NL169123C - Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten.
- Google Patents
Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen ElectricfiledCriticalGen Electric
Publication of NL7013741ApublicationCriticalpatent/NL7013741A/xx
Publication of NL169123BpublicationCriticalpatent/NL169123B/nl
Application grantedgrantedCritical
Publication of NL169123CpublicationCriticalpatent/NL169123C/nl
H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
NLAANVRAGE7013741,A1969-09-241970-09-17Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten.
NL169123C
(nl)
Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten.
Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleider- lichaam van een eerste geleidingstype met een door dif- fusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede gelei- dingstype.
Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor.
Werkwijze voor het vervaardigen van een inrich- ting, in het bijzonder een halfgeleiderinrichting, met een geleiderpatroon op een dragerlichaam, en inrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.