WO2026018713A1 - フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 - Google Patents

Abstract

一態様において、隙間に残存するフラックス残渣の除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。　本開示は、一態様において、下記成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃを含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｃとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］が０．９超７．６未満である、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。 成分Ａ：２０℃における水への溶解度が１０質量％以上のグリコールエーテル 成分Ｂ：２０℃における水への溶解度が１０質量％未満のグリコールエーテル 成分Ｃ：炭化水素

Description

フラックス残渣除去用洗浄剤組成物

　本開示は、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、及び該洗浄剤組成物を用いた洗浄方法に関する。

　プリント配線基板等の電子基板に電子部品を実装する際、一般的にはんだ接合が行われる。近年、電子機器の処理速度向上、省エネルギー化、環境汚染物質排出抑制といった観点から、１）半田金属の鉛フリー化、２）配線や半田バンプの微細化、３）機器の軽量化や省資源化のため配線基板等の薄化の方向へ技術革新が進んでいる。とりわけ、１)半田金属の鉛フリー化においては、その結果として、半田金属の融点の上昇に伴い、リフロー温度の高温化する。これにより、フラックスが劣化や重合しやすくなり、除去しにくくなった。このような背景により、高温リフロー後の有機物残渣に対しても良好な洗浄性を示す洗浄剤が求められる。

　例えば、特開平５－３０６４８１号公報（特許文献１）では、炭素数１０～１８の炭化水素：５～８５重量％、Ｒ¹－Ｏ－（Ｃ_nＨ_2nＯ）_m－Ｒ²で表されるグリコールエーテル系化合物：１～８０重量％、平均ＨＬＢ３～１８の非イオン性界面活性剤：０．５～３５重量％、水：５～３０重量％を含有する精密部品又は治工具類用洗浄剤組成物が提案されている。
　特開平４－６５４９５号公報（特許文献２）では、Ｒ¹Ｏ－（ＣＨ₂Ｃ（Ｒ³）ＨＯ）－Ｒ²で表されるグリコールエーテル、炭素数８～１４の炭化水素とからなる混合物を有効成分として含有するロジン系半田フラックスの洗浄剤が提案されている。
　特開２０２２－５０３２０号公報（特許文献３）では、沸点が２００℃以上であって２０℃における水への溶解度が１０質量％以下のグリコールエーテル（Ａ）、沸点が２００℃以上のアミノアルコール（Ｂ）、炭素数が１０～２４の炭化水素、炭素数が１０～２４の脂肪族アルコールから選ばれる少なくとも１種の疎水性化合物（Ｃ）及び水（Ｄ）を含む、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物が提案されている。
　特開２０１５－１４５４７６号公報（特許文献４）では、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、特定のアミン化合物、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤、及び、水を含有し、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が４０．０質量％以上５４．６質量％以下、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルの含有量が４０．０質量％以上５４．６質量％以下、特定のアミン化合物の含有量が０．３質量％以上５．０質量％以下、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤の含有量が０．１質量％以上５．０質量％以下である半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物が提案されている。

　本開示は、一態様において、下記成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃを含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｃとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］が０．９超７．６未満である、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。
成分Ａ：２０℃における水への溶解度が１０質量％以上のグリコールエーテル
成分Ｂ：２０℃における水への溶解度が１０質量％未満のグリコールエーテル
成分Ｃ：炭化水素

　本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する洗浄工程を含む、洗浄方法に関する。

図１は、洗浄試験に用いるテストピースの外観の一例を示す図であり、Ａは概略側面図、Ｂは概略平面図を示す。

　近年、配線や半田バンプの微細化によって、半導体パッケージ等の部品が高密度に搭載される。そして、部品の高密度搭載により、基板を搭載した機器の使用時には基板温度が高温になるため、部品を接続する半田には高温に耐え得る溶融温度が高い半田が用いられる。そして、半田バンプの微小化や半田溶融時の従来よりも高い温度によるフラックスの変性により、上記特許文献に開示されている洗浄剤組成物では、フラックス残渣の除去性（フラックス除去性）が不足し、洗浄性が十分であるとは言えなくなっている。
　特に、回路基板上に他の部品（例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板等）が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間（隙間）が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフロー等により半田付けされた後にフラックス残渣としてこの隙間にも残存しやすい。そして、近年、この隙間長はより長くなる傾向にあり、特に、前記回路基板と前記他の部品との間の最短距離が数十μｍといった狭い空間（隙間）では隙間長が長くなるほど洗浄が難しくなる。そのため、隙間の洗浄性の向上が求められる。

　そこで、本開示は、隙間に残存するフラックス残渣の除去性（隙間洗浄性）に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物及びそれを用いた洗浄方法を提供する。

　本開示によれば、一態様において、隙間に残存するフラックス残渣の除去性（隙間洗浄性）に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供できる。

　本開示は、親水性グリコールエーテル（成分Ａ）と疎水性グリコールエーテル（成分Ｂ）と炭化水素（成分Ｃ）とを特定の割合で含有する洗浄剤組成物を用いることで、長い隙間に残存するフラックス残渣を効率よく除去できるという知見に基づく。

　すなわち、本開示は、一態様において、下記成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃを含有し、成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｃとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］が０．９超７．６未満である、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物（以下、「本開示の洗浄剤組成物」ともいう）に関する。
成分Ａ：２０℃における水への溶解度が１０質量％以上のグリコールエーテル
成分Ｂ：２０℃における水への溶解度が１０質量％未満のグリコールエーテル
成分Ｃ：炭化水素

　本開示によれば、隙間に残存するフラックス残渣の除去性（隙間洗浄性）に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供できる。

　本開示の効果発現の作用メカニズムの詳細は不明な部分はあるが、以下のように推察される。
　一般に、グリコールエーテルはフラックス残渣の溶解性を有するが部品下への浸透性が悪く、隙間に効率的に侵入することができないため、グリコールエーテルを用いた洗浄剤は隙間洗浄性が低下する傾向にある。しかしながら、２０℃における水への溶解度が１０質量％以上のグリコールエーテル（親水性グリコールエーテル、成分Ａ）と２０℃における水への溶解度が１０質量％未満のグリコールエーテル（疎水性グリコールエーテル、成分Ｂ）と炭化水素(成分Ｃ)とが併用されると洗浄剤組成物の浸透性が向上し、部品下へ侵入しやすくなり隙間洗浄性が向上すると考えられる。炭化水素（成分Ｃ）はフラックス残渣溶解性が低いが成分Ａと成分Ｂの相溶性を付与しフラックス残渣溶解性を保持したまま浸透性を向上させることができ、隙間洗浄性を向上していると予想される。
　さらに、本開示の洗浄剤組成物における成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量と成分Ｃの含有量との質量比（Ａ＋Ｂ）／Ｃが０．９超７．６未満であることでフラックス残渣の溶解性と浸透性が両立でき隙間洗浄性を向上できると考えられる。
　ただし、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。

　本開示において「フラックス」とは、電極や配線等の金属と半田金属との接続を妨げる酸化物を取り除き、前記接続を促進するために用いられる、半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスやロジンを含まない水溶性フラックス等をいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。
　本開示において「フラックス残渣」とは、フラックスを用いて半田バンプを形成した後の基板、及び／又はフラックスを用いて半田付けをした後の基板等に残存するフラックス由来の残渣をいう。例えば、回路基板上に他の部品（例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板等）が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間（隙間）が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフロー等により半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。
　本開示において「フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田バンプを形成及び／又は半田付けした後のフラックス残渣を除去するための洗浄剤組成物をいう。本開示に係る洗浄剤組成物による洗浄性の顕著な効果発現の点から、半田は錫を含有する鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。

［成分Ａ：２０℃における水への溶解度が１０質量％以上のグリコールエーテル］
　本開示の洗浄剤組成物が含有する２０℃における水への溶解度が１０質量％以上のグリコールエーテル（以下、「成分Ａ」ともいう）は、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　成分Ａの２０℃における水への溶解度は、１０質量％以上であって、２０質量％以上、５０質量％以上、又は８０質量％以上でもよく、２０℃における水への溶解度が無限大でもよい。なお、２０℃における水への溶解度が「無限大」とは、溶解度が１００質量％以上であることを示す。
　本開示において、グリコールエーテルの２０℃における水への溶解度は、下記の方法で測定できる。
　イオン交換水１０ｇをガラス容器に入れ、グリコールエーテルを１ｇ加えて２０℃で５分間撹拌し、５分間静置する。静置後、水溶液の外観が均一透明である場合は溶解したと判断し、水溶液の外観が白濁もしく二層以上に分離している場合は不溶解と判断する。
　具体的には、実施例に記載した方法で行うことができる。
　２０℃における水への溶解度が１０質量％以上のグリコールエーテルは、親水性グリコールエーテルであり、一又は複数の実施形態において、ヒドロキシル基を有する。
　成分Ａは、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）で表すことができる。すなわち、成分Ａは、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）で表される化合物である。

＜式（Ｉ）で表される化合物＞
Ｒ¹－Ｏ－（Ｒ²－Ｏ）_m－Ｈ　　　（Ｉ）
　上記式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又は炭素数１以上５以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、フラックス残渣除去性向上の観点から、炭素数１以上５以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基が好ましく、炭素数２以上５以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基がより好ましく、炭素数３以上５以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基が更に好ましく、炭素数４以上５以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基がより更に好ましく、炭素数４以上５以下の直鎖アルキル基がより更に好ましい。
　Ｒ²は、－ＣＨ₂－ＣＲ³Ｈ－又は－ＣＨ₂－ＣＨ₂－ＣＨ₂－であり、同様の観点から、－ＣＨ₂－ＣＲ³Ｈ－が好ましく、－ＣＨ₂－ＣＨ₂－がより好ましい。
　Ｒ³は、水素原子又はメチル基であり、同様の観点から、水素原子が好ましい。
　ｍは、１以上４以下の整数であり、同様の観点から、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、２が更に好ましい。

　成分Ａとしては、フラックス残渣除去性向上の観点から、炭素数１以上５以下のアルキル基を有するジエチレングリコールモノアルキルエーテル及びジプロピレングリコールモノアルキルエーテルから選ばれる少なくとも１種が挙げられ、例えば、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＤＧ、２０℃における水への溶解度：無限大）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（ＭＤＧ、２０℃における水への溶解度：無限大）、トリエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＴＧ、２０℃における水への溶解度：無限大）、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＦＧ、２０℃における水への溶解度：無限大）が好ましく挙げられる。

　成分Ａの溶解度パラメーター（ＳＰ値）δは、フラックス残渣除去性向上の観点から、２０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以上が好ましく、２０．２（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以上がより好ましく、２０．４（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以上がより好ましい、また、フラックス残渣除去性向上の観点から、２３．０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以下が好ましく、２２．０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以下がより好ましく、２１．０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以下がより好ましい。
　本開示において、溶解度パラメーター（ＳＰ値）δとは、以下に示すHansenの３次元溶解度空間における溶解度パラメーターをいう。Hansenの３次元溶解度空間における溶解度パラメーターの定義及び計算は、C.M. Hansenによる文献、「The three dimensionnal solubility parameters」、J. Paint Technol.、39巻、105頁(1967年)に記載されている。
このHansen空間によれば、δDは、分子の衝突中に誘起される双極子の形成から生じるロンドン分散力を特徴づけ、δpは、永久双極子間のDebye相互作用力、更に誘起双極子と永久双極子との間のKeesom相互作用力を特徴づけ、δhは、特定の相互作用力（水素結合、酸/塩基、ドナー/アクセプター等）を特徴づけ、溶解度パラメーターδは、下記式によって求めることができる。
δ＝（δD²＋δp²＋δh²）^1/2
パラメーターδp、δh、δD及びδの単位は、（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2で表される。
　本開示においては、Windows（登録商標）用のソフトウエアである「Hansen Solubility Parameters in Practice（HSPiP）」を用いて、各化合物の構造式からδp、δh、δDを求め、前記式に従って溶解度パラメーターδを算出する。

　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、３０質量％以上が好ましく、３５質量％以上がより好ましく、４０質量％以上が更に好ましく、そして、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、６０質量％以下が好ましく、５５質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、３０質量％以上６０質量％以下が好ましく、３５質量％以上５５質量％以下がより好ましく、４０質量％以上５０質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種以上の組合せである場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［成分Ｂ：２０℃における水への溶解度が１０質量％未満のグリコールエーテル］
　本開示の洗浄剤組成物が含有する２０℃における水への溶解度が１０質量％未満のグリコールエーテル（以下、「成分Ｂ」ともいう）は、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　成分Ｂの２０℃における水への溶解度は、１０質量％未満であって、１質量％以下が好ましく、そして、０．０５質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましい。
　２０℃における水への溶解度が１０質量％未満のグリコールエーテルは、疎水性グリコールエーテルであり、下記式（ＩＩ）又は下記式（ＩＩＩ）で表すことができる。すなわち、成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩ）で表される化合物及び下記式（ＩＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種である。

＜式（ＩＩ）で表される化合物＞
Ｒ⁴Ｏ－（Ｒ⁵－Ｏ)_p－Ｈ　　　(ＩＩ)
　上記式（ＩＩ）中、Ｒ⁴は、炭素数６以上１０以下の直鎖または分岐のアルキル基であり、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、炭素数６以上９以下の直鎖または分岐のアルキル基が好ましい。
　Ｒ⁵は、－ＣＨ₂－ＣＲ⁶Ｈ－又は－ＣＨ₂－ＣＨ₂－ＣＨ₂－であり、同様の観点から、－ＣＨ₂－ＣＲ⁶Ｈ－が好ましく、－ＣＨ₂－ＣＨ₂－がより好ましい。
　Ｒ⁶は、水素原子又はメチル基であり、同様の観点から、水素原子が好ましい。
　ｐは、１以上４以下の整数であり、同様の観点から、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。

＜式（ＩＩＩ）で表される化合物＞
Ｒ⁷Ｏ－（Ｒ⁹－Ｏ)_q－Ｒ⁸　　　(ＩＩＩ)
　上記式（ＩＩＩ）中、Ｒ⁷は、炭素数４以上１０以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、炭素数４以上８以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基が好ましく、炭素数４以上６以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基がより好ましく、炭素数４以上６以下の直鎖アルキル基が更に好ましい。
Ｒ⁸は、炭素数４以上１０以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、同様の観点から、炭素数４以上８以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基が好ましく、炭素数４以上６以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基がより好ましく、炭素数４以上６以下の直鎖アルキル基が更に好ましい。
　Ｒ⁹は、－ＣＨ₂－ＣＲ¹⁰Ｈ－又は－ＣＨ₂－ＣＨ₂－ＣＨ₂－であり、同様の観点から、－ＣＨ₂－ＣＲ¹⁰Ｈ－が好ましく、－ＣＨ₂－ＣＨ₂－がより好ましい。
　Ｒ¹⁰は、水素原子又はメチル基であり、同様の観点から、水素原子が好ましい。
　ｑは、１以上４以下の整数であり、同様の観点から、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。

　成分Ｂとしては、隙間洗浄性及びフラックス残渣除去性向上の観点から、２－エチルヘキシルグリコール（ＥＨＧ、２０℃における水への溶解度：０．２質量％）、ヘキシルグリコール（ＨｅＧ、２０℃における水への溶解度：１．０質量％）、ジエチレングリコールジブチルエーテル（ＤＢＤＧ、２０℃における水への溶解度：０．３質量％）等が挙げられる。

　成分Ｂの溶解度パラメーター（ＳＰ値）は、隙間洗浄性及びフラックス残渣除去性向上の観点から、１７．０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以上が好ましく、１８．０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以上がより好ましく、１９．０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以上がより好ましく、また、同様の観点から、２０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以下が好ましく、１９．８（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以下がより好ましく、１９．６（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以下がより好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｂの含有量は、分離性の観点から、５質量％以上が好ましく、７質量％以上がより好ましく、１０質量％以上がより好ましく、１３質量％以上が更に好ましく、そして、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、４０質量％以下が好ましく、３５質量％以下がより好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１８質量％以下が更に好ましく、１７質量％以下がより更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｂの含有量は、５質量％以上４０質量％以下、５質量％以上３５質量％以下、５質量％以上３０質量％以下、又は、５質量％以上２５質量％以下が好ましく、７質量％以上２０質量％以下がより好ましく、７質量％以上１８質量％以下が更に好ましく、１０質量％以上１８質量％以下がより更に好ましく、１３質量％以上１７質量％以下が更に好ましい。成分Ｂが２種類以上の組合せである場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。

　本開示の洗浄剤組成物における成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂ（Ａの含有量／Ｂの含有量）は、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、１以上が好ましく、１．２以上がより好ましく、１．４以上が更に好ましく、１．５以上が更に好ましく、そして、洗浄剤組成物の安定性の観点から、１５以下が好ましく、１０以下よりが好ましく、７以下が更に好ましく、３．６以下がより更に好ましい。より具体的には、質量比Ａ／Ｂは、１以上１５以下が好ましく、１．２以上１０以下がより好ましく、１．４以上７以下が更に好ましく、１．５以上３．６以下がより更に好ましい。

［成分Ｃ：炭化水素］
　本開示の洗浄剤組成物が含有する炭化水素（以下、「成分Ｃ」ともいう）は、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　成分Ｃの炭素数は、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、１０以上が好ましく、１２以上がより好ましく、１３以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１８以下が好ましく、１６以下がより好ましく、１４以下が更に好ましい。
　成分Ｃは、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物の安全性の観点から、好ましくは引火点が８０℃以上の化合物である。成分Ｃの引火点は、同様の観点から、８５℃以上が好ましく、９０℃以上がより好ましく、９５℃以上が更に好ましく、そして、１５０℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましく、１１０℃以下が更に好ましい。
　成分Ｃとしては、同様の観点から、炭素数１０以上の飽和又は不飽和炭化水素が好ましく挙げられ、炭素数１０以上の不飽和炭化水素がより好ましく挙げられる。成分Ｃとしては、例えば、１－テトラデセン（引火点１１３℃）、１－ドデセン（引火点８７℃）、１－ヘキサデセン（引火点１３５℃）が挙げられる。

　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｃの含有量は、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましく、２３質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、４０質量％以下が好ましく、３５質量％以下がより好ましく、３０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｃの含有量は、５質量％以上４０質量％以下、１０質量％以上４０質量％以下、又は１５質量％以上４０質量％以下が好ましく、２０質量％以上３５質量％以下がより好ましく、２３質量％以上３０質量％以下が更に好ましい。成分Ｃが２種類以上の組合せである場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。

　本開示の洗浄剤組成物における、成分Ａと成分Ｃとの質量比Ａ／Ｃ（成分Ａの含有量／成分Ｃの含有量）は、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、１以上が好ましく、１．２以上がより好ましく、１．４以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、５以下が好ましく、４以下がより好ましく、３．９以下が更に好ましく、３以下がより更に好ましい。より具体的には、質量比Ａ／Ｃは、１以上５以下が好ましく、１．２以上４以下がより好ましく、１．４以上３．９以下が更に好ましく、１．４以上３以下がより更に好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物における、成分Ｂと成分Ｃとの質量比Ｂ／Ｃ（成分Ｂの含有量／成分Ｃの含有量）は、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、０．１以上が好ましく、０．２以上がより好ましく、そして、洗浄剤組成物の安定性の観点から、２以下が好ましく、１．５以下がより好ましく、１．２以下が更に好ましい。より具体的には、質量比Ｂ／Ｃは、０．１以上２以下が好ましく、０．２以上１．５以下がより好ましく、０．２以上１．２以下が更に好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物における、成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｃとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］（成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量／成分Ｃの含有量）は、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、０．９超であって、１以上又は１超が好ましく、１．５以上がより好ましく、２以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、７．６未満であって、７以下が好ましく、５以下がより好ましく、４以下又は４未満が更に好ましい。より具体的には、質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］は、一又は複数の実施形態において、０．９超７．６未満であって、１以上７以下が好ましく、１．５以上５以下がより好ましく、２以上４以下が更に好ましい。質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］は、一又は複数の実施形態において、１超４未満が好ましい。

［成分Ｄ：水］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、水（以下、「成分Ｄ」ともいう）をさらに含むことができる。成分Ｄとしては、イオン交換水、ＲＯ水（逆浸透膜処理水）、蒸留水、純水、超純水等が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量は、引火点を下げる観点、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、５質量％以上が好ましく、８質量％以上がより好ましく、そして、安定性の観点、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量は、５質量％以上２０質量％以下が好ましく、８質量％以上１５質量％以下が更に好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物における成分Ａと成分Ｄとの質量比Ａ／Ｄ（Ａの含有量／Ｄの含有量）は、洗浄剤組成物安定性の観点から、２以上が好ましく、３以上がより好ましく、４以上が更に好ましく、そして、フラックス残渣の隙間洗浄性の観点から、１０以下が好ましく、８以下よりが好ましく、７以下が更に好ましく、５．５以下がより更に好ましい。より具体的には、質量比Ａ／Ｄは、２以上１０以下が好ましく、３以上８以下がより好ましく、４以上７以下が更に好ましく、４以上５．５以下がより更に好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂと成分Ｄとの質量比Ｂ／Ｄ（Ｂの含有量／Ｄの含有量）は、フラックス残渣の隙間洗浄性の観点から、０．５以上が好ましく、１以上がより好ましく、１．３以上が更に好ましく、そして、洗浄剤組成物安定性の観点から、３以下が好ましく、２以下よりが好ましく、１．７以下が更に好ましい。より具体的には、質量比Ｂ／Ｄは、０．５以上３以下が好ましく、１以上２以下がより好ましく、１．３以上１．７以下が更に好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物における、成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｄとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｄ］（成分Ａ及び成分Ｂの合計含有量／成分Ｄの含有量）は、フラックス残渣の隙間洗浄性向上の観点から、３以上が好ましく、５以上がより好ましく、６以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、２０以下が好ましく、１７以下がより好ましく、１５以下、１０以下、８以下、又は７以下が更に好ましい。より具体的には、質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｄ］は、３以上２０以下が好ましく、５以上１７以下がより好ましく、６以上１５以下が更に好ましい。

　本開示の洗浄剤組成物における成分Ｃと成分Ｄとの質量比Ｃ／Ｄ（Ｃの含有量／Ｄの含有量）は、フラックス残渣の隙間洗浄性の観点から、１以上が好ましく、１．５以上がより好ましく、２以上が更に好ましく、そして、洗浄剤組成物安定性の観点から、５以下が好ましく、４以下よりが好ましく、３以下が更に好ましい。より具体的には、質量比Ｃ／Ｄは、１以上５以下が好ましく、１．５以上４以下がより好ましく、２以上３以下が更に好ましい。

［成分Ｅ：アミン］
　本開示の洗浄剤組成物は、フラックス残渣除去性の観点から、アミノアルコール及び脂肪族第３級アミンから選ばれる少なくとも１種のアミン（以下、「成分Ｅ」ともいう）をさらに含有することができる。成分Ｅは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　アミノアルコール（アルカノールアミン）としては、一又は複数の実施形態において、第３級アルカノールアミンが挙げられ、例えば、Ｎ，Ｎ－ジブチルエタノールアミン（ジブチルアミノエタノール）、ブチルジエタノールアミン等が挙げられる。
　脂肪族第３級アミンとしては、例えば、Ｎ，Ｎ´－ジメチルパルミチルアミンが挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物が成分Ｅを含む場合、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｅの含有量は、フラックス残渣除去性の観点から、１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、４質量％以上が更に好ましく、そして、周辺部材へのダメージ性の観点から、１０質量％以下が好ましく、７質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｅの含有量は、１質量％以上１０質量％以下が好ましく、３質量％以上７質量％以下がより好ましく、４質量％以上５質量％以下が更に好ましい。成分Ｅが２種類以上の組合せである場合、成分Ｅの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［成分Ｆ：キレート剤］
　本開示の洗浄剤組成物は、金属残渣除去性の観点から、キレート剤（以下、「成分Ｆ」ともいう）をさらに含有することができる。成分Ｆは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。ここで、金属残渣としては、例えば、リフローされた半田に含まれる錫由来の残渣（酸化錫残渣）が挙げられる。一又は複数の実施形態において、半田に含まれる錫はリフロー工程で部品周辺部に飛散して酸化錫残渣として残存することがあり、キレート剤により酸化錫残渣を除去できる。
　成分Ｆとしては、カルボン酸系キレート剤、リン系キレート剤から選ばれる少なくとも１種のキレート剤が挙げられる。カルボン酸系キレート剤としては、例えば、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、グルコン酸等のヒドロキシカルボン酸系キレート剤が挙げられる。リン系キレート剤としては、エチドロン酸（１－ヒドロキシエタン－１，１－ジホスホン酸）等のホスホン酸系キレート剤が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物が成分Ｆを含む場合、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｆの含有量は、金属残渣除去性の観点から、０．１質量％以上が好ましく、０．２質量％以上がより好ましく、０．３質量％以上が更に好ましく、そして、金属部材ダメージ性の観点から、１．０質量％以下が好ましく、０．７質量％以下がより好ましく、０．５質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｆの含有量は、０．１質量％以上１．０質量％以下が好ましく、０．２質量％以上０．７質量％以下がより好ましく、０．３量％以上０．５質量％以下が更に好ましい。成分Ｆが２種類以上の組合せである場合、成分Ｆの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［その他の成分］
　本開示の洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、成分Ａ，Ｂ，Ｃ以外の溶剤、防錆剤、増粘剤、分散剤、成分Ｅ以外の塩基性物質、ｐＨ調整剤、高分子化合物、界面活性剤、可溶化剤、防腐剤、殺菌剤、抗菌剤、消泡剤、酸化防止剤を適宜含有することができる。

　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、平均ＨＬＢ３～１８の非イオン性界面活性剤を含まないものとすることができる。例えば、本開示の洗浄剤組成物中の平均ＨＬＢ３～１８の非イオン性界面活性剤の含有量は、０．５質量％未満好ましく、０．１質量％以下がより好ましく、０質量％（すなわち、含まないこと）が更に好ましい。

［洗浄剤組成物の製造方法］
　本開示の洗浄剤組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、及び必要に応じて任意成分（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）を公知の方法で配合することにより製造できる。一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物は、少なくとも成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを配合してなるものとすることができる。したがって、本開示は、一態様において、少なくとも成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、及び必要に応じて任意成分（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）を同時に又は任意の順に混合することを含む。
　本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の配合量は、上述した本開示の洗浄剤組成物の使用時における各成分の含有量と同じとすることができる。
　本開示において「洗浄剤組成物の使用時における各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物の洗浄への使用を開始する時点での各成分の含有量をいう。

　本開示の洗浄剤組成物は、添加作業、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮物として製造及び保管してもよい。本開示の洗浄剤組成物の濃縮物の希釈倍率としては、例えば、３倍以上３０倍以下が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び必要に応じて配合される成分Ｄ及びその他の成分が上述した含有量（すなわち、洗浄時の含有量）になるよう水（成分Ｄ）で希釈して用いることができる。

［洗浄剤組成物のｐＨ］
　本開示の洗浄剤組成物は、フラックス残渣の隙間洗浄性を向上させる点から、アルカリ性であることが好ましく、例えば、ｐＨ７．０以上１４以下、又はｐＨ７．０以上８．５以下が好ましい。ｐＨは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の成分Ｅ以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。本開示において、洗浄剤組成物のｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物の使用時のｐＨであり、実施例に記載の方法により測定できる。

［被洗浄物］
　本開示の洗浄剤組成物は、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に使用される。フラックス残渣を有する被洗浄物としては、例えば、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられる。被洗浄物の具体例としては、例えば、電子部品及びその製造中間物が挙げられ、具体的には、半田付け電子部品及びその製造中間物が挙げられ、より具体的には、部品が半田で半田付けされた電子部品及びその製造中間物、部品が半田を介して接続されている電子部品及びその製造中間物、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物、半田を介して接続されている部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物等が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、フラックスを使用した半田付けにより、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品が搭載された回路基板、及び／又は、前記部品を半田接続するための半田バンプが形成された回路基板を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品（半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板等）との間に形成される空間であって、その高さ（部品間の距離）が、例えば、５～５００μｍ、１０～２５０μｍ、或いは２０～１００μｍの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極（ランド）の大きさや間隔に依存する。

［洗浄方法］
　本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する工程（以下、「洗浄工程」ともいう）を含む、洗浄方法（以下、「本開示の洗浄方法」ともいう）に関する。前記洗浄工程は、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に接触させることを含む。
　被洗浄物に本開示の洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、例えば、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。
　本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水またはアルコール類でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。
　本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。さらに、同様の観点から、本開示の洗浄方法は、国際公開第２００６／０２５２２４号、特公平６－７５７９６号公報、特開２０１４－１４４４７３号公報、特開２００４－２３０４２６号公報、特開２０１３－１８８７６１号公報、特開２０１３－１７３１８４号公報等に記載されているフラックスを用いて半田接続した電子部品に対して使用することが好ましい。
　本開示の洗浄方法は、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示の洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波の周波数としては、同様の観点から、２６～７２Ｈｚ、８０～１５００Ｗが好ましく、３６～７２Ｈｚ、８０～１５００Ｗがより好ましい。

［電子部品の製造方法］
　本開示は、一態様において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを本開示の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法（以下、「本開示の電子部品の製造方法」ともいう）に関する。フラックスを使用した半田付けは、例えば、鉛フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を用いて洗浄を行うことにより、半田付けされた部品の隙間や半田バンプの周辺等に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。さらに、本開示の洗浄方法を用いて洗浄を行うことにより、半田付けされた部品の隙間等に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。

［キット］
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法及び／又は本開示の電子部品の製造方法に使用するためのキット（以下、「本開示のキット」ともいう）に関する。本開示のキットは、一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物を製造するためのキットである。
　本開示のキットの一実施形態としては、成分Ａ及び成分Ｂを含有する溶液（第１液）と、成分Ｃを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されていない状態で含み、第１液と第２液とが使用時に混合されるキット（２液型洗浄剤組成物）が挙げられる。前記第１液及び第２液には、各々必要に応じて上述した任意成分（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ、その他の成分）が含まれていてもよい。前記第１液及び第２液の少なくとも一方は、一又は複数の実施形態において、成分Ｄ（水）の一部又は全部を含有することができる。一又は複数の実施形態において、前記第１液と第２液とが混合された後、必要に応じて成分Ｄ（水）で希釈されてもよい。

　本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
＜１＞　下記成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃを含有し、
　成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｃとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］が０．９超７．６未満である、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
成分Ａ：２０℃における水への溶解度が１０質量％以上のグリコールエーテル
成分Ｂ：２０℃における水への溶解度が１０質量％未満のグリコールエーテル
成分Ｃ：炭化水素
＜２＞　成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｃとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］が１以上７以下である、＜１＞に記載の洗浄剤組成物。
＜３＞　成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｃとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］が、０．９超であって、１以上、または、１超、または、１．５以上、または、２以上であり、そして、７．６未満であって、７以下、または、５以下、または、４以下、または、４未満である、＜１＞又は＜２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜４＞　成分Ａが、ヒドロキシル基を有する、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜５＞　成分Ａが、炭素数１以上５以下のアルキル基を有するジエチレングリコールモノアルキルエーテル及びジプロピレングリコールモノアルキルエーテルから選ばれる少なくとも１種である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜６＞　成分Ｂが、下記式（ＩＩ）で表される化合物及び下記式（ＩＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
Ｒ⁴Ｏ－（Ｒ⁵－Ｏ)_p－Ｈ　　　(ＩＩ)
　上記式（ＩＩ）中、Ｒ⁴は、炭素数６以上１０以下の直鎖または分岐のアルキル基であり、Ｒ⁵は、－ＣＨ₂－ＣＲ⁶Ｈ－又は－ＣＨ₂－ＣＨ₂－ＣＨ₂－であり、
　Ｒ⁶は、水素原子又はメチル基であり、
　ｐは、１以上４以下の整数である。
Ｒ⁷Ｏ－（Ｒ⁹－Ｏ)_q－Ｒ⁸　　　(ＩＩＩ)
　上記式（ＩＩＩ）中、Ｒ⁷は、炭素数４以上１０以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
Ｒ⁸は、炭素数４以上１０以下の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、
　Ｒ⁹は、－ＣＨ₂－ＣＲ¹⁰Ｈ－又は－ＣＨ₂－ＣＨ₂－ＣＨ₂－であり、
　Ｒ¹⁰は、水素原子又はメチル基であり
　ｑは、１以上４以下の整数である。
＜７＞　成分Ｂが、２－エチルヘキシルグリコール、ヘキシルグリコール、ジエチレングリコールジブチルエーテルから選ばれる１種以上である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜８＞　成分Ｂの溶解度パラメーター（ＳＰ値）は、１７．０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以上、または、１８．０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以上、または、１９．０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以上であり、そして、２０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以下、または、１９．８（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以下、または、１９．６（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2以下である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜９＞　成分Ｃが、炭素数１０以上の不飽和炭化水素、または、１－テトラデセン、または、１－ドデセン、または、１－ヘキサデセンである、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１０＞　成分Ａの含有量が、３０質量％以上、または、３５質量％以上、または、４０質量％以上であり、そして、６０質量％以下、または、５５質量％以下、または、５０質量％以下である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１１＞　成分Ｂの含有量が、５質量％以上、または、７質量％以上、または、１０質量％以上、または、１３質量％以上であり、そして、４０質量％以下、または、３５質量％以下、または、３０質量％以下、または、２５質量％以下、または、２０質量％以下、または、１８質量％以下、または、１７質量％以下である、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１２＞　成分Ｃの含有量が、５質量％以上、または、１０質量％以上、または、１５質量％以上、または、２０質量％以上、または、２３質量％以上であり、そして、４０質量％以下、または、３５質量％以下、または、３０質量％以下、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１３＞　水（成分Ｄ）をさらに含む、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１４＞　成分Ｄの含有量が、５質量％以上、または、８質量％以上であり、そして、２０質量％以下、または、１５質量％以下である、＜１３＞に記載の洗浄剤組成物。
＜１５＞　成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｄとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｄ］が３以上、または、５以上、または、６以上であり、そして、２０以下、または、１７以下、または、１５以下、または、１０以下、または、８以下、または７以下である、＜１３＞又は＜１４＞に記載の洗浄剤組成物。
＜１６＞　成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂ（Ａの含有量／Ｂの含有量）は、１以上、または、１．２以上、または、１．４以上、または、１．５以上であり、そして、１５以下、または、１０以下、または、７以下、または、３．６以下である、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１７＞　成分Ａと成分Ｃとの質量比Ａ／Ｃ（成分Ａの含有量／成分Ｃの含有量）は、１以上、または、１．２以上、または、１．４以上であり、そして、５以下、または、４以下、または、３．９以下、または、３以下である、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１８＞　成分Ｂと成分Ｃとの質量比Ｂ／Ｃ（成分Ｂの含有量／成分Ｃの含有量）は、０．１以上、または、０．２以上であり、そして、２以下、または、１．５以下、または、１．２以下である、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１９＞　成分Ａと成分Ｄとの質量比Ａ／Ｄ（Ａの含有量／Ｄの含有量）は、２以上、または、３以上、または、４以上であり、そして、１０以下、または、８以下、または、７以下、または、５．５以下である、＜１３＞から＜１８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２０＞　成分Ｃと成分Ｄとの質量比Ｃ／Ｄ（Ｃの含有量／Ｄの含有量）は、１以上、または、１．５以上、または、２以上であり、そして、５以下、または、４以下、または、３以下である、＜１３＞から＜１９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２１＞　アミノアルコール及び脂肪族第３級アミンから選ばれる少なくとも１種のアミン（成分Ｅ）をさらに含む、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２２＞　成分Ｅの含有量が、１質量％以上、または、３質量％以上、または、４質量％以上であり、そして、１０質量％以下、または、７質量％以下、または、５質量％以下である、＜２１＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２３＞　キレート剤（成分Ｆ）をさらに含む、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２４＞　成分Ｆの含有量が０．１質量％以上、または、０．２質量％以上、または、０．３質量％以上であり、そして、１．０質量％以下、または、０．７質量％以下、または、０．５質量％以下である、＜２３＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２５＞　フラックス残渣を有する被洗浄物を、＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する洗浄工程を含む、洗浄方法。

　以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。

１．洗浄剤組成物の調製（実施例１～２０、比較例１～５）
　１００ｍＬガラスビーカーに、表１に記載の組成となるように各成分を配合し、下記条件で混合することにより、実施例１～２０及び比較例１～５の洗浄剤組成物を調製した。表中の各成分の数値は、断りのない限り、調製した洗浄剤組成物における含有量（質量％）を示す。
＜混合条件＞
液温度：２５℃
攪拌機：マグネチックスターラー（５０ｍｍ回転子）
回転数：３００ｒｐｍ
攪拌時間：１０分

　洗浄剤組成物の成分として下記のものを使用する。
（成分Ａ）
ブチルジグリコール（ＢＤＧ）［日本乳化剤株式会社製、ジエチレングリコールモノブチルエーテル］（２０℃における水への溶解度：無限大、溶解度パラメーターδ：２０．４（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2）
（成分Ｂ）
２－エチルヘキシルグリコール（ＥＨＧ）［日本乳化剤株式会社製、エチレングリコール モノ 2-エチルヘキシルエーテル］（２０℃における水への溶解度：０．２質量％、溶解度パラメーターδ：１９．０（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2）
ヘキシルグリコール（ＨｅＧ）［日本乳化剤株式会社製、エチレングリコール モノ ヘキシルエーテル］（２０℃における水への溶解度：１．０質量％、溶解度パラメーターδ：１９．８（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2）
ジブチルジグリコール（ＤＢＤＧ）［日本乳化剤株式会社製、ジエチレングリコールジブチルエーテル］（２０℃における水への溶解度：０．３質量％、溶解度パラメーターδ：１７．１（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2）
（成分Ｃ）
１－テトラデセン［出光興産株式会社、リニアレン１４］（炭素数１４、引火点１１３℃）
１－ドデセン［出光興産株式会社、リニアレン１２］（炭素数１２、引火点８７℃）
１－ヘキサデセン［出光興産株式会社、リニアレン１６］（炭素数１６、引火点１３５℃）
（成分Ｄ）
水［オルガノ株式会社製純水装置Ｇ－１０ＤＳＴＳＥＴで製造した１μＳ/ｃｍ以下の純水］
（アミン）
ジブチルエタノールアミン［日本乳化剤株式会社製、アミノアルコール２Ｂ］
ブチルジエタノールアミン［日本乳化剤株式会社製、アミノアルコールＭＢＤ］
Ｎ、Ｎ´－ジメチルパルミチンアミン［東京化成工業株式会社］
（キレート剤）
クエン酸［富士フィルム和光純薬株式会社］
リンゴ酸[富士フィルム和光純薬株式会社]
エチドロン酸［富士フィルム和光純薬株式会社］

［グリコールエーテル（成分Ａ、Ｂ）の２０℃における水への溶解度の測定］
　グリコールエーテルの２０℃における水への溶解度は、以下のようにして算出する。
　イオン交換水１０ｇをガラス容器に入れ、グリコールエーテルを１ｇ加えて２０℃で５分間撹拌し、５分間静置する。静置後、水溶液の外観が均一透明である場合は溶解したと判断し、水溶液の外観が白濁もしく二層以上に分離している場合は不溶解と判断する。
　初期添加量で溶解したと判断した場合、段階的にグリコールエーテルを添加し攪拌する操作を均一透明でなくなるまで添加し、下記式により溶解度を算出する。
２０℃における水への溶解度（質量％）＝均一透明でなくなるまでに添加したグリコールエーテルの合計質量（ｇ）/イオン交換水の質量（ｇ）×１００
　初期添加量で不溶解と判断した場合、段階的にイオン交換水を添加し攪拌する操作を均一透明になるまで繰り返し行い、下記式により溶解度を算出する。
２０℃における水への溶解度（質量％）＝均一透明になったときのグリコールエーテルの質量（ｇ）/イオン交換水の合計質量（ｇ）×１００
なお、溶解度が１００質量％以上になる場合は、２０℃における水への溶解度は「無限大」と表記する。

［グリコールエーテル（成分Ａ、Ｂ）の溶解度パラメーターδ］
　グリコールエーテルの溶解度パラメーターδ（Ｊ／ｃｍ₃）^1/2は、パソコン用ソフト「Hansen Solubility Parameters in Practice（HSPiP）」を用いて下記式により算出した。
δ＝（δD²＋δp²＋δh²）^1/2

［ｐＨの測定］
　ｐＨの測定は、以下の手順にて行った。
　５０ｍＬガラスビーカーに、各洗浄剤組成物を２０ｇ添加し、ｐＨメーター（東亜ティーディーケー社製）を用いて、２５℃におけるｐＨを測定する。電極を洗浄剤組成物へ浸漬して３分後の数値を読み取る。

２．洗浄剤組成物の評価
　調製した実施例１～２０及び比較例１～５の洗浄剤組成物を用いて下記試験を行い、隙間洗浄性（フラックス残渣除去性）を評価した。

［隙間洗浄性の評価（フラックス残渣除去性）］
＜使用されたフラックス残渣モデル＞
市販のハンダフラックス（エコソルダーＭ７０５－ＢＰＳ９Ｖ－Ｔ２Ｈ（千住金属工業株式会社製、ハンダ金属（Ｓｎ－３Ａｇ－０．５Ｃｕ））とフラックス（ロジン酸、添加剤及び溶剤の混合物）の混合物）を銅製の容器に入れ、Ｎ2雰囲気下で２５０℃、６０分加温して溶剤を除去し、フラックス部分を回収してそれをフラックス残渣モデルとした。
＜テストピース＞
テストピースは、図１に示すとおり、ガラスエポキシ基板１上にスペーサを介してガラス板２を配置して隙間３（高さ３０μｍ、幅（スペーサ間隔）１６ｍｍ、奥行き３２ｍｍ）を形成したものである。その隙間３に上記フラックス残渣モデルを充填して洗浄性試験に使用した。
＜洗浄方法＞
　洗浄は、超音波洗浄装置（KAIJO社製PHENIX+、３８ｋＨｚ、３００Ｗ）を用いて行った。
　まず、テストピースを超音波洗浄装置内で洗浄剤組成物に浸漬（６０℃、５分）した後、イオン交換水に浸漬して第１リンス（２５℃、３分）を行い、さらに同装置内で新たなイオン交換水に浸漬して第２リンス（２５℃、３分）を行う洗浄（５分洗浄）を行い、送風低温乾燥機で乾燥した（８０℃、５分）。
＜評価方法＞
乾燥後の試験用基板に残ったガラス版下に残ったフラックス残渣をデジタルマイクロスコープ（キーエンス社製　ＶＨＸ－６０００）で面積測定機能を使用して洗浄前後のフラックス残渣面積を算出した。以下の式より除去率を算出し、下記評価基準に基づき隙間洗浄性（フラックス残渣除去性）を評価した。結果を表１に示す。
フラックス残渣の除去率(％)＝[（洗浄前のフラックス残渣が付着している面積）－（洗浄後のフラックス残渣が付着している面積）]／（洗浄前のフラックス残渣が付着している面積）×１００
＜評価基準＞
Ａ：除去率９０％以上
Ｂ：除去率８０％以上９０％未満
Ｃ：除去率７０％以上８０％未満
Ｄ：除去率５０％以上７０％未満
Ｅ：除去率５０％未満

　上記表１に示すとおり、質量比（Ａ＋Ｂ）／Ｃが０．９超７．６未満である実施例１～２０の洗浄剤組成物は、質量比（Ａ＋Ｂ）／Ｃが７．６である比較例１、質量比（Ａ＋Ｂ）／Ｃが０．９である比較例２、成分Ｂを含まない比較例３、成分Ａを含まない比較例４、及び、質量比（Ａ＋Ｂ）／Ｃが９１．０である比較例５に比べて、隙間洗浄性に優れていた。

　本開示の洗浄剤組成物を用いることにより、隙間に残存するフラックス残渣を効率よく除去できることから、例えば、半導体装置の製造プロセスにおけるフラックスの洗浄工程の短縮化及び製造される半導体装置の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。

１：ガラスエポキシ基板、２：ガラス板、３：隙間

Claims (15)

1. 下記成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃを含有し、
   　成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｃとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］が０．９超７．６未満である、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
   成分Ａ：２０℃における水への溶解度が１０質量％以上のグリコールエーテル
   成分Ｂ：２０℃における水への溶解度が１０質量％未満のグリコールエーテル
   成分Ｃ：炭化水素
2. 　成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｃとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］が１以上７以下である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
3. 　成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｃとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｃ］が１超４未満である、請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物。
4. 　成分Ａが、ヒドロキシル基を有する、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
5. 　成分Ａの含有量が、３０質量％以上６０質量％以下である、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
6. 　成分Ｂの含有量が、５質量％以上４０質量％以下である、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
7. 　成分Ｃの含有量が、５質量％以上４０質量％以下である、請求項１から６のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
8. 　水（成分Ｄ）をさらに含む、請求項１から７のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
9. 　成分Ｄの含有量が、５質量％以上２０質量％以下である、請求項８に記載の洗浄剤組成物。
10. 　成分Ａ及び成分Ｂの合計と成分Ｄとの質量比［（Ａ＋Ｂ）／Ｄ］が３以上２０以下である、請求項８又は９に記載の洗浄剤組成物。
11. 　アミノアルコール及び脂肪族第３級アミンから選ばれる少なくとも１種のアミン（成分Ｅ）をさらに含む、請求項１から１０のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
12. 　成分Ｅの含有量が１質量％以上１０質量％以下である、請求項１１に記載の洗浄剤組成物。
13. 　キレート剤（成分Ｆ）をさらに含む、請求項１から１２のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
14. 　成分Ｆの含有量が０．１質量％以上１．０質量％以下である、請求項１３に記載の洗浄剤組成物。
15. 　フラックス残渣を有する被洗浄物を、請求項１から１４のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する洗浄工程を含む、洗浄方法。