[go: up one dir, main page]

ATE545064T1 - Verfahren zur aufbringung einer struktur aus metall, metalloxid und/oder halbleitermaterial auf einem träger - Google Patents

Verfahren zur aufbringung einer struktur aus metall, metalloxid und/oder halbleitermaterial auf einem träger

Info

Publication number
ATE545064T1
ATE545064T1 AT08003394T AT08003394T ATE545064T1 AT E545064 T1 ATE545064 T1 AT E545064T1 AT 08003394 T AT08003394 T AT 08003394T AT 08003394 T AT08003394 T AT 08003394T AT E545064 T1 ATE545064 T1 AT E545064T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
metal
applying
semiconductor material
support
metal oxide
Prior art date
Application number
AT08003394T
Other languages
English (en)
Inventor
Bjoern Luessem
Zoi Karipidou
Jurina Wessels
Akio Yasuda
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Application granted granted Critical
Publication of ATE545064T1 publication Critical patent/ATE545064T1/de

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
AT08003394T 2008-02-25 2008-02-25 Verfahren zur aufbringung einer struktur aus metall, metalloxid und/oder halbleitermaterial auf einem träger ATE545064T1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08003394A EP2093612B1 (de) 2008-02-25 2008-02-25 Verfahren zur Aufbringung einer Struktur aus Metall, Metalloxid und/oder Halbleitermaterial auf einem Träger

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE545064T1 true ATE545064T1 (de) 2012-02-15

Family

ID=39327153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT08003394T ATE545064T1 (de) 2008-02-25 2008-02-25 Verfahren zur aufbringung einer struktur aus metall, metalloxid und/oder halbleitermaterial auf einem träger

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8177991B2 (de)
EP (1) EP2093612B1 (de)
CN (1) CN101521160B (de)
AT (1) ATE545064T1 (de)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2177894A1 (de) * 2008-10-14 2010-04-21 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Montierbare Elektrode
CN101813884B (zh) * 2010-03-19 2012-05-23 中国科学技术大学 一种在非平整衬底表面制备纳米结构基质的方法
US8251837B2 (en) 2010-08-11 2012-08-28 Nike, Inc. Floating golf ball
US20120285627A1 (en) * 2011-05-10 2012-11-15 Thermal Conductive Bonding, Inc. Elastomer Bonded Item and Method for Debonding
WO2013184219A1 (en) * 2012-03-30 2013-12-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for patterning samples
CN103928296B (zh) * 2013-01-16 2017-03-15 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种将石墨烯转移到具有pdms过渡层硬质衬底上的方法
EP2884498A1 (de) 2013-11-29 2015-06-17 Canon Kabushiki Kaisha Strukturkörper und Röntgen-Talbot-Interferometer mit dem Strukturkörper
CN104032279B (zh) * 2014-05-14 2016-06-01 杭州电子科技大学 一种二氧化硅薄膜的制备方法
KR101729683B1 (ko) * 2015-09-16 2017-04-25 한국기계연구원 선격자 편광자의 제조 방법
CN105390446B (zh) * 2015-11-26 2018-10-16 上海集成电路研发中心有限公司 一种三维cmos集成电路的制备方法
US11029596B2 (en) 2016-01-27 2021-06-08 Lg Chem, Ltd. Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby
CN108351604B (zh) 2016-01-27 2020-10-30 株式会社Lg化学 膜掩模、其制备方法、使用膜掩模的图案形成方法和由膜掩模形成的图案
KR102089835B1 (ko) 2016-01-27 2020-03-16 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
CN107068291B (zh) * 2017-04-10 2019-04-30 武汉理工大学 一种转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法
CN107188115B (zh) * 2017-06-06 2020-05-01 北京航空航天大学 一种金属/聚合物复合三维微纳米结构的制备方法
CN108054631B (zh) * 2017-12-11 2020-07-10 深圳大学 基于钙钛矿材料的可饱和吸收体器件及其制备方法
CN108300455A (zh) * 2018-01-29 2018-07-20 福州大学 一种基于钙钛矿量子点的多彩聚合物复合薄膜及其制备方法
CN108467011A (zh) * 2018-04-11 2018-08-31 中山大学 一种在柔性衬底上制备金属纳米结构的方法
CN108827932A (zh) * 2018-04-25 2018-11-16 中山大学 具有纳米级间隙的金属光栅结构表面增强拉曼基底及其制作方法
CN111092150B (zh) * 2018-10-23 2021-12-31 中国科学院化学研究所 有机自旋阀器件及其制备方法和应用
CN114242797B (zh) * 2020-09-07 2024-04-05 南京大学 基于超薄单晶钙钛矿薄膜的柔性光电探测器及其制备方法
CN112274263A (zh) * 2020-11-05 2021-01-29 汤小江 一种生物可吸收型乳腺组织定位标记夹及其制备方法
CN113815340B (zh) * 2021-09-17 2022-11-04 腾锦(广东)新材料科技有限公司 预涂复合转移膜的制备工艺
US20240419081A1 (en) * 2023-06-13 2024-12-19 Applied Materials, Inc. Method to reduce defects post-sequential infiltration synthesis

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002003142A2 (en) * 2000-06-30 2002-01-10 President And Fellows Of Harvard College Electric microcontact printing method and apparatus
JP2002344011A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Sony Corp 表示素子及びこれを用いた表示装置
US6946332B2 (en) * 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
US7163879B2 (en) * 2002-05-30 2007-01-16 Sharp Kabushiki Kaisha Hard mask etch for gate polyetch
KR100775059B1 (ko) * 2002-08-30 2007-11-08 도요 고세이 고교 가부시키가이샤 패턴 형성 몰드의 제조 방법
JP2004306412A (ja) * 2003-04-07 2004-11-04 Nitto Denko Corp 金属パターン転写シート
KR101307481B1 (ko) * 2004-06-04 2013-09-26 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 인쇄가능한 반도체 소자들의 제조 및 조립 방법과 장치
KR20060007503A (ko) * 2004-07-20 2006-01-26 삼성코닝 주식회사 가요성 기판 상의 고전도성 금속 패턴 형성 방법 및 이를이용한 전자파 차폐 필터
US7676088B2 (en) * 2004-12-23 2010-03-09 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
EP1840648A1 (de) 2006-03-31 2007-10-03 Sony Deutschland Gmbh Verfahren zur Aufbringung eines Musters aus Metall und/oder Halbleiter auf ein Substrat
EP1978406A1 (de) * 2007-03-30 2008-10-08 Sony Deutschland Gmbh Verfahren zur Vorbereitung eines Substrats mit einer Schicht oder einem Muster aus Metall darauf

Also Published As

Publication number Publication date
EP2093612B1 (de) 2012-02-08
US20090214838A1 (en) 2009-08-27
EP2093612A1 (de) 2009-08-26
CN101521160B (zh) 2013-02-13
US8177991B2 (en) 2012-05-15
CN101521160A (zh) 2009-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE545064T1 (de) Verfahren zur aufbringung einer struktur aus metall, metalloxid und/oder halbleitermaterial auf einem träger
EP4063359A4 (de) Heterocyclische verbindung, organische lichtemittierende vorrichtung damit, zusammensetzung für die organische schicht einer organischen lichtemittierenden vorrichtung und verfahren zur herstellung einer organischen lichtemittierenden vorrichtung
WO2012047042A3 (ko) 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 미세 채널 트랜지스터 및 미세 채널 발광트랜지스터의 형성방법
EP1879833A4 (de) Metall mit hoher oberfläche, metalloxidmaterialien und herstellungsverfahren dafür
DE602008005556D1 (de) Verfahren zur Herstellung beschichteter Paneele und beschichtetes Paneel
ATE504676T1 (de) Barriereschicht und herstellungsverfahren dafür
ATE399812T1 (de) Verfahren zur vermeidung oder verminderung von biofilmen auf einer oberfläche
TW201612979A (en) Pattern shrink methods
GB201212407D0 (en) Composition for forming a seed layer
DE502008002246D1 (de) Träger- und Pulverauftragsvorrichtung für eine Anlage zur Herstellung von Werkstücken durch Beaufschlagen von Pulverschichten mit elektromagnetischer Strahlung oder Teilchenstrahlung
BR112012013076A2 (pt) processo para revestir substratos cerâmicos, e, substrato cerâmico.
EP3642376A4 (de) Auf eisen basierende legierung zur bereitstellung einer harten und verschleissfesten beschichtung auf einem substrat, artikel mit einer harten und verschleissfesten beschichtung sowie herstellungsverfahren dafür
MX366819B (es) Teja con cobertura de superposicion.
MX2015009920A (es) Metodo de pintura e instalacion de pintura para franjas decorativas.
MX366483B (es) Un metodo para revestir un panel de construccion y un panel de contruccion.
PL402131A1 (pl) Sposób laserowego napawania warstwy metalicznej na element metalowy
DE112013004509A5 (de) Verfahren zur Fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip für die Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
WO2014000849A3 (de) Verfahren zum beschichten eines substrats mit einem spritzwerkstoff und damit erzeugbare funktionsschicht
MX2016016175A (es) Metodo de pintura e instalacion de pintura para producir un recubrimiento decorativo.
MX2015014079A (es) Revestimiento resistente a gas acido.
EP4111778A4 (de) Gestaltung der oberen schicht zur 16-mimo-freisetzungsverbesserung
BR112012000523A2 (pt) substrato metálico revestido com polímero e método para a obtenção do mesmo
EP3549184A4 (de) Substrat für nach oben abstrahlende organische leuchtdiodenanzeige, nach oben abstrahlende organische leuchtdiodenanzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung eines substrats für nach oben abstrahlende organische leuchtdiodenanzeige
MX2012006735A (es) Reflector infrarrojo.
ATE413666T1 (de) Verfahren zur anbringung einer elektronischen baugruppe an einem substrat und einrichtung zur anbringung der baugruppe