[go: up one dir, main page]

NL165005B - Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.

Info

Publication number
NL165005B
NL165005B NL6909788.A NL6909788A NL165005B NL 165005 B NL165005 B NL 165005B NL 6909788 A NL6909788 A NL 6909788A NL 165005 B NL165005 B NL 165005B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor device
manufacturing
field effect
control electrode
effect transistors
Prior art date
Application number
NL6909788.A
Other languages
English (en)
Other versions
NL165005C (nl
NL6909788A (nl
Inventor
Teunis Brand
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL6909788.A priority Critical patent/NL165005C/nl
Priority to DE2029058A priority patent/DE2029058C2/de
Priority to GB3046370A priority patent/GB1325332A/en
Priority to CH957070A priority patent/CH514937A/de
Priority to AT564470A priority patent/AT336080B/de
Priority to SE08689/70A priority patent/SE365905B/xx
Priority to BE752480D priority patent/BE752480A/xx
Priority to FR7023553A priority patent/FR2047958B1/fr
Publication of NL6909788A publication Critical patent/NL6909788A/xx
Publication of NL165005B publication Critical patent/NL165005B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL165005C publication Critical patent/NL165005C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/102—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H10D62/112—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for preventing surface leakage due to surface inversion layers, e.g. by using channel stoppers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/80—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs
    • H10D84/82—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components
    • H10D84/83—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components of only insulated-gate FETs [IGFET]
    • H10D84/83125—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components of only insulated-gate FETs [IGFET] the IGFETs characterised by having shared source or drain regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
NL6909788.A 1969-06-26 1969-06-26 Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. NL165005C (nl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6909788.A NL165005C (nl) 1969-06-26 1969-06-26 Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
DE2029058A DE2029058C2 (de) 1969-06-26 1970-06-12 Halbleiteranordnung mit mindestens zwei Feldeffekttransistoren mit isolierter Gateelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung
CH957070A CH514937A (de) 1969-06-26 1970-06-23 Halbleiteranordnung mit einem Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode
AT564470A AT336080B (de) 1969-06-26 1970-06-23 Halbleiteranordnung mit wenigstens zwei feldeffektransistoren mit isolierter torelektrode
GB3046370A GB1325332A (en) 1969-06-26 1970-06-23 Semiconductor devices
SE08689/70A SE365905B (nl) 1969-06-26 1970-06-23
BE752480D BE752480A (fr) 1969-06-26 1970-06-24 Dispositif semiconducteur comportant un transistor a effet de champ a electrode de porte isolee
FR7023553A FR2047958B1 (nl) 1969-06-26 1970-06-25

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6909788.A NL165005C (nl) 1969-06-26 1969-06-26 Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL6909788A NL6909788A (nl) 1970-12-29
NL165005B true NL165005B (nl) 1980-09-15
NL165005C NL165005C (nl) 1981-02-16

Family

ID=19807307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6909788.A NL165005C (nl) 1969-06-26 1969-06-26 Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.

Country Status (8)

Country Link
AT (1) AT336080B (nl)
BE (1) BE752480A (nl)
CH (1) CH514937A (nl)
DE (1) DE2029058C2 (nl)
FR (1) FR2047958B1 (nl)
GB (1) GB1325332A (nl)
NL (1) NL165005C (nl)
SE (1) SE365905B (nl)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5528229B1 (nl) * 1971-03-19 1980-07-26
US3728161A (en) * 1971-12-28 1973-04-17 Bell Telephone Labor Inc Integrated circuits with ion implanted chan stops
JPS559834B2 (nl) * 1972-03-31 1980-03-12
JPS551189A (en) * 1979-05-07 1980-01-07 Nec Corp Semiconductor device
JPS55102274A (en) * 1980-01-25 1980-08-05 Agency Of Ind Science & Technol Insulated gate field effect transistor
GB2123605A (en) * 1982-06-22 1984-02-01 Standard Microsyst Smc MOS integrated circuit structure and method for its fabrication

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL297002A (nl) * 1962-08-23 1900-01-01
US3400383A (en) * 1964-08-05 1968-09-03 Texas Instruments Inc Trainable decision system and adaptive memory element
US3417464A (en) * 1965-05-21 1968-12-24 Ibm Method for fabricating insulated-gate field-effect transistors
GB1145092A (en) * 1965-06-09 1969-03-12 Mullard Ltd Improvements in insulated gate field effect semiconductor devices
GB1155578A (en) * 1965-10-08 1969-06-18 Sony Corp Field Effect Transistor
US3440502A (en) * 1966-07-05 1969-04-22 Westinghouse Electric Corp Insulated gate field effect transistor structure with reduced current leakage
GB1131675A (en) * 1966-07-11 1968-10-23 Hitachi Ltd Semiconductor device
US3440500A (en) * 1966-09-26 1969-04-22 Itt High frequency field effect transistor
GB1203298A (en) * 1967-01-10 1970-08-26 Hewlett Packard Co Mis integrated circuit and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
BE752480A (fr) 1970-12-24
DE2029058A1 (de) 1971-01-07
FR2047958B1 (nl) 1975-09-26
FR2047958A1 (nl) 1971-03-19
GB1325332A (en) 1973-08-01
SE365905B (nl) 1974-04-01
NL165005C (nl) 1981-02-16
AT336080B (de) 1977-04-12
NL6909788A (nl) 1970-12-29
ATA564470A (de) 1976-08-15
CH514937A (de) 1971-10-31
DE2029058C2 (de) 1983-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL159534B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met van een geisoleerde stuurelektrode voorziene veldeffecttransistoren.
NL7412121A (nl) Geheugenhalfgeleiderinrichting van het draad- vormige type alsmede werkwijze voor het ver- vaardigen van deze inrichting.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL178224C (nl) Inrichting voor het behandelen van lichaamsvloeistoffen.
NL152707B (nl) Halfgeleiderinrichting bevattende een veldeffecttransistor van het type met geisoleerde poortelektrode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
NL175689C (nl) Inrichting voor het behandelen van wrongel.
NL170349C (nl) Halfgeleiderinrichting met complementaire veldeffecttransistoren.
NL140659B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde poort en een veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL185483C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort.
NL144091B (nl) Halfgeleiderveldeffectinrichting van het type met een geisoleerde poortelektrode.
NL142094B (nl) Werkwijze en inrichting voor het elektrolyseren van acrylonitrile.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL162790C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van veldeffect- transistoren met een geisoleerde stuurelektrode.
NL155663B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL164157C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL166820C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL160988C (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
NL165005C (nl) Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL171257C (nl) Werkwijze voor het isoleren van dichloorbutenen en butadieen.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL152458B (nl) Werkwijze voor het uitwisselen van ionen, alsmede inrichting daarvoor.
NL161613C (nl) Foto-elektrische geleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL147618B (nl) Werkwijze en inrichting voor het ononderbroken vervaardigen van toffees.

Legal Events

Date Code Title Description
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent