气板的电力供给线与外部电源连接。

7.一种基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置包括：

能减压的处理室；

设于该处理室内的基板载置台；

与该基板载置台相对地设于上述处理室的顶部的簇射头；

配置于上述基板载置台的上表面外周部的聚流环；

配置在上述聚流环的附近的红外线辐射式的环状的加热器，

上述加热器与上述聚流环接触地配置在上述聚流环的正下方，以对上述聚流环和上述聚流环的周边构件进行加热，并且，上述加热器由红外线辐射体和封入有上述红外线辐射体的玻璃体构成，该红外线辐射体由碳丝束构成。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

上述红外线辐射体在波长为1200nm附近具有发光峰值。

9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述加热器的上述玻璃体表面上的与构件相对的部分涂敷有红外线反射膜。

10.根据权利要求7～9中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

上述加热器经由贯穿上述基板载置台的电力供给线与外部电源连接。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

上述处理室具有用于将上述基板载置台与上述簇射头之间的空间、和上述基板载置台的下方的排气空间这两个空间之间划分开的排气板，上述加热器经由贯穿上述排气板的电力供给线与外部电源连接。