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Schaltungsanordnung zum Abtrennen von Bildsynchronisierimpulsen aus dem vollständigen Fernsehsynchronisiersignal
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Abtrennen von Bildsynchronisierimpulsen aus dem vollständigen, Bild-und Zeilensynchronisierimpulse und etwa Ausgleichimpulse enthaltenden Fernsehsynchronisiersignal mit Hilfe eines Transistors.
Eine solche Schaltungsanordnung ist aus der deutschen Patentschrift Nr. 1063640 bekannt. Bei dieser Schaltung erfolgt das eigentliche Abtrennen der Bildsynchronisierimpulse mit Hilfe eines Integrierungsnetzwerkes, dessen Zeitkonstante gross ist gegenüber der Dauer der im vollständigen Synchronisiersignal vorhandenen Zeilen-und Ausgleichimpulse, jedoch von derselben Grössenordnung ist wie die Dauer der Bildsynchronisierimpulse.
Einem solchen Verfahren haftet aber der Nachteil an, dass die Vorderflanke des abgetrennten Bildsynchronisiersignals nicht besonders steil ist. Folglich ist der Synchronisierungszeitpunkt des vertikalen Sagezahngenerators, der die Steuerspannung für die Ausgangsstufe der Bildablenkschaltung liefert, nicht eindeutig bestimmt.
Ausserdem ist es durchaus erforderlich, das integrierte Signal über einen Begrenzer dem zu synchronisierenden Oszillator zuzuführen, sonst besteht die Möglichkeit, dass auch die integrierten Zeilenimpulse, welche zwar eine viel kleinere Amplitude haben, den vertikalen Oszillator synchronisieren können.
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trode und die Emitterelektrode gelegt ist, und anderseits das vollständige Synchronisiersignal über einen Reihenwiderstand zwischen diesen Elektroden zugeführt wird, wobei die eigentlichen Synchronisierimpulse des Synchronisiersignals ein den Transistor sperrendes Vorzeichen aufweisen und die zwischen den Synchronisierimpulsen liegenden Teile zusammen mit der Vorspannung den Transistor in den Übersättigungszustand steuern, wobei zur Beseitigung des Übersättigungszustandes die Dauer der Bildsynchronisierimpulse lang genug und die der Zeilen- und Ausgleichimpulse nicht lang genug ist.
Einige mögliche Ausführungsformen von Schaltungsanorctuungen nach der Erfindung werden an Hand der Zeichnungen beispielsweise näher erläutert. Darin stellt Fig. 1 einen pnp- Transistor dar, der zwischen der Basiselektrode und der Emitterelektrode negativ vorgespannt ist. Fig. 2 stellt die Ladungskonzentration im Basisraum des in Fig. 1 dargestellten Transistors dar, wenn dessen Basis kein Signal zugeführt wird. Die Fig. 3 und 4 dienen zur Verdeutlichung der Schaltungsanordnung nach Fig. 1. Fig. 5 zeigt eine erste Kombination mehrerer in Kaskade geschalteter Transistoren zum Abtrennen des Bildsynchronisiersignals aus dem vollständigen Videosignal, welches mit negativ gerichteten Synchronisierimpulsen zugeführt wird.
Fig. 6 dient zur Verdeutlichung der Schaltungsanordnung nach Fig. 5 und Fig. 7 stellt eine zweite Kombination mehrerer in Kaskade geschalteter Transistoren dar, bei der das vollständige Videosignal mit positiv gerichteten Synchronisierimpulsen zugeführt wird.
In Fig. 1 bezeichnet 1 einen Transistor, der die Bildsynchronisierimpulse aus dem vollständigen Fem- iehsynchronisiersignal abtrennen muss.
Dazu wird das aus dem Videosignal abgetrennte Synchronisiersignal 2 über den Widerstand 3 der Basiselektrode 4 des Transistors 1 zugeführt. Gemäss Fig, 1 wird das Signal 2 von einer Spannungsquelle 5 geLiefert. Im Nachfolgenden wird verdeutlicht, aus welchen Elementen die Spannungsquelle 5 aufgebaut
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der Vorspannung-Vnp und dem Wert des Kollektorwiderstandes 9 abhängig.
Hinsichtlich des Transistors ist besonders die Basisweite W von Wichtigkeit ; denn je grösser diese Wei- te ist, desto grösser ist die von den Linien 10,12, 14 und 11 umschlossene Fläche und also desto grösser die Ladungskonzentration Qo.
Nach dem Prinzip der Erfindung wird von dem an sich bekannten Übersättigungszustand Gebrauch ge- macht, um aus einemFernsehsynchronisiersignal die Bildsynchronisierimpulse abzutrennen. Dazu wird das vollständige Synchronisiersignal 2 mit positiv gerichteten Impulsen dem Widerstand 3 zugeführt. Dieses
Signal sucht die Ladungskonzentration, wie sie infolge der Vorspannung im Basisraum aufgebaut worden ist, abzuleiten.
Dieses Ableiten lässt sich gleichfalls in zwei Teile teilen, nämlich zuerst das Ableiten der Ladungs- konzentration Qo und dann das Ableiten der Ladungskonzentration Qv.
Das eine und andere kann an Hand von Fig. 3 verdeutlicht werden. In Fig. 3 ist dazu ein Teil des
Signals 2 dargestellt, u. zw. die Bildsynchronisierimpulse mit einem einzigen Ausgleichimpuls und einem einzigen Zeilensynchronisierimpuls. Dieses Signal schwankt um einen durch die Linie 15 wiedergegebenen
Mittelwert, welcher Erdpotential entspricht.
Im Zeitpunkt to ist der Punkt A negativ gegen Erde, ebenso wie der Punkt B. Die Spannung VB im
Punkt B ist in Fig. 3b dargestellt. M diesem Zeitpunkt fliesst ein Kollektorstrom IÖ wie in Fig. 3e darge- stellt ist, der einen solchen Spannungsabfall am Widerstand 9 herbeiführt, dass die in Fig. 3d dargestell- te Spannung V an der Kollektorelektrode nur wenig negativ gegen Erde ist. Der bereits auftretende Sät- tigungsstrom infolge der mit Hilfe der Widerstände 6 und 7 eingestellten Vorspannung kann noch durch den negativen Teil der Spannung VB hervorgehoben. werden.
Nötigenfalls kann man die Übersättigung aus- schliesslich von der negativen Steuerspannung abhängen lassen und die Vorspannung-Von derart wählen, dass der Sättigungszustand gerade oder noch gerade nicht erreicht ist, wenn die Spannung VB gleich Null
Volt ist.
Im Zeitpunkt tl kehrt das Vorzeichen der Spannung VA plötzlich um, und in diesem Zeitpunkt be- ginnt das Ableiten der Ladung Qt (statt Ladungskonzentration kurzweg als Ladung bezeichnet) aus dem
Basisraum.
Dieses Ableiten erfolgt gleichfalls in zwei Stufen und hat seinen Einfluss auf die Spannung VB an der
Basiselektrode. Dies lässt sich wie folgt erklären.
In Fig. 4a ist das Ersatzschema des Transistors nach Fig. 1 dargestellt. In diesem Schema sind der in- nere Basiswiderstand 28, der einen Wert von einigen hundert Ohm hat, der Widerstand 16, das ist der Wi- derstand der Emitter-Basis-Diode in der Vorwärtsrichtung, und der innere Widerstand 17, das ist der Wi- derstand der Kollektor-Basis-Diode in der Vorwärtsrichtung angegeben. Der Transistor weist weiterhin ver- schiedene Kapazitäten auf, nämlich die Erschöpfungsschichtkapazität 18 (depletion layer capacity) zwi- schen der Emitterelektrode und der Basiselektrode, die Diffusionskapazität 19 im Emitterkreis, dieErschöp- fungsschichtkapazität 20 zwischen der Basiselektrode und der Kollektorelektrode, und die Diffusionskapa- zität 21 im Kollektorkreis.
Ausserdem sind im Ersatzschema ein Schalter 22, der die Diodenwirkung des
Transistors zwischen der Emitterelektrode und der Basiselektrode darstellt, der Schalter 23, der die Dioden- wirkung zwischen der Basiselektrode und der Kollektorelektrode darstellt, die Diffusionsstromquelle 24 im Emitterkreis und die Diffusionsstromquelle 25 im Kollektorkreis angegeben. Fig. 4 zeigt schliesslich die
Speisespannungsquelle 26, welche die Speisespannung von-Vb Volt für den Kollektorwiderstand 9 liefert und die Parallelschaltung der Widerstände 6 und 7 mit der Vorspannungsquelle 27, die zusammen den Ersatz der aus den Widerständen 6 und 7 bestehenden Potentiometerschaltung darstellen und die gleiche Vorspannung am Punkt B herbeiführen wie die Potentiometerschaltung mit der eigentlichen Speisespannungsquelle.
Für ein richtiges Verständnis muss weiterhin bemerkt werden, dass die Diffusionskapazitäten 19 und 21 verhältnismässig gross sind, z. B. in der Grössenordnung von einigen p F, die Erschöpfungsschichtkapazitä-
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standswert der parallelliegenden Widerstande 6 und 7 ist in der Grössenordnung von 1 kOhm. (Widerstand 6 ist z. B. gleich 20 kOhm und Widerstand 7 ist gleich 1 kOhm.)
An Hand von Fig. 4b bis 4f einschliesslich können die Ladungs- und Entladungserscheinungen der Kapazitäten 19 und 21. ebenso wie der Einfluss der Ladungsänderungen auf die Diffusionsströme erklärt werden. Da die Diffusionsströme selbst diese Ladungs- und Entladungserscheinungen kaum beeinflussen, sind in den Fig. 4b-4f einschliesslich die Diffusionsstromquellen 24 und 25 weggelassen.
Das gleiche gilt für die Widerstände 16 und 17. Im übrigen sind nur diejenigen Elemente in den Fig. 4b-4f gezeichnet, welche für
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eine Erklärung der von der elektrischen Feldstärke herbeigeführten Erscheinungen (also abgesehen von den durch die elektrischen Erscheinungen gesteuerten Diffusionsströmen) von Bedeutung sind.
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tlschen diesen beiden Teilen herbeigeführte Strom ist daher von der Kollektorelektrode zur Basiselektrode gerichtet. Mit andern Worten, der Schalter 23 verbindet die Diffusionskapazität 21 mit dem Kollektorwiderstand 9. Auch die Emitterelektrode ist positiv gegenüber der Basiselektrode, so dass der Schalter 22 die Diffusionskapazität 19 mit Erde verbindet.
Solange die Ladung Qo abgeführt wird, ändert sich die Neigung der Konzentration der Minoritätsladungsträger im Basisraum kaum und auch die Diffusionsströme werden sich während dieses Ableitens daher kaum ändern.
Solange der Schalter 23 die in Fig. 4b dargestellte lage einnimmt, muss die Ladung der Kapazität 19 über die Widerstände 3 und 28 und diejenige der Kapazität 21 über die Widerstände 3,9 und 28 abgeleitet werden. Da sowohl die Widerstände 3 und 9, als auch die Kapazitäten 19 und 21 gross sind, wird dieses Entladen längere Zeit weitergehen, u. zw. bis zum Zeitpunkt t2 (s. Fig. 3), in dem die Ladung Qo abgeleitet ist. Dies bedeutet, dass die Ladung der Kapazität 19 dann nur noch Qv beträgt, während die Ladung der Kapazität 22 abgeleitet ist. Die KoUektorelektrode ist nicht länger positiv gegenüber der Basiselektrode und die Kollektor-Basis-Diodenwirkung (Strom in Durchlassrichtung) wird daher vom Zeitpunkt t2 an unterbrochen.
Die Basiselektrode ist jetzt nur noch über den Kondensator 20 elektrisch mit dem Kollektorwiderstand 9 gekoppelt. Der Schalter 23 befindet sich dann in der in Fig. 4c dargestellten Lage.
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der Minoritätsladungsträger darstellt, und der Diffusionsstrom von der Emitterelektrode zur Kollektorelektrode nimmt daher ab. Dies bedeutet, dass Ic abnimmt (s. Fig. 3c), woraus sich auch eine Abnahme des
Spannungsabfalles am Widerstand 9 und eine Zunahme der Kollektorspannung Vc ergibt (s. Fig. 3d).
Im Zeitpunkt t. ist die Ladung Qv so weit abgeleitet, dass die Linie 10 einen nahezu horizontalen Verlauf aufweist. Die Diffusionsströme sind gleich Null geworden und somit Ic = 0. Auch die Diodenwirkung zwischen der Emitterelektrode und der Basiselektrode ist unterbrochen und der Schalter 22 befindet sich in der in Fig. 4d dargestellten Lage. Die Kollekt0rspannung Vc wird gleich der Batteriespannung-Vb.
Dieser Zustand dauert an bis zum Zeitpunkt t in dem der negative Spannungsimpuls einsetzt. Von t4 an befindet sich der Schalter 22 wieder in der in Fig. 4e dargestellten Lage und die Ladung Qv wird wieder dem Kondensator 19 zugeführt. Die Quelle 27 hat aber ein solches Vorzeichen, dass sie jetzt an der Aufladungserscheinung teilnehmen kann. Dies bedeutet, dass die Ladungszufuhr im wesentlichen von der Quelle 27 aus über die parallelgeschalteten Widerstände 6,7 und den Widerstand 28 erfolgt.
Da der Widerstandswert der Parallelschaltung der Widerstände 6 und 7 viel kleiner ist (etwa 10 X kleiner) als der ohmsche Wert des Widerstandes 3, erfolgt das Zuführen der Ladung Qv während der Periode t.-t viel schneller als deren Abführung während der Periode t-t. Gleichzeitig mit dem Zuführen der Ladung Qv wird die Neigung der Linie 10 stärker, so dass der Kollektorstrom Ic zunimmt und die Kollektorspannung V C abnimmt. Im Zeitpunkt t5 ist die Ladung Qv zugeführt, und von diesem Zeitpunkt an wird die Kollektorelektrode wieder positiv gegenüber der Basiselektrode. Dadurch nimmt der Schalter 23 die in Fig. 4f dargestellte Lage ein, so dass der Kondensator 21 inden Aufladungsvorgang eingeschaltet wird.
Da auch das Aufladen bei der Schaltung nach Fig. 4f viel schneller erfolgt als das Entladen bei der Schaltung nach Fig. 4b, ist die Periode t5 - t6 viel kleiner, als die Periode tl -t.
Aus dem Vorhergehenden folgt, dass der Kollektorstrom IC im Zeitpunkt t5 bereits seinen Höchstwert und die Spannung V ihren Mindestwert erreicht hat, da in diesem Zeitpunkt die Ladungskonzentration gemäss der Linie 10 von Fig. 2 verläuft.
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dafür gesorgt wird,sierimpulse, so erzeugen diese Impulse eine Ausgangsspannung VC, wie in Fig. 3c dargestellt ist. Wenn gleichzeitig dafür gesorgt wird, dass T > TundT > Tg,wobeiT die Dauer eines Zeilensynchronisierimpulses und Te die Dauer eines Ausgleichimpulses ist, so können die Zeilen-und Ausgleichimpulse die Ladung Qo nicht abführen und während des Auftretens der Zeilen-und Ausgleichimpulse fliesst also ununterbrochen nahezu der maximale Kollektorstrom I , wodurch die Kollektorspannung minimal bleibt.
Die Zeilen- und Ausgleichimpulse kommen daher nicht mehr im Ausgangssignal des Transistors 1 vor.
Im Vorhergehenden wurde angenommen, dass die Werte der parallelgeschalteten Widerstände 6 und 7
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derart gewähltsind, dass das Zuführen der Ladungen Qv und QO sehr schnell erfolgt. Dies ist aber nicht durchaus notwendig. Dadurch, dass dieser Parallelschaltung ein grösserer Widerstandswert gegeben wird (unter Beibehaltung der durch die Reihenschaltung bedingten Vorspannung) kann das Zuführen der Ladun- gen Qv und Qo verzögert werden. Dabei kann die Schaltung derart bemessen werden, dass wohl die La-
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ständig abgeführt zu werden brauchen und es kann die Dauer der Einschnitte im Ausgangssignal (die Dauer, während der das Signal V C von Fig. 3b zwischen dem Auftreten der Bildsynchronisierimpulse den Mindestwert annimmt) kleiner werden.
Zwischen den Ausgleich- und Zeilensynchronisierimpulsen kann die Ladung Qo sicher zugeführt werden, so dass trotzdem keine Gefahr besteht, dass diese Zeilen- und Ausgleichimpulse im Ausgangssignal Vc vorhanden sind. Diese Gefahr besteht allerdings für den ersten Ausgleich-
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Dauer Te). Da doch immer die Vorderflanke eines abgetrennten Bildimpulses zur Synchronisierung des vertikalen Sägezahnoszillators verwendet wird, ist das etwaige Eindringen dieses Ausgleichimpulses in das Ausgangssignal Vc nicht von Bedeutung.
Es sei bemerkt, dass im Vorhergehenden die kapazitive Übertragung über den verhältnismässig kleinen Kondensator 20 ausser Betracht gelassen ist. Diese kapazitive Übertragung hat zur Folge, dass noch kleine, durch Zeilen- und Ausgleichimpulse herbeigeführte Spitzen im Ausgangssignal Vc vorhanden sind. Diese haben aber eine so kleine Amplitude, dass sie auf die Synchronisierung keinen Einfluss ausüben können.
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C soforttegrierung abgetrennt wurden, war dies nicht der Fall.
Dadurch, dass in der oben beschriebenen Weise von den Transistoreigenschaften Gebrauch gemacht wird, nämlich von der Speicherwirkung freier Ladungsträger (hole storage effect), ergibt sich ein Signal mit steiler Flanke, wobei der Transistor das abgetrennte Signal gleichzeitig verstärkt. Aus Fig. 3 ist nämlich ersichtlich, dass die Amplitude des Signals V nahezu gleich der Batteriespannung - Vb ist.
Wenn an das abgetrennte Bildsynchronisiersignal noch höhere Anforderungen gestellt werden, können durch einen weiteren Transistor Verstärker die Einschnitte aus diesem Signal entfernt werden. Dies ist möglich mit der Schaltung nach Fig. 5. In dieser Figur ist die Quelle 5 nach Fig. 1 durch eine Synchronisier- Abtrennschaltung ersetzt, der das vollständige Videosignal 30 mit negativ gerichteten Synchronisierimpulsen zugeführt wird. Das Signal 30 erreicht über einen Kondensator 31 und einen Widerstand 32 die Basiselektrode eines in Emitterschaltung geschalteten pnp- Transistors 33. Der durch die Spitzen der Synchronsierimpulse aus dem Signal 30 herbeigeführte Basisstrom lädt den Kondensator 31 auf, so dass sein mit der Basiselektrode verbundener Belag positiv gegen Erde wird.
Dadurch wird erreicht, dass nur diese Synchronisierimpulse einen Kollektorstrom herbeiführen, so dass an der Kollektorelektrode des Transistors 33 das abgetrennte Synchronisiersignal 2 entsteht. Das Signal 2, welches dem in Fig. 3a dargestellten Signal entspricht, ist deutlichkeitshalber nochmals in Fig. 6a wiedergegeben, aber jetzt mit mehreren Zeilen- und Ausgleichimpulsen. Dasvollständige abgetrennte Synchronisiersignal kann einerseits über die Leitung 34 der Zeilensynchronisierschaltung und anderseits über einen Kondensator 35 und den Widerstand 3 der Basiselektrode 4 des Transistors 1 zugeführt werden. Dieser nach dem Prinzip der Erfindung geschaltete und gesteuerte Transistor 1 liefert an seiner Kollektorelektrode C das Ausgangssignal V C'das in den Fig. 3d und 6b dargestellt ist.
Um die im abgetrennten Signal V noch vorhandenen Einschnitte zu entfernen, wird dieses Signal über einen Kondensator 36 und einen Widerstand 37 der Basiselektrode eines weiteren, gleichfalls in Emitterschaltung geschalteten, pnp-Transistors 38 zugeführt. Am Punkt D entsteht das in Fig. 6c dargestellte Signal VD. Der auf Erdpotential liegende Mittelwert des Signals VD ist durch die Linie 39 wiedergegeben. Das Signal VD hat stark negative Impulse, und nur die zu entfernenden Ein-
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tiven Impulse im Basisraum des Transistors 38 aufgebaut worden ist, nicht entfernen, so dass während des Auftretens dieser positiven Einschnitte der Kollektorstrom kaum abnimmt. Dadurch entsteht an der Kollektorelektrode des Transistors 38 das in Fig. 6d dargestellte Ausgangssignal VE, welches frei von Einschnitten ist. Wählt man z.
B. für den Kollektorwiderstand 9 einen Wert von 3 kOhm, so muss der Kollektorwiderstand 40 etwa 10 kOhm sein.
An der Ausgangsklemme E des Transistors 38 entsteht ein Ausgangssignal Vs'dessen Vorderflanke po-
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7 dargestellt.geführt. Durch den Basisstrom des Transistors 41 wird der mit der Basiselektrode verbundene Belag des Kondensators 42 negativ gegen Erde aufgeladen, u. zw. derart, dass nur die Synchronisierimpulse des
Signals 30'einen Kollektorstrom herbeiführen können. An der Kollektorelektrode des Transistors 41 ent- steht dann das abgetrennte Synchronisiersignal 2'mit Bild-, Zeilen-und Ausgleichimpulsen. Dieses Si- gnal wird einerseits über die Leitung 34'der Zeilensynchronisierschaltung und anderseits über den Kon-
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undzugeführt.
Dieser Transistor hat einenso grossen Kollektorwiderstand 47, dass er von den negativen Impul- sen des Signals 2'in den übersättigten Zustand gesteuert wird. Dadurch haben die während der Bildsyn- chronisierimpulse auftretenden umgekehrten Zeilenimpulse keine Gelegenheit, den Kollektorstrom herab- zusetzen, so dass das Ausgangssignal 48 an der Kollektorelektrode des Transistors 46 diese umgekehrten
Zeilenimpulse nicht mehr enthält. Das Signal 48 geht darauf über den Kondensator 35 und den Wider- stand 3 zur Basiselektrode 4 des auf die Weise nach Fig. 1 geschalteten Transistors 1. Durch eine richtige
Einstellung der Vorspannung an der Basiselektrode 4 des Transistors 1 kann wieder dafür gesorgt werden, dass die Zeilen- und Ausgleichimpulse des Signals 48 nicht mehr im Ausgangssignal V'E vorhanden sind.
Bemerkt wird, dass die Transistoren 1, 38 und 46 in hohem Mass die Speicherwirkung freier Ladungs- träger besitzen müssen, um richtig wirken zu können. Diese Transistoren brauchen daher einen Basisraum mit einer möglichst grossen Weite W. Die Transistoren 33 und 41 müssen diese Wirkung aber in möglichst geringem Masse besitzen, da diese Transistoren die Zeilen-und Ausgleichimpulse möglichst gut weiter- geben müssen.
Im übrigen sind die Ausgleichimpulse für die Schaltung nach der Erfindung bedeutungslos. Diese Ausgleichimpulse sind. nämlich eingeführt, um Paarung der Zeilen aus den geraden und ungeraden Rastern zu vermeiden, da beim früheren Verfahren zum Abtrennen der Bildsynchronisierimpulse, nämlich durch Integrierung mit Hilfe eines L-R-oder eines R-C-Netzwerkes, die Aufladung des Integrierelementes bei ungeraden und geraden Rastern verschieden wäre, wenn keine Ausgleichimpulse im Synchronisiersignal mitgeschickt werden.
Wie oben erklärt, kann'das Zuführen der Ladungskonzentration Qt in den Basisraum des Transistors 1 bei richtiger Wahl der Widerstände 6 und 7 sehr schnell erfolgen (vgl. z. B. Fig. 3b), so dass die Bildsynchronisierimpulse immer die gleiche Ladungskonzentration im Basisraum vorfinden, ungeachtet ob das vollständige Synchronisiersignal Ausgleichimpulse enthält oder nicht. Es ist deshalb ein weiterer Vorteil der Schaltung nach der Erfindung, dass das Mitsenden von Ausgleichimpulsen überflüssig ist. Trotzdem wird eine Paarung von Zeilen aus geraden und ungeraden Rastern vermieden infolge der steilen Vorderflanke des abgetrennten Bildsynchronisiersignals, so dass der Synchronisierzeitpunkt des vertikalen Sägezahngenerators eindeutig bestimmt ist.
Es ist einleuchtend, dass das gleiche Ergebnis wie mit einem pnp-Transistor in der Schaltweise nach Fig. 1 auch mit einem npn-Transistor erreicht werden kann, der in entsprechender Weise geschaltet ist und die Speicherwirkung freier Ladungsträger in ausreichendem Masse besitzt. Nur muss dabei die Basiselektrode gegenüber der Emitterelektrode positiv vorgespannt werden und das Signal 2 muss mit negativ gerichteten Synchronisierimpulsen der Basiselektrode zugeführt werden.
Statt Grenzschichttransistoren können auch Spitzenkontakttransistoren in der Schaltung nach Fig. 1 verwendet werden, da auch dieser Transistortyp die Speicherwirkung freier Ladungsträger besitzt.
- Es ist auch möglich, den Transistor auf die oben beschriebene Weise vorzuspannen und das vollständi-
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einen pap- Transistor handelt, und mit positiv gerichteten Impulsen, wenn es sich um einen npn-Transistor handelt.
Schliesslich wird bemerkt, dass die Verwendung der Schaltung nach Fig : 1 nicht auf Fernseh-Empfänger beschränkt zu sein braucht. Diese Schaltung kann auch erfolgreich in einem sogenannten geschlossenen Fernsehkreis verwendet werden, bei dem die Kameraröhre und die Bildwiedergaberöhre in einem geschlossenen Kreis vereint sind und das kombinierte Bild-Zeilen-Synchronisiersignal in einem gemeinsamen Generator sowohl für die Kamera- als auch die Wiedergaberöhre-Ablenkschaltungen erzeugt wird. Das gleiche gilt für eine Studioapparatur von Fernseh-Sendeanlagen.
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