WO2025041609A1

WO2025041609A1 - 半導体装置製造用仮保護フィルム及び半導体装置の製造方法

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Publication number: WO2025041609A1
Application number: PCT/JP2024/028141
Authority: WO
Inventors: 真之介武笠; 滉大伊藤
Original assignee: Resonac Corp
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 2023-08-23
Filing date: 2024-08-06
Publication date: 2025-02-27
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Abstract

支持フィルムと、支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、接着層が、５５万以上の重量平均分子量、及び、２．０以下の分子量分布を有するアクリルポリマーを含有する、半導体装置製造用仮保護フィルム。

Description

半導体装置製造用仮保護フィルム及び半導体装置の製造方法

　本開示は、半導体装置製造用仮保護フィルム及び半導体装置の製造方法に関する。

　半導体パッケージにおいて、リードフレームの半導体素子側のみに封止層が形成され、リードフレームの裏面が露出している構造が採用されることがある。この構造を有する半導体パッケージの製造において、封止層を形成する際にリードフレームの裏面に封止材が回り込むおそれがある。これを防ぐために、リードフレームの裏面に仮保護フィルムを貼り付ける方法が知られている（特許文献１）。仮保護フィルムは、封止層が形成された後でリードフレームから剥離される。

国際公開第２００１／０３５４６０号

　仮保護フィルムにおいては、封止層を形成した後に仮保護フィルムをリードフレームから剥離する際に、仮保護フィルムの接着成分がリードフレーム上に残留しないことが望ましい。そこで、本発明の一側面は、剥離時にリードフレーム上への残留を抑制できる仮保護フィルムを提供することを目的とする。

　本発明者らの検討によれば、仮保護フィルムの接着層に含まれるアクリルポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を特定の範囲にすることにより、当該特定の範囲外のＭｗ及びＭｗ／Ｍｎを有するアクリルポリマーを用いた場合に比べて、リードフレーム上への残留の発生を抑制できることが判明した。

　本発明は、以下の側面を含む。
［１］　支持フィルムと、支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、接着層が、５５万以上の重量平均分子量、及び、２．０以下の分子量分布を有するアクリルポリマーを含有する、半導体装置製造用仮保護フィルム。
［２］　アクリルポリマーが、アルキル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリロイルモルホリンをモノマー単位として含む、［１］に記載の仮保護フィルム。
［３］　アクリルポリマーの重量平均分子量が８５万以上である、［１］又は［２］に記載の仮保護フィルム。
［４］　基板の一面側に仮保護フィルムを貼り付ける工程と、基板の仮保護フィルムと反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子を封止する工程と、仮保護フィルムを基板から剥離する工程と、をこの順に備える、半導体装置の製造方法であって、仮保護フィルムが、支持フィルムと、支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、接着層が、５５万以上の重量平均分子量、及び、２．０以下の分子量分布を有するアクリルポリマーを含有する、製造方法。
［５］　アクリルポリマーが、アルキル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリロイルモルホリンをモノマー単位として含む、［４］に記載の製造方法。
［６］　アクリルポリマーの重量平均分子量が８５万以上である、［４］又は［５］に記載の製造方法。

　本発明の一側面によれば、剥離時にリードフレーム上への残留を抑制できる仮保護フィルムを提供することができる。

仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。半導体装置の製造方法の一実施形態を説明する断面図である。半導体装置の製造方法の一実施形態を説明する断面図である。半導体装置の一実施形態を示す断面図である。リール体の一実施形態を示す斜視図である。

　以下、本発明の実施形態について説明する。図１は、一実施形態に係る仮保護フィルムを示す断面図である。図１に示すように、一実施形態に係る仮保護フィルム１０は、支持フィルム１と、支持フィルム１上に設けられた接着層２とを備えている。仮保護フィルム１０は、半導体装置製造用仮保護フィルムとして用いることができる。より具体的には、仮保護フィルム１０は、リードフレームのダイパッドに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の工程において、リードフレームの裏面（半導体素子が搭載される面とは反対側の面）に貼り付けることで、封止成形の間、リードフレームを仮保護するための半導体封止成形用仮保護フィルムとして用いることができる。

　支持フィルム１は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１種のポリマーのフィルムであってよく、好ましくはポリイミドのフィルムであってよい。ポリイミドは、芳香族ポリイミドであってもよい。支持フィルム１は、銅、アルミニウム、ステンレススティール又はニッケルのフィルムであってもよい。支持フィルム１がポリマーのフィルムである場合、その表面が、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、及びコロナ処理等の方法により表面処理されていてもよい。

　支持フィルム１の厚さは、例えば、５μｍ以上であってよく、１００μｍ以下又は５０μｍ以下であってよい。支持フィルム１の厚さＴ_１に対する接着層２の厚さＴ_２の比Ｔ_２／Ｔ_１は、０．１以上であってよく、０．５以下、０．３以下、又は０．２以下であってよい。

　接着層２は、５５万以上の重量平均分子量（Ｍｗ）、及び、２．０以下の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を有するアクリルポリマーを含有する。

　アクリルポリマーのＭｗは、６０万以上であってもよく、接着層２の厚さが薄い（例えば２μｍ程度である）場合であっても、仮保護フィルムをリードフレーム及び封止層から剥離した後の封止層上に接着成分が残留することも抑制できる観点から、好ましくは６５万以上、より好ましくは７５万以上、更に好ましくは８５万以上、特に好ましくは９５万以上である。アクリルポリマーのＭｗは、２００万以下、１８０万以下、１６０万以下、１４０万以下、１２０万以下、又は１１０万以下であってよい。

　アクリルポリマーのＭｗ／Ｍｎは、リードフレーム上の残留を更に抑制できる観点から、好ましくは、１．９以下、１．８以下、又は１．７以下であってもよい。アクリルポリマーのＭｗ／Ｍｎは、１．０以上、１．２以上、１．４以上、又は１．６以上であってもよい。

　アクリルポリマーのＭｗ及びＭｗ／Ｍｎは、以下の手順で測定される。
　高速液体クロマトグラフ（東ソー社製、型式ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ）を用いて、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求めた。カラムはＴＳＫｇｅｌＳｕｐｅｒＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ－Ｈ（東ソー社製）を２本、移動相にテトラヒドロフラン溶液、検出器に示差屈折計を使用する。測定条件は、カラム温度を４０℃、試料濃度を１０ｍｇ／ｍＬ、試料注入量を１０μｍ、流速を０．２ｍＬ／ｍｉｎとする。標準物質としてポリスチレン（分子量１，０９０，０００、７７５，０００、４２７，０００、２８９，０００、１９０，０００、９６，４００、３７，９００、１０，２００、２，６３０、４４０）を使用して検量線（校正曲線）を作成し、重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）を測定する。この測定値から分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を算出する。

　アクリルポリマーは、少なくともアルキル（メタ）アクリレートをモノマー単位として含むポリマーであり、アルキル（メタ）アクリレートに加えてその他のモノマーをモノマー単位として含むポリマーであってよい。

　アルキル（メタ）アクリレートにおけるアルキル基（（メタ）アクリロイル基以外のアルキル基部分）は、直鎖状であっても分岐状であってもよい。アルキル基の炭素数は、２以上又は３以上であってよく、３０以下、２０以下、１０以下、７以下、５以下、又は４以下であってよく、２又は４であってもよい。

　アルキル（メタ）アクリレートの例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－へプチル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、及びデシル（メタ）アクリレートが挙げられる。

　アルキル（メタ）アクリレートの含有量は、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として、７０質量％以上、７５質量％以上、又は８０質量％以上であってよく、９２質量％以下、９０質量％以下、又は８８質量％以下であってよい。

　その他のモノマーは、仮保護フィルムの剥離時にリードフレーム上への残留を更に抑制できる観点から、好ましくは（メタ）アクリロイルモルホリンを含む。すなわち、アクリルポリマーは、同様の観点から、好ましくは、アルキル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリロイルモルホリンをモノマー単位として含む。

　（メタ）アクリロイルモルホリンの含有量は、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として、７質量％以上、７．５質量％以上、８質量％以上、８．５質量％以上、又は９．０質量％以上であってよく、２０質量％以下、１８質量％以下、１７質量％以下、１６．５質量％以下、又は１６質量％以下であってよい。

　アルキル（メタ）アクリレートの含有量に対する（メタ）アクリロイルモルホリンの含有量の質量比（（メタ）アクリロイルモルホリン／アルキル（メタ）アクリレート）は、０．０８／１以上、０．０９／１以上、又は０．１／１以上であってよく、０．３／１以下、０．２５／１以下、０．２３／１以下、０．２１／１以下、又は０．２／１以下であってよい。

　その他のモノマーは、架橋性基を有するモノマー（架橋性モノマー）を含んでもよい。架橋性モノマーは、架橋性基に加えて、アルキル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリロイルモルホリンと共重合可能な重合性基を有している。重合性基は、例えば、エチレン性不飽和基であってよい。架橋性基は、例えば酸性基であってよい。酸性基は、例えば、カルボキシル基又はスルホ基であってよく、好ましくはカルボキシル基である。

　カルボキシル基を有する架橋性モノマーの例としては、（メタ）アクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、及び２－アクリロイルオキシエチルサクシネートが挙げられる。

　架橋性モノマーの含有量は、アクリルポリマー中のモノマー単位全量を基準として、１質量％以上、２質量％以上、又は３質量％以上であってよく、１０質量％以下、６質量％以下、又は４質量％以下であってよい。

　その他のモノマーは、例えば、重合性基（例えばエチレン性不飽和基）及びヒドロキシル基を有するモノマーを含んでもよい。このモノマーの例としては、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、６－ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレート、８－ヒドロキシオクチル（メタ）アクリレート、１０－ヒドロキシデシル（メタ）アクリレート、１２－ヒドロキシラウリル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；（４－ヒドロキシメチルシクロへキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキルシクロアルカン（メタ）アクリレート等が挙げられる。

　アクリルポリマーの酸価は、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上又は２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であってよく、４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下又は３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であってよい。アクリルポリマーの水酸基価は、１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上又は２ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であってよく、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下又は５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であってよい。アクリルポリマーの酸価及び水酸基価は、ＪＩＳ　Ｋ００７０に記載の方法に準拠して測定される。

　アクリルポリマーの含有量は、接着層２の全量を基準として、８０質量％以上、８５質量％以上、又は９０質量％以上であってよく、９９．５質量％以下又は９９質量％以下であってよい。

　接着層２は、架橋剤を更に含有してもよく、架橋剤を含有しなくてもよい。架橋剤は、アクリルポリマー中の架橋性基と架橋可能な架橋剤である。このような架橋剤としては、公知の架橋剤を用いることができる。アクリルポリマー中の架橋性基が酸性基である場合、架橋剤は、好ましくはエポキシ基を有する。架橋剤におけるエポキシ基の数は、２以上又は３以上であってよく、４以下であってよく、４であってよい。

　架橋剤は、一実施形態において、エポキシ基に加えてアミノ基を有する架橋剤であってよい。当該アミノ基は、－ＮＨ_２基における水素原子が置換されたアミノ基（置換アミノ基）であってよく、三級アミノ基であってもよい。このような架橋剤は、下記式（１）で表される基を有していてよい。

架橋剤における上記式（１）で表される基の数は、１又は２であってよい。

　架橋剤は、下記式（２）で表される架橋剤であってよい。

式中、Ｘは２価の炭化水素基を表す。

　Ｘで表される２価の炭化水素基は、環を有する２価の炭化水素基であってよい。環は、脂環であってよく、芳香環であってもよい。環を構成する炭素の数は、５以上であってよく、８以下であってよく、６であってもよい。２価の炭化水素基における環の数は、１以上であってよく、３以下であってよく、１又は２であってもよい。２価の炭化水素基に複数の環が含まれる場合、当該複数の環同士は、直接結合していてよく、炭素数１～３のアルキレン基を介して結合していてもよい。

　Ｘで表される２価の炭化水素基は、好ましくはシクロアルキレン基を有する。シクロアルキレン基の炭素数は、５以上であってよく、８以下であってよい。シクロアルキレン基は、好ましくはシクロへキシレン基である。

　架橋剤は、一実施形態において、エポキシ基に加えてエーテル基を有する（アミノ基を有さない）架橋剤であってよい。このような架橋剤は、下記式（３）で表される基を有していてよい。

　架橋剤における上記式（３）で表される基の数は、２以上又は３以上であってよく、４以下であってよく、２又は４であってもよい。

　架橋剤は、下記式（４）で表される架橋剤であってよい。

式中、ｍは２以上の整数を表し、ｎは０以上の整数を表し、Ａはｍ＋ｎ価の多価アルコールから水酸基を除いた残基を表す。

　ｍは、３以上の整数であってもよく、４以下の整数であってもよく、２又は４であってもよい。ｎは、１以上の整数であってもよく、２以下の整数であってもよく、０又は２であってもよい。ｍ＋ｎは、２以上の整数であってよく、６以下の整数であってよい。

　Ａにおける多価アルコールは、脂肪族多価アルコール又は脂環式多価アルコールであってよく、エーテル基を有する多価アルコールであってよい。当該脂肪族多価アルコール又は脂環式多価アルコールの炭素数は、２以上、３以上、又は４以上であってよく、１０以下、９以下、又は８以下であってよい。エーテル基を有する多価アルコールは、ポリエチレングリコール等のポリアルキレングリコールであってよい。

　架橋剤の含有量は、接着層２の全量を基準として、０．５質量％以上であってよく、１５質量％以下又は１０質量％以下であってよく、仮保護フィルムを被着体から剥離した後の被着体の外観が悪くなることを抑制する観点から、好ましくは、１質量％以上、２質量％以上、又は２．５質量％以上である。

　架橋剤の含有量は、アクリルポリマーの含有量１００質量部に対して、０．５質量部以上であってよく、１５質量部以下又は１０質量部以下であってよく、仮保護フィルムを被着体から剥離した後の被着体の外観が悪くなることを抑制する観点から、好ましくは、１質量部以上、２質量部以上、又は３質量部以上である。

　接着層２は、アクリルポリマー及び架橋剤以外のその他の成分を更に含有してもよい。その他の成分の例としては、アクリルポリマー以外のポリマー及びカップリング剤が挙げられる。

　接着層２の厚さは、１μｍ以上又は２μｍ以上であってよく、２０μｍ以下、１５μｍ以下、１０μｍ以下、５μｍ以下、４μｍ以下、又は３μｍ以下であってよい。

　他の一実施形態において、仮保護フィルムは、接着層の支持フィルムと反対側の面上に設けられたカバーフィルムを更に備えていてよい。すなわち、仮保護フィルムは、支持フィルムと、接着層と、カバーフィルムとをこの順に備えていてよい。カバーフィルムは、ポリエチレンテレタレートフィルムであってよい。カバーフィルムの厚さは、１０μｍ以上であってよく、１００μｍ以下であってよい。

　他の一実施形態において、仮保護フィルムは、支持フィルムの接着層と反対側に設けられた非接着層を更に備えていてもよい。非接着層は、０～２７０℃において被着体に対する接着性を実質的に有しない樹脂層であってよい。非接着層は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂（硬化物）又はこれらの組み合わせである樹脂を含んでよい。非接着層は、フィラー（例えばセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子）、カップリング剤等を更に含有してもよい。非接着層の厚さは、１μｍ以上であってよく、１０μｍ以下であってよい。

　仮保護フィルムは、例えば、アクリルポリマー及び架橋剤を含むワニスを支持フィルム上に塗布し、塗膜から溶剤を除去することにより接着層を形成する工程を含む方法によって製造することができる。

　続いて、上述した仮保護フィルムを用いた半導体装置の製造方法について説明する。一実施形態の半導体装置の製造方法は、基板の一面側に仮保護フィルムを貼り付ける工程Ｓ１と、基板の仮保護フィルムと反対側の面上に半導体素子を搭載する工程Ｓ２と、半導体素子を封止する工程Ｓ３と、仮保護フィルムを基板から剥離する工程Ｓ４と、をこの順に備える。以下、一例として、基板がリードフレームである場合の半導体装置（半導体装置パッケージ）の製造方法をより具体的に説明する。

　図２は、半導体装置の製造方法の一実施形態（工程Ｓ１）を説明する断面図である。工程Ｓ１では、図２に示されるように、ダイパッド１１ａ及びインナーリード１１ｂを有するリードフレーム１１の一方の面である裏面に、仮保護フィルム１０を貼り付ける。仮保護フィルム１０は、仮保護フィルム１０の接着層がリードフレーム１１に接する向きで貼り付けられる。

　リードフレーム１１は、例えば、４２アロイ等の鉄系合金、銅、又は銅系合金から形成されていてよい。リードフレーム１１が、銅又は銅系合金から形成された成形体と、その表面を被覆するパラジウム、金、銀等の被覆層とを有していてもよい。

　仮保護フィルム１０は、常温（例えば２５℃）での接着力に優れているため、常温においてリードフレーム１１に貼り付けることができる。仮保護フィルム１０は、加熱及び加圧しながらリードフレーム１１に貼り付けられてもよい。この場合、加熱温度は、１５０℃以上であってよく、４００℃以下であってよい。圧力は、０．５ＭＰａ以上であってよく、３０ＭＰａ以下であってもよい。加熱及び加圧の時間は、１秒間以上であってよく、６０秒間以下であってよい。

　図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態（工程Ｓ２及び工程Ｓ３）を説明する断面図である。工程Ｓ２では、図３に示されるように、ダイパッド１１ａの仮保護フィルム１０と反対側の面上に半導体素子１４を搭載する。半導体素子１４は、接着剤（例えば、銀ペースト）を介してダイパッド１１ａに接着される。半導体素子１４をダイパッド１１ａに接着した後に、最大温度２５０～４４０℃、又は２５０～４００℃の温度、及び１～３０分間の条件で、リフロー接続（ＣｕＣｌｉｐ接続等）を行ってもよい。

　次に、ワイヤ１２を用いて、半導体素子１４をインナーリード１１ｂに接続する。ワイヤ１２は、例えば、金線、銅線、又はパラジウム被覆銅線であってよい。ワイヤ１２は、例えば、２００～３５０℃で加熱しながら、超音波と押し付け圧力を利用して、半導体素子１４及びインナーリード１１ｂに接合されてよい。

　続いて、工程Ｓ３では、図３に示されるように、半導体素子１４及びワイヤ１２を封止する封止層１３を形成する。これにより、リードフレーム１１、半導体素子１４及び封止層１３を有する、仮保護された封止成形体２０が得られる。

　封止層１３は、封止材を用いた封止成形によって形成される。封止成形によって、複数の半導体素子１４及びそれらを一括して封止する封止層１３を有する封止成形体２０を得ることができる。封止成形の間、仮保護フィルム１０が設けられていることにより、封止材がリードフレーム１１の裏面側に回り込むことが抑制される。

　封止層１３を形成する間の温度（封止材の温度）は、１４０～２００℃、又は１６０～１８０℃であってよい。封止層を形成する間の圧力は、６～１５ＭＰａ、又は７～１０ＭＰａであってよい。封止成形の時間は、１～５分間、又は２～３分間であってよい。

　封止材は、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。封止材は、フィラー、ブロム化合物等の難燃性物質、ワックス成分等を含んでいてもよい。

　封止層１３の形成（封止成形）の後、得られた封止成形体２０のリードフレーム１１及び封止層１３から、仮保護フィルム１０が剥離される。封止層１３を硬化する場合、仮保護フィルム１０は、封止層１３の硬化の前又は後のいずれの時点で剥離されてもよい。

　仮保護フィルム１０を剥離する際の温度は、特に制限されないが、常温（例えば、５～３５℃）であってよく、接着層のガラス転移温度（Ｔｇ）以上であってもよい。この場合、仮保護フィルム１０が、リードフレーム１１及び封止材からより一層良好に剥離される。接着層中のアクリルポリマーのＴｇが、例えば５℃以下又は０℃以下であると、接着層のＴｇが常温と同等以下になって、仮保護フィルムが常温で良好に剥離されやすい。

　リードフレーム１１がダイパッド１１ａ及びインナーリード１１ｂを有する複数のパターンを含む場合、必要に応じて、封止成形体２０を分割して、それぞれ１個の半導体素子を有する図４の半導体装置（半導体パッケージ）１００を複数得ることができる。すなわち、リードフレーム１１が複数のダイパッド１１ａを有し、複数のダイパッド１１ａの各々に半導体素子１４が搭載される場合、一実施形態に係る製造方法は、仮保護フィルム１０を封止成形体２０から剥離した後に封止成形体２０を分割して、１個のダイパッド１１ａ及び１個の半導体素子１４を有する半導体装置（半導体パッケージ）１００を得る工程を更に備えていてよい。

　仮保護フィルムは、長尺状であって、巻芯に巻かれたリール体の状態で用いられてもよい。この場合、仮保護フィルムは、リール体から巻き出されながら、被着体に貼り付けられる。

　図５は、リール体の一実施形態を示す斜視図である。図５に示すように、一実施形態に係るリール体３０は、巻芯３１と、巻芯３１に巻き取られた仮保護フィルム１０と、側板３２と、を備える。巻芯３１及び仮保護フィルム１０の幅（巻取方向と直交する方向の長さ）は、１ｍｍ以上、５ｍｍ以上、又は１０ｍｍ以上であってよく、１０００ｍｍ以下、８００ｍｍ以下、又は５００ｍｍ以下であってよい。他の一実施形態では、リール体は、側板を備えていなくてもよい。

　以下、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。ただし、本発明は実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
　重量平均分子量（Ｍｗ）が６０万、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．７であるアクリルポリマーＡ－１をシクロヘキサノンに溶解して、接着層形成用のワニスを得た。なお、アクリルポリマーＡ－１は、ブチルアクリレート／アクリロイルモルホリン／アクリル酸／その他のモノマー（ヒドロキシル基を有するモノマー）＝８０／１６／３／１（質量比）のコポリマーである。支持フィルムとして、ポリイミドフィルム（厚さ：２５μｍ、東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトン１００ＥＮ）を用意した。得られたワニスを支持フィルムの片面上に塗布した。支持フィルム上の塗膜を９０℃で１．５分間、及び２６０℃で１．５分間の加熱によって乾燥して、厚さ２μｍの接着層を形成した。これにより仮保護フィルムを得た。

（実施例２～３）
　接着層の厚さを表１に示すとおりに変更した以外は、実施例１と同様にして仮保護フィルムを得た。

（実施例４）
　アクリルポリマーＡ－１　１００質量部に対して、下記式（Ｂ－１）：

で表される架橋剤Ｂ－１　１０質量部を添加してワニスを調製し、接着層の厚さを表１に示すとおりに変更した以外は、実施例１と同様にして仮保護フィルムを得た。

（実施例５）
　架橋剤Ｂ－１　１０質量部に代えて、下記式（Ｂ－２）：

で表される架橋剤Ｂ－２　７質量部を添加した以外は、実施例４と同様にして仮保護フィルムを得た。

（実施例６）
　アクリルポリマーＡ－１に代えて、重量平均分子量（Ｍｗ）が１００万、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．９であるアクリルポリマーＡ－２用いた以外は、実施例１と同様にして仮保護フィルムを得た。なお、アクリルポリマーＡ－２は、ブチルアクリレート／アクリロイルモルホリン／アクリル酸／その他のモノマー（ヒドロキシル基を有するモノマー）＝８０／１６／３／１（質量比）のコポリマーである。

（実施例７～８）
　接着層の厚さを表１に示すとおりに変更した以外は、実施例６と同様にして仮保護フィルムを得た。

（比較例１）
　アクリルポリマーＡ－１　１００質量部に代えて、重量平均分子量（Ｍｗ）が９９万、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が３．０であるアクリルポリマーａ－１（商品名：ＨＴＲ－２８０、ナガセケムテックス株式会社製）１００質量部と、下記式（Ｂ－３）：

で表される架橋剤Ｂ－３　３０質量部とを用いてワニスを調製し、接着層の厚さを表１に示すとおりに変更した以外は、実施例１と同様にして仮保護フィルムを得た。

（比較例２）
　アクリルポリマーＡ－１　１００質量部に代えて、アクリルポリマーａ－１　３０質量部と、重量平均分子量（Ｍｗ）が７２万、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が４．４であるアクリルポリマーａ－２（商品名：ＷＳ－０２３　ＥＫ３０、ナガセケムテックス株式会社製）７０質量部と、架橋剤Ｂ－３　１０質量部とを用いてワニスを調製し、接着層の厚さを表１に示すとおりに変更した以外は、実施例１と同様にして仮保護フィルムを得た。

（残留物の評価）
　ＣＤＡ１９４パラジウムメッキＣｕ板（リードフレーム、新光電気工業株式会社製））に、各仮保護フィルムを、接着層がリードフレームに接する向きで、２５℃、荷重２０Ｎの条件で貼り付けた。得られた貼合体を、空気雰囲気下、オーブン内で、１８０℃で６０分間、次いで２００℃で６０分の順で条件を変更しながら加熱した。リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面を、アルゴンガス雰囲気下（流量：２０ｓｃｃｍ）、１５０Ｗ、１５秒の条件でプラズマ処理した。

　モールド成形機（アピックヤマダ株式会社製）を用いて、リードフレームの仮保護フィルムとは反対側の面上に封止材（商品名：ＧＥ－３００、昭和電工マテリアルズ株式会社製）により封止層を形成した。封止条件は、１７５℃、６．８ＭＰａ、２分間とした。その後、２５℃においてリードフレームの面に対して１８０°の方向に５０ｍｍ／分の速度で各仮保護フィルムを引き剥がした。仮保護フィルムを引き剥がした後のリードフレーム上及び封止層上のそれぞれに残存した接着層の状態を確認した。リードフレームの表面の面積及び封止層の表面の面積のそれぞれに対する、接着層の残留物が占める面積の割合を求めた。残留物が占める面積の割合に基づいて、以下の基準で評価した。結果を表１に示す。
　Ａ：５％未満
　Ｂ：５％以上１５％未満
　Ｃ：１５％以上

　１…支持フィルム、２…接着層、１０…仮保護フィルム、１１…リードフレーム、１１ａ…ダイパッド、１１ｂ…インナーリード、１２…ワイヤ、１３…封止層、１４…半導体素子、２０…封止成形体、１００…半導体装置。

Claims

　支持フィルムと、
　前記支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、
　前記接着層が、５５万以上の重量平均分子量、及び、２．０以下の分子量分布を有するアクリルポリマーを含有する、半導体装置製造用仮保護フィルム。
　前記アクリルポリマーが、アルキル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリロイルモルホリンをモノマー単位として含む、請求項１に記載の仮保護フィルム。
　前記アクリルポリマーの前記重量平均分子量が８５万以上である、請求項１又は２に記載の仮保護フィルム。
　基板の一面側に仮保護フィルムを貼り付ける工程と、
　前記基板の前記仮保護フィルムと反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、
　前記半導体素子を封止する工程と、
　前記仮保護フィルムを前記基板から剥離する工程と、
をこの順に備える、半導体装置の製造方法であって、
　前記仮保護フィルムが、
　　支持フィルムと、
　　前記支持フィルム上に設けられた接着層と、を備え、
　前記接着層が、５５万以上の重量平均分子量、及び、２．０以下の分子量分布を有するアクリルポリマーを含有する、製造方法。
　前記アクリルポリマーが、アルキル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリロイルモルホリンをモノマー単位として含む、請求項４に記載の製造方法。
　前記アクリルポリマーの前記重量平均分子量が８５万以上である、請求項４又は５に記載の製造方法。