WO2025018327A1

WO2025018327A1 - 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス

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Publication number: WO2025018327A1
Application number: PCT/JP2024/025438
Authority: WO
Inventors: 友小澤; 大輔浅川; 一郎小山; 洋佑正木
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2023-07-18
Filing date: 2024-07-16
Publication date: 2025-01-23
Anticipated expiration: 2026-01-18
Also published as: TW202511304A

Abstract

環化樹脂及びその前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂と、カルベン化合物である化合物Ａ、及び、カルベン前駆体である化合物Ｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物と、を含む樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス。

Description

樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス

　本発明は、樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイスに関する。

　現代では様々な分野において、樹脂を含む樹脂組成物から製造された樹脂材料を活用することが行われている。
　例えば、ポリイミド等の環化樹脂は、耐熱性及び絶縁性等に優れるため、様々な用途に適用されている。上記用途としては、特に限定されないが、実装用の半導体デバイスを例に挙げると、絶縁膜や封止材の材料、又は、保護膜としての利用が挙げられる。また、フレキシブル基板のベースフィルムやカバーレイなどとしても用いられている。

　例えば上述した用途において、ポリイミド等の環化樹脂は、環化樹脂またはその前駆体を含む樹脂組成物の形態で用いられる。
　このような樹脂組成物を、例えば塗布等により基材に適用して感光膜を形成し、その後、必要に応じて露光、現像、加熱等を行うことにより、硬化物を基材上に形成することができる。
　樹脂組成物は、公知の塗布方法等により適用可能であるため、例えば、適用される樹脂組成物の適用時の形状、大きさ、適用位置等の設計の自由度が高いなど、製造上の適応性に優れるといえる。ポリイミド等の環化樹脂が有する高い性能に加え、このような製造上の適応性に優れる観点から、上述の樹脂組成物の産業上の応用展開がますます期待されている。

　例えば、特許文献１には、以下の成分：（Ａ）特定構造のポリイミド前駆体；（Ｂ）トリアジン化合物；及び（Ｃ）光重合開始剤；を含み、上記（Ｂ）トリアジン化合物は、トリアジン環の少なくとも１つの水素原子が、アミノ基、メルカプト基、（トリアルコキシシリルプロピル）アミノ基、ヒドロキシエトキシ基、（ヒドロキシエチル）アミノ基、ヒドロキシメチルカルボニルオキシアルキル基、アルキルオキシカルボニル基及びアルキルチオエチル基からなる群から選ばれる少なくとも１つを含む置換基で置換されている、感光性樹脂組成物が記載されている。

特開２０２３－０２３１９６号公報

　ポリイミド等の環化樹脂を含む硬化物を絶縁膜等の金属層と接するような態様で用いる場合に、長期間に渡って、硬化物と金属層との間にボイド（空隙）が発生することが抑制されることが求められる。

　本発明は、長期間に渡って、硬化物と金属層との間にボイドが発生することが抑制される硬化物が得られる樹脂組成物、長期間に渡って、硬化物と金属層との間にボイドが発生することが抑制される硬化物及び積層体、上記樹脂組成物を硬化してなる硬化物、上記硬化物を含む積層体、上記硬化物の製造方法、上記積層体の製造方法、上記硬化物の製造方法を含む半導体デバイスの製造方法、並びに、上記硬化物を含む半導体デバイスを提供することを目的とする。

　本発明の代表的な実施態様の例を以下に示す。
＜１＞　環化樹脂及びその前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂と、
　カルベン化合物である化合物Ａ、及び、カルベン前駆体である化合物Ｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物と、を含む
　樹脂組成物。
＜２＞　上記化合物Ａにおけるカルベン炭素、及び、上記化合物Ｂより発生するカルベン化合物におけるカルベン炭素が、環構造の環員として存在する、＜１＞に記載の樹脂組成物。
＜３＞　上記環構造が複素環構造である、＜２＞に記載の樹脂組成物。
＜４＞　上記複素環構造が含窒素複素環構造である、＜３＞に記載の樹脂組成物。
＜５＞　上記含窒素複素環構造が、縮環してもよい５員環含窒素複素環構造である、＜４＞に記載の樹脂組成物。
＜６＞　上記５員環含窒素複素環構造が、１，３－ジヒドロ－２Ｈ－イミダゾール－２－イリデン構造又は１，３，４，５－テトラヒドロ－２Ｈ－イミダゾール－２－イリデン構造である、＜５＞に記載の樹脂組成物。
＜７＞　上記樹脂が、重合性基を有する樹脂である、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜８＞　上記化合物Ａが、下記式１で表される化合物である、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
　式１中、Ｃ^１１はＸ^１１とＲ^１１以外に置換基を持たない炭素原子であり、Ｘ^１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^１１とＸ^１１とは環構造を形成してもよい。
＜９＞　上記化合物Ｂが、下記式２、下記式３、下記式４－１、下記式４－２又は下記式５で表される化合物である、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
　式２中、Ｃ^２１は炭素原子であり、Ｘ^２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２１とＸ^２１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^２２は水素原子、置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記炭素原子又は上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
　式３中、Ｃ^３１は炭素原子であり、Ｘ^３１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^３１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^３１とＸ^３１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^３２はフッ素原子を１つ以上持つ芳香族環、アルコキシ基又はアミノ基である。
　式４－１中、Ｃ^４１１は炭素原子であり、Ｃ^４１２は炭素原子であり、Ｃ^４１２はＣ^４１１と同一の環内に存在してもよく、Ｃ^４１１とＣ^４１２とは同一の芳香環内には存在せず、Ｘ^４１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^４１２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１１とＸ^４１１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４１２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１２とＸ^４１２とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４１１とＸ^４１１とが環構造を形成し、かつ、Ｒ^４１２とＸ^４１２とが環構造を形成する場合、この２つの環構造の環員同士が結合して更に環構造を形成してもよい。
　式４－２中、Ｃ^４２１は炭素原子であり、Ｃ^４２２は炭素原子であり、Ｃ^４２２はＣ^４２１と同一の環内に存在してもよく、Ｃ^４２１とＣ^４２２とは同一の芳香環内には存在せず、Ｘ^４２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^４２２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２１とＸ^４２１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４２２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２２とＸ^４２２とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４２１とＸ^４２１とが環構造を形成し、かつ、Ｒ^４２２とＸ^４２２とが環構造を形成する場合、この２つの環構造の環員同士が結合して更に環構造を形成してもよい。
　式５中、Ｃ^５１は炭素原子であり、Ｃ^５２は炭素原子であり、Ｘ^５１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^５１は形式的に正の電荷を持ち、Ｘ^５２は炭素原子又は硫黄原子であり、Ｘ^５３は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^５３は形式的に負の電荷を持ち、Ｒ^５１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記炭素原子又は上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^５１とＸ^５１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^５２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^５２とＲ^５１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^５３は有機基又は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
＜１０＞　上記化合物Ｂが、下記式２－１又は式２－２で表される化合物である、＜９＞に記載の樹脂組成物。
　式２－１中、Ｃ^２１１は炭素原子であり、Ｘ^２１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２１１とＸ^２１１とは環構造を形成してもよく、Ｘ^２１２は炭素原子又は硫黄原子であり、Ｘ^２１３は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１３は形式的に負の電荷を持ち、Ｒ^２１２は有機基又は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
　式２－２中、Ｃ^２２１は炭素原子であり、Ｘ^２２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２２１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２２１とＸ^２２１とは環構造を形成してもよく、Ａ^２２１はカウンターアニオンである。
＜１１＞　上記式１において、Ｘ^１１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^１１がＸ^１１と環構造を形成する、＜８＞に記載の樹脂組成物。
＜１２＞　上記化合物Ｂとして式２－１で表される化合物を含み、下記条件２－１－１および条件２－１－２の少なくとも一方を満たす、＜１０＞に記載の樹脂組成物。
　条件２－１－１：上記式２－１において、Ｘ^２１１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^２１１がＸ^２１１と環構造を形成する
　条件２－１－２：上記式２－１において、Ｘ^２１２が炭素原子であり、Ｘ^２１３が酸素原子であり、Ｒ^２１２が酸素原子である
＜１３＞　上記化合物Ｂとして式２－２で表される化合物を含み、下記条件２－２－１および条件２－２－２の少なくとも一方を満たす、＜１０＞に記載の樹脂組成物。
　条件２－２－１：上記式２－２において、Ｘ^２２１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^２２１がＸ^２２１と環構造を形成する
　条件２－２－２：上記式２－２において、Ａ^２２１が炭酸イオン、炭酸水素イオン、又は水酸化物イオンである
＜１４＞　上記化合物Ｂとして式２－２で表される化合物を含み、上記式２－２において、Ａ^２２１が有機アニオンである＜１０＞に記載の樹脂組成物。
＜１５＞　上記化合物Ｂとして式２－２で表される化合物を含み、上記式２－２において、Ａ^２２１がカルボキシラートアニオンである＜１４＞に記載の樹脂組成物。
＜１６＞　上記化合物Ｂとして式３で表される化合物を含み、上記式３において、Ｘ^３１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^３１がＸ^３１と環構造を形成する＜９＞に記載の樹脂組成物。
＜１７＞　上記化合物Ｂとして式４－１で表される化合物を含み、下記条件４－１－１および条件４－１－２の少なくとも一方を満たす、＜９＞に記載の樹脂組成物。
　条件４－１－１：上記式４－１において、Ｘ^４１１が置換基を有する窒素原子であり、Ｘ^４１２が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^４１１がＸ^４１１と環構造を形成し、Ｒ^４１２がＸ^４１２と環構造を形成する
　条件４－１－２：上記式４－１において、Ｘ^４１１がＸ^４１２と同一の構造であり、Ｒ^４１１がＲ^４１２と同一の構造である
＜１８＞　上記化合物Ｂとして式４－２で表される化合物を含み、下記条件４－２－１および条件４－２－２の少なくとも一方を満たす、＜９＞に記載の樹脂組成物。
　条件４－２－１：上記式４－２において、Ｘ^４２１が置換基を有する窒素原子であり、Ｘ^４２２が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^４２１がＸ^４２１と環構造を形成し、Ｒ^４２２がＸ^４２２と環構造を形成する
　条件４－２－２：上記式４－２において、Ｘ^４２１がＸ^４２２と同一の構造であり、Ｒ^４２１がＲ^４２２と同一の構造である
＜１９＞　上記化合物Ｂとして式５で表される化合物を含み、下記条件５－１および条件５－２の少なくとも一方を満たす、＜９＞に記載の樹脂組成物。
　条件５－１：上記式５において、Ｘ^５１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^５１がＸ^５１と環構造を形成する
　条件５－２：上記式５において、Ｘ^５２が炭素原子であり、Ｘ^５３が酸素原子であり、Ｒ^５３が酸素原子である
＜２０＞　環化樹脂及びその前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂であって、重合性基を有する樹脂と、
　下記式１、下記式２－１、下記式２－２Ｂ、下記式３、下記式４－１、下記式４－２又は下記式５で表される化合物と、を含む
　樹脂組成物。
　式１中、Ｃ^１１はＸ^１１とＲ^１１以外に置換基を持たない炭素原子であり、Ｘ^１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^１１とＸ^１１とは環構造を形成してもよい。
　式２－１中、Ｃ^２１１は炭素原子であり、Ｘ^２１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２１１とＸ^２１１とは環構造を形成してもよく、Ｘ^２１２は炭素原子又は硫黄原子であり、Ｘ^２１３は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１３は形式的に負の電荷を持ち、Ｒ^２１２は有機基又は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
　式２－２Ｂ中、Ｃ^２２１Ｂは炭素原子であり、Ｘ^２２１Ｂは置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、上記ヘテロ原子はカルボニル基と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２２１Ｂは形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２２１Ｂは置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、上記ヘテロ原子はカルボニル基と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２２１ＢとＸ^２２１Ｂとは環構造を形成してもよく、Ａ^２２１Ｂはカウンターアニオンであり、Ｒ^２２１Ｂ及びＸ^２２１Ｂは重合性基を置換基として有しない。
　式３中、Ｃ^３１は炭素原子であり、Ｘ^３１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^３１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^３１とＸ^３１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^３２はフッ素原子を１つ以上持つ芳香族環、アルコキシ基、又は、アミノ基である。
　式４－１中、Ｃ^４１１は炭素原子であり、Ｃ^４１２は炭素原子であり、Ｃ^４１２はＣ^４１１と同一の環内に存在してもよく、Ｃ^４１１とＣ^４１２とは同一の芳香環内には存在せず、Ｘ^４１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^４１２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１１とＸ^４１１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４１２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１２とＸ^４１２とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４１１とＸ^４１１とが環構造を形成し、かつ、Ｒ^４１２とＸ^４１２とが環構造を形成する場合、この２つの環構造の環員同士が結合して更に環構造を形成してもよい。
　式４－２中、Ｃ^４２１は炭素原子であり、Ｃ^４２２は炭素原子であり、Ｃ^４２２はＣ^４２１と同一の環内に存在してもよく、Ｃ^４２１とＣ^４２２とは同一の芳香環内には存在せず、Ｘ^４２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^４２２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２１とＸ^４２１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４２２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２２とＸ^４２２とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４２１とＸ^４２１とが環構造を形成し、かつ、Ｒ^４２２とＸ^４２２とが環構造を形成する場合、この２つの環構造の環員同士が結合して更に環構造を形成してもよい。
　式５中、Ｃ^５１は炭素原子であり、Ｃ^５２は炭素原子であり、Ｘ^５１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^５１は形式的に正の電荷を持ち、Ｘ^５２は炭素原子又は硫黄原子であり、Ｘ^５３は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^５３は形式的に負の電荷を持ち、Ｒ^５１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記炭素原子又は上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^５１とＸ^５１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^５２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^５２とＲ^５１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^５３は有機基又は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
＜２１＞　環化樹脂、または環化樹脂前駆体が、ポリイミド、またはポリイミド前駆体である、＜１＞～＜２０＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜２２＞　重合性化合物を更に含む、＜１＞～＜２１＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
＜２３＞　環化樹脂を含み、金属層と接して配置された硬化物であって、
　上記硬化物においてカルベン化合物が上記金属層に吸着している
　硬化物。
＜２４＞　環化樹脂を含む樹脂層と、上記樹脂層と接して配置された金属層とを備え
　上記樹脂層の上記金属層側の表面において、カルベン化合物が上記金属層に吸着している
　積層体。
＜２５＞　＜１＞～＜２２＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
＜２６＞　＜２５＞に記載の硬化物からなる層を２層以上含み、上記硬化物からなる層同士のいずれかの間に金属層を含む積層体。
＜２７＞　＜１＞～＜２２＞のいずれか１つに記載の樹脂組成物を基材上に適用して膜を形成する膜形成工程を含む、硬化物の製造方法。
＜２８＞　上記膜を選択的に露光する露光工程及び上記膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含む、＜２７＞に記載の硬化物の製造方法。
＜２９＞　上記膜を５０～４５０℃で加熱する加熱工程を含む、＜２７＞又は＜２８＞に記載の硬化物の製造方法。
＜３０＞　＜２７＞～＜２９＞のいずれか１つに記載の硬化物の製造方法を含む、積層体の製造方法。
＜３１＞　＜２７＞～＜２９＞のいずれか１つに記載の硬化物の製造方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
＜３２＞　＜２３＞又は＜２５＞に記載の硬化物を含む、半導体デバイス。

　本発明によれば、長期間に渡って、硬化物と金属層との間にボイドが発生することが抑制される硬化物が得られる樹脂組成物、長期間に渡って、硬化物と金属層との間にボイドが発生することが抑制される硬化物及び積層体、上記樹脂組成物を硬化してなる硬化物、上記硬化物を含む積層体、上記硬化物の製造方法、上記積層体の製造方法、上記硬化物の製造方法を含む半導体デバイスの製造方法、並びに、上記硬化物を含む半導体デバイスが提供される。

　以下、本発明の主要な実施形態について説明する。しかしながら、本発明は、明示した実施形態に限られるものではない。
　本明細書において「～」という記号を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、その工程の所期の作用が達成できる限りにおいて、他の工程と明確に区別できない工程も含む意味である。
　本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有しない基（原子団）と共に置換基を有する基（原子団）をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有しないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。
　本明細書において「露光」とは、特に断らない限り、光を用いた露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線を用いた露光も含む。また、露光に用いられる光としては、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、Ｘ線、電子線等の活性光線又は放射線が挙げられる。
　本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方、又は、いずれかを意味し、「（メタ）アクリル」は、「アクリル」及び「メタクリル」の両方、又は、いずれかを意味し、「（メタ）アクリロイル」は、「アクリロイル」及び「メタクリロイル」の両方、又は、いずれかを意味する。
　本明細書において、構造式中のＭｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表し、Ｂｕはブチル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。
　本明細書において、全固形分とは、組成物の全成分から溶剤を除いた成分の総質量をいう。また本明細書において、固形分濃度とは、組成物の総質量に対する、溶剤を除く他の成分の質量百分率である。
　本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、特に述べない限り、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法を用いて測定した値であり、ポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてガードカラムＨＺ－Ｌ、ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＨＺＭ－Ｍ、ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＨＺ３０００、及び、ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＨＺ２０００（以上、東ソー（株）製）を直列に連結して用いることによって求めることができる。それらの分子量は特に述べない限り、溶離液としてＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）を用いて測定したものとする。また、ＧＰＣ測定における検出は特に述べない限り、ＵＶ線（紫外線）の波長２５４ｎｍ検出器を使用したものとする。
　本明細書において、積層体を構成する各層の位置関係について、「上」又は「下」と記載したときには、注目している複数の層のうち基準となる層の上側又は下側に他の層があればよい。すなわち、基準となる層と上記他の層の間に、更に第３の層や要素が介在していてもよく、基準となる層と上記他の層は接している必要はない。特に断らない限り、基材に対し層が積み重なっていく方向を「上」と称し、又は、樹脂組成物層がある場合には、基材から樹脂組成物層へ向かう方向を「上」と称し、その反対方向を「下」と称する。なお、このような上下方向の設定は、本明細書中における便宜のためであり、実際の態様においては、本明細書における「上」方向は、鉛直上向きと異なることもありうる。
　本明細書において、特段の記載がない限り、組成物は、組成物に含まれる各成分として、その成分に該当する２種以上の化合物を含んでもよい。特段の記載がない限り、組成物における各成分の含有量とは、その成分に該当する全ての化合物の合計含有量を意味する。
　本明細書において、特に述べない限り、温度は２３℃、気圧は１０１，３２５Ｐａ（１気圧）、相対湿度は５０％ＲＨである。
　本明細書において、好ましい態様の組み合わせは、より好ましい態様である。

（樹脂組成物）
　本発明の第一の態様に係る樹脂組成物（以下、単に「第一の樹脂組成物」ともいう。）は、環化樹脂及びその前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂と、カルベン化合物である化合物Ａ、及び、カルベン前駆体である化合物Ｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物と、を含む。
　本発明の第二の態様に係る樹脂組成物（以下、単に「第二の樹脂組成物」ともいう。）は、環化樹脂及びその前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂であって、重合性基を有する樹脂と、式１、式２－１、式２－２Ｂ、式３、式４－１、式４－２又は式５で表される化合物と、を含む。

　以下、第一の樹脂組成物と第二の樹脂組成物とを合わせて単に「樹脂組成物」ともいう。
　以下、第一の樹脂組成物に含まれる化合物Ａ、化合物Ｂを合わせて「第一の特定化合物」、第二の樹脂組成物に含まれる式１、式２－１、式２－２Ｂ、式３、式４－１、式４－２又は式５で表される化合物を合わせて、「第二の特定化合物」とも記載し、「第一の特定化合物」及び「第二の特定化合物」を合わせて、「特定化合物」とも記載する。

　本発明の樹脂組成物は、露光及び現像に供される感光膜の形成に用いられることが好ましく、露光及び有機溶剤を含む現像液を用いた現像に供される膜の形成に用いられることが好ましい。
　本発明の樹脂組成物は、例えば、半導体デバイスの絶縁膜、再配線層用層間絶縁膜、ストレスバッファ膜等の形成に用いることができ、再配線層用層間絶縁膜の形成に用いられることが好ましい。
　また、本発明の樹脂組成物は、ネガ型現像に供される感光膜の形成に用いられてもよいし、ポジ型現像に供される感光膜の形成に用いられてもよいが、ネガ型現像に供される感光膜の形成に用いられることが好ましい。
　本発明において、ネガ型現像とは、露光及び現像において、現像により非露光部が除去される現像をいい、ポジ型現像とは、現像により露光部が除去される現像をいう。
　上記露光の方法、上記現像液、及び、上記現像の方法としては、例えば、後述する硬化物の製造方法の説明における露光工程において説明された露光方法、現像工程において説明された現像液及び現像方法が使用される。

　本発明の樹脂組成物によれば、長期間に渡って、硬化物と金属層との間にボイドが発生することが抑制される化物が得られる。
　上記効果が得られるメカニズムは不明であるが、下記のように推測される。

　本発明の第一の態様に係る樹脂組成物は、環化樹脂及びその前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂と、カルベン化合物である化合物Ａ、及び、カルベン化合物を発生させるカルベン前駆体である化合物Ｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物と、を含む。
　本発明の第二の態様に係る樹脂組成物は、環化樹脂及びその前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂であって、重合性基を有する樹脂と、式１、式２－１、式２－２Ｂ、式３、式４－１、式４－２又は式５で表される化合物と、を含む。
　本発明者らは、鋭意検討した結果、このような樹脂組成物から得られた硬化物は、長期間に渡って、硬化物と金属層との間にボイドが発生することが抑制されることが分かった。
　上記効果が得られるメカニズムは定かではないが、以下のように推測される。
　例えば半導体の再配線層等に用いられる絶縁膜には、金属配線の腐食を防止するために、防錆剤が添加される場合がある。防錆剤としては窒素や酸素、硫黄などのヘテロ原子を有する化合物が用いられており、これらのヘテロ原子が金属に吸着し、金属の表面を被覆することで酸化成分や酸成分のような金属を腐食する物質が配線等の金属に接近することを防止している。本発明において、このような腐食防止の能力を防錆能という。
　本発明の第一の態様における樹脂組成物は、化合物Ａ及び化合物Ｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物を含むものである。このような樹脂組成物から形成される硬化物を金属と隣接して形成した場合には、硬化物中に存在するカルベン化合物はカルベン炭素の非共有電子対をもって金属に吸着し、防錆能を示すと考えられる。また、カルベン化合物は強塩基性化合物としても知られており、不可逆的に酸をトラップすることもできる。すなわち、カルベン化合物が硬化物に存在する酸、又は、硬化物において発生する酸を除去することによっても、金属の腐食が抑制されると考えられる。
　本発明の第二の態様における樹脂組成物は、式１、式２－１、式２－２Ｂ、式３、式４－１、式４－２又は式５で表される化合物を含むものである。式１はカルベン化合物であり、式２－１、式２－２Ｂ、式３、式４－１、式４－２又は式５で表される化合物は、カルベン化合物を発生するカルベン前駆体である。これらのような樹脂組成物から形成される硬化物を金属と隣接して形成した場合には、硬化物中に存在するカルベン化合物はカルベン炭素の非共有電子対をもって金属に吸着し、防錆能を示すと考えられる。また、上述と同様にカルベン化合物により酸が除去されるため、金属の腐食が抑制されると考えられる。また、従来の防錆剤には重合禁止効果があり、重合性基との併用が難しい場合があったが、第２の特定化合物はラジカルとの反応性が低く、重合性基のラジカル重合反応を阻害しにくいため、樹脂における重合性基の重合が進行しやすくなる。その結果、架橋密度が増大し、酸素の膜透過性が低下したり、膜中の酸等の金属を腐食させる化合物が膜中で移動しにくくなる等の効果により、金属の腐食が抑制されると考えられる。

　ここで、特許文献１には、特定化合物を組成物に含有させることについては記載も示唆もない。

　以下、本発明の樹脂組成物に含まれる成分について詳細に説明する。

＜特定樹脂＞
　本発明の第一の樹脂組成物は、環化樹脂およびその前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂（「第一の特定樹脂」ともいう。）を含む。
　本発明の第二の樹脂組成物は、環化樹脂およびその前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂であって、重合性基を有する樹脂（「第二の特定樹脂」ともいう。）を含む。
　以下、第一の特定樹脂と、第二の特定樹脂とを合わせて単に「特定樹脂」とも記載する。
　環化樹脂は、主鎖構造中にイミド環構造又はオキサゾール環構造を含む樹脂であることが好ましい。
　本発明において、「主鎖」とは、樹脂分子中で相対的に最も長い結合鎖を表し、「側鎖」とはそれ以外の結合鎖をいう。
　環化樹脂としては、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリアミドイミド等が挙げられる。
　環化樹脂の前駆体とは、外部刺激により化学構造の変化を生じて環化樹脂となる樹脂をいい、熱により化学構造の変化を生じて環化樹脂となる樹脂が好ましく、熱により閉環反応を生じて環構造が形成されることにより環化樹脂となる樹脂がより好ましい。
　環化樹脂の前駆体としては、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド前駆体等が挙げられる。
　すなわち、樹脂組成物は、特定樹脂として、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド、及び、ポリアミドイミド前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂を含むことが好ましい。
　樹脂組成物は、特定樹脂として、ポリイミド又はポリイミド前駆体を含むことが好ましい。

　また、本発明の樹脂組成物は、特定樹脂として環化樹脂を含むことが好ましく、ポリイミドを含むことがより好ましい。
　反応性の高いカルベン化合物又はその前駆体と併用するにあたって、樹脂自体がカルベン化合物と反応しにくいことが好ましい。ここで、環化樹脂は極めて安定でありカルベン化合物とも反応しにくいため、環化樹脂とカルベン化合物又はその前駆体とを併用した場合に、樹脂とカルベン化合物の両方の性能が発揮されやすいと考えられる。

　第一の特定樹脂は重合性基を有することが好ましく、ラジカル重合性基を含むことがより好ましい。
　第二の特定樹脂は重合性基を有することが好ましく、ラジカル重合性基を含むことがより好ましい。
　また、特定樹脂における重合性基の具体例としては、エチレン性不飽和結合を有する基、アルコキシメチル基、ヒドロキシメチル基、アシルオキシメチル基、エポキシ基、オキセタニル基、ベンゾオキサゾリル基、ブロックイソシアネート基、アミノ基が挙げられ、エチレン性不飽和結合を有する基が好ましい。
　エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、アリル基、イソアリル基、２－メチルアリル基、ビニル基と直接結合した芳香環を有する基（例えば、ビニルフェニル基など）、（メタ）アクリルアミド基、（メタ）アクリロイルオキシ基、マレイミド基等が挙げられる。
　特定樹脂がラジカル重合性基を有する場合、本発明の樹脂組成物は、ラジカル重合開始剤を含むことが好ましく、ラジカル重合開始剤を含み、かつ、ラジカル架橋剤を含むことがより好ましい。さらに必要に応じて、増感剤を含むことができる。このような樹脂組成物からは、例えば、ネガ型感光膜が形成される。
　また、第一の特定樹脂は、酸分解性基等の極性変換基を有していてもよい。
　特定樹脂が酸分解性基を有する場合、樹脂組成物は、光酸発生剤を含むことが好ましい。このような樹脂組成物からは、例えば、化学増幅型であるポジ型感光膜又はネガ型感光膜が形成される。

〔ポリイミド前駆体〕
　本発明で用いるポリイミド前駆体は、その種類等は特に限定されないが、下記式（２）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。
　式（２）中、Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、酸素原子又は－ＮＲ^ｚ－を表し、Ｒ^１１１は、２価の有機基を表し、Ｒ^１１５は、４価の有機基を表し、Ｒ^１１３及びＲ^１１４は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^ｚは水素原子又は１価の有機基を表す。

　式（２）におけるＡ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、酸素原子又は－ＮＲ^ｚ－を表し、酸素原子が好ましい。
　Ｒ^ｚは水素原子又は１価の有機基を表し、水素原子が好ましい。
　式（２）におけるＲ^１１１は、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、直鎖又は分岐の脂肪族基、環状の脂肪族基及び芳香族基を含む基が例示され、炭素数２～２０の直鎖又は分岐の脂肪族基、炭素数３～２０の環状の脂肪族基、炭素数３～２０の芳香族基、又は、これらの組み合わせからなる基が好ましく、炭素数６～２０の芳香族基を含む基がより好ましい。上記直鎖又は分岐の脂肪族基は鎖中の炭化水素基がヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、上記環状の脂肪族基および芳香族基は環員の炭化水素基がヘテロ原子を含む基で置換されていてもよい。式（２）におけるＲ^１１１の例としては、－Ａｒ－および－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ－で表される基が挙げられ、－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ－で表される基が好ましい。但し、Ａｒは、それぞれ独立に、芳香族基であり、Ｌは、単結合、又は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－若しくは－ＮＨＣＯ－、あるいは、上記の２つ以上の組み合わせからなる基である。これらの好ましい範囲は、上述のとおりである。

　Ｒ^１１１は、ジアミンから誘導されることが好ましい。ポリイミド前駆体の製造に用いられるジアミンとしては、直鎖又は分岐の脂肪族、環状の脂肪族又は芳香族ジアミンなどが挙げられる。ジアミンは、１種のみ用いてもよいし、２種以上用いてもよい。
　具体的には、Ｒ^１１１は、炭素数２～２０の直鎖又は分岐の脂肪族基、炭素数３～２０の環状の脂肪族基、炭素数３～２０の芳香族基、又は、これらの組み合わせからなる基を含むジアミンであることが好ましく、炭素数６～２０の芳香族基を含むジアミンであることがより好ましい。上記直鎖又は分岐の脂肪族基は鎖中の炭化水素基がヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく上記環状の脂肪族基および芳香族基は環員の炭化水素基がヘテロ原子を含む基で置換されていてもよい。芳香族基を含む基の例としては、下記が挙げられる。

　式中、Ａは単結合又は２価の連結基を表し、単結合、又は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－ＮＨＣＯ－、又は、これらの組み合わせから選択される基であることが好ましく、単結合、又は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキレン基、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ－、若しくは、－ＳＯ_２－から選択される基であることがより好ましく、－ＣＨ_２－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－、又は、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－であることが更に好ましい。
　式中、＊は他の構造との結合部位を表す。

　ジアミンとしては、具体的には、１，２－ジアミノエタン、１，２－ジアミノプロパン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン又は１，６－ジアミノヘキサン；
１，２－又は１，３－ジアミノシクロペンタン、１，２－、１，３－又は１，４－ジアミノシクロヘキサン、１，２－、１，３－又は１，４－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、ビス－（４－アミノシクロヘキシル）メタン、ビス－（３－アミノシクロヘキシル）メタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジメチルシクロヘキシルメタン及びイソホロンジアミン；
ｍ－又はｐ－フェニレンジアミン、ジアミノトルエン、４，４’－又は３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－又は３，３’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－又は３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－又は３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－又は３，３’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメトキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（３－ヒドロキシ－４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－ヒドロキシ－４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）スルホン、４，４’－ジアミノパラテルフェニル、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４－（２－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノオクタフルオロビフェニル、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）－１０－ヒドロアントラセン、３，３’，４，４’－テトラアミノビフェニル、３，３’，４，４’－テトラアミノジフェニルエーテル、１，４－ジアミノアントラキノン、１，５－ジアミノアントラキノン、３，３－ジヒドロキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、９，９’－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン、４，４’－ジメチル－３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、２，４－及び２，５－ジアミノクメン、２，５－ジメチル－ｐ－フェニレンジアミン、アセトグアナミン、２，３，５，６－テトラメチル－ｐ－フェニレンジアミン、２，４，６－トリメチル－ｍ－フェニレンジアミン、ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ－アミノフェニル）オクタメチルペンタシロキサン、２，７－ジアミノフルオレン、２，５－ジアミノピリジン、１，２－ビス（４－アミノフェニル）エタン、ジアミノベンズアニリド、ジアミノ安息香酸のエステル、１，５－ジアミノナフタレン、ジアミノベンゾトリフルオライド、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，４－ビス（４－アミノフェニル）オクタフルオロブタン、１，５－ビス（４－アミノフェニル）デカフルオロペンタン、１，７－ビス（４－アミノフェニル）テトラデカフルオロヘプタン、２，２－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［４－（２－アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）－３，５－ジメチルフェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）－３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ｐ－ビス（４－アミノ－２－トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノ－２－トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４’－ビス（４－アミノ－３－トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４’－ビス（４－アミノ－２－トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４’－ビス（３－アミノ－５－トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、２，２－ビス［４－（４－アミノ－３－トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノ－２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、２，２’，５，５’，６，６’－ヘキサフルオロトリジン及び４，４’－ジアミノクアテルフェニルから選ばれる少なくとも１種のジアミンが挙げられる。

　また、国際公開第２０１７／０３８５９８号の段落００３０～００３１に記載のジアミン（ＤＡ－１）～（ＤＡ－１８）も好ましい。

　また、国際公開第２０１７／０３８５９８号の段落００３２～００３４に記載の２つ以上のアルキレングリコール単位を主鎖にもつジアミンも好ましく用いられる。

　Ｒ^１１１は、得られる有機膜の柔軟性の観点から、－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ－で表されることが好ましい。但し、Ａｒは、それぞれ独立に、芳香族基であり、Ｌは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－又は－ＮＨＣＯ－、あるいは、上記の２つ以上の組み合わせからなる基である。Ａｒは、フェニレン基が好ましく、Ｌは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１又は２の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－又は－ＳＯ_２－が好ましい。ここでの脂肪族炭化水素基は、アルキレン基が好ましい。

　また、Ｒ^１１１は、ｉ線透過率の観点から、下記式（５１）又は式（６１）で表される２価の有機基であることが好ましい。特に、ｉ線透過率、入手のし易さの観点から、式（６１）で表される２価の有機基であることがより好ましい。
　式（５１）
　式（５１）中、Ｒ^５０～Ｒ^５７は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は１価の有機基であり、Ｒ^５０～Ｒ^５７の少なくとも１つは、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であり、＊はそれぞれ独立に、式（２）中の窒素原子との結合部位を表す。
　Ｒ^５０～Ｒ^５７の１価の有機基としては、炭素数１～１０（好ましくは炭素数１～６）の無置換のアルキル基、炭素数１～１０（好ましくは炭素数１～６）のフッ化アルキル基等が挙げられる。
　式（６１）中、Ｒ^５８及びＲ^５９は、それぞれ独立に、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基であり、＊はそれぞれ独立に、式（２）中の窒素原子との結合部位を表す。
　式（５１）又は式（６１）の構造を与えるジアミンとしては、２，２’－ジメチルベンジジン、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ビス（フルオロ）－４，４’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノオクタフルオロビフェニル等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　また、Ｒ^１１１は下記式（７１）で表される基であることも好ましい。上記態様において、Ｒ^１１１は下記式（７２）で表される基であることがより好ましい。
　式（７１）中、Ａ^１～Ａ^３はそれぞれ独立に、単結合又は２価の連結基であり、＊は式（２）中の窒素原子との結合部位を表し、式（７１）中に記載された４つのベンゼン環は、それぞれ水素原子が置換基により置換されていてもよい。
　本明細書において、環構造の辺と交差する結合は、その環構造における水素原子のいずれかを置換することを意味している。
　式（７２）中、＊は式（２）中の窒素原子との結合部位を表す。

　式（７１）中、Ａ^１～Ａ^３は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－ＮＨＣ（＝Ｏ）－、又は、これらの２つ以上の組み合わせからなる基であることが好ましく、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、又は、これらの２つ以上の組み合わせからなる基であることより好ましく、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基又は－Ｏ－であることが更に好ましい。
　特に、Ａ^１及びＡ^３は－Ｏ－であることが好ましい。
　特に、Ａ^２はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基であることが好ましい。
　これらの中でも、Ａ^１及びＡ^３が－Ｏ－であり、かつ、Ａ^２が－Ｃ（ＣＨ_３）_２－である態様も、本発明の好ましい態様の一つである。
　フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基の炭素数は、特に限定されないが、１～６であることが好ましく、１～４であることがより好ましい。
　フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基の具体例としては、－ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－等が挙げられ、中でも－Ｃ（ＣＨ_３）_２－が好ましい。
　式（７１）中に記載された４つのベンゼン環における置換基としては、フッ素原子、水素原子がフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１０の炭化水素基等が挙げられる。
　また式（７１）中に記載された４つのベンゼン環がいずれも無置換である態様も、本発明の好ましい態様の一つである。

　また、Ｒ^１１１は下記式（８１）で表される基であることも好ましい。上記態様において、Ｒ^１１１は下記式（８２）で表される基であることがより好ましい。
　式（８１）中、Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立に、単結合又は２価の連結基であり、＊は式（２）中の窒素原子との結合部位を表し、式（８１）中に記載された３つのベンゼン環は、それぞれ水素原子が置換基により置換されていてもよい。
　式（８２）中、＊は式（２）中の窒素原子との結合部位を表す。

　式（８１）中、Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立に、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－ＮＨＣ（＝Ｏ）－、又は、これらの２つ以上の組み合わせからなる基であることが好ましく、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、又は、これらの２つ以上の組み合わせからなる基であることより好ましく、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基又は－Ｏ－であることが更に好ましく、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－であることが特に好ましい。

　式（２）におけるＲ^１１５は、４価の有機基を表す。４価の有機基としては、芳香環を含む４価の有機基が好ましく、下記式（５）又は式（６）で表される基がより好ましい。
式（５）又は式（６）中、＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
　式（５）中、Ｒ^１１２は単結合又は２価の連結基であり、単結合、又は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、及び－ＮＨＣＯ－、ならびに、これらの組み合わせから選択される基であることが好ましく、単結合、または、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキレン基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－及び－ＳＯ_２－から選択される基であることがより好ましく、－ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－及び－ＳＯ_２－からなる群より選択される２価の基であることが更に好ましい。

　また、Ｒ^１１５は下記式（７）で表される基であることも好ましい。上記態様において、Ｒ^１１５は下記式（７－２）で表される基であることがより好ましい。
　式（７）中、Ａ^１～Ａ^３はそれぞれ独立に、単結合又は２価の連結基であり、＊は式（２）中のカルボニル基との結合部位を表し、式（７）中に記載された４つのベンゼン環は、それぞれ水素原子が置換基により置換されていてもよい。
　式（７－２）中、＊は式（２）中のカルボニル基との結合部位を表す。

　式（７）中、Ａ^１～Ａ^３、及び、ベンゼン環における置換基の好ましい態様は、上述の式（７－１）におけるＡ^１～Ａ^３、及び、ベンゼン環における置換基の好ましい態様と同様である。

　Ｒ^１１５は、具体的には、テトラカルボン酸二無水物から無水物基の除去後に残存するテトラカルボン酸残基などが挙げられる。ポリイミド前駆体は、Ｒ^１１５に該当する構造として、テトラカルボン酸二無水物残基を、１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。
　テトラカルボン酸二無水物は、下記式（Ｏ）で表されることが好ましい。
　式（Ｏ）中、Ｒ^１１５は、４価の有機基を表す。Ｒ^１１５の好ましい範囲は式（２）におけるＲ^１１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。

　テトラカルボン酸二無水物の具体例としては、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルフィドテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’－ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，３－ジフェニルヘキサフルオロプロパン－３，３，４，４－テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’－ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，８，９，１０－フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、１，１－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，２，３，４－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、ならびに、これらの炭素数１～６のアルキル及び炭素数１～６のアルコキシ誘導体が挙げられる。

また、国際公開第２０１７／０３８５９８号の段落００３８に記載のテトラカルボン酸二無水物（ＤＡＡ－１）～（ＤＡＡ－５）も好ましい例として挙げられる。

　式（２）において、Ｒ^１１１とＲ^１１５の少なくとも一方がＯＨ基を有することも可能である。より具体的には、Ｒ^１１１として、ビスアミノフェノール誘導体の残基が挙げられる。

　式（２）におけるＲ^１１３及びＲ^１１４は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル基、芳香族基、又はポリアルキレンオキシ基を含むことが好ましい。また、Ｒ^１１３及びＲ^１１４の少なくとも一方が重合性基を含むことが好ましく、両方が重合性基を含むことがより好ましい。Ｒ^１１３及びＲ^１１４の少なくとも一方が２以上の重合性基を含むことも好ましい。重合性基としては、熱、ラジカル等の作用により、架橋反応することが可能な基であって、ラジカル重合性基が好ましい。重合性基の具体例としては、エチレン性不飽和結合を有する基、アルコキシメチル基、ヒドロキシメチル基、アシルオキシメチル基、エポキシ基、オキセタニル基、ベンゾオキサゾリル基、ブロックイソシアネート基、アミノ基が挙げられる。ポリイミド前駆体が有するラジカル重合性基としては、エチレン性不飽和結合を有する基が好ましい。
　エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、アリル基、イソアリル基、２－メチルアリル基、ビニル基と直接結合した芳香環を有する基（例えば、ビニルフェニル基など）、（メタ）アクリルアミド基、（メタ）アクリロイルオキシ基、下記式（ＩＩＩ）で表される基などが挙げられ、下記式（ＩＩＩ）で表される基が好ましい。

　式（ＩＩＩ）において、Ｒ^２００は、水素原子、メチル基、エチル基又はメチロール基を表し、水素原子又はメチル基が好ましい。
　式（ＩＩＩ）において、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（ＩＩＩ）において、Ｒ^２０１は、炭素数２～１２のアルキレン基、－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－、シクロアルキレン基又はポリアルキレンオキシ基を表す。
　好適なＲ^２０１の例は、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、ドデカメチレン基等のアルキレン基、１，２－ブタンジイル基、１，３－ブタンジイル基、－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－、ポリアルキレンオキシ基が挙げられ、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基、－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－、シクロヘキシル基、ポリアルキレンオキシ基がより好ましく、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基、又はポリアルキレンオキシ基が更に好ましい。
　本発明において、ポリアルキレンオキシ基とは、アルキレンオキシ基が２以上直接結合した基をいう。ポリアルキレンオキシ基に含まれる複数のアルキレンオキシ基におけるアルキレン基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
　ポリアルキレンオキシ基が、アルキレン基が異なる複数種のアルキレンオキシ基を含む場合、ポリアルキレンオキシ基におけるアルキレンオキシ基の配列は、ランダムな配列であってもよいし、ブロックを有する配列であってもよいし、交互等のパターンを有する配列であってもよい。
　上記アルキレン基の炭素数（アルキレン基が置換基を有する場合、置換基の炭素数を含む）は、２以上であることが好ましく、２～１０であることがより好ましく、２～６であることがより一層好ましく、２～５であることが更に好ましく、２～４であることが一層好ましく、２又は３であることがより更に好ましく、２であることが特に好ましい。
　また、上記アルキレン基は、置換基を有していてもよい。好ましい置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。
　また、ポリアルキレンオキシ基に含まれるアルキレンオキシ基の数（ポリアルキレンオキシ基の繰返し数）は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６が更に好ましい。
　ポリアルキレンオキシ基としては、溶剤溶解性及び耐溶剤性の観点からは、ポリエチレンオキシ基、ポリプロピレンオキシ基、ポリトリメチレンオキシ基、ポリテトラメチレンオキシ基、又は、複数のエチレンオキシ基と複数のプロピレンオキシ基とが結合した基が好ましく、ポリエチレンオキシ基又はポリプロピレンオキシ基がより好ましく、ポリエチレンオキシ基が更に好ましい。上記複数のエチレンオキシ基と複数のプロピレンオキシ基とが結合した基において、エチレンオキシ基とプロピレンオキシ基とはランダムに配列していてもよいし、ブロックを形成して配列していてもよいし、交互等のパターン状に配列していてもよい。これらの基におけるエチレンオキシ基等の繰返し数の好ましい態様は上述の通りである。

　式（２）において、Ｒ^１１３が水素原子である場合、又は、Ｒ^１１４が水素原子である場合、ポリイミド前駆体はエチレン性不飽和結合を有する３級アミン化合物と対塩を形成していてもよい。このようなエチレン性不飽和結合を有する３級アミン化合物の例としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノプロピルメタクリレートが挙げられる。

　式（２）において、Ｒ^１１３及びＲ^１１４の少なくとも一方が、酸分解性基等の極性変換基であってもよい。酸分解性基としては、酸の作用で分解して、フェノール性ヒドロキシ基、カルボキシ基等のアルカリ可溶性基を生じるものであれば特に限定されないが、アセタール基、ケタール基、シリル基、シリルエーテル基、第三級アルキルエステル基等が好ましく、露光感度の観点からは、アセタール基又はケタール基がより好ましい。
　酸分解性基の具体例としては、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、エトキシエチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリルエーテル基などが挙げられる。露光感度の観点からは、エトキシエチル基、又は、テトラヒドロフラニル基が好ましい。

　ポリイミド前駆体は、構造中にフッ素原子を有することも好ましい。ポリイミド前駆体中のフッ素原子含有量は、１０質量％以上が好ましく、また、２０質量％以下が好ましい。

　また、基板との密着性を向上させる目的で、ポリイミド前駆体は、シロキサン構造を有する脂肪族基と共重合していてもよい。具体的には、ジアミンとして、ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ－アミノフェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどを用いる態様が挙げられる。

　式（２）で表される繰返し単位は、式（２－Ａ）で表される繰返し単位であることが好ましい。すなわち、本発明で用いるポリイミド前駆体の少なくとも１種が、式（２－Ａ）で表される繰返し単位を有する前駆体であることが好ましい。ポリイミド前駆体が式（２－Ａ）で表される繰返し単位を含むことにより、露光ラチチュードの幅をより広げることが可能になる。
式（２－Ａ）
　式（２－Ａ）中、Ａ^１及びＡ^２は、酸素原子を表し、Ｒ^１１１及びＲ^１１２は、それぞれ独立に、２価の有機基を表し、Ｒ^１１３及びＲ^１１４は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^１１３及びＲ^１１４の少なくとも一方は、重合性基を含む基であり、両方が重合性基を含む基であることが好ましい。

　Ａ^１、Ａ^２、Ｒ^１１１、Ｒ^１１３及びＲ^１１４は、それぞれ独立に、式（２）におけるＡ^１、Ａ^２、Ｒ^１１１、Ｒ^１１３及びＲ^１１４と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ｒ^１１２は、式（５）におけるＲ^１１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。

　ポリイミド前駆体は、式（２）で表される繰返し単位を１種含んでいてもよいが、２種以上で含んでいてもよい。また、式（２）で表される繰返し単位の構造異性体を含んでいてもよい。ポリイミド前駆体は、上記式（２）の繰返し単位のほかに、他の種類の繰返し単位をも含んでいてもよい。

　本発明におけるポリイミド前駆体の一実施形態として、式（２）で表される繰返し単位の含有量が、全繰返し単位の５０モル％以上である態様が挙げられる。上記合計含有量は、７０モル％以上であることがより好ましく、９０モル％以上であることが更に好ましく、９０モル％超であることが特に好ましい。上記合計含有量の上限は、特に限定されず、末端を除くポリイミド前駆体における全ての繰返し単位が、式（２）で表される繰返し単位であってもよい。

　ポリイミド前駆体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５，０００～１００，０００が好ましく、１０，０００～５０，０００がより好ましく、１５，０００～４０，０００が更に好ましい。ポリイミド前駆体の数平均分子量（Ｍｎ）は、２，０００～４０，０００が好ましく、３，０００～３０，０００がより好ましく、４，０００～２０，０００が更に好ましい。
　上記ポリイミド前駆体の分子量の分散度は、１．５以上が好ましく、１．８以上がより好ましく、２．０以上であることが更に好ましい。ポリイミド前駆体の分子量の分散度の上限値は特に定めるものではないが、例えば、７．０以下が好ましく、６．５以下がより好ましく、６．０以下が更に好ましい。
　本明細書において、分子量の分散度とは、重量平均分子量／数平均分子量により算出される値である。
　樹脂組成物が特定樹脂として複数種のポリイミド前駆体を含む場合、少なくとも１種のポリイミド前駆体の重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が上記範囲であることが好ましい。また、上記複数種のポリイミド前駆体を１つの樹脂として算出した重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が、それぞれ、上記範囲内であることも好ましい。

〔ポリイミド〕
　本発明に用いられるポリイミドは、アルカリ可溶性ポリイミドであってもよく、有機溶剤を主成分とする現像液に対して可溶なポリイミドであってもよい。
　本明細書において、アルカリ可溶性ポリイミドとは、１００ｇの２．３８質量％テトラメチルアンモニウム水溶液に対し、２３℃で０．１ｇ以上溶解するポリイミドをいい、パターン形成性の観点からは、０．５ｇ以上溶解するポリイミドであることが好ましく、１．０ｇ以上溶解するポリイミドであることが更に好ましい。上記溶解量の上限は特に限定されないが、１００ｇ以下であることが好ましい。
　ポリイミドは、得られる有機膜の膜強度及び絶縁性の観点からは、複数個のイミド構造を主鎖に有するポリイミドであることが好ましい。

－フッ素原子－
　得られる有機膜の膜強度の観点からは、ポリイミドは、フッ素原子を有することも好ましい。
　フッ素原子は、例えば、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ^１３２、又は、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ^１３１に含まれることが好ましく、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ^１３２、又は、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ^１３１にフッ化アルキル基として含まれることがより好ましい。
　ポリイミドの全質量に対するフッ素原子の量は、５質量％以上が好ましく、また、２０質量％以下が好ましい。

－ケイ素原子－
　得られる有機膜の膜強度の観点からは、ポリイミドは、ケイ素原子を有することも好ましい。
　ケイ素原子は、例えば、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ^１３１に含まれることが好ましく、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ^１３１に後述する有機変性（ポリ）シロキサン構造として含まれることがより好ましい。
　上記ケイ素原子又は上記有機変性（ポリ）シロキサン構造はポリイミドの側鎖に含まれていてもよいが、ポリイミドの主鎖に含まれることが好ましい。
　ポリイミドの全質量に対するケイ素原子の量は、１質量％以上が好ましく、また、２０質量％以下が好ましい。

－エチレン性不飽和結合－
　得られる有機膜の膜強度の観点からは、ポリイミドは、エチレン性不飽和結合を有することが好ましい。
　ポリイミドは、エチレン性不飽和結合を主鎖末端に有していてもよいし、側鎖に有していてもよいが、側鎖に有することが好ましい。
　上記エチレン性不飽和結合は、ラジカル重合性を有することが好ましい。
　エチレン性不飽和結合は、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ^１３２又はＲ^１３１に含まれることが好ましく、Ｒ^１３２又はＲ^１３１にエチレン性不飽和結合を有する基として含まれることがより好ましい。
　これらの中でも、エチレン性不飽和結合は、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ^１３１に含まれることが好ましく、Ｒ^１３１にエチレン性不飽和結合を有する基として含まれることがより好ましい。
　エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、アリル基、ビニルフェニル基等の芳香環に直接結合した、置換されていてもよいビニル基を有する基、（メタ）アクリルアミド基、（メタ）アクリロイルオキシ基、下記式（ＩＶ）で表される基などが挙げられる。

　式（ＩＶ）中、Ｒ^２０は、水素原子、メチル基、エチル基又はメチロール基を表し、水素原子又はメチル基が好ましい。

　式（ＩＶ）中、Ｒ^２１は、炭素数２～１２のアルキレン基、－Ｏ－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ－、炭素数２～３０の（ポリ）アルキレンオキシ基（アルキレン基の炭素数は２～１２が好ましく、２～６がより好ましく、２又は３が特に好ましい、アルキレンオキシ基の繰返し数は１～１２が好ましく、１～６がより好ましく、１～３が特に好ましい）、又はこれらを２以上組み合わせた基を表す。
　上記炭素数２～１２のアルキレン基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状又はこれらの組み合わせにより表されるアルキレン基のいずれであってもよい。
　上記炭素数２～１２のアルキレン基としては、炭素数２～８のアルキレン基が好ましく、炭素数２～４のアルキレン基がより好ましい。

　これらの中でも、Ｒ^２１は下記式（Ｒ１）～式（Ｒ３）のいずれかで表される基であることが好ましく、式（Ｒ１）で表される基であることがより好ましい。
　式（Ｒ１）～（Ｒ３）中、Ｌは単結合、又は、炭素数２～１２のアルキレン基、炭素数２～３０の（ポリ）アルキレンオキシ基若しくはこれらを２以上結合した基を表し、Ｘは酸素原子又は硫黄原子を表し、＊は他の構造との結合部位を表し、●は式（ＩＶ）中のＲ^２１が結合する酸素原子との結合部位を表す。
　式（Ｒ１）～（Ｒ３）中、Ｌとしての炭素数２～１２のアルキレン基、又は、炭素数２～３０の（ポリ）アルキレンオキシ基の好ましい態様は、式（ＩＶ）のＲ^２１としての炭素数２～１２のアルキレン基、又は、炭素数２～３０の（ポリ）アルキレンオキシ基の好ましい態様と同様である。
　式（Ｒ１）中、Ｘは酸素原子であることが好ましい。
　式（Ｒ１）～（Ｒ３）中、＊は式（ＩＶ）中の＊と同義であり、好ましい態様も同様である。
　式（Ｒ１）で表される構造は、例えば、フェノール性ヒドロキシ基等のヒドロキシ基を有するポリイミドと、イソシアナト基及びエチレン性不飽和結合を有する化合物（例えば、２－イソシアナトエチルメタクリレート等）とを反応することにより得られる。
　式（Ｒ２）で表される構造は、例えば、カルボキシ基を有するポリイミドと、ヒドロキシ基及びエチレン性不飽和結合を有する化合物（例えば、２－ヒドロキシエチルメタクリレート等）とを反応することにより得られる。
　式（Ｒ３）で表される構造は、例えば、フェノール性ヒドロキシ基等のヒドロキシ基を有するポリイミドと、グリシジル基及びエチレン性不飽和結合を有する化合物（例えば、グリシジルメタクリレート等）とを反応することにより得られる。

　式（ＩＶ）中、＊は他の構造との結合部位を表し、ポリイミドの主鎖との結合部位であることが好ましい。

　ポリイミドの全質量に対するエチレン性不飽和結合の量は、０．０００１～０．１ｍｏｌ／ｇであることが好ましく、０．０００５～０．０５ｍｏｌ／ｇであることがより好ましい。

－エチレン性不飽和結合を有する基以外の重合性基－
　ポリイミドは、エチレン性不飽和結合を有する基以外の重合性基を有していてもよい。
　エチレン性不飽和結合を有する基以外の重合性基としては、エポキシ基、オキセタニル基等の環状エーテル基、メトキシメチル基等のアルコキシメチル基、メチロール基等が挙げられる。
　エチレン性不飽和結合を有する基以外の重合性基は、例えば、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ^１３１に含まれることが好ましい。
　ポリイミドの全質量に対するエチレン性不飽和結合を有する基以外の重合性基の量は、０．０００１～０．１ｍｏｌ／ｇであることが好ましく、０．００１～０．０５ｍｏｌ／ｇであることがより好ましい。

－極性変換基－
　ポリイミドは、酸分解性基等の極性変換基を有していてもよい。ポリイミドにおける酸分解性基は、上述の式（２）におけるＲ^１１３及びＲ^１１４において説明した酸分解性基と同様であり、好ましい態様も同様である。
　極性変換基は、例えば、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ^１３１、Ｒ^１３２、ポリイミドの末端などに含まれる。

－酸価－
　ポリイミドがアルカリ現像に供される場合、現像性を向上する観点からは、ポリイミドの酸価は、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることがより好ましく、７０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが更に好ましい。
　上記酸価は５００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが好ましく、４００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることがより好ましく、２００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが更に好ましい。
　ポリイミドが有機溶剤を主成分とする現像液を用いた現像（例えば、「溶剤現像」）に供される場合、ポリイミドの酸価は、１～３５ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、２～３０ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましく、５～２０ｍｇＫＯＨ／ｇが更に好ましい。
　上記酸価は、公知の方法により測定され、例えば、ＪＩＳ　Ｋ　００７０：１９９２に記載の方法により測定される。
　ポリイミドに含まれる酸基としては、保存安定性及び現像性の両立の観点から、ｐＫａが０～１０である酸基が好ましく、３～８である酸基がより好ましい。
　ｐＫａとは、酸から水素イオンが放出される解離反応を考え、その平衡定数Ｋａをその負の常用対数ｐＫａによって表したものである。本明細書において、ｐＫａは、特に断らない限り、ＡＣＤ／ＣｈｅｍＳｋｅｔｃｈ（登録商標）による計算値とする。ｐＫａは、日本化学会編「改定５版　化学便覧　基礎編」に掲載の値を参照してもよい。
　酸基が例えばリン酸等の多価の酸である場合、上記ｐＫａは第一解離定数である。
　このような酸基として、ポリイミドは、カルボキシ基、及び、フェノール性ヒドロキシ基からなる群より選ばれた少なくとも１種を含むことが好ましく、フェノール性ヒドロキシ基を含むことがより好ましい。

－フェノール性ヒドロキシ基－
　アルカリ現像液による現像速度を適切なものとする観点からは、ポリイミドは、フェノール性ヒドロキシ基を有することが好ましい。
　ポリイミドは、フェノール性ヒドロキシ基を主鎖末端に有してもよいし、側鎖に有してもよい。
　フェノール性ヒドロキシ基は、例えば、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ^１３２又はＲ^１３１に含まれることが好ましい。
　ポリイミドの全質量に対するフェノール性ヒドロキシ基の量は、０．１～３０ｍｏｌ／ｇであることが好ましく、１～２０ｍｏｌ／ｇであることがより好ましい。

　本発明で用いるポリイミドとしては、イミド構造を有する高分子化合物であれば、特に限定はないが、下記式（４）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。
　式（４）中、Ｒ^１３１は、２価の有機基を表し、Ｒ^１３２は、４価の有機基を表す。
　重合性基を有する場合、重合性基は、Ｒ^１３１及びＲ^１３２の少なくとも一方に位置していてもよいし、下記式（４－１）又は式（４－２）に示すようにポリイミドの末端に位置していてもよい。
式（４－１）
式（４－１）中、Ｒ^１３３は重合性基であり、他の基は式（４）と同義である。
式（４－２）
式（４－２）中、Ｒ^１３４及びＲ^１３５の少なくとも一方は重合性基であり、重合性基でない場合は有機基であり、他の基は式（４）と同義である。

　重合性基としては、上述のエチレン性不飽和結合を含む基、又は、上述のエチレン性不飽和結合を有する基以外の架橋性基が挙げられる。
　Ｒ^１３１は、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、式（２）におけるＲ^１１１と同様のものが例示され、好ましい範囲も同様である。
　Ｒ^１３１としては、ジアミンのアミノ基の除去後に残存するジアミン残基が挙げられる。ジアミンとしては、脂肪族、環式脂肪族又は芳香族ジアミンなどが挙げられる。具体的な例としては、ポリイミド前駆体の式（２）中のＲ^１１１の例が挙げられる。

　Ｒ^１３１は、少なくとも２つのアルキレングリコール単位を主鎖にもつジアミン残基であることが、焼成時における反りの発生をより効果的に抑制する点で好ましい。より好ましくは、エチレングリコール鎖、プロピレングリコール鎖のいずれか又は両方を一分子中にあわせて２つ以上含むジアミン残基であり、更に好ましくは上記ジアミンであって、芳香環を含まないジアミン残基である。

　エチレングリコール鎖、プロピレングリコール鎖のいずれか又は両方を一分子中にあわせて２つ以上含むジアミンとしては、ジェファーミン（登録商標）ＫＨ－５１１、ＥＤ－６００、ＥＤ－９００、ＥＤ－２００３、ＥＤＲ－１４８、ＥＤＲ－１７６、Ｄ－２００、Ｄ－４００、Ｄ－２０００、Ｄ－４０００（以上商品名、ＨＵＮＴＳＭＡＮ（株）製）、１－（２－（２－（２－アミノプロポキシ）エトキシ）プロポキシ）プロパン－２－アミン、１－（１－（１－（２－アミノプロポキシ）プロパン－２－イル）オキシ）プロパン－２－アミンなどが挙げられるが、これらに限定されない。

　Ｒ^１３２は、４価の有機基を表す。４価の有機基としては、式（２）におけるＲ^１１５と同様のものが例示され、好ましい範囲も同様である。
　例えば、Ｒ^１１５として例示される４価の有機基の４つの結合子が、式（４）中の４つの－Ｃ（＝Ｏ）－の部分と結合して縮合環を形成する。

　Ｒ^１３２は、テトラカルボン酸二無水物から無水物基の除去後に残存するテトラカルボン酸残基などが挙げられる。具体的な例としては、ポリイミド前駆体の式（２）中のＲ^１１５の例が挙げられる。有機膜の強度の観点から、Ｒ^１３２は１～４つの芳香環を有する芳香族ジアミン残基であることが好ましい。

　Ｒ^１３１とＲ^１３２の少なくとも一方にＯＨ基を有することも好ましい。より具体的には、Ｒ^１３１として、２，２－ビス（３－ヒドロキシ－４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－ヒドロキシ－４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、上記の（ＤＡ－１）～（ＤＡ－１８）が好ましい例として挙げられ、Ｒ^１３２として、上記の（ＤＡＡ－１）～（ＤＡＡ－５）がより好ましい例として挙げられる。

　これらの中でも、Ｒ^１３２は下記式（Ｖ－１）～式（Ｖ－４）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む有機基を表すことが好ましい。
　式（Ｖ－１）～式（Ｖ－４）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む有機基であることにより、硬化物の耐薬品性及び平坦性が向上する。
　また、式（Ｖ－１）～式（Ｖ－４）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む有機基であることにより、現像残渣の発生の抑制、硬化物の低誘電率化、熱膨張係数の低減等の効果も得られる。
　式（Ｖ－２）中、Ｒ^Ｘ１はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。
　式（Ｖ－３）中、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^Ｘ２とＲ^Ｘ３は結合して環構造を形成してもよい。

　式（Ｖ－２）中、Ｒ^Ｘ１はそれぞれ独立に、アルキル基又はハロゲン化アルキル基であることが好ましく、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数１～４のハロゲン化アルキル基であることがより好ましく、メチル基又はトリフルオロメチル基が更に好ましい。ハロゲン化アルキル基とは、アルキル基の水素原子の少なくとも１つがハロゲン原子により置換された基をいう。ハロゲン原子としては、Ｆ又はＣｌが好ましく、Ｆがより好ましい。
　式（Ｖ－３）中、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３はそれぞれ独立に、水素原子であることが好ましい。
Ｒ^Ｘ２とＲ^Ｘ３が結合して環構造を形成する場合、Ｒ^Ｘ２とＲ^Ｘ３が結合して形成される構造は、単結合、－Ｏ－又は－Ｃ（Ｒ）_２－であることが好ましく、－Ｏ－又は－Ｃ（Ｒ）_２－であることがより好ましく、－Ｏ－であることが更に好ましい。Ｒは水素原子又は１価の有機基を表し、水素原子、アルキル基又はアリール基が好ましく、水素原子が更に好ましい。

　Ｒ^１３２が、式（Ｖ－１）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｒ^１３２は下記式（Ｖ－１－１）で表される基であることが好ましい。下記式中、＊は式（４）中のＲ^１３２が結合する４つのカルボニル基との結合部位を表し、ｎ１は０～５の整数を表し、１～５の整数であることも好ましい。また、下記構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。

　Ｒ^１３２が、式（Ｖ－２）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｒ^１３２は下記式（Ｖ－２－１）又は式（Ｖ－２－２）で表される基であることが好ましく、樹脂におけるアミン価を下げる等の観点からは、式（Ｖ－２－２）で表される基であることが好ましい。本明細書において、環構造の辺と交差する結合は、その環構造における水素原子のいずれかを置換することを意味している。下記式中、Ｌ^Ｘ１は単結合又は－Ｏ－を表し、＊は式（４）中のＲ^１３２が結合する４つのカルボニル基との結合部位を表す。また、Ｒ^Ｘ１の定義及び好ましい態様は上述の通りである。また、これらの構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。

　Ｒ^１３２が、式（Ｖ－３）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｒ^１３２は下記式（Ｖ－３－１）又は式（Ｖ－３－２）で表される基であることが好ましく、硬化物の誘電率を低下させる等の観点からは、式（Ｖ－３－２）で表される基であることが好ましい。下記式中、＊は式（４）中のＲ^１３２が結合する４つのカルボニル基との結合部位を表す。また、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３の定義及び好ましい態様は上述の通りである。また、これらの構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。

　Ｒ^１３２が、式（Ｖ－４）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｒ^１３２は下記式（Ｖ－４－１）で表される基であることが好ましい。下記式中、＊は式（４）中のＲ^１３２が結合する４つのカルボニル基との結合部位を表し、ｎ１は０～５の整数を表す。また、下記構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。ただし、（Ｖ－４－１）で表される構造における水素原子がいずれも置換されていないことも好ましい。

　式（４）中、Ｒ^１３１は下記式（２－１）で表される基を含む基であることが好ましく、下記式（２－１）で表される基であることがより好ましい。
　式（２－１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、エチレン性不飽和結合を有する基を表し、Ｌは単結合、又は、イミド結合を含まない２価の連結基を表し、＊はそれぞれ、他の構造との結合部位を表す。

　式（２－１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、下記式（Ｒ１－１）で表される基であることが好ましい。
　式（Ｒ１－１）中、Ｌ^Ｒ１はｎ＋１価の連結基を表し、Ｒ^Ｒ１はそれぞれ独立に、ビニル基と直接結合した芳香族基、（メタ）アクリロキシ基、又は、（メタ）アクリルアミド基を表し、ｎは１～１０の整数を表し、＊は式（２－１）中の酸素原子との結合部位を表す。
　Ｒ^Ｒ１はそれぞれ独立に、ビニル基と直接結合した芳香族基が好ましく、ビニルフェニル基がより好ましい。
　Ｌ^Ｒ１は炭化水素基、又は、炭化水素基と、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－及び－ＮＲ^Ｎ－よりなる群から選ばれた少なくとも１つの基との結合により表される基であることが好ましく、炭化水素基、又は、＊^１－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^Ｎ－Ｌ^Ｒ２－＊^２で表される基であることが好ましい。
　上記炭化水素基としては、アルキレン基が好ましく、炭素数１～１０のアルキレン基がより好ましく、炭素数１～４のアルキレン基が更に好ましい。
　上記Ｒ^Ｎは水素原子又は炭化水素基が好ましく、水素原子又はアルキル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
　上記＊^１は式（Ｒ１－１）中の＊と同義であり、＊^２は式（Ｒ１－１）中のＲ^Ｒ１との結合部位を表す。
　また、Ｒ^Ｒ１がビニルフェニル基である場合、Ｌ^Ｒ１は炭素数１～４のアルキレン基であることが好ましく、メチレン基であることが好ましい。
　Ｒ^Ｒ１が（メタ）アクリロキシ基又は（メタ）アクリルアミド基である場合、Ｌ^Ｒ１は＊^１－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^Ｎ－Ｌ^Ｒ２－＊^２で表される基であることが好ましい。
　ｎは１～４の整数が好ましく、１又は２が好ましく、１がより好ましい。

　式（２－１）中、Ｌは単結合、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、又は、９，９－フルオレンジイル基が好ましい。また、Ｌが単結合、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、又は、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－である態様も、本発明の好ましい態様の一つである。

　また、式（４）中、Ｒ^１３１は上述の式（Ｖ－１）～式（Ｖ－４）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基であってもよい。
　式（Ｖ－１）～式（Ｖ－４）のいずれかで表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む有機基であることにより、硬化物の耐薬品性及び平坦性が向上する。

　Ｒ^１３１が、式（Ｖ－１）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｒ^１３１は下記式（Ｖ－１－２）で表される基であることが好ましい。下記式中、＊は式（４）中のＲ^１３１が結合する２つの窒素原子との結合部位を表し、ｎ１は１～５の整数を表す。また、下記構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。

　Ｒ^１３１が、式（Ｖ－２）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｒ^１３１は下記式（Ｖ－２－３）又は式（Ｖ－２－４）で表される基であることが好ましく、硬化物の誘電率を低下させる等の観点からは、式（Ｖ－２－４）で表される基であることが好ましい。下記式中、Ｌ^Ｘ１は単結合又は－Ｏ－を表し、＊は式（４）中のＲ^１３１が結合する２つの窒素原子との結合部位を表す。また、Ｒ^Ｘ１の好ましい態様は上述の通りである。また、これらの構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。

　Ｒ^１３１が、式（Ｖ－３）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｒ^１３１は下記式（Ｖ－３－３）又は式（Ｖ－３－４）で表される基であることが好ましく、硬化物の誘電率を低下させる等の観点からは、式（Ｖ－３－３）で表される基であることが好ましい。下記式中、＊は式（４）中のＲ^１３１が結合する２つの窒素原子との結合部位を表す。また、これらの構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。

　Ｒ^１３１が、式（Ｖ－４）で表される構造から２以上の水素原子を除いた構造を含む基である場合、Ｒ^１３１は下記式（Ｖ－４－２）で表される基であることが好ましい。下記式中、＊は式（４）中のＲ^１３１が結合する２つの窒素原子との結合部位を表し、ｎ１は０～５の整数を表す。またｎ１が０である態様も、本発明の好ましい態様の一つである。また、下記構造における水素原子は、炭化水素基等の公知の置換基により更に置換されていてもよい。

　ポリイミドは、構造中にフッ素原子を有することも好ましい。ポリイミド中のフッ素原子の含有量は１０質量％以上が好ましく、２０質量％以下がより好ましい。

　基板との密着性を向上させる目的で、ポリイミドは、シロキサン構造を有する脂肪族の基を共重合してもよい。具体的には、ジアミン成分として、ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ－アミノフェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどが挙げられる。

　樹脂組成物の保存安定性を向上させるため、ポリイミドの主鎖末端はモノアミン、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物などの末端封止剤により封止されていることが好ましい。これらのうち、モノアミンを用いることがより好ましく、モノアミンの好ましい化合物としては、アニリン、２－エチニルアニリン、３－エチニルアニリン、４－エチニルアニリン、５－アミノ－８－ヒドロキシキノリン、１－ヒドロキシ－７－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－６－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－５－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－４－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－７－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－６－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－５－アミノナフタレン、１－カルボキシ－７－アミノナフタレン、１－カルボキシ－６－アミノナフタレン、１－カルボキシ－５－アミノナフタレン、２－カルボキシ－７－アミノナフタレン、２－カルボキシ－６－アミノナフタレン、２－カルボキシ－５－アミノナフタレン、２－アミノ安息香酸、３－アミノ安息香酸、４－アミノ安息香酸、４－アミノサリチル酸、５－アミノサリチル酸、６－アミノサリチル酸、２－アミノベンゼンスルホン酸、３－アミノベンゼンスルホン酸、４－アミノベンゼンスルホン酸、３－アミノ－４，６－ジヒドロキシピリミジン、２－アミノフェノール、３－アミノフェノール、４－アミノフェノール、２－アミノチオフェノール、３－アミノチオフェノール、４－アミノチオフェノールなどが挙げられる。これらを２種以上用いてもよく、複数の末端封止剤を反応させることにより、複数の異なる末端基を導入してもよい。

－イミド化率（閉環率）－
　ポリイミドのイミド化率（「閉環率」ともいう）は、得られる有機膜の膜強度、絶縁性等の観点からは、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。
　上記イミド化率の上限は特に限定されず、１００％以下であればよい。
　上記イミド化率は、例えば下記方法により測定される。
　ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し、イミド構造由来の吸収ピークである１３７７ｃｍ^－１付近のピーク強度Ｐ１を求める。次に、そのポリイミドを３５０℃で１時間熱処理した後、再度、赤外吸収スペクトルを測定し、１３７７ｃｍ^－１付近のピーク強度Ｐ２を求める。得られたピーク強度Ｐ１、Ｐ２を用い、下記式に基づいて、ポリイミドのイミド化率を求めることができる。
　イミド化率（％）＝（ピーク強度Ｐ１／ピーク強度Ｐ２）×１００

　ポリイミドは、繰り返し単位のすべてがＲ^１３１及びＲ^１３２の組み合わせが同じである上記式（４）で表される繰返し単位を含んでいてもよく、Ｒ^１３１及びＲ^１３２の組み合わせが異なる２種以上を含む上記式（４）で表される繰返し単位を含んでいてもよい。ポリイミドは、上記式（４）で表される繰返し単位のほかに、他の種類の繰返し単位を含んでいてもよい。他の種類の繰返し単位としては、例えば、上述の式（２）で表される繰返し単位等が挙げられる。

　ポリイミドは、例えば、低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミン（一部をモノアミンである末端封止剤に置換）を反応させる方法、低温中でテトラカルボン酸二無水物（一部を酸無水物又はモノ酸クロリド化合物又はモノ活性エステル化合物である末端封止剤に置換）とジアミンを反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後ジアミン（一部をモノアミンである末端封止剤に置換）と縮合剤の存在下で反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸を酸クロリド化し、ジアミン（一部をモノアミンである末端封止剤に置換）と反応させる方法などの方法を利用して、ポリイミド前駆体を得、これを、既知のイミド化反応法を用いて完全イミド化させる方法、又は、途中でイミド化反応を停止し、一部イミド構造を導入する方法、更には、完全イミド化したポリマーと、そのポリイミド前駆体をブレンドする事によって、一部イミド構造を導入する方法を利用して合成することができる。また、その他公知のポリイミドの合成方法を適用することもできる。

　ポリイミドの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５，０００～１００，０００が好ましく、１０，０００～５０，０００がより好ましく、１５，０００～４０，０００が更に好ましい。重量平均分子量を５，０００以上とすることにより、硬化後の膜の耐折れ性を向上させることができる。機械特性（例えば、破断伸び）に優れた有機膜を得るため、重量平均分子量は、１５，０００以上が特に好ましい。
　ポリイミドの数平均分子量（Ｍｎ）は、２，０００～４０，０００が好ましく、３，０００～３０，０００がより好ましく、４，０００～２０，０００が更に好ましい。
　上記ポリイミドの分子量の分散度は、１．５以上が好ましく、１．８以上がより好ましく、２．０以上が更に好ましい。ポリイミドの分子量の分散度の上限値は特に定めるものではないが、例えば、７．０以下が好ましく、６．５以下がより好ましく、６．０以下が更に好ましい。
　樹脂組成物が特定樹脂として複数種のポリイミドを含む場合、少なくとも１種のポリイミドの重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が上記範囲であることが好ましい。上記複数種のポリイミドを１つの樹脂として算出した重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が、それぞれ、上記範囲内であることも好ましい。

〔ポリベンゾオキサゾール前駆体〕
　ポリベンゾオキサゾール前駆体としては、国際公開第２０２２／１４５３５５号の段落００７３～００９５に記載の化合物が挙げられる。上記記載は本明細書に組み込まれる。

〔ポリベンゾオキサゾール〕
　ポリベンゾオキサゾールとしては、国際公開第２０２２／１４５３５５号の段落００９６～０１０３に記載の化合物が挙げられる。上記記載は本明細書に組み込まれる。

〔ポリアミドイミド前駆体〕
　ポリアミドイミド前駆体としては、国際公開第２０２２／１４５３５５号の段落０１０４～０１１９に記載の化合物が挙げられる。上記記載は本明細書に組み込まれる。

〔ポリアミドイミド〕
　ポリアミドイミドとしては、国際公開第２０２２／１４５３５５号の段落０１２０～０１３３に記載の化合物が挙げられる。上記記載は本明細書に組み込まれる。

〔ポリイミド前駆体等の製造方法〕
　ポリイミド等は、例えば、国際公開第２０２２／１４５３５５号の段落０１３４～０１３６に記載の方法により製造される。上記記載は本明細書に組み込まれる。また、その他公知の方法を参考に合成すればよい。

〔含有量〕
　本発明の樹脂組成物における特定樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、４０質量％以上であることが更に好ましく、５０質量％以上であることが一層好ましい。また、本発明の樹脂組成物における樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、９９．５質量％以下であることが好ましく、９９質量％以下であることがより好ましく、９８質量％以下であることが更に好ましく、９７質量％以下であることが一層好ましく、９５質量％以下であることがより一層好ましい。
　本発明の樹脂組成物は、特定樹脂を１種のみ含んでいてもよいし、２種以上含んでいてもよい。２種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。

　本発明の樹脂組成物は、少なくとも２種の樹脂を含むことも好ましい。
　具体的には、本発明の樹脂組成物は、特定樹脂と、後述する他の樹脂とを合計で２種以上含んでもよいし、特定樹脂を２種以上含んでいてもよいが、特定樹脂を２種以上含むことが好ましい。
　本発明の樹脂組成物が特定樹脂を２種以上含む場合、例えば、ポリイミド前駆体であって、二無水物由来の構造（上述の式（２）でいうＲ^１１５）が異なる２種以上のポリイミド前駆体を含むことが好ましい。

＜他の樹脂＞
　本発明の樹脂組成物は、上述した特定樹脂と、特定樹脂とは異なる他の樹脂（以下、単に「他の樹脂」ともいう）とを含んでもよい。
　他の樹脂としては、フェノール樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂、ポリシロキサン、シロキサン構造を含む樹脂、（メタ）アクリル樹脂、（メタ）アクリルアミド樹脂、ウレタン樹脂、ブチラール樹脂、スチリル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。
　例えば、（メタ）アクリル樹脂を更に加えることにより、塗布性に優れた樹脂組成物が得られ、また、耐溶剤性に優れたパターン（硬化物）が得られる。
　例えば、後述する重合性化合物に代えて、又は、後述する重合性化合物に加えて、重量平均分子量が２０，０００以下の重合性基価の高い（例えば、樹脂１ｇにおける重合性基の含有モル量が１×１０^－３モル／ｇ以上である）（メタ）アクリル樹脂を樹脂組成物に添加することにより、樹脂組成物の塗布性、パターン（硬化物）の耐溶剤性等を向上させることができる。

　本発明の樹脂組成物が他の樹脂を含む場合、他の樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０５質量％以上であることがより好ましく、１質量％以上であることが更に好ましく、２質量％以上であることが一層好ましく、５質量％以上であることがより一層好ましく、１０質量％以上であることが更に一層好ましい。
　本発明の樹脂組成物が他の樹脂を含む場合、他の樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、８０質量％以下であることが好ましく、７５質量％以下であることがより好ましく、７０質量％以下であることが更に好ましく、６０質量％以下であることが一層好ましく、５０質量％以下であることがより一層好ましい。
　本発明の樹脂組成物の好ましい一態様として、他の樹脂の含有量が低含有量である態様とすることもできる。上記態様において、他の樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、２０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることが更に好ましく、５質量％以下であることが一層好ましく、１質量％以下であることがより一層好ましい。上記含有量の下限は特に限定されず、０質量％以上であればよい。
　本発明の樹脂組成物は、他の樹脂を１種のみ含んでいてもよいし、２種以上含んでいてもよい。２種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。

＜特定化合物＞
　本発明の第一の樹脂組成物は、化合物Ａ又は化合物Ｂを含む。

　化合物Ａはカルベン化合物である。
　本発明において、カルベン化合物とは、構造中にカルベン炭素を有する化合物である。
　本発明において、カルベン炭素とは、非共有電子対を有する炭素原子をいう。カルベン炭素は、非共有電子対を１対又は２対有する。

　化合物Ｂはカルベン前駆体である。
　本発明において、カルベン前駆体とは、熱、光、酸、塩基、酸化、還元、及び、水の少なくとも一つの作用によってカルベン化合物を発生させる化合物をいう。これらの中でも化合物Ｂは、熱、光又は塩基の作用によりカルベン化合物を発生させる化合物であることが好ましい。

　ある化合物Ｘが熱の作用によってカルベン化合物を発生させる化合物であるか否かは、以下のいずれかの方法により判定することができる。以下のうち少なくとも１つの方法によりカルベン前駆体であると判定されたものを、本発明のカルベン前駆体とする。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、５０～２３０℃の条件下で加熱しながら、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法でカルベン化合物又はその二量体の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物又は上記二量体が加熱前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは熱の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、５０～２３０℃の条件下で最大２４時間加熱し、塩化銅（Ｉ）のような銅塩、クロロ(テトラヒドロチオフェン)金（Ｉ）のような金塩、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）のようなパラジウム塩、又はビス（アセトニトリル）（１，５－シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラートのようなロジウム塩などの金属塩を化合物Ｘと等モル量添加し、１気圧下、５０～２３０℃の条件下で、最大２４時間反応させた後に、^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当する金属―カルベン錯体の物質量を定量し、上記金属―カルベン錯体が加熱前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは熱の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩化銅（Ｉ）のような銅塩、クロロ(テトラヒドロチオフェン)金（Ｉ）のような金塩、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）のようなパラジウム塩、又はビス（アセトニトリル）（１，５－シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラートのようなロジウム塩などの金属塩を化合物Ｘと等モル量添加し、１気圧下、５０～２３０℃の条件下で加熱しながら、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当する金属―カルベン錯体の物質量を定量し、２４時間までに上記金属―カルベン錯体が加熱前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは熱の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、５０～２３０℃の条件下で最大２４時間加熱し、塩酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、又は酢酸などの酸化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、５０～２３０℃の条件下で、最大２４時間反応させた後に、^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当するカルベン化合物の塩の物質量を定量し、上記カルベン化合物の塩が加熱前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは熱の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、又は酢酸などの酸化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、５０～２３０℃の条件下で加熱しながら、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当するカルベン化合物の塩の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物の塩が加熱前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは熱の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。

　ある化合物Ｘが光の作用によってカルベン化合物を発生させる化合物であるか否かは、以下のいずれかの方法により判定することができる。以下のうち少なくとも１つの方法によりカルベン前駆体であると判定されたものを、本発明のカルベン前駆体とする。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、波長１９０～８００ｎｍの光を露光照度０．１～２５Ｗ／ｃｍ^２の条件下で照射しながら、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法でカルベン化合物又はその二量体の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物又は上記二量体が露光前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは光の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩化銅（Ｉ）のような銅塩、クロロ(テトラヒドロチオフェン)金（Ｉ）のような金塩、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）のようなパラジウム塩、又はビス（アセトニトリル）（１，５－シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラートのようなロジウム塩などの金属塩を化合物Ｘと等モル量添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、波長１９０～８００ｎｍの光を露光照度０．１～２５Ｗ／ｃｍ^２の条件下で照射しながら、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当する金属―カルベン錯体の物質量を定量し、２４時間までに上記金属―カルベン錯体が露光前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは光の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、又は酢酸などの酸化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、波長１９０～８００ｎｍの光を露光照度０．１～２５Ｗ／ｃｍ^２の条件下で照射しながら、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当するカルベン化合物の塩の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物の塩が露光前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは光の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。

　ある化合物Ｘが酸の作用によってカルベン化合物を発生させる化合物であるか否かは、以下の方法により判定することができる。以下のうち少なくとも１つの方法によりカルベン前駆体であると判定されたものを、本発明のカルベン前駆体とする。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、又は酢酸などの酸化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法でカルベン化合物又はその二量体の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物又は上記二量体が酸化合物の添加前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは酸の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩化銅（Ｉ）のような銅塩、クロロ(テトラヒドロチオフェン)金（Ｉ）のような金塩、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）のようなパラジウム塩、又はビス（アセトニトリル）（１，５－シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラートのようなロジウム塩などの金属塩を化合物Ｘと等モル量添加し、塩酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、又は酢酸などの酸化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当する金属―カルベン錯体の物質量を定量し、２４時間までに上記金属―カルベン錯体が酸化合物の添加前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは酸の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。

　ある化合物Ｘが塩基の作用によってカルベン化合物を発生させる化合物であるか否かは、以下の方法により判定することができる。以下のうち少なくとも１つの方法によりカルベン前駆体であると判定されたものを、本発明のカルベン前駆体とする。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、ナトリウムエトキシドのようなアルコキシド塩基、ブチルリチウムのようなアルキル金属化合物、カリウムヘキサメチルジシラジドのような金属アミド化合物などの塩基化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法でカルベン化合物又はその二量体の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物又は上記二量体が塩基化合物の添加前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは塩基の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、ナトリウムエトキシドのようなアルコキシド塩基、ブチルリチウムのようなアルキル金属化合物、カリウムヘキサメチルジシラジドのような金属アミド化合物などの塩基化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、最大２４時間反応させた後に、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩化銅（Ｉ）のような銅塩、クロロ(テトラヒドロチオフェン)金（Ｉ）のような金塩、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）のようなパラジウム塩、又はビス（アセトニトリル）（１，５－シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラートのようなロジウム塩などの金属塩を化合物Ｘと等モル量添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、最大２４時間反応させた後に、^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当する金属―カルベン錯体の物質量を定量し、上記金属―カルベン錯体が塩基化合物の添加前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは塩基の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩化銅（Ｉ）のような銅塩、クロロ(テトラヒドロチオフェン)金（Ｉ）のような金塩、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）のようなパラジウム塩、又はビス（アセトニトリル）（１，５－シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラートのようなロジウム塩などの金属塩を化合物Ｘと等モル量添加し、ナトリウムエトキシドのようなアルコキシド塩基、ブチルリチウムのようなアルキル金属化合物、カリウムヘキサメチルジシラジドのような金属アミド化合物などの塩基化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当する金属―カルベン錯体の物質量を定量し、２４時間までに上記金属―カルベン錯体が塩基化合物の添加前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは塩基の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、ナトリウムエトキシドのようなアルコキシド塩基、ブチルリチウムのようなアルキル金属化合物、カリウムヘキサメチルジシラジドのような金属アミド化合物などの塩基化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、最大２４時間反応させた後に、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、又は酢酸などの酸化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、最大２４時間反応させた後に、^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当するカルベン化合物の塩の物質量を定量し、上記カルベン化合物の塩が塩基化合物の添加前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは塩基の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。

　ある化合物Ｘが酸化の作用によってカルベン化合物を発生させる化合物であるか否かは、以下の方法により判定することができる。以下のうち少なくとも１つの方法によりカルベン前駆体であると判定されたものを、本発明のカルベン前駆体とする。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、過酸化水素、クロロクロム酸ピリジニウム、過マンガン酸カリウム、又は２，３－ジクロロ－５，６－ジシアノ－１，４－ベンゾキノンなどの酸化剤を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法でカルベン化合物又はその二量体の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物又は上記二量体が酸化前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは酸化の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩化銅（Ｉ）のような銅塩、クロロ(テトラヒドロチオフェン)金（Ｉ）のような金塩、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）のようなパラジウム塩、又はビス（アセトニトリル）（１，５－シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラートのようなロジウム塩などの金属塩を化合物Ｘと等モル量添加し、過酸化水素、クロロクロム酸ピリジニウム、過マンガン酸カリウム、又は２，３－ジクロロ－５，６－ジシアノ－１，４－ベンゾキノンなどの酸化剤を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当する金属―カルベン錯体の物質量を定量し、２４時間までに上記金属―カルベン錯体が酸化前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは酸化の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、又は酢酸などの酸化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、過酸化水素、クロロクロム酸ピリジニウム、過マンガン酸カリウム、又は２，３－ジクロロ－５，６－ジシアノ－１，４－ベンゾキノンなどの酸化剤を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当するカルベン化合物の塩の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物の塩が酸化前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは酸化の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。

　ある化合物Ｘが還元の作用によってカルベン化合物を発生させる化合物であるか否かは、以下の方法により判定することができる。以下のうち少なくとも１つの方法によりカルベン前駆体であると判定されたものを、本発明のカルベン前駆体とする。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、水素化ホウ素ナトリウム、ナトリウム、又はヨウ化サマリウム（ＩＩ）などの還元剤を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法でカルベン化合物又はその二量体の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物又は上記二量体が還元前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは還元の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩化銅（Ｉ）のような銅塩、クロロ(テトラヒドロチオフェン)金（Ｉ）のような金塩、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）のようなパラジウム塩、又はビス（アセトニトリル）（１，５－シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラートのようなロジウム塩などの金属塩を化合物Ｘと等モル量添加し、水素化ホウ素ナトリウム、ナトリウム、又はヨウ化サマリウム（ＩＩ）などの還元剤を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当する金属―カルベン錯体の物質量を定量し、２４時間までに上記金属―カルベン錯体が還元前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは還元の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、又は酢酸などの酸化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、水素化ホウ素ナトリウム、ナトリウム、又はヨウ化サマリウム（ＩＩ）などの還元剤を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当するカルベン化合物の塩の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物の塩が還元前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは還元の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。

　ある化合物Ｘが水の作用によってカルベン化合物を発生させる化合物であるか否かは、以下の方法により判定することができる。以下のうち少なくとも１つの方法によりカルベン前駆体であると判定されたものを、本発明のカルベン前駆体とする。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、水を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法でカルベン化合物又はその二量体の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物又は上記二量体が水の添加前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは水の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩化銅（Ｉ）のような銅塩、クロロ(テトラヒドロチオフェン)金（Ｉ）のような金塩、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）のようなパラジウム塩、又はビス（アセトニトリル）（１，５－シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラートのようなロジウム塩などの金属塩を化合物Ｘと等モル量添加し、水を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当する金属―カルベン錯体の物質量を定量し、２４時間までに上記金属―カルベン錯体が水の添加前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは水の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。
　化合物Ｘを０．１ｍｏｌ／Ｌの溶液又は懸濁液とし、１気圧下、－１００～２５℃の条件下で、塩酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、又は酢酸などの酸化合物を化合物Ｘと等モル量以上添加し、水を化合物Ｘと等モル量以上添加し、１気圧下、－１００～５０℃の条件下で、１０分毎^１Ｈ－ＮＭＲなどの方法で相当するカルベン化合物の塩の物質量を定量し、２４時間までに上記カルベン化合物の塩が水の添加前の化合物Ｘに対して物質量比で０．０１％以上発生した場合、化合物Ｘは水の作用によってカルベン化合物を発生させるカルベン前駆体であると判定する。

　上記化合物Ａにおけるカルベン炭素、及び、上記化合物Ｂより発生するカルベン化合物におけるカルベン炭素は、環構造の環員として存在することが好ましい。
　以下、このカルベン炭素を環員として含む環構造を特定環構造ともいう。
　上記特定環構造は複素環構造であることが好ましい。
　上記複素環構造は、含窒素複素環構造であることが好ましい。
　上記含窒素複素環構造は、縮環してもよい５員環含窒素複素環構造であることが好ましい。上記縮環する環構造としては、特に限定されないが、ベンゼン環等が挙げられる。
　上記５員環含窒素複素環構造は、１，３－ジヒドロ－２Ｈ－イミダゾール－２－イリデン構造又は１，３，４，５－テトラヒドロ－２Ｈ－イミダゾール－２－イリデン構造であることが好ましい。

　具体的には、上記環構造は、以下の構造のいずれかであることが好ましい。下記構造中、＊は他の構造との結合部位を表す。

〔式１で表される化合物〕
　化合物Ａは、下記式１で表される化合物であることが好ましい。
　式１中、Ｃ^１１はＸ^１１とＲ^１１以外に置換基を持たない炭素原子であり、Ｘ^１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^１１とＸ^１１とは環構造を形成してもよい。

　式１中、Ｃ^１１はカルベン炭素である。
　式１中、Ｘ^１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、置換基を有する窒素原子であることが好ましい。置換基としては、後述する置換基Ａが好ましく挙げられる。
　式１中、Ｒ^１１は置換基を有するヘテロ原子であることが好ましく、置換基を有する窒素原子であることがより好ましい。置換基としては、後述する置換基Ａが好ましく挙げられる。

　置換基Ａは、置換基を有してもよい炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族基が好ましく、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよい芳香族基がより好ましく、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基が更に好ましい。
　上記置換基を有してもよいアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖アルキル基、炭素数３～１０の分岐アルキル基、炭素数５～１０の環状アルキル基、ベンジル基等が挙げられる。
　上記置換基を有してもよい芳香族炭化水素基としては、置換基を有してもよいフェニル基が挙げられる。上記フェニル基の置換基としては、炭素数１～４のアルキル基、炭素数１～４のアルコキシ基等が挙げられ、メチル基、イソプロペニル基又はメトキシ基が好ましい。
　以下に、置換基Ａの好ましい態様を列記する。＊は置換対象（例えば、上記Ｘ^１１における窒素原子等）との結合部位である。ｎは０～１０の整数であり、０～４の整数であることがより好ましい。

　式１中、Ｒ^１１とＸ^１１とは環構造を形成することが好ましい。形成される環構造としては、上述の特定環構造であることが好ましい。

　これらの中でも、式１において、Ｘ^１１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^１１がＸ^１１と環構造を形成する態様も、本発明の好ましい態様の一つである。
　上記態様において、上記窒素原子における置換基及び上記環構造の好ましい態様は上述の通りである。

〔式２、式３、式４－１、式４－２又は式５で表される化合物〕
　化合物Ｂは、下記式２、下記式３、下記式４－１、下記式４－２又は下記式５で表される化合物であることが好ましい。
　式２中、Ｃ^２１は炭素原子であり、Ｘ^２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２１とＸ^２１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^２２は水素原子、置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記炭素原子又は上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
　式３中、Ｃ^３１は炭素原子であり、Ｘ^３１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^３１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^３１とＸ^３１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^３２はフッ素原子を１つ以上持つ芳香族環、アルコキシ基、又は、アミノ基である。
　式４－１中、Ｃ^４１１は炭素原子であり、Ｃ^４１２は炭素原子であり、Ｃ^４１２はＣ^４１１と同一の環内に存在してもよく、Ｃ^４１１とＣ^４１２とは同一の芳香環内には存在せず、Ｘ^４１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^４１２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１１とＸ^４１１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４１２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１２とＸ^４１２とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４１１とＸ^４１１とが環構造を形成し、かつ、Ｒ^４１２とＸ^４１２とが環構造を形成する場合、この２つの環構造の環員同士が結合して更に環構造を形成してもよい。
　式４－２中、Ｃ^４２１は炭素原子であり、Ｃ^４２２は炭素原子であり、Ｃ^４２２はＣ^４２１と同一の環内に存在してもよく、Ｃ^４２１とＣ^４２２とは同一の芳香環内には存在せず、Ｘ^４２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^４２２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２１とＸ^４２１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４２２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２２とＸ^４２２とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４２１とＸ^４２１とが環構造を形成し、かつ、Ｒ^４２２とＸ^４２２とが環構造を形成する場合、この２つの環構造の環員同士が結合して更に環構造を形成してもよい。
　式５中、Ｃ^５１は炭素原子であり、Ｃ^５２は炭素原子であり、Ｘ^５１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^５１は形式的に正の電荷を持ち、Ｘ^５２は炭素原子又は硫黄原子であり、Ｘ^５３は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^５３は形式的に負の電荷を持ち、Ｒ^５１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記炭素原子又は上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^５１とＸ^５１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^５２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^５２とＲ^５１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^５３は有機基又は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。

　式２中、Ｘ^２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、置換基を有する窒素原子であることが好ましい。Ｘ^２１における置換基としては、上述の置換基Ａが挙げられる。また、後述の式２－Ａに該当する構造を形成する置換基であってもよい。式２－Ａについては後述する。
　また、Ｘ^２１は形式的に正の電荷を持つ。本明細書において、ある原子が形式的に正（又は負）の電荷を持つとは、いわゆる上記原子の形式電荷が正（又は負）であることをいい、上記原子を含む構造における妥当な共鳴構造及び互変異性体構造のうち少なくとも一つの構造において上記原子に正（又は負）の電荷が割り当てられることをいう。
　式２で表される化合物は、分子内塩であってもよいし分子間塩であってもよい。すなわち、Ｘ^２１における形式的な正の電荷に対して、例えば、Ｒ^２２が形式的に負の電荷を有する構造であってもよいし、他のアニオン分子（式２で表される構造とは共有結合で結合されていない分子）をカウンターアニオンとしてもよい。

　式２中、Ｒ^２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、置換基を有するヘテロ原子が好ましく、置換基を有する窒素原子がより好ましい。Ｒ^２１における置換基としては、上述の置換基Ａが挙げられる。

　Ｒ^２１とＸ^２１とは環構造を形成することが好ましい。
　形成される環構造は、例えば、以下のいずれかであることが好ましい。下記構造中、＊は他の構造との結合部位を表し、＃はＲ^２２との結合部位を表す。

　Ｒ^２２は水素原子、置換基を有する炭素原子又は置換基を有する硫黄原子であることが好ましく、水素原子又は下記式Ｒ２２－１で表される基であることがより好ましい。
　式Ｒ２２－１中、Ｘ^２１２は炭素原子又は硫黄原子であり、Ｘ^２１３は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１３は形式的に負の電荷を持ち、Ｒ^２１２は有機基又は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
　式Ｒ２２－１中、Ｘ^２１２は炭素原子であることが好ましい。
　式Ｒ２２－１中、Ｘ^２１３は酸素原子であることが好ましい。
　式Ｒ２２－１中、Ｒ^２１２は酸素原子であることが好ましい。Ｒ^２１２が有機基である場合、置換基を有する窒素原子等が好ましい。

　また、Ｒ^２２が水素原子であるか、又は、電荷を有しない構造である場合、式２で表される化合物はカウンターアニオンとして、炭酸イオン、炭酸水素イオン、水酸化物イオン、又は、有機アニオンを有することが好ましい。
　上記有機アニオンとしては、カルボキシラートアニオンが好ましく、酢酸アニオン、トリフルオロ酢酸アニオン、又は、安息香酸アニオンがより好ましい。

　また、式（２）で表される化合物は下記式２－Ａで表される構造であってもよい。
　式２－Ａ中、Ｃ^Ａ２１は炭素原子であり、Ｘ^Ａ２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^Ａ２１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^Ａ２１は炭素原子又はヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^Ａ２１とＸ^Ａ２１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^Ａ２２は水素原子、置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記炭素原子又は上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｃ^Ａ２２は炭素原子であり、Ｘ^Ａ２２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^Ａ２２は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^Ａ２３は炭素原子又はヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^Ａ２３とＸ^Ａ２２とは環構造を形成してもよく、Ｒ^Ａ２４は水素原子、置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記炭素原子又は上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｌ^Ａ２１は２価の連結基を表す。
　式２－Ａ中、Ｘ^Ａ２１、Ｒ^Ａ２１、Ｒ^Ａ２１とＸ^Ａ２１により形成される環構造、及び、Ｒ^Ａ２２の好ましい態様は、それぞれ、式２中のＸ^２１、Ｒ^２１、Ｒ^２１とＸ^２１により形成される環構造、及び、Ｒ^２２の好ましい態様と同様である。
　式２－Ａ中、Ｘ^Ａ２２、Ｒ^Ａ２３、Ｒ^Ａ２３とＸ^Ａ２２により形成される環構造、及び、Ｒ^Ａ２４の好ましい態様は、それぞれ、式２中のＸ^２１、Ｒ^２１、Ｒ^２１とＸ^２１により形成される環構造、及び、Ｒ^２２の好ましい態様と同様である。
　式２－Ａ中、Ｌ^Ａ２１は特に限定されず、本発明の効果が得られる範囲内において自由に設計することができるが、例えば、炭化水素基が好ましく、アルキレン基がより好ましい。上記炭化水素基又はアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、２～８がより好ましい。

　式２で表される化合物は、下記式２－１又は式２－２で表される化合物であることが好ましい。
　ここで、化合物Ｂは、下記式２－１又は式２－２で表される化合物であることが好ましい。
　式２－１中、Ｃ^２１１は炭素原子であり、Ｘ^２１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２１１とＸ^２１１とは環構造を形成してもよく、Ｘ^２１２は炭素原子又は硫黄原子であり、Ｘ^２１３は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１３は形式的に負の電荷を持ち、Ｒ^２１２は有機基又は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
　式２－２中、Ｃ^２２１は炭素原子であり、Ｘ^２２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２２１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２２１とＸ^２２１とは環構造を形成してもよく、Ａ^２２１はカウンターアニオンである。

　式２－１中、Ｘ^２１１、Ｒ^２１１、Ｒ^２１１とＸ^２１１とが形成する環構造の好ましい態様は、式２におけるＸ^２１、Ｒ^２１、Ｒ^２１とＸ^２１とが形成する環構造の好ましい態様と同様である。
　式２－１中、Ｘ^２１２、Ｘ^２１３及びＲ^２１２の好ましい態様は、上述の式Ｒ２２－１におけるＸ^２１２、Ｘ^２１３及びＲ^２１２の好ましい態様と同様である。

　式２－２中、Ｘ^２２１、Ｒ^２２１、Ｒ^２２１とＸ^２２１とが形成する環構造の好ましい態様は、式２におけるＸ^２１、Ｒ^２１、Ｒ^２１とＸ^２１とが形成する環構造の好ましい態様と同様である。
　式２－２中、Ａ^２２１は炭酸イオン、炭酸水素イオン、水酸化物イオン、又は、有機アニオンであることが好ましい。
　上記有機アニオンとしては、カルボキシラートアニオンが好ましく、酢酸アニオン、トリフルオロ酢酸アニオン、又は、安息香酸アニオンがより好ましい。

　これらの中でも、式２－１で表される化合物は、下記条件２－１－１および条件２－１－２の少なくとも一方を満たすことが好ましく、両方を満たすことがより好ましい。
　条件２－１－１：上記式２－１において、Ｘ^２１１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^２１１がＸ^２１１と環構造を形成する
　条件２－１－２：上記式２－１において、Ｘ^２１２が炭素原子であり、Ｘ^２１３が酸素原子であり、Ｒ^２１２が酸素原子である

　これらの中でも、式２－２で表される化合物は、記条件２－２－１および条件２－２－２の少なくとも一方を満たすことが好ましく、両方を満たすことがより好ましい。
　条件２－２－１：上記式２－２において、Ｘ^２２１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^２２１がＸ^２２１と環構造を形成する
　条件２－２－２：上記式２－２において、Ａ^２２１が炭酸イオン、炭酸水素イオン、又は水酸化物イオンである

　また、式２－２で表される化合物は、式２－２Ｂで表される化合物であることも好ましい。

　式２－２Ｂ中、Ｃ^２２１Ｂは炭素原子であり、Ｘ^２２１Ｂは置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、上記ヘテロ原子はカルボニル基と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２２１Ｂは形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２２１Ｂは置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、上記ヘテロ原子はカルボニル基と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２２１ＢとＸ^２２１Ｂとは環構造を形成してもよく、Ａ^２２１Ｂはカウンターアニオンであり、Ｒ^２２１Ｂ及びＸ^２２１Ｂは重合性基を置換基として有しない。

　式２－２Ｂ中、Ｘ^２２１Ｂ、Ｒ^２２１Ｂ、Ｒ^２２１ＢとＸ^２２１Ｂにより形成される環構造の好ましい態様は、式２におけるＸ^２１、Ｒ^２１、Ｒ^２１とＸ^２１とが形成する環構造の好ましい態様と同様である。
　式２－２Ｂ中、Ａ^２２１Ｂの好ましい態様は、式２－２におけるＡ^２２１の好ましい態様と同様である。

　式３中、Ｘ^３１は置換基を有する窒素原子であることが好ましい。置換基としては、上述の置換基Ａが挙げられる。
　式３中、Ｒ^３１は置換基を有する窒素原子であることが好ましい。置換基としては、上述の置換基Ａが挙げられる。
　式３中、Ｒ^３１とＸ^３１は結合して環構造を形成することが好ましい。形成される環構造としては、例えば、以下のいずれかであることが好ましい。下記構造中、＊は他の構造との結合部位を表し、＃はＲ^３２との結合部位を表す。
　式３中、Ｒ^３２はフッ素原子を１つ以上持つ芳香族環、アルコキシ基、又は、アミノ基である。
　フッ素原子を１つ以上持つ芳香族環としては、水素原子がフッ素原子で置換されたフェニル基が好ましく、水素原子の４つ又は５つがフッ素原子で置換されたフェニル基がより好ましい。
　上記アルコキシ基としては、炭素数１～１０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１～４のアルコキシ基がより好ましい。
上記アミノ基としては、水素原子の１又は２つがアルキル基又はアリール基で置換されたアミノ基又は環式のアミノ基が好ましい。上記アルキル基としては、炭素数１～１０のアルキル基が好ましく、１～４のアルキル基がより好ましい。上記アリール基としては、芳香族炭化水素基であっても芳香族複素環基であってもよいが、芳香族炭化水素基であることが好ましく、フェニル基がより好ましい。環式のアミノ基においては４～９員環が好ましく、５～７員環がより好ましい。

　これらの中でも、式３において、Ｘ^３１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^３１がＸ^３１と環構造を形成することが好ましい。

　式４－１中、Ｘ^４１１は酸素原子、硫黄原子又は置換基を有する窒素原子であることが好ましく、置換基を有する窒素原子であることがより好ましい。置換基としては上述の置換基Ａが挙げられる。
　式４－１中、Ｘ^４１２は酸素原子、硫黄原子又は置換基を有する窒素原子であることが好ましく、置換基を有する窒素原子であることがより好ましい。置換基としては上述の置換基Ａが挙げられる。
　式４－１中、Ｒ^４１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有する窒素原子であることが好ましく、置換基を有する窒素原子であることがより好ましい。置換基としては上述の置換基Ａが挙げられる。
　式４－１中、Ｒ^４１２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有する窒素原子であることが好ましく、置換基を有する窒素原子であることがより好ましい。置換基としては上述の置換基Ａが挙げられる。
　式４－１中、Ｒ^４１１とＸ^４１１は結合して環構造を形成することが好ましい。形成される環構造としては、脂肪族環構造が好ましく、５員環である脂肪族環構造がより好ましい。また、上記環構造におけるＲ^４１１とＸ^４１１以外の環員は、いずれも炭素原子であることが好ましい。これらの中でも、Ｒ^４１１とＸ^４１１は結合して下記環構造のいずれかを形成することが好ましい。また、形成される環構造はベンゼン環等の他の環構造と縮合していてもよい。下記構造中、＊は他の構造との結合部位を、＃はＣ^４１２との結合部位を表す。

　式４－１中、Ｒ^４１２とＸ^４１２は結合して環構造を形成することが好ましい。形成される環構造の好ましい態様は、Ｒ^４１１とＸ^４１１とが結合して形成される環構造の好ましい態様と同様である。

　式４－１で表される化合物は、下記条件４－１－１及び条件４－１－２の少なくとも一方を満たすことが好ましく、両方を満たすことがより好ましい。
　条件４－１－１：上記式４－１において、Ｘ^４１１が置換基を有する窒素原子であり、Ｘ^４１２が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^４１１がＸ^４１１と環構造を形成し、Ｒ^４１２がＸ^４１２と環構造を形成する
　条件４－１－２：上記式４－１において、Ｘ^４１１がＸ^４１２と同一の構造であり、Ｒ^４１１がＲ^４１２と同一の構造である
　ここで、Ｘ^４１１がＸ^４１２と同一の構造であるとは、Ｘ^４１１及びＸ^４１２におけるヘテロ原子と、そのヘテロ原子に結合する置換基がある場合にはその置換基とのいずれもが同一であることを意味する。
　また、条件４－１－１及び条件４－１－２に記載のＲ^４１１、Ｘ^４１１、Ｒ^４１２、Ｘ^４１２及び形成される環構造の好ましい態様は、それぞれ上述の通りである。

　式４－２中、Ｘ^４２１、Ｘ^４２２、Ｒ^４２１、Ｒ^４２１とＸ^４２１により形成される環構造、Ｒ^４２２、Ｒ^４２２とＸ^４２２により形成される環構造の好ましい態様は、式４－１におけるＸ^４１１、Ｘ^４１２、Ｒ^４１１、Ｒ^４１１とＸ^４１１により形成される環構造、Ｒ^４１２、Ｒ^４１２とＸ^４１２により形成される環構造の好ましい態様と同様である。

　式４－２で表される化合物は、下記条件４－２－１および条件４－２－２の少なくとも一方を満たすことが好ましく、両方を満たすことがより好ましい。
　条件４－２－１：上記式４－２において、Ｘ^４２１が置換基を有する窒素原子であり、Ｘ^４２２が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^４２１がＸ^４２１と環構造を形成し、Ｒ^４２２がＸ^４２２と環構造を形成する
　条件４－２－２：上記式４－２において、Ｘ^４２１がＸ^４２２と同一の構造であり、Ｒ^４２１がＲ^４２２と同一の構造である
　ここで、Ｘ^４２１がＸ^４２２と同一の構造であるとは、Ｘ^４２１及びＸ^４２２におけるヘテロ原子と、そのヘテロ原子に結合する置換基がある場合にはその置換基とのいずれもが同一であることを意味する。
　また、条件４－２－１及び条件４－２－２に記載のＲ^４２１、Ｘ^４２１、Ｒ^４２２、Ｘ^４２２及び形成される環構造の好ましい態様は、それぞれ上述の通りである。

　式５中、Ｘ^５１は置換基を有してもよい窒素原子であることが好ましい。Ｒ^５１における置換基としては、上述の置換基Ａが挙げられる。
　式５中、Ｘ^５２は炭素原子であることが好ましい。
　式５中、Ｘ^５３は酸素原子であることが好ましい。
　式５中、Ｒ^５１は置換基を有してもよい窒素原子であることが好ましい。Ｒ^５１における置換基としては、上述の置換基Ａが挙げられる。
　式５中、Ｒ^５１とＸ^５１とは環構造を形成することが好ましい。形成される環構造の好ましい態様は、式２中のＲ^２１とＸ^２１により形成される環構造の好ましい態様と同様である。ただし、＃はＲ^２２との結合部位を表すとの記載は、＃はＸ^５２との結合部位を表すと読み替えるものとする。
　式５中、Ｒ^５２は置換基を有してもよい炭素原子であることが好ましい。Ｒ^５２における置換基としては、下記式Ｒ－５２で表される基が好ましい。
　式Ｒ－５２中、Ｃ^Ｒ５２は炭素原子であり、Ｘ^Ｒ５２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^Ｒ５２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、上記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^Ｒ５２とＸ^Ｒ５２とは環構造を形成してもよい。

　式Ｒ－５２中、Ｘ^Ｒ５２は酸素原子、硫黄原子又は置換基を有する窒素原子であることが好ましく、置換基を有する窒素原子であることがより好ましい。置換基としては上述の置換基Ａが挙げられる。
　式Ｒ－５２中、Ｒ^Ｒ５２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有する窒素原子であることが好ましく、置換基を有する窒素原子であることがより好ましい。置換基としては上述の置換基Ａが挙げられる。
　式Ｒ－５２中、Ｒ^Ｒ５２とＸ^Ｒ５２は結合して環構造を形成することが好ましい。形成される環構造としては、脂肪族環構造が好ましく、５員環である脂肪族環構造がより好ましい。また、上記環構造におけるＲ^Ｒ５２とＸ^Ｒ５２以外の環員は、いずれも炭素原子であることが好ましい。これらの中でも、Ｒ^Ｒ５２とＸ^Ｒ５２は結合して下記環構造のいずれかを形成することが好ましい。また、形成される環構造はベンゼン環等の他の環構造と縮合していてもよい。下記構造中、＊は他の構造との結合部位を、＃はＣ^Ｒ５２との結合部位を表す。

　式５中、Ｒ^５３は酸素原子であることが好ましい。

　式５で表される化合物は、下記条件５－１および条件５－２の少なくとも一方を満たすことが好ましく、両方を満たすことがより好ましい。
　条件５－１：上記式５において、Ｘ^５１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^５１がＸ^５１と環構造を形成する
　条件５－２：上記式５において、Ｘ^５２が炭素原子であり、Ｘ^５３が酸素原子であり、Ｒ^５３が酸素原子である
　また、条件５－１及び条件５－２に記載のＸ^５１、Ｒ^５１、Ｘ^５２、Ｘ^５３、Ｒ^５３及び形成される環構造の好ましい態様、及び、これらの条件下におけるＲ^５２の好ましい態様は、それぞれ上述の通りである。

　第二の樹脂組成物は、式１、式２－１、式２－２Ｂ、式３、式４－１、式４－２又は式５で表される化合物を含む。第二の樹脂組成物における、式１、式２－１、式２－２Ｂ、式３、式４－１、式４－２又は式５の好ましい態様は、第一の樹脂組成物における、式１、式２－１、式２－２Ｂ、式３、式４－１、式４－２又は式５の好ましい態様と同様である。

〔分子量〕
　特定化合物の分子量は、５５～１０００であることが好ましく、７５～８００であることがより好ましく、９５～６００であることが更に好ましい。

〔合成方法〕
　特定化合物は、例えば、後述する実施例に記載の方法により合成できる。また、その他公知の合成方法を用いて合成してもよく、合成方法は特に限定されるものではない。

〔具体例〕
　第一の特定化合物の具体例としては、特に限定されないが、後述する実施例において使用されたカルベン化合物及び後述する実施例において使用されたカルベン前駆体から発生するカルベン化合物が挙げられる。第二の特定化合物の具体例としては、特に限定されないが、後述する実施例において使用されたカルベン前駆体が挙げられる。

〔含有量〕
　本発明の樹脂組成物の全固形分に対する、特定化合物の含有量は、０．０１～３０質量％であることが好ましい。下限は０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、０．２質量％以上が特に好ましい。上限は、２０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以下であることが更に好ましく、１０質量％以下であることが特に好ましい。
　また、上記特定樹脂の含有量を１００質量部とした場合の上記特定化合物の含有量は、０．０１～３０質量部であることが好ましく、０．０２～２０質量部であることがより好ましく、０．０５～１０質量部であることが更に好ましく、０．１～５質量部であることが特に好ましい。
　特定化合物は１種を単独で用いてもよいが、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合にはその合計量が上記の範囲となることが好ましい。

＜有機金属錯体＞
　本発明の樹脂組成物は、有機金属錯体を含むことが好ましい。
　有機金属錯体としては、第四族元素を含む化合物が好ましい。
　第四族元素を含む化合物は、チタン、ジルコニウム又はハフニウムを含む化合物であることが好ましく、チタンを含む化合物であることがより好ましい。
　また、第四族元素を含む化合物は、有機金属錯体であることが好ましく、有機チタン錯体であることがより好ましい。

　チタンを含む化合物の具体例を以下のＩ）～ＶＩＩ）に示す：
　Ｉ）チタンキレート化合物：中でも、アルコキシ基を２個以上有するチタンキレートが、ネガ型感光性樹脂組成物の保存安定性及び良好なパターンが得られることからより好ましく、具体的な例は、チタニウムビス（トリエタノールアミン）ジイソプロポキサイド、チタニウムジ（ｎ－ブトキサイド）ビス（２，４－ペンタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（２，４－ペンタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（テトラメチルヘプタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（エチルアセトアセテート）等である。

　ＩＩ）テトラアルコキシチタン化合物：例えば、チタニウムテトラ（ｎ－ブトキサイド）、チタニウムテトラエトキサイド、チタニウムテトラ（２－エチルヘキソキサイド）、チタニウムテトライソブトキサイド、チタニウムテトライソプロポキサイド、チタニウムテトラメトキサイド、チタニウムテトラメトキシプロポキサイド、チタニウムテトラメチルフェノキサイド、チタニウムテトラ（ｎ－ノニロキサイド）、チタニウムテトラ（ｎ－プロポキサイド）、チタニウムテトラステアリロキサイド、チタニウムテトラキス［ビス｛２，２－（アリロキシメチル）ブトキサイド｝］等である。

　ＩＩＩ）チタノセン化合物：例えば、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキサイド、ビス（η^５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロフェニル）チタニウム、ビス（η^５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロ－３－（１Ｈ－ピロール－１－イル）フェニル）チタニウム等である。

　ＩＶ）モノアルコキシチタン化合物：例えば、チタニウムトリス（ジオクチルホスフェート）イソプロポキサイド、チタニウムトリス（ドデシルベンゼンスルホネート）イソプロポキサイド等である。

　Ｖ）チタニウムオキサイド化合物：例えば、チタニウムオキサイドビス（ペンタンジオネート）、チタニウムオキサイドビス（テトラメチルヘプタンジオネート）、フタロシアニンチタニウムオキサイド等である。

　ＶＩ）チタニウムテトラアセチルアセトネート化合物：例えば、チタニウムテトラアセチルアセトネート等である。

　ＶＩＩ）チタネートカップリング剤：例えば、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート等である。

　上記Ｉ）～ＶＩＩ）の中でも、チタンを含む化合物が、上記Ｉ）チタンキレート化合物、ＩＩ）テトラアルコキシチタン化合物、及びＩＩＩ）チタノセン化合物から成る群から選ばれる少なくとも１種の化合物であることが、より良好な耐薬品性を奏するという観点から好ましい。特に、チタニウムジイソプロポキサイドビス（エチルアセトアセテート）、チタニウムテトラ（ｎ－ブトキサイド）、及びビス（η^５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロ－３－（１Ｈ－ピロール－１－イル）フェニル）チタニウムが好ましい。

　また、上記有機金属錯体は、窒素原子を含むπ共役部位を１つ以上有する金属錯体（以下、「特定金属錯体」とも記載する。）であることが好ましい。
　ここで、上記窒素原子は、特定金属錯体における金属原子と直接結合していることが好ましい。上記結合は、特に限定されないが、配位結合であることが好ましい。
　また、上記π共役部位は、窒素原子を１つのみ有してもよいし、２以上有してもよい。２以上有する場合、その内の１つが特定金属錯体における金属原子と直接結合していることが好ましい。
　ここで、特定金属錯体は、上記窒素原子を含むπ共役部位を１つのみ有してもよいし、２以上有してもよいが、１～２つ有することが好ましい。

　窒素原子を含むπ共役部位は、下記式（Ｃｏ－１）で表される構造であることが好ましい。
　式（Ｃｏ－１）中、Ｘ^１～Ｘ^３はそれぞれ独立に、－Ｃ（－＊）＝又は－Ｎ＝を表し、＊はそれぞれ他の構造との結合部位を表し、＃は金属原子との結合部位を表す。

　式（Ｃｏ－１）中、Ｘ^１～Ｘ^３はそれぞれ独立に、－Ｃ（－＊）＝又は－Ｎ＝を表し、少なくとも１つが－Ｃ（－＊）＝を表すことが好ましく、少なくとも２つが－Ｃ（－＊）＝を表すことがより好ましい。

　式（Ｃｏ－１）中、少なくとも２つの＊に結合する構造が結合して環構造を形成してもよい。環構造としては、脂肪族環構造であっても芳香族環構造であってもよいが、芳香族環構造であることが好ましい。

　また、特定金属錯体として下記式（Ｔ－１）で表される化合物を含むことも好ましい。
　式（Ｔ－１）中、Ｍは、チタン、ジルコニウム又はハフニウムであり、ｌ１は、０～２の整数であり、ｌ２は０又は１であり、ｌ１＋ｌ２×２は０～２の整数であり、ｍは０～４の整数、ｎは０～２の整数であり、ｌ１＋ｌ２＋ｍ＋ｎ×２＝４であり、Ｒ^１１は各々独立に置換もしくは無置換のシクロペンタジエニル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換のフェノキシ基であり、Ｒ^１２は置換若しくは無置換の炭化水素基であり、Ｒ^２は各々独立に、下記式（Ｔ－２）で表される構造を含む基であり、Ｒ^３は各々独立に、下記式（Ｔ－２）で表される構造を含む基であり、Ｘ^Ａはそれぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子である。
　式（Ｔ－２）中、Ｘ^１～Ｘ^３はそれぞれ独立に、－Ｃ（－＊）＝又は－Ｎ＝を表し、＊はそれぞれ他の構造との結合部位を表し、＃は金属原子との結合部位を表す。

　式（Ｔ－１）中、組成物の保存安定性の観点からは、Ｍはチタンであることが好ましい。
　式（Ｔ－１）中、ｌ１及びｌ２が０である態様も、本発明の好ましい態様の一つである。
　式（Ｔ－１）中、ｍは２又は４であることが好ましく、２であることがより好ましい。
　式（Ｔ－１）中、ｎは１又は２であることが好ましく、１であることがより好ましい。
　ここで、式（Ｔ－１）中、ｌ１及びｌ２が０であり、ｍが０、２又は４であることも好ましい。

　式（Ｔ－１）中、特定金属錯体の安定性の観点からは、Ｒ^１１は置換又は無置換のシクロペンタジエニル配位子が好ましい。
また、Ｒ^１１におけるシクロペンタジエニル基、アルコキシ基及びフェノキシ基は置換されていてもよいが、無置換である態様も本発明の好ましい態様の一つである。

　式（Ｔ－１）中、Ｒ^１２は炭素数１～２０の炭化水素基であることが好ましく、炭素数２～１０の炭化水素基であることがより好ましい。
　Ｒ^１２における炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基のいずれであってもよいが、芳香族炭化水素基が好ましい。
　脂肪族炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基であっても不飽和脂肪族炭化水素基であってもよいが、飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。
　芳香族炭化水素基としては、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基が好ましく、炭素数６～１０の芳香族炭化水素基がより好ましく、フェニレン基が更に好ましい。
　Ｒ^１２における置換基としては、１価の置換基が好ましく、ハロゲン原子等が挙げられる。また、Ｒ^１２が芳香族炭化水素基である場合、置換基としてアルキル基を有してもよい。
　これらの中でも、式（Ｔ－１）中、Ｒ^１２は無置換のフェニレン基であることが好ましい。また、Ｒ^１２におけるフェニレン基は１，２－フェニレン基であることが好ましい。

　式（Ｔ－１）中、ｍが２以上であり、Ｒ^２が２以上含まれる場合、その２以上のＲ^２の構造はそれぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　式（Ｔ－１）中、ｎが２以上であり、Ｒ^３が２以上含まれる場合、その２以上のＲ^３の構造はそれぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。

　式（Ｔ－２）中、Ｘ^１～Ｘ^３はそれぞれ独立に、－Ｃ（－＊）＝又は－Ｎ＝を表し、少なくとも１つが－Ｃ（－＊）＝を表すことが好ましく、少なくとも２つが－Ｃ（－＊）＝を表すことがより好ましい。

　樹脂組成物が有機金属錯体を含有する場合、含有量は、特定樹脂１００質量部に対し、０．０５質量部～１０質量部であることが好ましく、０．１質量部～５質量部であることがより好ましい。上記含有量が０．０５質量部以上である場合には耐熱性及び耐薬品性が向上し、１０質量部以下である場合には保存安定性が向上する。

＜重合性化合物＞
　本発明の樹脂組成物は、重合性化合物を更に含むことが好ましい。
　重合性化合物としては、ラジカル架橋剤、又は、他の架橋剤が挙げられる。

〔ラジカル架橋剤〕
　本発明の樹脂組成物は、ラジカル架橋剤を含むことが好ましい。
　ラジカル架橋剤は、ラジカル重合性基を有する化合物である。ラジカル重合性基としては、エチレン性不飽和結合を含む基が好ましい。上記エチレン性不飽和結合を含む基としては、ビニル基、アリル基、ビニルフェニル基、（メタ）アクリロイル基、マレイミド基、（メタ）アクリルアミド基などが挙げられる。
　これらの中でも、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基、ビニルフェニル基が好ましく、反応性の観点からは、（メタ）アクリロイル基がより好ましい。

　ラジカル架橋剤は、エチレン性不飽和結合を１個以上有する化合物であることが好ましいが、２個以上有する化合物であることがより好ましい。ラジカル架橋剤は、エチレン性不飽和結合を３個以上有していてもよい。
　上記エチレン性不飽和結合を２個以上有する化合物としては、エチレン性不飽和結合を２～１５個有する化合物が好ましく、エチレン性不飽和結合を２～１０個有する化合物がより好ましく、２～６個有する化合物が更に好ましい。
　得られるパターン（硬化物）の膜強度の観点からは、本発明の樹脂組成物は、エチレン性不飽和結合を２個有する化合物と、上記エチレン性不飽和結合を３個以上有する化合物とを含むことも好ましい。

　ラジカル架橋剤の分子量は、２，０００以下が好ましく、１，５００以下がより好ましく、９００以下が更に好ましい。ラジカル架橋剤の分子量の下限は、１００以上が好ましい。

　ラジカル架橋剤の具体例としては、不飽和カルボン酸（例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸など）やそのエステル類、アミド類が挙げられ、好ましくは、不飽和カルボン酸と多価アルコール化合物とのエステル、及び不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミド類である。また、ヒドロキシ基やアミノ基、スルファニル基等の求核性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル又はアミド類と、単官能若しくは多官能イソシアネート類又はエポキシ類との付加反応物や、単官能若しくは多官能のカルボン酸との脱水縮合反応物等も好適に使用される。また、イソシアネート基やエポキシ基等の親電子性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル又はアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との付加反応物、更に、ハロゲノ基やトシルオキシ基等の脱離性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル又はアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との置換反応物も好適である。また、別の例として、上記の不飽和カルボン酸の代わりに、不飽和ホスホン酸、スチレン等のビニルベンゼン誘導体、ビニルエーテル、アリルエーテル等に置き換えた化合物群を使用することも可能である。具体例としては、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０１１３～０１２２の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

　ラジカル架橋剤は、常圧下で１００℃以上の沸点を持つ化合物も好ましい。常圧下で１００℃以上の沸点を持つ化合物としては、国際公開第２０２１／１１２１８９号公報の段落０２０３に記載の化合物等が挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。

　上述以外の好ましいラジカル架橋剤としては、国際公開第２０２１／１１２１８９号公報の段落０２０４～０２０８に記載のラジカル重合性化合物等が挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。

　ラジカル架橋剤としては、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３３０（日本化薬（株）製））、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３２０（日本化薬（株）製）、Ａ－ＴＭＭＴ（新中村化学工業（株）製））、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３１０（日本化薬（株）製））、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＨＡ（日本化薬（株）製）、Ａ－ＤＰＨ（新中村化学工業社製））、及びこれらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール残基又はプロピレングリコール残基を介して結合している構造が好ましい。これらのオリゴマータイプも使用できる。

　ラジカル架橋剤の市販品としては、例えばエチレンオキシ鎖を４個有する４官能アクリレートであるＳＲ－４９４、エチレンオキシ鎖を４個有する２官能メタクリレートであるＳＲ－２０９、２３１、２３９（以上、サートマー社製）、ペンチレンオキシ鎖を６個有する６官能アクリレートであるＤＰＣＡ－６０、イソブチレンオキシ鎖を３個有する３官能アクリレートであるＴＰＡ－３３０（以上、日本化薬（株）製）、ウレタンオリゴマーであるＵＡＳ－１０、ＵＡＢ－１４０（以上、日本製紙社製）、ＮＫエステルＭ－４０Ｇ、ＮＫエステル４Ｇ、ＮＫエステルＭ－９３００、ＮＫエステルＡ－９３００、ＵＡ－７２００（以上、新中村化学工業社製）、ＤＰＨＡ－４０Ｈ（日本化薬（株）製）、ＵＡ－３０６Ｈ、ＵＡ－３０６Ｔ、ＵＡ－３０６Ｉ、ＡＨ－６００、Ｔ－６００、ＡＩ－６００（以上、共栄社化学社製）、ブレンマーＰＭＥ４００（日油（株）製）などが挙げられる。

　ラジカル架橋剤としては、特公昭４８－０４１７０８号公報、特開昭５１－０３７１９３号公報、特公平０２－０３２２９３号公報、特公平０２－０１６７６５号公報に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭５８－０４９８６０号公報、特公昭５６－０１７６５４号公報、特公昭６２－０３９４１７号公報、特公昭６２－０３９４１８号公報に記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。ラジカル架橋剤として、特開昭６３－２７７６５３号公報、特開昭６３－２６０９０９号公報、特開平０１－１０５２３８号公報に記載される、分子内にアミノ構造やスルフィド構造を有する化合物を用いることもできる。

　ラジカル架橋剤は、カルボキシ基、リン酸基等の酸基を有するラジカル架橋剤であってもよい。酸基を有するラジカル架橋剤は、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルが好ましく、脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシ基に非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせたラジカル架橋剤がより好ましい。特に好ましくは、脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシ基に非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせたラジカル架橋剤において、脂肪族ポリヒドロキシ化合物がペンタエリスリトール又はジペンタエリスリトールである化合物である。市販品としては、例えば、東亞合成（株）製の多塩基酸変性アクリルオリゴマーとして、Ｍ－５１０、Ｍ－５２０などが挙げられる。

　酸基を有するラジカル架橋剤の酸価は、０．１～３００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、１～１００ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましい。ラジカル架橋剤の酸価が上記範囲であれば、製造上の取扱性に優れ、現像性に優れる。また、重合性が良好である。上記酸価は、ＪＩＳ　Ｋ　００７０：１９９２の記載に準拠して測定される。

　樹脂組成物は、パターンの解像性と膜の伸縮性の観点から、２官能のメタアクリレート又はアクリレートを用いることが好ましい。
　具体的な化合物としては、トリエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）２００ジアクリレート、ＰＥＧ２００ジメタクリレート、ＰＥＧ６００ジアクリレート、ＰＥＧ６００ジメタクリレート、ポリテトラエチレングリコールジアクリレート、ポリテトラエチレングリコールジメタクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、３－メチル-１，５-ペンタンジオールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジメタクリレート、ジメチロール－トリシクロデカンジアクリレート、ジメチロール－トリシクロデカンジメタクリレート、ビスフェノールＡのＥＯ（エチレンオキシド）付加物ジアクリレート、ビスフェノールＡのＥＯ付加物ジメタクリレート、ビスフェノールＡのＰＯ（プロピレンオキシド）付加物ジアクリレート、ビスフェノールＡのＰＯ付加物ジメタクリレート、２－ヒドロキシー３－アクリロイロキシプロピルメタクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレート、イソシアヌルＥＯ酸変性ジメタクリレート、その他ウレタン結合を有する２官能アクリレート、ウレタン結合を有する２官能メタクリレートを使用することができる。これらは必要に応じ、２種以上を混合し使用することができる。
　なお、例えばＰＥＧ２００ジアクリレートとは、ポリエチレングリコールジアクリレートであって、ポリエチレングリコール鎖の式量が２００程度のものをいう。
　本発明の樹脂組成物は、パターン（硬化物）の反り抑制の観点から、ラジカル架橋剤として、単官能ラジカル架橋剤を好ましく用いることができる。単官能ラジカル架橋剤としては、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、カルビトール（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、グリシジル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸誘導体、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルカプロラクタム等のＮ－ビニル化合物類、アリルグリシジルエーテル等が好ましく用いられる。単官能ラジカル架橋剤としては、露光前の揮発を抑制するため、常圧下で１００℃以上の沸点を持つ化合物も好ましい。
　その他、２官能以上のラジカル架橋剤としては、ジアリルフタレート、トリアリルトリメリテート等のアリル化合物類が挙げられる。

　ラジカル架橋剤を含有する場合、ラジカル架橋剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して、０質量％超６０質量％以下であることが好ましい。下限は５質量％以上がより好ましい。上限は、５０質量％以下であることがより好ましく、３０質量％以下であることが更に好ましい。

　ラジカル架橋剤は１種を単独で用いてもよいが、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を併用する場合にはその合計量が上記の範囲となることが好ましい。

〔他の架橋剤〕
　本発明の樹脂組成物は、上述したラジカル架橋剤とは異なる、他の架橋剤を含むことも好ましい。
　他の架橋剤とは、上述したラジカル架橋剤以外の架橋剤をいい、上述の光酸発生剤、又は、光塩基発生剤の感光により、組成物中の他の化合物又はその反応生成物との間で共有結合を形成する反応が促進される基を分子内に複数個有する化合物であることが好ましく、組成物中の他の化合物又はその反応生成物との間で共有結合を形成する反応が酸又は塩基の作用によって促進される基を分子内に複数個有する化合物が好ましい。
　上記酸又は塩基は、露光工程において、光酸発生剤又は光塩基発生剤から発生する酸又は塩基であることが好ましい。
　他の架橋剤としては、国際公開第２０２２／１４５３５５号の段落０１７９～０２０７に記載の化合物が挙げられる。上記記載は本明細書に組み込まれる。

〔重合開始剤〕
　本発明の樹脂組成物は、重合開始剤を含むことが好ましい。　重合開始剤は熱重合開始剤であっても光重合開始剤であってもよいが、特に光重合開始剤を含むことが好ましい。
　光重合開始剤は、光ラジカル重合開始剤であることが好ましい。光ラジカル重合開始剤としては、特に制限はなく、公知の光ラジカル重合開始剤の中から適宜選択することができる。例えば、紫外線領域から可視領域の光線に対して感光性を有する光ラジカル重合開始剤が好ましい。また、光励起された増感剤と作用し、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよい。

　光ラジカル重合開始剤は、波長約２４０～８００ｎｍ（好ましくは３３０～５００ｎｍ）の範囲内で少なくとも約５０Ｌ・ｍｏｌ^－１・ｃｍ^－１のモル吸光係数を有する化合物を、少なくとも１種含有していることが好ましい。化合物のモル吸光係数は、公知の方法を用いて測定することができる。例えば、紫外可視分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製Ｃａｒｙ－５　ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）にて、酢酸エチル溶剤を用い、０．０１ｇ／Ｌの濃度で測定することが好ましい。

　光ラジカル重合開始剤としては、公知の化合物を任意に使用できる。例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体（例えば、トリアジン骨格を有する化合物、オキサジアゾール骨格を有する化合物、トリハロメチル基を有する化合物など）、アシルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体等のオキシム化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、ケトオキシムエーテル、アミノアセトフェノンなどのα－アミノケトン化合物、ヒドロキシアセトフェノンなどのα－ヒドロキシケトン化合物、アゾ系化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、有機ホウ素化合物、鉄アレーン錯体などが挙げられる。これらの詳細については、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０１６５～０１８２、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落０１３８～０１５１の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。また、特開２０１４－１３０１７３号公報の段落００６５～０１１１、特許第６３０１４８９号公報に記載された化合物、ＭＡＴＥＲＩＡＬ　ＳＴＡＧＥ　３７～６０ｐ，ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．３，２０１９に記載されたパーオキサイド系光重合開始剤、国際公開第２０１８／２２１１７７号に記載の光重合開始剤、国際公開第２０１８／１１０１７９号に記載の光重合開始剤、特開２０１９－０４３８６４号公報に記載の光重合開始剤、特開２０１９－０４４０３０号公報に記載の光重合開始剤、特開２０１９－１６７３１３号公報に記載の過酸化物系開始剤が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

　ケトン化合物としては、例えば、特開２０１５－０８７６１１号公報の段落００８７に記載の化合物が例示され、この内容は本明細書に組み込まれる。市販品では、カヤキュア－ＤＥＴＸ－Ｓ（日本化薬（株）製）も好適に用いられる。

　本発明の一実施態様において、光ラジカル重合開始剤としては、ヒドロキシアセトフェノン化合物、アミノアセトフェノン化合物、及び、アシルホスフィン化合物を好適に用いることができる。より具体的には、例えば、特開平１０－２９１９６９号公報に記載のアミノアセトフェノン系開始剤、特許第４２２５８９８号に記載のアシルホスフィンオキシド系開始剤を用いることができ、この内容は本明細書に組み込まれる。

　α－ヒドロキシケトン系開始剤としては、Ｏｍｎｉｒａｄ　１８４、Ｏｍｎｉｒａｄ　１１７３、Ｏｍｎｉｒａｄ　２９５９、Ｏｍｎｉｒａｄ　１２７（以上、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　１８４（ＩＲＧＡＣＵＲＥは登録商標）、ＤＡＲＯＣＵＲ　１１７３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　５００、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－２９５９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　１２７（以上、ＢＡＳＦ社製）を用いることができる。

　α－アミノケトン系開始剤としては、Ｏｍｎｉｒａｄ　９０７、Ｏｍｎｉｒａｄ　３６９、Ｏｍｎｉｒａｄ　３６９Ｅ、Ｏｍｎｉｒａｄ　３７９ＥＧ（以上、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　３６９、及び、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　３７９（以上、ＢＡＳＦ社製）を用いることができる。

　アミノアセトフェノン系開始剤、アシルホスフィンオキシド系開始剤、メタロセン化合物としては、例えば、国際公開第２０２１／１１２１８９号の段落０１６１～０１６３に記載の化合物も好適に使用することができる。この内容は本明細書に組み込まれる。

　光ラジカル重合開始剤として、より好ましくはオキシム化合物が挙げられる。オキシム化合物を用いることにより、露光ラチチュードをより効果的に向上させることが可能になる。オキシム化合物は、露光ラチチュード（露光マージン）が広く、かつ、光硬化促進剤としても働くため、特に好ましい。

　オキシム化合物の具体例としては、特開２００１－２３３８４２号公報に記載の化合物、特開２０００－０８００６８号公報に記載の化合物、特開２００６－３４２１６６号公報に記載の化合物、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年、ｐｐ．１６５３－１６６０）に記載の化合物、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年、ｐｐ．１５６－１６２）に記載の化合物、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９５年、ｐｐ．２０２－２３２）に記載の化合物、特開２０００－０６６３８５号公報に記載の化合物、特表２００４－５３４７９７号公報に記載の化合物、特開２０１７－０１９７６６号公報に記載の化合物、特許第６０６５５９６号公報に記載の化合物、国際公開第２０１５／１５２１５３号に記載の化合物、国際公開第２０１７／０５１６８０号に記載の化合物、特開２０１７－１９８８６５号公報に記載の化合物、国際公開第２０１７／１６４１２７号の段落番号００２５～００３８に記載の化合物、国際公開第２０１３／１６７５１５号に記載の化合物などが挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。

　好ましいオキシム化合物としては、例えば、下記の構造の化合物や、３－（ベンゾイルオキシ（イミノ））ブタン－２－オン、３－（アセトキシ（イミノ））ブタン－２－オン、３－（プロピオニルオキシ（イミノ））ブタン－２－オン、２－（アセトキシ（イミノ））ペンタン－３－オン、２－（アセトキシ（イミノ））－１－フェニルプロパン－１－オン、２－（ベンゾイルオキシ（イミノ））－１－フェニルプロパン－１－オン、３－（（４－トルエンスルホニルオキシ）イミノ）ブタン－２－オン、及び２－（エトキシカルボニルオキシ（イミノ））－１－フェニルプロパン－１－オンなどが挙げられる。樹脂組成物においては、特に光ラジカル重合開始剤としてオキシム化合物を用いることが好ましい。光ラジカル重合開始剤としてのオキシム化合物は、分子内に＞Ｃ＝Ｎ－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－の連結基を有する。

　オキシム化合物の市販品としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０２、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０４（以上、ＢＡＳＦ社製）、アデカオプトマーＮ－１９１９（（株）ＡＤＥＫＡ製、特開２０１２－０１４０５２号公報に記載の光ラジカル重合開始剤２）、ＴＲ－ＰＢＧ－３０４、ＴＲ－ＰＢＧ－３０５（常州強力電子新材料有限公司製）、アデカアークルズＮＣＩ－７３０、ＮＣＩ－８３１及びアデカアークルズＮＣＩ－９３０（（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＤＦＩ－０９１（ダイトーケミックス（株）製）、ＳｐｅｅｄＣｕｒｅ　ＰＤＯ（ＳＡＲＴＯＭＥＲ　ＡＲＫＥＭＡ製）が挙げられる。また、下記の構造のオキシム化合物を用いることもできる。

　光ラジカル重合開始剤としては、例えば、国際公開第２０２１／１１２１８９号の段落０１６９～０１７１に記載のフルオレン環を有するオキシム化合物、カルバゾール環の少なくとも１つのベンゼン環がナフタレン環となった骨格を有するオキシム化合物、フッ素原子を有するオキシム化合物を用いることもできる。
　また、国際公開第２０２１／０２０３５９号に記載の段落０２０８～０２１０に記載のニトロ基を有するオキシム化合物、ベンゾフラン骨格を有するオキシム化合物、カルバゾール骨格にヒドロキシ基を有する置換基が結合したオキシム化合物を用いることもできる。これらの内容は本明細書に組み込まれる。

　その他、光重合開始剤としては、特開２０２３－０５８５８５号公報の段落０１１３～０１１７に記載の化合物を用いることもできる。この記載は本願明細書に組み込まれる。

　樹脂組成物が光重合開始剤を含む場合、その含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し０．１～３０質量％が好ましく、０．１～２０質量％がより好ましく、０．５～１５質量％が更に好ましく、１．０～１０質量％が更により好ましい。光重合開始剤は１種のみ含有していてもよいし、２種以上含有していてもよい。光重合開始剤を２種以上含有する場合は、合計量が上記範囲であることが好ましい。
　なお、光重合開始剤は熱重合開始剤としても機能する場合があるため、オーブンやホットプレート等の加熱によって光重合開始剤による架橋を更に進行させられる場合がある。

〔増感剤〕
　樹脂組成物は、増感剤を含んでいてもよい。増感剤は、特定の活性放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感剤は、熱ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合開始剤などと接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱などの作用が生じる。これにより、熱ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合開始剤は化学変化を起こして分解し、ラジカル、酸又は塩基を生成する。
　使用可能な増感剤として、ベンゾフェノン系、ミヒラーズケトン系、クマリン系、ピラゾールアゾ系、アニリノアゾ系、トリフェニルメタン系、アントラキノン系、アントラセン系、アントラピリドン系、ベンジリデン系、オキソノール系、ピラゾロトリアゾールアゾ系、ピリドンアゾ系、シアニン系、フェノチアジン系、ピロロピラゾールアゾメチン系、キサンテン系、フタロシアニン系、ペンゾピラン系、インジゴ系等の化合物を使用することができる。
　増感剤としては、例えば、ミヒラーズケトン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，５－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロペンタン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）－４－メチルシクロヘキサノン、４，４’－ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ－ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ－ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビフェニレン）－ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３－ビス（４’－ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３’－カルボニル－ビス（７－ジエチルアミノクマリン）、３－アセチル－７－ジメチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－ベンジロキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－メトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン（７－（ジエチルアミノ）クマリン－３－カルボン酸エチル）、Ｎ－フェニル－Ｎ’－エチルエタノールアミン、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－ｐ－トリルジエタノールアミン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－モルホリノベンゾフェノン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、２－メルカプトベンズイミダゾール、１－フェニル－５－メルカプトテトラゾール、２－メルカプトベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンズオキサゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ナフト（１，２－ｄ）チアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノベンゾイル）スチレン、ジフェニルアセトアミド、ベンズアニリド、Ｎ－メチルアセトアニリド、３‘，４’－ジメチルアセトアニリド等が挙げられる。
　また、他の増感色素を用いてもよい。
　増感色素の詳細については、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０１６１～０１６３の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

　樹脂組成物が増感剤を含む場合、増感剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、０．０１～２０質量％が好ましく、０．１～１５質量％がより好ましく、０．５～１０質量％が更に好ましい。増感剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

〔連鎖移動剤〕
　本発明の樹脂組成物は、連鎖移動剤を含有してもよい。連鎖移動剤は、例えば高分子辞典第三版（高分子学会編、２００５年）６８３－６８４頁に定義されている。連鎖移動剤としては、例えば、分子内に－Ｓ－Ｓ－、－ＳＯ_２－Ｓ－、－Ｎ－Ｏ－、ＳＨ、ＰＨ、ＳｉＨ、及びＧｅＨを有する化合物群、ＲＡＦＴ（Reversible Addition Fragmentation chain Transfer）重合に用いられるチオカルボニルチオ基を有するジチオベンゾアート、トリチオカルボナート、ジチオカルバマート、キサンタート化合物等が用いられる。これらは、低活性のラジカルに水素を供与して、ラジカルを生成するか、若しくは、酸化された後、脱プロトンすることによりラジカルを生成しうる。特に、チオール化合物を好ましく用いることができる。

　また、連鎖移動剤は、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落０１５２～０１５３に記載の化合物を用いることもでき、この内容は本明細書に組み込まれる。

　樹脂組成物が連鎖移動剤を有する場合、連鎖移動剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分１００質量部に対し、０．０１～２０質量部が好ましく、０．１～１０質量部がより好ましく、０．５～５質量部が更に好ましい。連鎖移動剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。連鎖移動剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。

　また、本発明の樹脂組成物が、重合開始剤として、２種以上の重合開始剤を含むことも本発明の好ましい態様の一つである。
　具体的には、本発明の樹脂組成物は、光重合開始剤及び後述の熱重合開始剤を含むか、又は、上述の光ラジカル重合開始剤及び上述の光酸発生剤を含むことが好ましい。

　光重合開始剤及び後述の熱重合開始剤を含むことにより、露光によるパターン形成が可能となり、かつ、後述の加熱工程による硬化時にラジカル重合も進行しやすくなり、耐薬品性等の性能が向上する場合が有る。
　光重合開始剤及び後述の熱重合開始剤を含む場合の含有比率としては、光重合開始剤及び熱重合開始剤の合計含有量に対し、熱重合開始剤の含有量が２０～７０質量％であることが好ましく、３０～６０質量％であることがより好ましい。

　光ラジカル重合開始剤及び光酸発生剤を含むことにより解像性等の性能が向上する場合が有る。
　光重合開始剤及び光酸発生剤を含む場合の含有比率としては、光重合開始剤及び光酸発生剤の合計含有量に対し、光酸発生剤の含有量が２０～７０質量％であることが好ましく、３０～６０質量％であることがより好ましい。

〔熱重合開始剤〕
　熱重合開始剤としては、例えば、熱ラジカル重合開始剤が挙げられる。熱ラジカル重合開始剤は、熱のエネルギーによってラジカルを発生し、重合性を有する化合物の重合反応を開始又は促進させる化合物である。熱ラジカル重合開始剤を添加することによって樹脂及び重合性化合物の重合反応を進行させることもできるので、より耐溶剤性を向上できる。

　熱ラジカル重合開始剤として、具体的には、特開２００８－０６３５５４号公報の段落００７４～０１１８に記載されている化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。

　熱重合開始剤を含む場合、その含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し０．１～３０質量％であることが好ましく、０．１～２０質量％であることがより好ましく、０．５～１５質量％であることが更に好ましい。樹脂組成物は熱重合開始剤を１種のみ含有していてもよいし、２種以上含有していてもよい。熱重合開始剤を２種以上含有する場合は、合計量が上記範囲であることが好ましい。

＜塩基発生剤＞
　本発明の樹脂組成物は、塩基発生剤を含んでもよい。ここで、塩基発生剤とは、物理的または化学的な作用によって塩基を発生することができる化合物である。好ましい塩基発生剤としては、熱塩基発生剤および光塩基発生剤が挙げられる。
　特に、樹脂組成物が環化樹脂の前駆体を含む場合、樹脂組成物は塩基発生剤を含むことが好ましい。樹脂組成物が熱塩基発生剤を含有することによって、例えば加熱により前駆体の環化反応を促進でき、硬化物の機械特性や耐薬品性が良好なものとなり、例えば半導体パッケージ中に含まれる再配線層用層間絶縁膜としての性能が良好となる。
　塩基発生剤としては、イオン型塩基発生剤でもよく、非イオン型塩基発生剤でもよい。塩基発生剤から発生する塩基としては、例えば、２級アミン、３級アミンが挙げられる。
　塩基発生剤は特に限定されず、公知の塩基発生剤を用いることができる。公知の塩基発生剤としては、例えば、カルバモイルオキシム化合物、カルバモイルヒドロキシルアミン化合物、カルバミン酸化合物、ホルムアミド化合物、アセトアミド化合物、カルバメート化合物、ベンジルカルバメート化合物、ニトロベンジルカルバメート化合物、スルホンアミド化合物、イミダゾール誘導体化合物、アミンイミド化合物、ピリジン誘導体化合物、α－アミノアセトフェノン誘導体化合物、４級アンモニウム塩誘導体化合物、イミニウム塩、ピリジニウム塩、α－ラクトン環誘導体化合物、アミンイミド化合物、フタルイミド誘導体化合物、アシルオキシイミノ化合物等が挙げられる。
　非イオン型塩基発生剤の具体例としては、国際公開第２０２２／１４５３５５号の段落０２４９～０２７５に記載の化合物が挙げられる。上記記載は本明細書に組み込まれる。

　他の塩基発生剤としては、下記の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。

　非イオン型塩基発生剤の分子量は、８００以下が好ましく、６００以下がより好ましく、５００以下が更に好ましい。下限は、１００以上が好ましく、２００以上がより好ましく、３００以上が更に好ましい。

　イオン型塩基発生剤の具体的な好ましい化合物としては、例えば、国際公開第２０１８／０３８００２号の段落番号０１４８～０１６３に記載の化合物が挙げられる。

　アンモニウム塩の具体例としては、下記の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。

　イミニウム塩の具体例としては、下記の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。

　また、塩基発生剤としては、保存安定性およびキュア時に脱保護で塩基を発生させる観点からアミノ基がｔ－ブトキシカルボニル基によって保護されたアミンであることが好ましい。

　ｔ－ブトキシカルボニル基によって保護されたアミン化合物としては、例えば、エタノールアミン、３－アミノ－１－プロパノール、１－アミノ－２－プロパノール、２－アミノ－１－プロパノール、４－アミノ－１－ブタノール、２－アミノ－１－ブタノール、１－アミノ－２－ブタノール、３－アミノ－２，２－ジメチル－１－プロパノール、４－アミノ－２－メチル－１－ブタノール、バリノール、３－アミノ－１，２－プロパンジオール、２－アミノ－１，３－プロパンジオール、チラミン、ノルエフェドリン、２－アミノ－１－フェニル－１，３－プロパンジオール、２－アミノシクロヘキサノール、４－アミノシクロヘキサノール、４－アミノシクロヘキサンエタノール、４－（２－アミノエチル）シクロヘキサノール、Ｎ－メチルエタノールアミン、３－（メチルアミノ）－１－プロパノール、３－（イソプロピルアミノ）プロパノール、Ｎ－シクロヘキシルエタノールアミン、α－［２－（メチルアミノ）エチル］ベンジルアルコール、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、３－ピロリジノール、２－ピロリジンメタノール、４－ヒドロキシピペリジン、３－ヒドロキシピペリジン、４－ヒドロキシ－４－フェニルピペリジン、４－（３－ヒドロキシフェニル）ピペリジン、４－ピペリジンメタノール、３－ピペリジンメタノール、２－ピペリジンメタノール、４－ピペリジンエタノール、２－ピペリジンエタノール、２－（４－ピペリジル）－２－プロパノール、１，４－ブタノールビス（３－アミノプロピル）エーテル、１，２－ビス（２－アミノエトキシ）エタン、２，２’－オキシビス（エチルアミン）、１，１４－ジアミノ－３，６，９，１２－テトラオキサテトラデカン、１－アザ－１５－クラウン５－エーテル、ジエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、１，１１－ジアミノ－３，６，９－トリオキサウンデカン、又は、アミノ酸及びその誘導体のアミノ基をｔ－ブトキシカルボニル基によって保護した化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

　樹脂組成物が塩基発生剤を含む場合、塩基発生剤の含有量は、樹脂組成物中の樹脂１００質量部に対し、０．１～５０質量部が好ましい。下限は、０．３質量部以上がより好ましく、０．５質量部以上が更に好ましい。上限は、３０質量部以下がより好ましく、２０質量部以下が更に好ましく、１０質量部以下が一層好ましく、５質量部以下がより一層好ましく、４質量部以下が特に好ましい。
　塩基発生剤は、１種又は２種以上を用いることができる。２種以上を用いる場合は、合計量が上記範囲であることが好ましい。

＜溶剤＞
　本発明の樹脂組成物は、溶剤を含むことが好ましい。
　溶剤は、公知の溶剤を任意に使用できる。溶剤は有機溶剤が好ましい。有機溶剤としては、エステル類、エーテル類、ケトン類、環状炭化水素類、スルホキシド類、アミド類、ウレア類、アルコール類などの化合物が挙げられる。

　エステル類として、例えば、酢酸エチル、酢酸－ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、酢酸へキシル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、δ－バレロラクトン、γ－バレロラクトン、アルキルオキシ酢酸アルキル（例えば、アルキルオキシ酢酸メチル、アルキルオキシ酢酸エチル、アルキルオキシ酢酸ブチル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等））、３－アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例えば、３－アルキルオキシプロピオン酸メチル、３－アルキルオキシプロピオン酸エチル等（例えば、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル等））、２－アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例えば、２－アルキルオキシプロピオン酸メチル、２－アルキルオキシプロピオン酸エチル、２－アルキルオキシプロピオン酸プロピル等（例えば、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチル、２－メトキシプロピオン酸プロピル、２－エトキシプロピオン酸メチル、２－エトキシプロピオン酸エチル））、２－アルキルオキシ－２－メチルプロピオン酸メチル及び２－アルキルオキシ－２－メチルプロピオン酸エチル（例えば、２－メトキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－エトキシ－２－メチルプロピオン酸エチル等）、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２－オキソブタン酸メチル、２－オキソブタン酸エチル、ヘキサン酸エチル、ヘプタン酸エチル、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル等が好適なものとして挙げられる。

　エーテル類として、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等が好適なものとして挙げられる。

　ケトン類として、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、３－メチルシクロヘキサノン、レボグルコセノン、ジヒドロレボグルコセノン等が好適なものとして挙げられる。

　環状炭化水素類として、例えば、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族炭化水素類、リモネン等の環式テルペン類が好適なものとして挙げられる。

　スルホキシド類として、例えば、ジメチルスルホキシドが好適なものとして挙げられる。

　アミド類として、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミド、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、３－ブトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、Ｎ－ホルミルモルホリン、Ｎ－アセチルモルホリン等が好適なものとして挙げられる。

　ウレア類として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルウレア、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が好適なものとして挙げられる。

　アルコール類として、メタノール、エタノール、１-プロパノール、２-プロパノール、１－ブタノール、１－ペンタノール、１－ヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、１－メトキシ－２－プロパノール、２－エトキシエタノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、メチルフェニルカルビノール、ｎ－アミルアルコール、メチルアミルアルコール、および、ダイアセトンアルコール等が挙げられる。

　溶剤は、塗布面性状の改良などの観点から、２種以上を混合する形態も好ましい。

　本発明では、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、２－ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、トルエン、ジメチルスルホキシド、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、プロピレングリコールメチルエーテル、及びプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、レボグルコセノン、ジヒドロレボグルコセノンから選択される１種の溶剤、又は、２種以上で構成される混合溶剤が好ましい。ジメチルスルホキシドとγ－ブチロラクトンとの併用、ジメチルスルホキシドとγ－バレロラクトンとの併用、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミドとγ－ブチロラクトンとの併用、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミドとγ－ブチロラクトンとジメチルスルホキシドとの併用、又は、Ｎ－メチル－２－ピロリドンと乳酸エチルとの併用が特に好ましい。これらの併用された溶剤に、更にトルエンを溶剤の全質量に対して１～１０質量％程度添加する態様も、本発明の好ましい態様の１つである。
　特に、樹脂組成物の保存安定性等の観点からは、溶剤としてγ－バレロラクトンを含む態様も、本発明の好ましい態様の１つである。このような態様において、溶剤の全質量に対するγ－バレロラクトンの含有量は、５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることが更に好ましい。また、上記含有量の上限は、特に限定されず１００質量％であってもよい。上記含有量は、樹脂組成物に含まれる環化樹脂の前駆体などの成分の溶解度等を考慮して決定すればよい。
　また、ジメチルスルホキシドとγ－バレロラクトンとを併用する場合、溶剤の全質量に対して、６０～９０質量％のγ－バレロラクトンと１０～４０質量％のジメチルスルホキシドとを含むことが好ましく、７０～９０質量％のγ－バレロラクトンと１０～３０質量％のジメチルスルホキシドとを含むことがより好ましく、７５～８５質量％のγ－バレロラクトンと１５～２５質量％のジメチルスルホキシドとを含むことが更に好ましい。

　溶剤の含有量は、塗布性の観点から、本発明の樹脂組成物の全固形分濃度が５～８０質量％になる量とすることが好ましく、５～７５質量％となる量にすることがより好ましく、１０～７０質量％となる量にすることが更に好ましく、２０～７０質量％となるようにすることが一層好ましい。溶剤含有量は、塗膜の所望の厚さと塗布方法に応じて調節すればよい。溶剤を２種以上含有する場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。

＜金属接着性改良剤＞
　本発明の樹脂組成物は、電極や配線などに用いられる金属材料との接着性を向上させる観点から、金属接着性改良剤を含むことが好ましい。金属接着性改良剤としては、アルコキシシリル基を有するシランカップリング剤、アルミニウム系接着助剤、チタン系接着助剤、スルホンアミド構造を有する化合物及びチオウレア構造を有する化合物、リン酸誘導体化合物、βケトエステル化合物、アミノ化合物等が挙げられる。

〔シランカップリング剤〕
　シランカップリング剤としては、例えば、国際公開第２０２１／１１２１８９号の段落０３１６に記載の化合物、特開２０１８－１７３５７３の段落００６７～００７８に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。また、特開２０１１－１２８３５８号公報の段落００５０～００５８に記載のように異なる２種以上のシランカップリング剤を用いることも好ましい。シランカップリング剤は、下記化合物を用いることも好ましい。以下の式中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を表す。また、下記Ｒはブロックイソシアネート基におけるブロック化剤由来の構造が挙げられる。ブロック化剤としては、脱離温度に応じて選択すればよいが、アルコール化合物、フェノール化合物、ピラゾール化合物、トリアゾール化合物、ラクタム化合物、活性メチレン化合物等が挙げられる。例えば、脱離温度を１６０～１８０℃としたい観点からは、カプロラクタムなどが好ましい。このような化合物の市販品としては、Ｘ－１２－１２９３（信越化学工業株式会社製）などが挙げられる。

　他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、トリス－（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、３－ウレイドプロピルトリアルコキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３－トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物が挙げられる。これらは１種単独または２種以上を組み合わせて使用することができる。
　また、シランカップリング剤として、アルコキシシリル基を複数個有するオリゴマータイプの化合物を用いることもできる。
　このようなオリゴマータイプの化合物としては、下記式（Ｓ－１）で表される繰返し単位を含む化合物などが挙げられる。
　式（Ｓ－１）中、Ｒ^Ｓ１は１価の有機基を表し、Ｒ^Ｓ２は水素原子、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を表し、ｎは０～２の整数を表す。
　Ｒ^Ｓ１は重合性基を含む構造であることが好ましい。重合性基としては、エチレン性不飽和結合を有する基、エポキシ基、オキセタニル基、ベンゾオキサゾリル基、ブロックイソシアネート基、アミノ基等が挙げられる。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、アリル基、イソアリル基、２－メチルアリル基、ビニル基と直接結合した芳香環を有する基（例えば、ビニルフェニル基など）、（メタ）アクリルアミド基、（メタ）アクリロイルオキシ基などが挙げられ、ビニルフェニル基、（メタ）アクリルアミド基又は（メタ）アクリロイルオキシ基が好ましく、ビニルフェニル基又は（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましく、（メタ）アクリロイルオキシ基が更に好ましい。
　Ｒ^Ｓ２はアルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基又はエトキシ基であることがより好ましい。
　ｎは０～２の整数を表し、１であることが好ましい。
　ここで、オリゴマータイプの化合物に含まれる複数の式（Ｓ－１）で表される繰返し単位の構造は、それぞれ同一であってもよい。
　ここで、オリゴマータイプの化合物に含まれる複数の式（Ｓ－１）で表される繰返し単位のうち、少なくとも１つにおいてｎが１又は２であることが好ましく、少なくとも２つにおいてｎが１又は２であることがより好ましく、少なくとも２つにおいてｎが１であることが更に好ましい。
　このようなオリゴマータイプの化合物としては市販品を用いることができ、市販品としては例えば、ＫＲ－５１３（信越化学工業株式会社製）が挙げられる。

〔アルミニウム系接着助剤〕
　アルミニウム系接着助剤としては、例えば、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等を挙げることができる。

　その他の金属接着性改良剤としては、特開２０１４－１８６１８６号公報の段落００４６～００４９に記載の化合物、特開２０１３－０７２９３５号公報の段落００３２～００４３に記載のスルフィド系化合物を用いることもでき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

　金属接着性改良剤の含有量は特定樹脂１００質量部に対して、０．０１～３０質量部が好ましく、０．１～１０質量部がより好ましく、０．５～５質量部が更に好ましい。上記下限値以上とすることでパターンと金属層との接着性が良好となり、上記上限値以下とすることでパターンの耐熱性、機械特性が良好となる。金属接着性改良剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。２種以上用いる場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。

＜化合物Ｘ１＞
　本発明の樹脂組成物は、化合物Ｘ１を含んでもよい。
　化合物Ｘ１は１，３－ジカルボニル構造及びβ－ヒドロキシカルボニル構造からなる群より選ばれた少なくとも一方の構造を有し、分子量が１，０００以下である化合物である。
　ここで、１，３－ジカルボニル構造とは、下記式（ＤＣ－１）で表される構造をいい、β－ヒドロキシカルボニル構造とは、下記式（ＨＣ－１）で表される構造をいう。

　式（ＤＣ－１）又は式（ＨＣ－１）中、＊及び＃はそれぞれ、他の構造との結合部位を表す。ここで、＊は炭素原子、酸素原子、窒素原子又は硫黄原子との結合部位であることが好ましい。また、＃は水素原子又は炭素原子との結合部位であることが好ましい。
　ここで、上記（ＤＣ－１）で表される構造は、下記式（ＤＣ－２）のようにエノール型であってもよい。
　また、上記（ＨＣ－１）で表される構造は、下記式（ＨＣ－２）のようにエノール型であってもよい。
　式（ＤＣ－２）又は式（ＨＣ－２）中、＊及び＃はそれぞれ、他の構造との結合部位を表す。＊は炭素原子、酸素原子、窒素原子又は硫黄原子との結合部位であることが好ましい。また、＃は水素原子又は炭素原子との結合部位であることが好ましい。

　化合物Ｘ１は、構造中に金属原子を含まないことが好ましい。ここでいう金属原子には、シリカ等の半金属原子は含まないものとする。
　また、化合物Ｘ１は、樹脂組成物中で金属原子に配位していないことが好ましい。

〔分子量〕
　化合物Ｘ１の分子量は、１，０００以下であり、１００～５００であることが好ましく、１００～４００であることがより好ましく、１００～３５０であることが更に好ましく、１００～３００であることが特に好ましく、１００～２５０であることが一層好ましい。

〔具体例〕
　化合物Ｘ１の具体例としては、特に限定されないが、下記構造の化合物が挙げられる。

〔含有量〕
　本発明の樹脂組成物の全固形分に対する、化合物Ｘ１の含有量は、０．０１～３０質量％であることが好ましい。下限は０．０２質量％以上がより好ましく、０．０５質量％以上が更に好ましく、０．１０質量％以上が特に好ましい。上限は、２０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることが更に好ましく、５質量％以下であることが特に好ましい。また、１質量％以下である態様も、本発明の好ましい態様の一つである。
　化合物Ｘ１は１種を単独で用いてもよいが、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合にはその合計量が上記の範囲となることが好ましい。

＜他のマイグレーション抑制剤＞
　本発明の樹脂組成物は、他のマイグレーション抑制剤を更に含むことが好ましい。他のマイグレーション抑制剤を含むことにより、例えば、樹脂組成物を金属層（又は金属配線）に適用して膜を形成した際に、金属層（又は金属配線）由来の金属イオンが膜内へ移動することを効果的に抑制することができる。
　ここでいう他のマイグレーション抑制剤には、上述の特定化合物に該当する化合物は該当しないものとする。

　他のマイグレーション抑制剤としては、特に制限はないが、複素環（ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、イソオキサゾール環、イソチアゾール環、テトラゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、２Ｈ－ピラン環及び６Ｈ－ピラン環、トリアジン環）を有する化合物、チオ尿素類及びスルファニル基を有する化合物、ヒンダードフェノール系化合物、サリチル酸誘導体系化合物、ヒドラジド誘導体系化合物が挙げられる。特に、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾール等のトリアゾール系化合物、１Ｈ－テトラゾール、５－フェニルテトラゾール、５－アミノ―１Ｈ－テトラゾール等のテトラゾール系化合物が好ましく使用できる。

　他のマイグレーション抑制剤としては、ハロゲンイオンなどの陰イオンを捕捉するイオントラップ剤を使用することもできる。

　また、他のマイグレーション抑制剤としては、特開２０１３－０１５７０１号公報の段落００９４に記載の防錆剤、特開２００９－２８３７１１号公報の段落００７３～００７６に記載の化合物、特開２０１１－０５９６５６号公報の段落００５２に記載の化合物、特開２０１２－１９４５２０号公報の段落０１１４、０１１６及び０１１８に記載の化合物、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落０１６６に記載の化合物などを使用することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。

　他のマイグレーション抑制剤の具体例としては、下記化合物を挙げることができる。

　本発明の樹脂組成物が他のマイグレーション抑制剤を有する場合、マイグレーション抑制剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して、０．０１～５．０質量％であることが好ましく、０．０５～２．０質量％であることがより好ましく、０．１～１．０質量％であることが更に好ましい。

　他のマイグレーション抑制剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。マイグレーション抑制剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。

＜重合禁止剤＞
　本発明の樹脂組成物は、重合禁止剤を含むことが好ましい。重合禁止剤としてはフェノール系化合物、キノン系化合物、アミノ系化合物、Ｎ－オキシルフリーラジカル化合物系化合物、ニトロ系化合物、ニトロソ系化合物、ヘテロ芳香環系化合物、金属化合物などが挙げられる。

　重合禁止剤の具体的な化合物としては、国際公開第２０２１／１１２１８９の段落０３１０に記載の化合物、ｐ－ヒドロキノン、ｏ－ヒドロキノン、４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン１－オキシルフリーラジカル、フェノキサジン、１，４，４－トリメチル－２，３－ジアザビシクロ［３．２．２］ノナ－２－エン－Ｎ，Ｎ－ジオキシド等が挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。

　本発明の樹脂組成物が重合禁止剤を有する場合、重合禁止剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対して、０．０１～２０質量％であることが好ましく、０．０２～１５質量％であることがより好ましく、０．０５～１０質量％であることが更に好ましい。

　重合禁止剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。重合禁止剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。

〔ウレア化合物、カルボジイミド化合物、イソウレア化合物〕
　破断伸び、及び、金属又は樹脂層との密着性の観点から、本発明の樹脂組成物は、ウレア結合を有する化合物（ウレア化合物）、カルボジイミド構造を有する化合物（カルボジイミド化合物）及びイソウレア結合を有する化合物（イソウレア化合物）からなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物（以下、「ウレア化合物等」ともいう）を含んでもよい。
　これらの中でも、本発明の樹脂組成物は、ウレア結合を有する化合物を更に含むことが好ましい。
　ここでいうウレア化合物等には、上述の重合性化合物、シランカップリング剤に該当する化合物は含まれないものとする。
　ウレア化合物、カルボジイミド化合物、及び、イソウレア化合物としては、国際公開第２０２２／０７０７３０号の段落０３３４～０３４１に記載の化合物が挙げられる。これらの記載は本明細書に取り込まれる。

　ウレア化合物等の合計含有量は、特定樹脂１００質量部に対して０．１～１０．０質量部が好ましく、０．５～８．０質量部がより好ましく、１．０～６．０質量部が更に好ましい。
　ウレア化合物等は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。塩基含有処理液において２種以上の塩基を併用する場合、それらの合計含有量が上記範囲内であることが好ましい。

＜光吸収剤＞
　本発明の樹脂組成物は、露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物（光吸収剤）を含むことも好ましい。
　光吸収剤としては、国際公開第２０２２／２０２６４７号の段落０１５９～０１８３に記載の化合物、特開２０１９－２０６６８９号公報の段落００８８～０１０８に記載の化合物等が挙げられる。これらの内容は本明細書に組み込まれる。

　本発明の樹脂組成物の全固形分に対する光吸収剤の含有量は、特に限定されないが、０．１～２０質量％であることが好ましく、０．５～１０質量％であることがより好ましく、１～５質量％であることが更に好ましい。

＜その他の添加剤＞
　本発明の樹脂組成物は、本発明の効果が得られる範囲で、必要に応じて、各種の添加物、例えば、界面活性剤、高級脂肪酸誘導体、熱重合開始剤、無機粒子、紫外線吸収剤、有機チタン化合物、酸化防止剤、光酸発生剤、凝集防止剤、フェノール系化合物、他の高分子化合物、可塑剤及びその他の助剤類（例えば、消泡剤、難燃剤など）等を含んでいてもよい。これらの成分を適宜含有させることにより、膜物性などの性質を調整することができる。これらの成分は、例えば、特開２０１２－００３２２５号公報の段落番号０１８３以降（対応する米国特許出願公開第２０１３／００３４８１２号明細書の段落番号０２３７）の記載、特開２００８－２５００７４号公報の段落番号０１０１～０１０４、０１０７～０１０９等の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。これらの添加剤を配合する場合、その合計含有量は本発明の樹脂組成物の固形分の３質量％以下とすることが好ましい。
　これらの他の添加剤としては、国際公開第２０２２／１４５３５５号の段落０３１６～０３５８に記載の化合物が挙げられる。上記記載は本明細書に組み込まれる。

＜樹脂組成物の特性＞
　本発明の樹脂組成物の粘度は、樹脂組成物の固形分濃度により調整できる。塗布膜厚の観点から、１，０００ｍｍ^２／ｓ～１２，０００ｍｍ^２／ｓが好ましく、２，０００ｍｍ^２／ｓ～１０，０００ｍｍ^２／ｓがより好ましく、２，５００ｍｍ^２／ｓ～８，０００ｍｍ^２／ｓが更に好ましい。上記範囲であれば、均一性の高い塗布膜を得ることが容易になる。１,０００ｍｍ^２／s以上であれば、例えば再配線用絶縁膜として必要とされる膜厚で塗布することが容易であり、１２,０００ｍｍ^２／s以下であれば、塗布面状に優れた塗膜が得られる。

＜樹脂組成物の含有物質についての制限＞
　本発明の樹脂組成物の含水率は、２．０質量％未満であることが好ましく、１．５質量％未満であることがより好ましく、１．０質量％未満であることが更に好ましい。２．０％未満であれば、樹脂組成物の保存安定性が向上する。
　水分の含有量を維持する方法としては、保管条件における湿度の調整、保管時の収容容器の空隙率低減などが挙げられる。

　本発明の樹脂組成物の金属含有量は、絶縁性の観点から、５質量ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｍｉｌｌｉｏｎ）未満が好ましく、１質量ｐｐｍ未満がより好ましく、０．５質量ｐｐｍ未満が更に好ましい。金属としては、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、鉄、銅、クロム、ニッケルなどが挙げられるが、有機化合物と金属との錯体として含まれる金属は除く。金属を複数含む場合は、これらの金属の合計が上記範囲であることが好ましい。

　また、本発明の樹脂組成物に意図せずに含まれる金属不純物を低減する方法としては、本発明の樹脂組成物を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、本発明の樹脂組成物を構成する原料に対してフィルターろ過を行う、装置内をポリテトラフルオロエチレン等でライニングしてコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。

　本発明の樹脂組成物は、半導体材料としての用途を考慮すると、ハロゲン原子の含有量が、配線腐食性の観点から、５００質量ｐｐｍ未満が好ましく、３００質量ｐｐｍ未満がより好ましく、２００質量ｐｐｍ未満が更に好ましい。中でも、ハロゲンイオンの状態で存在するものは、５質量ｐｐｍ未満が好ましく、１質量ｐｐｍ未満がより好ましく、０．５質量ｐｐｍ未満が更に好ましい。ハロゲン原子としては、塩素原子及び臭素原子が挙げられる。塩素原子及び臭素原子、又は塩素イオン及び臭素イオンの合計がそれぞれ上記範囲であることが好ましい。
　ハロゲン原子の含有量を調節する方法としては、イオン交換処理などが好ましく挙げられる。

　本発明の樹脂組成物の収容容器としては従来公知の収容容器を用いることができる。収容容器としては、原材料や本発明の樹脂組成物中への不純物混入を抑制することを目的に、容器内壁を６種６層の樹脂で構成された多層ボトルや、６種の樹脂を７層構造にしたボトルを使用することも好ましい。このような容器としては例えば特開２０１５－１２３３５１号公報に記載の容器が挙げられる。

＜樹脂組成物の硬化物＞
　本発明の樹脂組成物を硬化することにより、樹脂組成物の硬化物を得ることができる。
　本発明の第一の態様に係る硬化物は、環化樹脂を含み、金属層と接して配置された硬化物であって、上記硬化物においてカルベン化合物が上記金属層に吸着している硬化物である。
　本発明の第一の態様に係る硬化物は、本発明の樹脂組成物を硬化してなる硬化物であることが好ましい。
　硬化物における環化樹脂の好ましい態様は本発明の樹脂組成物における環化樹脂の好ましい態様と同様である。また、本発明の樹脂組成物における環化樹脂の前駆体が環化してなる環化樹脂であることも好ましい。
　硬化物は金属層と接して配置される。金属層としては、後述の金属層形成工程において説明する金属層が好ましい。
　硬化物に含まれるカルベン化合物の好ましい態様は、上述の本発明の樹脂組成物における化合物Ａ、又は、化合物Ｂから発生するカルベン化合物の好ましい態様と同様である。
　カルベン化合物の金属層への吸着能は高いため、硬化物がカルベン化合物を含む場合、硬化物においてカルベン化合物が上記金属層に吸着しているものと推定することができる。
　本発明の第二の態様に係る硬化物は、樹脂組成物を硬化してなる硬化物である。
　以下、単に硬化物と記載した場合には、本発明の第一の態様に係る硬化物及び第二の態様に係る硬化物の両方を指すものとする。
　樹脂組成物の硬化は加熱によるものであることが好ましく、加熱温度が１２０℃～４００℃がより好ましく、１４０℃～３８０℃が更に好ましく、１７０℃～３５０℃が特に好ましい。樹脂組成物の硬化物の形態は、特に限定されず、フィルム状、棒状、球状、ペレット状など、用途に合わせて選択することができる。本発明において、硬化物は、フィルム状であることが好ましい。樹脂組成物のパターン加工によって、壁面への保護膜の形成、導通のためのビアホール形成、インピーダンスや静電容量あるいは内部応力の調整、放熱機能付与など、用途にあわせて、硬化物の形状を選択することもできる。硬化物（硬化物からなる膜）の膜厚は、０．５μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
　本発明の樹脂組成物を硬化した際の収縮率は、５０％以下が好ましく、４５％以下がより好ましく、４０％以下が更に好ましい。ここで、収縮率は、樹脂組成物の硬化前後の体積変化の百分率を指し、下記の式より算出することができる。
　収縮率［％］＝１００－（硬化後の体積÷硬化前の体積）×１００

＜樹脂組成物の硬化物の特性＞
　本発明の樹脂組成物の硬化物のイミド化反応率は、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、９０％以上が更に好ましい。７０％以上であれば、機械特性に優れた硬化物となる場合がある。
　本発明の樹脂組成物の硬化物の破断伸びは、３０％以上が好ましく、４０％以上がより好ましく、５０％以上が更に好ましい。
　本発明の樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１８０℃以上であることが好ましく、２１０℃以上であることがより好ましく、２３０℃以上であることがさらに好ましい。

＜樹脂組成物の調製＞
　本発明の樹脂組成物は、上記各成分を混合して調製することができる。混合方法は特に限定はなく、従来公知の方法で行うことができる。
　混合方法としては、撹拌羽による混合、ボールミルによる混合、タンクを回転させる混合などが挙げられる。
　混合中の温度は１０～３０℃が好ましく、１５～２５℃がより好ましい。

　本発明の樹脂組成物中のゴミや微粒子等の異物を除去する目的で、フィルターを用いたろ過を行うことが好ましい。フィルター孔径は、例えば５μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましく、０．５μｍ以下が更に好ましく、０．１μｍ以下が更により好ましい。フィルターの材質は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン又はナイロンが好ましい。フィルターの材質がポリエチレンである場合はＨＤＰＥ（高密度ポリエチレン）であることがより好ましい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルターろ過工程では、複数種のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種のフィルターを使用する場合は、孔径又は材質が異なるフィルターを組み合わせて使用してもよい。接続態様としては、例えば、１段目として孔径１μｍのＨＤＰＥフィルターを、２段目として孔径０．２μｍのＨＤＰＥフィルターを、直列に接続した態様が挙げられる。また、各種材料を複数回ろ過してもよい。複数回ろ過する場合は、循環ろ過であってもよい。また、加圧してろ過を行ってもよい。加圧してろ過を行う場合、加圧する圧力は例えば０．０１ＭＰａ以上１．０ＭＰａ以下が好ましく、０．０３ＭＰａ以上０．９ＭＰａ以下がより好ましく、０．０５ＭＰａ以上０．７ＭＰａ以下が更に好ましく、０．０５ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下が更により好ましい。
　フィルターを用いたろ過の他、吸着材を用いた不純物の除去処理を行ってもよい。フィルターろ過と吸着材を用いた不純物除去処理とを組み合わせてもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができる。例えば、シリカゲル、ゼオライトなどの無機系吸着材、活性炭などの有機系吸着材が挙げられる。
　フィルターを用いたろ過後、ボトルに充填した樹脂組成物を減圧下に置き、脱気する工程を施しても良い。

（硬化物の製造方法）
　本発明の硬化物の製造方法は、樹脂組成物を基材上に適用して膜を形成する膜形成工程を含むことが好ましい。
　硬化物の製造方法は、上記膜形成工程、膜形成工程により形成された膜を選択的に露光する露光工程、及び、露光工程により露光された膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含むことがより好ましい。
　硬化物の製造方法は、上記膜形成工程、上記露光工程、上記現像工程、並びに、現像工程により得られたパターンを加熱する加熱工程及び現像工程により得られたパターンを露光する現像後露光工程の少なくとも一方を含むことが特に好ましい。
　また、硬化物の製造方法は、上記膜形成工程、及び、上記膜を加熱する工程を含むことも好ましい。
　以下、各工程の詳細について説明する。

＜膜形成工程＞
　本発明の樹脂組成物は、基材上に適用して膜を形成する膜形成工程に用いることができる。
　本発明の硬化物の製造方法は、樹脂組成物を基材上に適用して膜を形成する膜形成工程を含むことが好ましい。

〔基材〕
　基材の種類は、用途に応じて適宜定めることができ、特に限定されない。基材としては、例えば、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどの半導体作製基材、石英、ガラス、光学フィルム、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属基材（例えば、金属から形成された基材、及び、金属層が例えばめっきや蒸着等により形成された基材のいずれであってもよい）、紙、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ基材、モールド基材、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の電極板などが挙げられる。基材は、特に、半導体作製基材が好ましく、シリコン基材、Ｃｕ基材およびモールド基材がより好ましい。
　これらの基材にはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等による密着層や酸化層などの層が表面に設けられていてもよい。
　基材の形状は特に限定されず、円形状であってもよく、矩形状であってもよい。
　基材のサイズは、円形状であれば、例えば直径が１００～４５０ｍｍが好ましく、２００～４５０ｍｍがより好ましい。矩形状であれば、例えば短辺の長さが１００～１０００ｍｍが好ましく、２００～７００ｍｍがより好ましい。
基材としては、例えば板状、好ましくはパネル状の基材（基板）が用いられる。

　樹脂層（例えば、硬化物からなる層）の表面や金属層の表面に樹脂組成物を適用して膜を形成する場合は、樹脂層や金属層が基材となる。

　樹脂組成物を基材上に適用する手段としては、塗布が好ましい。
　適用する手段としては、具体的には、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スプレーコート法、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法などが挙げられる。膜の厚さの均一性の観点から、スピンコート法、スリットコート法、スプレーコート法、又は、インクジェット法が好ましく、膜の厚さの均一性の観点および生産性の観点からスピンコート法およびスリットコート法がより好ましい。適用する手段に応じて樹脂組成物の固形分濃度や塗布条件を調整することで、所望の厚さの膜を得ることができる。また、基材の形状によっても塗布方法を適宜選択でき、ウエハ等の円形基材であればスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法等が好ましく、矩形基材であればスリットコート法、スプレーコート法、インクジェット法等が好ましい。スピンコート法の場合は、例えば、５００～３，５００ｒｐｍの回転数で、１０秒～３分程度適用することができる。
　また、あらかじめ仮支持体上に上記付与方法によって付与して形成した塗膜を、基材上に転写する方法を適用することもできる。
　転写方法に関しては特開２００６－０２３６９６号公報の段落００２３、００３６～００５１や、特開２００６－０４７５９２号公報の段落００９６～０１０８に記載の作製方法を好適に用いることができる。
　また、基材の端部において余分な膜の除去を行なう工程を行なってもよい。このような工程の例には、エッジビードリンス（ＥＢＲ）、バックリンスなどが挙げられる。
　樹脂組成物を基材に塗布する前に基材を種々の溶剤を塗布し、基材の濡れ性を向上させた後に樹脂組成物を塗布するプリウェット工程を採用しても良い。

＜乾燥工程＞
　上記膜は、膜形成工程（層形成工程）の後に、溶剤を除去するため、形成された膜（層）を乾燥する工程(乾燥工程)に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、膜形成工程により形成された膜を乾燥する乾燥工程を含んでもよい。
　上記乾燥工程は膜形成工程の後、露光工程の前に行われることが好ましい。
　乾燥工程における膜の乾燥温度は５０～１５０℃が好ましく、７０℃～１３０℃がより好ましく、９０℃～１１０℃が更に好ましい。また、減圧により乾燥を行っても良い。乾燥時間としては、３０秒～２０分が例示され、１分～１０分が好ましく、２分～７分がより好ましい。

＜露光工程＞
　上記膜は、膜を選択的に露光する露光工程に供されてもよい。
　硬化物の製造方法は、膜形成工程により形成された膜を選択的に露光する露光工程を含んでもよい。
　選択的に露光するとは、膜の一部を露光することを意味している。また、選択的に露光することにより、膜には露光された領域（露光部）と露光されていない領域（非露光部）が形成される。
　露光量は、本発明の樹脂組成物を硬化できる限り特に限定されないが、例えば、波長３６５ｎｍでの露光エネルギー換算で５０～１０，０００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、２００～８，０００ｍＪ／ｃｍ^２がより好ましい。

　露光波長は、１９０～１，０００ｎｍの範囲で適宜定めることができ、２４０～５５０ｎｍが好ましい。

　露光波長は、光源との関係でいうと、（１）半導体レーザー（波長　８３０ｎｍ、５３２ｎｍ、４８８ｎｍ、４０５ｎｍ、３７５ｎｍ、３５５ｎｍ　ｅｔｃ．）、（２）メタルハライドランプ、（３）高圧水銀灯、ｇ線（波長　４３６ｎｍ）、ｈ線（波長　４０５ｎｍ）、ｉ線（波長　３６５ｎｍ）、ブロード（ｇ，ｈ，ｉ線の３波長）、（４）エキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー（波長　２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長　１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザー（波長　１５７ｎｍ）、（５）極紫外線；ＥＵＶ（波長　１３．６ｎｍ）、（６）電子線、（７）ＹＡＧレーザーの第二高調波５３２ｎｍ、第三高調波３５５ｎｍ等が挙げられる。本発明の樹脂組成物については、特に高圧水銀灯による露光が好ましく、露光感度の観点で、ｉ線による露光がより好ましい。
　露光の方式は特に限定されず、本発明の樹脂組成物からなる膜の少なくとも一部が露光される方式であればよいが、フォトマスクを使用した露光、レーザーダイレクトイメージング法による露光等が挙げられる。

＜露光後加熱工程＞
　上記膜は、露光後に加熱する工程（露光後加熱工程）に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、露光工程により露光された膜を加熱する露光後加熱工程を含んでもよい。
　露光後加熱工程は、露光工程後、現像工程前に行うことができる。
　露光後加熱工程における加熱温度は、５０℃～１４０℃が好ましく、６０℃～１２０℃がより好ましい。
　露光後加熱工程における加熱時間は、３０秒間～３００分間が好ましく、１分間～１０分間がより好ましい。
　露光後加熱工程における昇温速度は、加熱開始時の温度から最高加熱温度まで１～１２℃／分が好ましく、２～１０℃／分がより好ましく、３～１０℃／分が更に好ましい。
　また、昇温速度は加熱途中で適宜変更してもよい。
　露光後加熱工程における加熱手段としては、特に限定されず、公知のホットプレート、オーブン、赤外線ヒーター等を用いることができる。
　また、加熱に際し、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを流す等により、低酸素濃度の雰囲気下で行うことも好ましい。

＜現像工程＞
　露光後の上記膜は、現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、露光工程により露光された膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含んでもよい。
　現像を行うことにより、膜の露光部及び非露光部のうち一方が除去され、パターンが形成される。
　ここで、膜の非露光部が現像工程により除去される現像をネガ型現像といい、膜の露光部が現像工程により除去される現像をポジ型現像という。

〔現像液〕
　現像工程において用いられる現像液としては、アルカリ水溶液、又は、有機溶剤を含む現像液が挙げられる。

　現像液がアルカリ水溶液である場合、アルカリ水溶液が含みうる塩基性化合物としては、無機アルカリ類、第一級アミン類、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩が挙げられ、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ－ｎ－ブチルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリアミルアンモニウムヒドロキシド、ジブチルジペンチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジンが好ましく、より好ましくはＴＭＡＨである。現像液における塩基性化合物の含有量は、現像液全質量中０．０１～１０質量％が好ましく、０．１～５質量％がより好ましく、０．３～３質量％が更に好ましい。

　現像液が有機溶剤を含む場合、有機溶剤としては、国際公開第２０２１／１１２１８９号の段落０３８７に記載の化合物を用いることができる。この内容は本明細書に組み込まれる。また、アルコール類として、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、オクタノール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、メチルイソブチルカルビノール、トリエチレングリコール等、アミド類として、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ－エチルピロリドン、ジメチルホルムアミド等も好適に挙げられる。

　現像液が有機溶剤を含む場合、有機溶剤は１種又は、２種以上を混合して使用することができる。本発明では特にシクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、及び、シクロヘキサノンよりなる群から選ばれた少なくとも１種を含む現像液が好ましく、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン及びジメチルスルホキシドよりなる群から選ばれた少なくとも１種を含む現像液がより好ましく、シクロペンタノンを含む現像液が特に好ましい。

　現像液が有機溶剤を含む場合、現像液の全質量に対する有機溶剤の含有量は、５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、９０質量％以上であることが特に好ましい。また、上記含有量は、１００質量％であってもよい。

　現像液が有機溶剤を含む場合、現像液は塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方を更に含んでもよい。現像液中の塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方がパターンに浸透することにより、パターンの破断伸び等の性能が向上する場合がある。

　塩基性化合物としては、硬化後の膜に残存した場合の信頼性（硬化物を更に加熱した場合の基材との密着性）の観点からは、有機塩基が好ましい。
　塩基性化合物としては、アミノ基を有する塩基性化合物が好ましく、１級アミン、２級アミン、３級アミン、アンモニウム塩、３級アミドなどが好ましいが、イミド化反応を促進する為には、１級アミン、２級アミン、３級アミン又はアンモニウム塩が好ましく、２級アミン、３級アミン又はアンモニウム塩がより好ましく、２級アミン又は３級アミンが更に好ましく、３級アミンが特に好ましい。
　塩基性化合物としては、硬化物の機械特性（破断伸び）の観点からは、硬化膜（得られる硬化物）中に残存しにくいものが好ましく、環化の促進の観点からは、気化等により、加熱前に残存量が減少しにくいものであることが好ましい。
　したがって、塩基性化合物の沸点は、常圧（１０１，３２５Ｐａ）で３０℃～３５０℃が好ましく、８０℃～２７０℃がより好ましく、１００℃～２３０℃が更に好ましい。
　塩基性化合物の沸点は、現像液に含まれる有機溶剤の沸点から２０℃を減算した温度よりも高いことが好ましく、現像液に含まれる有機溶剤の沸点よりも高いことがより好ましい。
　例えば、有機溶剤の沸点が１００℃である場合、使用される塩基性化合物は、沸点が８０℃以上が好ましく、沸点が１００℃以上がより好ましい。
　現像液は塩基性化合物を１種のみ含有してもよいし、２種以上を含有してもよい。

　塩基性化合物の具体例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ヘキシルアミン、ドデシルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、アニリン、Ｎ－メチルアニリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ピリジン、ブチルアミン、イソブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ＤＢＵ（ジアザビシクロウンデセン）、ＤＡＢＣＯ（１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン）、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、エチレンジアミン、ブタンジアミン、１，５－ジアミノペンタン、Ｎ－メチルヘキシルアミン、Ｎ－メチルジシクロヘキシルアミン、トリオクチルアミン、Ｎ－エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ―ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラブチルー１，６－ヘキサンジアミン、スペルミジン、ジアミノシクロヘキサン、ビス（２－メトキシエチル）アミン、ピペリジン、メチルピペリジン、ジメチルピペリジン、ピペラジン、トロパン、Ｎ－フェニルベンジルアミン、１，２－ジアニリノエタン、２－アミノエタノール、トルイジン、アミノフェノール、ヘキシルアニリン、フェニレンジアミン、フェニルエチルアミン、ジベンジルアミン、ピロール、Ｎ－メチルピロール、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎテトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ－テトラメチルー１，３－プロパンジアミン等が挙げられる。

　塩基発生剤の好ましい態様は、上述の組成物に含まれる塩基発生剤の好ましい態様と同様である。特に、塩基発生剤は熱塩基発生剤であることが好ましい。

　現像液が塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方を含む場合、塩基性化合物又は塩基発生剤の含有量は、現像液の全質量に対して、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。上記含有量の下限は特に限定されないが、例えば０．１質量％以上が好ましい。
　塩基性化合物又は塩基発生剤が現像液が用いられる環境で固体である場合、塩基性化合物又は塩基発生剤の含有量は、現像液の全固形分に対して、７０～１００質量％であることも好ましい。
　現像液は塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方を１種のみ含有してもよいし、２種以上を含有してもよい。塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方が２種以上である場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。

　現像液は、他の成分を更に含んでもよい。
　他の成分としては、例えば、公知の界面活性剤や公知の消泡剤等が挙げられる。

〔現像液の供給方法〕
　現像液の供給方法は、所望のパターンを形成できれば特に制限は無く、膜が形成された基材を現像液に浸漬する方法、基材上に形成された膜にノズルを用いて現像液を供給するパドル現像、または、現像液を連続供給する方法がある。ノズルの種類は特に制限は無く、ストレートノズル、シャワーノズル、スプレーノズル等が挙げられる。
　現像液の浸透性、非画像部の除去性、製造上の効率の観点から、現像液をストレートノズルで供給する方法、又はスプレーノズルにて連続供給する方法が好ましく、画像部への現像液の浸透性の観点からは、スプレーノズルで供給する方法がより好ましい。
　また、現像液をストレートノズルにて連続供給後、基材をスピンし現像液を基材上から除去し、スピン乾燥後に再度ストレートノズルにて連続供給後、基材をスピンし現像液を基材上から除去する工程を採用してもよく、この工程を複数回繰り返しても良い。
　現像工程における現像液の供給方法としては、現像液が連続的に基材に供給され続ける工程、基材上で現像液が略静止状態で保たれる工程、基材上で現像液を超音波等で振動させる工程及びそれらを組み合わせた工程などが挙げられる。

　現像時間としては、１０秒～１０分間が好ましく、２０秒～５分間がより好ましい。現像時の現像液の温度は、特に定めるものではないが、１０～４５℃が好ましく、１８℃～３０℃がより好ましい。

　現像工程において、現像液を用いた処理の後、更に、リンス液によるパターンの洗浄（リンス）を行ってもよい。また、パターン上に接する現像液が乾燥しきらないうちにリンス液を供給するなどの方法を採用しても良い。

〔リンス液〕
　現像液がアルカリ水溶液である場合、リンス液としては、例えば水を用いることができる。現像液が有機溶剤を含む現像液である場合、リンス液としては、例えば、現像液に含まれる溶剤とは異なる溶剤（例えば、水、現像液に含まれる有機溶剤とは異なる有機溶剤）を用いることができる。

　リンス液が有機溶剤を含む場合の有機溶剤としては、上述の現像液が有機溶剤を含む場合において例示した有機溶剤と同様の有機溶剤が挙げられる。
　リンス液に含まれる有機溶剤は、現像液に含まれる有機溶剤とは異なる有機溶剤であることが好ましく、現像液に含まれる有機溶剤よりも、パターンの溶解度が小さい有機溶剤がより好ましい。

　リンス液が有機溶剤を含む場合、有機溶剤は１種又は、２種以上を混合して使用することができる。有機溶剤は、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、Ｎ－メチルピロリドン、シクロヘキサノン、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥが好ましく、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥがより好ましく、シクロヘキサノン、ＰＧＭＥＡがさらに好ましい。

　リンス液が有機溶剤を含む場合、リンス液の全質量に対し、有機溶剤は５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましい。また、リンス液の全質量に対し、有機溶剤は１００質量％であってもよい。

　リンス液は塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方を含んでもよい。
　特に限定されないが、現像液が有機溶剤を含む場合、リンス液が有機溶剤と塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方とを含む態様も、本発明の好ましい態様の一つである。
　リンス液に含まれる塩基性化合物及び塩基発生剤としては、上述の現像液が有機溶剤を含む場合に含まれてもよい塩基性化合物及び塩基発生剤として例示された化合物が挙げられ、好ましい態様も同様である。
　リンス液に含まれる塩基性化合物及び塩基発生剤は、リンス液における溶剤への溶解度等を考慮して選択すればよい。

　リンス液が塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方を含む場合、塩基性化合物又は塩基発生剤の含有量はリンス液の全質量に対して、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。上記含有量の下限は特に限定されないが、例えば０．１質量％以上が好ましい。
　塩基性化合物又は塩基発生剤がリンス液が用いられる環境で固体である場合、塩基性化合物又は塩基発生剤の含有量は、リンス液の全固形分に対して、７０～１００質量％であることも好ましい。
　リンス液が塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方を含む場合、リンス液は塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方を１種のみ含有してもよいし、２種以上を含有してもよい。塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方が２種以上である場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。

　リンス液は、他の成分を更に含んでもよい。
　他の成分としては、例えば、公知の界面活性剤や公知の消泡剤等が挙げられる。

〔リンス液の供給方法〕
　リンス液の供給方法は、所望のパターンを形成できれば特に制限は無く、基材をリンス液に浸漬する方法、基材に液盛りによりリンス液を供給する方法、基材にリンス液をシャワーで供給する方法、基材上にストレートノズル等の手段によりリンス液を連続供給する方法がある。
　リンス液の浸透性、非画像部の除去性、製造上の効率の観点から、リンス液をシャワーノズル、ストレートノズル、スプレーノズルなどで供給する方法があり、スプレーノズルにて連続供給する方法が好ましく、画像部へのリンス液の浸透性の観点からは、スプレーノズルで供給する方法がより好ましい。ノズルの種類は特に制限は無く、ストレートノズル、シャワーノズル、スプレーノズル等が挙げられる。
　すなわち、リンス工程は、リンス液を上記露光後の膜に対してストレートノズルにより供給、又は、連続供給する工程であることが好ましく、リンス液をスプレーノズルにより供給する工程であることがより好ましい。
　リンス工程におけるリンス液の供給方法としては、リンス液が連続的に基材に供給され続ける工程、基材上でリンス液が略静止状態で保たれる工程、基材上でリンス液を超音波等で振動させる工程及びそれらを組み合わせた工程などが採用可能である。

　リンス時間としては、１０秒～１０分間が好ましく、２０秒～５分間がより好ましい。リンス時のリンス液の温度は、特に定めるものではないが、１０～４５℃が好ましく、１８～３０℃がより好ましい。

　現像工程において、現像液を用いた処理の後、又は、リンス液によるパターンの洗浄の後に、処理液とパターンとを接触させる工程を含んでもよい。また、パターン上に接する現像液又はリンス液が乾燥しきらないうちに処理液を供給するなどの方法を採用しても良い。

　上記処理液としては、水及び有機溶剤の少なくとも一方と、塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方とを含む処理液が挙げられる。
　上記有機溶剤、及び、塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方の好ましい態様は、上述のリンス液において用いられる有機溶剤、及び、塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方の好ましい態様と同様である。
　処理液のパターンへの供給方法は、上述のリンス液の供給方法と同様の方法を用いることができ、好ましい態様も同様である。

　処理液における塩基性化合物又は塩基発生剤の含有量は、処理液の全質量に対して、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。上記含有量の下限は特に限定されないが、例えば０．１質量％以上であることが好ましい。
　また、塩基性化合物又は塩基発生剤が処理液が用いられる環境で固体である場合、塩基性化合物又は塩基発生剤の含有量は、処理液の全固形分に対して、７０～１００質量％であることも好ましい。
　処理液が塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方を含む場合、処理液は塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方を１種のみ含有してもよいし、２種以上を含有してもよい。塩基性化合物及び塩基発生剤の少なくとも一方が２種以上である場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。

＜加熱工程＞
　現像工程により得られたパターン（リンス工程を行う場合は、リンス後のパターン）は、上記現像により得られたパターンを加熱する加熱工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程により得られたパターンを加熱する加熱工程を含んでもよい。
　また、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程を行わずに他の方法で得られたパターン、又は、膜形成工程により得られた膜を加熱する加熱工程を含んでもよい。
　加熱工程において、ポリイミド前駆体等の樹脂は環化してポリイミド等の樹脂となる。
　また、環化樹脂の前駆体、又は環化樹脂の前駆体以外の架橋剤における未反応の架橋性基の架橋なども進行する。
　加熱工程における加熱温度（最高加熱温度）としては、５０～４５０℃が好ましく、１５０～３５０℃がより好ましく、１５０～２５０℃が更に好ましく、１６０～２５０℃が一層好ましく、１６０～２３０℃が特に好ましい。

　加熱工程は、加熱により、上記塩基発生剤から発生した塩基等の作用により、上記パターン内で上記ポリイミド前駆体の環化反応を促進する工程であることが好ましい。

　加熱工程における加熱は、加熱開始時の温度から最高加熱温度まで１～１２℃／分の昇温速度で行うことが好ましい。上記昇温速度は２～１０℃／分がより好ましく、３～１０℃／分が更に好ましい。昇温速度を１℃／分以上とすることにより、生産性を確保しつつ、酸又は溶剤の過剰な揮発を防止することができ、昇温速度を１２℃／分以下とすることにより、硬化物の残存応力を緩和することができる。
　加えて、急速加熱可能なオーブンの場合、加熱開始時の温度から最高加熱温度まで１～８℃／秒の昇温速度で行うことが好ましく、２～７℃／秒がより好ましく、３～６℃／秒が更に好ましい。

　加熱開始時の温度は、２０℃～１５０℃が好ましく、２０℃～１３０℃がより好ましく、２５℃～１２０℃が更に好ましい。加熱開始時の温度は、最高加熱温度まで加熱する工程を開始する際の温度のことをいう。例えば、本発明の樹脂組成物を基材の上に適用した後、乾燥させる場合、この乾燥後の膜（層）の温度であり、例えば、樹脂組成物に含まれる溶剤の沸点よりも、３０～２００℃低い温度から昇温させることが好ましい。

　加熱時間（最高加熱温度での加熱時間）は、５～３６０分が好ましく、１０～３００分がより好ましく、１５～２４０分が更に好ましい。

　特に多層の積層体を形成する場合、層間の密着性の観点から、加熱温度は３０℃以上であることが好ましく、８０℃以上がより好ましく、１００℃以上が更に好ましく、１２０℃以上が特に好ましい。
　上記加熱温度の上限は、３５０℃以下が好ましく、２５０℃以下がより好ましく、２４０℃以下が更に好ましい。

　加熱は段階的に行ってもよい。例として、２５℃から１２０℃まで３℃／分で昇温し、１２０℃にて６０分保持し、１２０℃から１８０℃まで２℃／分で昇温し、１８０℃にて１２０分保持する、といった工程を行ってもよい。また、米国特許第９１５９５４７号明細書に記載のように紫外線を照射しながら処理することも好ましい。このような前処理工程により膜の特性を向上させることが可能である。前処理工程は１０秒間～２時間程度の短い時間で行うとよく、１５秒～３０分間がより好ましい。前処理は２段階以上のステップとしてもよく、例えば１００～１５０℃の範囲で１段階目の前処理工程を行い、その後に１５０～２００℃の範囲で２段階目の前処理工程を行ってもよい。
　更に、加熱後冷却してもよく、この場合の冷却速度としては、１～５℃／分であることが好ましい。

　加熱工程は、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを流す、減圧下で行う等により、低酸素濃度の雰囲気で行うことが環化樹脂の前駆体の分解を防ぐ観点で好ましい。酸素濃度は、５０ｐｐｍ（体積比）以下が好ましく、２０ｐｐｍ（体積比）以下がより好ましい。
　加熱工程における加熱手段としては、特に限定されないが、例えばホットプレート、赤外炉、電熱式オーブン、熱風式オーブン、赤外線オーブンなどが挙げられる。

＜現像後露光工程＞
　現像工程により得られたパターン（リンス工程を行う場合は、リンス後のパターン）は、上記加熱工程に代えて、又は、上記加熱工程に加えて、現像工程後のパターンを露光する現像後露光工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程により得られたパターンを露光する現像後露光工程を含んでもよい。本発明の硬化物の製造方法は、加熱工程及び現像後露光工程を含んでもよいし、加熱工程及び現像後露光工程の一方のみを含んでもよい。
　現像後露光工程においては、例えば、光塩基発生剤の感光によってポリイミド前駆体等の環化が進行する反応や、光酸発生剤の感光によって酸分解性基の脱離が進行する反応などを促進することができる。
　現像後露光工程においては、現像工程において得られたパターンの少なくとも一部が露光されればよいが、上記パターンの全部が露光されることが好ましい。
　現像後露光工程における露光量は、感光性化合物が感度を有する波長における露光エネルギー換算で、５０～２０，０００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、１００～１５，０００ｍＪ／ｃｍ^２がより好ましい。
　現像後露光工程は、例えば、上述の露光工程における光源を用いて行うことができ、ブロードバンド光を用いることが好ましい。

＜金属層形成工程＞
　現像工程により得られたパターン（加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方に供されたものが好ましい）は、パターン上に金属層を形成する金属層形成工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程により得られたパターン（加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方に供されたものが好ましい）上に金属層を形成する金属層形成工程を含むことが好ましい。

　金属層としては、特に限定なく、既存の金属種を使用することができ、銅、アルミニウム、ニッケル、バナジウム、チタン、クロム、コバルト、金、タングステン、錫、銀及びこれらの金属を含む合金が例示され、銅及びアルミニウムがより好ましく、銅が更に好ましい。

　金属層の形成方法は、特に限定なく、既存の方法を適用することができる。例えば、特開２００７－１５７８７９号公報、特表２００１－５２１２８８号公報、特開２００４－２１４５０１号公報、特開２００４－１０１８５０号公報、米国特許第７８８８１８１Ｂ２、米国特許第９１７７９２６Ｂ２に記載された方法を使用することができる。例えば、フォトリソグラフィ、ＰＶＤ（物理蒸着法）、ＣＶＤ（化学気相成長法）、リフトオフ、電解めっき、無電解めっき、エッチング、印刷、及びこれらを組み合わせた方法などが考えられる。より具体的には、スパッタリング、フォトリソグラフィ及びエッチングを組み合わせたパターニング方法、フォトリソグラフィと電解めっきを組み合わせたパターニング方法が挙げられる。めっきの好ましい態様としては、硫酸銅やシアン化銅めっき液を用いた電解めっきが挙げられる。

　金属層の厚さとしては、最も厚肉の部分で、０．０１～５０μｍが好ましく、１～１０μｍがより好ましい。

＜用途＞
　本発明の硬化物の製造方法、又は、硬化物の適用可能な分野としては、電子デバイスの絶縁膜、再配線層用層間絶縁膜、ストレスバッファ膜などが挙げられる。そのほか、封止フィルム、基板材料（フレキシブルプリント基板のベースフィルムやカバーレイ、層間絶縁膜）、又は上記のような実装用途の絶縁膜をエッチングでパターン形成することなどが挙げられる。これらの用途については、例えば、サイエンス＆テクノロジー（株）「ポリイミドの高機能化と応用技術」２００８年４月、柿本雅明／監修、ＣＭＣテクニカルライブラリー「ポリイミド材料の基礎と開発」２０１１年１１月発行、日本ポリイミド・芳香族系高分子研究会／編「最新ポリイミド　基礎と応用」エヌ・ティー・エス，２０１０年８月等を参照することができる。

　本発明の硬化物の製造方法、又は、本発明の硬化物は、オフセット版面又はスクリーン版面などの版面の製造、成形部品のエッチングへの使用、エレクトロニクス、特に、マイクロエレクトロニクスにおける保護ラッカー及び誘電層の製造などにも用いることもできる。

（積層体、及び、積層体の製造方法）
　本発明の積層体とは、本発明の硬化物からなる層を複数層有する構造体をいう。
　積層体は、硬化物からなる層を２層以上含む積層体であり、３層以上積層した積層体としてもよい。
　上記積層体に含まれる２層以上の上記硬化物からなる層のうち、少なくとも１つが本発明の硬化物からなる層であり、硬化物の収縮、又は、上記収縮に伴う硬化物の変形等を抑制する観点からは、上記積層体に含まれる全ての硬化物からなる層が本発明の硬化物からなる層であることも好ましい。

　すなわち、本発明の積層体の製造方法は、本発明の硬化物の製造方法を含むことが好ましく、本発明の硬化物の製造方法を複数回繰り返すことを含むことがより好ましい。

　本発明の積層体の第一の態様は、環化樹脂を含む樹脂層と、上記樹脂層と接して配置された金属層とを備え、上記樹脂層の上記金属層側の表面において、カルベン化合物が上記金属層に吸着している積層体である。
　上記環化樹脂の好ましい態様は、上述の本発明の第一の態様に係る硬化物における環化樹脂の好ましい態様と同様である。
　上記樹脂層は、本発明の硬化物であることが好ましい。
　また、上記金属層の好ましい態様は、上述の本発明の第一の態様に係る硬化物における金属層の好ましい態様と同様である。
　上記カルベン化合物の好ましい態様は、上述の本発明の第一の態様に係る硬化物における金属層の好ましい態様と同様である。
　カルベン化合物は金属への吸着能が高いため、樹脂層がカルベン化合物を含む場合には、上記樹脂層の上記金属層側の表面において、カルベン化合物が上記金属層に吸着していると推定される。
　本発明の第二の態様に係る積層体は、本発明の硬化物からなる層を２層以上含み、上記硬化物からなる層同士のいずれかの間に金属層を含む積層体である。上記金属層は、上記金属層形成工程により形成されることが好ましい。
　本明細書において、単に「積層体」と記載した場合には、上記第一の態様に係る積層体と、第二の態様に係る積層体の両方を含むものとする。
　すなわち、本発明の積層体の製造方法は、複数回行われる硬化物の製造方法の間に、硬化物からなる層上に金属層を形成する金属層形成工程を更に含むことが好ましい。金属層形成工程の好ましい態様は上述の通りである。
　上記積層体としては、例えば、第一の硬化物からなる層、金属層、第二の硬化物からなる層の３つの層がこの順に積層された層構造を少なくとも含む積層体が好ましいものとして挙げられる。
　上記第一の硬化物からなる層及び上記第二の硬化物からなる層は、いずれも本発明の硬化物からなる層であることが好ましい。上記第一の硬化物からなる層の形成に用いられる本発明の樹脂組成物と、上記第二の硬化物からなる層の形成に用いられる本発明の樹脂組成物とは、組成が同一の組成物であってもよいし、組成が異なる組成物であってもよい。本発明の積層体における金属層は、再配線層などの金属配線として好ましく用いられる。

＜積層工程＞
　本発明の積層体の製造方法は、積層工程を含むことが好ましい。
　積層工程とは、パターン（樹脂層）又は金属層の表面に、再度、（ａ）膜形成工程（層形成工程）、（ｂ）露光工程、（ｃ）現像工程、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方を、この順に行うことを含む一連の工程である。ただし、（ａ）膜形成工程および（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方を繰り返す態様であってもよい。また、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方の後には（ｅ）金属層形成工程を含んでもよい。積層工程には、更に、上記乾燥工程等を適宜含んでいてもよいことは言うまでもない。

　積層工程後、更に積層工程を行う場合には、上記露光工程後、上記加熱工程の後、又は、上記金属層形成工程後に、更に、表面活性化処理工程を行ってもよい。表面活性化処理としては、プラズマ処理が例示される。表面活性化処理の詳細については後述する。

　上記積層工程は、２～２０回行うことが好ましく、２～９回行うことがより好ましい。
　例えば、樹脂層／金属層／樹脂層／金属層／樹脂層／金属層のように、樹脂層を２層以上２０層以下とする構成が好ましく、２層以上９層以下とする構成が更に好ましい。
　上記各層はそれぞれ、組成、形状、膜厚等が同一であってもよいし、異なっていてもよい。

　本発明では特に、金属層を設けた後、更に、上記金属層を覆うように、上記本発明の樹脂組成物の硬化物（樹脂層）を形成する態様が好ましい。具体的には、（ａ）膜形成工程、（ｂ）露光工程、（ｃ）現像工程、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方、（ｅ）金属層形成工程、の順序で繰り返す態様、又は、（ａ）膜形成工程、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方、（ｅ）金属層形成工程の順序で繰り返す態様が挙げられる。本発明の樹脂組成物層（樹脂層）を積層する積層工程と、金属層形成工程を交互に行うことにより、本発明の樹脂組成物層（樹脂層）と金属層を交互に積層することができる。

（表面活性化処理工程）
　本発明の積層体の製造方法は、上記金属層および樹脂組成物層の少なくとも一部を表面活性化処理する、表面活性化処理工程を含むことが好ましい。
　表面活性化処理工程は、通常、金属層形成工程の後に行うが、上記現像工程の後（好ましくは、加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方の後）、樹脂組成物層に表面活性化処理工程を行ってから、金属層形成工程を行ってもよい。
　表面活性化処理は、金属層の少なくとも一部のみに行ってもよいし、露光後の樹脂組成物層の少なくとも一部のみに行ってもよいし、金属層および露光後の樹脂組成物層の両方について、それぞれ、少なくとも一部に行ってもよい。表面活性化処理は、金属層の少なくとも一部について行うことが好ましく、金属層のうち、表面に樹脂組成物層を形成する領域の一部または全部に表面活性化処理を行うことが好ましい。このように、金属層の表面に表面活性化処理を行うことにより、その表面に設けられる樹脂組成物層（膜）との密着性を向上させることができる。
　表面活性化処理は、露光後の樹脂組成物層（樹脂層）の一部または全部についても行うことが好ましい。このように、樹脂組成物層の表面に表面活性化処理を行うことにより、表面活性化処理した表面に設けられる金属層や樹脂層との密着性を向上させることができる。特にネガ型現像を行う場合など、樹脂組成物層が硬化されている場合には、表面処理によるダメージを受けにくく、密着性が向上しやすい。
　表面活性化処理は、例えば、国際公開第２０２１／１１２１８９号の段落０４１５に記載の方法により実施することができる。この内容は本明細書に組み込まれる。

（半導体デバイス及びその製造方法）
　本発明は、本発明の硬化物、又は、積層体を含む半導体デバイスも開示する。
　また、本発明は、本発明の硬化物の製造方法、又は、積層体の製造方法を含む半導体デバイスの製造方法も開示する。
　本発明の樹脂組成物を再配線層用層間絶縁膜の形成に用いた半導体デバイスの具体例としては、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０２１３～０２１８の記載及び図１の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

　以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。「部」、「％」は特に述べない限り、質量基準である。

＜環化樹脂の前駆体の合成＞
〔合成例１：環化樹脂の前駆体（Ｐ－１）の合成〕
国際公開第２０２２／０４４９９８号の段落０３９７に記載の方法に従い。環化樹脂の前駆体（Ｐ－１）を合成した。環化樹脂の前駆体（Ｐ－１）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２０，０００であった。^１Ｈ－ＮＭＲにより、環化樹脂の前駆体（Ｐ－１）の構造は、下記式（Ｐ－１）で表される構造であることを確認した。

〔合成例２：環化樹脂の前駆体（Ｐ－２）の合成〕
　２１．２ｇの４，４’－オキシジフタル酸無水物と、１８．０ｇの２－ヒドロキシエチルメタクリレートと、２３．９ｇのピリジンと、２５０ｍＬのジグリム（ダイグライム、ジエチレングリコールジメチルエーテル）とを混合し、６０℃の温度で４時間撹拌して、４，４’－オキシジフタル酸と２－ヒドロキシエチルメタクリレートとのジエステルを合成した。次いで、反応混合物を－１０℃に冷却し、温度を－１０±５℃に保ちながら、１７．０ｇの塩化チオニルを６０分かけて加えた。５０ｍＬのＮ－メチルピロリドンで希釈した後、１００ｍＬのＮ－メチルピロリドンに１２．６ｇの４，４’－ジアミノジフェニルエーテルを溶解させた溶液を、－１０±５℃で６０分かけて反応混合物に滴下して、混合物を室温で２時間撹拌した。その後、エタノール１０．０ｇを添加して室温で１時間撹拌した。
　次いで、６０００ｇの水を加えてポリイミド前駆体を沈殿させ、沈殿物（水－ポリイミド前駆体混合物）を１５分間撹拌した。撹拌後の沈殿物（ポリイミド前駆体の固体）をろ取し、テトラヒドロフラン５００ｇに溶解させた。得られた溶液に６０００ｇの水（貧溶媒）を加えてポリイミド前駆体を沈殿させ、沈殿物（水－ポリイミド前駆体混合物）を１５分間撹拌した。撹拌後の沈殿物を再びろ過して減圧下で、４５℃で３日間乾燥した。
　乾燥後の粉体４６．６ｇをテトラヒドロフラン４１９．６ｇに溶解させた後に、２．３ｇのトリエチルアミンを添加して室温で３５分間撹拌した。その後、エタノール３０００ｇを添加して、沈殿物をろ取した。得られた沈殿物をテトラヒドロフラン２８１．８ｇに溶解した。そこに水１７．１ｇとイオン交換樹脂ＵＰ６０４０（ＡｍｂｅｒＴｅｃ社製）４６．６ｇを添加して、４時間撹拌した。その後、イオン交換樹脂をろ過で取り除き、得られたポリマー溶液を５，６００ｇの水に加えて沈殿物を得た。沈殿物をろ取し、減圧下４５℃で２４時間乾燥させることで、環化樹脂の前駆体（Ｐ－２）を４５．１ｇ得た。
　^１Ｈ－ＮＭＲにより、環化樹脂の前駆体（Ｐ－２）の構造は、下記式（Ｐ－２）で表される構造であることを確認した。環化樹脂の前駆体（Ｐ－２）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２０，０００であった。また、４，４’－ジアミノジフェニルエーテルの当量を適宜調整することにより、Ｍｗが１０，０００、１５，０００、又は、３０，０００である環化樹脂の前駆体（Ｐ－２）もそれぞれ合成した。

〔合成例３～１２：環化樹脂の前駆体（Ｐ－３～Ｐ－１２、Ｐ－１６）の合成〕
　使用する化合物を適宜変更した以外は、合成例２と同様の方法により下記式（Ｐ－３）～式（Ｐ－１２）、（Ｐ－１６）のいずれかで表される環化樹脂の前駆体（Ｐ－３）～（Ｐ－１２）、（Ｐ－１６）を合成した。環化樹脂の前駆体（Ｐ－３）～（Ｐ－１２）、（Ｐ－１６）のＭｗはいずれも２０，０００であった。

〔合成例１３：環化樹脂（Ｐ－１３）の合成〕
－合成例ＡＡ－１－
　４８．６５ｇ（２２５ミリモル）の３，３’－ジヒドロキシベンジジンとジメチルホルムアミド３７５ｍＬを１Ｌのフラスコ中で混合した。氷冷下、二炭酸ジ－ｔ－ブチル９８．２１ｇ（４５０ミリモル）を滴下した。滴下終了後６０℃の温度で５時間撹拌した。反応終了後、室温まで冷却した後、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン１－オキシル　フリーラジカルを３５ｍｇ、ｐ－クロロメチルスチレン６８．６８ｇ（４５０ミリモル）、炭酸カリウム７４．６３ｇ（５４０ミリモル）とヨウ化カリウム８．９６ｇ（５４．０ミリモル）を添加し、６０℃の温度で３時間撹拌した。反応終了後、吸引ろ過操作によりろ過を行い、ろ液を５００ｍＬの水中に滴下した。白色結晶が析出したので吸引ろ過により析出固体を回収した。得られた白色固体はアセトン１０００ｍＬを用いて６０℃下で再結晶精製を行った。下記中間体ＡＡ－１ａが１２５ｇ（収率８５．６％）得られた。
ＡＡ－１ａの構造を下記に示す。下記構造であることは^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルから確認した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（BRUKER、AVANCE NEO ４００）：δ(ppm,DMSO-ｄ６)8.04-7.94(ｓ,2H), 7.75-7.64(d,2H), 7.56-7.42(m,8H), 7.27-7.20(d,2H), 7.19-7.12(d,2H), 6.79-6.64(2H), 5.89-5.77(2H), 5.30-5.15(6H), 1.49-1.43(s,18H)

　７５．０ｇ（１１５．６ミリモル）の（ＡＡ－１ａ）と塩化メチレン５００ｍＬを１Ｌのフラスコ中で混合した。室温下でトリフルオロ酢酸１３１．８ｇ（１１５６ミリモル）を添加した後、４０℃の温度で５時間撹拌した。反応終了後、氷冷下でメタノール２５０ｍＬ、次いでトリエチルアミン１１７．０ｇ（１１５６ミリモル）を滴下した。淡黄色の結晶が析出したので吸引ろ過により析出固体を回収した。メタノール７５０ｍＬで懸濁洗浄を行い、（ＡＡ－１）４０．５ｇ（収率７３％）を得た。ＡＡ－１の構造を下記に示す。下記構造であることは^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルから確認した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（BRUKER、AVANCE NEO ４００）：δ(ppm,DMSO-ｄ６)7.53-7.45(ｓ,8H), 7.05-6.98(d,2H), 6.92-6.85(d,2H), 6.79-6.63(4H), 5.89-5.78(d,2H), 5.29-5.22(d,2H), 5.20-5.13(s,4H), 4.92-4.64(4H)

－合成例ＡＴ－１－
　合成例ＡＡ－１において３，３’－ジヒドロキシベンジジンをｐ－メトキシフェノールに代えた以外は同様の方法にてＡＴ－１を得た。
ＡＴ－１の構造を以下に示す。下記構造であることは^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルから確認した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（BRUKER、AVANCE NEO ４００）：δ(ppm,DMSO-ｄ６)7.52-7.42(d,2H), 7.42-7.32(d,2H), 6.80-6.63(3H), 6.54-6.43(d,2H), 5.92-5.77(1H), 5.30-5.19(1H), 4.95-4.89(s,2H), 4.68-4.54(2H)
　３０．０ｇ（５７．６４ミリモル）の４，４’－（４，４’－イソプロピリデンジフェノキシ）ジフタル酸無水物と０．０８ｇの２，２，６，６－テトラメチルピペリジン１－オキシル　フリーラジカルをＮ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）１２０ｇに溶解し、溶解液を得た。続いて、９．９３ｇ（２４．２ミリモル）の２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１０．８６ｇ（２４．２ミリモル）のＡＡ－１、１．３０ｇ（５．７６ミリモル）のＡＴ－１を１００ｇのＮＭＰに溶解させ、０℃～１０℃の温度で１時間かけて上記溶解液に滴下し、２５℃で６０分撹拌した後、ピリジン１８．２ｇと無水酢酸１４．７ｇを添加し、８０℃で４時間反応させた。反応終了後、２５℃まで冷却し、テトラヒドロフラン２００ｇで希釈した。続いて、２．０Ｌのメタノールと０．５Ｌの水の混合液に反応液を滴下させて、１５分撹拌した後、ポリイミド樹脂をろ過した。次に、１Ｌの水で上記樹脂をリスラリーし、ろ過した後、１Ｌのメタノールで再度リスラリーし、ろ過し、減圧下、４０℃で１０時間乾燥させた。続いて、上記で乾燥した樹脂をテトラヒドロフラン２５０ｇに溶解し、イオン交換樹脂（ＭＢ－１：オルガノ社製）４０ｇを添加し、４時間撹拌し、イオン交換樹脂をろ過して取り除いた後、２Ｌのメタノールの中でポリイミド樹脂を沈殿させ、１５分間撹拌した。ポリイミド樹脂を濾過して取得し、減圧下、４５℃で１日間乾燥し環化樹脂（Ｐ－１３）を得た。得られた環化樹脂（Ｐ－１３）の重量平均分子量は２０，０００であった。環化樹脂（Ｐ－１３）は、下記式（Ｐ－１３）で表される繰返し単位を有する樹脂である。繰返し単位の構造は、^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルから決定した。

〔合成例１４、１５：環化樹脂（Ｐ－１４）、（Ｐ－１５）の合成〕
　使用する化合物を適宜変更した以外は、合成例１３と同様の方法により下記式（Ｐ－１４）、下記式（Ｐ－１５）のいずれかで表される構造の環化樹脂（Ｐ－１４）、（Ｐ－１５）を合成した。環化樹脂（Ｐ－１４、Ｐ－１５）のＭｗはいずれも２０，０００であった。

＜実施例及び比較例＞
　各実施例において、それぞれ、下記表に記載の成分を混合し、各樹脂組成物を得た。また、比較例において、下記表に記載の成分を混合し、比較用組成物を得た。
　具体的には、溶剤以外の表に記載の各成分の含有量（配合量）は、表の各欄の「質量部」の欄に記載の量（質量部）とした。
　溶剤の含有量（配合量）は、組成物の固形分濃度が表中の「固形分濃度」の値（質量％）となるようにし、溶剤の全質量に対する各溶剤の含有量の比率（質量比）は、表中の「比率」の欄に記載の比率となるようにした。
　得られた樹脂組成物及び比較用組成物を、細孔の幅が０．８μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターを用いて加圧ろ過した。
　また、表中、「－」の記載は該当する成分を組成物が含有していないことを示している。

　表に記載した各成分の詳細は下記の通りである。

〔樹脂〕
・Ｐ－１～Ｐ－１６：上記合成例により得られたＰ－１～Ｐ－１６

〔モノマー（重合性化合物）〕
・Ｍ－１～Ｍ－５：下記構造の化合物。括弧の添え字は繰返し数を表す。

〔重合開始剤〕
・Ｉ－１～Ｉ－７：下記構造の化合物

〔塩基発生剤〕
・ＡＲ－１～ＡＲ－５：下記構造の化合物

〔重合禁止剤〕
・Ｂ－１～Ｂ－５：下記構造の化合物

〔シランカップリング剤〕
・Ｃ－１～Ｃ－４：下記構造の化合物

〔特定化合物〕
・Ａ－１～Ａ－６１：下記構造の化合物。

〔特定化合物の合成〕
・Ａ－１，Ａ－２，Ａ－４，Ａ－７，Ａ－９，Ａ－３６，Ａ－３７，及びＡ－５６は東京化成工業（株）から購入した。
・Ａ－３，Ａ－５，Ａ－６はJ. Org. Chem. 2009, 74, 7935の記載を参考に合成した。
・Ａ－８，Ａ－１０，Ａ－４３～４５はJ. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 6776の記載を参考に合成した。
・Ａ－１１，Ａ－１２，Ａ－２０～Ａ－３４はPolym. Chem. 2013, 4 2731の記載を参考に合成した。
・Ａ－１３～Ａ－１９，Ａ－３５，Ａ－３８～Ａ－４１，Ａ－５３～Ａ－５５，Ａ－５７～Ａ－５９はOrg. Chem. Front. 2021, 8, 1197の記載を参考に合成した。
・Ａ－４２はStruct. Chem. 2013, 24, 2059の記載を参考に合成した。
・Ａ－４６はJ. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 25の記載を参考に合成した。
・Ａ－４７はJ. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 18798の記載を参考に合成した。
・Ａ－４８～Ａ－５１はChem. Eur. J. 2004, 10, 4073の記載を参考に合成した。
・Ａ－５２はChem. Eur. J. 2017, 23, 3993の記載を参考に合成した。
・Ａ－６０，Ａ－６１はChemCatChem, 2018, 10, 2686の記載を参考に合成した。

〔添加剤〕
・Ｅ－１～Ｅ－１２：下記構造の化合物

〔溶剤〕
・ＮＭＰ：Ｎ－メチル－２－ピロリドン
・ＥＬ：乳酸エチル
・ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
・ＧＢＬ：γ－ブチロラクトン

＜評価＞
〔耐熱試験後の銅基板界面ボイドの評価〕
　前処理を行っていない８ｉｎｃｈのＣｕ配線パターンつきＳｉウエハ（幅１０μｍ、厚み５μｍの１：１ラインアンドスペースパターンの（櫛歯型）Ｃｕ配線パターンつきＳｉウエハ）上に各実施例及び比較例において調製した樹脂組成物又は比較用組成物をスピンコート法により層状に適用して、樹脂組成物層又は比較用組成物層を形成した。得られた樹脂組成物層又は比較用組成物層を形成したＳｉウエハをホットプレート上で、１００℃で５分間乾燥し、基板（Ｓｉウエハ）上に表の「膜厚（μｍ）」の欄に記載の膜厚であって、厚さの均一な樹脂組成物層又は比較用組成物層とした。Ｓｉウエハ上の樹脂組成物層又は比較用組成物層を、５００ｍＪ／ｃｍ^２の露光エネルギーで露光した。
　露光条件の欄に「Ｍ」と記載された例においては、光源として、ステッパーを用いて表の「露光波長（ｎｍ）」の欄に記載の露光波長（ｎｍ）の光により露光した。
　露光条件の欄に「Ｄ」と記載された例においては、光源として、ダイレクト露光装置（アドテック　ＤＥ－６ＵＨ　ＩＩＩ）を用いて、フォトマスクは使用せず、表の「露光波長（ｎｍ）」の欄に記載の露光波長（ｎｍ）の光により、１００μｍ四方の範囲にレーザーダイレクトイメージング露光を行った。
　その後、表に記載の現像液で６０秒間現像して、１００μｍ四方の正方形状の樹脂層を得た。表中の「ＣＰ」の記載はシクロペンタノンを表している。
　上記露光後の樹脂組成物層を、ホットプレートを使用して窒素雰囲気下で１０℃／分の昇温速度で昇温し、表の「キュア温度（℃）」の欄に記載の温度に達した後、上記温度を表の「キュア時間（ｍｉｎ）」の時間において維持し、硬化物を得た。
　得られた硬化物付きの基板を、温度１７５℃、大気下の槽内で１９２時間経過させた。
　断面ＳＥＭ（走査型顕微鏡）測定を実施し、Ｃｕ配線パターンと硬化物の間の空隙面積率を評価した。空隙面積率は、下記の式により算出した。
　空隙面積率（％）＝（ＳＥＭ測定により観察された空隙部の面積）／（硬化物の全面積）×１００
　得られた空隙面積率の値から、下記評価基準に従って評価を行った。評価結果は表の「耐熱試験後のボイド」の欄に記載した。空隙面積率が小さければ小さいほど硬化膜の耐熱試験後の密着性に優れるといえ、高温条件下に晒されたとしても金属配線の腐食を抑制でき、長期間に渡って、硬化物と金属層との間にボイドが発生することが抑制されるといえる。
－評価基準－
Ａ：空隙面積率が０．５％以下であった。
Ｂ：空隙面積率が０．５％を超えて１％以下であった。
Ｃ：空隙面積率が１％を超えて２％以下であった。
Ｄ：空隙面積率が２％を超えた。

〔耐熱試験後の酸化銅膜厚の評価〕
　上記と同様の方法で作製した硬化物付きの銅基板を、温度１７５℃、大気下の槽内で１９２時間経過させる耐熱試験を実施した。
　断面ＳＥＭ（走査型顕微鏡）測定を実施し、Ｃｕ配線パターンと硬化物の間の酸化銅被膜の膜厚を測定した。
　得られた酸化銅被膜の膜厚から、下記評価基準に従って評価を行った。評価結果は表の「耐熱試験後の酸化銅膜厚」の欄に記載した。酸化銅被膜の膜厚が小さければ小さいほどＣｕ配線パターンの変性が抑えられているといえる。
－評価基準－
Ａ：酸化銅被膜の膜厚が１１０ｎｍ以下であった。
Ｂ：酸化銅被膜の膜厚が１１０ｎｍを超えて１５０ｎｍ以下であった。
Ｃ：酸化銅被膜の膜厚が１５０ｎｍを超えて２００ｎｍ以下であった。
Ｄ：酸化銅被膜の膜厚が２００ｎｍを超えた。

　以上の結果から、本発明の樹脂組成物から形成される硬化物は、高温条件下に晒されたとしても金属配線の腐食を抑制できる、ひいては、長期間に渡って金属層と硬化物との間にボイドが生じにくいことが分かる。
　比較例１に係る比較用組成物は、特定化合物を含有しない。このような比較用組成物については、長期間経過後、金属層と硬化物との間に空隙が生じてしまうことが分かる。

＜実施例２０１＞
　実施例１において使用した樹脂組成物を、表面に銅薄層が形成された樹脂基材の銅薄層の表面にスピンコート法により層状に適用して、１００℃で５分間乾燥し、膜厚２０μｍの感光膜を形成した後、ステッパー（（株）ニコン製、ＮＳＲ１５０５　ｉ６）を用いて露光した。露光はマスク（パターンが１：１ラインアンドスペースであり、線幅が１０μｍであるバイナリマスク）を介して、波長３６５ｎｍで行った。上記露光後、シクロペンタノンで２分間現像し、ＰＧＭＥＡで３０秒間リンスし、層のパターンを得た。
　次いで、窒素雰囲気下で、１０℃／分の昇温速度で昇温し、２３０℃に達した後、２３０℃で１８０分間維持して、再配線層用層間絶縁膜を形成した。この再配線層用層間絶縁膜は、絶縁性に優れていた。
　また、この再配線層用層間絶縁膜を使用して半導体デバイスを製造したところ、問題なく動作することを確認した。

Claims

　環化樹脂及びその前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂と、
　カルベン化合物である化合物Ａ、及び、カルベン前駆体である化合物Ｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物と、を含む
　樹脂組成物。
　前記化合物Ａにおけるカルベン炭素、及び、前記化合物Ｂより発生するカルベン化合物におけるカルベン炭素が、環構造の環員として存在する、請求項１に記載の樹脂組成物。
　前記環構造が複素環構造である、請求項２に記載の樹脂組成物。
　前記複素環構造が含窒素複素環構造である、請求項３に記載の樹脂組成物。
　前記含窒素複素環構造が、縮環してもよい５員環含窒素複素環構造である、請求項４に記載の樹脂組成物。
　前記５員環含窒素複素環構造が、１，３－ジヒドロ－２Ｈ－イミダゾール－２－イリデン構造又は１，３，４，５－テトラヒドロ－２Ｈ－イミダゾール－２－イリデン構造である、請求項５に記載の樹脂組成物。
　前記樹脂が、重合性基を有する樹脂である、請求項１～６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　前記化合物Ａが、下記式１で表される化合物である、請求項１～６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　式１中、Ｃ^１１はＸ^１１とＲ^１１以外に置換基を持たない炭素原子であり、Ｘ^１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^１１とＸ^１１とは環構造を形成してもよい。
　前記化合物Ｂが、下記式２、下記式３、下記式４－１、下記式４－２又は下記式５で表される化合物である、請求項１～６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　式２中、Ｃ^２１は炭素原子であり、Ｘ^２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２１とＸ^２１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^２２は水素原子、置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記炭素原子又は前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
　式３中、Ｃ^３１は炭素原子であり、Ｘ^３１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^３１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^３１とＸ^３１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^３２はフッ素原子を１つ以上持つ芳香族環、アルコキシ基又はアミノ基である。
　式４－１中、Ｃ^４１１は炭素原子であり、Ｃ^４１２は炭素原子であり、Ｃ^４１２はＣ^４１１と同一の環内に存在してもよく、Ｃ^４１１とＣ^４１２とは同一の芳香環内には存在せず、Ｘ^４１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^４１２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１１とＸ^４１１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４１２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１２とＸ^４１２とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４１１とＸ^４１１とが環構造を形成し、かつ、Ｒ^４１２とＸ^４１２とが環構造を形成する場合、この２つの環構造の環員同士が結合して更に環構造を形成してもよい。
　式４－２中、Ｃ^４２１は炭素原子であり、Ｃ^４２２は炭素原子であり、Ｃ^４２２はＣ^４２１と同一の環内に存在してもよく、Ｃ^４２１とＣ^４２２とは同一の芳香環内には存在せず、Ｘ^４２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^４２２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２１とＸ^４２１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４２２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２２とＸ^４２２とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４２１とＸ^４２１とが環構造を形成し、かつ、Ｒ^４２２とＸ^４２２とが環構造を形成する場合、この２つの環構造の環員同士が結合して更に環構造を形成してもよい。
　式５中、Ｃ^５１は炭素原子であり、Ｃ^５２は炭素原子であり、Ｘ^５１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^５１は形式的に正の電荷を持ち、Ｘ^５２は炭素原子又は硫黄原子であり、Ｘ^５３は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^５３は形式的に負の電荷を持ち、Ｒ^５１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記炭素原子又は前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^５１とＸ^５１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^５２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^５２とＲ^５１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^５３は有機基又は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
　前記化合物Ｂが、下記式２－１又は式２－２で表される化合物である、請求項９に記載の樹脂組成物。
　式２－１中、Ｃ^２１１は炭素原子であり、Ｘ^２１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２１１とＸ^２１１とは環構造を形成してもよく、Ｘ^２１２は炭素原子又は硫黄原子であり、Ｘ^２１３は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１３は形式的に負の電荷を持ち、Ｒ^２１２は有機基又は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
　式２－２中、Ｃ^２２１は炭素原子であり、Ｘ^２２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２２１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２２１とＸ^２２１とは環構造を形成してもよく、Ａ^２２１はカウンターアニオンである。
　前記式１において、Ｘ^１１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^１１がＸ^１１と環構造を形成する、請求項８に記載の樹脂組成物。
　前記化合物Ｂとして式２－１で表される化合物を含み、下記条件２－１－１および条件２－１－２の少なくとも一方を満たす、請求項１０に記載の樹脂組成物。
　条件２－１－１：前記式２－１において、Ｘ^２１１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^２１１がＸ^２１１と環構造を形成する
　条件２－１－２：前記式２－１において、Ｘ^２１２が炭素原子であり、Ｘ^２１３が酸素原子であり、Ｒ^２１２が酸素原子である
　前記化合物Ｂとして式２－２で表される化合物を含み、下記条件２－２－１および条件２－２－２の少なくとも一方を満たす、請求項１０に記載の樹脂組成物。
　条件２－２－１：前記式２－２において、Ｘ^２２１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^２２１がＸ^２２１と環構造を形成する
　条件２－２－２：前記式２－２において、Ａ^２２１が炭酸イオン、炭酸水素イオン、又は水酸化物イオンである
　前記化合物Ｂとして式２－２で表される化合物を含み、前記式２－２において、Ａ^２２１が有機アニオンである請求項１０に記載の樹脂組成物。
　前記化合物Ｂとして式２－２で表される化合物を含み、前記式２－２において、Ａ^２２１がカルボキシラートアニオンである請求項１４に記載の樹脂組成物。
　前記化合物Ｂとして式３で表される化合物を含み、前記式３において、Ｘ^３１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^３１がＸ^３１と環構造を形成する請求項９に記載の樹脂組成物。
　前記化合物Ｂとして式４－１で表される化合物を含み、下記条件４－１－１および条件４－１－２の少なくとも一方を満たす、請求項９に記載の樹脂組成物。
　条件４－１－１：前記式４－１において、Ｘ^４１１が置換基を有する窒素原子であり、Ｘ^４１２が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^４１１がＸ^４１１と環構造を形成し、Ｒ^４１２がＸ^４１２と環構造を形成する
　条件４－１－２：前記式４－１において、Ｘ^４１１がＸ^４１２と同一の構造であり、Ｒ^４１１がＲ^４１２と同一の構造である
　前記化合物Ｂとして式４－２で表される化合物を含み、下記条件４－２－１および条件４－２－２の少なくとも一方を満たす、請求項９に記載の樹脂組成物。
　条件４－２－１：前記式４－２において、Ｘ^４２１が置換基を有する窒素原子であり、Ｘ^４２２が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^４２１がＸ^４２１と環構造を形成し、Ｒ^４２２がＸ^４２２と環構造を形成する
　条件４－２－２：前記式４－２において、Ｘ^４２１がＸ^４２２と同一の構造であり、Ｒ^４２１がＲ^４２２と同一の構造である
　前記化合物Ｂとして式５で表される化合物を含み、下記条件５－１および条件５－２の少なくとも一方を満たす、請求項９に記載の樹脂組成物。
　条件５－１：前記式５において、Ｘ^５１が置換基を有する窒素原子であり、Ｒ^５１がＸ^５１と環構造を形成する
　条件５－２：前記式５において、Ｘ^５２が炭素原子であり、Ｘ^５３が酸素原子であり、Ｒ^５３が酸素原子である
　環化樹脂及びその前駆体からなる群より選ばれた少なくとも１種の樹脂であって、重合性基を有する樹脂と、
　下記式１、下記式２－１、下記式２－２Ｂ、下記式３、下記式４－１、下記式４－２又は下記式５で表される化合物と、を含む
　樹脂組成物。
　式１中、Ｃ^１１はＸ^１１とＲ^１１以外に置換基を持たない炭素原子であり、Ｘ^１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^１１とＸ^１１とは環構造を形成してもよい。
　式２－１中、Ｃ^２１１は炭素原子であり、Ｘ^２１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１１は形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２１１とＸ^２１１とは環構造を形成してもよく、Ｘ^２１２は炭素原子又は硫黄原子であり、Ｘ^２１３は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２１３は形式的に負の電荷を持ち、Ｒ^２１２は有機基又は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
　式２－２Ｂ中、Ｃ^２２１Ｂは炭素原子であり、Ｘ^２２１Ｂは置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、前記ヘテロ原子はカルボニル基と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^２２１Ｂは形式的に正の電荷を持ち、Ｒ^２２１Ｂは置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、前記ヘテロ原子はカルボニル基と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^２２１ＢとＸ^２２１Ｂとは環構造を形成してもよく、Ａ^２２１Ｂはカウンターアニオンであり、Ｒ^２２１Ｂ及びＸ^２２１Ｂは重合性基を置換基として有しない。
　式３中、Ｃ^３１は炭素原子であり、Ｘ^３１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^３１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^３１とＸ^３１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^３２はフッ素原子を１つ以上持つ芳香族環、アルコキシ基、又は、アミノ基である。
　式４－１中、Ｃ^４１１は炭素原子であり、Ｃ^４１２は炭素原子であり、Ｃ^４１２はＣ^４１１と同一の環内に存在してもよく、Ｃ^４１１とＣ^４１２とは同一の芳香環内には存在せず、Ｘ^４１１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^４１２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１１とＸ^４１１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４１２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４１２とＸ^４１２とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４１１とＸ^４１１とが環構造を形成し、かつ、Ｒ^４１２とＸ^４１２とが環構造を形成する場合、この２つの環構造の環員同士が結合して更に環構造を形成してもよい。
　式４－２中、Ｃ^４２１は炭素原子であり、Ｃ^４２２は炭素原子であり、Ｃ^４２２はＣ^４２１と同一の環内に存在してもよく、Ｃ^４２１とＣ^４２２とは同一の芳香環内には存在せず、Ｘ^４２１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^４２２は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２１とＸ^４２１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４２２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^４２２とＸ^４２２とは環構造を形成してもよく、Ｒ^４２１とＸ^４２１とが環構造を形成し、かつ、Ｒ^４２２とＸ^４２２とが環構造を形成する場合、この２つの環構造の環員同士が結合して更に環構造を形成してもよい。
　式５中、Ｃ^５１は炭素原子であり、Ｃ^５２は炭素原子であり、Ｘ^５１は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^５１は形式的に正の電荷を持ち、Ｘ^５２は炭素原子又は硫黄原子であり、Ｘ^５３は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｘ^５３は形式的に負の電荷を持ち、Ｒ^５１は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記炭素原子又は前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^５１とＸ^５１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^５２は置換基を有する炭素原子又は置換基を有するヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無く、Ｒ^５２とＲ^５１とは環構造を形成してもよく、Ｒ^５３は有機基又は置換基を有してもよいヘテロ原子であり、前記ヘテロ原子は水素原子と連結基を介さずに直接結合することは無い。
　環化樹脂、または環化樹脂前駆体が、ポリイミド、またはポリイミド前駆体である、請求項１～６及び２０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　重合性化合物を更に含む、請求項１～６及び２０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
　環化樹脂を含み、金属層と接して配置された硬化物であって、
　前記硬化物においてカルベン化合物が前記金属層に吸着している
　硬化物。
　環化樹脂を含む樹脂層と、前記樹脂層と接して配置された金属層とを備え
　前記樹脂層の前記金属層側の表面において、カルベン化合物が前記金属層に吸着している
　積層体。
　請求項１～６及び２０のいずれか１項に記載の樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
　請求項２５に記載の硬化物からなる層を２層以上含み、前記硬化物からなる層同士のいずれかの間に金属層を含む積層体。
　請求項１～６及び２０のいずれか１項に記載の樹脂組成物を基材上に適用して膜を形成する膜形成工程を含む、硬化物の製造方法。
　前記膜を選択的に露光する露光工程及び前記膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含む、請求項２７に記載の硬化物の製造方法。
　前記膜を５０～４５０℃で加熱する加熱工程を含む、請求項２７に記載の硬化物の製造方法。
　請求項２７に記載の硬化物の製造方法を含む、積層体の製造方法。
　請求項２７に記載の硬化物の製造方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
　請求項２５に記載の硬化物を含む、半導体デバイス。