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BR9915241A - Processo para produção de um componente semicondutor, com uma ligação de fios que se estende, em partes, no substrato, bem como um componente semicondutor, que pode ser produzido de acordo com esse processo - Google Patents

Processo para produção de um componente semicondutor, com uma ligação de fios que se estende, em partes, no substrato, bem como um componente semicondutor, que pode ser produzido de acordo com esse processo

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Publication number
BR9915241A
BR9915241A BR9915241-0A BR9915241A BR9915241A BR 9915241 A BR9915241 A BR 9915241A BR 9915241 A BR9915241 A BR 9915241A BR 9915241 A BR9915241 A BR 9915241A
Authority
BR
Brazil
Prior art keywords
semiconductor component
substrate
extends
well
parts
Prior art date
Application number
BR9915241-0A
Other languages
English (en)
Inventor
Helga Braun
Ronald Kakoschke
Regina Stokan
Gunther Plasa
Andreas Kux
Original Assignee
Infineon Technologies Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies Ag filed Critical Infineon Technologies Ag
Publication of BR9915241A publication Critical patent/BR9915241A/pt

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/80—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs
    • H10D84/82—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components
    • H10D84/83—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components of only insulated-gate FETs [IGFET]
    • H10D84/85—Complementary IGFETs, e.g. CMOS
    • H10W42/40—
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

Patente de Invenção: <B>"PROCESSO PARA PRODUçãO DE UM COMPONENTE SEMICONDUTOR, COM UMA LIGAçãO DE FIOS QUE SE ESTENDE, EM PARTES, NO SUBSTRATO, BEM COMO UM COMPONENTE SEMICONDUTOR, QUE PODE SER PRODUZIDO DE ACORDO COM ESSE PROCESSO"<D>. De acordo com a invenção, é posto à disposição um processo para produção de uma ligação de fios, que se estende, pelo menos em partes, no substrato, sendo que estão previstas pelo menos uma ligação condutora, que se estende no substrato semicondutor, e pelo menos uma ligação condutora, que se estende sobre o substrato semicondutor. O componente semicondutor de acordo com a invenção possibilita aplicações, nas quais é importante uma alta segurança contra manipulações externas.
BR9915241-0A 1998-11-11 1999-11-11 Processo para produção de um componente semicondutor, com uma ligação de fios que se estende, em partes, no substrato, bem como um componente semicondutor, que pode ser produzido de acordo com esse processo BR9915241A (pt)

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DE19852072A DE19852072C2 (de) 1998-11-11 1998-11-11 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer stückweise im Substrat verlaufenden Verdrahtung
PCT/DE1999/003603 WO2000028593A1 (de) 1998-11-11 1999-11-11 Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements mit einer stückweise im substrat verlaufenden verdrahtung sowie ein mit diesem verfahren herstellbares halbleiterbauelement

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BR9915241-0A BR9915241A (pt) 1998-11-11 1999-11-11 Processo para produção de um componente semicondutor, com uma ligação de fios que se estende, em partes, no substrato, bem como um componente semicondutor, que pode ser produzido de acordo com esse processo

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JP (1) JP3712616B2 (pt)
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DE (2) DE19852072C2 (pt)
RU (1) RU2214649C2 (pt)
UA (1) UA57865C2 (pt)
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