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WO2025169766A1 - 成膜装置、成膜方法、及び基板処理方法 - Google Patents

成膜装置、成膜方法、及び基板処理方法

Info

Publication number
WO2025169766A1
WO2025169766A1 PCT/JP2025/002356 JP2025002356W WO2025169766A1 WO 2025169766 A1 WO2025169766 A1 WO 2025169766A1 JP 2025002356 W JP2025002356 W JP 2025002356W WO 2025169766 A1 WO2025169766 A1 WO 2025169766A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
substrate
organic material
control unit
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/JP2025/002356
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English (en)
French (fr)
Inventor
篤毅 深澤
大樹 前原
恵一 長坂
卓也 久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of WO2025169766A1 publication Critical patent/WO2025169766A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/20—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H10B41/23—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
    • H10B41/27—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
    • H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
    • H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/68—Floating-gate IGFETs
    • H10P50/00—

Definitions

  • Various aspects and embodiments of the present disclosure relate to a film formation apparatus, a film formation method, and a substrate processing method.
  • Patent Document 1 listed below discloses a substrate processing apparatus comprising: "a mixing unit that mixes primary phosphoric acid and an additive, which are raw materials for a processing liquid, at a predetermined mixing ratio to prepare a mixed liquid; a mixing ratio correction unit that corrects the mixing ratio of the raw materials for the processing liquid; and a processing unit that processes substrates with the processing liquid, wherein the mixing unit includes a mixing tank that stores the mixed liquid, a primary phosphoric acid supply unit that supplies the primary phosphoric acid to the mixing tank, and an additive supply unit that supplies the additive to the mixing tank, and the mixing ratio correction unit includes a liquid transfer line that transfers the mixed liquid from the mixing unit to the processing unit, and a secondary phosphoric acid supply unit that supplies secondary phosphoric acid midway along the liquid transfer line.”
  • This disclosure provides a film formation apparatus, a film formation method, and a substrate processing method that can form a film that can be removed with water.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a film forming apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a flowchart showing an example of the flow of a film forming process according to this embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of the result of removing a film from a substrate W using water according to the embodiment.
  • FIG. 5A is a diagram illustrating an example of an etching result according to the embodiment.
  • FIG. 5B is a diagram illustrating an example of an etching result according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of a semiconductor device according to a comparative example.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of the semiconductor device according to the embodiment.
  • the mask and sacrificial film be removable with water. Therefore, we provide a technology for forming a film that can be removed with water.
  • the film forming apparatus 100 has a substantially cylindrical chamber 101.
  • the chamber 101 is made of, for example, aluminum whose inner wall surface has been subjected to OGF (Out Gas Free) anodizing treatment.
  • OGF Out Gas Free
  • the chamber 101 corresponds to the processing vessel of the present disclosure.
  • a support section 102 is provided inside the chamber 101 for horizontally supporting a substrate W such as a semiconductor wafer.
  • the support section 102 is supported by a cylindrical support member 103 provided at the lower center.
  • An opening is formed in the center of the bottom of the chamber 101.
  • a cylindrical protrusion 101b is connected to the lower part of the opening.
  • the support member 103 is supported by the protrusion 101b.
  • the support part 102 has three lifting pins (not shown) for transporting the substrate W that can be protruded and retracted from the surface of the support part 102.
  • An electrostatic chuck for electrostatically attracting the substrate W may be provided on the upper surface of the support part 102.
  • a shower head 105 is provided on top of the support portion 102.
  • the shower head 105 forms at least a part of the ceiling of the chamber 101.
  • the shower head 105 has a shower plate 106 provided directly below the ceiling wall 101a of the chamber 101.
  • the shower plate 106 is disk-shaped and has a large number of gas discharge holes 107 formed therein.
  • the shower plate 106 has a main body made of, for example, aluminum, on the surface of which a thermally sprayed coating made of yttria is formed.
  • the shower plate 106 is insulated from the chamber 101 by a ring-shaped insulating member 106a.
  • a gas inlet 108 is provided in the center of the ceiling wall 101a of the chamber 101.
  • a gas diffusion space 109 is formed between the ceiling wall 101a and the shower plate 106.
  • a gas pipe 110a is connected to the gas inlet 108.
  • the gas pipe 110a is connected to the gas supply mechanism 110.
  • the gas supply mechanism 110 has gas supply sources for the various gases used in film formation, and multiple gas supply pipes for supplying each gas from the multiple gas supply sources.
  • Each gas supply pipe in the gas supply mechanism 110 is provided with an on-off valve and a flow rate controller such as a mass flow controller (neither shown), which enable gas switching and gas flow rate control.
  • the gas supply mechanism 110 supplies various gases used in film formation to the gas pipe 110a.
  • the gas supplied to the gas pipe 110a is supplied to the shower head 105 from the gas inlet 108.
  • the gas supplied to the shower head 105 is diffused into the gas diffusion space 109 and discharged into the chamber 101 from the gas discharge holes 107 in the shower plate 106.
  • a first high-frequency power supply 113 is connected to the shower plate 106 via a matching box 114. High-frequency power is applied to the shower plate 106 from the first high-frequency power supply 113.
  • the shower plate 106 functions as an upper electrode
  • the support portion 102 functions as a lower electrode, with the shower plate 106 and support portion 102 forming a pair of parallel plate electrodes.
  • the frequency of the high-frequency power output from the first high-frequency power supply 113 is preferably set to 400 kHz to 13.56 MHz, and for example, 13.56 MHz is used.
  • a second high-frequency power supply 115 is connected to the support part 102 via a matching box 116. Bias high-frequency power is applied to the support part 102 from the second high-frequency power supply 115. By applying the bias high-frequency power to the support part 102, ions in the plasma generated in the chamber 101 are attracted to the substrate W.
  • Exhaust ports 121 and 122 are provided at the bottom of the chamber 101.
  • An exhaust mechanism 120 is connected to the exhaust ports 121 and 122.
  • the exhaust mechanism 120 has a first exhaust pipe 123, a second exhaust pipe 124, a first pressure control valve 125, a dry pump (DRP) 126, a second pressure control valve 127, and a turbo pump (TMP) 128.
  • the first exhaust pipe 123 is connected to the exhaust port 121.
  • the second exhaust pipe 124 is connected to the exhaust port 122.
  • the first exhaust pipe 123 is provided with a first pressure control valve 125 and a dry pump 126.
  • the second exhaust pipe 124 is provided with a second pressure control valve 127 and a turbo pump 128.
  • a dry pump 126 and a turbo pump 128 are used in combination.
  • the pressure inside the chamber 101 is controlled by controlling the aperture of a first pressure control valve 125 and a second pressure control valve 127 based on the detection value of a pressure sensor (not shown) installed in the chamber 101.
  • a sidewall of the chamber 101 is provided with a transfer port 130 for transferring substrates W between the chamber 101 and a vacuum transfer chamber (not shown) connected to the chamber 101, and a gate valve G for opening and closing the transfer port 130.
  • the substrates W are transferred by a transfer mechanism (not shown) provided in the vacuum transfer chamber.
  • the film formation apparatus 100 has a control unit 140.
  • the control unit 140 has a main control unit, input devices (keyboard, mouse, etc.), output devices (printer, etc.), display devices (display, etc.), and a storage device (storage medium).
  • the main control unit has a CPU (computer) and controls each component of the film formation apparatus 100.
  • the main control unit controls the valves and mass flow controllers of the gas supply mechanism 110, the first high-frequency power supply 113, the second high-frequency power supply 115, the exhaust mechanism 120, the temperature adjustment mechanism 104, the transfer mechanism, the gate valve G, etc.
  • the main control unit of the control unit 140 causes the film formation apparatus 100 to perform various processes, including the film formation processes described below, based on process recipes stored, for example, in a storage medium built into the storage device or a storage medium set in the storage device.
  • step S11 the temperature of the substrate W is controlled to 300°C or less.
  • the temperature of the support part 102 can be adjusted by the temperature adjustment mechanism 104.
  • the control part 140 controls the temperature of the substrate W to 300°C or less by adjusting the temperature of the temperature adjustment mechanism 104.
  • the temperature of the substrate W is preferably in the range of 50-300°C, and more preferably in the range of 50-200°C.
  • step S12 oxygen and a precursor containing hydrogen or a hydrocarbon, selected from Mg (magnesium), Ge (germanium), B (boron), Al (aluminum), and Sc (scandium), are supplied from the gas supply mechanism 110 into the chamber 101.
  • the control unit 140 controls the gas supply mechanism 110 to supply oxygen and the precursor from the gas supply mechanism 110 into the chamber 101.
  • step S12 plasma is generated in the chamber 101 in conjunction with the supply of the precursor, and a film containing Mg, Ge, B, Al, or Sc is deposited on the substrate W.
  • control unit 140 controls the first high-frequency power supply 113 and the second high-frequency power supply 115 to supply high-frequency power from the first high-frequency power supply 113 and the second high-frequency power supply 115, respectively, to generate plasma in the chamber 101, and to perform control to deposit a film containing any of Mg, Ge, B, Al, and Sc on the substrate W.
  • a film containing Mg oxygen and a Mg precursor containing hydrogen or a hydrocarbon are supplied from the gas supply mechanism 110 into the chamber 101.
  • an MgO film is deposited on the substrate W as a film containing Mg.
  • precursors of Al include TMAl (trimethylaluminum) and DMAI (dimethylaluminum isopropoxide).
  • the precursor of Sc is, for example, an organic material containing Sc.
  • Sc precursors include TMSMSc (trimethylsilylmethylscandium).
  • hydrocarbons contained in the precursor react with oxygen to generate hydroxyl groups.
  • CH3 reacts with O, resulting in partial decomposition to generate OH.
  • a film containing any of Mg, Ge, B, Al, and Sc formed on the substrate W incorporates OH and becomes a film containing hydroxide.
  • the film thus formed on the substrate W contains hydroxide, making it removable with water.
  • deionized water or pure water can be used as the water used to remove the film.
  • control unit 140 controls the deposition of a film on the substrate W under processing conditions such that a peak appears at the wavenumber corresponding to OH in the infrared light absorbance spectrum for each wavenumber measured by FT-IR analysis of the substrate W on which the film has been deposited.
  • the film deposition apparatus 100 can cause the film to contain a large amount of hydroxide, thereby improving its removability with water.
  • the substrate processing apparatus 200 is a storage type in which water is stored in the processing tank 211, and multiple substrates W are simultaneously immersed in the processing tank 211 to perform wet etching.
  • the substrate processing apparatus 200 may also be a single-wafer spin cleaning apparatus in which substrates W are placed one by one on a stage, and water is supplied from above the stage while the stage is rotated to perform wet etching on the substrates W.
  • the Mg-containing organic material is either triethyl magnesium or diethoxy magnesium
  • the control unit controls the deposition apparatus to generate plasma in the processing vessel while supplying oxygen and either the triethyl magnesium or the diethoxy magnesium from the gas supply unit into the processing vessel, thereby depositing a film containing Mg on the substrate.
  • the precursor is an organic material containing Ge
  • the control unit controls the deposition apparatus to generate plasma in the processing chamber while supplying oxygen and the Ge-containing organic material from the gas supply unit into the processing chamber, thereby depositing a Ge-containing film on the substrate.
  • the precursor is an organic material containing B
  • the control unit controls to generate plasma in the processing chamber while supplying oxygen and the organic material containing B from the gas supply unit into the processing chamber, and to deposit a film containing B on the substrate.
  • the precursor is an organic material containing Sc
  • the control unit controls the deposition of a film containing Sc on the substrate by generating plasma in the processing chamber while supplying oxygen and the organic material containing Sc from the gas supply unit into the processing chamber.
  • the Sc-containing organic material is trimethylsilylmethylscandium, 11.
  • the control unit controls the deposition of a film containing Sc on the substrate by generating plasma in the processing chamber while supplying oxygen and the trimethylsilylmethylscandium from the gas supply unit into the processing chamber.
  • (Appendix 14) a) placing a substrate on a support portion of a processing vessel, the support portion being capable of supporting the substrate and adjusting the temperature of the substrate; b) controlling the temperature of the substrate to 300° C. or less by the supporting portion; c) supplying oxygen and a precursor of any one of Mg, Ge, B, Al, and Sc containing hydrogen or a hydrocarbon into the processing vessel while generating plasma in the processing vessel, thereby depositing a film containing any one of Mg, Ge, B, Al, and Sc on the substrate;
  • a film forming method comprising:
  • a substrate processing method comprising:
  • step b) includes side-etching each GeO film of the stack.

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Abstract

成膜装置は、支持部と、処理容器と、ガス供給部と、制御部と、を有する。支持部は、基板の支持及び基板の温度の調整が可能に構成される。処理容器は、支持部が内部に設けられ、プラズマを生成可能に構成される。ガス供給部は、処理容器に酸素と、水素又はハイドロカーボンを含有するＭｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかのプリカーサを供給可能に構成される。制御部は、支持部により基板の温度を３００℃以下に制御し、ガス供給部から酸素と、プリカーサを処理容器内に供給しつつ、処理容器内にプラズマを生成して、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜を基板に成膜する制御を行う。

Description

成膜装置、成膜方法、及び基板処理方法
　本開示の種々の側面及び実施形態は、成膜装置、成膜方法、及び基板処理方法に関する。
　下記の特許文献１には、「処理液の原料である第１リン酸と添加剤とを予め定めた混合比で混合し、混合液を調製する混合部と、前記処理液の原料の混合比を補正する混合比補正部と、前記処理液で基板を処理する処理部とを備え、前記混合部は、前記混合液を溜める混合タンクと、前記混合タンクに対して前記第１リン酸を供給する第１リン酸供給部と、前記混合タンクに対して前記添加剤を供給する添加剤供給部とを含み、前記混合比補正部は、前記混合部から前記処理部に前記混合液を送る送液ラインと、前記送液ラインの途中にて第２リン酸を供給する第２リン酸供給部とを備える、基板処理装置。」が開示されている。
特開２０２０－１６７３０８号公報
　本開示は、水で除去可能な膜を成膜可能な成膜装置、成膜方法、及び基板処理方法を提供する。
　本開示の一態様による成膜装置は、支持部と、処理容器と、ガス供給部と、制御部と、を有する。支持部は、基板の支持及び基板の温度の調整が可能に構成される。処理容器は、支持部が内部に設けられ、プラズマを生成可能に構成される。ガス供給部は、処理容器に酸素と、水素又はハイドロカーボンを含有するＭｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかのプリカーサを供給可能に構成される。制御部は、支持部により基板の温度を３００℃以下に制御し、ガス供給部から酸素と、プリカーサを処理容器内に供給しつつ、処理容器内にプラズマを生成して、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜を基板に成膜する制御を行う。
　本開示によれば、水で除去可能な膜を成膜できる。
図１は、実施形態に係る成膜装置の一例を示す図である。 図２は、実施形態に係る成膜処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図３は、実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。 図４は、実施形態に係る基板Ｗの膜を水での除去した結果の一例を示す図である。 図５Ａは、実施形態に係るエッチング結果の一例を示す図である。 図５Ｂは、実施形態に係るエッチング結果の一例を示す図である。 図６は、比較例に係る半導体装置の製造工程の一例を説明する図である。 図７は、実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を説明する図である。
　以下、図面を参照して本願の開示する成膜装置、成膜方法、及び基板処理方法の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示する成膜装置、成膜方法、及び基板処理方法が限定されるものではない。
　半導体装置の製造では、マスクとして、アモルファスカーボン（ＡＣＬ）などのカーボンをベースとしたハードマスクが使用されている。また、半導体装置の製造では、除去性能等の観点から、犠牲膜として、ＳｉＮ（窒化シリコン）をベースとした膜が使用されている。
　カーボンをベースとしたハードマスクや、ＳｉＮをベースとした膜は、除去する際に残存膜にダメージが発生する場合がある。例えば、カーボンをベースとしたハードマスクは、アッシングにより除去するが、アッシングの熱が残存膜にダメージを与える場合がある。また、ＳｉＮをベースとした膜は、リン酸を含有溶液に浸して除去するが、リン酸が残存膜にダメージを与える場合がある。
　このため、マスクや犠牲膜は、水で除去可能であることが好ましい。そこで、水で除去可能な膜を成膜する技術を提供する。
（実施形態）
（成膜装置の構成）
　実施形態について説明する。最初に、実施形態に係る成膜装置の一例について説明する。図１は、実施形態に係る成膜装置１００の一例を示す図である。
　成膜装置１００は、略円筒状のチャンバー１０１を有している。チャンバー１０１は、例えば内壁面がＯＧＦ（Ｏｕｔ　Ｇａｓ　Ｆｒｅｅ）陽極酸化処理が施されたアルミニウムで構成されている。実施形態では、チャンバー１０１が本開示の処理容器に対応する。
　チャンバー１０１の内部には、半導体ウエハなどの基板Ｗを水平に支持するための支持部１０２が設けられている。支持部１０２は、中央下部に設けられた円筒状の支持部材１０３により支持されている。チャンバー１０１の底部の中央には、開口部が形成されている。開口部の下部には、円筒状の突出部１０１ｂが接続されている。支持部材１０３は、突出部１０１ｂに支持されている。
　支持部１０２は、例えば、本体部がアルミニウムからなり、その外周に絶縁リング（図示せず）が設けられている。支持部１０２は、載置された基板Ｗの温調を行うための温調機構１０４が内部に設けられている。温調機構１０４は、例えば、支持部１０２に形成されたヒータや、流路である。温調機構１０４は、ヒータに電力を供給してヒータを発熱させたり、流路に温度制御された温調媒体を通流させることにより、基板Ｗの温度に調整できる。
　支持部１０２は、基板Ｗを搬送するための３本の昇降ピン（図示せず）が、支持部１０２の表面に対して突没可能に設けられている。支持部１０２の上面に、基板Ｗを静電吸着するための静電チャックが設けられていてもよい。
　シャワーヘッド１０５が支持部１０２の上部には、シャワーヘッド１０５が設けられている。一実施形態において、シャワーヘッド１０５は、チャンバー１０１の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。シャワーヘッド１０５は、チャンバー１０１の天壁１０１ａの直下に設けられたシャワープレート１０６を有している。シャワープレート１０６は、円盤状をなし、多数のガス吐出孔１０７が形成されている。シャワープレート１０６は、例えば、アルミニウムからなる本体の表面に、イットリアからなる溶射皮膜が形成されている。シャワープレート１０６は、リング状の絶縁部材１０６ａによりチャンバー１０１と絶縁されている。
　チャンバー１０１の天壁１０１ａの中央には、ガス導入口１０８が設けられている。天壁１０１ａとシャワープレート１０６との間は、ガス拡散空間１０９となっている。ガス導入口１０８には、ガス配管１１０ａが接続されている。ガス配管１１０ａは、ガス供給機構１１０に接続されている。
　ガス供給機構１１０は、成膜に用いる各種のガスのガス供給源と、複数のガス供給源から各ガスを供給するための複数のガス供給配管とを有する。ガス供給機構１１０は、各ガス供給配管に、開閉バルブと、マスフローコントローラ等の流量制御器とが設けられ（いずれも図示せず）、これらによりガスの切り替え、及びガスの流量制御が可能とされている。
　ガス供給機構１１０は、成膜に用いる各種のガスをガス配管１１０ａに供給する。ガス配管１１０ａに供給されたガスは、ガス導入口１０８からシャワーヘッド１０５に供給される。シャワーヘッド１０５に供給されたガスは、ガス拡散空間１０９内に拡散されてシャワープレート１０６のガス吐出孔１０７からチャンバー１０１内に吐出される。
　シャワープレート１０６には、整合器１１４を介して第１の高周波電源１１３が接続されている。シャワープレート１０６には、第１の高周波電源１１３からシャワープレート１０６に高周波電力が印加される。シャワープレート１０６が上部電極として機能し、支持部１０２が下部電極として機能して、シャワープレート１０６と支持部１０２が一対の平行平板電極を構成する。シャワープレート１０６に高周波電力が印加されることにより、チャンバー１０１内には、容量結合プラズマが生成される。第１の高周波電源１１３から出力される高周波電力の周波数は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚに設定されることが好ましく、例えば、１３．５６ＭＨｚが用いられる。
　一方、支持部１０２には、整合器１１６を介して第２の高周波電源１１５が接続されている。支持部１０２には、第２の高周波電源１１５から支持部１０２にバイアス用の高周波電力が印加される。支持部１０２にバイアス用の高周波を印加することにより、チャンバー１０１内に生成されたプラズマ中のイオンが基板Ｗに引き込まれる。
　チャンバー１０１の底部には、排気口１２１、１２２が設けられている。排気口１２１、１２２には、排気機構１２０が接続されている。排気機構１２０は、第１排気配管１２３と、第２排気配管１２４と、第１圧力制御バルブ１２５と、ドライポンプ（ＤＲＰ）１２６と、第２圧力制御バルブ１２７と、ターボポンプ（ＴＭＰ）１２８とを有している。第１排気配管１２３は、排気口１２１に接続されている。第２排気配管１２４は、排気口１２２に接続されている。第１排気配管１２３には、第１圧力制御バルブ１２５及びドライポンプ１２６が設けられている。第２排気配管１２４には、第２圧力制御バルブ１２７及びターボポンプ１２８が設けられている。チャンバー１０１内が高圧に設定される成膜処理の際にはドライポンプ１２６のみで排気される。チャンバー１０１内が低圧に設定されるプラズマ処理の際にはドライポンプ１２６とターボポンプ１２８とが併用される。チャンバー１０１内の圧力制御は、チャンバー１０１に設けられた圧力センサー（図示せず）の検出値に基づいて第１圧力制御バルブ１２５及び第２圧力制御バルブ１２７の開度を制御することによりなされる。
　チャンバー１０１の側壁には、チャンバー１０１が接続される図示しない真空搬送室との間で基板Ｗの搬入出を行うための搬入出口１３０と、搬入出口１３０を開閉するゲートバルブＧとが設けられている。基板Ｗの搬送は、真空搬送室に設けられた搬送機構（図示せず）により行われる。
　成膜装置１００は、制御部１４０を有している。制御部１４０は、主制御部と、入力装置（キーボード、マウス等）と、出力装置（プリンタ等）と、表示装置（ディスプレイ等）と、記憶装置（記憶媒体）とを有している。主制御部は、ＣＰＵ（コンピュータ）を有し、成膜装置１００の各構成部を制御する。例えば、主制御部は、ガス供給機構１１０のバルブやマスフローコントローラ、第１の高周波電源１１３、第２の高周波電源１１５、排気機構１２０、温調機構１０４、搬送機構、ゲートバルブＧ等を制御する。制御部１４０の主制御部は、例えば、記憶装置に内蔵された記憶媒体、又は記憶装置にセットされた記憶媒体に記憶された処理レシピに基づいて、成膜装置１００に、後述する成膜処理を含む各種の処理を実施させる。
（成膜処理の流れ）
　次に、上記のように構成される成膜装置１００を用いて、本開示の成膜方法を含む成膜処理を実施する流れの一例を説明する。図２は、実施形態に係る成膜処理の流れの一例を示すフローチャートである。成膜処理は、制御部１４０の制御の基づき、実施される。
　ステップＳ１０では、成膜装置１００の支持部１０２に基板Ｗを載置する。例えば、基板Ｗが、チャンバー１０１に接続された真空搬送室の搬送機構により、搬入出口１３０を介してチャンバー１０１内に搬送され、支持部１０２上に載置される。
　次に、ステップＳ１１では、基板Ｗの温度を３００℃以下に制御する。支持部１０２は、温調機構１０４により温度の調整が可能とされている。制御部１４０は、温調機構１０４の温度を調整することにより、基板Ｗの温度を３００℃以下に制御する。基板Ｗの温度は、５０－３００℃の範囲とすることが好ましく、５０－２００℃の範囲とすることがより好ましい。
　次に、ステップＳ１２では、ガス供給機構１１０からチャンバー１０１内に、酸素と、水素又はハイドロカーボンを含有するＭｇ（マグネシウム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｓｃ（スカンジウム）の何れかのプリカーサを供給する。例えば、制御部１４０は、ガス供給機構１１０を制御し、ガス供給機構１１０からから酸素と、プリカーサをチャンバー１０１内に供給する。そして、ステップＳ１２では、プリカーサを供給に合わせてチャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜を基板Ｗに成膜する。例えば、制御部１４０は、第１の高周波電源１１３及び第２の高周波電源１１５を制御し、第１の高周波電源１１３及び第２の高周波電源１１５からそれぞれ高周波電力を供給して、チャンバー１０１内にプラズマを生成し、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。例えば、Ｍｇを含有する膜を成膜する場合、ガス供給機構１１０からチャンバー１０１内に、酸素と、水素又はハイドロカーボンを含有するＭｇのプリカーサを供給する。これにより、Ｍｇを含有する膜としてＭｇＯ膜が基板Ｗに成膜される。また、例えば、Ｇｅを含有する膜を成膜する場合、ガス供給機構１１０からチャンバー１０１内に、酸素と、水素又はハイドロカーボンを含有するＧｅのプリカーサを供給する。これにより、Ｇｅを含有する膜としてＧｅＯ膜が基板Ｗに成膜される。また、例えば、Ｍｇ、Ｇｅを含有する膜を成膜する場合、ガス供給機構１１０からチャンバー１０１内に、酸素と、水素又はハイドロカーボンを含有するＭｇ、Ｇｅのプリカーサを供給する。これにより、Ｍｇ、Ｇｅを含有する膜としてＭｇＧｅＯ膜が基板Ｗに成膜される。
　Ｍｇのプリカーサは、例えば、Ｍｇを含有する有機系材料である。Ｍｇのプリカーサとしては、例えば、ＤＥＴＭｇ(ジエトキシマグネシウム)、ＴＥＭｇ(トリエチルマグネシウム)等が挙げられる。Ｇｅのプリカーサは、例えば、Ｇｅを含有する有機系材料である。Ｇｅのプリカーサとしては、例えば、ＴＭＧｅ（トリメチルゲルマニウム）、ＴＥＴＧｅ(テトラエチル及びテトラエトキシゲルマニウム)等が挙げられる。Ｂのプリカーサは、例えば、Ｂを含有する有機系材料である。Ｂのプリカーサとしては、例えば、ＴＭＢ（トリメチルボロン）、TDMAB(トリスジメチルアミノボロン)が挙げられる。Ａｌのプリカーサは、例えば、Ａｌを含有する有機系材料である。Ａｌのプリカーサとしては、例えば、ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）、ＤＭＡＩ(ジメチルアルミニウムイソプロポキシド)等が挙げられる。Ｓｃのプリカーサは、例えば、Ｓｃを含有する有機系材料である。Ｓｃのプリカーサとしては、例えば、ＴＭＳＭＳｃ（トリメチルシリルメチルスカンジウム）等が挙げられる。
　実施形態に係る成膜処理では、プリカーサに含まれるハイドロカーボンと酸素が反応し、水酸基が生成される。例えば、ＣＨ３とＯが反応し、部分的に分解してＯＨが生成される。基板Ｗの温度を３００℃以下として成膜することにより、基板Ｗに成膜されるＭｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜は、ＯＨを取り込み、水酸化物を含む膜となる。このように基板Ｗに成膜された膜は、水酸化物を含むことで、水での除去が可能となる。膜の除去に用いる水としては、例えば、脱イオン水、純水を用いることができる。成膜処理の際、基板Ｗの温度を、５０－３００℃の範囲、より好ましくは５０－２００℃の範囲とすることで、膜に水酸化物を多く含有させることができるため、水での除去性を高めることができる。
　ここで、ＧｅＯ膜を成膜する処理条件の一例を説明する。
（成膜の処理条件）
　Ｄｒｙ－Ａｒ　：５０ｓｃｃｍ（０．０８５ｍ3／ｓ）
　Ｄｉｌ－Ａｒ　：５０ｓｃｃｍ
　Ｏ２ガス　　　　：１００ｓｃｃｍ
　ＴＭＧｅガス　：２．０ｓｃｃｍ
　チャンバー１０１内の力：４００Ｐａ
　基板Ｗの温度：１００℃
　Ｄｉｌ－Ａｒとは、プリカーサを供給する際に使用するＡｒ（空気）である。
　成膜の処理条件は、成膜装置１００や、基板Ｗの構成などに応じて宜調整してもよい。例えば、成膜の処理条件は、成膜した基板Ｗに対するＦＴ－ＩＲ（Fourier　transform　Infrared　spectroscopy）分析により測定される波数ごとの赤外光の吸光度スペクトルにおいて、ＯＨに対応する波数にピークが生じる処理条件とすることが好ましい。また、水での除去性を高めるには、成膜の処理条件は、吸光度スペクトルにおいて、ＯＨに対応する波数のピークが大きい処理条件とすることが好ましい。例えば、成膜の処理条件は、吸光度スペクトルにおいて、ＯＨに対応する波数のピークが最も大きくなる処理条件とすることが好ましい。
（基板処理装置の構成）
　次に、実施形態に係る成膜処理により成膜された膜を水で除去する基板処理装置の一例を説明する。以下では、基板処理装置を、複数の基板Ｗを同時に処理可能なバッチ式の構成とした場合を例に説明する。図３は、実施形態に係る基板処理装置２００の一例を示す図である。図３には、垂直方向をＺ軸方向として示し、直交する水平な２軸方向をＸ軸方向及びＹ軸方向として示している。
　基板処理装置２００は、処理槽２１１を有する。処理槽２１１は、例えば二重槽であり、内槽２１１ａ及び外槽２１１ｂを有する。内槽２１１ａは、エッチング液Ｌ１を貯留する。外槽２１１ｂは、内槽２１１ａからオーバーフローしたエッチング液Ｌ１を回収する。実施形態では、内槽２１１ａが本開示の容器に対応する。
　基板処理装置２００は、循環路２１２を有する。循環路２１２は、外槽２１１ｂから取り出したエッチング液Ｌ１を、内槽２１１ａに送る。また、基板処理装置２００は、循環路２１２の途中に、ポンプ２１３と、ヒータ２１４と、フィルタ２１５とを有する。
　ポンプ２１３は、外槽２１１ｂから循環路２１２を経て内槽２１１ａに送られるエッチング液Ｌ１の循環流を形成する。また、エッチング液Ｌ１は、内槽２１１ａの開口部からオーバーフローすることで、再び外槽２１１ｂへと流出する。このようにして、基板処理装置２００内にエッチング液Ｌ１の循環流が形成される。すなわち、循環流は、外槽２１１ｂ、循環路２１２及び内槽２１１ａにおいて形成される。
　ヒータ２１４は、循環路２１２を循環するエッチング液Ｌ１の温度を調整する。フィルタ２１５は、循環路２１２を循環するエッチング液Ｌ１に含まれるパーティクルを捕集し、エッチング液Ｌ１を濾過する。
　また、基板処理装置２００は、内槽２１１ａの内部に水平管２１６を有する。水平管２１６は、循環路２１２から送られるエッチング液Ｌ１を、内槽２１１ａの内部に供給する。水平管２１６は、Ｙ軸方向に延びており、Ｘ軸方向に間隔をおいて複数設けられる。
　複数の水平管２１６は、長手方向に間隔をおいて複数の吐出口（図示せず）を有し、複数の吐出口はそれぞれ真上に向けてエッチング液Ｌ１を吐出する。これにより、複数の水平管２１６はカーテン状の上昇流を内槽２１１ａの内部に形成する。
　また、基板処理装置２００は、基板保持部２１７を有する。基板保持部２１７は、複数の基板ＷをＹ軸方向に間隔をおいて保持しながら、待機位置と処理位置との間で昇降する。待機位置は、複数の基板Ｗを不図示の搬送装置に対して受け渡す位置であり、処理位置の上方に設定される。処理位置は、複数の基板Ｗをエッチング液Ｌ１に浸漬する位置である。
　基板保持部２１７は、待機位置で処理前の基板Ｗを搬送装置から受け取り、次いで処理位置まで下降し、所定時間経過後に再び待機位置まで上昇し、待機位置で処理後の基板Ｗを搬送装置に渡す。
　基板処理装置２００は、液供給部２１８と、排液部２１９を有する。
　液供給部２１８は、複数の基板Ｗに成膜された膜を除去する場合、エッチング液Ｌ１を処理槽２１１に供給する。実施形態に係る基板処理装置２００は、エッチング液Ｌ１として、水を処理槽２１１に供給する。水としては、例えば、脱イオン水、純水を用いることができる。
　処理槽２１１は、液供給部２１８からエッチング液Ｌ１として供給された水を貯留する。複数の基板Ｗは、処理槽２１１の内部で水に浸漬される。処理槽２１１の水の温度は、ヒータ２１４により、膜の除去に適した温度に調整される。
　排液部２１９は、内槽２１１ａの底部に設けられている。処理槽２１１に貯留されたエッチング液Ｌ１は、必要に応じて排液部２１９から排出される。なお、排液部２１９は、循環路２１２に設けられてもよい。
（評価処果）
　次に、実施形態に係る成膜処理により成膜した膜を評価した具体的な評価処果を説明する。最初に、実施形態に係る成膜処理により、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜として、ＭｇＯ膜、ＭｇＧｅＯ膜、ＧｅＯ膜、ＢＯ膜、ＡｌＯ膜、ＳｃＯ膜をそれぞれ基板Ｗに成膜し、それぞれの基板Ｗの膜を水での除去した除去結果の一例を説明する。なお、ＭｇＧｅＯ膜は、ＭｇＯとＧｅＯを交互に成膜して膜厚比もしくはＭｇとＧｅの材料比を１：１として成膜している。除去に用いる水としては、脱イオン水（ＤＩＷ：DeIonized　Water）を用いた。図４は、実施形態に係る除去結果の一例を示す図である。ＤＩＷ＠ＲＴは、基板Ｗを室温（ＲＴ：Room　Temperature）の水（脱イオン水）を浸した場合を示し示している。室温とは、標準的な室内温度であり、例えば、１０～３０℃の温度である。ＤＩＷ＠１００℃は、基板Ｗを１００℃の水（脱イオン水）を浸した場合を示し示している。
　ＭｇＯ膜は、室温の水の場合、除去される除去レートが０．１ｎｍ／ｍｉｍと低いが、１００℃の水の場合、除去レートが１０ｎｍ／ｍｉｍと上昇する。ＭｇＧｅＯ膜は、室温の水の場合、除去レートが５０ｎｍ／ｍｉｍであるが、１００℃の水の場合、除去レートが１００ｎｍ／ｍｉｍよりも大きい。ＡｌＯ膜は、室温の水の場合、除去レートが５ｎｍ／ｍｉｍであるが、１００℃の水の場合、除去レートが２０ｎｍ／ｍｉｍと上昇する。ＧｅＯ膜及びＢＯ膜は、室温の水でも、除去レートが１０００ｎｍ／ｍｉｍよりも大きい。実施形態に係る成膜処理により成膜したＭｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌの何れかを含有する膜は、水の温度が高いほど除去レートが高くなる。膜の除去には、さらに加圧した状態の高温の水を用いてもよい。例えば、加圧した容器内に基板Ｗを配置し、１００℃以上の水蒸気に基板Ｗを晒して膜の除去を実施してもよい。
　このように、実施形態に係る成膜処理により成膜した、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌの何れかを含有する膜は、水で除去が可能である。
　次に、実施形態に係る成膜処理により、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌの何れかを含有する膜として、ＭｇＯ膜、ＧｅＯ膜、ＢＯ膜、ＡｌＯ膜をそれぞれ基板Ｗに成膜し、それぞれの基板Ｗのプラズマエッチングを行ったエッチング結果の一例を説明する。図５Ａ及び図５Ａは、実施形態に係るエッチング結果の一例を示す図である。図５Ａ及び図５Ｂは、ＭｇＯ膜、ＧｅＯ膜、ＢＯ膜、ＡｌＯ膜について、ＣＦ４ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスをエッチングガスとして用いてプラズマエッチングを行った結果を示している。図５Ａでは、ＳｉＯ（酸化シリコン）膜を同様にプラズマエッチングした場合のＳｉＯ膜に対するＭｇＯ膜、ＧｅＯ膜、ＢＯ膜、ＡｌＯ膜それぞれの選択比を示している。図５Ａの選択比は、値が大きいほど、ＳｉＯ膜と比較して、エッチングで削れにくいことを示している。図５Ｂでは、ＳｉＮ膜を同様にプラズマエッチングした場合のＳｉＮ膜に対するＭｇＯ膜、ＧｅＯ膜、ＢＯ膜、ＡｌＯ膜それぞれの選択比を示している。図５Ｂの選択比は、値が大きいほど、ＳｉＮ膜と比較して削れにくいことを示している。
　図５Ａに示すように、ＭｇＯ膜は、ＣＦ４ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスの何れのガスでも選択比の値が１よりも大きい。このため、ＭｇＯ膜は、ＳｉＯ膜よりも削れにくい。特に、ＭｇＯ膜は、エッチングガスがＣＦ４ガス、ＮＦ３ガスの場合、選択比の値が１よりも大幅に大きい。このため、ＭｇＯ膜は、エッチングガスがＣＦ４ガス、ＮＦ３ガスの場合、ＳｉＯ膜に対する選択比が高い。一方、ＧｅＯ膜及びＢＯ膜は、ＣＦ４ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスの何れのガスでも選択比の値が１よりも小さい。このため、ＧｅＯ膜及びＢＯ膜は、ＳｉＯ膜よりも削れやすい。ＡｌＯ膜は、ＣＦ４ガスの場合、選択比の値が１よりも大幅に大きい、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスの場合、選択比の値が１よりも小さい。このため、ＡｌＯ膜は、ＣＦ４ガスの場合、ＳｉＯ膜よりも削れにくく、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスの場合、ＳｉＯ膜よりも削れやすい。
　また、図５Ｂに示すように、ＭｇＯ膜は、ＣＦ４ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスの何れのガスでも選択比の値が１よりも大きい。このため、ＭｇＯ膜は、ＳｉＮ膜よりも削れにくい。特に、ＭｇＯ膜は、エッチングガスがＣＦ４ガス、ＮＦ３ガスの場合、選択比の値が大きい。このため、ＭｇＯ膜は、エッチングガスがＣＦ４ガス、ＮＦ３ガスの場合、ＳｉＮ膜に対する選択比が高い。一方、ＧｅＯ膜及びＢＯ膜は、ＣＦ４ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスの何れのガスでも選択比の値が１よりも小さい。このため、ＧｅＯ膜及びＢＯ膜は、ＳｉＮ膜よりも削れやすい。ＡｌＯ膜は、ＣＦ４ガスの場合、選択比の値が１よりも大きく、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスの場合、選択比の値が１よりも小さい。このため、ＡｌＯ膜は、ＣＦ４ガスの場合、ＳｉＮ膜よりも削れにくく、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスの場合、ＳｉＮ膜よりも削れやすい。
　よって、ＭｇＯ膜は、ＣＦ４ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスをエッチングガスとして用いてＳｉＯ膜又はＳｉＮ膜をプラズマエッチングする際のマスクに用いることができる。特に、エッチングガスがＣＦ４ガス、ＮＦ３ガスの場合、マスクをＭｇＯ膜とすると、選択比が高いため、マスクを薄くすることができる。また、ＡｌＯ膜は、ＣＦ４ガスをエッチングガスとして用いてＳｉＯ膜又はＳｉＮ膜をプラズマエッチングする際のマスクに用いることができる。
　また、実施形態に係る成膜処理により成膜した、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜は、水で除去が可能であるため、犠牲膜としても用いることもできる。
（適用例）
　次に、実施形態に係る成膜処理により成膜した膜を適用した半導体装置の製造工程の一例を説明する。以下では、半導体装置として、３Ｄ－ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの製造工程に適用した場合を例に説明する。
　最初に、比較例として、従来の半導体装置の製造工程の一例を説明する。図６は、比較例に係る半導体装置の製造工程の一例を説明する図である。図６（Ａ）－（Ｅ）には、３Ｄ－ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの製造工程の一部が示されている。図６（Ａ）に示すように、基板Ｗには、ＳｉＯ膜１０と、犠牲膜としてＳｉＮ膜１１が交互に積層された積層体１２が形成されている。従来の半導体装置の製造では、除去性能等の観点から、犠牲膜として、ＳｉＮ膜が使用される。積層体１２上には、アモルファスカーボン（ＡＣＬ）によるハードマスク１３が形成されている。比較例に係る半導体装置の製造工程では、リソグラフィ工程により、図６（Ｂ）に示すように、ハードマスク１３にパターンを形成し、図６（Ｃ）に示すように、ハードマスク１３をマスクとして、積層体１２を異方性プラズマエッチングする。異方性プラズマエッチングのエッチングガスには、例えば、ＣＦ４ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスなどが用いられる。ＡＣＬによるハードマスク１３は、ＳｉＯ膜１０及びＳｉＮ膜１１に対する選択比が２程度である。このため、比較例に係る半導体装置の製造工程では、積層体１２をエッチングするため、ハードマスク１３を厚くする必要があった。メモリの大容量化に伴い積層体の積層数も増加するため、ハードマスクに必要な厚みも増加する傾向にある。積層体１２のエッチング後、比較例に係る半導体装置の製造工程では、アッシングにより、図６（Ｄ）に示すように、ＡＣＬによるハードマスク１３を除去する。ハードマスク１３の除去後、比較例に係る半導体装置の製造工程では、基板Ｗをリン酸含有溶液に浸して、図６（Ｅ）に示すように、積層体１２の各ＳｉＮ膜１１をサイドエッチングする。しかし、積層体１２の各ＳｉＯ膜１０もリン酸によりダメージを受ける。
　そこで、本開示を適用し、積層体１２の各ＳｉＮ膜１１を、例えばＧｅＯ膜に変更する。また、ＡＣＬによるハードマスク１３を、例えばＭｇＯ膜又はＭｇＧｅＯ膜に変更する。ＧｅＯ膜、ＭｇＯ膜、ＭｇＧｅＯ膜は、実施形態に係る成膜処理により成膜する。図７は、実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を説明する図である。図７（Ａ）－（Ｄ）には、３Ｄ－ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの製造工程の一部が示されている。図７（Ａ）に示すように、基板Ｗには、ＳｉＯ膜１０と、犠牲膜としてＧｅＯ膜２１が交互に積層された積層体２２が形成される。積層体２２上には、ＭｇＯ膜又はＭｇＧｅＯ膜によるマスク２３が形成されている。ＧｅＯ膜２１及びマスク２３のＭｇＯ膜又はＭｇＧｅＯ膜は、実施形態に係る成膜処理によりそれぞれ成膜する。これにより、ＧｅＯ膜２１及びマスク２３のＭｇＯ膜又はＭｇＧｅＯ膜は、ＯＨを含むことで、水での除去が可能となる。また、マスク２３のＭｇＯ膜又はＭｇＧｅＯ膜は、ＣＦ４ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、ＮＦ３ガスをエッチングガスとして用いてＳｉＯ膜及びＧｅＯ膜を異方性プラズマエッチングする際のマスクに用いることができる。図５Ａに示すように、ＭｇＯ膜はＳｉＯ膜に対して高い選択比を有している。さらに、図５Ｂに示すように、ＧｅＯ膜のＳｉＮ膜に対する選択比は１よりも小さい。すなわちＧｅＯ膜は変更される前のＳｉＮ膜よりも削れやすい。このため、マスク２３をＭｇＯ膜とした場合、比較例のハードマスク１３と比較して、マスク２３を薄くすることができる。実施形態に係る半導体装置の製造工程では、リソグラフィ工程により、図７（Ｂ）に示すように、マスク２３にパターンを形成し、図７（Ｃ）に示すように、マスク２３をマスクとして、積層体２２を異方性プラズマエッチングする。積層体２２のエッチング後、実施形態に係る半導体装置の製造工程では、基板Ｗを水に浸すことで、図７（Ｄ）に示すように、マスク２３の除去と、積層体２２の各ＧｅＯ膜２１のサイドエッチングを一括して行うことができる。この際、マスク２３は完全に除去されることが望ましいが、ＧｅＯ膜２１は適切な量でサイドエッチングされることが要求される。基板Ｗを水に浸す際において、異方性プラズマエッチング後に残存するマスク２３が完全に除去されるまでの時間が、ＧｅＯ膜２１が適切な量でサイドエッチングまでの時間よりも短くなるよう、マスク２３の膜厚を制御すればよい。このようにすれば、マスク２３を完全に除去しつつ、ＧｅＯ膜２１を適切な量でサイドエッチングすることができる。また、実施形態に係る半導体装置の製造工程は、水で積層体２２の各ＧｅＯ膜２１をサイドエッチングできるため、積層体２２の各ＳｉＯ膜１０がダメージを受けることを抑制できる。
　以上、実施形態について説明した。上記したように、上記した実施形態に係る成膜装置１００は、支持部１０２と、チャンバー１０１（処理容器）と、ガス供給機構１１０（ガス供給部）と、制御部１４０とを有する。支持部１０２は、基板Ｗの支持及び基板Ｗの温度の調整が可能に構成される。チャンバー１０１は、支持部１０２が内部に設けられ、プラズマを生成可能に構成される。ガス供給機構１１０は、チャンバー１０１に酸素と、水素又はハイドロカーボンを含有するＭｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかのプリカーサを供給可能に構成される。制御部１４０は、支持部１０２により基板Ｗの温度を３００℃以下に制御し、ガス供給機構１１０から酸素と、プリカーサをチャンバー１０１内に供給しつつ、チャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。これにより、実施形態に係る成膜装置１００は、水で除去可能な膜を成膜できる。
　また、プリカーサは、Ｍｇを含有する有機系材料である。Ｍｇを含有する有機系材料は、例えば、トリエチルマグネシウム、ジエトキシマグネシウムの何れかである。制御部１４０は、ガス供給機構１１０から酸素と、Ｍｇを含有する有機系材料をチャンバー１０１内に供給しつつ、チャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ｍｇを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。例えば、制御部１４０は、ガス供給機構１１０から酸素と、トリエチルマグネシウム、ジエトキシマグネシウムの何れかをチャンバー１０１内に供給しつつ、チャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ｍｇを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。これにより、実施形態に係る成膜装置１００は、水で除去可能な、Ｍｇを含有する膜を成膜できる。
　また、プリカーサは、Ｇｅを含有する有機系材料である。Ｇｅを含有する有機系材料は、例えば、トリメチルゲルマニウム、テトラメチルゲルマニウムの何れかである。制御部１４０は、ガス供給機構１１０から酸素と、Ｇｅを含有する有機系材料をチャンバー１０１内に供給しつつ、チャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ｇｅを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。例えば、制御部１４０は、ガス供給機構１１０から酸素と、トリメチルゲルマニウム、テトラメチルゲルマニウムの何れかをチャンバー１０１内に供給しつつ、チャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ｇｅを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。これにより、実施形態に係る成膜装置１００は、水で除去可能な、Ｇｅを含有する膜を成膜できる。
　また、プリカーサは、Ｂを含有する有機系材料である。Ｂを含有する有機系材料は、例えば、トリメチルボロン、トリスジメチルアミノボロンの何れかである。制御部１４０は、ガス供給機構１１０から酸素と、Ｂを含有する有機系材料をチャンバー１０１内に供給しつつ、チャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ｂを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。例えば、制御部１４０は、ガス供給機構１１０から酸素と、トリメチルボロン、トリスジメチルアミノボロンの何れかをチャンバー１０１内に供給しつつ、チャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ｂを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。これにより、実施形態に係る成膜装置１００は、水で除去可能な、Ｂを含有する膜を成膜できる。
　また、プリカーサは、Ａｌを含有する有機系材料である。Ａｌを含有する有機系材料は、例えば、トリメチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムイソプロポキシドの何れかである。制御部１４０は、ガス供給機構１１０から酸素と、Ａｌを含有する有機系材料をチャンバー１０１内に供給しつつ、チャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ａｌを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。例えば、制御部１４０は、ガス供給機構１１０から酸素と、トリメチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムイソプロポキシドの何れかをチャンバー１０１内に供給しつつ、チャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ａｌを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。これにより、実施形態に係る成膜装置１００は、水で除去可能な、Ａｌを含有する膜を成膜できる。
　また、プリカーサは、Ｓｃを含有する有機系材料である。Ｓｃを含有する有機系材料は、例えば、トリメチルシリルメチルスカンジウム等である。制御部１４０は、ガス供給機構１１０から酸素と、Ｓｃを含有する有機系材料をチャンバー１０１内に供給しつつ、チャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ｓｃを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。例えば、制御部１４０は、ガス供給機構１１０から酸素と、トリメチルシリルメチルスカンジウムをチャンバー１０１内に供給しつつ、チャンバー１０１内にプラズマを生成して、Ｓｃを含有する膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。これにより、実施形態に係る成膜装置１００は、水で除去可能な、Ｓｃを含有する膜を成膜できる。
　また、制御部１４０は、支持部１０２により基板Ｗの温度を５０－３００℃の範囲に制御して、成膜する制御を行う。これにより、実施形態に係る成膜装置１００は、膜に水酸化物を多く含有させることができるため、水での除去性を高めることができる。
　また、制御部１４０は、成膜した基板Ｗに対するＦＴ－ＩＲ分析により測定される波数ごとの赤外光の吸光度スペクトルにおいて、ＯＨに対応する波数にピークが生じる処理条件で膜を基板Ｗに成膜する制御を行う。これにより、実施形態に係る成膜装置１００は、膜に水酸化物を多く含有させることができるため、水での除去性を高めることができる。
（その他）
　なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
　例えば、上記の実施形態では、基板処理装置２００を、水を処理槽２１１に貯留する貯留式とし、複数の基板Ｗを同時に処理槽２１１に浸漬してウェットエッチングを実施する場合を例に説明した。しかし、これに限定されるものではない。基板処理装置２００は、基板Ｗを一枚ずつステージに配置し、ステージを回転させつつ、ステージの上方から水を供給して基板Ｗのウェットエッチングを実施する枚葉スピン洗浄装置であってもよい。
　なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　なお、以上の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
　基板の支持及び前記基板の温度の調整が可能に構成された支持部と、
　前記支持部が内部に設けられ、プラズマを生成可能に構成された処理容器と、
　前記処理容器に酸素と、水素又はハイドロカーボンを含有するＭｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかのプリカーサを供給可能に構成されたガス供給部と、
　前記支持部により前記基板の温度を３００℃以下に制御し、前記ガス供給部から酸素と、前記プリカーサを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う制御部と、
　を有する成膜装置。
（付記２）
　前記プリカーサは、Ｍｇを含有する有機系材料であり、
　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記Ｍｇを含有する有機系材料を前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｍｇを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
　付記１に記載の成膜装置。
（付記３）
　前記Ｍｇを含有する有機系材料は、トリエチルマグネシウム、ジエトキシマグネシウムの何れかであり、
　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記トリエチルマグネシウム、前記ジエトキシマグネシウムの何れかを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｍｇを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
　付記２に記載の成膜装置。
（付記４）
　前記プリカーサは、Ｇｅを含有する有機系材料であり、
　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記Ｇｅを含有する有機系材料を前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｇｅを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
　付記１に記載の成膜装置。
（付記５）
　前記Ｇｅを含有する有機系材料は、トリメチルゲルマニウム、テトラメチルゲルマニウムの何れかであり、
　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記トリメチルゲルマニウム、前記テトラメチルゲルマニウムの何れかを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｇｅを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
　付記４に記載の成膜装置。
（付記６）
　前記プリカーサは、Ｂを含有する有機系材料であり、
　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記Ｂを含有する有機系材料を前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｂを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
　付記１に記載の成膜装置。
（付記７）
　前記Ｂを含有する有機系材料は、トリメチルボロン、トリスジメチルアミノボロンの何れかであり、
　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記トリメチルボロン、前記トリスジメチルアミノボロンの何れかを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｂを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
　付記６に記載の成膜装置。
（付記８）
　前記プリカーサは、Ａｌを含有する有機系材料であり、
　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記Ａｌを含有する有機系材料を前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ａｌを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
　付記１に記載の成膜装置。
（付記９）
　前記Ａｌを含有する有機系材料は、トリメチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムイソプロポキシドの何れかであり、
　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記トリメチルアルミニウム、前記ジメチルアルミニウムイソプロポキシドの何れかを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ａｌを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
　付記１に記載の成膜装置。
（付記１０）
　前記プリカーサは、Ｓｃを含有する有機系材料であり、
　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記Ｓｃを含有する有機系材料を前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｓｃを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
　付記１に記載の成膜装置。
（付記１１）
　前記Ｓｃを含有する有機系材料は、トリメチルシリルメチルスカンジウムであり、
　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記リメチルシリルメチルスカンジウムを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｓｃを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
　付記１０に記載の成膜装置。
（付記１２）
　前記制御部は、前記支持部により前記基板の温度を５０－３００℃の範囲に制御して、前記成膜する制御を行う
　付記１～１１の何れか１つに記載の成膜装置。
（付記１３）
　前記制御部は、成膜した前記基板に対するＦＴ－ＩＲ（Fourier　transform　Infrared　spectroscopy）分析により測定される波数ごとの赤外光の吸光度スペクトルにおいて、ＯＨに対応する波数にピークが生じる処理条件で前記膜を前記基板に成膜する制御を行う
　付記１～１２の何れか１つに記載の成膜装置。
（付記１４）
　ａ）基板の支持及び前記基板の温度の調整が可能な支持部が内部に設けられた処理容器の前記支持部に基板を載置する工程と、
　ｂ）前記支持部により前記基板の温度を３００℃以下に制御する工程と、
　ｃ）酸素と、水素又はハイドロカーボンを含有するＭｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかのプリカーサを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜を前記基板に成膜する工程と、
　を含む成膜方法。
（付記１５）
　ａ）ＳｉＯ膜と、ＧｅＯ膜とが交互にそれぞれ複数積層された積層体と、前記積層体上に形成されたパターンが形成されたＭｇＯ膜又はＭｇＧｅＯ膜と、を有する基板の前記ＭｇＯ膜又はＭｇＧｅＯ膜をマスクとして前記積層体をエッチングする工程、
　を有する基板処理方法。
（付記１６）
　ｂ）前記ＭｇＯ膜又はＭｇＧｅＯ膜と、前記積層体の各ＧｅＯ膜を一括してウェットエッチングする工程をさらに有する
　付記１５に記載の基板処理方法。
（付記１７）
　前記工程ｂ）は、前記積層体の各ＧｅＯ膜をサイドエッチングする
　付記１６に記載の基板処理方法。
（付記１８）
　前記工程ｂ）は、脱イオン水又は純水を貯留した容器に前記基板を浸して、前記ウェットエッチングを行う
　付記１６又は１７に記載の基板処理方法。
　１２　積層体
　１３　ハードマスク
　２２　積層体
　２３　マスク
　１００　成膜装置
　１０１　チャンバー
　１０２　支持部
　１０３　支持部材
　１０４　温調機構
　１０５　シャワーヘッド
　１０６　シャワープレート
　１１０　ガス供給機構
　１１３　第１の高周波電源
　１１５　第２の高周波電源
　１２０　排気機構
　１３０　搬入出口
　１４０　制御部
　２００　基板処理装置
　２１１　処理槽
　２１１ａ　内槽
　２１１ｂ　外槽
　２１２　循環路
　２１３　ポンプ
　２１４　ヒータ
　２１５　フィルタ
　２１６　水平管
　２１７　基板保持部
　２１８　液供給部
　２１９　排液部
　Ｗ　基板

Claims (18)

  1. 　基板の支持及び前記基板の温度の調整が可能に構成された支持部と、
    　前記支持部が内部に設けられ、プラズマを生成可能に構成された処理容器と、
    　前記処理容器に酸素と、水素又はハイドロカーボンを含有するＭｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかのプリカーサを供給可能に構成されたガス供給部と、
    　前記支持部により前記基板の温度を３００℃以下に制御し、前記ガス供給部から酸素と、前記プリカーサを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う制御部と、
    　を有する成膜装置。
  2. 　前記プリカーサは、Ｍｇを含有する有機系材料であり、
    　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記Ｍｇを含有する有機系材料を前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｍｇを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
    　請求項１に記載の成膜装置。
  3. 　前記Ｍｇを含有する有機系材料は、トリエチルマグネシウム、ジエトキシマグネシウムの何れかであり、
    　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記トリエチルマグネシウム、前記ジエトキシマグネシウムの何れかを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｍｇを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
    　請求項２に記載の成膜装置。
  4. 　前記プリカーサは、Ｇｅを含有する有機系材料であり、
    　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記Ｇｅを含有する有機系材料を前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｇｅを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
    　請求項１に記載の成膜装置。
  5. 　前記Ｇｅを含有する有機系材料は、トリメチルゲルマニウム、テトラメチルゲルマニウムの何れかであり、
    　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記トリメチルゲルマニウム、前記テトラメチルゲルマニウムの何れかを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｇｅを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
    　請求項４に記載の成膜装置。
  6. 　前記プリカーサは、Ｂを含有する有機系材料であり、
    　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記Ｂを含有する有機系材料を前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｂを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
    　請求項１に記載の成膜装置。
  7. 　前記Ｂを含有する有機系材料は、トリメチルボロン、トリスジメチルアミノボロンの何れかであり、
    　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記トリメチルボロン、前記トリスジメチルアミノボロンの何れかを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｂを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
    　請求項６に記載の成膜装置。
  8. 　前記プリカーサは、Ａｌを含有する有機系材料であり、
    　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記Ａｌを含有する有機系材料を前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ａｌを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
    　請求項１に記載の成膜装置。
  9. 　前記Ａｌを含有する有機系材料は、トリメチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムイソプロポキシドの何れかであり、
    　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記トリメチルアルミニウム、前記ジメチルアルミニウムイソプロポキシドの何れかを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ａｌを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
    　請求項８に記載の成膜装置。
  10. 　前記プリカーサは、Ｓｃを含有する有機系材料であり、
    　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記Ｓｃを含有する有機系材料を前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｓｃを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
    　請求項１に記載の成膜装置。
  11. 　前記Ｓｃを含有する有機系材料は、トリメチルシリルメチルスカンジウムであり、
    　前記制御部は、前記ガス供給部から酸素と、前記トリメチルシリルメチルスカンジウムを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｓｃを含有する膜を前記基板に成膜する制御を行う
    　請求項１０に記載の成膜装置。
  12. 　前記制御部は、前記支持部により前記基板の温度を５０－３００℃の範囲に制御して、前記成膜する制御を行う
    　請求項１に記載の成膜装置。
  13. 　前記制御部は、成膜した前記基板に対するＦＴ－ＩＲ（Fourier　transform　Infrared　spectroscopy）分析により測定される波数ごとの赤外光の吸光度スペクトルにおいて、ＯＨに対応する波数にピークが生じる処理条件で前記膜を前記基板に成膜する制御を行う
    　請求項１に記載の成膜装置。
  14. 　ａ）基板の支持及び前記基板の温度の調整が可能な支持部が内部に設けられた処理容器の前記支持部に基板を載置する工程と、
    　ｂ）前記支持部により前記基板の温度を３００℃以下に制御する工程と、
    　ｃ）酸素と、水素又はハイドロカーボンを含有するＭｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかのプリカーサを前記処理容器内に供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成して、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｃの何れかを含有する膜を前記基板に成膜する工程と、
    　を含む成膜方法。
  15. 　ａ）ＳｉＯ膜と、ＧｅＯ膜とが交互にそれぞれ複数積層された積層体と、前記積層体上に形成されたパターンが形成されたＭｇＯ膜又はＭｇＧｅＯ膜と、を有する基板の前記ＭｇＯ膜又はＭｇＧｅＯ膜をマスクとして前記積層体をエッチングする工程、
    　を有する基板処理方法。
  16. 　ｂ）前記ＭｇＯ膜又はＭｇＧｅＯ膜と、前記積層体の各ＧｅＯ膜を一括してウェットエッチングする工程をさらに有する
    　請求項１５に記載の基板処理方法。
  17. 　前記工程ｂ）は、前記積層体の各ＧｅＯ膜をサイドエッチングする
    　請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 　前記工程ｂ）は、脱イオン水又は純水を貯留した容器に前記基板を浸して、前記ウェットエッチングを行う
    　請求項１６に記載の基板処理方法。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH103014A (ja) * 1996-06-14 1998-01-06 Hitachi Cable Ltd 光導波路及びその製造方法
JPH11213869A (ja) * 1998-01-21 1999-08-06 Asahi Glass Co Ltd 交流型プラズマディスプレイパネルの保護膜の形成方法ならびにその装置
JP2007311777A (ja) * 2006-04-18 2007-11-29 Air Products & Chemicals Inc 制御された気孔を形成するための材料及び方法
JP2008516459A (ja) * 2004-10-13 2008-05-15 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 電気絶縁性半導体基板のＭｇＯベースのコーティング及びその製造方法
JP2009540128A (ja) * 2006-06-16 2009-11-19 フジフィルム マニュファクチャリング ユーロプ ビー．ブイ． 大気圧グロー放電プラズマを使用した原子層堆積の方法及び装置
US20140120738A1 (en) * 2012-11-01 2014-05-01 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing thin film
JP2016058727A (ja) * 2014-09-08 2016-04-21 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 自己整合コンタクト方式のための犠牲プレメタル誘電体
US20200168628A1 (en) * 2018-11-27 2020-05-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing a vertical memory device
WO2020203783A1 (ja) * 2019-04-04 2020-10-08 株式会社Adeka 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び新規なスカンジウム化合物
WO2023043950A1 (en) * 2021-09-20 2023-03-23 Applied Materials, Inc. Germanium and silicon stacks for 3d nand

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH103014A (ja) * 1996-06-14 1998-01-06 Hitachi Cable Ltd 光導波路及びその製造方法
JPH11213869A (ja) * 1998-01-21 1999-08-06 Asahi Glass Co Ltd 交流型プラズマディスプレイパネルの保護膜の形成方法ならびにその装置
JP2008516459A (ja) * 2004-10-13 2008-05-15 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 電気絶縁性半導体基板のＭｇＯベースのコーティング及びその製造方法
JP2007311777A (ja) * 2006-04-18 2007-11-29 Air Products & Chemicals Inc 制御された気孔を形成するための材料及び方法
JP2009540128A (ja) * 2006-06-16 2009-11-19 フジフィルム マニュファクチャリング ユーロプ ビー．ブイ． 大気圧グロー放電プラズマを使用した原子層堆積の方法及び装置
US20140120738A1 (en) * 2012-11-01 2014-05-01 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing thin film
JP2016058727A (ja) * 2014-09-08 2016-04-21 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 自己整合コンタクト方式のための犠牲プレメタル誘電体
US20200168628A1 (en) * 2018-11-27 2020-05-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing a vertical memory device
WO2020203783A1 (ja) * 2019-04-04 2020-10-08 株式会社Adeka 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び新規なスカンジウム化合物
WO2023043950A1 (en) * 2021-09-20 2023-03-23 Applied Materials, Inc. Germanium and silicon stacks for 3d nand

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