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WO2025182721A1 - 基板処理システム及び搬送ロボットのティーチング方法 - Google Patents

基板処理システム及び搬送ロボットのティーチング方法

Info

Publication number
WO2025182721A1
WO2025182721A1 PCT/JP2025/005654 JP2025005654W WO2025182721A1 WO 2025182721 A1 WO2025182721 A1 WO 2025182721A1 JP 2025005654 W JP2025005654 W JP 2025005654W WO 2025182721 A1 WO2025182721 A1 WO 2025182721A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
support surface
ring
ring member
processing system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/JP2025/005654
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
昂 荒巻
俊紀 赤間
諒也 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of WO2025182721A1 publication Critical patent/WO2025182721A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H10P50/242—
    • H10P72/30—

Definitions

  • An exemplary embodiment of the present disclosure relates to a substrate processing system and a method for teaching a transfer robot.
  • Substrate processing systems capable of performing various processes such as plasma processing on substrates are known.
  • Substrate processing systems include a process module and a transfer module.
  • the process module has a chamber and a substrate support.
  • the substrate support is provided within the chamber and supports the substrate placed on it.
  • Patent Document 1 listed below uses a camera to adjust the position of a substrate placed on the substrate support.
  • This disclosure provides technology to reduce misalignment of substrates.
  • a substrate processing system in one exemplary embodiment, includes a chamber, a substrate support, a transfer module, a control unit, and a position detector.
  • the chamber provides a processing space therein.
  • the substrate support is disposed within the processing space.
  • the transfer module has an end effector.
  • the end effector is configured to support a substrate.
  • the transfer module includes a transfer robot configured to transfer the substrate to the processing space.
  • the control unit is configured to control the substrate support and the transfer module.
  • the substrate support includes a substrate support surface, a ring support surface, a plurality of lifter pins, and a drive unit.
  • the substrate support surface is configured to support a substrate.
  • the ring support surface extends to surround the substrate support surface and is configured to support a ring member.
  • the plurality of lifter pins are configured to protrude upward from the ring support surface.
  • the drive unit is configured to move the plurality of lifter pins up and down.
  • the ring member provides a plurality of recesses corresponding to the plurality of lifter pins, respectively.
  • the position detector is configured to detect the position of the ring member disposed on the ring support surface.
  • the control unit is configured to execute steps (a), (b), (c), and (d). Step (a) includes controlling the drive unit to move the lifter pins upward to lift a ring member disposed on the ring support surface from the ring support surface with the lifter pins, thereby self-guiding the ring member so that the tips of the lifter pins are respectively positioned within the recesses.
  • Step (b) includes controlling the drive unit to move the lifter pins downward to lower the ring member lifted by the lifter pins onto the ring support surface after step (a).
  • Step (c) includes, after step (b), detecting the position of the ring member disposed on the ring support surface with a position detector.
  • Step (d) includes, after step (c), controlling the transfer module to transfer a substrate supported on the end effector to the substrate support surface based on the position of the ring member detected by the position detector.
  • deviation in the position at which the substrate is placed is reduced.
  • FIG. 1 illustrates a substrate processing system according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 1 illustrates an end effector according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an example of the configuration of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • 1 is a diagram illustrating a schematic diagram of a plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment; 1 is a partial enlarged cross-sectional view of a substrate support of a plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment.
  • 1A and 1B are diagrams illustrating a configuration of a ring member according to one exemplary embodiment.
  • 7A and 7B are enlarged cross-sectional views of one recess perpendicular to the radial direction and the circumferential direction, respectively, according to an exemplary embodiment.
  • 8A and 8B are enlarged cross-sectional views of one recessed portion according to another exemplary embodiment, taken perpendicular to the radial direction and the circumferential direction, respectively.
  • 9A and 9B are enlarged cross-sectional views of a recess perpendicular to a radial direction according to yet another exemplary embodiment, and enlarged cross-sectional views of a recess perpendicular to a circumferential direction according to yet another exemplary embodiment.
  • 10A and 10B are enlarged cross-sectional views of a recess perpendicular to a radial direction and a circumferential direction, respectively, according to still another exemplary embodiment.
  • 1 is a flow chart of a method for teaching a transfer robot according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing a substrate processing system according to one exemplary embodiment.
  • the substrate processing system PS includes a transfer module VTM, a position detector PD, a controller MC, and multiple process modules PM1 to PM6.
  • the substrate processing system PS may further include a loader module LM and at least one load lock module.
  • the substrate processing system PS includes two load lock modules LL1 and LL2 as the at least one load lock module.
  • the substrate processing system PS may further include at least one load port, a substrate inspection module CM, an aligner AN, and storage SR.
  • the substrate processing system PS includes four load ports LP1 to LP4 as the at least one load port.
  • the loader module LM is an example of an atmospheric transfer module.
  • the loader module LM includes a transfer chamber ACH.
  • the transfer chamber ACH is an example of another transfer chamber.
  • the pressure within the transfer chamber ACH of the loader module LM can be set to atmospheric pressure.
  • the loader module LM may include a fan filter unit (FFU).
  • the loader module LM is, for example, an equipment front end module (EFEM).
  • the loader module LM is disposed between each of the load ports LP1 to LP4 and each of the load lock modules LL1 and LL2.
  • the load ports LP1 to LP4 are arranged along one of a pair of longitudinal edges of the loader module LM.
  • the load lock modules LL1 and LL2 are arranged along the other of a pair of longitudinal edges of the loader module LM.
  • Each of the load ports LP1 to LP4 is configured to support a cassette CST placed thereon.
  • the cassette CST is a container that stores multiple substrates W.
  • the cassette CST is, for example, a Front-Opening Unified Pod (FOUP).
  • the loader module LM includes a transport robot TR3.
  • the transport robot TR3 is an example of another transport robot.
  • the transport robot TR3 is provided in the transport chamber ACH of the loader module LM.
  • the transport robot TR3 may include an articulated arm AR31 and an end effector FK31.
  • the end effector FK31 is attached to the tip of the articulated arm AR31.
  • the end effector FK31 is configured to support a substrate W.
  • the transport robot TR3 is configured to transport the substrate W via the transport chamber ACH.
  • the transport robot TR3 transports the substrate W based on operation instructions output by the control unit MC, which will be described later.
  • the transport robot TR3 transports the substrate W between any two of the cassettes CST, load lock modules LL1 and LL2, aligner AN, and storage SR, which are placed on at least one of the load ports LP1 to LP4.
  • the aligner AN is arranged along one of a pair of edges along the short side of the loader module LM.
  • the aligner AN may also be arranged along an edge along the long side of the loader module LM.
  • the aligner AN may also be arranged inside the transport chamber ACH of the loader module LM.
  • the aligner AN has a stage, an optical sensor, etc.
  • the stage of the aligner AN is rotatable and supports the substrate W placed thereon.
  • the aligner AN detects the angular position of a marker (e.g., a notch) of the substrate W on the stage and the center position of the substrate W on the stage using an optical sensor.
  • the control unit MC controls the rotation of the stage of the aligner AN to correct the angular position of the marker (e.g., a notch) of the substrate W on the stage to a reference angular position so as to correct the amount of deviation in the angular position of the substrate W.
  • the controller MC controls the position of the end effector FK31 when receiving the substrate W from the aligner AN onto the end effector FK31, in order to position the center of the substrate W over a predetermined position on the end effector FK31.
  • the storage SR is arranged along an edge along the longitudinal direction of the loader module LM.
  • the storage SR may also be arranged along an edge along the lateral direction of the loader module LM.
  • the storage SR may also be provided inside the loader module LM.
  • the storage SR is configured to store substrates W therein.
  • the substrate inspection module CM may be provided inside the loader module LM or the transport module VTM.
  • the substrate inspection module CM may be connected to the loader module LM below the load ports LP1 to LP4.
  • the substrate inspection module CM is not limited to the above locations and can be installed in any location.
  • the substrate inspection module CM is configured to acquire images of the substrate W.
  • the load lock modules LL1 and LL2 are connected to the loader module LM.
  • Each of the load lock modules LL1 and LL2 and the loader module LM may be connected via a gate valve G3.
  • each of the load lock modules LL1 and LL2 and the transfer module VTM are connected via a gate valve G2.
  • Each of the load lock modules LL1 and LL2 may be disposed between the transfer module VTM and the loader module LM.
  • Each of the load lock modules LL1 and LL2 provides a preliminary decompression chamber.
  • the transfer module VTM has at least one transfer chamber and at least one transfer robot.
  • the transfer module VTM has a transfer chamber VCH and a transfer robot TR as the at least one transfer chamber and at least one transfer robot.
  • the transfer chamber VCH is configured to be depressurizable.
  • the transfer robot TR is configured to transfer substrates W via the transfer chamber VCH.
  • Each of the multiple process modules PM1 to PM6 has a chamber 10 and a substrate support 11 (see Figure 3).
  • the chamber 10 provides a processing space therein.
  • the chamber 10 is connected to the transfer module VTM.
  • the process modules PM1 to PM6 are connected to the transfer module VTM via a gate valve G1.
  • the transfer robot TR is configured to transport a substrate W to the processing space 10s.
  • the transport robot TR may include articulated arms AR11, AR12 and end effectors FK11, FK12.
  • the end effector FK11 is attached to the tip of the articulated arm AR11 and is configured to support a substrate W.
  • the end effector FK12 is attached to the tip of the articulated arm AR12 and is configured to support a substrate W placed thereon.
  • the transport robot TR transports a substrate W based on operational instructions output by a control unit MC, which will be described later.
  • the transport robot TR supports the substrate W using the end effectors FK11, FK12.
  • the transport robot TR is configured to transport the substrate W between the paths of the load lock modules LL1, LL2 and the process modules PM1 to PM6.
  • the ring member R is an edge ring ER (focus ring) or a cover ring CR.
  • the edge ring ER is used to surround the substrate W on the substrate support member 11.
  • the covering ring CR is used to surround the edge ring ER. Details of the edge ring ER and covering ring CR will be described later.
  • each of the process modules PM1 to PM6 is configured to perform a dedicated process on the substrate W.
  • At least one of the process modules PM1 to PM6 is a substrate processing apparatus such as the plasma processing apparatus 1 described below.
  • the control unit MC is configured to control each part of the substrate processing system PS.
  • the control unit MC may be a computer equipped with a processor, a storage device, an input device, a display device, etc.
  • the control unit MC executes a control program stored in the storage device and controls each part of the substrate processing system PS based on the recipe data stored in the storage device.
  • the transfer methods according to various exemplary embodiments described below are executed in the substrate processing system PS by the control of each part of the substrate processing system PS by the control unit MC.
  • the control unit MC is configured to control the transfer module VTM and the substrate support 11.
  • the control unit MC may be connected to a position detector PD.
  • FIG. 2 is a diagram showing an end effector according to one exemplary embodiment.
  • An end effector is also called a transport fork or transport pick.
  • FIG. 2 shows the configuration of end effector FK11 as an example, but the configuration of end effector FK12 may also be used.
  • the end effector FK11 has a horseshoe shape when viewed from the direction in which the substrate W is supported.
  • the end effector FK11 includes a main body portion FKM and a pair of tip portions FKB.
  • the pair of tip portions FKB protrude from the main body portion FKM.
  • a gap is defined between the pair of tip portions FKB.
  • the substrate W is supported on the end effector FK11 so that its central axis passes through the gap.
  • the position detector PD includes a pair of distance sensors FS1 and FS2.
  • the pair of distance sensors FS1 and FS2 may be connected to the transport module VTM and/or the controller MC.
  • the distance sensors FS1 and FS2 are optical fiber displacement sensors.
  • the pair of distance sensors FS1 and FS2 are respectively disposed on a pair of tip portions FKB. The tip FSa of each of the pair of distance sensors FS1 and FS2 is located on the pair of tip portions FKB.
  • Each of the distance sensors FS1 and FS2 measures the distance between its tip FSa and the object.
  • Each of the distance sensors FS1 and FS2 emits measurement light to the object via its tip FSa and receives the reflected light.
  • a unit controller (not shown) connected to the distance sensors FS1 and FS2 measures the distance from the tip FSa to the object.
  • the unit controller may be part of the transport module VTM or the control unit MC.
  • the tips FSa of the distance sensors FS1 and FS2 are positioned to emit measurement light downward toward the end effector FK11.
  • the position detector PD detects the horizontal position of the object.
  • the coordinates of the tip FSa of each of the distance sensors FS1 and FS2 on the transport module VTM when the distance between the tip FSa of each of the distance sensors FS1 and FS2 and the object becomes close may be acquired as the position of the object.
  • the plasma processing system shown in Figure 3 can be employed as part of a substrate processing system PS.
  • the example plasma processing apparatus shown in Figure 4 is employed as at least one of the process modules PM1 to PM12.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example configuration of a plasma processing system.
  • the plasma processing system includes a plasma processing device 1 and a control unit 2.
  • the plasma processing system is an example of a substrate processing system
  • the plasma processing device 1 is an example of a substrate processing device.
  • the plasma processing device 1 includes a plasma processing chamber 10, a substrate support unit 11, and a plasma generation unit 12.
  • the plasma processing chamber 10 has a plasma processing space.
  • the plasma processing chamber 10 also has at least one gas supply port for supplying at least one processing gas to the plasma processing space, and at least one gas exhaust port for exhausting gas from the plasma processing space.
  • the gas supply port is connected to the gas supply unit 20, which will be described later, and the gas exhaust port is connected to an exhaust system 40, which will be described later.
  • the substrate support unit 11 is disposed in the plasma processing space and has a substrate support surface for supporting a substrate.
  • the plasma generation unit 12 is configured to generate plasma from at least one processing gas supplied into the plasma processing space.
  • the plasma formed in the plasma processing space may be capacitively coupled plasma (CCP), inductively coupled plasma (ICP), electron-cyclotron-resonance plasma (ECR plasma), helicon wave plasma (HWP), or surface wave plasma (SWP), etc.
  • various types of plasma generating units may be used, including AC (Alternating Current) plasma generating units and DC (Direct Current) plasma generating units.
  • the AC signal (AC power) used in the AC plasma generating unit has a frequency in the range of 100 kHz to 10 GHz.
  • AC signals include RF (Radio Frequency) signals and microwave signals.
  • the RF signal has a frequency in the range of 100 kHz to 150 MHz.
  • the control unit 2 processes computer-executable instructions that cause the plasma processing apparatus 1 to perform the various processes described in this disclosure.
  • the control unit 2 may be configured to control each element of the plasma processing apparatus 1 to perform the various processes described herein. In one embodiment, part or all of the control unit 2 may be included in the plasma processing apparatus 1.
  • the control unit 2 may include a processing unit 2a1, a memory unit 2a2, and a communication interface 2a3.
  • the control unit 2 is realized, for example, by a computer 2a.
  • the processing unit 2a1 may be configured to perform various control operations by reading a program from the memory unit 2a2 and executing the read program. This program may be stored in the memory unit 2a2 in advance, or may be acquired via a medium when needed.
  • the acquired program is stored in the memory unit 2a2 and read from the memory unit 2a2 by the processing unit 2a1 for execution.
  • the medium may be various storage media readable by the computer 2a, or may be a communication line connected to the communication interface 2a3.
  • the processing unit 2a1 may be a CPU (Central Processing Unit).
  • the memory unit 2a2 may include RAM (Random Access Memory), ROM (Read Only Memory), HDD (Hard Disk Drive), SSD (Solid State Drive), or a combination thereof.
  • the communication interface 2a3 may communicate with the plasma processing apparatus 1 via a communication line such as a LAN (Local Area Network).
  • the control unit 2 may also function as the control unit MC.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the configuration of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • the capacitively coupled plasma processing apparatus 1 includes a plasma processing chamber 10, a gas supply unit 20, a power supply 30, and an exhaust system 40.
  • the plasma processing apparatus 1 also includes a substrate support 11 and a gas inlet.
  • the gas inlet is configured to introduce at least one processing gas into the plasma processing chamber 10.
  • the gas inlet includes a showerhead 13.
  • the substrate support 11 is disposed within the plasma processing chamber 10.
  • the showerhead 13 is disposed above the substrate support 11. In one embodiment, the showerhead 13 forms at least a portion of the ceiling of the plasma processing chamber 10.
  • the plasma processing chamber 10 has a plasma processing space 10s defined by the showerhead 13, a sidewall 10a of the plasma processing chamber 10, and the substrate support 11.
  • the plasma processing chamber 10 is grounded.
  • the showerhead 13 and the substrate support 11 are electrically insulated from the housing of the plasma processing chamber 10.
  • the substrate support 11 includes a main body 5.
  • the substrate support may include a ring member R.
  • the main body 5 has a central region 5a for supporting a substrate W and an annular region 5b for supporting the ring member R.
  • a wafer is an example of a substrate W.
  • the annular region 5b of the main body 5 surrounds the central region 5a of the main body 5 in a planar view.
  • the substrate W is placed on the central region 5a of the main body 5, and the ring member R is placed on the annular region 5b of the main body 5 so as to surround the substrate W on the central region 5a of the main body 5. Therefore, the central region 5a is also called a substrate support surface for supporting the substrate W, and the annular region 5b is also called a ring support surface for supporting the ring member R.
  • the main body 5 includes a base 50 and an electrostatic chuck 51.
  • the base 50 includes a conductive member.
  • the conductive member of the base 50 may function as a lower electrode.
  • the electrostatic chuck 51 is disposed on the base 50.
  • the electrostatic chuck 51 includes a ceramic member 51a and an electrostatic electrode 51b disposed within the ceramic member 51a.
  • the ceramic member 51a has a central region 5a. In one embodiment, the ceramic member 51a also has an annular region 5b. Note that another member surrounding the electrostatic chuck 51, such as an annular electrostatic chuck or an annular insulating member, may also have the annular region 5b.
  • the ring member R may be disposed on the annular electrostatic chuck or the annular insulating member, or may be disposed on both the electrostatic chuck 51 and the annular insulating member.
  • at least one RF/DC electrode coupled to an RF power source 31 and/or a DC power source 32, described below, may be disposed within the ceramic member 51a.
  • the at least one RF/DC electrode functions as a lower electrode.
  • the RF/DC electrode is also called a bias electrode.
  • the conductive member of the base 50 and at least one RF/DC electrode may function as multiple lower electrodes.
  • the electrostatic electrode 51b may function as a lower electrode. Therefore, the substrate support 11 includes at least one lower electrode.
  • the ring member R includes one or more annular members.
  • the one or more annular members include one or more edge rings ER and at least one cover ring CR.
  • the edge ring ER is formed of a conductive material or an insulating material
  • the cover ring CR is formed of an insulating material.
  • the substrate support 11 may also include a temperature adjustment module configured to adjust at least one of the electrostatic chuck 51, the ring member R, and the substrate to a target temperature.
  • the temperature adjustment module may include a heater, a heat transfer medium, a flow path 50a, or a combination thereof.
  • a heat transfer fluid such as brine or gas flows through the flow path 50a.
  • the flow path 50a is formed in the base 50, and one or more heaters are disposed in the ceramic member 51a of the electrostatic chuck 51.
  • the substrate support 11 may also include a heat transfer gas supply unit configured to supply a heat transfer gas to the gap between the back surface of the substrate W and the central region 5a.
  • the showerhead 13 is configured to introduce at least one processing gas from the gas supply unit 20 into the plasma processing space 10s.
  • the showerhead 13 has at least one gas supply port 13a, at least one gas diffusion chamber 13b, and multiple gas inlets 13c.
  • the processing gas supplied to the gas supply port 13a passes through the gas diffusion chamber 13b and is introduced into the plasma processing space 10s from the multiple gas inlets 13c.
  • the showerhead 13 also includes at least one upper electrode.
  • the gas inlet may also include one or more side gas injectors (SGIs) attached to one or more openings formed in the sidewall 10a.
  • SGIs side gas injectors
  • the gas supply unit 20 may include at least one gas source 21 and at least one flow controller 22.
  • the gas supply unit 20 is configured to supply at least one process gas from a corresponding gas source 21 to the showerhead 13 via a corresponding flow controller 22.
  • Each flow controller 22 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller.
  • the gas supply unit 20 may include at least one flow modulation device that modulates or pulses the flow rate of the at least one process gas.
  • the power supply 30 includes an RF power supply 31 coupled to the plasma processing chamber 10 via at least one impedance matching circuit.
  • the RF power supply 31 is configured to supply at least one RF signal (RF power) to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode. This causes a plasma to be formed from at least one processing gas supplied to the plasma processing space 10s. Therefore, the RF power supply 31 can function as at least a part of the plasma generation unit 12. Furthermore, by supplying a bias RF signal to at least one lower electrode, a bias potential is generated on the substrate W, and ion components in the formed plasma can be attracted to the substrate W.
  • the RF power supply 31 includes a first RF generating unit 31a and a second RF generating unit 31b.
  • the first RF generating unit 31a is coupled to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode via at least one impedance matching circuit and is configured to generate a source RF signal (source RF power) for plasma generation.
  • the source RF signal has a frequency in the range of 10 MHz to 150 MHz.
  • the first RF generating unit 31a may be configured to generate multiple source RF signals having different frequencies. The generated one or more source RF signals are supplied to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode.
  • the second RF generating unit 31b is coupled to at least one lower electrode via at least one impedance matching circuit and is configured to generate a bias RF signal (bias RF power).
  • the frequency of the bias RF signal may be the same as or different from the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a frequency lower than the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a frequency in the range of 100 kHz to 60 MHz.
  • the second RF generating unit 31b may be configured to generate multiple bias RF signals having different frequencies.
  • the generated one or more bias RF signals are supplied to at least one lower electrode.
  • at least one of the source RF signal and the bias RF signal may be pulsed.
  • the power supply 30 may also include a DC power supply 32 coupled to the plasma processing chamber 10.
  • the DC power supply 32 includes a first DC generator 32a and a second DC generator 32b.
  • the first DC generator 32a is connected to at least one lower electrode and configured to generate a first DC signal.
  • the generated first DC signal is applied to the at least one lower electrode.
  • the second DC generator 32b is connected to at least one upper electrode and configured to generate a second DC signal.
  • the generated second DC signal is applied to the at least one upper electrode.
  • the first and second DC signals may be pulsed.
  • a sequence of voltage pulses is applied to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode.
  • the voltage pulses may have a rectangular, trapezoidal, triangular, or combination thereof pulse waveform.
  • a waveform generator for generating a sequence of voltage pulses from the DC signal is connected between the first DC generator 32a and at least one lower electrode.
  • the first DC generator 32a and the waveform generator constitute a voltage pulse generator.
  • the second DC generator 32b and the waveform generator constitute a voltage pulse generator
  • the voltage pulse generator is connected to at least one upper electrode.
  • the voltage pulses may have positive or negative polarity.
  • the sequence of voltage pulses may include one or more positive voltage pulses and one or more negative voltage pulses within one period.
  • the first and second DC generators 32a and 32b may be provided in addition to the RF power supply 31, or the first DC generator 32a may be provided instead of the second RF generator 31b.
  • the exhaust system 40 may be connected to, for example, a gas exhaust port 10e provided at the bottom of the plasma processing chamber 10.
  • the exhaust system 40 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump. The pressure in the plasma processing space 10s is adjusted by the pressure regulating valve.
  • the vacuum pump may include a turbomolecular pump, a dry pump, or a combination thereof.
  • FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view of a substrate support section of a plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment.
  • the substrate support section 11 includes a substrate support surface 51c and a ring support surface 51d.
  • the substrate support surface 51c is configured to support a substrate W.
  • the substrate support surface 51c is a substantially circular surface.
  • the ring support surface 51d is configured to support a ring member R.
  • the ring support surface 51d is an annular surface that extends outside and around the substrate support surface 51c. In one embodiment, the ring support surface 51d is located lower than the substrate support surface 51c.
  • a step is formed between the substrate support surface 51c and the ring support surface 51d.
  • the position of the edge of the substrate support surface 51c may be detected by a position detector PD.
  • the electrostatic chuck 51 includes a substrate support surface 51c and a ring support surface 51d.
  • the electrostatic chuck 51 is configured to electrostatically attract and hold the substrate W on the substrate support surface 51c and the edge ring ER on the ring support surface 51d.
  • the edge ring ER is an example of a ring member R.
  • the edge ring ER has an annular shape.
  • the substrate W is placed within the area surrounded by the edge ring ER.
  • the edge ring ER is formed from a conductive material such as silicon or silicon carbide.
  • the edge ring ER may also be formed from an insulating material such as quartz.
  • the position of the edge ring ER is detected by a position detector PD.
  • the electrostatic chuck 51 has a dielectric portion 51e, a first chuck electrode 51f, and a second chuck electrode 51g.
  • the dielectric portion 51e is formed from a ceramic such as aluminum oxide.
  • the dielectric portion 51e has a generally disk shape and provides a substrate support surface 51c and a ring support surface 51d.
  • the first chuck electrode 51f and the second chuck electrode 51g are disposed within the dielectric portion 51e and below the substrate support surface 51c.
  • the electrostatic chuck 51 When a voltage is applied to the first chuck electrode 51f, the electrostatic chuck 51 generates an electrostatic force to attract and hold the substrate W to the substrate support surface 51c.
  • the second chuck electrode 51g is disposed within the dielectric portion 51e and below the ring support surface 51d.
  • the electrostatic chuck 51 When a voltage is applied to the second chuck electrode 51g, the electrostatic chuck 51 generates an electrostatic force to attract and hold the edge ring ER to the ring support surface 51d.
  • the electrostatic chuck 51 includes a monopolar electrostatic chuck that holds the substrate W and a bipolar electrostatic chuck that holds the edge ring ER.
  • a bipolar electrostatic chuck may be used instead of the monopolar electrostatic chuck
  • a monopolar electrostatic chuck may be used instead of the bipolar electrostatic chuck.
  • a cover ring CR is arranged outside the edge ring ER so as to surround the edge ring ER.
  • the cover ring CR is an example of a ring member R.
  • the cover ring CR has a ring shape.
  • the cover ring CR covers the upper surface of the insulator 27.
  • the cover ring CR is formed from an insulating material such as quartz.
  • the cover ring CR may also be formed from a conductive material such as silicon or silicon carbide.
  • the outer periphery of the edge ring ER is arranged so as to overlap with the inner periphery of the cover ring CR when viewed from above. Furthermore, the outer periphery of the cover ring CR is arranged outside the outer periphery of the edge ring ER and surrounds the outer periphery of the edge ring ER.
  • the substrate support part 11 includes a plurality of lifter pins 71 and a drive part 72.
  • the plurality of lifter pins 71 are configured to be able to protrude upward from the ring support surface 51d.
  • the drive part 72 is configured to move the plurality of lifter pins 71 up and down.
  • the plurality of lifter pins 71 are inserted into a plurality of through holes 71h formed in the base 50 and the insulator 27.
  • the cover ring CR may have a plurality of holes CRh through which the plurality of lifter pins 71 are inserted.
  • the drive part 72 can be, for example, a motor such as a DC motor, stepping motor, or linear motor, an air-driven mechanism such as an air cylinder, or a piezoelectric actuator.
  • the control part MC raises and lowers the plurality of lifter pins 71 when transferring the ring member R between the transport robot TR and the substrate support part 11.
  • the substrate support part 11 may include a plurality of lifter pins 73 and a drive part 74.
  • the plurality of lifter pins 73 are configured to be able to protrude upward from the substrate support surface 51c.
  • the drive part 74 is configured to move the plurality of lifter pins 73 up and down.
  • the plurality of lifter pins 73 are inserted into a plurality of through holes 73h formed in the base 50 and the electrostatic chuck 51, respectively.
  • the drive part 74 can have a similar configuration to the drive part 72.
  • the control part MC raises and lowers the plurality of lifter pins 73 when transferring the substrate W between the transport robot TR and the substrate support part 11.
  • Figure 6 is a diagram schematically illustrating the configuration of a ring member according to one exemplary embodiment.
  • the ring member R provides a plurality of recesses 8 corresponding to the plurality of lifter pins 71.
  • an edge ring ER providing a plurality of recesses 8 will be described as an example of the ring member R.
  • the multiple recesses 8 may be arranged at equal intervals around the circumference of the edge ring ER.
  • the multiple recesses 8 include three or more recesses 8.
  • the multiple recesses 8 include three recesses 8.
  • each of the multiple recesses 8 includes a first width W1 and a second width W2.
  • the first width W1 is aligned along the radial direction D1 of the edge ring ER.
  • the second width W2 is aligned along the circumferential direction D2 of the edge ring ER. As shown in FIG. 6, the first width W1 may be greater than the second width W2.
  • Each of the multiple recesses 8 may have a groove shape extending along the radial direction D1.
  • the first width W1 and the second width W2 are greater than the diameter of the tip 71a of each of the multiple lifter pins 71.
  • Each of the multiple recesses 8 is configured so that the tip 71a of each of the multiple lifter pins 71 is located therein.
  • the first width W1 and the second width W2 may be defined at the opening 8a of each of the multiple recesses 8 or at the bottom surface of each of the multiple recesses 8.
  • the inner surface 80 defining each of the multiple recesses 8 may include a tapered surface 81.
  • the tapered surface 81 widens as it approaches the opening 8a of each of the multiple recesses 8.
  • the inner surface 80 is curved so as to widen as it approaches the opening 8a.
  • the tip 71a of each of the multiple lifter pins 71 is curved along the curved inner surface 80.
  • FIG. 8(a) is an enlarged cross-sectional view perpendicular to the radial direction of one recess according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 8(b) is an enlarged cross-sectional view perpendicular to the circumferential direction of one recess according to another exemplary embodiment.
  • the inner surface 80 in a cross section perpendicular to the radial direction D1, is curved at the rear end 82 farthest from the opening 8a.
  • the inner surface 80 from the opening 8a to the rear end 82 may be a tapered surface 81.
  • the radius of curvature of the rear end 82 is smaller than the radius of curvature of each of the tips 71a of the multiple lifter pins 71.
  • a gap is defined between the rear end 82 of the inner surface 80 and the tips 71a of each of the multiple lifter pins 71.
  • the tip 71a of each of the multiple lifter pins 71 faces the tapered surface 81.
  • Figure 9(a) is an enlarged cross-sectional view perpendicular to the radial direction of one recess according to yet another exemplary embodiment.
  • Figure 9(b) is an enlarged cross-sectional view perpendicular to the circumferential direction of one recess according to yet another exemplary embodiment.
  • the inner surface 80 in a cross section perpendicular to the radial direction D1, includes a tapered surface 81 and a flat surface 83. As described above, the tapered surface 81 widens as it approaches the opening 8a of each of the multiple recesses 8.
  • the flat surface 83 faces the tips 71a of each of the multiple lifter pins 71.
  • the tapered surface 81 and the flat surface 83 are continuous.
  • the tips 71a of each of the multiple lifter pins 71 face the flat surface 83 of the inner surface 80.
  • the tips 71a of each of the multiple lifter pins 71 may be aligned with the flat surface 83 of the inner surface 80.
  • FIG. 10(a) is an enlarged cross-sectional view perpendicular to the radial direction of one recess according to yet another exemplary embodiment.
  • FIG. 10(b) is an enlarged cross-sectional view perpendicular to the circumferential direction of one recess according to yet another exemplary embodiment.
  • the inner surface 80 in a cross section perpendicular to the radial direction D1, includes a tapered surface 81, a flat surface 84, and an inner wall surface 85.
  • the tapered surface 81 widens as it approaches the opening 8a of each of the multiple recesses 8.
  • the flat surface 84 faces the tips 71a of each of the multiple lifter pins 71.
  • the tips 71a of each of the multiple lifter pins 71 may be aligned with the flat surface 84 of the inner surface 80.
  • the inner wall surface 85 connects the tapered surface 81 and the flat surface 84.
  • the inner wall surface 85 extends in the direction in which the multiple lifter pins 71 move. In the example shown in Figure 10(a), the inner wall surface 85 extends in the vertical direction.
  • FIG. 11 is a flow chart of a method for teaching a transport robot according to one exemplary embodiment.
  • the method for teaching a transport robot is performed using a substrate processing system PS.
  • An example of a method for teaching a transport robot (hereinafter referred to as "method MT") will be described below with reference to FIG. 11.
  • the controller MC is configured to execute the method MT.
  • the method MT may also be performed using a substrate processing system other than the substrate processing system PS.
  • teaching is performed on the transport robot TR of the transport module VTM.
  • a path for the transport robot TR to transport the substrate W during substrate processing is taught.
  • a dummy substrate may be used instead of the substrate W.
  • an edge ring ER is used as an example of a ring member R.
  • Method MT is started after the edge ring ER is placed on the ring support surface 51d.
  • the edge ring ER may be placed on the ring support surface 51d by an operator.
  • method MT may include process ST1.
  • method MT starts from process ST1.
  • process ST1 the processing space 10s is depressurized.
  • the controller MC may control the exhaust system 40 to depressurize the processing space 10s. Because method MT starts from process ST1, any misalignment of the edge ring ER and/or the substrate W caused by the depressurization of the processing space 10s is eliminated in a subsequent process.
  • process ST2 is performed.
  • the edge ring ER which is arranged on the ring support surface 51d, is lifted from the ring support surface 51d by the multiple lifter pins 71, and the multiple lifter pins 71 are moved upward to self-guidate the edge ring ER so that the tips of the multiple lifter pins 71 are respectively positioned within the multiple recesses 8.
  • the control unit MC may control the drive unit 72 to move the multiple lifter pins 71 upward.
  • Process ST2 corrects the positional deviation of the edge ring ER, which is arranged on the ring support surface 51d, to a position defined by the multiple lifter pins 71 and the multiple recesses 8 of the edge ring ER.
  • process ST3 is performed.
  • the multiple lifter pins 71 are moved downward to lower the edge ring ER, which has been lifted by the multiple lifter pins 71, onto the ring support surface 51d.
  • the control unit MC may control the drive unit 72 to move the multiple lifter pins 71 downward.
  • each of steps ST2 and ST3 may be performed multiple times.
  • the control unit MC may control the drive unit 72 to alternately repeat the operation of lifting the edge ring ER from the ring support surface 51d and the operation of lowering the edge ring ER to the ring support surface 51d. This can eliminate any misalignment of the edge ring ER on the ring support surface 51d that is not eliminated by a single execution of steps ST2 and ST3.
  • step ST4 is performed.
  • step ST4 the position of the edge ring ER arranged on the ring support surface 51d is detected by the position detector PD.
  • step ST4 may include step ST41.
  • step ST41 the center position of the edge ring ER is estimated from the position of the edge ring ER detected by the position detector PD.
  • the center position of the edge ring ER may be estimated based on the edges of two or more edge rings ER detected by a pair of distance sensors FS1, FS2 and the pre-stored diameter of the edge ring ER.
  • the center position of the edge ring ER may be estimated from the circumcenter of a triangle based on the edges of three or more edge rings ER detected by the pair of distance sensors FS1, FS2.
  • the edge of the edge ring ER may be the inner edge of the edge ring ER or the outer edge of the edge ring ER.
  • method MT may include steps ST42 and ST43.
  • step ST42 the center position of the substrate support surface 51c is estimated from the position of the edge of the substrate support surface 51c detected by the position detector PD.
  • the center position of the substrate support surface 51c may be estimated based on the edges of two or more substrate support surfaces 51c detected by a pair of distance sensors FS1 and FS2 and the diameter of the substrate support surface 51c that has been stored in advance.
  • the center position of the substrate support surface 51c may be estimated from the circumcenter of a triangle based on the edges of three or more substrate support surfaces 51c detected by the pair of distance sensors FS1 and FS2.
  • step ST43 the deviation between the center position of the edge ring ER estimated in step ST41 and the center position of the substrate support surface 51c estimated in step ST42 is obtained.
  • steps ST2, ST3, ST41, ST42, and ST43 may be repeated at least once.
  • steps ST2, ST3, ST41, ST42, and ST43 are repeated.
  • step ST5 if the deviation in step ST43 is greater than the threshold, step ST5 is executed to issue a warning. In the example shown in FIG. 11, if the determination in step ST43 is "NO" and the number of times the determination in step ST43 is "NO" before the end of method MT is more than three (n>3), step ST5 is executed. Method MT ends after step ST5.
  • process ST6 may be performed after process ST3.
  • process ST6 the edge ring ER on the ring support surface 51d is held by the electrostatic chuck 51.
  • the controller MC may be configured to control the electrostatic chuck 51 to hold the edge ring ER on the ring support surface 51d.
  • process ST6 is performed after process ST43 if the determination in process ST43 is "YES.”
  • step ST7 is performed.
  • the substrate W supported on the end effectors FK11 and FK12 is transported to the substrate support surface 51c based on the position of the edge ring ER detected by the position detector PD.
  • the controller MC may be configured to control the transport module VTM to transport the substrate W to the substrate support surface 51c.
  • Step ST7 may include steps ST71, ST72, and ST73.
  • step ST71 the substrate W is placed on lifter pins 73 protruding above the substrate support surface 51c based on the position of the edge ring ER detected by the position detector PD.
  • the multiple lifter pins 73 are moved downward to lower the substrate W placed on the multiple lifter pins 73 onto the substrate support surface 51c.
  • the position of the substrate W lowered to the substrate support surface 51c in step ST72 is detected by the position detector PD.
  • step ST7 may include step ST7a.
  • step ST7a the substrate W is transported so that the center position of the substrate W estimated from the positions of the end effectors FK11 and FK12 coincides with the center position of the edge ring ER estimated in step ST41.
  • the center position of the substrate W is estimated from the coordinate positions of the end effectors FK11 and FK12 in the transport module VTM.
  • the controller MC may be configured to control the transport module VTM so that the center position of the substrate W coincides with the center position of the edge ring ER.
  • step ST73 the center position of the substrate W may be estimated.
  • step ST73 the deviation between the center position of the substrate W and the center position of the edge ring ER and/or the substrate support surface 51c may be obtained.
  • the method MT ends.
  • the position detector may be a contact sensor or a non-contact sensor.
  • a distance sensor is an example of a non-contact sensor.
  • the position detector may be an imaging element.
  • the imaging element may be located within the chamber 10.
  • the control unit is configured to execute a step of depressurizing the processing space before (a).
  • the substrate processing system according to E1.
  • control unit is configured to execute each of (a) and (b) multiple times;
  • [E4] includes the step of: (c1) estimating a center position of the ring member from the position of the ring member detected by the position detector; (d) includes the step of (d1) controlling the transfer module so that a center position of the substrate estimated from a position of the end effector coincides with the center position of the ring member estimated in (c1);
  • the substrate processing system according to any one of E1 to E3.
  • the ring support surface is positioned lower than the substrate support surface; the position detector is configured to detect an edge of the substrate support surface; The control unit (c2) estimating a center position of the substrate support surface from the position of the edge of the substrate support surface detected by the position detector; (c3) acquiring a deviation between the center position of the ring member estimated in (c1) and the center position of the substrate support surface estimated in (c2); configured to run The substrate processing system according to E4.
  • control unit when the deviation is greater than a threshold value in (c3), the control unit is configured to repeat (a), (b), (c1), (c2), and (c3) at least once.
  • control unit is configured to issue a warning when the deviation is greater than a threshold value.
  • the substrate processing system according to E5 or E6.
  • the substrate support includes the substrate support surface and the ring support surface, and has an electrostatic chuck configured to hold the substrate on the substrate support surface and the ring member on the ring support surface, respectively;
  • the position detector includes a pair of distance sensors;
  • the end effector a main body; a pair of tip portions protruding from the main body portion; A gap is defined between the pair of tip portions,
  • the pair of distance sensors are respectively disposed at the pair of tip portions.
  • the substrate processing system according to any one of E1 to E8.
  • the substrate support further comprises the ring member;
  • the substrate processing system according to any one of E1 to E9.
  • the plurality of recesses includes three or more recesses.
  • the substrate processing system according to any one of E1 to E10.
  • Each of the plurality of recesses is a first radial width of the ring member; a second width along the circumferential direction of the ring member; It contains The first width is greater than the second width.
  • an inner surface defining each of the plurality of recesses includes a tapered surface that widens toward the opening of each of the plurality of recesses;
  • an inner surface defining each of the plurality of recesses is curved so as to widen toward an opening of each of the plurality of recesses,
  • the tip of each of the plurality of lifter pins is curved along the inner surface.
  • an inner surface defining each of the plurality of recesses is curved at an innermost portion farthest from an opening of each of the plurality of recesses, In the cross section, the radius of curvature of the deepest portion is smaller than the radius of curvature of the tip end of each of the plurality of lifter pins.
  • an inner surface defining each of the plurality of recesses includes a flat surface facing the tip end of each of the plurality of lifter pins; The tapered surface and the flat surface are continuous.
  • the substrate processing system according to any one of E13 to E15.
  • the inner surface defining each of the plurality of recesses comprises: a flat surface facing the tip end of each of the plurality of lifter pins; an inner wall surface extending along a direction in which the plurality of lifter pins move and connecting the tapered surface and the flat surface; Including, The substrate processing system according to any one of E13 to E16.
  • a method for teaching a transfer robot executed in a substrate processing system comprising: The substrate processing system includes: a chamber providing a processing space therein; a substrate support disposed within the processing space, The substrate support includes: a substrate support surface configured to support a substrate; a ring support surface extending around the substrate support surface and configured to support a ring member; a plurality of lifter pins configured to be able to protrude upward from the ring support surface, the ring member provides a plurality of recesses;
  • the teaching method for the transport robot includes: (a) moving the plurality of lifter pins upward to lift the ring member disposed on the ring support surface from the ring support surface by the plurality of lifter pins, thereby self-guiding the ring member so that the tips of the plurality of lifter pins are positioned within the plurality of recesses; (b) moving the plurality of lifter pins downward to lower the ring member lifted by the plurality of lifter pins onto the ring support surface after (a
  • E18 may be performed using a substrate processing system described in any one of E1 to E17.
  • 1...plasma processing apparatus 8, 8A, 8B, 8C...recess, 8a...opening, 10...chamber, 10s...processing space, 11...substrate support portion, 51...electrostatic chuck, 51c...substrate support surface, 51d...ring support surface, 71, 73...lifter pin, 71a, FSa...tip, 80...inner surface, 81...tapered surface, 82...rear portion, 83, 84...flat surface, 85...inner wall surface, D1...radial direction, D2...circumferential direction, FK11, FK12, FK31...end effector, FKB...tip portion, FKM...main body, FS1, FS2...distance sensor, MC...controller, PD...position detector, PS...substrate processing system, R...ring member, VTM...transfer module, W...substrate, W1...first width, W2...second width.

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一つの例示的実施形態において、基板処理システムが提供される。制御部は、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）を実行するように構成されている。（ａ）は、リング支持面上に配置されたリング部材を持ち上げることにより複数の凹部内に複数のリフタピンの先端がそれぞれ位置するようリング部材を自己的に案内させるために、複数のリフタピンを上方に移動させる工程を含む。（ｂ）は、持ち上げられたリング部材をリング支持面に降ろすために、複数のリフタピンを下方に移動させる工程を含む。（ｃ）は、リング部材の位置を位置検出器によって検出する工程を含む。（ｄ）は、リング部材の位置に基づいて基板を基板支持面に搬送する工程を含む。

Description

基板処理システム及び搬送ロボットのティーチング方法
　本開示の例示的実施形態は、基板処理システム及び搬送ロボットのティーチング方法に関するものである。
　基板にプラズマ処理等の各種処理を施すことが可能な基板処理システムが知られている。基板処理システムは、プロセスモジュール及び搬送モジュールを備える。プロセスモジュールは、チャンバ及び基板支持部を有する。基板支持部は、チャンバ内に設けられており、その上に配置される基板を支持する。下記の特許文献１は、カメラを用いて基板支持部上に配置された基板の位置を調整する。
特表２０２２－５２００３８号公報
　本開示は、基板の位置のずれを低減する技術を提供する。
　一つの例示的実施形態において、基板処理システムが提供される。基板処理システムは、チャンバ、基板支持部、搬送モジュール、制御部、及び位置検出器を備える。チャンバは、内部に処理空間を提供する。基板支持部は、処理空間内に配置されている。搬送モジュールは、エンドエフェクタを有する。エンドエフェクタは、基板を支持するように構成されている。搬送モジュールは、処理空間に基板を搬送するように構成された搬送ロボットを含む。制御部は、基板支持部及び搬送モジュールを制御するように構成されている。基板支持部は、基板支持面、リング支持面、複数のリフタピン、及び駆動部を有する。基板支持面は、基板を支持するように構成されている。リング支持面は、基板支持面を囲むように延在し、リング部材を支持するように構成されている。複数のリフタピンは、リング支持面から上方に突き出し可能に構成されている。駆動部は、複数のリフタピンを上下に移動させるように構成されている。リング部材は、複数のリフタピンにそれぞれ対応する複数の凹部を提供する。位置検出器は、リング支持面上に配置されたリング部材の位置を検出するように構成されている。制御部は、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）を実行するように構成されている。（ａ）は、リング支持面上に配置されたリング部材を複数のリフタピンによりリング支持面から持ち上げることにより複数の凹部内に複数のリフタピンの先端がそれぞれ位置するようリング部材を自己的に案内させるために、複数のリフタピンを上方に移動させるよう駆動部を制御する工程を含む。（ｂ）は、（ａ）の後にリフタピンによって持ち上げられたリング部材をリング支持面に降ろすために、複数のリフタピンを下方に移動させるよう駆動部を制御する工程を含む。（ｃ）は、（ｂ）の後に、リング支持面上に配置されたリング部材の位置を位置検出器によって検出する工程を含む。（ｄ）は、（ｃ）の後に、位置検出器によって検出されたリング部材の位置に基づいてエンドエフェクタ上に支持された基板を基板支持面に搬送するよう搬送モジュールを制御する工程を含む。
　一つの例示的実施形態によれば、基板が載置される位置のずれが低減される。
一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。 一つの例示的実施形態に係るエンドエフェクタを示す図である。 容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。 一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の基板支持部の部分拡大断面図である。 一つの例示的実施形態に係るリング部材の構成を概略的に示す図である。 図７の（ａ）は、一つの例示的実施形態に係る一つの凹部の径方向と直交する拡大断面図である。図７の（ｂ）は、一つの例示的実施形態に係る一つの凹部の周方向と直交する拡大断面図である。 図８の（ａ）は、別の例示的実施形態に係る一つの凹部の径方向と直交する拡大断面図である。図８の（ｂ）は、別の例示的実施形態に係る一つの凹部の周方向と直交する拡大断面図である。 図９の（ａ）は、更に別の例示的実施形態に係る一つの凹部の径方向と直交する拡大断面図である。図９の（ｂ）は、更に別の例示的実施形態に係る一つの凹部の周方向と直交する拡大断面図である。 図１０の（ａ）は、更に別の例示的実施形態に係る一つの凹部の径方向と直交する拡大断面図である。図１０の（ｂ）は、更に別の例示的実施形態に係る一つの凹部の周方向と直交する拡大断面図である。 一つの例示的実施形態に係る搬送ロボットのティーチング方法の流れ図である。
　以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
　図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。図１に示すように、基板処理システムＰＳは、搬送モジュールＶＴＭ、位置検出器ＰＤ、制御部ＭＣ、及び複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６を備える。一実施形態において、基板処理システムＰＳは、ローダモジュールＬＭ、及び少なくとも一つのロードロックモジュールを更に備えてもよい。基板処理システムＰＳは、少なくとも一つのロードロックモジュールとして、二つのロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２を備えている。基板処理システムＰＳは、少なくとも一つのロードポート、基板検査モジュールＣＭ、アライナＡＮ、及びストレージＳＲを更に備えてもよい。基板処理システムＰＳは、少なくとも一つのロードポートとして、四つのロードポートＬＰ１～ＬＰ４を備えている。
　ローダモジュールＬＭは、大気搬送モジュールの一例である。一実施形態において、ローダモジュールＬＭは、搬送チャンバＡＣＨを含んでいる。搬送チャンバＡＣＨは、別の搬送チャンバの一例である。ローダモジュールＬＭの搬送チャンバＡＣＨ内の圧力は、大気圧に設定され得る。ローダモジュールＬＭは、ＦＦＵ（Ｆａｎ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｕｎｉｔ）を有していてもよい。ローダモジュールＬＭは、例えばＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ　Ｍｏｄｕｌｅ）である。ローダモジュールＬＭは、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４の各々とロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々との間に配置されている。ロードポートＬＰ１～ＬＰ４は、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った一対の縁部のうち一方に沿って配列されている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った一対の縁部のうち他方に沿って配列されている。ロードポートＬＰ１～ＬＰ４の各々は、その上に載置されるカセットＣＳＴを支持するように構成されている。カセットＣＳＴは、その中に複数の基板Ｗを収容する容器である。カセットＣＳＴは、例えばＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ－Ｏｐｅｎｉｎｇ　Ｕｎｉｆｉｅｄ　Ｐｏｄ）である。
　一実施形態において、ローダモジュールＬＭは、搬送ロボットＴＲ３を含んでいる。搬送ロボットＴＲ３は、別の搬送ロボットの一例である。搬送ロボットＴＲ３は、ローダモジュールＬＭの搬送チャンバＡＣＨの中に設けられている。搬送ロボットＴＲ３は、多関節アームＡＲ３１及びエンドエフェクタＦＫ３１を含んでいてもよい。エンドエフェクタＦＫ３１は、多関節アームＡＲ３１の先端に取り付けられている。エンドエフェクタＦＫ３１は、基板Ｗを支持するように構成されている。搬送ロボットＴＲ３は、搬送チャンバＡＣＨを介して基板Ｗを搬送するように構成されている。例えば、搬送ロボットＴＲ３は、後述する制御部ＭＣが出力する動作指示に基づいて基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＴＲ３は、基板Ｗを、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４のうち少なくとも一つの上に載置されるカセットＣＳＴ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、アライナＡＮ、及びストレージＳＲのうち何れか二つの間で基板Ｗを搬送する。
　アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭの短手方向に沿った一対の縁部のうち一方に沿って配置されている。アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った縁部に沿って配置されていてもよい。また、アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭの搬送チャンバＡＣＨの中に配置されていてもよい。アライナＡＮは、ステージ、光学センサ等を有する。アライナＡＮのステージは、回転可能であり、その上に載置される基板Ｗを支持する。アライナＡＮは、ステージ上での基板Ｗのマーカー（例えばノッチ）の角度位置及びステージ上での基板Ｗの中心位置を、光学センサを用いて検出する。制御部ＭＣは、基板Ｗの角度位置のずれ量を補正するように、ステージ上での基板Ｗのマーカー（例えばノッチ）の角度位置を基準角度位置に補正するよう、アライナＡＮのステージの回転を制御する。また、制御部ＭＣは、エンドエフェクタＦＫ３１の所定位置上に基板Ｗの中心を位置させるために、アライナＡＮから基板ＷをエンドエフェクタＦＫ３１上に受け取る際のエンドエフェクタＦＫ３１の位置を制御する。
　ストレージＳＲは、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った縁部に沿って配置されている。ストレージＳＲは、ローダモジュールＬＭの短手方向に沿った縁部に沿って配置されていてもよい。また、ストレージＳＲは、ローダモジュールＬＭの内部に設けられていてもよい。ストレージＳＲは、基板Ｗをその中に収容するように構成されている。
　基板検査モジュールＣＭは、ローダモジュールＬＭ又は搬送モジュールＶＴＭの内部に設けられていてもよい。基板検査モジュールＣＭは、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４の下方において、ローダモジュールＬＭに接続されていてもよい。基板検査モジュールＣＭは、上記の場所に限定されず、任意の場所に設置され得る。基板検査モジュールＣＭは、基板Ｗの画像を取得するように構成されている。
　一実施形態において、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、ローダモジュールＬＭに接続される。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々とローダモジュールＬＭは、ゲートバルブＧ３を介して接続されていてもよい。図１に示す例では、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々と搬送モジュールＶＴＭは、ゲートバルブＧ２を介して接続されている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々は、搬送モジュールＶＴＭとローダモジュールＬＭとの間に配置されていてもよい。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々は、予備減圧室を提供している。
　搬送モジュールＶＴＭは、少なくとも一つの搬送チャンバ及び少なくとも一つの搬送ロボットを有している。図１に示す例では、搬送モジュールＶＴＭは、少なくとも一つの搬送チャンバ及び少なくとも一つの搬送ロボットとして、搬送チャンバＶＣＨ及び搬送ロボットＴＲを有している。搬送チャンバＶＣＨは、減圧可能に構成される。搬送ロボットＴＲは、搬送チャンバＶＣＨを介して基板Ｗを搬送するように構成されている。
　複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６は、各々が、チャンバ１０及び基板支持部１１を有している（図３参照）。チャンバ１０は、内部に処理空間を提供する。チャンバ１０は、搬送モジュールＶＴＭに接続されている。図１に示す例では、搬送モジュールＶＴＭには、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６がゲートバルブＧ１を介して接続されている。搬送ロボットＴＲは、処理空間１０ｓに基板Ｗを搬送するように構成されている。
　搬送ロボットＴＲは、多関節アームＡＲ１１，ＡＲ１２及びエンドエフェクタＦＫ１１,ＦＫ１２を含んでいてもよい。エンドエフェクタＦＫ１１は、多関節アームＡＲ１１の先端に取り付けられており、基板Ｗを支持するように構成されている。エンドエフェクタＦＫ１２は、多関節アームＡＲ１２の先端に取り付けられており、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。例えば、搬送ロボットＴＲは、後述する制御部ＭＣが出力する動作指示に基づいて基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＴＲは、エンドエフェクタＦＫ１１，ＦＫ１２によって基板Ｗを支持する。搬送ロボットＴＲは、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、及びプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６とのパスの間で、基板Ｗを搬送するように構成されている。一実施形態において、リング部材Ｒは、エッジリングＥＲ（フォーカスリング）又はカバーリングＣＲである。エッジリングＥＲは、基板支持部１１上で基板Ｗを囲むように用いられる。カバーリングＣＲは、エッジリングＥＲを囲むように用いられる。エッジリングＥＲ及びカバーリングＣＲの詳細については、後述する。
　一実施形態において、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々は、基板Ｗに対して専用の処理を行うように構成されている。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち少なくとも一つは、後述するプラズマ処理装置１のような基板処理装置である。
　制御部ＭＣは、基板処理システムＰＳの各部を制御するように構成されている。制御部ＭＣは、プロセッサ、記憶装置、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり得る。制御部ＭＣは、記憶装置に記憶されている制御プログラムを実行し、当該記憶装置に記憶されているレシピデータに基づいて基板処理システムＰＳの各部を制御する。後述する種々の例示的実施形態に係る搬送方法は、制御部ＭＣによる基板処理システムＰＳの各部の制御により、基板処理システムＰＳにおいて実行される。制御部ＭＣは、搬送モジュールＶＴＭ及び基板支持部１１を制御するように構成されている。制御部ＭＣは、位置検出器ＰＤと接続されていてもよい。
　図２は、一つの例示的実施形態に係るエンドエフェクタを示す図である。エンドエフェクタは、搬送用フォーク又は搬送用ピックとも称される。図２は、一例として、エンドエフェクタＦＫ１１の構成を示しているが、エンドエフェクタＦＫ１２の構成であってもよい。エンドエフェクタＦＫ１１は、基板Ｗが支持される方向から見て、馬蹄鉄形状を有する。一実施形態において、エンドエフェクタＦＫ１１は、本体部ＦＫＭ及び一対の先端部ＦＫＢを含む。一対の先端部ＦＫＢは、本体部ＦＫＭから突出している。一対の先端部ＦＫＢの間には空隙が画成される。基板Ｗは、その中心軸線が該空隙を通過するようにエンドエフェクタＦＫ１１上に支持される。
　一実施形態において、位置検出器ＰＤは、一対の距離センサＦＳ１，ＦＳ２を含む。一対の距離センサＦＳ１，ＦＳ２は、搬送モジュールＶＴＭ及び／又は制御部ＭＣに接続されていてもよい。一例において、距離センサＦＳ１，ＦＳ２は、光ファイバ変位センサである。一実施形態において、一対の距離センサＦＳ１，ＦＳ２は、一対の先端部ＦＫＢにそれぞれ配置される。一対の先端部ＦＫＢには、一対の距離センサＦＳ１，ＦＳ２の各々の先端ＦＳａが位置する。
　距離センサＦＳ１，ＦＳ２の各々は、その先端ＦＳａと対象物との間の距離を測定する。距離センサＦＳ１，ＦＳ２の各々は、その先端ＦＳａを介して、測定光を対象物に出射し、反射光を受光する。距離センサＦＳ１，ＦＳ２に接続されたユニットコントローラ（図示せず）が、先端ＦＳａから対象物までの距離を測定する。該ユニットコントローラは、搬送モジュールＶＴＭ又は制御部ＭＣの一部であってもよい。距離センサＦＳ１，ＦＳ２の先端ＦＳａは、エンドエフェクタＦＫ１１の下方に向かって、測定光を照射するように配置されている。一例において、エンドエフェクタＦＫ１１を水平方向に移動させているときに距離センサＦＳ１，ＦＳ２の先端ＦＳａと対象物との間の距離が近接した場合には、位置検出器ＰＤは、対象物の水平方向での位置を検出する。対象物の位置として、距離センサＦＳ１，ＦＳ２の各々の先端ＦＳａと対象物との間の距離が近接したときの距離センサＦＳ１，ＦＳ２の各々の先端ＦＳａの搬送モジュールＶＴＭにおける座標が取得されてもよい。
　以下、図３及び図４を参照する。図３に示すプラズマ処理システムは、基板処理システムＰＳの一部として採用され得る。図４に示すプラズマ処理装置の一例は、プロセスモジュールＰＭ１～１２のうち少なくとも一つのプロセスモジュールとして採用される。
　図３は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
　プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ　Ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。制御部２は、制御部ＭＣを兼ねていてもよい。
　以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図４は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
　容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
　基板支持部１１は、本体部５を含む。一実施形態において、基板支持部は、リング部材Ｒを含んでいてもよい。本体部５は、基板Ｗを支持するための中央領域５ａと、リング部材Ｒを支持するための環状領域５ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部５の環状領域５ｂは、平面視で本体部５の中央領域５ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部５の中央領域５ａ上に配置され、リング部材Ｒは、本体部５の中央領域５ａ上の基板Ｗを囲むように本体部５の環状領域５ｂ上に配置される。従って、中央領域５ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域５ｂは、リング部材Ｒを支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
　一実施形態において、本体部５は、基台５０及び静電チャック５１を含む。基台５０は、導電性部材を含む。基台５０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック５１は、基台５０の上に配置される。静電チャック５１は、セラミック部材５１ａとセラミック部材５１ａ内に配置される静電電極５１ｂとを含む。セラミック部材５１ａは、中央領域５ａを有する。一実施形態において、セラミック部材５１ａは、環状領域５ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック５１を囲む他の部材が環状領域５ｂを有してもよい。この場合、リング部材Ｒは、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック５１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材５１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台５０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極５１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
　リング部材Ｒは、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングＥＲと少なくとも１つのカバーリングＣＲとを含む。エッジリングＥＲは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングＣＲは、絶縁材料で形成される。
　また、基板支持部１１は、静電チャック５１、リング部材Ｒ及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路５０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路５０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路５０ａが基台５０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック５１のセラミック部材５１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域５ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ　Ｇａｓ　Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。
　電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
　一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
　また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
　種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
　以下、図５を参照する。図５は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の基板支持部の部分拡大断面図である。基板支持部１１は、基板支持面５１ｃ及びリング支持面５１ｄを含んでいる。基板支持面５１ｃは、基板Ｗを支持するように構成されている。基板支持面５１ｃは、略円形の面である。リング支持面５１ｄは、リング部材Ｒを支持するように構成されている。リング支持面５１ｄは、基板支持面５１ｃの外側で、基板支持面５１ｃの周りで延びる環状の面である。一実施形態において、リング支持面５１ｄは、基板支持面５１ｃよりも低く位置する。基板支持面５１ｃとリング支持面５１ｄとの間には段差が形成される。一実施形態において、基板支持面５１ｃのエッジの位置は、位置検出器ＰＤによって検出されてもよい。
　静電チャック５１は、基板支持面５１ｃ及びリング支持面５１ｄを含んでいる。静電チャック５１は、基板支持面５１ｃ上の基板Ｗ及びリング支持面５１ｄ上のエッジリングＥＲをそれぞれ静電吸着して保持するように構成されている。エッジリングＥＲは、リング部材Ｒの一例である。エッジリングＥＲは、環形状を有する。基板Ｗは、エッジリングＥＲによって囲まれた領域内に配置される。エッジリングＥＲは、例えば、シリコン、炭化ケイ素のような導電性材料から形成される。エッジリングＥＲは、石英のような絶縁材料から形成されていてもよい。エッジリングＥＲの位置は、位置検出器ＰＤによって検出される。
　静電チャック５１は、誘電体部５１ｅ、第１チャック電極５１ｆ、及び第２チャック電極５１ｇを有する。誘電体部５１ｅは、酸化アルミニウムのようなセラミックから形成されている。誘電体部５１ｅは、略円盤形状を有しており、基板支持面５１ｃ及びリング支持面５１ｄを提供している。
　第１チャック電極５１ｆ及び第２チャック電極５１ｇは、誘電体部５１ｅの中、且つ、基板支持面５１ｃの下方に配置されている。第１チャック電極５１ｆに電圧が印加されると、静電チャック５１は、静電引力を発生して、基板Ｗを基板支持面５１ｃに引き付けて保持する。第２チャック電極５１ｇは、誘電体部５１ｅの中、且つ、リング支持面５１ｄの下方に配置されている。第２チャック電極５１ｇに電圧が印加されると、静電チャック５１は、静電引力を発生して、エッジリングＥＲをリング支持面５１ｄに引き付けて保持する。なお、図示された例では、静電チャック５１は、基板Ｗを保持する単極型静電チャックと、エッジリングＥＲを保持する双極型静電チャックを含んでいる。ただし、単極型静電チャックに代えて双極型静電チャックを用いてもよく、双極型静電チャックに代えて単極型静電チャックを用いてもよい。
　エッジリングＥＲの外側には、エッジリングＥＲを囲むように、カバーリングＣＲが配置される。カバーリングＣＲは、リング部材Ｒの一例である。カバーリングＣＲは、環形状を有する。カバーリングＣＲは、絶縁体２７の上面を覆っている。カバーリングＣＲは、例えば石英等の絶縁材料から形成される。カバーリングＣＲは、シリコン、炭化ケイ素のような導電性材料から形成されていてもよい。エッジリングＥＲの外周部は、その上方から視た場合に、カバーリングＣＲの内周部と重なるように配置されている。また、カバーリングＣＲの外周部は、エッジリングＥＲの外周部の外側に配置されており、エッジリングＥＲの外周部を囲んでいる。
　基板支持部１１は、複数のリフタピン７１及び駆動部７２を含んでいる。複数のリフタピン７１は、リング支持面５１ｄから上方に突き出し可能に構成されている。駆動部７２は、複数のリフタピン７１を上下に移動させるように構成されている。複数のリフタピン７１はそれぞれ、基台５０及び絶縁体２７に形成された複数の貫通孔７１ｈに挿入されている。カバーリングＣＲは、複数のリフタピン７１がそれぞれ挿通される複数の孔ＣＲｈを提供してもよい。駆動部７２としては、例えばＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等のモータ、エアシリンダ等のエア駆動機構等、ピエゾアクチュエータを利用することができる。制御部ＭＣは、搬送ロボットＴＲと基板支持部１１との間でリング部材Ｒを受け渡すときに、複数のリフタピン７１を昇降させる。
　一実施形態において、基板支持部１１は、複数のリフタピン７３及び駆動部７４を含んでいてもよい。複数のリフタピン７３は、基板支持面５１ｃから上方に突き出し可能に構成されている。駆動部７４は、複数のリフタピン７３を上下に移動させるように構成されている。複数のリフタピン７３はそれぞれ、基台５０及び静電チャック５１に形成された複数の貫通孔７３ｈに挿入されている。駆動部７４としては、駆動部７２の構成と同様のものを利用することができる。制御部ＭＣは、搬送ロボットＴＲと基板支持部１１との間で基板Ｗを受け渡すときに、複数のリフタピン７３を昇降させる。
　以下、図６、図７の（ａ）及び図７の（ｂ）を参照する。図６は、一つの例示的実施形態に係るリング部材の構成を概略的に示す図である。リング部材Ｒは、複数のリフタピン７１にそれぞれ対応する複数の凹部８を提供する。以下では、リング部材Ｒの一例として、複数の凹部８を提供するエッジリングＥＲについて説明する。複数の凹部８は、エッジリングＥＲの周上において等間隔で配置されていてもよい。一実施形態において、複数の凹部８は、三つ以上の凹部８を含んでいる。図６に示す例では、複数の凹部８は、三つの凹部８を含んでいる。
　一実施形態において、複数の凹部８の各々は、第１の幅Ｗ１及び第２の幅Ｗ２を含んでいる。第１の幅Ｗ１は、エッジリングＥＲの径方向Ｄ１に沿っている。第２の幅Ｗ２は、エッジリングＥＲの周方向Ｄ２に沿っている。図６に示すように、第１の幅Ｗ１は、第２の幅Ｗ２よりも大きくてもよい。複数の凹部８の各々は、径方向Ｄ１に沿って延びる溝形状を有し得る。第１の幅Ｗ１及び第２の幅Ｗ２は、複数のリフタピン７１の各々の先端７１ａの直径よりも大きい。複数の凹部８の各々は、その中に複数のリフタピン７１の各々の先端７１ａが位置するように構成される。なお、第１の幅Ｗ１及び第２の幅Ｗ２は、複数の凹部８の各々の開口８ａにおいて規定されてもよく、複数の凹部８の各々の底面において規定されてもよい。
　図７の（ａ）は、一つの例示的実施形態に係る一つの凹部の径方向と直交する拡大断面図である。図７の（ｂ）は、一つの例示的実施形態に係る一つの凹部の周方向と直交する拡大断面図である。一実施形態において、複数の凹部８の各々を画成する内面８０は、テーパ面８１を含んでいてもよい。テーパ面８１は、複数の凹部８の各々の開口８ａに近いほど広がっている。一実施形態では、図７の（ａ）に示すように、径方向Ｄ１と直交する断面において、内面８０は、開口８ａに近いほど広がるよう湾曲している。複数のリフタピン７１の各々の先端７１ａは、湾曲する内面８０に沿って湾曲している。
　以下、図８の（ａ）及び図８の（ｂ）を参照して、別の例示的実施形態に係る複数の凹部８Ａについて説明する。図８の（ａ）は、別の例示的実施形態に係る一つの凹部の径方向と直交する拡大断面図である。図８の（ｂ）は、別の例示的実施形態に係る一つの凹部の周方向と直交する拡大断面図である。別の実施形態では、図８の（ａ）に示すように、径方向Ｄ１と直交する断面において、内面８０は、開口８ａから最も離れた奥部８２において湾曲している。一実施形態において、開口８ａから奥部８２までの内面８０は、テーパ面８１であってもよい。径方向Ｄ１と直交する断面において、奥部８２の曲率半径は、複数のリフタピン７１の各々の先端７１ａの曲率半径よりも小さい。複数の凹部８Ａでは、内面８０の奥部８２と、複数のリフタピン７１の各々の先端７１ａとの間に空隙が画成される。複数の凹部８Ａでは、複数のリフタピン７１の各々の先端７１ａは、テーパ面８１に面している。
　以下、図９の（ａ）及び図９の（ｂ）を参照して、更に別の例示的実施形態に係る複数の凹部８Ｂについて説明する。図９の（ａ）は、更に別の例示的実施形態に係る一つの凹部の径方向と直交する拡大断面図である。図９の（ｂ）は、更に別の例示的実施形態に係る一つの凹部の周方向と直交する拡大断面図である。更に別の実施形態では、図９の（ａ）に示すように、径方向Ｄ１と直交する断面において、内面８０は、テーパ面８１及び平面８３を含んでいる。上述のように、テーパ面８１は、複数の凹部８の各々の開口８ａに近いほど広がっている。平面８３は、複数のリフタピン７１の各々の先端７１ａと互いに対向する。テーパ面８１と平面８３とは連続している。複数の凹部８Ｂでは、複数のリフタピン７１の各々の先端７１ａは、内面８０の平面８３に面している。複数のリフタピン７１の各々の先端７１ａは、内面８０の平面８３に沿っていてもよい。
　以下、図１０の（ａ）及び図１０の（ｂ）を参照して、更に別の例示的実施形態に係る複数の凹部８Ｃについて説明する。図１０の（ａ）は、更に別の例示的実施形態に係る一つの凹部の径方向と直交する拡大断面図である。図１０の（ｂ）は、更に別の例示的実施形態に係る一つの凹部の周方向と直交する拡大断面図である。更に別の実施形態では、図１０の（ａ）に示すように、径方向Ｄ１と直交する断面において、内面８０は、テーパ面８１、平面８４、及び内壁面８５を含んでいる。上述のように、テーパ面８１は、複数の凹部８の各々の開口８ａに近いほど広がっている。平面８４は、複数のリフタピン７１の各々の先端７１ａと互いに対向する。複数のリフタピン７１の各々の先端７１ａは、内面８０の平面８４に沿っていてもよい。内壁面８５は、テーパ面８１と平面８４とを接続している。内壁面８５は、複数のリフタピン７１が移動する方向に沿って延在している。図１０の（ａ）に示す例では、内壁面８５は、垂直方向に沿って延在している。
　図１１は、一つの例示的実施形態に係る搬送ロボットのティーチング方法の流れ図である。搬送ロボットのティーチング方法は、基板処理システムＰＳを用いて実行される。以下、図１１を参照して、搬送ロボットのティーチング方法（以下、「方法ＭＴ」という）の一例について説明する。制御部ＭＣは、方法ＭＴを実行するように構成されている。なお、方法ＭＴは、基板処理システムＰＳ以外の基板処理システムを用いて行われてもよい。方法ＭＴでは、搬送モジュールＶＴＭの搬送ロボットＴＲへのティーチングが行われる。当該ティーチングでは、基板処理において搬送ロボットＴＲが基板Ｗを搬送するための経路がティーチングされる。方法ＭＴでは、基板Ｗに代えて、ダミー基板が用いられてもよい。以下に説明する方法ＭＴでは、リング部材Ｒの一例としてエッジリングＥＲが用いられる。
　方法ＭＴは、リング支持面５１ｄ上にエッジリングＥＲが配置された後に開始される。エッジリングＥＲは、作業者によってリング支持面５１ｄ上に配置されてもよい。一実施形態において、方法ＭＴは、工程ＳＴ１を含んでいてもよい。方法ＭＴが工程ＳＴ１を含む場合、方法ＭＴは、工程ＳＴ１から開始する。工程ＳＴ１では、処理空間１０ｓが減圧される。制御部ＭＣは、処理空間１０ｓを減圧するように排気システム４０を制御してもよい。方法ＭＴは、工程ＳＴ１から開始されるので、処理空間１０ｓの減圧によるエッジリングＥＲ及び／又は基板Ｗの位置ずれが後の工程によって解消される。
　工程ＳＴ１の後、工程ＳＴ２が実行される。工程ＳＴ２では、リング支持面５１ｄ上に配置されたエッジリングＥＲを複数のリフタピン７１によりリング支持面５１ｄから持ち上げることにより複数の凹部８内に複数のリフタピン７１の先端がそれぞれ位置するようエッジリングＥＲを自己的に案内させるために、複数のリフタピン７１が上方に移動される。制御部ＭＣは、複数のリフタピン７１を上方に移動するよう駆動部７２を制御してもよい。工程ＳＴ２によって、リング支持面５１ｄ上に配置されたエッジリングＥＲの位置ずれが、複数のリフタピン７１及びエッジリングＥＲの複数の凹部８によって規定される位置に修正される。
　工程ＳＴ２の後、工程ＳＴ３が実行される。工程ＳＴ３では、複数のリフタピン７１によって持ち上げられたエッジリングＥＲをリング支持面５１ｄに降ろすために、複数のリフタピン７１が下方に移動される。制御部ＭＣは、複数のリフタピン７１を下方に移動するよう駆動部７２を制御してもよい。
　一実施形態において、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３の各々は、複数回実行されてもよい。制御部ＭＣは、エッジリングＥＲをリング支持面５１ｄから持ち上げる動作とエッジリングＥＲをリング支持面５１ｄに降ろす動作との各々を交互に繰り返すよう駆動部７２を制御してもよい。一回の工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３によって解消されないリング支持面５１ｄ上でのエッジリングＥＲのずれが解消され得る。
　工程ＳＴ３の後、工程ＳＴ４が実行される。工程ＳＴ４では、リング支持面５１ｄ上に配置されたエッジリングＥＲの位置が位置検出器ＰＤによって検出される。一実施形態において、工程ＳＴ４は、工程ＳＴ４１を含んでいてもよい。工程ＳＴ４１では、位置検出器ＰＤによって検出されたエッジリングＥＲの位置からエッジリングＥＲの中心位置が推定される。一例において、一対の距離センサＦＳ１，ＦＳ２によって検出された二つ以上のエッジリングＥＲのエッジと、予め記憶されたエッジリングＥＲの径とに基づいて、エッジリングＥＲの中心位置が推定されてもよい。一対の距離センサＦＳ１，ＦＳ２によって検出された三つ以上のエッジリングＥＲのエッジに基づく三角形の外心からエッジリングＥＲの中心位置が推定されてもよい。エッジリングＥＲのエッジは、エッジリングＥＲの内縁でもよく、エッジリングＥＲの外縁でもよい。
　一実施形態において、方法ＭＴは、工程ＳＴ４２及び工程ＳＴ４３を含んでいてもよい。工程ＳＴ４２では、位置検出器ＰＤによって検出された基板支持面５１ｃのエッジの位置から基板支持面５１ｃの中心位置が推定される。一例において、一対の距離センサＦＳ１，ＦＳ２によって検出された二つ以上の基板支持面５１ｃのエッジと、予め記憶された基板支持面５１ｃの径とに基づいて、基板支持面５１ｃの中心位置が推定されてもよい。一対の距離センサＦＳ１，ＦＳ２によって検出された三つ以上の基板支持面５１ｃのエッジに基づく三角形の外心から基板支持面５１ｃの中心位置が推定されてもよい。工程ＳＴ４３では、工程ＳＴ４１において推定されたエッジリングＥＲの中心位置と、工程ＳＴ４２において推定された基板支持面５１ｃの中心位置との間のずれが取得される。
　一実施形態では、工程ＳＴ４３において、ずれが閾値よりも大きい場合には、工程ＳＴ２、工程ＳＴ３、工程ＳＴ４１、工程ＳＴ４２、及び工程ＳＴ４３が少なくとも一回繰り返えされてもよい。図１１に示す例では、工程ＳＴ４３における判定が「ＮＯ」であり、且つ、方法ＭＴが終了するまでの工程ＳＴ４３における判定が「ＮＯ」とされた回数が３回以下（ｎ≦３）である場合には、工程ＳＴ２、工程ＳＴ３、工程ＳＴ４１、工程ＳＴ４２、及び工程ＳＴ４３が繰り返される。
　一実施形態では、工程ＳＴ４３において、ずれが閾値よりも大きい場合には、警告を発する工程ＳＴ５が実行される。図１１に示す例では、工程ＳＴ４３における判定が「ＮＯ」であり、且つ、方法ＭＴが終了するまでの工程ＳＴ４３における判定が「ＮＯ」とされた回数が３回より多い（ｎ＞３）である場合には、工程ＳＴ５が実行される。方法ＭＴは、工程ＳＴ５の後に終了する。
　一実施形態において、工程ＳＴ３の後に、工程ＳＴ６が実行されてもよい。工程ＳＴ６では、リング支持面５１ｄ上のエッジリングＥＲが静電チャック５１によって保持される。制御部ＭＣは、リング支持面５１ｄ上のエッジリングＥＲを保持するよう静電チャック５１を制御するように構成されていてもよい。図１１に示す例では、工程ＳＴ４３の後、工程ＳＴ４３における判定が「ＹＥＳ」である場合に、工程ＳＴ６が実行される。
　工程ＳＴ４の後に、工程ＳＴ７が実行される。工程ＳＴ７では、位置検出器ＰＤによって検出されたエッジリングＥＲの位置に基づいてエンドエフェクタＦＫ１１，ＦＫ１２上に支持された基板Ｗが基板支持面５１ｃに搬送される。制御部ＭＣは、基板Ｗを基板支持面５１ｃに搬送するよう搬送モジュールＶＴＭを制御するように構成されていてもよい。工程ＳＴ７は、工程ＳＴ７１、工程ＳＴ７２、工程ＳＴ７３を含んでいてもよい。工程ＳＴ７１では、位置検出器ＰＤによって検出されたエッジリングＥＲの位置に基づいて、基板支持面５１ｃの上方に突き出されたリフタピン７３の上に基板Ｗを配置される。工程ＳＴ７２では、複数のリフタピン７３の上に配置された基板Ｗを基板支持面５１ｃに降ろすために、複数のリフタピン７３が下方に移動される。工程ＳＴ７３では、工程ＳＴ７２によって基板支持面５１ｃに降ろされた基板Ｗの位置が位置検出器ＰＤによって検出される。
　一実施形態において、工程ＳＴ７は、工程ＳＴ７ａを含んでいてもよい。工程ＳＴ７ａでは、エンドエフェクタＦＫ１１，ＦＫ１２の位置から推定される基板Ｗの中心位置が、工程ＳＴ４１において推定されたエッジリングＥＲの中心位置に重なるように基板Ｗが搬送される。一例において、エンドエフェクタＦＫ１１，ＦＫ１２の搬送モジュールＶＴＭにおける座標の位置から基板Ｗの中心位置が推定される。制御部ＭＣは、基板Ｗの中心位置がエッジリングＥＲの中心位置に重なるよう搬送モジュールＶＴＭを制御するように構成されていてもよい。工程ＳＴ７３では、基板Ｗの中心位置が推定されてもよい。工程ＳＴ７３では、基板Ｗの中心位置と、エッジリングＥＲ及び／又は基板支持面５１ｃの中心位置との間のずれが取得されてもよい。工程ＳＴ７の後に、方法ＭＴは、終了する。
　以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
　位置検出器は、接触センサ又は非接触センサであってもよい。距離センサは、非接触センサの一例である。位置検出器は、撮像素子であってもよい。撮像素子は、チャンバ１０内に配置されていてもよい。
　ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ１８］に記載する。
［Ｅ１］
　内部に処理空間を提供するチャンバと、
　前記処理空間内に配置された基板支持部と、
　基板を支持するように構成されたエンドエフェクタを有し、前記処理空間に該基板を搬送するように構成された搬送ロボットを含む搬送モジュールと、
　前記基板支持部及び前記搬送モジュールを制御するように構成された制御部と、
　位置検出器と、
を備え、
　前記基板支持部は、
　　前記基板を支持するように構成された基板支持面と、
　　前記基板支持面を囲むように延在し、リング部材を支持するように構成されたリング支持面と、
　　前記リング支持面から上方に突き出し可能に構成された複数のリフタピンと、
　　前記複数のリフタピンを上下に移動させるように構成された駆動部と、
　を有し、
　前記リング部材は、前記複数のリフタピンにそれぞれ対応する複数の凹部を提供し、
　前記位置検出器は、前記リング支持面上に配置されたリング部材の位置を検出するように構成され、
　前記制御部は、
　　（ａ）前記リング支持面上に配置された前記リング部材を前記複数のリフタピンにより該リング支持面から持ち上げることにより前記複数の凹部内に前記複数のリフタピンの先端がそれぞれ位置するよう該リング部材を自己的に案内させるために、該複数のリフタピンを上方に移動させるよう前記駆動部を制御する工程と、
　　（ｂ）前記（ａ）の後に前記複数のリフタピンによって持ち上げられた前記リング部材を前記リング支持面に降ろすために、該複数のリフタピンを下方に移動させるよう前記駆動部を制御する工程と、
　　（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記リング支持面上に配置された前記リング部材の位置を前記位置検出器によって検出する工程と、
　　（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記位置検出器によって検出された前記リング部材の前記位置に基づいて前記エンドエフェクタ上に支持された前記基板を前記基板支持面に搬送するよう前記搬送モジュールを制御する工程と、
　を実行するように構成されている、
基板処理システム。
［Ｅ２］
　前記制御部は、前記（ａ）より前に、前記処理空間を減圧する工程を実行するように構成されている、
Ｅ１に記載の基板処理システム。
［Ｅ３］
　前記制御部は、前記（ａ）及び前記（ｂ）の各々を複数回実行するように構成されている、
Ｅ１又はＥ２に記載の基板処理システム。
［Ｅ４］
　前記（ｃ）は、（ｃ１）前記位置検出器によって検出された前記リング部材の前記位置から該リング部材の中心位置を推定する工程を含み、
　前記（ｄ）は、（ｄ１）前記エンドエフェクタの位置から推定される前記基板の中心位置が前記（ｃ１）において推定された前記リング部材の前記中心位置に重なるよう前記搬送モジュールを制御する工程を含む、
Ｅ１～Ｅ３の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ５］
　前記リング支持面は、前記基板支持面よりも低く位置しており、
　前記位置検出器は、前記基板支持面のエッジを検出するように構成されており、
　前記制御部は、
　　（ｃ２）前記位置検出器によって検出された前記基板支持面の前記エッジの位置から該基板支持面の中心位置を推定する工程と、
　　（ｃ３）前記（ｃ１）において推定された前記リング部材の前記中心位置と前記（ｃ２）において推定された前記基板支持面の前記中心位置との間のずれを取得する工程と、
　を実行するように構成されている、
Ｅ４に記載の基板処理システム。
［Ｅ６］
　前記制御部は、前記（ｃ３）において、前記ずれが閾値よりも大きい場合には、前記（ａ）、前記（ｂ）、前記（ｃ１）、前記（ｃ２）、及び前記（ｃ３）を少なくとも一回繰り返すように構成されている、
Ｅ５に記載の基板処理システム。
［Ｅ７］
　前記制御部は、前記（ｃ３）において、前記ずれが閾値よりも大きい場合には、警告を発する工程を実行するように構成されている、
Ｅ５又はＥ６に記載の基板処理システム。
［Ｅ８］
　前記基板支持部は、前記基板支持面及び前記リング支持面を含み、該基板支持面上の前記基板及び該リング支持面上の前記リング部材をそれぞれ保持するように構成された静電チャックを有し、
　前記制御部は、
　　（ｂ１）前記（ｂ）と前記（ｃ）との間に、前記リング支持面上の前記リング部材を静電吸着して保持するように前記静電チャックを制御する工程、
　を実行するように構成されている、
Ｅ１～Ｅ７の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ９］
　前記位置検出器は一対の距離センサを含み、
　前記エンドエフェクタは、
　　本体部と、
　　前記本体部から突出する一対の先端部と、を有し、
　前記一対の先端部の間には空隙が画成され、
　前記一対の距離センサは、前記一対の先端部にそれぞれ配置される、
Ｅ１～Ｅ８の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ１０］
　基板支持部は、前記リング部材を更に有する、
Ｅ１～Ｅ９の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ１１］
　前記複数の凹部は、三つ以上の凹部を含んでいる、
Ｅ１～Ｅ１０の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ１２］
　前記複数の凹部の各々は、
　　前記リング部材の径方向に沿った第１の幅と、
　　前記リング部材の周方向に沿った第２の幅と、
　を含んでおり、
　前記第１の幅は、前記第２の幅よりも大きい、
Ｅ１～Ｅ１１の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ１３］
　前記複数の凹部の各々を画成する内面は、該複数の凹部の各々の開口に近いほど広がるテーパ面を含む、
Ｅ１～Ｅ１２の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ１４］
　前記リング部材の径方向と直交する断面において、前記複数の凹部の各々を画成する内面は、該複数の凹部の各々の開口に近いほど広がるよう湾曲しており、
　前記複数のリフタピンの各々の前記先端は、前記内面に沿って湾曲している、
Ｅ１～Ｅ１３の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ１５］
　前記リング部材の径方向と直交する断面において、前記複数の凹部の各々を画成する内面は、該複数の凹部の各々の開口から最も離れた奥部において湾曲しており、
　前記断面において、前記奥部の曲率半径は、前記複数のリフタピンの各々の前記先端の曲率半径よりも小さい、
Ｅ１～Ｅ１４の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ１６］
　前記複数の凹部の各々を画成する内面は、前記複数のリフタピンの各々の前記先端と互いに対向する平面を含み、
　前記テーパ面と前記平面とは連続している、
Ｅ１３～Ｅ１５の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ１７］
　前記複数の凹部の各々を画成する内面は、
　　前記複数のリフタピンの各々の前記先端と互いに対向する平面と、
　　前記複数のリフタピンが移動する方向に沿って延在し、前記テーパ面と前記平面とを接続する内壁面と、
を含む、
Ｅ１３～Ｅ１６の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ１８］
　基板処理システムにおいて実行される搬送ロボットのティーチング方法であって、
　前記基板処理システムは、
　　内部に処理空間を提供するチャンバと、
　　前記処理空間内に配置された基板支持部と、を備え、
　前記基板支持部は、
　　基板を支持するように構成された基板支持面と、
　　前記基板支持面を囲むように延在し、リング部材を支持するように構成されたリング支持面と、
　　前記リング支持面から上方に突き出し可能に構成された複数のリフタピンと、を有し、
　前記リング部材は、複数の凹部を提供し、
　前記搬送ロボットのティーチング方法は、
　　（ａ）前記リング支持面上に配置された前記リング部材を前記複数のリフタピンにより該リング支持面から持ち上げることにより前記複数の凹部内に前記複数のリフタピンの先端がそれぞれ位置するよう該リング部材を自己的に案内させるために、該複数のリフタピンを上方に移動させる工程と、
　　（ｂ）前記（ａ）の後に前記複数のリフタピンによって持ち上げられた前記リング部材を前記リング支持面に降ろすために、該複数のリフタピンを下方に移動させる工程と、
　　（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記リング支持面上に配置された前記リング部材の位置を検出する工程と、
　　（ｄ）前記（ｃ）の後に、検出された前記リング部材の前記位置に基づいて前記基板を前記基板支持面に搬送する工程と、
　を含む、
搬送ロボットのティーチング方法。
　Ｅ１８は、Ｅ１～Ｅ１７の何れか一項に記載の基板処理システムを用いて実行されてもよい。
　以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
　１…プラズマ処理装置、８，８Ａ，８Ｂ，８Ｃ…凹部、８ａ…開口、１０…チャンバ、１０ｓ…処理空間、１１…基板支持部、５１…静電チャック、５１ｃ…基板支持面、５１ｄ…リング支持面、７１，７３…リフタピン、７１ａ，ＦＳａ…先端、８０…内面、８１…テーパ面、８２…奥部、８３，８４…平面、８５…内壁面、Ｄ１…径方向、Ｄ２…周方向、ＦＫ１１，ＦＫ１２，ＦＫ３１…エンドエフェクタ、ＦＫＢ…先端部、ＦＫＭ…本体部、ＦＳ１，ＦＳ２…距離センサ、ＭＣ…制御部、ＰＤ…位置検出器、ＰＳ…基板処理システム、Ｒ…リング部材、ＶＴＭ…搬送モジュール、Ｗ…基板、Ｗ１…第１の幅、Ｗ２…第２の幅。

Claims (18)

  1. 　内部に処理空間を提供するチャンバと、
    　前記処理空間内に配置された基板支持部と、
    　基板を支持するように構成されたエンドエフェクタを有し、前記処理空間に該基板を搬送するように構成された搬送ロボットを含む搬送モジュールと、
    　前記基板支持部及び前記搬送モジュールを制御するように構成された制御部と、
    　位置検出器と、
    を備え、
    　前記基板支持部は、
    　　前記基板を支持するように構成された基板支持面と、
    　　前記基板支持面を囲むように延在し、リング部材を支持するように構成されたリング支持面と、
    　　前記リング支持面から上方に突き出し可能に構成された複数のリフタピンと、
    　　前記複数のリフタピンを上下に移動させるように構成された駆動部と、
    　を有し、
    　前記リング部材は、前記複数のリフタピンにそれぞれ対応する複数の凹部を提供し、
    　前記位置検出器は、前記リング支持面上に配置されたリング部材の位置を検出するように構成され、
    　前記制御部は、
    　　（ａ）前記リング支持面上に配置された前記リング部材を前記複数のリフタピンにより該リング支持面から持ち上げることにより前記複数の凹部内に前記複数のリフタピンの先端がそれぞれ位置するよう該リング部材を自己的に案内させるために、該複数のリフタピンを上方に移動させるよう前記駆動部を制御する工程と、
    　　（ｂ）前記（ａ）の後に前記複数のリフタピンによって持ち上げられた前記リング部材を前記リング支持面に降ろすために、該複数のリフタピンを下方に移動させるよう前記駆動部を制御する工程と、
    　　（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記リング支持面上に配置された前記リング部材の位置を前記位置検出器によって検出する工程と、
    　　（ｄ）前記（ｃ）の後に、前記位置検出器によって検出された前記リング部材の前記位置に基づいて前記エンドエフェクタ上に支持された前記基板を前記基板支持面に搬送するよう前記搬送モジュールを制御する工程と、
    　を実行するように構成されている、
    基板処理システム。
  2. 　前記制御部は、前記（ａ）より前に、前記処理空間を減圧する工程を実行するように構成されている、
    請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 　前記制御部は、前記（ａ）及び前記（ｂ）の各々を複数回実行するように構成されている、
    請求項１に記載の基板処理システム。
  4. 　前記（ｃ）は、（ｃ１）前記位置検出器によって検出された前記リング部材の前記位置から該リング部材の中心位置を推定する工程を含み、
    　前記（ｄ）は、（ｄ１）前記エンドエフェクタの位置から推定される前記基板の中心位置が前記（ｃ１）において推定された前記リング部材の前記中心位置に重なるよう前記搬送モジュールを制御する工程を含む、
    請求項１に記載の基板処理システム。
  5. 　前記リング支持面は、前記基板支持面よりも低く位置しており、
    　前記位置検出器は、前記基板支持面のエッジを検出するように構成されており、
    　前記制御部は、
    　　（ｃ２）前記位置検出器によって検出された前記基板支持面の前記エッジの位置から該基板支持面の中心位置を推定する工程と、
    　　（ｃ３）前記（ｃ１）において推定された前記リング部材の前記中心位置と前記（ｃ２）において推定された前記基板支持面の前記中心位置との間のずれを取得する工程と、
    　を実行するように構成されている、
    請求項４に記載の基板処理システム。
  6. 　前記制御部は、前記（ｃ３）において、前記ずれが閾値よりも大きい場合には、前記（ａ）、前記（ｂ）、前記（ｃ１）、前記（ｃ２）、及び前記（ｃ３）を少なくとも一回繰り返すように構成されている、
    請求項５に記載の基板処理システム。
  7. 　前記制御部は、前記（ｃ３）において、前記ずれが閾値よりも大きい場合には、警告を発する工程を実行するように構成されている、
    請求項５に記載の基板処理システム。
  8. 　前記基板支持部は、前記基板支持面及び前記リング支持面を含み、該基板支持面上の前記基板及び該リング支持面上の前記リング部材をそれぞれ保持するように構成された静電チャックを有し、
    　前記制御部は、
    　　（ｂ１）前記（ｂ）と前記（ｃ）との間に、前記リング支持面上の前記リング部材を静電吸着して保持するように前記静電チャックを制御する工程、
    　を実行するように構成されている、
    請求項１に記載の基板処理システム。
  9. 　前記位置検出器は一対の距離センサを含み、
    　前記エンドエフェクタは、
    　　本体部と、
    　　前記本体部から突出する一対の先端部と、を有し、
    　前記一対の先端部の間には空隙が画成され、
    　前記一対の距離センサは、前記一対の先端部にそれぞれ配置される、
    請求項１に記載の基板処理システム。
  10. 　基板支持部は、前記リング部材を更に有する、
    請求項１～９の何れか一項に記載の基板処理システム。
  11. 　前記複数の凹部は、三つ以上の凹部を含んでいる、
    請求項１０に記載の基板処理システム。
  12. 　前記複数の凹部の各々は、
    　　前記リング部材の径方向に沿った第１の幅と、
    　　前記リング部材の周方向に沿った第２の幅と、
    　を含んでおり、
    　前記第１の幅は、前記第２の幅よりも大きい、
    請求項１０に記載の基板処理システム。
  13. 　前記複数の凹部の各々を画成する内面は、該複数の凹部の各々の開口に近いほど広がるテーパ面を含む、
    請求項１０に記載の基板処理システム。
  14. 　前記リング部材の径方向と直交する断面において、前記複数の凹部の各々を画成する内面は、該複数の凹部の各々の開口に近いほど広がるよう湾曲しており、
    　前記複数のリフタピンの各々の前記先端は、前記内面に沿って湾曲している、
    請求項１０に記載の基板処理システム。
  15. 　前記リング部材の径方向と直交する断面において、前記複数の凹部の各々を画成する内面は、該複数の凹部の各々の開口から最も離れた奥部において湾曲しており、
    　前記断面において、前記奥部の曲率半径は、前記複数のリフタピンの各々の前記先端の曲率半径よりも小さい、
    請求項１０に記載の基板処理システム。
  16. 　前記複数の凹部の各々を画成する内面は、前記複数のリフタピンの各々の前記先端と互いに対向する平面を含み、
    　前記テーパ面と前記平面とは連続している、
    請求項１３に記載の基板処理システム。
  17. 　前記複数の凹部の各々を画成する内面は、
    　　前記複数のリフタピンの各々の前記先端と互いに対向する平面と、
    　　前記複数のリフタピンが移動する方向に沿って延在し、前記テーパ面と前記平面とを接続する内壁面と、
    を含む、
    請求項１３に記載の基板処理システム。
  18. 　基板処理システムにおいて実行される搬送ロボットのティーチング方法であって、
    　前記基板処理システムは、
    　　内部に処理空間を提供するチャンバと、
    　　前記処理空間内に配置された基板支持部と、を備え、
    　前記基板支持部は、
    　　基板を支持するように構成された基板支持面と、
    　　前記基板支持面を囲むように延在し、リング部材を支持するように構成されたリング支持面と、
    　　前記リング支持面から上方に突き出し可能に構成された複数のリフタピンと、を有し、
    　前記リング部材は、複数の凹部を提供し、
    　前記搬送ロボットのティーチング方法は、
    　　（ａ）前記リング支持面上に配置された前記リング部材を前記複数のリフタピンにより該リング支持面から持ち上げることにより前記複数の凹部内に前記複数のリフタピンの先端がそれぞれ位置するよう該リング部材を自己的に案内させるために、該複数のリフタピンを上方に移動させる工程と、
    　　（ｂ）前記（ａ）の後に前記複数のリフタピンによって持ち上げられた前記リング部材を前記リング支持面に降ろすために、該複数のリフタピンを下方に移動させる工程と、
    　　（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記リング支持面上に配置された前記リング部材の位置を検出する工程と、
    　　（ｄ）前記（ｃ）の後に、検出された前記リング部材の前記位置に基づいて前記基板を前記基板支持面に搬送する工程と、
    　を含む、
    搬送ロボットのティーチング方法。
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