NL154867B - Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor.

Info

Publication number: NL154867B
Authority: NL; Netherlands
Prior art keywords: procedure; manufacture; accordance; well; semiconductor device
Prior art date: 1964-02-13

Application number

NL656501818A

Other languages

English (en)

Other versions

NL6501818A (nl

Inventor

Minoru Ono

Toshimitsu Momoi

Youji Kawachi

Original Assignee

Hitachi Ltd

Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)

1964-02-13

Filing date

1965-02-12

Publication date

1977-10-17

1965-02-12 Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd

1965-08-16 Publication of NL6501818A publication Critical patent/NL6501818A/xx

1977-10-17 Publication of NL154867B publication Critical patent/NL154867B/nl

Classifications

- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/40—Crystalline structures
- H10D62/405—Orientations of crystalline planes
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- H10P14/6309—
- H10P14/6322—
- H10P95/00—
- H10P95/80—
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/049—Equivalence and options
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/053—Field effect transistors fets
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/115—Orientation

NL656501818A 1964-02-13 1965-02-12 Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor. NL154867B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number	Priority Date	Filing Date	Title
JP738864		1964-02-13

Publications (2)

Publication Number	Publication Date
NL6501818A NL6501818A (nl)	1965-08-16
NL154867B true NL154867B (nl)	1977-10-17

Family

ID=11664527

Family Applications (1)

Application Number	Title	Priority Date	Filing Date
NL656501818A NL154867B (nl)	1964-02-13	1965-02-12	Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor.

Country Status (4)

Country	Link
US (1)	US3643137A (nl)
DE (1)	DE1514082C3 (nl)
GB (1)	GB1100124A (nl)
NL (1)	NL154867B (nl)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
US3860948A (en) *	1964-02-13	1975-01-14	Hitachi Ltd	Method for manufacturing semiconductor devices having oxide films and the semiconductor devices manufactured thereby
US3585464A (en) *	1967-10-19	1971-06-15	Ibm	Semiconductor device fabrication utilizing {21 100{22 {0 oriented substrate material
US3651565A (en) *	1968-09-09	1972-03-28	Nat Semiconductor Corp	Lateral transistor structure and method of making the same
NL171309C (nl) *	1970-03-02	1983-03-01	Hitachi Ltd	Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium.
DE2828607C3 (de) *	1977-06-29	1982-08-12	Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa	Halbleitervorrichtung
US5171703A (en) *	1991-08-23	1992-12-15	Intel Corporation	Device and substrate orientation for defect reduction and transistor length and width increase

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
GB805292A (en) *	1953-12-02	1958-12-03	Philco Corp	Semiconductor devices
GB797687A (en) *	1956-05-28	1958-07-09	Marconi Wireless Telegraph Co	Improvements in or relating to processes for the manufacture of semi-conductor rectifiers
DE1104074B (de) *	1957-07-30	1961-04-06	Telefunken Gmbh	Verfahren zum Zerschneiden eines Halbleiter-Einkristalles, z. B. aus Germanium, fuer Halbleiter-anordnungen in duenne Scheiben, deren Schnittflaechen senkrecht zu einer gewuenschten Kristallachse liegen
GB852003A (en) *	1958-06-10	1960-10-19	Siemens Edison Swan Ltd	Improvements relating to the production of wafers of semi-conductor material
DE1095952B (de) *	1958-08-04	1960-12-29	Philips Nv	Verfahren zur Herstellung von gleich langen Halbleiterstreifen aus einem homogenen einkristallinen Halbleiterstab fuer mehrere Halbleiteranordnungen
US2986481A (en) *	1958-08-04	1961-05-30	Hughes Aircraft Co	Method of making semiconductor devices
US2994811A (en) *	1959-05-04	1961-08-01	Bell Telephone Labor Inc	Electrostatic field-effect transistor having insulated electrode controlling field in depletion region of reverse-biased junction
NL265382A (nl) *	1960-03-08
NL267831A (nl) *	1960-08-17
GB923153A (en) *	1960-08-18	1963-04-10	Fairchild Semiconductor	Semiconductor strain gauge
US3045129A (en) *	1960-12-08	1962-07-17	Bell Telephone Labor Inc	Semiconductor tunnel device
AT229371B (de) *	1961-04-14	1963-09-10	Siemens Ag	Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
US3330030A (en) *	1961-09-29	1967-07-11	Texas Instruments Inc	Method of making semiconductor devices
FR1308788A (fr) *	1961-10-16	1962-11-09	Merck & Co Inc	Matière semi-conductrice et son procédé de fabrication
DE1867911U (de) *	1961-12-07	1963-02-28	Gerda Wilberger	Buegelbrett mit standvorrichtung.
US3255005A (en) *	1962-06-29	1966-06-07	Tung Sol Electric Inc	Masking process for semiconductor elements
US3384829A (en) *	1963-02-08	1968-05-21	Nippon Electric Co	Semiconductor variable capacitance element
US3349475A (en) *	1963-02-21	1967-10-31	Ibm	Planar injection laser structure
US3244566A (en) *	1963-03-20	1966-04-05	Trw Semiconductors Inc	Semiconductor and method of forming by diffusion
GB1094068A (en) *	1963-12-26	1967-12-06	Rca Corp	Semiconductive devices and methods of producing them
US3303059A (en) *	1964-06-29	1967-02-07	Ibm	Methods of improving electrical characteristics of semiconductor devices and products so produced

1965
- 1965-02-12 GB GB6162/65A patent/GB1100124A/en not_active Expired
- 1965-02-12 DE DE1514082A patent/DE1514082C3/de not_active Expired
- 1965-02-12 NL NL656501818A patent/NL154867B/nl not_active IP Right Cessation
1969
- 1969-02-10 US US431677*[A patent/US3643137A/en not_active Expired - Lifetime

Also Published As

Publication number	Publication date
DE1514082A1 (de)	1969-09-18
US3643137A (en)	1972-02-15
GB1100124A (en)	1968-01-24
DE1514082C3 (de)	1984-08-30
NL6501818A (nl)	1965-08-16
DE1514082B2 (de)	1974-04-25

Similar Documents

Publication	Publication Date	Title
NL152114B (nl)	1977-01-17	Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL170349C (nl)	1982-10-18	Halfgeleiderinrichting met complementaire veldeffecttransistoren.
NL145396B (nl)	1975-03-17	Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderinrichting en geintegreerde halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL148654B (nl)	1976-02-16	Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL152116B (nl)	1977-01-17	Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL143072B (nl)	1974-08-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7510533A (nl)	1976-03-09	Werkwijze en inrichting voor de vervaardiging van een gipsplaat, evenals gipsplaat vervaardigd on- der toepassing van de werkwijze.
NL154062B (nl)	1977-07-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL139416B (nl)	1973-07-16	Transistor.
DK111366B (da)	1968-08-05	Feltvirknings-transistor.
NL149638B (nl)	1976-05-17	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL155663B (nl)	1978-01-16	Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL140101B (nl)	1973-10-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL155472B (nl)	1978-01-16	Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een houder, alsmede houder, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154866B (nl)	1977-10-17	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL154867B (nl)	1977-10-17	Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor.
NL152458B (nl)	1977-03-15	Werkwijze voor het uitwisselen van ionen, alsmede inrichting daarvoor.
NL151584B (nl)	1976-11-15	Transistoroscillator.
NL142278B (nl)	1974-05-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een bodem van een voor een halfgeleidende inrichting bestemde omhulling en bodem, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154871C (nl)	1982-09-16	Montageband voor halfgeleiderinrichting, alsmede onder toepassing van een dergelijke montageband vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL151558B (nl)	1976-11-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL141709B (nl)	1974-03-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL144436B (nl)	1974-12-16	Halfgeleiderinrichting, in het bijzonder planaire transistor.
NL148444B (nl)	1976-01-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door het aanbrengen van gediffundeerde zones in een halfgeleiderlichaam en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL161621C (nl)	1980-02-15	Halfgeleiderinrichting met veldeffecttransistor.

Legal Events

Date	Code	Title	Description
1985-02-28	NL80	Information provided on patent owner name for an already discontinued patent	Owner name: HITACHI SEISA
1985-04-16	V4	Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent