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WO2025224250A1 - Beam guiding insert for a source chamber of an euv radiation source - Google Patents

Beam guiding insert for a source chamber of an euv radiation source

Info

Publication number
WO2025224250A1
WO2025224250A1 PCT/EP2025/061240 EP2025061240W WO2025224250A1 WO 2025224250 A1 WO2025224250 A1 WO 2025224250A1 EP 2025061240 W EP2025061240 W EP 2025061240W WO 2025224250 A1 WO2025224250 A1 WO 2025224250A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
insert
euv
beam guidance
source
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/EP2025/061240
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Ulrich Matejka
Lutz Brekerbohm
Christian Rödel
Mario Längle
Olaf Rogalsky
Sören SCHMIDT
Lutz Reichmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102024203897.0A external-priority patent/DE102024203897B3/en
Priority claimed from DE102024203895.4A external-priority patent/DE102024203895B3/en
Priority claimed from DE102024203896.2A external-priority patent/DE102024203896B3/en
Priority claimed from DE102024206804.7A external-priority patent/DE102024206804B3/en
Priority claimed from DE102024207668.6A external-priority patent/DE102024207668B3/en
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of WO2025224250A1 publication Critical patent/WO2025224250A1/en
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources

Definitions

  • the invention relates to a beam guidance insert for a source chamber of an EUV radiation source. Furthermore, the invention relates to a beam guidance assembly for a radiation source with such a beam guidance insert, an EUV radiation source with such a beam guidance insert or with such a beam guidance assembly, an optical system with such a beam guidance assembly, and a metrology system with such an optical system.
  • Such a metrology system or mask inspection system is known from US 10,042,248 B2, DE 102 20 815 Al and WO 2012/101269 Al.
  • a beam guidance insert for a source chamber of an EUV beam source is known from DE 10 2021 207 565 B3.
  • the opening angle s of the guide channel is twice the angle between the generatrix extending between the beam inlet and outlet openings, on the one hand, and a central longitudinal axis of the guide channel, on the other. Similarly, half the opening angle s is the angle between the respective generatrix and the central longitudinal axis. If the guide channel is conical due to a corresponding design of the base body or the beam guidance insert, the opening angle s is twice the angle between the corresponding cone generatrix and the central cone longitudinal axis of the guide channel.
  • the angle of the opening (s) can be an angle between a first line and a second line.
  • the first line can pass through a first ray entry point and a first ray exit point of a first cross-sectional surface when cutting through the base body from the ray entry aperture to the ray exit aperture.
  • the second line can pass through a second ray entry point and a second ray exit point of a second cross-sectional surface when cutting through the base body.
  • the beam runs from the beam entry aperture to the beam exit aperture.
  • the first and second beam entry points can be points on the beam entry aperture that lie on the first and second cut surfaces, respectively, and are closest to each other.
  • the first and second beam exit points can be points on the beam exit aperture that lie on the first and second cut surfaces, respectively, and are closest to each other.
  • the guide channel can be widened from the beam inlet to the beam outlet such that it widens in at least one section in the direction from the beam inlet to the beam outlet.
  • the guide channel can be widened from the beam inlet to the beam outlet such that the beam inlet is smaller than the beam outlet.
  • the guide channel can be widened from the beam inlet to the beam outlet such that a cross-section of the guide channel increases at least partially and continuously from the beam inlet to the beam outlet.
  • the guide channel can be widened from the beam inlet to the beam outlet such that a cross-section of the guide channel increases at least partially in a stepped manner from the beam inlet to the beam outlet.
  • the guide channel can be widened at least partially in the form of a circular conoid from the beam inlet to the beam outlet.
  • the guide channel can be widened at least partially conically from the beam inlet to the beam outlet.
  • the guide channel can also have at least one section between the beam inlet and the beam outlet that has a cylindrical geometry.
  • the guide channel can be widened between the The beam inlet opening to the beam outlet opening must also have at least one section that widens in the direction from the beam outlet opening to the beam inlet opening.
  • the main body of the beam guidance insert is sleeve-shaped, meaning it completely encloses a through-channel, which in turn provides a guide channel for the EUV radiation to be guided.
  • Any profiling or contour of the channel cross-section, as well as any external profiling or contour of the main body, can be adapted to beam guidance requirements on the one hand and structural requirements on the other.
  • the half-opening angle of the guide channel in the base body of the beam guidance insert can be at least 3 degrees, at least 4 degrees, or at least 5 degrees. This half-opening angle is regularly less than 25 degrees.
  • the beam guide insert can be part of an illumination optic for guiding useful radiation to an object field.
  • a photomask can be illuminated as the object.
  • the photomask can have an aspect ratio between 1:1 and 1:3, preferably between 1:1 and 1:2, and particularly preferably 1:1 or 1:2.
  • the photomask can be substantially rectangular.
  • the photomask can be 5 to 7 inches long and 10 to 14 inches wide, preferably 6 inches long and 12 inches wide.
  • An elliptical design of the beam inlet and outlet opening according to claim 2 has proven effective in practice.
  • this allows for the provision of a corresponding elliptical illumination pupil for illuminating the object field of the metrology system.
  • This elliptical illumination pupil can be adapted to a corresponding elliptical illumination pupil of a projection exposure system, with which a production process is carried out using a lithography mask to be inspected with the metrology system.
  • Object field illumination by means of the metrology system can then be well adapted to the useful illumination in the projection exposure system, which improves the inspection result of the metrology system.
  • An opening or sleeve wall of the beam guide insert between the beam inlet and the beam outlet opening can be conical or frustoconical in longitudinal section. The beam guide insert can therefore, in particular, have an elliptical-conical geometry.
  • only one of these jet outlets can be elliptical, while the other is, for example, circular.
  • only the Stiahl inlet, only the jet outlet, or only a cross-section of the guide channel parallel to the Stiahl inlet or the jet outlet can be elliptical.
  • the Stiahl inlet opening and/or the jet outlet opening and/or a cross-section lying parallel to the Stiahl inlet opening or the jet outlet opening can, for example, be circular.
  • An aspect ratio according to claim 3 is well suited to the lighting requirements of a metrology system equipped with the beam guidance insert.
  • the aspect ratio can be at least 1.3, at least 1.5, or at least 2. Typically, the aspect ratio is less than 5.
  • the guide channel when the guide channel has an opening aspect ratio of the beam inlet aperture and/or the beam outlet aperture of at least 1.2, the guide channel can have a varying opening s angle in the circumferential direction around the openings, which lies in the range between a smallest half opening s angle and a largest half opening s angle.
  • a maximum half-opening angle (s) of the guide channel of the base body of the beam guidance insert according to claim 4 results in a correspondingly high throughput for the EUV useful light.
  • the maximum half-opening angle (s) can be at least 3 degrees, at least 4 degrees, at least 5 degrees, at least 6 degrees, at least 8 degrees, and at least 10 degrees.
  • the advantages of a beam guidance assembly according to claim 5 correspond to those already explained above with reference to the beam guidance insert.
  • the filter can additionally be designed to improve the effective pumping capacity of a vacuum pump for pumping a gas flow through the guide channel in the base body of the beam guidance insert.
  • the filter distance can be greater than 10% of the collector distance, so that the filter does not undesirably obstruct a gas flow through the jet guide insert.
  • the filter can be designed in such a way that a sub-chamber of an optical system containing the beam guidance insert is isolated from a sub-chamber containing the collector by means of the filter.
  • a filter spacing according to claim 6 has proven particularly effective in suppressing unwanted gas flow downstream of the jet guide insert.
  • the ratio between the filter spacing and the collector spacing can be at most 40%, 30%, 25%, or even 20%. Typically, this ratio is greater than 10%. Such a minimum ratio prevents unwanted obstruction of gas flow by the jet guide insert and also prevents unwanted debris deposition on the filter.
  • An imaging optic according to claim 9 can be adapted to an increased EUV useful light throughput, for example by a correspondingly good correction of imaging errors of a comparatively large object field, for example an object field whose area is larger than 0.01 mm2 .
  • the object field can, in particular, have an extent in the range between 0.02 mm2 and 0.2 mm2 .
  • the area of the object field can, for example, be 0.12 mm2 .
  • the object holder is, in particular, an object holder for scanning, especially for line-by-line scanning, the displacement of the object to be examined.
  • the detector can be a CCD or a CMOS detector.
  • a vacuum pump can be part of the metrology system to create a vacuum in a vacuum chamber.
  • the vacuum pump can have multiple pumping stages.
  • the vacuum chamber can be divided into several compartments, each emptied by a pump of its respective pumping stage. This allows for precise control of the gas flow and, particularly in the area of sensitive optics within the metrology system, results in improved vacuum purity.
  • the metrology or inspection system can be a system for actinic mask or wafer inspection.
  • Fig. 1 schematically shows a meridional section of a mask inspection system for lithography masks for use with EUV- Illumination light with a lighting system comprising an energy detection assembly with a beam homogenizing element and with at least one EUV energy sensor device;
  • Fig. 2 shows a beam guidance insert for a source chamber of an EUV radiation source of the mask inspection system, seen from above with a view towards the direction of the beam of the EUV illumination light emanating from the source chamber;
  • Fig. 3 shows a section along line III-III in Fig. 2;
  • Fig. 4 shows a section along line IV-IV in Fig. 2.
  • An illumination optic 1 is part of an optical system 2 of a mask inspection system 2a for use with EUV illumination light 3.
  • the beam path of the illumination light 3 is illustrated in Fig. 1 for the illumination optic 1 via marginal rays and a main ray.
  • the illumination light 3 illuminates an object field or illumination field 4 of the mask inspection system 2a.
  • the mask inspection system 2a is also referred to as a metrology system.
  • the illumination 3 is generated by an EUV light source 5 in a source area 6.
  • the light source 5 can generate EUV useful radiation in a wavelength range between 2 nm and 30 nm, for example in the range between 2.3 nm and 4.4 nm or in the range between 5 nm and 30 nm, for example at 13.5 nm.
  • Light source 5 is designed as a plasma light source. This could be, for example, a laser-produced plasma (LPP) source or a discharge-produced plasma (DPP) source. Such plasma sources are generally known as light sources for EUV projection systems.
  • the pulse frequency of light source 5 can be in the kHz range.
  • a Cartesian xyz coordinate system is used below.
  • the x-axis is perpendicular to the plane of Figure 1 and extends into it.
  • the y-axis runs horizontally to the left in Figure 1, and the z-axis runs vertically upwards in Figure 1.
  • the illumination light 3 After emission by the light source 5, the illumination light 3 first passes through a useful light filter 8, which is positioned in an operating position in the beam path of the illumination light 3 between the source volume 6 and a first ellipsoidal mirror IL1 of the illumination optics 1.
  • the useful light filter 8 can be one of a plurality of filters, which, for example, in metrology system 2a, are stored in a filter magazine. Another useful light filter can be positioned in a standby position outside the illumination light beam path of the illumination optics 1.
  • the useful light filters 8 can have the same transmission characteristics, in which case a change between the useful light filters can be made if a degradation of the filtering effect of the operating useful light filter 8 is detected.
  • the useful light filters can also have different filter characteristics and For example, different useful light wavelength ranges may pass through into the subsequent illumination light beam path, or be optimized to filter out different amounts of false light.
  • the useful light filters can be designed in such a way that they filter out, in particular, pump light carried in the illumination light beam path, which was used in the source volume 6 for useful light generation.
  • the illumination light 3 After passing through filter 8 and mirror IL1, the illumination light 3 first passes through an aperture diaphragm 9, which limits the beam of the illumination light 3 at its edges. Following this, the illumination light beam 3 is directed towards a beam homogenizing element 11 of the illumination optics 1.
  • Mirror IL1 serves as a coupling optic 10 for coupling the illumination light 3 into the beam homogenizing element 11.
  • the beam homogenizing element 11 can be a mixed optic with at least one, and for example, two faceted mirrors arranged downstream of each other in the beam path of the EUV illumination light 3. Alternatively or additionally, the beam homogenizing element 11 can be designed as a hollow waveguide.
  • the illumination light 3 passes through an opening in a wall of a vacuum chamber VK, which is indicated in Fig. 1 in the illumination light beam path between the mirror IL1 and the illumination light aperture diaphragm 9.
  • the aperture diaphragm 9 enables a controlled gas flow between the source chamber or vacuum chamber VK and a subsequent, also evacuated, space of the mask inspection system 2a.
  • the aperture diaphragm 9 also limits the numerical aperture of the illumination beam 3 emitted from the source area 6 to a value between 0.02 and 0.2, for example, between 0.07 and 0.15 or between 0.05 and 0.08.
  • an aperture-limiting diaphragm can be arranged between the beam homogenizing element 11 and a subsequent optical component of the illumination optics 1, as indicated in Fig. 1 at 9a. It is also possible to arrange such a further aperture diaphragm in the beam path of the illumination light 3 after the beam homogenizing element 11 between two downstream optical components of the illumination optics 1.
  • the ellipsoidal mirror IL1 serves to image the source region 6 of the EUV light source 5 into an entrance aperture 12 in an entrance plane 13 of the beam homogenizing element 11.
  • a first focal point of the ellipsoidal mirror IL1 is thus located in the source region 6, and a second focal point of the ellipsoidal mirror IL1 is located in the entrance aperture 12.
  • the ellipsoidal mirror IL1 focuses the illumination beam 3 into the entrance aperture 12 in the entrance plane 13 of the beam homogenizing element 11.
  • the entrance-side numerical aperture of the illumination beam 3 at the entrance aperture 12 can be in the range of 0.02 to 0.2, for example, in the range of 0.05.
  • Bundle 3 on the coupling mirror IL1 can be in the range between 10° and 20°.
  • the ellipsoidal mirror IL1 can be a normal incidence mirror (NI), but can also be designed as a grazing incidence mirror (Gl).
  • the inlet opening 12 and an outlet opening 14 of the beam homogenizing element 11 are each square or rectangular with typical dimensions in the range of 0.5 mm to 5 mm, and, for example, between 0.5 mm and 2 mm, or between 0.5 mm and 1 mm.
  • the aspect ratio of the inlet opening 12 and an equally sized outlet opening 14 of the beam homogenizing element 11 for the illuminating light 3 in an exit plane 15 is between 0.5 and 2.
  • Typical sizes of the inlet opening 12 and the outlet opening 14 of the beam homogenizing element 11 are, for example, 0.5 mm x 1.0 mm, 0.75 mm x 0.75 mm, 1.0 mm x 2.0 mm, or 1.5 mm x 2.0 mm.
  • the beam homogenizing element 11 has a typical length perpendicular to the planes 13 and 15, i.e. along a principal beam direction of the illumination light 3, in the range between 50 mm and 500 mm, e.g. in the range between 50 mm and 150 mm, in particular in the range between 50 mm and 100 mm.
  • An angle between a normal to the entrance plane 13 of the beam homogenizing element 11 and the main beam of the illumination beam 3 incident into the entrance aperture 12 can be 0° or alternatively can be different from 0° and, for example, be in the range between 0° and 1.5°, for example between 0.25° and 0.75° and especially in the range of 0.5°.
  • a ratio of the distance between the inlet plane 13 and the outlet plane 15, and a size or typical diameter of the inlet opening or outlet opening 12, 14, lies in the range between 50 and 1000 and can, for example, lie in the range between 50 and 200.
  • the image-side numerical aperture of this imaging can be in the range of 0.05 to 0.2.
  • the output coupling mirror optic 16 has exactly two mirrors, namely mirrors IL2 and IL3.
  • the aperture diaphragm described above, which may be used after the beam homogenizing element 11, can be arranged between the beam homogenizing element 11 and mirror IL2 or between mirrors IL2 and IL3.
  • the output coupler 16 is designed according to the principles of a Wolter telescope, specifically a Wolter optic of type I.
  • a Wolter optic of type I Such Wolter optics are described in J.D. Mangus and J.H. Underwood, "Optical Design of a Glancing Incidence X-ray Telescope," Applied Optics, Vol. 8, 1969, page 95, and the references cited therein.
  • a hyperboloid can also be used in such Wolter optics.
  • Such a combination of an ellipsoidal mirror with a hyperboloid mirror also constitutes a Wolter optic of type I.
  • An embodiment of the output coupling mirror optic 16 is described in US 10,042,248 B2.
  • the imaging factor ⁇ sub>i ⁇ /sub> of the coupling mirror optics 10 can range from 0.1 to 50, meaning it can reduce the image by a factor of 10 to magnify it by a factor of 50.
  • the imaging factor ⁇ sub>2 ⁇ /sub> of the output coupling mirror optics 16 can range from 0.02 to 10, meaning it can itself reduce the image by a factor of 50 to magnify it by a factor of 1.
  • the product ⁇ sub>i ⁇ /sub>, ⁇ sub>2 ⁇ /sub> of the two imaging factors in the illumination optics 1 can range from 0.25 to 10.
  • a reticle 18 to be inspected is arranged as the object or mask to be inspected, and is held by a reticle holder 19.
  • the object 18 can be configured as a photomask.
  • the photomask 18 can have an aspect ratio between 1:1 and 1:3, preferably between 1:1 and 1:2, and particularly preferably 1:1 or 1:2.
  • the photomask 18 can be substantially rectangular.
  • the photomask 18 can be 5 to 7 inches long and 10 to 14 inches wide, preferably 6 inches long and 12 inches wide.
  • the reticle holder 19 is mechanically connected to a reticle displacement drive 20, via which the reticle 18 is displaced along an object displacement direction y during a mask inspection. This enables scanning displacement of the reticle 18 in the object plane 17.
  • the illumination field 4 has a typical dimension in the object plane 17 that is less than 0.5 mm. In the illustrated embodiment, the extent of the illumination field 4 is 0.5 mm in the x-direction and 0.5 mm in the y-direction.
  • the x/y aspect ratio of the illumination field 4 matches the x/y aspect ratio of the exit aperture 14.
  • the illumination field 4, or a part of the illumination field 4 which then represents an object field, is projected by a projection optic PO onto an image field 21 in an image plane 22.
  • the image field 21 can have a size in the range of 150 mm x 250 mm.
  • the shorter image field extent runs along the scan direction y.
  • the projection optics PO have numbered mirrors M1 in the imaging beam path of the projection optics PO; M2 therefore has a total of two mirrors. Depending on the design of the projection optics PO, the number of mirrors can also be greater than two.
  • An aperture diaphragm 9b is arranged in an entrance pupil plane EP of the projection optics PO, which lies in the imaging beam path of the illumination or imaging light between the reflecting reticle 18 and the first mirror M1. This aperture diaphragm 9b can also serve to define any internal obscuration of the projection optics PO.
  • the mirrors M1 and M2 of the projection optics PO are designed as NI mirrors with an angle of incidence of the illumination and imaging light 3 of less than 45°.
  • An illumination light beam path of the illumination light 3 for illuminating the reticulum 18 and an imaging light beam path of the projection optic PO for imaging the object field 4 into the image field 21 intersect in a crossing area. This crossing area lies in the region of the entrance pupil plane EP of the projection optic PO.
  • the imaging light beam path intersects here with the illumination light beam path between the exit aperture 14 and the mirror IL2 of the illumination optic 1, as well as between the mirrors IL2 and IL3 of the illumination optic 1.
  • the number of mirrors in the projection optic PO can also be greater than 2 and can be, for example, 4 or 6.
  • the object field 4 has a length of approximately 400 pm along the x-coordinate and approximately 300 pm along the y-coordinate.
  • the image field 21 is captured by a detection device 23, e.g., by a CCD or CMOS camera or several CCD or CMOS cameras.
  • a detection device 23 e.g., by a CCD or CMOS camera or several CCD or CMOS cameras.
  • the detection device 23 can also be implemented as a TDI (time delay integration) detection device with a plurality of TDI detectors. Such an implementation is explained in more detail below.
  • TDI time delay integration
  • the mask inspection system 2a enables, for example, the inspection of a structure on reticulum 18.
  • reticulum 18 can be scanned line by line in the xy-plane using the reticulum relocation device 20 until an entire surface of interest on the reticulum has been scanned. 18 was imaged and inspected by the projection optic PO of the mask inspection system 2a.
  • a beam guiding insert 25 is used in a source chamber of the EUV light source 5, which is not shown in detail. Details of the beam guiding insert 25 are also explained below with reference to Figs. 2 to 4.
  • the beam guiding insert 25 has a sleeve-shaped base body 26.
  • a beam inlet opening 27 of the beam guiding insert 25 serves for the entry of the EUV illumination light 3, i.e., the EUV radiation emanating from the source volume or source area 6.
  • the beam inlet opening 27 faces the source volume 6.
  • the base body 26 of the beam guidance insert 25 also has a beam exit opening 28 for the exit of the EUV illumination light 3 from the beam guidance insert 25.
  • the beam exit opening 28 is facing away from the source area 6 when the beam guidance insert 25 is mounted.
  • a guide channel 29 in the base body 26, which runs from the beam inlet opening 27 to the beam outlet opening 28, has a half opening angle of at least 2.5 degrees.
  • the beam inlet 27 and the beam outlet 28 are each elliptical.
  • the length ratio between a long and a short semi-axis of the beam inlet 27 is determined by a specific ratio. and the ellipse describing the ray exit aperture 28 is 2 in the illustrated embodiment.
  • the guide channel 29 has a conical shape between the elliptical beam inlet opening 27 and the comparatively larger, elliptical beam outlet opening 28.
  • the half-opening angle s of the beam guidance channel 29 of the beam guidance insert 25 is 10 degrees.
  • a total opening angle s ⁇ is therefore 20 degrees.
  • the half-opening angle s of the guidance channel 29 is 5 degrees.
  • a total, full opening angle ⁇ is therefore 10 degrees.
  • the guidance channel 29 thus has a maximum half-opening angle ⁇ /2 of 10 degrees.
  • the input optics 10 Due to the elliptical apertures 27, 28 and the half-aperture angles ⁇ /2, ⁇ /2, which differ by a factor of 2, the input optics 10 produce a correspondingly elliptical illumination pupil, which is transformed via the beam homogenizing element 11 into a corresponding illumination pupil of the output optics 16.
  • This elliptical illumination pupil has a long semi-axis parallel to the x-axis of Fig. 1 and a short semi-axis in the yz-plane of Fig. 1.
  • the projection optics PO with which the object field 4 is imaged into the image field 21, also has an elliptical entry pupil with an x/y aspect ratio, or in pupil coordinates an ox/oy aspect ratio, that is greater than 1 and is 2 in the described embodiment.
  • the projection optics PO can be anamorphic, wherein... The elliptical entrance pupil is then formed into a round exit pupil of the projection optics PO.
  • the coupling optics 10 results in a source image at the entrance aperture 12 in the entrance plane 13, which has an aspect ratio of approximately one in the entrance plane 13. Therefore, the beam homogenizing element 11 does not need to be adjusted with respect to the aspect ratio of the apertures 12, 14 when transitioning from a conventional beam guide insert with the same aperture angles ⁇ , ⁇ to the beam guide insert 25 with aspect ratio ⁇ / ⁇ t 1.
  • the base body 26 also has a flange section 26a for mounting the beam guidance insert 25 in a corresponding receptacle of the source chamber.
  • Both the outer sleeve wall 30 of the base body 26 and the flange section 26a have a circular outer diameter.
  • the useful light filter 8 is located downstream of the beam guidance insert 25.
  • a filter distance A between the filter 8 and the beam guidance insert 25 is at most 50% of a collector distance B between the collector mirror IL1 and the beam guidance insert 25.
  • the mirror IL1 serves as a collector for the EUV illumination light 3 and for transferring the EUV illumination light 3 emanating from the source area 6 and guided by the guide channel 29 into an intermediate focus in the entrance plane 13.
  • the EUV collector IL1 thus serves to collect the EUV illumination light 3 exiting from the beam guide insert 25 and passing through the useful light filter 8.
  • the mask inspection system 2a also has a vacuum pump 32 for generating a negative pressure in the vacuum chamber VK.
  • the inlet opening 27 has a significantly smaller opening area compared to the outlet opening 28, the gas flow from the source area 6 of the beam path of the EUV illumination light 3 through the guide channel 29 is comparatively low and can be pumped out by the vacuum pump 32 so that a sufficient negative pressure prevails within the vacuum chamber VK. Undesired absorption of EUV useful light by gas remaining in the vacuum chamber VK is thus reduced.
  • Xenon may be present as residual gas in the vacuum chamber VK.
  • the partial pressure of xenon in the vacuum chamber VK is less than 10 ⁇ 3 mbar. This results in a desiredly low residual absorption of the EUV illumination light.
  • the pumping capacity of the vacuum pump 32 is particularly greater than
  • the vacuum chamber VK can have a sub-chamber that is pumped out by its own pump stage of a pumping system, which also includes the vacuum pump 32.
  • a differential pump stage By means of such a differential pump stage, both upstream and downstream of the filter 8, the purity of the vacuum in the area of the vacuum chamber VK downstream of the filter 8 is improved, thus preventing unwanted deposition of debris on the mirror IL1.

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Abstract

A beam guiding insert (25) for a source chamber of an EUV radiation source has a sleeve-shaped main body (26), a beam inlet opening (27) and a beam outlet opening (28). A guide channel (29) widens in the main body (26) from the beam inlet opening (27) toward the beam outlet opening (28) for guiding EUV radiation (5) emanating from a source region of the EUV radiation source. The guide channel (29) widens from the beam inlet opening (27) to the beam outlet opening (28) with a half opening angle that is at least 2.0 degrees. The result is a beam guiding insert that allows for increased EUV radiation flux through the guide channel, which in turn provides the ability to increase an inspection speed of a metrology system equipped with the beam guiding insert.

Description

Strahlführungseinsatz für eine Quellkammer einer EUV- Strahlungsquelle Beam guidance insert for a source chamber of an EUV radiation source

Der Inhalt der deutschen Patentanmeldungen DE 10 2024 207 668.6, DE 10 2024 203 897.0, DE 10 2024 203 896.2, DE 10 2024 203 895.4 und DE 10 2024 206 804.7 wird durch Bezugnahme hierin aufgenommen. The content of the German patent applications DE 10 2024 207 668.6, DE 10 2024 203 897.0, DE 10 2024 203 896.2, DE 10 2024 203 895.4 and DE 10 2024 206 804.7 is incorporated herein by reference.

Die Erfindung betrifft einen Strahlführungseinsatz für eine Quellkammer einer EUV-Strahhmgsquelle. Ferner betrifft die Erfindung eine Strahlfüh- rungs-Baugruppe für eine Strahlungsquelle mit einem derartigen Strahlfüh- rungseinsatz, eine EUV-Strahhmgsquelle mit einem derartigen Strahlfüh- rungseinsatz oder mit einer derartigen Strahlführungs-Baugruppe, ein optisches System mit einer derartigen Strahlführungs-Baugruppe und ein Metrologiesystem mit einem derartigen optischen System. The invention relates to a beam guidance insert for a source chamber of an EUV radiation source. Furthermore, the invention relates to a beam guidance assembly for a radiation source with such a beam guidance insert, an EUV radiation source with such a beam guidance insert or with such a beam guidance assembly, an optical system with such a beam guidance assembly, and a metrology system with such an optical system.

Ein derartiges Metrologiesystem beziehungsweise Maskeninspektionssys- tem ist bekannt aus der US 10,042,248 B2, der DE 102 20 815 Al und aus der WO 2012/101269 Al. Ein Strahlführungseinsatz für eine Quellkammer einer EUV-Strahhmgsquelle ist bekannt aus der DE 10 2021 207 565 B3. Such a metrology system or mask inspection system is known from US 10,042,248 B2, DE 102 20 815 Al and WO 2012/101269 Al. A beam guidance insert for a source chamber of an EUV beam source is known from DE 10 2021 207 565 B3.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Inspektionsgeschwindigkeit eines Metrologiesystems zu erhöhen. It is an object of the present invention to increase the inspection speed of a metrology system.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch einen Strahlführungseinsatz mit den in Anspruch 1 angegebenen Merkmalen. This problem is solved according to the invention by a beam guidance insert with the features specified in claim 1.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es trotz der hohen Anforderungen, die regelmäßig an einen Unterdrück in einer die EUV-Strahhmgsquelle umgebenden Vakuumkammer eines Metrologiesystems gestellt werden, möglich ist, einen Öffnung s winkel eines Führungskanals in einem Grundkörper des Strahlführungseinsatzes entscheidend zu vergrößern. Es resultiert ein höherer Durchsatz an EUV-Strahlung durch den Strahlführungseinsatz im Vergleich zum Stand der Technik. Entsprechend besteht die Möglichkeit, innerhalb des Metrologiesystems, dessen EUV- Strahlungsquelle mit einem derartigen Strahlführungseinsatz ausgestattet ist, mehr EUV-Nutzstrahlung hin zu einem interessierenden Objektfeld des Metrologiesystems zu führen. Eine entsprechend höhere Inspektionsgeschwindigkeit des Metrologiesystems ist die Folge. According to the invention, it was recognized that despite the high demands regularly placed on a vacuum in a vacuum chamber surrounding the EUV radiation source of a metrology system, It is possible to significantly increase the opening angle of a guide channel in the base body of the beam guidance insert. This results in a higher throughput of EUV radiation through the beam guidance insert compared to the state of the art. Accordingly, within the metrology system whose EUV radiation source is equipped with such a beam guidance insert, it is possible to direct more useful EUV radiation to a field of interest within the metrology system. A correspondingly higher inspection speed of the metrology system is the result.

Der Öffnung s winkel des Führungskanals ist das Doppelte eines Winkels zwischen Mantellinien, die sich zwischen der Strahl-Eintrittsöffnung und der Strahl- Austrittsöffnung erstrecken, einerseits und einer zentralen Längsachse des Führungskanals andererseits. Entsprechend ist der halbe Öffnung s winkel der Winkel zwischen der jeweiligen Mantellinie und der zentralen Längsachse. Soweit der Führungskanal durch eine entsprechende Gestaltung des Grundkörpers bzw. des Strahlführungseinsatzes kegelförmig ausgebildet ist, ist der Öffnung s winkel das Doppelte des Winkels zwischen der entsprechenden Kegel-Mantellinie und der zentralen Kegel- Längsachse des Führungskanals. The opening angle s of the guide channel is twice the angle between the generatrix extending between the beam inlet and outlet openings, on the one hand, and a central longitudinal axis of the guide channel, on the other. Similarly, half the opening angle s is the angle between the respective generatrix and the central longitudinal axis. If the guide channel is conical due to a corresponding design of the base body or the beam guidance insert, the opening angle s is twice the angle between the corresponding cone generatrix and the central cone longitudinal axis of the guide channel.

Der Öffnung s winkel kann ein Winkel zwischen einer ersten Geraden und einer zweiten Geraden sein. Die erste Gerade kann durch einen ersten Strahleintrittspunkt und einen ersten Strahlaustrittspunkt einer ersten Schnittfläche bei einem Schnitt durch den Grundköper von der Strahl-Ein- trittsöffnung zu der Strahl- Austrittsöffnung verlaufen. Die zweite Gerade kann durch einen zweiten Strahleintrittspunkt und einen zweiten Strahlaustrittspunkt einer zweiten Schnittfläche bei dem Schnitt durch den Grundkö- per von der Strahl-Eintritsöffnung zu der Strahl- Austritsöffnung verlaufen. Der erste Strahleintritspunkt und der zweite Strahleintritspunkt können Punkte der Strahl-Eintritsöffnung sein, die auf der ersten Schnittfläche bzw. auf der zweiten Schnitfläche liegen und am nächsten beieinanderlie- gen. Der erste Strahlaustritspunkt und der zweite Strahlaustritspunkt können Punkte der Strahl- Austritsöffnung sein, die auf der ersten Schnitfläche bzw. auf der zweiten Schnitfläche liegen und am nächsten beieinander liegen. The angle of the opening (s) can be an angle between a first line and a second line. The first line can pass through a first ray entry point and a first ray exit point of a first cross-sectional surface when cutting through the base body from the ray entry aperture to the ray exit aperture. The second line can pass through a second ray entry point and a second ray exit point of a second cross-sectional surface when cutting through the base body. The beam runs from the beam entry aperture to the beam exit aperture. The first and second beam entry points can be points on the beam entry aperture that lie on the first and second cut surfaces, respectively, and are closest to each other. Similarly, the first and second beam exit points can be points on the beam exit aperture that lie on the first and second cut surfaces, respectively, and are closest to each other.

Der Führungskanal kann von der Strahl-Eintritsöffnung zu der Strahl- Austritsöffnung derart erweitert sein, dass er sich in zumindest einem Bereich in Richtung von der Strahl-Eintritsöffnung zu der Strahl- Austritsöffnung erweitert. Der Führungskanal kann von der Strahl-Eintritsöffnung zu der Strahl- Austritsöffnung derart erweitert sein, dass die Strahl-Eintritsöffnung kleiner ist als die Strahl- Austritsöffnung. Der Führungskanal kann von der Strahl-Eintritsöffnung zu der Strahl- Austritsöffnung derart erweitert sein, dass sich ein Querschnit des Führungskanals von der Strahl-Eintritsöffnung zu der Strahl- Austritsöffnung zumindest teilweise kontinuierlich vergrößert. Alternativ oder zusätzlich kann der Führungskanal von der Strahl-Eintrittsöffnung zu der Strahl- Austritsöffnung derart erweitert sein, dass sich ein Querschnit des Führungskanals von der Strahl-Eintritsöffnung zu der Strahl- Austritsöffnung zumindest teilweise stufenförmig vergrößert. Der Führungskanal kann von der Strahl-Eintritsöffnung zu der Strahl- Austritsöffnung zumindest teilweise in Form eines Kreiskonoids erweitert sein. Der Führungskanal kann von der Strahl-Eintrittsöffnung zu der Strahl- Austritsöffnung zumindest teilweise konisch erweitert sein. Der Führungskanal kann zwischen der Strahl-Eintritsöffnung und der Strahl- Austrittsöffnung auch mindestens einen Abschnitt aufweisen, der eine zylinderförmige Geometrie aufweist. Der Führungskanal kann zwischen der Strahl-Eintrittsöffnung zu der Strahl- Austrittsöffnung auch mindestens einen Abschnitt aufweisen, der sich in Richtung von der Strahl- Austrittsöffnung zu der Strahl-Eintrittsöffnung erweitert. The guide channel can be widened from the beam inlet to the beam outlet such that it widens in at least one section in the direction from the beam inlet to the beam outlet. The guide channel can be widened from the beam inlet to the beam outlet such that the beam inlet is smaller than the beam outlet. The guide channel can be widened from the beam inlet to the beam outlet such that a cross-section of the guide channel increases at least partially and continuously from the beam inlet to the beam outlet. Alternatively or additionally, the guide channel can be widened from the beam inlet to the beam outlet such that a cross-section of the guide channel increases at least partially in a stepped manner from the beam inlet to the beam outlet. The guide channel can be widened at least partially in the form of a circular conoid from the beam inlet to the beam outlet. The guide channel can be widened at least partially conically from the beam inlet to the beam outlet. The guide channel can also have at least one section between the beam inlet and the beam outlet that has a cylindrical geometry. The guide channel can be widened between the The beam inlet opening to the beam outlet opening must also have at least one section that widens in the direction from the beam outlet opening to the beam inlet opening.

Der Grundkörper des Strahlführungseinsatzes ist hülsenförmig, umgibt also geschlossen einen Durchgangskanal, der wiederum einen Führungskanal für die zu führende EUV-Strahlung vorgibt. Eine etwaige Profilierung bzw. Kontur eines Kanalquerschnitts des Durchgangskanals sowie eine äußere Profilierung bzw. Kontur des Grundkörpers können an Strahlführungs-Anforderungen einerseits sowie an bauliche Anforderungen andererseits angepasst sein. The main body of the beam guidance insert is sleeve-shaped, meaning it completely encloses a through-channel, which in turn provides a guide channel for the EUV radiation to be guided. Any profiling or contour of the channel cross-section, as well as any external profiling or contour of the main body, can be adapted to beam guidance requirements on the one hand and structural requirements on the other.

Ein halber Öffnung s winkel des Führungskanals im Grundkörper des Strahlführungseinsatzes kann mindestens 3 Grad, kann mindestens 4 Grad, kann mindestens 5 Grad betragen. Dieser halbe Öffnungswinkel ist regelmäßig kleiner als 25 Grad. The half-opening angle of the guide channel in the base body of the beam guidance insert can be at least 3 degrees, at least 4 degrees, or at least 5 degrees. This half-opening angle is regularly less than 25 degrees.

Der Strahlführungseinsatz kann Bestandteil einer Beleuchtungsoptik zur Führung von Nutzstrahlung hin zu einem Objektfeld sein. Mit einem solchen optischen System kann insbesondere eine Fotomaske als Objekt beleuchtet werden. Die Fotomaske kann ein Aspektverhältnis zwischen 1 : 1 und 1:3, vorzugsweise zwischen 1: 1 und 1:2, besonders bevorzugt von 1: 1 oder 1:2 aufweisen. Die Fotomaske kann im Wesentlichen rechteckförmig ausgestaltet sein. Die Fotomaske kann bevorzugt 5 bis 7 inch (1 inch = 2,54 cm) lang und breit sein, besonders bevorzugt 6 inch lang und breit. Alternativ hierzu kann die Fotomaske 5 bis 7 inch lang und 10 bis 14 inch breit sein, vorzugsweise 6 inch lang and 12 inch breit. Eine elliptische Ausführung der Stiahl-Eintrittsöffnung und der Strahl- Aus- tiitsöffnung nach Anspruch 2 hat sich in der Praxis bewährt. Insbesondere kann hierüber eine entsprechende elliptische Beleuchtungspupille zur Beleuchtung des Objektfelds des Metrologiesystems bereitgestellt werden. Diese elliptische Beleuchtungspupille kann an eine entsprechende elliptische Beleuchtungspupille einer Projektionsbelichtungsanlage angepasst sein, mit der ein Produktionsbetrieb unter Nutzung einer mit dem Metrolo- giessystem zu inspizierenden Lithographiemaske durchgeführt wird. Eine Objektfeldbeleuchtung mittels des Metrologiesystems kann dann gut an die Nutz-Beleuchtung in der Projektionsbelichtungsanlage angepasst sein, was ein Inspektionsergebnis des Metrologiesystems verbessert. Eine Öffnungs- bzw. Hülsenwand des Strahlführungseinsatzes zwischen der Strahl-Ein- trittsöffnung und der Strahl- Austrittsöffnung kann im Längsschnitt konisch bzw. kegelstumpfförmig ausgeführt sein. Der Strahlführungseinsatz kann also insbesondere eine elliptisch-konische Geometrie aufweisen. The beam guide insert can be part of an illumination optic for guiding useful radiation to an object field. With such an optical system, a photomask can be illuminated as the object. The photomask can have an aspect ratio between 1:1 and 1:3, preferably between 1:1 and 1:2, and particularly preferably 1:1 or 1:2. The photomask can be substantially rectangular. The photomask can preferably be 5 to 7 inches (1 inch = 2.54 cm) long and wide, and particularly preferably 6 inches long and wide. Alternatively, the photomask can be 5 to 7 inches long and 10 to 14 inches wide, preferably 6 inches long and 12 inches wide. An elliptical design of the beam inlet and outlet opening according to claim 2 has proven effective in practice. In particular, this allows for the provision of a corresponding elliptical illumination pupil for illuminating the object field of the metrology system. This elliptical illumination pupil can be adapted to a corresponding elliptical illumination pupil of a projection exposure system, with which a production process is carried out using a lithography mask to be inspected with the metrology system. Object field illumination by means of the metrology system can then be well adapted to the useful illumination in the projection exposure system, which improves the inspection result of the metrology system. An opening or sleeve wall of the beam guide insert between the beam inlet and the beam outlet opening can be conical or frustoconical in longitudinal section. The beam guide insert can therefore, in particular, have an elliptical-conical geometry.

Alternativ zu einer elliptischen Ausführung der Stiahl-Eintrittsöffnung einerseits und der Strahl- Austrittsöffnung andererseits kann auch nur eine dieser Strahlöffnungen elliptisch ausgeführt sein und die andere beispielsweise kreisförmig. Je nach Ausführung des Strahlführungseinsatzes kann lediglich die Stiahl-Eintrittsöffnung oder die Strahl- Austrittsöffnung oder auch lediglich ein parallel zur Stiahl-Eintrittsöffnung oder zur Strahl- Austrittsöffnung liegender Querschnitt des Führungskanals elliptisch ausgeführt sein. As an alternative to an elliptical design for both the Stiahl inlet and the jet outlet, only one of these jet outlets can be elliptical, while the other is, for example, circular. Depending on the design of the jet guide insert, only the Stiahl inlet, only the jet outlet, or only a cross-section of the guide channel parallel to the Stiahl inlet or the jet outlet can be elliptical.

Die Stiahl-Eintrittsöffnung und/oder die Strahl-Austrittsöffnung und/oder ein parallel zu der Stiahl-Eintrittsöffnung oder der Strahl- Austrittsöffnung liegender Querschnitt können beispielsweise kreisförmig sein. Ein Aspektverhältnis nach Anspruch 3 ist an Beleuchtungsanforderungen eines Metrologiesystems, das mit dem Strahlführungseinsatz ausgerüstet ist, gut angepasst. Das Aspektverhältnis kann mindestens 1,3, kann mindestens 1,5 oder kann auch mindestens 2 betragen. Regelmäßig ist das Aspektverhältnis kleiner als 5. The Stiahl inlet opening and/or the jet outlet opening and/or a cross-section lying parallel to the Stiahl inlet opening or the jet outlet opening can, for example, be circular. An aspect ratio according to claim 3 is well suited to the lighting requirements of a metrology system equipped with the beam guidance insert. The aspect ratio can be at least 1.3, at least 1.5, or at least 2. Typically, the aspect ratio is less than 5.

Insbesondere bei einer Ausführung des Führungskanals mit einem Öff- nungs-Aspektverhältnis der Strahl-Eintrittsöffnung und/oder der Strahl- Austrittsöffnung von mindestens 1,2 kann der Führungskanal in Umfangsrichtung um die Öffnungen einen variierenden Öffnung s winkel aufweisen, der im Bereich zwischen einem kleinsten halben Öffnung s winkel und einem größten halben Öffnung s winkel liegt. In particular, when the guide channel has an opening aspect ratio of the beam inlet aperture and/or the beam outlet aperture of at least 1.2, the guide channel can have a varying opening s angle in the circumferential direction around the openings, which lies in the range between a smallest half opening s angle and a largest half opening s angle.

Ein größter halber Öffnung s winkel des Führungskanals des Grundkörpers des Strahlführungseinsatzes nach Anspruch 4 führt zu einem entsprechend hohen Durchsatz für das EUV-Nutzlicht. Der größte halbe Öffnung s winkel kann mindestens 3 Grad, kann mindestens 4 Grad, kann mindestens 5 Grad, kann mindestens 6 Grad, kann mindestens 8 Grad betragen und kann auch mindestens 10 Grad betragen. A maximum half-opening angle (s) of the guide channel of the base body of the beam guidance insert according to claim 4 results in a correspondingly high throughput for the EUV useful light. The maximum half-opening angle (s) can be at least 3 degrees, at least 4 degrees, at least 5 degrees, at least 6 degrees, at least 8 degrees, and at least 10 degrees.

Die Vorteile einer Strahlführungs-Baugruppe nach Anspruch 5 entsprechen denen, die vorstehend mit Bezugnahme auf den Strahlführungseinsatz bereits erläutert wurden. Der Filter kann zusätzlich so gestaltet sein, dass eine effektive Pumpleistung einer Vakuumpumpe zum Abpumpen eines Gasflusses durch den Führungskanal im Grundkörper des Strahlführungseinsatzes verbessert ist. Der Filterabstand kann größer sein als 10 % des Kollektorabstands, sodass der Filter einen Gasstrom durch den Strahlführungseinsatz nicht unerwünscht behindert. The advantages of a beam guidance assembly according to claim 5 correspond to those already explained above with reference to the beam guidance insert. The filter can additionally be designed to improve the effective pumping capacity of a vacuum pump for pumping a gas flow through the guide channel in the base body of the beam guidance insert. The filter distance can be greater than 10% of the collector distance, so that the filter does not undesirably obstruct a gas flow through the jet guide insert.

Der Filter kann so ausgeführt sein, dass eine den Strahlführungseinsatz aufweisende Teilkammer eines optischen Systems mittels des Filters von einer den Kollektor aufweisenden Teilkammer isoliert ist. The filter can be designed in such a way that a sub-chamber of an optical system containing the beam guidance insert is isolated from a sub-chamber containing the collector by means of the filter.

Ein Filterabstand nach Anspruch 6 hat sich insbesondere zur Unterdrückung eines unerwünschten Gasflusses nach dem Strahlführungseinsatz bewährt. Ein Verhältnis zwischen dem Filterabstand und dem Kollektorabstand kann höchstens 40 %, kann höchstens 30 %, kann höchstens 25 % und kann auch höchstens 20 % betragen. Regelmäßig ist dieses Verhältnis zwischen dem Filterabstand und dem Kollektorab stand größer als 10 %. Ein derartiger Minde stab stand vermeidet eine unerwünschte Behinderung eines Gasflusses durch den Strahlführungseinsatz und vermeidet zudem eine unerwünschte Debris-Abscheidung am Filter. A filter spacing according to claim 6 has proven particularly effective in suppressing unwanted gas flow downstream of the jet guide insert. The ratio between the filter spacing and the collector spacing can be at most 40%, 30%, 25%, or even 20%. Typically, this ratio is greater than 10%. Such a minimum ratio prevents unwanted obstruction of gas flow by the jet guide insert and also prevents unwanted debris deposition on the filter.

Die Vorteile einer EUV-Strahlungsquelle nach Anspruch 7 entsprechen denen, die im vorstehenden Zusammenhang mit dem Strahlführungseinsatz und auch mit der Strahlführungs-Baugruppe bereits erläutert wurden. The advantages of an EUV radiation source according to claim 7 correspond to those already explained in the preceding context with regard to the beam guidance insert and also with regard to the beam guidance assembly.

Entsprechendes gilt für die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 8. The same applies to the advantages of an optical system according to claim 8.

Eine abbildende Optik nach Anspruch 9 kann an einen erhöhten EUV- Nutzlicht-Durchsatz angepasst sein, beispielsweise durch eine entsprechend gute Abbildungsfehlerkorrektur eines vergleichsweise großen Objektfeldes, beispielsweise eines Objektfeldes, dessen Fläche größer ist als 0,01 mm2. Das Objektfeld kann insbesondere eine Ausdehnung im Bereich zwischen 0,02 mm2 und 0,2 mm2 aufweisen. Die Fläche des Objektfeldes kann beispielsweise bei 0,12 mm2 liegen. An imaging optic according to claim 9 can be adapted to an increased EUV useful light throughput, for example by a correspondingly good correction of imaging errors of a comparatively large object field, for example an object field whose area is larger than 0.01 mm² . The object field can, in particular, have an extent in the range between 0.02 mm² and 0.2 mm² . The area of the object field can, for example, be 0.12 mm² .

Die Vorteile eines Metrologiesystems nach Anspruch 10 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das optische System bereits erläutert wurden. Bei dem Objekthalter handelt es sich insbesondere um einen Objekthalter, zur scannenden, insbesondere zur zeilenweise scannenden Verlagerung des zu untersuchenden Objekts handeln. Bei dem Detektor kann es sich um einen CCD- oder um einen CMOS-Detektor handeln. The advantages of a metrology system according to claim 10 correspond to those already explained above with reference to the optical system. The object holder is, in particular, an object holder for scanning, especially for line-by-line scanning, the displacement of the object to be examined. The detector can be a CCD or a CMOS detector.

Teil des Metrologiesystems kann eine Vakuumpumpe zum Erzeugen eines Vakuums in einer Vakuumkammer des Metrologie systems sein. Die Vakuumpumpe kann mehrere Pumpstufen aufweisen. Die Vakuumkammer kann in mehrere Teilräume aufgeteilt sein, die von Pumpen der jeweiligen Pumpstufe abgepumpt werden. Hierdurch kann neben einem gezielten Einstellen des Gasflusses auch noch insbesondere im Bereich empfindlicher Optiken des Metrologie systems eine verbesserte Vakuumreinheit resultieren. A vacuum pump can be part of the metrology system to create a vacuum in a vacuum chamber. The vacuum pump can have multiple pumping stages. The vacuum chamber can be divided into several compartments, each emptied by a pump of its respective pumping stage. This allows for precise control of the gas flow and, particularly in the area of sensitive optics within the metrology system, results in improved vacuum purity.

Beim Metrologie- beziehungsweise Inspektions system kann es sich um ein System für die aktinische Maske- beziehungsweise Waferinspektion handeln. The metrology or inspection system can be a system for actinic mask or wafer inspection.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen: An embodiment of the invention is explained in more detail below with reference to the drawing. This drawing shows:

Fig. 1 schematisch in einem Meridionalschnitt ein Maskeninspektionssystem für Lithographiemasken zum Einsatz mit EUV- Beleuchtungslicht mit einem Beleuchtungs system, aufweisend eine Energie-Detektions-Baugruppe mit einem strahlhomogenisierenden Element und mit mindestens einer EUV- Energiesensor-Einrichtung; Fig. 1 schematically shows a meridional section of a mask inspection system for lithography masks for use with EUV- Illumination light with a lighting system comprising an energy detection assembly with a beam homogenizing element and with at least one EUV energy sensor device;

Fig. 2 einen Strahlführungseinsatz für eine Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle des Maskeninspektionssystems, gesehen in Aufsicht mit Blickrichtung entgegen einer von der Quellkammer aus gehenden Strahlrichtung des EUV- Beleuchtungslichts; Fig. 2 shows a beam guidance insert for a source chamber of an EUV radiation source of the mask inspection system, seen from above with a view towards the direction of the beam of the EUV illumination light emanating from the source chamber;

Fig. 3 ein Schnitt gemäß Linie III-III in Fig. 2; Fig. 3 shows a section along line III-III in Fig. 2;

Fig. 4 ein Schnitt gemäß Linie IV-IV in Fig. 2 Fig. 4 shows a section along line IV-IV in Fig. 2.

Eine Beleuchtungsoptik 1 ist Bestandteil eines optischen Systems 2 eines Maskeninspektionssystems 2a zum Einsatz mit EUV-Beleuchtungslicht 3. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der Fig. 1 für die Beleuchtungsoptik 1 über Randstrahlen und einen Hauptstrahl veranschaulicht. Beleuchtet wird mit dem Beleuchtungslicht 3 ein Objektfeld beziehungsweise Beleuchtungsfeld 4 des Maskeninspektionssystems 2a. Das Maskeninspektionssystem 2a wird auch als Metrologie system bezeichnet. An illumination optic 1 is part of an optical system 2 of a mask inspection system 2a for use with EUV illumination light 3. The beam path of the illumination light 3 is illustrated in Fig. 1 for the illumination optic 1 via marginal rays and a main ray. The illumination light 3 illuminates an object field or illumination field 4 of the mask inspection system 2a. The mask inspection system 2a is also referred to as a metrology system.

Das Beleuchtungslicht 3 wird von einer EUV-Lichtquelle 5 in einen Quellbereich 6 erzeugt. Die Lichtquelle 5 kann EUV-Nutzstrahlung in einem Wellenlängenbereich zwischen 2 nm und 30 nm, beispielsweise im Bereich zwischen 2,3 nm und 4,4 nm oder im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm, beispielsweise bei 13,5 nm, erzeugen. Die Lichtquelle 5 ist als Plasma-Lichtquelle ausgeführt. Es kann sich hierbei beispielsweise um eine Laser-Plasma-Quelle (LPP; laser produced plasma) oder auch um eine Entladungsquelle (DPP; discharge produced plasma) handeln. Derartige Plasma-Quellen sind als Lichtquellen für EUV- Projektionsbelichtungsanlagen im Prinzip bekannt. Eine Pulsfrequenz der Lichtquelle 5 kann im kHz-Bereich liegen. The illumination 3 is generated by an EUV light source 5 in a source area 6. The light source 5 can generate EUV useful radiation in a wavelength range between 2 nm and 30 nm, for example in the range between 2.3 nm and 4.4 nm or in the range between 5 nm and 30 nm, for example at 13.5 nm. Light source 5 is designed as a plasma light source. This could be, for example, a laser-produced plasma (LPP) source or a discharge-produced plasma (DPP) source. Such plasma sources are generally known as light sources for EUV projection systems. The pulse frequency of light source 5 can be in the kHz range.

Zur Erleichterung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Achse steht senkrecht auf der Zeichenebene der Figur 1 und verläuft in diese hinein. Die y-Achse verläuft in der Figur 1 horizontal nach links und die z- Achse verläuft in der Figur 1 vertikal nach oben. To facilitate spatial relationships, a Cartesian xyz coordinate system is used below. The x-axis is perpendicular to the plane of Figure 1 and extends into it. The y-axis runs horizontally to the left in Figure 1, and the z-axis runs vertically upwards in Figure 1.

Nach Emission durch die Lichtquelle 5 passiert das Beleuchtungslicht 3 zunächst einen Nutzlicht-Filter 8, der in einer Betriebsposition im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 zwischen dem Quellvolumen 6 und einem ersten Ellipsoid-Spiegel IL1 der Beleuchtungsoptik 1 angeordnet ist. Der Nutzlicht-Filter 8 kann ein Filter einer Mehrzahl von Filtern sein, die beim Metrologie system 2a beispielsweise in einem Filtermagazin vorgehalten werden. Ein weiterer Nutzlicht-Filter kann in einer Warteposition außerhalb des Beleuchtungslicht-Strahlengangs der Beleuchtungsoptik 1 angeordnet sein. Die Nutzlicht-Filter 8 können die gleiche Transmissionscharakteristik aufweisen, wobei dann ein Wechsel zwischen den Nutzlicht-Fil- tem vorgenommen werden kann, wenn eine Degradation einer Filterwirkung des Betriebs-Nutzlicht-Filters 8 festgestellt ist. Alternativ können die Nutzlicht-Filter auch unterschiedliche Filtercharakteristiken aufweisen und beispielsweise verschiedene Nutzlicht- Wellenlängenbereiche in den nachfolgenden Beleuchtungslicht-Strahlengang durchlassen bzw. zur Herausfilterung unterschiedlicher Falschlicht- Anteile optimiert sein. After emission by the light source 5, the illumination light 3 first passes through a useful light filter 8, which is positioned in an operating position in the beam path of the illumination light 3 between the source volume 6 and a first ellipsoidal mirror IL1 of the illumination optics 1. The useful light filter 8 can be one of a plurality of filters, which, for example, in metrology system 2a, are stored in a filter magazine. Another useful light filter can be positioned in a standby position outside the illumination light beam path of the illumination optics 1. The useful light filters 8 can have the same transmission characteristics, in which case a change between the useful light filters can be made if a degradation of the filtering effect of the operating useful light filter 8 is detected. Alternatively, the useful light filters can also have different filter characteristics and For example, different useful light wavelength ranges may pass through into the subsequent illumination light beam path, or be optimized to filter out different amounts of false light.

Die Nutzlicht-Filter können derart ausgebildet sein, dass sie insbesondere im Beleuchtungslicht-Strahlengang mitgeführtes Pumplicht, das bei der Nutzlichterzeugung im Quellvolumen 6 genutzt wurde, herausfiltem. The useful light filters can be designed in such a way that they filter out, in particular, pump light carried in the illumination light beam path, which was used in the source volume 6 for useful light generation.

Nach dem Filter 8 und dem Spiegel IL1 durchtritt das Beleuchtungslicht 3 zunächst eine ein Bündel des Beleuchtungslichts 3 randseitig begrenzende Aperturblende 9. Im Anschluss hieran wird das Beleuchtungslicht-Bündel 3 hin zu einem strahlhomogenisierenden Element 11 der Beleuchtungsoptik 1 überführt. Der Spiegel IL1 dient dabei als Einkoppeloptik 10 zur Einkopplung des Beleuchtungslichts 3 in das strahlhomogenisierende Element 11. Bei dem strahlhomogenisierenden Element 11 kann es sich um eine Mischoptik mit mindestens einem und beispielsweise zwei im Strahlengang des EUV-Beleuchtungslichts 3 einander nachgeordneten Facettenspiegel handeln. Alternativ oder zusätzlich kann das strahlhomogenisierende Element 11 als Hohlwellenleiter ausgeführt sein. After passing through filter 8 and mirror IL1, the illumination light 3 first passes through an aperture diaphragm 9, which limits the beam of the illumination light 3 at its edges. Following this, the illumination light beam 3 is directed towards a beam homogenizing element 11 of the illumination optics 1. Mirror IL1 serves as a coupling optic 10 for coupling the illumination light 3 into the beam homogenizing element 11. The beam homogenizing element 11 can be a mixed optic with at least one, and for example, two faceted mirrors arranged downstream of each other in the beam path of the EUV illumination light 3. Alternatively or additionally, the beam homogenizing element 11 can be designed as a hollow waveguide.

Zwischen dem Quellvolumen 6 und dem strahlhomogenisierenden Element 11, im Regelfall nach dem ersten Spiegel IL1 der Beleuchtungsoptik 1, passiert das Beleuchtungslicht 3 eine Öffnung in einer Wand einer Vakuumkammer VK, die in der Fig. 1 im Beleuchtungslicht-Strahlengang zwischen dem Spiegel IL1 und der Beleuchtungslicht- Aperturblende 9 angedeutet ist. Die Aperturblende 9 ermöglicht einen kontrollierten Gasfluss zwischen der Quellkammer bzw. Vakuumkammer VK und einem nachfolgenden, ebenfalls evakuierten Raum des Maskeninspektionssystems 2a. Die Aperturblende 9 begrenzt begrenzt zudem eine numerische Apertur des vom Quellbereich 6 emittierten Beleuchtungslicht-Bündels 3 auch einen Wert der numerischen Apertur im Bereich zwischen 0,02 und 0,2, beispielsweise im Bereich zwischen 0,07 und 0,15 oder auch im Bereich zwischen 0,05 und 0,08. Alternativ oder zusätzlich zur Aperturblende 9 kann eine aperturbegrenzende Blende zwischen dem strahlhomogenisierenden Element 11 und einer nachfolgenden optischen Komponente der Beleuchtungsoptik 1 angeordnet sein, wie in der Fig. 1 bei 9a angedeutet. Auch eine Anordnung einer derartigen weiteren Aperturblende im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 nach dem strahlhomogenisierenden Element 11 zwischen zwei nachgeordneten optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik 1 ist möglich. Between the source volume 6 and the beam homogenizing element 11, typically after the first mirror IL1 of the illumination optics 1, the illumination light 3 passes through an opening in a wall of a vacuum chamber VK, which is indicated in Fig. 1 in the illumination light beam path between the mirror IL1 and the illumination light aperture diaphragm 9. The aperture diaphragm 9 enables a controlled gas flow between the source chamber or vacuum chamber VK and a subsequent, also evacuated, space of the mask inspection system 2a. The aperture diaphragm 9 also limits the numerical aperture of the illumination beam 3 emitted from the source area 6 to a value between 0.02 and 0.2, for example, between 0.07 and 0.15 or between 0.05 and 0.08. Alternatively or additionally to the aperture diaphragm 9, an aperture-limiting diaphragm can be arranged between the beam homogenizing element 11 and a subsequent optical component of the illumination optics 1, as indicated in Fig. 1 at 9a. It is also possible to arrange such a further aperture diaphragm in the beam path of the illumination light 3 after the beam homogenizing element 11 between two downstream optical components of the illumination optics 1.

Der Ellipsoid-Spiegel IL1 dient zur Abbildung des Quellbereichs 6 der EUV-Lichtquelle 5 in eine Eintrittsöffnung 12 in einer Eintrittsebene 13 des strahlhomogenisierenden Elements 11. Ein erster Brennpunkt des Ellip- soid-Spiegels IL1 liegt also im Quellbereich 6 und ein zweiter Brennpunkt des Ellipsoid-Spiegels IL1 in der Eintrittsöffnung 12. Mit dem Ellipsoid- Spiegel IL1 wird das Beleuchtungslicht-Bündel 3 in die Eintritts Öffnung 12 in der Eintrittsebene 13 des strahlhomogenisierenden Elements 11 fokussiert. Eine eintrittsseitige numerische Apertur des Beleuchtungslicht-Bündels 3 beim Eintritt in die Eintritts Öffnung 12 kann im Bereich von 0,02 bis 0,2, beispielsweise im Bereich von 0,05 liegen. The ellipsoidal mirror IL1 serves to image the source region 6 of the EUV light source 5 into an entrance aperture 12 in an entrance plane 13 of the beam homogenizing element 11. A first focal point of the ellipsoidal mirror IL1 is thus located in the source region 6, and a second focal point of the ellipsoidal mirror IL1 is located in the entrance aperture 12. The ellipsoidal mirror IL1 focuses the illumination beam 3 into the entrance aperture 12 in the entrance plane 13 of the beam homogenizing element 11. The entrance-side numerical aperture of the illumination beam 3 at the entrance aperture 12 can be in the range of 0.02 to 0.2, for example, in the range of 0.05.

Ein Einfallswinkel eines zentralen Hauptstrahls des Beleuchtungslicht-The angle of incidence of a central main ray of the illumination light

Bündels 3 auf dem Einkoppel- Spiegel IL1 kann im Bereich zwischen 10° und 20° liegen. Der Ellipsoid-Spiegel IL1 kann ein Spiegel für normalen Einfall (Normal Incidence, NI) sein, kann aber auch als Spiegel mit streifendem Einfall (Grazing Incidence, Gl) ausgeführt sein. Bundle 3 on the coupling mirror IL1 can be in the range between 10° and 20°. The ellipsoidal mirror IL1 can be a normal incidence mirror (NI), but can also be designed as a grazing incidence mirror (Gl).

Die Eintrittsöffnung 12 und eine Austrittsöffnung 14 des strahlhomogenisierenden Elements 11 sind jeweils quadratisch oder rechteckig mit typischen Dimensionen im Bereich zwischen 0,5 mm und 5 mm und beispielsweise zwischen 0,5 mm und 2 mm oder auch zwischen 0,5 mm und 1 mm. Ein Aspektverhältnis der Eintrittsöffnung 12 und einer gleichgroßen Austrittsöffnung 14 des strahlhomogenisierenden Elements 11 für das Beleuchtungslicht 3 in einer Austrittsebene 15 liegt zwischen 0,5 und 2. Eine typische Größe der Eintrittsöffnung 12 und der Austrittsöffnung 14 des strahlhomogenisierenden Elements 11 beträgt z.B. 0,5 mm x 1,0 mm, 0,75 mm x 0,75 mm, 1,0 mm x 2,0 mm oder 1,5 mm x 2,0 mm. The inlet opening 12 and an outlet opening 14 of the beam homogenizing element 11 are each square or rectangular with typical dimensions in the range of 0.5 mm to 5 mm, and, for example, between 0.5 mm and 2 mm, or between 0.5 mm and 1 mm. The aspect ratio of the inlet opening 12 and an equally sized outlet opening 14 of the beam homogenizing element 11 for the illuminating light 3 in an exit plane 15 is between 0.5 and 2. Typical sizes of the inlet opening 12 and the outlet opening 14 of the beam homogenizing element 11 are, for example, 0.5 mm x 1.0 mm, 0.75 mm x 0.75 mm, 1.0 mm x 2.0 mm, or 1.5 mm x 2.0 mm.

Das strahlhomogenisierende Element 11 hat eine typische Länge senkrecht zu den Ebenen 13 und 15, also längs einer Haupt-Strahlrichtung des Beleuchtung slichts 3, im Bereich zwischen 50 mm und 500 mm, z. B. im Bereich zwischen 50 mm und 150 mm, insbesondere im Bereich zwischen 50 mm und 100 mm. The beam homogenizing element 11 has a typical length perpendicular to the planes 13 and 15, i.e. along a principal beam direction of the illumination light 3, in the range between 50 mm and 500 mm, e.g. in the range between 50 mm and 150 mm, in particular in the range between 50 mm and 100 mm.

Ein Winkel zwischen einer Normalen auf die Eintrittsebene 13 des strahlhomogenisierenden Elements 11 und dem in die Eintrittsöffnung 12 einfallenden Hauptstrahl des Beleuchtungslicht-Bündels 3 kann bei 0° liegen o- der kann alternativ auch von 0° verschieden sein und beispielsweise im Beriech zwischen 0° und 1,5°, beispielsweise zwischen 0,25° und 0,75° und insbesondere im Bereich von 0,5° liegen. Ein Verhältnis aus dem Abstandes zwischen der Eintrittsebene 13 und der Austrittsebene 15, und einer Größe bzw. dem typischen Durchmesser der Eintrittsöffnung bzw. der Austrittsöffnung 12, 14, liegt im Bereich zwischen 50 und 1000 und kann beispielsweise im Bereich zwischen 50 und 200 liegen. An angle between a normal to the entrance plane 13 of the beam homogenizing element 11 and the main beam of the illumination beam 3 incident into the entrance aperture 12 can be 0° or alternatively can be different from 0° and, for example, be in the range between 0° and 1.5°, for example between 0.25° and 0.75° and especially in the range of 0.5°. A ratio of the distance between the inlet plane 13 and the outlet plane 15, and a size or typical diameter of the inlet opening or outlet opening 12, 14, lies in the range between 50 and 1000 and can, for example, lie in the range between 50 and 200.

Eine dem strahlhomogenisierenden Element 11 nachgeordnete abbildende Auskoppel- Spiegeloptik 16 mit zwei Spiegeln IL2, IL3 bildet die in einer Austrittsebene 15 liegende Austrittsöffnung 14 des strahlhomogenisierenden Elements 11 in das Beleuchtungsfeld 4 in einer Objektebene 17 ab. Eine bildseitige numerische Apertur dieser Abbildung kann im Bereich von 0.05 bis 0.2 liegen. A downstream imaging output coupler 16 with two mirrors IL2, IL3, located after the beam homogenizing element 11, images the exit aperture 14 of the beam homogenizing element 11, which lies in an exit plane 15, into the illumination field 4 in an object plane 17. The image-side numerical aperture of this imaging can be in the range of 0.05 to 0.2.

Bei der dargestellten Ausführung hat die Auskoppel-Spiegeloptik 16 genau zwei Spiegel, nämlich die Spiegel IL2 und IL3. Die vorstehend erläuterte, gegebenenfalls zum Einsatz kommende Aperturblende nach dem strahlhomogenisierenden Element 11 kann zwischen dem strahlhomogenisierenden Element 11 und dem Spiegel IL2 oder auch zwischen den Spiegeln IL2 und IL3 angeordnet sein. In the illustrated embodiment, the output coupling mirror optic 16 has exactly two mirrors, namely mirrors IL2 and IL3. The aperture diaphragm described above, which may be used after the beam homogenizing element 11, can be arranged between the beam homogenizing element 11 and mirror IL2 or between mirrors IL2 and IL3.

Die Auskoppel- Spiegeloptik 16 ist nach Art eines Wolter-Teleskops, nämlich nach Art einer Wolter-Optik Typ I, ausgeführt. Derartige Wolter-Optiken sind beschrieben in J. D. Mangus, J. H. Underwood „Optical Design of a Glancing Incidence X-ray Telescope“, Applied Optics, Vol. 8, 1969, Seite 95, und den dort angegebenen Referenzen. Anstelle eines Paraboloids kann bei derartigen Wolter-Optiken auch ein Hyperboloid eingesetzt werden. Auch eine solche Kombination eines Ellipsoid-Spiegels mit einem Hyperboloid- Spiegel stellt eine Wolter-Optik vom Typ I dar. Ein Ausführungsbeispiel für die Auskoppel- Spiegeloptik 16 ist beschrieben in der US 10,042,248 B2. The output coupler 16 is designed according to the principles of a Wolter telescope, specifically a Wolter optic of type I. Such Wolter optics are described in J.D. Mangus and J.H. Underwood, "Optical Design of a Glancing Incidence X-ray Telescope," Applied Optics, Vol. 8, 1969, page 95, and the references cited therein. Instead of a paraboloid, a hyperboloid can also be used in such Wolter optics. Such a combination of an ellipsoidal mirror with a hyperboloid mirror also constitutes a Wolter optic of type I. An embodiment of the output coupling mirror optic 16 is described in US 10,042,248 B2.

Ein Abbildungsfaktor ßi der Einkoppel- Spiegeloptik 10 kann im Bereich zwischen 0,1 und 50 liegen, kann also um einen Faktor 10 verkleinernd bis hin zu einem Faktor 50 vergrößernd wirken. Ein Abbildungsfaktor ß2 der Auskoppel- Spiegeloptik 16 kann im Bereich zwischen 0,02 und 10 liegen, kann also seinerseits wiederum um einen Faktor 50 verkleinern bis hin zu einem Faktor vergrößern. Ein Produkt ßi, ß2 der beiden Abbildungsfaktoren kann bei der Beleuchtungsoptik 1 im Bereich zwischen 0,25 und 10 liegen. The imaging factor β<sub>i</sub> of the coupling mirror optics 10 can range from 0.1 to 50, meaning it can reduce the image by a factor of 10 to magnify it by a factor of 50. The imaging factor β<sub>2</sub> of the output coupling mirror optics 16 can range from 0.02 to 10, meaning it can itself reduce the image by a factor of 50 to magnify it by a factor of 1. The product β<sub>i</sub>, β<sub>2</sub> of the two imaging factors in the illumination optics 1 can range from 0.25 to 10.

In der Objektebene 17 ist ein zu inspizierendes Retikel 18 als zu inspizierendes Objekt bzw. zu inspizierende Maske angeordnet, das von einem Re- tikelhalter 19 gehalten ist. Das Objekt 18 kann als Fotomaske ausgeführt sein. Die Fotomaske 18 kann ein Aspektverhältnis zwischen 1: 1 und 1:3, vorzugsweise zwischen 1: 1 und 1:2, besonders bevorzugt von 1: 1 oder 1:2 aufweisen. Die Fotomaske 18 kann im Wesentlichen rechteckförmig ausgestaltet sein. Die Fotomaske 18 kann bevorzugt 5 bis 7 inch (1 inch = 2,54 cm) lang und breit sein, besonders bevorzugt 6 inch lang und breit. Alternativ hierzu kann die Fotomaske 18 5 bis 7 inch lang und 10 bis 14 inch breit sein, vorzugsweise 6 inch lang and 12 inch breit. In the object plane 17, a reticle 18 to be inspected is arranged as the object or mask to be inspected, and is held by a reticle holder 19. The object 18 can be configured as a photomask. The photomask 18 can have an aspect ratio between 1:1 and 1:3, preferably between 1:1 and 1:2, and particularly preferably 1:1 or 1:2. The photomask 18 can be substantially rectangular. The photomask 18 can preferably be 5 to 7 inches (1 inch = 2.54 cm) long and wide, and particularly preferably 6 inches long and wide. Alternatively, the photomask 18 can be 5 to 7 inches long and 10 to 14 inches wide, preferably 6 inches long and 12 inches wide.

Der Retikelhalter 19 steht mit einem Retikelverlagerungsantrieb 20 in mechanischer Wirkverbindung, über den das Retikel 18 längs einer Objektverlagerungsrichtung y während einer Maskeninspektion verlagert wird. Hierüber ist eine scannende Verlagerung des Retikels 18 in der Objektebene 17 möglich. Das Beleuchtung sfeld 4 hat eine typische Dimension in der Objektebene 17, die kleiner ist als 0,5 mm. Die Erstreckung des Beleuchtungsfeldes 4 beträgt bei der dargestellten Ausführung 0,5 mm in der x-Richtung und 0,5 mm in der y-Richtung. The reticle holder 19 is mechanically connected to a reticle displacement drive 20, via which the reticle 18 is displaced along an object displacement direction y during a mask inspection. This enables scanning displacement of the reticle 18 in the object plane 17. The illumination field 4 has a typical dimension in the object plane 17 that is less than 0.5 mm. In the illustrated embodiment, the extent of the illumination field 4 is 0.5 mm in the x-direction and 0.5 mm in the y-direction.

Das x/y-Aspektverhältnis des Beleuchtungsfelds 4 stimmt mit dem x/y- Aspektverhältnis der Austrittsöffnung 14 überein. The x/y aspect ratio of the illumination field 4 matches the x/y aspect ratio of the exit aperture 14.

Das Beleuchtungsfeld 4 bzw. ein Teil des Beleuchtungsfelds 4, der dann ein Objektfeld darstellt, wird mit einer Projektionsoptik PO in ein Bildfeld 21 in einer Bildebene 22 abgebildet. Eine Größe des Bildfeldes 21 kann im Bereich von 150 mm x 250 mm liegen. Die kürzere Bildfeld-Erstreckung verläuft längs der Scanrichtung y. The illumination field 4, or a part of the illumination field 4 which then represents an object field, is projected by a projection optic PO onto an image field 21 in an image plane 22. The image field 21 can have a size in the range of 150 mm x 250 mm. The shorter image field extent runs along the scan direction y.

Die Projektionsoptik PO hat im Abbildungs-Strahlengang der Projektionsoptik PO durchnummerierte Spiegel Ml, M2 weist also insgesamt zwei Spiegel auf. Je nach Ausführung der Projektionsoptik PO kann die Anzahl der Spiegel auch größer sein als zwei. In einer Eintritts-Pupillenebene EP der Projektionsoptik PO, die im Abbildungs-Strahlengang des Beleuch- tungs- bzw. Abbildungslichts zwischen dem reflektierenden Retikel 18 und dem ersten Spiegel Ml liegt, ist eine Aperturblende 9b angeordnet. Diese Aperturblende 9b kann auch zur Vorgabe einer gegebenenfalls vorliegenden inneren Obskuration der Projektionsoptik PO dienen. The projection optics PO have numbered mirrors M1 in the imaging beam path of the projection optics PO; M2 therefore has a total of two mirrors. Depending on the design of the projection optics PO, the number of mirrors can also be greater than two. An aperture diaphragm 9b is arranged in an entrance pupil plane EP of the projection optics PO, which lies in the imaging beam path of the illumination or imaging light between the reflecting reticle 18 and the first mirror M1. This aperture diaphragm 9b can also serve to define any internal obscuration of the projection optics PO.

Die Spiegel Ml und M2 der Projektionsoptik PO sind als NI-Spiegel mit einem Einfallswinkel des Beleuchtungs- und Abbildungslichts 3 von weniger als 45° ausgeführt. Ein Beleuchtungslicht-Strahlengang des Beleuchtung slichts 3 zur Beleuchtung des Retikels 18 und ein Abbildungslicht-Strahlengang der Projektionsoptik PO zur Abbildung des Objektfeldes 4 in das Bildfeld 21 kreuzen sich in einem Kreuzungsbereich. Dieser Kreuzungsbereich liegt im Bereich der Eintrittspupillen-Ebene EP der Projektions optik PO. Der Abbildungslicht-Strahlengang kreuzt sich hier mit dem Beleuchtungslicht-Strahlengang zwischen der Austrittsöffnung 14 und dem Spiegel IL2 der Beleuchtungsoptik 1 sowie zwischen den Spiegeln IL2 und IL3 der Beleuchtungsoptik 1. The mirrors M1 and M2 of the projection optics PO are designed as NI mirrors with an angle of incidence of the illumination and imaging light 3 of less than 45°. An illumination light beam path of the illumination light 3 for illuminating the reticulum 18 and an imaging light beam path of the projection optic PO for imaging the object field 4 into the image field 21 intersect in a crossing area. This crossing area lies in the region of the entrance pupil plane EP of the projection optic PO. The imaging light beam path intersects here with the illumination light beam path between the exit aperture 14 and the mirror IL2 of the illumination optic 1, as well as between the mirrors IL2 and IL3 of the illumination optic 1.

Alternativ zur dargestellten Zwei-Spiegel-Gestaltung der Projektionsoptik PO kann eine Anzahl der Spiegel der Projektionsoptik PO auch größer sein als 2 und kann beispielsweise 4 oder 6 betragen. Das Objektfeld 4 hat eine Erstreckung von etwa 400 pm längs der x-Koordinate und von etwa 300 pm längs der y-Koordinate. As an alternative to the depicted two-mirror configuration of the projection optic PO, the number of mirrors in the projection optic PO can also be greater than 2 and can be, for example, 4 or 6. The object field 4 has a length of approximately 400 pm along the x-coordinate and approximately 300 pm along the y-coordinate.

Das Bildfeld 21 wird von einer Detektionseinrichtung 23, z. B. von einer CCD- oder CMOS-Kamera oder mehreren CCD- oder CMOS-Kameras, erfasst. Für Details der Abbildung in das Bildfeld wird auf die The image field 21 is captured by a detection device 23, e.g., by a CCD or CMOS camera or several CCD or CMOS cameras. For details of the image being projected into the image field, refer to the

US 10,042,248 B2 sowie die in der US 10,042,248 B2 angegebenen Referenzen verwiesen. Die Detektionseinrichtung 23 kann auch als TDI (time delay integration, Integration mit zeitlicher Verzögerungj-Detektionsein- richtung mit einer Mehrzahl von TDI-Detektoren ausgeführt sein. Eine entsprechende Ausführung wird nachfolgend noch näher erläutert. Reference is made to US 10,042,248 B2 and the references given in US 10,042,248 B2. The detection device 23 can also be implemented as a TDI (time delay integration) detection device with a plurality of TDI detectors. Such an implementation is explained in more detail below.

Mit dem Maskeninspektionssystem 2a ist eine Inspektion beispielsweise einer Struktur auf dem Retikel 18 möglich. Hierzu kann das Retikel 18 mittels der Retikelverlagerungseinrichtung 20 in der xy-Ebene zeilenweise gescannt werden, bis eine gesamte, interessierende Oberfläche des Retikels 18 von der Projektionsoptik PO des Maskeninspektionssystems 2a abgebildet und entsprechend inspiziert wurde. The mask inspection system 2a enables, for example, the inspection of a structure on reticulum 18. For this purpose, reticulum 18 can be scanned line by line in the xy-plane using the reticulum relocation device 20 until an entire surface of interest on the reticulum has been scanned. 18 was imaged and inspected by the projection optic PO of the mask inspection system 2a.

Zum Führen des EUV-Beleuchtungslichts 3 im Strahlengang direkt nach dem Quellbereich 6 dient ein Strahlführungseinsatz 25 in einer ansonsten nicht näher dargestellten Quellkammer der EUV-Lichtquelle 5. Details des Strahlführungseinsatzes 25 werden nachfolgend auch anhand der Fig. 2 bis 4 erläutert. To guide the EUV illumination light 3 in the beam path directly after the source area 6, a beam guiding insert 25 is used in a source chamber of the EUV light source 5, which is not shown in detail. Details of the beam guiding insert 25 are also explained below with reference to Figs. 2 to 4.

Der Strahlführungseinsatz 25 hat einen hülsenförmigen Grundkörper 26. Eine Strahl-Eintrittsöffnung 27 des Strahlführungseinsatzes 25 dient zum Eintritt des EUV-Beleuchtungslichts 3, also der EUV-Strahlung, die vom Quellvolumen beziehungsweise vom Quellbereich 6 ausgeht. Die Strahl- Eintrittsöffnung 27 ist bei in der Quellkammer montiertem Strahlführungseinsatz 25 dem Quellvolumen 6 zugewandt. The beam guiding insert 25 has a sleeve-shaped base body 26. A beam inlet opening 27 of the beam guiding insert 25 serves for the entry of the EUV illumination light 3, i.e., the EUV radiation emanating from the source volume or source area 6. When the beam guiding insert 25 is mounted in the source chamber, the beam inlet opening 27 faces the source volume 6.

Der Grundkörper 26 des Strahlführungseinsatzes 25 hat weiterhin eine Strahl-Austrittsöffnung 28 zum Austritt des EUV-Beleuchtungslichts 3 aus dem Strahlführungseinsatz 25. Die Strahl- Austrittsöffnung 28 ist bei montiertem Strahlführungseinsatz 25 dem Quellbereich 6 abgewandt. The base body 26 of the beam guidance insert 25 also has a beam exit opening 28 for the exit of the EUV illumination light 3 from the beam guidance insert 25. The beam exit opening 28 is facing away from the source area 6 when the beam guidance insert 25 is mounted.

Ein Führungskanal 29 im Grundkörper 26, der von der Strahl-Eintrittsöffnung 27 hin zur Strahl- Austrittsöffnung 28 verläuft, hat einen halben Öff- nungswinkel von mindestens 2,5 Grad. A guide channel 29 in the base body 26, which runs from the beam inlet opening 27 to the beam outlet opening 28, has a half opening angle of at least 2.5 degrees.

Die Strahl-Eintrittsöffnung 27 und die Strahl- Austrittsöffnung 28 sind jeweils elliptisch ausgeführt. Ein Längenverhältnis zwischen einer langen und einer kurzen Halbachse der jeweils die Strahlen-Eintrittsöffnung 27 und die Strahlen- Austritsöffnung 28 beschreibenden Ellipse beträgt bei der dargestellten Ausführung 2. The beam inlet 27 and the beam outlet 28 are each elliptical. The length ratio between a long and a short semi-axis of the beam inlet 27 is determined by a specific ratio. and the ellipse describing the ray exit aperture 28 is 2 in the illustrated embodiment.

Der Führungskanal 29 hat einen konischen Verlauf zwischen der elliptischen Strahl-Eintritsöffnung 27 und der im Vergleich hierzu größeren, elliptischen Strahl- Austritsöffnung 28. The guide channel 29 has a conical shape between the elliptical beam inlet opening 27 and the comparatively larger, elliptical beam outlet opening 28.

In Richtung der langen Halbachse (vgl. die Schnitebene der Fig. 3) beträgt der halbe Öffnung s winkel des Strahl-Führungskanals 29 des Strahlführungseinsatzes 25 10 Grad. Ein gesamter Öffnung s winkel a beträgt also 20 Grad. In der hierzu senkrechten Ebene links der kurzen Ellipsen-Halbachse (vgl. die Schnitebene der Fig. 4) beträgt der halbe Öffnung s winkel des Führungskanals 29 5 Grad. Ein gesamter, voller Öffnungswinkel ß beträgt also 10 Grad. Der Führungskanal 29 hat also einen größten halben Öffnungswinkel o/2 von 10 Grad. In the direction of the long semi-axis (see the section plane of Fig. 3), the half-opening angle s of the beam guidance channel 29 of the beam guidance insert 25 is 10 degrees. A total opening angle s α is therefore 20 degrees. In the plane perpendicular to this, to the left of the short semi-axis of the ellipse (see the section plane of Fig. 4), the half-opening angle s of the guidance channel 29 is 5 degrees. A total, full opening angle β is therefore 10 degrees. The guidance channel 29 thus has a maximum half-opening angle β/2 of 10 degrees.

Aufgrund der elliptischen Öffnungen 27, 28 und der sich um einen Faktor 2 unterscheidenden halben Öffnungswinkel o/2, ß/2 gibt sich eine entsprechend elliptische Beleuchtungspupille der Einkoppeloptik 10, die über das strahlhomogenisierende Element 11 in eine entsprechende Beleuchtungspupille der Auskoppeloptik 16 überführt wird. Diese elliptische Beleuchtungspupille hat eine lange Halbachse parallel zur x-Achse der Fig. 1 und eine kurze Halbachse in der yz-Ebene der Fig. 1. Entsprechend hat auch die Projektionsoptik PO mit der das Objektfeld 4 in das Bildfeld 21 abgebildet wird, eine elliptische Eintritspupille mit einem x/y-Aspektverhältnis beziehungsweise in Pupillenkoordinaten einem Ox/oy-Aspektverhältnis, das größer ist als 1 und das beim beschriebenen Ausführungsbeispiel 2 beträgt. Die Projektionsoptik PO kann anamorphotisch ausgebildet sein, wobei aus der elliptische Eintrittspupille dann eine runde Austritspupille der Projektionsoptik PO geformt wird. Due to the elliptical apertures 27, 28 and the half-aperture angles θ/2, β/2, which differ by a factor of 2, the input optics 10 produce a correspondingly elliptical illumination pupil, which is transformed via the beam homogenizing element 11 into a corresponding illumination pupil of the output optics 16. This elliptical illumination pupil has a long semi-axis parallel to the x-axis of Fig. 1 and a short semi-axis in the yz-plane of Fig. 1. Similarly, the projection optics PO, with which the object field 4 is imaged into the image field 21, also has an elliptical entry pupil with an x/y aspect ratio, or in pupil coordinates an ox/oy aspect ratio, that is greater than 1 and is 2 in the described embodiment. The projection optics PO can be anamorphic, wherein... The elliptical entrance pupil is then formed into a round exit pupil of the projection optics PO.

Aufgrund der vergleichsweise großen Öffnung s winkel a und ß des Strahl- Führungskanals 29 des Stiahlführungseinsatzes 25 resultiert ein hoher Lichtfluss des EUV-Beleuchtungslichts 3 zwischen dem Quellbereich 6 und dem Objektfeld 4. Due to the comparatively large opening s angle a and ß of the beam guidance channel 29 of the beam guidance insert 25, a high luminous flux of the EUV illumination light 3 results between the source area 6 and the object field 4.

Trotz der elliptischen Beleuchtungspupillen resultiert entsprechend der Wirkung der Einkoppeloptik 10 ein Quellbild in der Eintrittsöffnung 12 in der Eintrittsebene 13, das ein Aspektverhältnis in der Eintrittsebene 13 von etwa Eins hat. Das strahlhomogenisierende Element 11 muss beim Übergang zwischen einem konventionellen Strahlführungseinsatz mit gleichen Öffnung s winkeln a, ß zum Strahlführungseinsatz 25 mit Aspektverhältnis o/ß t 1 also nicht hinsichtlich eines Aspektverhältnisses der Öffnungen 12, 14 angepasst werden. Despite the elliptical illumination pupils, the coupling optics 10 results in a source image at the entrance aperture 12 in the entrance plane 13, which has an aspect ratio of approximately one in the entrance plane 13. Therefore, the beam homogenizing element 11 does not need to be adjusted with respect to the aspect ratio of the apertures 12, 14 when transitioning from a conventional beam guide insert with the same aperture angles α, β to the beam guide insert 25 with aspect ratio β/β t 1.

Der Grundkörper 26 hat zudem einen Flanschabschnitt 26a zur Montage des Strahlführungseinsatzes 25 in einer entsprechenden Aufnahme der Quellkammer. The base body 26 also has a flange section 26a for mounting the beam guidance insert 25 in a corresponding receptacle of the source chamber.

Sowohl eine äußere Hülsenwand 30 des Grundkörpers 26 als auch der Flanschabschnitt 26a haben einen kreisförmigen Außendurchmesser. Both the outer sleeve wall 30 of the base body 26 and the flange section 26a have a circular outer diameter.

Im Strahlengang des EUV-Beleuchtung sticht 3 ist dem Strahlführungseinsatz 25 nachgeordnet der Nutzlicht-Filter 8. Ein Filterabstand A zwischen dem Filter 8 und dem Strahlführungseinsatz 25 beträgt höchstens 50 % eines Kollektorab stands B zwischen dem Kollektorspiegel IL1 und dem Strahlführungseinsatz 25. Der Spiegel IL1 dient als Kollektor für das EUV-Beleuchtungslicht 3 und zur Überführung des vom Quellbereich 6 ausgehenden und vom Führungskanal 29 geführten EUV-Beleuchtungslichts 3 in einen Zwischenfokus in der Eintrittsebene 13. Der EUV-Kollektor IL1 dient somit zum Sammeln des aus dem Strahlführungseinsatz 25 austretenden und den Nutzlicht-Filter 8 passierenden EUV-Beleuchtungslichts 3. In the beam path of the EUV illumination, the useful light filter 8 is located downstream of the beam guidance insert 25. A filter distance A between the filter 8 and the beam guidance insert 25 is at most 50% of a collector distance B between the collector mirror IL1 and the beam guidance insert 25. The mirror IL1 serves as a collector for the EUV illumination light 3 and for transferring the EUV illumination light 3 emanating from the source area 6 and guided by the guide channel 29 into an intermediate focus in the entrance plane 13. The EUV collector IL1 thus serves to collect the EUV illumination light 3 exiting from the beam guide insert 25 and passing through the useful light filter 8.

Das Maskeninspektionssystem 2a hat weiterhin eine Vakuumpumpe 32 zur Erzeugung eines Unterdrucks in der Vakuumkammer VK. The mask inspection system 2a also has a vacuum pump 32 for generating a negative pressure in the vacuum chamber VK.

Da die Eintrittsöffnung 27 im Vergleich zur Austrittsöffnung 28 eine deutlich kleinere Öffnung sfläche aufweist, ist ein Gasfluss aus dem Quellbereich 6 des Strahlengangs des EUV-Beleuchtungslichts 3 durch den Führungskanal 29 vergleichsweise gering und kann mittels der Vakuumpumpe 32 so abgepumpt werden, dass innerhalb der Vakuumkammer VK ein ausreichender Unterdrück herrscht. Eine unerwünschte Absorption von EUV- Nutzlicht durch in der Vakuumkammer VK verbleibendes Gas ist somit reduziert. Since the inlet opening 27 has a significantly smaller opening area compared to the outlet opening 28, the gas flow from the source area 6 of the beam path of the EUV illumination light 3 through the guide channel 29 is comparatively low and can be pumped out by the vacuum pump 32 so that a sufficient negative pressure prevails within the vacuum chamber VK. Undesired absorption of EUV useful light by gas remaining in the vacuum chamber VK is thus reduced.

Als Restgas kann in der Vakuumkammer VK Xenon vorliegen. Ein Partialdruck von Xenon in der Vakuumkammer VK ist kleiner als 10'3 mbar. Dies führt zu einer gewünscht geringen Restabsorption des EUV- Beleuchtungslichts 3. Xenon may be present as residual gas in the vacuum chamber VK. The partial pressure of xenon in the vacuum chamber VK is less than 10⁻³ mbar. This results in a desiredly low residual absorption of the EUV illumination light.

Eine Pumpleistung der Vakuumpumpe 32 ist insbesondere größer alsThe pumping capacity of the vacuum pump 32 is particularly greater than

500 1/s oder auch größer als 1000 1/s, beispielsweise größer als 2000 1/s. Im Bereich zwischen dem Wellenläng en-Filter 8 und dem Strahlführungseinsatz 25 kann die Vakuumkammer VK eine Teilkammer aufweisen, die mit einer eigenen Pumpstufe eines Pumpsystems, zu dem auch die Vakuumpumpe 32 gehört, abgepumpt wird. Mithilfe einer derartigen differenti- eilen Pumpstufe einerseits vor und andererseits nach dem Filter 8 wird eine Reinheit des Vakuums im Bereich der Vakuumkammer VK nach dem Filter 8 verbessert, was ein unerwünschtes Abscheiden von Debris auf den Spiegel IL1 vermeidet. 500 1/s or even greater than 1000 1/s, for example greater than 2000 1/s. In the area between the wavelength filter 8 and the beam guidance insert 25, the vacuum chamber VK can have a sub-chamber that is pumped out by its own pump stage of a pumping system, which also includes the vacuum pump 32. By means of such a differential pump stage, both upstream and downstream of the filter 8, the purity of the vacuum in the area of the vacuum chamber VK downstream of the filter 8 is improved, thus preventing unwanted deposition of debris on the mirror IL1.

Claims

Patentansprüche Patent claims 1. Strahlführungseinsatz (25) für eine Quellkammer einer EUV- Strahlungsquelle (5) eines Metrologiesystems, mit einem hülsenförmigen Grundkörper (26) mit einer Strahl-Eintrittsöffmmg (27) zum Eintritt von EUV- Strahlung (5), die von einem Quellbereich (6) der EUV- Strahlungsquelle (5) ausgeht, wobei die Strahl-Eintrittsöffmmg (27) bei montiertem Strahlführungseinsatz (25) dem Quellbereich (6) zugewandt ist, mit einer Strahl-Austrittsöffnung (28) zum Austritt der EUV- Strahlung (3), die bei montiertem Strahlführungseinsatz (25) vom Quellbereich (6) abgewandt ist, wobei sich ein Führungskanal (29) im Grundkörper (26) von der Strahl-Eintrittsöffmmg (27) hin zur Strahl-Austrittsöffnung (28) mit einem halben Öffnung s winkel (o/2, ß/2) erweitert, der mindestens 2,0 Grad beträgt. 1. Beam guidance insert (25) for a source chamber of an EUV radiation source (5) of a metrology system, comprising a sleeve-shaped base body (26) with a beam inlet opening (27) for the entry of EUV radiation (5) emanating from a source area (6) of the EUV radiation source (5), wherein the beam inlet opening (27) faces the source area (6) when the beam guidance insert (25) is mounted, and a beam outlet opening (28) for the exit of the EUV radiation (3) which faces away from the source area (6) when the beam guidance insert (25) is mounted, wherein a guide channel (29) in the base body (26) widens from the beam inlet opening (27) to the beam outlet opening (28) with an opening angle of half an angle (0/2, β/2), which is at least 2.0 The degree is [value]. 2. Strahlführungseinsatz nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahl-Eintrittsöffmmg (27) und die Strahl-Austrittsöffnung (28) jeweils elliptisch ausgeführt sind. 2. Beam guidance insert according to claim 1, characterized in that the beam inlet opening (27) and the beam outlet opening (28) are each elliptically designed. 3. Strahlführungseinsatz nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch ein Aspektverhältnis zwischen einer langen und einer kurzen Halbachse einer die elliptische Ausführung der Strahl-Eintrittsöffmmg (27) und der Strahl- Austrittsöffnung (28) beschreibenden Ellipse, das mindestens 1,2 beträgt. 3. Beam guidance insert according to claim 2, characterized by an aspect ratio between a long and a short semi-axis of an ellipse describing the elliptical design of the beam inlet opening (27) and the beam outlet opening (28), which is at least 1.2. 4. Strahlführungseinsatz nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein größter halber Öffnungswinkel (a) des Führungskanals (29) mindestens 2,5 Grad beträgt. 4. Beam guidance insert according to one of claims 1 to 3, characterized in that a largest half opening angle (a) of the guide channel (29) is at least 2.5 degrees. 5. Strahlführungs-Baugruppe (25, 8, IL1) für eine EUV-Strahlungsquelle (5), mit einem Strahlführungseinsatz (25) nach einem der Ansprüche 1 bis 4 mit einem dem Strahlführungseinsatz (25) im Strahlengang der EUV-Strahlung (3) nachgeordneten Filter (8) zur Trennung von EUV-Nutzstrahlung (3) von Strahlung, deren Wellenlänge von derjenigen der EUV-Nutzstrahlung (3) ab weicht, mit einem EUV-Kollektor (IL 1) zum Sammeln der aus dem Strahlführungseinsatz (25) austretenden und den Filter (8) passierenden EUV-Nutzstrahlung (3). 5. Beam guidance assembly (25, 8, IL1) for an EUV radiation source (5), comprising a beam guidance insert (25) according to one of claims 1 to 4, comprising a filter (8) arranged downstream of the beam guidance insert (25) in the beam path of the EUV radiation (3) for separating EUV useful radiation (3) from radiation whose wavelength differs from that of the EUV useful radiation (3), comprising an EUV collector (IL 1) for collecting the EUV useful radiation (3) exiting the beam guidance insert (25) and passing through the filter (8). 6. Strahlführungs-Baugruppe nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Filterabstand (A) zwischen dem Filter (8) und dem Strahlführungseinsatz (25) höchstens 25 % eines Kollektorabstandes (B) zwischen dem Kollektor (IL1) und dem Strahlführungseinsatz (25) beträgt. 6. Beam guidance assembly according to claim 5, characterized in that a filter distance (A) between the filter (8) and the beam guidance insert (25) is at most 25% of a collector distance (B) between the collector (IL1) and the beam guidance insert (25). 7. EUV-Strahlungsquelle (5) mit einem Strahlführungseinsatz (25) nach einem der Ansprüche 1 bis 4 oder mit einer Strahlführungs-Baugruppe nach Anspruch 5 oder 6. 7. EUV radiation source (5) with a beam guidance insert (25) according to one of claims 1 to 4 or with a beam guidance assembly according to claim 5 or 6. 8. Optisches System mit einer Strahlführungs-Baugruppe nach Anspruch 5 oder 6 und mit einer Beleuchtungsoptik (11, IL2, IL3) zur Führung der EUV- Nutzstrahlung (3) vom Kollektor (IL1) hin zu einem Objektfeld (4). 8. Optical system with a beam guidance assembly according to claim 5 or 6 and with an illumination optic (11, IL2, IL3) for guiding the EUV useful radiation (3) from the collector (IL1) to an object field (4). 9. Optisches System nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine abbildende Optik (PO) zur Abbildung des Objektfelds (4) in ein Bildfeld (21). 9. Optical system according to claim 8, characterized by an imaging optic (PO) for imaging the object field (4) into an image field (21). 10. Metrologiesystem - mit einem optischen System nach Anspruch 8 oder 9, mit einem Objekthalter (19) zur Halterung eines zu untersuchenden Objekts (18) im Objektfeld (4), mit einem Detektor (23), angeordnet im Bildfeld (21). 10. Metrology system - comprising an optical system according to claim 8 or 9, comprising an object holder (19) for holding an object (18) to be examined in the object field (4), comprising a detector (23) arranged in the image field (21). ...
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