NL8500465A - Capacitieve drukdetector. - Google Patents
Capacitieve drukdetector. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8500465A NL8500465A NL8500465A NL8500465A NL8500465A NL 8500465 A NL8500465 A NL 8500465A NL 8500465 A NL8500465 A NL 8500465A NL 8500465 A NL8500465 A NL 8500465A NL 8500465 A NL8500465 A NL 8500465A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- plate
- silicon
- tube
- membrane
- shaped
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 21
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052916 barium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- HMOQPOVBDRFNIU-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ba+2].[O-][Si]([O-])=O HMOQPOVBDRFNIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
Description
1« JÜ J ** · w 7 v U V / Xit/ ^ %
Capacitieve drukdetector.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een capacitieve drukdetector volgens de kop van conclusie 1.
Met betrekking tot de bekende stand van de techniek dient in de eerste plaats te worden gewezen op de 5 volgende publikaties: (1) Amerikaans octrooischrift 4.386.543 (2) Amerikaans octrooischrift 4.257.274 (3) Amerikaans octrooischrift 4.332.000 (4) Amerikaans octrooischrift 4.390.925 10 (5) Amerikaans octrooischrift 3.397.278 (6) K.E. Bean, "Anisotropic Etching of Silicon", IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-25 (1978)
No. 10, biz. 1185-93.
Zoals békend, kunnen geminiaturiseerde capa-15 citieve drukdetectors worden vervaardigd uit silicium en glas (zie publikaties (1) tot (4)).De bekende constructies zijn gebaseerd op het vormen van patronen in het silicium door middel van micro-lithografie, het bewerken hiervan door etsen en het verbinden met de glasdelen door middel van een 20 elektrostatische methode (zie publikatie (5) ) .Gewoonlijk -· wordt bariumsilicaatglas met laag alkali-geh^lte gebruikt · in detectors (bijvoorbeeld Corning Glass, type 7740 "Pyrex"). Dit materiaal is voor dit doel geschikt, omdat alkali-metaal-ionen een eerste vereiste zijn voor het vormen van een elek-25 trostatische verbinding, terwijl de thermische uitzettings-coëfficiënt dicht bij de overeenkomstige coëfficiënt van silicium ligt. Bij kamertemperatuur is de coëfficiënt van glas 3,25 ppra/°C en die van silicium 2,5 ppm/°C. Bij hoge temperaturen neemt de thermische uitzetting van silicium niet-30 lineair toe en overschrijdt de overeenkomstige coëfficiënt · van glas. Het verschil in thermische uitzettingscoëfficiën-ten vormt de belangrijkste faktor, die het temperatuurge-drag van een drukdetector nadelig beïnvloedt.
Fig. 1 toont schematisch de grondslag voor 35 de temperatuurafhankelijkheid. Een siliciumdeel 2, dat is voorzien van een dun, drukgevoelig gedeelte 3> is op een glasplaat 1 bevestigd. Het drukverschil buigt het membraan BADO^Akj zigt de afstand tussen dit membraan en de stationaire / - 2 - condensatorplaat 4, die op de glasplaat 1 is geplaatst, alsmede de capaciteit hiertussen. Indien nu de temperatuur wordt verhoogd en het drukverschil ongewijzigd blijft, wordt een rekkracht, veroorzaakt door het verschil in thermische üitzet- *s, 5 ting, uitgeoefend op het membraan 3 en het horizontale vlak. Deze rek tracht de doorbuiging, die door de druk wordt veroorzaakt, te verkleinen. Indien de drukgevoeligheid van de doorbuiging zonder rek SQ is, is deze met rek 10 ' s . S° , . 1 + K(a/h)2e waarbij a de zijde is van een vierkant membraan of de diameter van een cirkelvormig membraan, h de dikte is van 15 het membraan, ε de verlenging is en de coëfficiënt K 0,27 is voor een vierkant membraan en 0,2 voor een cirkelvormig membraan.
Indien de verlenging een functie is van de temperatuur, is de temperatuur-gevoeligheidscoëfficiënt 20 1 3S K(a/h)2(9ε/3Τ) S 3T 1 + K (a/h)2 ε '
Hierbij is geen rekening gehouden met de temperatuurafhankelijkheid van de elasticiteitscoëfficiënten, aangezien deze in het geval van silicium klein zijn.
25 De onderhavige uitvinding beoogt een drukdetec- tor te verschaffen, waarbij de invloed van de thermische uitzettingscoëfficiënt is geëlimineerd.
De uitvinding is op de volgende gedachten gebaseerd: 30 - De drukdetectorconstructie omvat twee glasdelen en een hiertussen geplaatst elastisch siliciummembraan.
- Het siliciummembraan is dicht bij éên van de glasdelen geplaatst en dicht bij een condensatorplaat, die bestaat uit een metaalfilm op het oppervlak van het glasdeel.
35 - Het siliciummembraan is echter met zijn randen niet in BAD QBtëJNAbiechanisch contact met het glasdeel, doch het is aanbracht op _het uiteinde van een buisstructuur, die uit sili- W v cium is vervaardigd en de vorm van een kegel, cilinder, enz. heeft.
- Het andere uiteinde van de buis is bevestigd aan één van de glasdelen.
5 - De glasdelen zijn met elkaar verbonden en hun onderlinge afstand wordt bepaald.door'een steunelement uit silicium.
- Het steunelement, de buis en het elastische membraan, die alle uit silicium zijn vervaardigd, worden uit ëën stuk silicium gemaakt, teneinde voldoende nauwkeurige afmetingen 10 te kunnen verkrijgen voor de luchtspleet van de drukgevoelige condensator.
De drukdetector volgens de uitvinding wordt gekenmerkt door de in het kenmerk van conclusie 1 vermelde maatregelen.
15 De capacitieve detector volgens de uitvinding heeft het voordeel, dat de invloed van de spanningstoestand, die wordt veroorzaakt door de verschillende thermische uitzettingen van silicium en glas, op de eigenschappen van het voor druk gevoelige siliciummembraan is geëlimineerd.
20 De uitvinding wordt hierna nader toegelicht aan de hand van de tekening, waarin een uitvoeringsvoorbeeld is weergegeven in de fig. 2-4.
Fig. 2 is een gedeeltelijk in doorsnede uitge*'-voerd zij-aanzicht van een uitvoeringsvorm van de detector 25 volgens de uitvinding.
Fig. 3 is een doorsnede van de detector uit fig.
2 volgens de vlakken A-A en B-B, gezien vanaf de onderzijde.
Fig. 4 toont de overdracht van de vervorming tussen de uiteinden van de conische buis door middel van 30 een genormaliseerd krommestelsel.
Wanneer het ongewenst is dat het verschil in thermische uitzetting de gevoeligheid van de detector be-invloedt, moet het membraan van de detector worden geïsoleerd, zodat geen trekkracht hierin kan optreden. De fig. 2 en 3 35 tonen een drukdetectorconstructie, waarbij de horizontale krachten, die op het membraan kunnen inwerken, zijn geëlimineerd.
De siliciumplaat is bewerkt door middel van bekende technieken (zie publicatie (6)), zodat 'aan de ene zijde 40 hiervan een kom 6 is gevormd. Aan de andere zijde is een uit-
Bwn 6 5 - 4 - sparing 7 aangebracht. Het membraan 8, dat gevoelig is voor druk, is gevormd tussen de bodems van de kom 6 en de uitsparing 7. Het membraan 8 (en de uitsparing 7) wordt omgeven door een gesloten groef 10 met V-vormige doorsnede. De wand 5 tussen de groef 10 en de kom 6 'vormt een conische buis 11, waarvan het ene uiteinde is bevestigd aan de siliciumplaat 5, terwijl het anderè uiteinde wordt afgesloten door het voor druk gevoelige membraan 8. De kom 6 wordt afgedekt door een glasplaat 12, die in een vacuum hermetisch is bevestigd 10 op de siliciumplaat 5, zodat de kom 6 een aneroïde-capsule vormt. Als alternatief kan de glasplaat 12 zijn voorzien van een gat, door middel waarvan een referentiedruk aan de kamer 6 wordt doorgegeven. Een glasplaat 13 is op dé andere zijde van de siliciumplaat 5 bevestigd, welke glasplaat 13 een 15 stationaire condensatorplaat 14 draagt, die uit een dunne metaalfilm is vervaardigd.
Wanneer de temperatuur wordt verhoogd, wordt een trekkracht opgewekt in het horizontale vlak in de oppervlakken van de siliciumplaat 5. De trekkracht veroorzaakt een 20 vervorming aan het uiteinde van de conische buis 11, dat naar de glasplaat 12 is gekeerd. Indien de buis 11 geschikte afmetingen heeft, wordt de vervorming nagenoeg niet overge- .. bracht naar het buisuiteinde of slechts in geringe mate over- -gebracht naar het buisuiteinde, waar het voor druk gevoelige 25 membraan 8 is gelegen. Op deze wijze wordt de invloed van de temperatuur op de trekkracht op het membraan 8 geëlimineerd of aanzienlijk verkleind.
In fig. 4 is overeenkomstig het voorgaande de overdracht van de vervorming tussen de uiteinden van de coni-30 sche buis weergegeven door middel van een genormaliseerd krommestglsel. De horizontale as stelt de langsas van de buis 11 voor. De afstand tussen de uiteinden van de buis 11 is genormaliseerd als ëên eenheid. De verticale as stelt de vervorming van de buis voor, wanneer de vervorming aan het 35 begin-einde gelijk is aan een eenheid? de kromme 15 stelt een betrekkelijk korte buis voor, de kromme 16 een langere en de kromme 17 een nog langere buis. In het geval van een korte buis is de vervorming loodrecht op de as verkleind.
BAD Öftlèft$AÉfeva^ van een kuis met geschikte lengte is de vervor-40 ming tot nul gereduceerd, doch wordt een torsie opgewekt aan —- 5 - ' dit uiteinde; de afgeleide van de vervorming wijkt af van nul. Met een buis met voldoende lengte, zijn zowel de vervorming als de afgeleide hiervan nagenoeg nul. In een dergelijk geval is het andere uiteinde van de buis volledig ge-5 isoleerd van enige vervorming, die plaatsvindt aan het andere uiteinde van de buis.
Bij voorkeur bedraagt de diepte van de kom 6 ten minste 30% van de diameter van de bodem van de kom 6. De afmetingen van de uitvoering volgens de fig; 2 en 3 zijn 10 als volgt (bereikentussen haakjes aangegeven)i
Glasplaten 12 en 13 breedte en lengte : 7 mm (5 tot 10 mm) dikte : 1 mm (0,5 tot 1,5 mm)
Siliciumplaat 5 15 plaatdikte : 0,7 mm (0,2 tot 1,5 mm) membraandikte : 5 tot 50 yum kraagdikte j 50 tot 200 yum
Stationaire condensatorplaat 14 dikte i 0,2 yum (0,1 tot 1,0 μνα) 20 Condensatorspleet 7 : breedte : 4.^im (1 tot 10 yum) .
BAD ORIGINAL
ÖR Π Π A R R
Claims (3)
1. Capacitieve drukdetector, voorzien van een plaatvormige drager, een op de drager geplaatste, stationaire condensatorplaat, een met de drager verbonden aneroïde-cap-sule, die is voorzien van een gebied met een beweegbare con- 5 densatorplaat, die naar de stationaire condensatorplaat is gericht en waarvan de afstand tot de stationaire condensatorplaat wijzigt onder invloed van de druk, m e t h e t k enme rk, dat op de plaatvormige drager (13) een silicium-plaat (5) is aangebracht, waarin een membraanvormig middenge-10 deelte (8), dat als de beweegbare condensatorplaat functioneert, is gevormd, terwijl op de siliciumplaat (5) een bij voorkeur plaatvormige deksel (12) hermetisch is geplaatst, zodat een komruimte (6) van de aneroïde-capsule is gevormd tussen het deksel (12) en het middengedeelte (8), waarbij 15 het membraanvormige middengedeelte (8) van de siliciumplaat (5) met het randgedeelte van de siliciumplaat (5) is verbonden door middel van een relatief dunwandige kraag of buis (11), die zich vanaf de rand van het middengebied (8) uitstrekt tot in de nabijheid van het binnenoppervlak van het 20. deksel (12), waarbij het middengebied (8) en de kraag of buis (11) uit ëën stuk zijn vervaardigd met het randgedeelte van de siliciumplaat (5), terwijl het randgedeelte van de siliciumplaat (5) en.de kraag of buis (11) een tussenliggende, althans nagenoeg V-vormige groef (10) bepalen, die de kom-25 ruimte (6) omgeeft.
2. Detector volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de plaatvormige drager (13) en het deksel uit glas zijn vervaardigd.
3. Detector volgens conclusie 1 of 2, met 30 hetkenmerk, dat de diepte van de komruimte (6) ten minste 30% bedraagt van de diameter van de bodem van de komruimte (6) . BAD ORIGINAL _ 85 0 04 65
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI840700 | 1984-02-21 | ||
| FI840700A FI69211C (fi) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | Kapacitiv styckgivare |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8500465A true NL8500465A (nl) | 1985-09-16 |
Family
ID=8518584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8500465A NL8500465A (nl) | 1984-02-21 | 1985-02-19 | Capacitieve drukdetector. |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4594639A (nl) |
| JP (1) | JPS60195830A (nl) |
| BR (1) | BR8500738A (nl) |
| DE (1) | DE3505924C2 (nl) |
| FI (1) | FI69211C (nl) |
| FR (1) | FR2559899B1 (nl) |
| GB (1) | GB2154747B (nl) |
| IT (1) | IT1186831B (nl) |
| NL (1) | NL8500465A (nl) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4572204A (en) * | 1984-03-21 | 1986-02-25 | Hewlett-Packard Company | Pressure dome with compliant chamber |
| FI75426C (fi) * | 1984-10-11 | 1988-06-09 | Vaisala Oy | Absoluttryckgivare. |
| US4812199A (en) * | 1987-12-21 | 1989-03-14 | Ford Motor Company | Rectilinearly deflectable element fabricated from a single wafer |
| FI78784C (fi) * | 1988-01-18 | 1989-09-11 | Vaisala Oy | Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav. |
| US4960177A (en) * | 1988-06-03 | 1990-10-02 | University Of Hawaii | Silicon membrane micro-scale |
| US4905575A (en) * | 1988-10-20 | 1990-03-06 | Rosemount Inc. | Solid state differential pressure sensor with overpressure stop and free edge construction |
| US4954925A (en) * | 1988-12-30 | 1990-09-04 | United Technologies Corporation | Capacitive sensor with minimized dielectric drift |
| DE3932618A1 (de) * | 1989-09-29 | 1991-04-18 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur messung mechanischer kraefte und kraftwirkungen |
| DE3937522A1 (de) * | 1989-11-10 | 1991-05-16 | Texas Instruments Deutschland | Mit einem traegerelement verbundener halbleiter-drucksensor |
| FI93059C (fi) * | 1993-07-07 | 1995-02-10 | Vaisala Oy | Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi |
| FI93579C (fi) * | 1993-08-20 | 1995-04-25 | Vaisala Oy | Sähköstaattisen voiman avulla takaisinkytketty kapasitiivinen anturi ja menetelmä sen aktiivisen elementin muodon ohjaamiseksi |
| US6662663B2 (en) | 2002-04-10 | 2003-12-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Pressure sensor with two membranes forming a capacitor |
| DE102013204197A1 (de) * | 2013-03-12 | 2014-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektrochemischer Sensor und Verfahren zum Betreiben eines mikroelektrochemischen Sensors |
| US9902611B2 (en) * | 2014-01-13 | 2018-02-27 | Nextinput, Inc. | Miniaturized and ruggedized wafer level MEMs force sensors |
| US10466119B2 (en) | 2015-06-10 | 2019-11-05 | Nextinput, Inc. | Ruggedized wafer level MEMS force sensor with a tolerance trench |
| CN116907693A (zh) | 2017-02-09 | 2023-10-20 | 触控解决方案股份有限公司 | 集成数字力传感器和相关制造方法 |
| US11243125B2 (en) | 2017-02-09 | 2022-02-08 | Nextinput, Inc. | Integrated piezoresistive and piezoelectric fusion force sensor |
| WO2019018641A1 (en) | 2017-07-19 | 2019-01-24 | Nextinput, Inc. | STACK OF STRAIN TRANSFER IN A MEMS FORCE SENSOR |
| WO2019023309A1 (en) | 2017-07-25 | 2019-01-31 | Nextinput, Inc. | FORCE SENSOR AND INTEGRATED FINGERPRINTS |
| US11243126B2 (en) | 2017-07-27 | 2022-02-08 | Nextinput, Inc. | Wafer bonded piezoresistive and piezoelectric force sensor and related methods of manufacture |
| WO2019079420A1 (en) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | Nextinput, Inc. | SHIFT TEMPERATURE COEFFICIENT COMPENSATION FOR FORCE SENSOR AND STRAIN GAUGE |
| US11385108B2 (en) | 2017-11-02 | 2022-07-12 | Nextinput, Inc. | Sealed force sensor with etch stop layer |
| US11874185B2 (en) | 2017-11-16 | 2024-01-16 | Nextinput, Inc. | Force attenuator for force sensor |
| US10962427B2 (en) | 2019-01-10 | 2021-03-30 | Nextinput, Inc. | Slotted MEMS force sensor |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1138401A (en) * | 1965-05-06 | 1969-01-01 | Mallory & Co Inc P R | Bonding |
| US3808480A (en) * | 1973-04-16 | 1974-04-30 | Bunker Ramo | Capacitive pressure transducer |
| US3965746A (en) * | 1974-11-04 | 1976-06-29 | Teledyne Industries, Inc. | Pressure transducer |
| US4040118A (en) * | 1975-06-18 | 1977-08-02 | Bunker Ramo Corporation | Pressure sensitive transducer |
| US4203128A (en) * | 1976-11-08 | 1980-05-13 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Electrostatically deformable thin silicon membranes |
| JPS5516228A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Hitachi Ltd | Capacity type sensor |
| US4386453A (en) * | 1979-09-04 | 1983-06-07 | Ford Motor Company | Method for manufacturing variable capacitance pressure transducers |
| US4390925A (en) * | 1981-08-26 | 1983-06-28 | Leeds & Northrup Company | Multiple-cavity variable capacitance pressure transducer |
| US4415948A (en) * | 1981-10-13 | 1983-11-15 | United Technologies Corporation | Electrostatic bonded, silicon capacitive pressure transducer |
| US4445383A (en) * | 1982-06-18 | 1984-05-01 | General Signal Corporation | Multiple range capacitive pressure transducer |
| US4467394A (en) * | 1983-08-29 | 1984-08-21 | United Technologies Corporation | Three plate silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer |
-
1984
- 1984-02-21 FI FI840700A patent/FI69211C/fi not_active IP Right Cessation
-
1985
- 1985-02-15 US US06/701,870 patent/US4594639A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-15 BR BR8500738A patent/BR8500738A/pt unknown
- 1985-02-15 FR FR8502193A patent/FR2559899B1/fr not_active Expired
- 1985-02-18 GB GB08504078A patent/GB2154747B/en not_active Expired
- 1985-02-19 NL NL8500465A patent/NL8500465A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-02-20 IT IT12436/85A patent/IT1186831B/it active
- 1985-02-21 JP JP60033644A patent/JPS60195830A/ja not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-21 DE DE3505924A patent/DE3505924C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60195830A (ja) | 1985-10-04 |
| US4594639A (en) | 1986-06-10 |
| FI69211B (fi) | 1985-08-30 |
| DE3505924C2 (de) | 1994-03-24 |
| FR2559899A1 (fr) | 1985-08-23 |
| IT8512436A0 (it) | 1985-02-20 |
| FR2559899B1 (fr) | 1987-02-13 |
| BR8500738A (pt) | 1985-10-08 |
| FI840700A0 (fi) | 1984-02-21 |
| GB8504078D0 (en) | 1985-03-20 |
| IT1186831B (it) | 1987-12-16 |
| FI69211C (fi) | 1985-12-10 |
| GB2154747A (en) | 1985-09-11 |
| DE3505924A1 (de) | 1985-08-22 |
| GB2154747B (en) | 1987-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8500465A (nl) | Capacitieve drukdetector. | |
| JP2896725B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| EP0059488B1 (en) | Capacitive pressure sensor | |
| CA1185454A (en) | Silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer | |
| KR0137939B1 (ko) | 용량성 압력감지기 및 그의 기생용량 최소화 방법 | |
| JP2660247B2 (ja) | 圧力センサー | |
| CN103852598B (zh) | 具有针对热力学应力低敏感度的微机电结构 | |
| FI74350C (fi) | Kapacitiv absoluttryckgivare. | |
| JP2000000011U (ja) | 容量型センサ | |
| KR970077749A (ko) | 마이크로 가공된 고감도의 압력 센서 및 음향 트랜스듀서의 제조 방법 | |
| NO320502B1 (no) | Fremgangsmate for tilvirkning av en halvlederkomponent | |
| EP1218713A1 (en) | Capacitive pressure sensor | |
| US5656781A (en) | Capacitive pressure transducer structure with a sealed vacuum chamber formed by two bonded silicon wafers | |
| NL8500466A (nl) | Capacitieve drukdetector. | |
| US11378459B2 (en) | Infrared sensor structure | |
| US9752900B2 (en) | Multi-plate capacitive transducer | |
| CN1193216C (zh) | 微小极间距电容式力敏传感器及其制造方法 | |
| US7737514B1 (en) | MEMS pressure sensor using area-change capacitive technique | |
| JP2000146702A (ja) | 赤外センサ | |
| WO1996018872A1 (en) | Capacitive pressure transducer and fabrication method thereof | |
| JP2009002925A (ja) | 静電容量式圧力検出装置 | |
| KR820001504B1 (ko) | 용량식 압력센서 | |
| JPH0746068B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JP2512171B2 (ja) | 加速度検出器 | |
| JPH10300775A (ja) | 静電容量型加速度センサ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BV | The patent application has lapsed |