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CN104465996A - 有机电致发光装置及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光装置及其制备方法 Download PDF

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CN104465996A
CN104465996A CN201310415744.5A CN201310415744A CN104465996A CN 104465996 A CN104465996 A CN 104465996A CN 201310415744 A CN201310415744 A CN 201310415744A CN 104465996 A CN104465996 A CN 104465996A
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CN
China
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layer
oxide
electroluminescent device
thickness
metallic film
Prior art date
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Pending
Application number
CN201310415744.5A
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English (en)
Inventor
周明杰
冯小明
钟铁涛
王平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201310415744.5A priority Critical patent/CN104465996A/zh
Publication of CN104465996A publication Critical patent/CN104465996A/zh
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H—ELECTRICITY
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  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光装置，其包括依次层叠的基板、反射电极、光学破坏层、第一透射电极、OLED发光结构及第二透射电极。所述基板选用玻璃、金属片、硅片或高分子材料等材质，所述反射电极的材质为第一金属薄膜，所述光学破坏层的材质为硅的氧化物、钛的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物或铼的氧化物，所述第一透射电极的材质为导电氧化物薄膜，所述第二透射电极的材质为第二金属薄膜。本发明提供的有机电致发光装置的制备方法通过在反射电极上形成光学破坏层，用于形成不同梯度的折射率，使得利用该有机电致发光装置的制备方法制得的有机电致发光装置具有较高的对比度及清晰度。

Description

有机电致发光装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光装置及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(0rganic Light Emitting Diode，简称OLED)是一种使用有机发光材料的多层发光器件。OLED因其具有发光效率高、制作工艺简单，以及易实现全色和柔性显示等特点，在照明和平板显示领域引起了越来越多的关注。
现有的顶发射发光装置一般采用上出光的形式，可以改善发光的出光效率，然而，由于采用了金属电极作为反射电极，使外部环境光线在发射器件的反射电极上产生强烈的反射，从而影响了显示的对比度和清晰度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种反射率小、对比度高且清晰度高的有机电致发光装置。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光装置，其包括依次层叠的基板、反射电极、光学破坏层、第一透射电极、OLED发光结构及第二透射电极。所述基板选用玻璃、金属片、硅片或高分子材料等材质，所述反射电极的材质为第一金属薄膜，所述光学破坏层的材质为硅的氧化物、钛的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物或铼的氧化物，所述第一透射电极的材质为导电氧化物薄膜，所述OLED发光结构包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层，所述第二透射电极的材质为第二金属薄膜。
其中，所述第一金属薄膜，即反射电极的材质选用金属金、银、铝、铜、镍、铂或镁的任意一种材料制成或者由其中至少两种材料组成的合金，且所述第一金属薄膜的厚度大于或等于70nm；
其中，所述光学破坏层包括多个依次层叠的含氧量不同的单层，各所述单层的厚度均为10nm-30nm，所述光学破坏层的总厚度为30nm-120nm；
其中，所述导电氧化物薄膜的材质为铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物或镓锌氧化物，且所述导电氧化物薄膜厚度为100nm-500nm；
其中，所述空穴注入层选用酞菁锌、酞菁铜或酞菁铂；
所述空穴传输层采用4，4′，4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺，N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺、4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺或者4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺中的一种；
所述发光层的材质为客体材料以质量比为1：100-20：100的比例掺杂在主体材料中的混合材料；所述客体材料包括4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、双(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱，二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱中的一种或几种与主体材料掺杂而成，所述主体材料选用4，4′-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺；或者所述发光层的材质为荧光材料，所述荧光材料为4，4′-二(2，2-二苯乙烯基)-1，1′-联苯、4，4′-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯、5，6，11，12-四苯基萘并萘或二甲基喹吖啶酮等材料中的至少一种；
所述电子传输层选用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或1，2，4-三唑衍生物；及
所述电子注入层选用LiF；
其中，所述第二金属薄膜的材质为金、银、铝、镁的任意一种材料制成或者由其中至少两种材料组成的合金，且所述第二金属薄膜的厚度为18nm-30nm；
本发明还提供了一种有机电致发光装置的制备方法，包括以下操作步骤：
提供基板，在所述基板表面热蒸发或者电子束蒸发形成反射电极，所述基板为玻璃、金属片、硅片或高分子材料，所述反射电极的材质为第一金属薄膜，热蒸发时的压强为1×10-5Pa-1×10-3Pa；
采用磁控溅射技术，在所述反射电极上形成光学破坏层，所述光学破坏层的制备条件为以硅的氧化物、钛的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物或铼的氧化物作为靶材，以氧气和氩气的混合气体作为气体氛围，所述氧气和氩气的气体流量范围为10sccm-50sccm，所述氧气的比例为2％-50％，溅射时的压强为0.5Pa-5Pa，溅射功率为20W-100W，溅射速度为0.1nm／s-1nm／s；
采用磁控溅射技术，在所述光学破坏层上形成第一透射电极，所述第一透射电极的材质为导电氧化物薄膜；
在所述第一透射电极上热蒸发形成OLED发光结构，所述OLED发光结构包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层；
在所述OLED发光结构上热蒸发形成第二透射电极，所述第二透射电极的材质为第二金属薄膜，热蒸发时的压强为1×10-5Pa-1×10-3Pa；
其中，所述第一金属薄膜的材质为金、银、铝、铜、镍、铂或镁，或者由其中至少两种材料组成的合金，且所述第一金属薄膜的厚度大于或等于70nm；
其中，所述光学破坏层包括多个依次层叠的含氧量不同的单层，各所述单层的厚度均为10nm-30nm，所述光学破坏层的总厚度为30nm-120nm；
其中，所述导电氧化物薄膜的材质为铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物或镓锌氧化物，且所述导电氧化物薄膜的厚度为100nm-500nm，所述第二金属薄膜的材质为金、银、铝、镁的任意一种材料制成或者由其中至少两种材料组成的合金，且所述第二金属薄膜的厚度为18nm-30nm。
本发明提供的一种有机电致发光装置的制备方法通过在反射电极上设置了一个光学破坏层，提高了OLED发光结构的对比度和清晰度。其中，所述光学破坏层的材质选用硅的氧化物、钛的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物或铼的氧化物，通过改变材料本身的含氧程度，使形成的材料薄膜具有不同的介电常数，因而改变材料的折射率，从而提高了OLED发光结构的对比度和清晰度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光装置的示意图；
图2是本发明实施例2提供的有机电致发光装置的示意图；
图3是本发明实施方式提供的制备所述有机电致发光装置的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
请参阅图1，一种有机电致发光装置100，其包括依次层叠的基板10、反射电极11、光学破坏层12、第一透射电极13、OLED发光结构14及第二透射电极15。其中，所述光学破坏层12包括第一层光学破坏层12a、第二层光学破坏层12b及第三层光学破坏层12c。
本实施例中，所述基板10选用玻璃、金属片、硅片及高分子材料等材质制成，且由于制备的是顶发射的发光装置，因此所述基板10无需透明。
所述反射电极11的材质为第一金属薄膜，包括金属金、银、铝、铜、镍、铂及镁的任意一种材料制成或由其中至少两种材料组成的合金，所述第一金属薄膜11的厚度大于70nm。本实施例中，为了实现高反射的效果，所述第一金属薄膜11的厚度为100nm-500nm。
所述光学破坏层12的材质为硅的氧化物、钛的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物或铼的氧化物，本实施例中，所述光学破坏层12包括三个依次层叠的含氧量不同的单层，各所述单层的厚度均为10nm-30nm，所述光学破坏层12的总厚度为30nm-120nm。当然，在其他实施例中，所述光学破坏层12还可包括四个、五个或更多个依次层叠的含氧量不同的单层。
所述第一透射电极13的材质为导电氧化物薄膜，如金、银、铝、镁等或者其合金，为了实现透射的效果，所述导电氧化物薄膜13的厚度为100nm-500nm之间。
所述OLED发光结构14包括依次层叠的空穴注入层(未图示)、空穴传输层(未图示)、发光层(未图示)、电子传输层(未图示)及电子注入层(未图示)。
本实施例中，所述空穴注入层选用酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜(CuPc)或酞菁铂(PtPc)。
所述空穴传输层采用4，4′，4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)，N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(NPB)、4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)或者4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)中的一种。
所述发光层的材质为客体材料以质量比为1：100-20：100的比例掺杂在主体材料中的混合材料；所述客体材料包括4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)，二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)或三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种与主体材料掺杂而成，所述主体材料选用4，4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(NPB)；或者所述发光层的材质为荧光材料，所述荧光材料为4，4′-二(2，2-二苯乙烯基)-1，1′-联苯(DPVBi)、4，4′-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、5，6，11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)或二甲基喹吖啶酮(DMQA)等材料中的至少一种。
所述电子传输层选用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)或1，2，4-三唑衍生物(TAZ)。
所述电子注入层的材质选用LiF。
所述第二透射电极15的材质为第二金属薄膜，所述第二金属薄膜的材质为金、银、铝、镁的任意一种材料制成或者由其中至少两种材料组成的合金，且为了实现透射的效果，所述第二金属薄膜15的厚度为18nm-30nm。
请参阅图3，本实施方式还提供一种有机电致发光装置的制备方法，包括以下操作步骤：
步骤101：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面采用真空溅镀形成反射电极，所述反射电极的材质选用Ag，其中，
由于制备的是顶发射的有机电致发光装置，所以所述基板无需透明，溅镀形成所述反射电极时的压强为1×10-4Pa，所述反射电极的厚度为500nm。
步骤103：在所述反射电极上采用真空磁控溅射光学破坏层，其中，
选用硅(Si)作为靶材，以氧气(O)和氩气(Ar)的混合气体作为气体氛围，在气体流量为10sccm-50sccm，溅镀压强为0.5Pa，溅射功率为20W-100W，所述氧气的比例为2％-50％，溅射速度为0.1nm／s-1nm／s条件下制备所述光学破坏层，首先制备第一层光学破坏层，所述第一层光学破坏层形成的是缺氧的近似一氧化硅的材质；然后制备第二层光学破坏层，所述第二层光学破坏层形成的介于一氧化硅与二氧化硅之间的材质；最后制备第三层光学破坏层，所述第三层光学破坏层由于在富氧的环境下，因而形成的是二氧化硅；当对所述第一层光学破坏层单独成膜，其折射率可以达到2.0，对所述第二层光学破坏层单独成膜，其折射率可以达到1.85，对所述第三层光学破坏层单独成膜，其折射率为1.46。
所述第一层光学破坏层、第二层光学破坏层及第三层光学破坏层的制备环境条件如下表1所示：
表1
步骤105：在所述光学破坏层上采用真空磁控溅射制备第一透射电极，所述第一透射电极的材质为ITO薄膜，所述第一透射电极的溅镀压强为1×10-4Pa，溅镀厚度为200nm。
步骤107：在所述第一透射电极上采用真空热蒸发形成OLED发光结构，所述OLED发光结构包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层，其中，
所述空穴注入层为ZnPc，蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀厚度为20nm；
所述空穴传输层为TPD，蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀厚度为20nm；
所述发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中，蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀厚度为15nm；
所述电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀厚度为30nm；
所述电子注入层的材质为LiF，蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀厚度为1nm；
步骤109：在所述OLED发光结构上采用真空热蒸发形成第二透射电极，所述第二透射电极的材质为Ag，蒸镀厚度为18nm。
制备得到所述有机电致发光装置后，采用高真空镀膜系统测试，当启动电压为6V，且在波长为380nm-780nm时，所述有机电致发光装置的反射率为32％，所述有机电致发光装置的发光亮度为5615cd/m2。
实施例2
请参阅图2，本发明提供的一种有机电致发光装置200，其包括依次层叠的基板20、反射电极21、光学破坏层22、第一透射电极23、OLED发光结构24及第二透射电极25。其中，所述基板20、反射电极21、第一透射电极23、光学破坏层22、OLED发光结构24及第二投射电极25的组成与所述实施例1一致，这里不作详细描述。其中，所述光学破坏层22包括第一层光学破坏层22a、第二层光学破坏层22b、第三层光学破坏层22c及第四层光学破坏层22d。
请参阅图3，本发明还提供一种有机电致发光装置的制备方法，包括以下操作步骤：
步骤101：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面采用真空溅镀形成反射电极，所述反射电极选用Pt，其中，
由于制备的是顶发射的有机电致发光装置，所以所述基板无需透明，溅镀形成所述反射电极时的压强为1×10-4Pa，所述反射电极的厚度为70nm。
步骤103：在所述反射电极上采用真空磁控溅射光学破坏层，其中，
选用金属材料铼(Re)作为靶材，以氧气(O)和氩气(Ar)的混合气体为气体氛围，在气体流量为10sccm-50sccm，溅镀压强为0.5Pa，溅射功率为20W-100W，所述氧气的比例为2％-50％，溅射速度为0.1nm/s-1nm/s条件下制备所述光学破坏层，首先制备第一层光学破坏层，所述第一层光学破坏层形成的是缺氧的近似一氧化二铼Re2O的材质；然后制备第二层光学破坏层，所述第二层光学破坏层形成的是ReO1.5，其中，所述Re与所述O元素的分子组成比为1：1.5左右，接下来制备第三层光学破坏层，所述第三层光学破坏层形成的是ReO2，其中，所述Re元素与所述O元素的分子组成比为1：2；最后制备第四层光学破坏层，第四层光学破坏层形成的是ReO3，其中，所述Re元素与所述O元素的分子组成比为1：3。
所述第一层光学破坏层、第二层光学破坏层、第三层光学破坏层及第四层光学破坏层的制备环境条件如下表2所示：
表2
镀室氧含量 成膜厚度 气体流量 溅射功率 溅射速度
第一层 2％ 10 10sccm 20W 0.1nm/s
第二层 25％ 10 20sccm 25W 0.2nm/s
第三层 50％ 10 20sccm 30W 0.5nm/s
步骤105：在所述光学破坏层上采用真空磁控溅射制备第一透射电极，所述第一透射电极的材质为AZO薄膜，所述第一透射电极的溅镀压强为1×10-4Pa，溅镀厚度为100nm。
步骤107：在所述第一透射电极上采用真空热蒸发形成OLED发光结构，所述OLED发光结构包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层，其中，
所述空穴注入层为ZnPc，蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀厚度为20nm；
所述空穴传输层为TPD，蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀厚度为20nm；
所述发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中，蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀厚度为15nm；
所述电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀厚度为30nm；
所述电子注入层的材质为LiF，蒸镀时的压强为1×10-4Pa，蒸镀厚度为1nm；
步骤109：在所述电子注入层上采用真空热蒸发形成第二透射电极，所述第二透射电极的材质为镁银合金，蒸镀厚度为30nm。
制备得到有机电致发光装置后，采用高真空镀膜系统测试，当启动电压为6V，且在波长为380nm-780nm时，所述有机电致发光装置的反射率为30％，所述有机电致发光装置的发光亮度为5215cd/m2。
对比实施例1
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例1，对比实施例1与实施例1的区别在于对比实施例1中取消了光学破坏层的形成，对比实施例1的具体结构依次为基板、反射电极、第一透射电极、OLED发光结构及第二透射电极。
采用高真空镀膜系统测试，当启动电压为6V，且在波长为380nm-780nm时，所述有机电致发光装置的反射率为88％，所述有机电致发光装置的发光亮度为6023d／m2。
实施例1与对比实施例1的对比结果如下表3所示：
表3
反射率 发光亮度
实施例1 32％ 5615cd／cm2
对比实施例1 88％ 6023cd／cm2
从上表3中可以看出，实施例1中采用了光学破坏层后，显示装置的反射率从原来的88％下降到了32％，说明了环境光线在所述高对比度的有机电致发光装置中的反射率大大降低了。
对比实施例2
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例2，对比实施例2与实施例2的区别在于对比实施例2中取消了光学破坏层的形成，对比实施例2的具体结构依次为基板、反射电极、第一透射电极、OLED发光结构及第二透射电极。
采用高真空镀膜系统测试，当启动电压为6V，且在波长为380nm-780nm时，所述有机电致发光装置的反射率为90％，所述有机电致发光装置的发光亮度为6121d／m2。
实施例2与对比实施例2的对比结果如下表4所示：
表4
反射率 发光亮度
实施例2 30％ 5215cd／cm2
对比实施例2 90％ 6121cd／cm2
从上表4中可以看出，实施例2中采用了光学破坏层后，显示装置的反射率从原来的90％下降到了30％，说明了环境光线在所述有机电致发光装置中的反射率大大降低了。
本发明提供的有机电致发光装置设置光学破坏层，通过改变制备材料本身的含氧程度，改变材料的折射率，从而使得外部的光线不能在OLED发光结构上形成反射，提高了OLED发光结构的对比度和清晰度。
以上是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种机电致发光装置，其特征在于，其包括依次层叠的基板、反射电极、光学破坏层、第一透射电极、OLED发光结构及第二透射电极，所述基板选用玻璃、金属片、硅片或高分子材料等材质，所述反射电极的材质为第一金属薄膜，所述光学破坏层的材质为硅的氧化物、钛的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物或铼的氧化物，所述第一透射电极的材质为导电氧化物薄膜，所述OLED发光结构包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层，所述第二透射电极的材质为第二金属薄膜。
2.如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第一金属薄膜的材质选用金属金、银、铝、铜、镍、铂或镁的任意一种材料制成或者由其中至少两种材料组成的合金，且所述第一金属薄膜的厚度大于或等于70nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述光学破坏层包括多个依次层叠的含氧量不同的单层，各所述单层的厚度均为10nm-30nm，所述光学破坏层的总厚度为30nm-120nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述导电氧化物薄膜的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或镓锌氧化物，且所述导电氧化物薄膜的厚度为100nm-500nm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述空穴注入层选用酞菁锌、酞菁铜或酞菁铂；
所述空穴传输层采用4，4′，4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺，N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺、4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺或者4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺中的一种；
所述发光层的材质为客体材料以质量比为1：100-20：100的比例掺杂在主体材料中的混合材料；所述客体材料包括4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、双(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱中的一种或几种与主体材料掺杂而成，所述主体材料选用4，4′-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺；或者所述发光层的材质为荧光材料，所述荧光材料为4，4′-二(2，2-二苯乙烯基)-1，1′-联苯、4，4′-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯、5，6，11，12-四苯基萘并萘或二甲基喹吖啶酮材料中的至少一种；
所述电子传输层选用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或1，2，4-三唑衍生物；及
所述电子注入层选用LiF。
6.如权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述第二金属薄膜的材质选用金、银、铝、镁的任意一种材料制成或者由其中至少两种材料组成的合金，且所述第二金属薄膜的厚度为18nm-30nm。
7.一种有机电致发光装置的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
提供基板，在所述基板表面热蒸发或者电子束蒸发形成反射电极，所述基板的材质为玻璃、金属片、硅片或高分子材料，所述反射电极的材质为第一金属薄膜，热蒸发时的压强为1×10-5Pa-1×10-3Pa；
采用磁控溅射技术，在所述反射电极表面上形成光学破坏层，所述光学破坏层的制备条件为以硅的氧化物、钛的氧化物、铪的氧化物、钽的氧化物或铼的氧化物作为靶材，以氧气和氩气的混合气体作为气体氛围，所述氧气和氩气的气体流量范围为10sccm-50sccm，所述氧气的比例为2％-50％，溅射时的压强为0.5Pa-5Pa，溅射功率为20W-100W，溅射速度为0.1nm／s-1nm／s；
采用磁控溅射技术，在所述光学破坏层表面上形成第一透射电极，所述第一透射电极的材质为导电氧化物薄膜；
在所述第一透射电极表面上热蒸发形成OLED发光结构，所述OLED发光结构包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层；
在所述OLED发光结构上热蒸发形成第二透射电极，所述第二透射电极的材质为第二金属薄膜，热蒸发时的压强为1×10-5Pa-1×10-3Pa。
8.如权利要求7所述的有机电致发光装置的制备方法，其特征在于，所述第一金属薄膜的材质为金、银、铝、铜、镍、铂或镁，或者由其中至少两种材料组成的合金，且所述第一金属薄膜的厚度大于或等于70nm。
9.如权利要求7所述的有机电致发光装置的制备方法，其特征在于，所述光学破坏层包括多个依次层叠的含氧量不同的单层，各所述单层的厚度均为10nm-30nm，所述光学破坏层的总厚度为30nm-120nm。
10.如权利要求7所述的有机电致发光装置的制备方法，其特征在于，所述导电氧化物薄膜的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或镓锌氧化物，且所述导电氧化物薄膜的厚度为100nm-500nm，所述第二金属薄膜的材质为金、银、铝、镁的任意一种材料制成或者由其中至少两种材料组成的合金，，所述第二金属薄膜的厚度为18nm-30nm。
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CN106654030A (zh) * 2016-12-14 2017-05-10 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及装置

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