WO2024116813A1

WO2024116813A1 - 弾性波装置及びフィルタ装置

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Publication number: WO2024116813A1
Application number: PCT/JP2023/040852
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Inventors: 健太郎中村; 拓也薮
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date: 2023-11-14
Publication date: 2024-06-06
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Abstract

本発明の弾性波装置は、圧電体層を含む圧電性基板と、圧電体層上に設けられており、１対のバスバー及び複数の電極指を有するＩＤＴ電極８とを備える。ＩＤＴ電極８の複数の第２の電極指１７の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第１の包絡線Ｅ１、複数の第１の電極指１６の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第２の包絡線Ｅ２とする。弾性波装置は、圧電体層上に設けられており、第１のバスバーと交叉領域Ｄとの間、及び第２のバスバーと交叉領域Ｄとの間のうち、少なくとも一方に設けられている、複数の電極パターン（第１，第２の電極パターン１８，１９）をさらに備える。複数の電極指のうち、少なくとも１本の第１の電極指１６の先端部または少なくとも１本の第２の電極指１７の先端部が、電極パターンと対向している。平面視における複数の第１の電極指１６及び複数の第２の電極指１７の形状がそれぞれ、交叉領域Ｄにおいて、曲線状の部分を含み、ＩＤＴ電極８の電極指ピッチにより規定される波長をλとしたときに、複数の電極指のうち、電極パターンと対向している電極指の先端部と、該電極パターンとの間の距離が、０．５λ以下である。

Description

弾性波装置及びフィルタ装置

　本発明は、弾性波装置及びフィルタ装置に関する。

　従来、弾性波装置が、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置においては、圧電基板上にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極が設けられている。ＩＤＴ電極の複数の電極指の形状は、曲線の形状を含む。より具体的には、各電極指が、ＩＤＴ電極が交叉する領域の中央から、共通電極に至るまで、曲線に沿って延びている。

国際公開第２０１１／１０８２２９号

　特許文献１に記載された弾性波装置のＩＤＴ電極においては、複数の電極指が延びる方向における中央の部分の電極指ピッチが、該方向における端部の電極指ピッチよりも狭い。そのため、不要波の応答を抑制する効果が得られる。しかしながら、弾性波のエネルギーの漏洩を十分に抑制することができず、Ｑ値を十分に高めることができない。

　本発明の目的は、Ｑ値を高めることができる、弾性波装置及びフィルタ装置を提供することにある。

　本発明に係る弾性波装置は、圧電体層を含む圧電性基板と、前記圧電体層上に設けられており、１対のバスバー及び複数の電極指を有するＩＤＴ電極とを備え、前記１対のバスバーが、互いに対向している第１のバスバー及び第２のバスバーであり、前記複数の電極指が、複数の第１の電極指及び複数の第２の電極指であり、前記複数の第１の電極指の一端がそれぞれ、前記第１のバスバーに接続されており、前記複数の第２の電極指の一端がそれぞれ、前記第２のバスバーに接続されており、前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指が互いに間挿し合っており、前記複数の第２の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第１の包絡線、前記複数の第１の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第２の包絡線とし、前記ＩＤＴ電極における、前記第１の包絡線及び前記第２の包絡線の間の領域が交叉領域であり、前記圧電体層上に設けられており、前記第１のバスバーと前記交叉領域との間、及び前記第２のバスバーと前記交叉領域との間のうち、少なくとも一方に設けられている、複数の電極パターンをさらに備え、前記複数の電極指のうち、少なくとも１本の前記第１の電極指の先端部または少なくとも１本の前記第２の電極指の先端部が、前記電極パターンと対向しており、平面視における前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の形状がそれぞれ、前記交叉領域において、曲線状の部分を含み、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλとしたときに、前記複数の電極指のうち、前記電極パターンと対向している電極指の先端部と、該電極パターンとの間の距離が、０．５λ以下である。

　本発明に係るフィルタ装置は、複数の弾性波共振子を備え、少なくとも１つの前記弾性波共振子が、本発明に従い構成されている弾性波装置である。

　本発明に係る弾性波装置及びフィルタ装置によれば、Ｑ値を高めることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図２は、図１中のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。図３は、本発明の第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の構成を説明するための模式的平面図である。図４は、従来の弾性波装置の模式的平面図である。図５は、第１の参考例の弾性波装置の模式的平面図である。図６は、第２の参考例の弾性波装置の模式的平面図である。図７は、本発明の第１の実施形態、第１の参考例及び第２の参考例における、インピーダンス周波数特性を示す図である。図８は、本発明の第１の実施形態、第１の参考例及び第２の参考例における、周波数及びＱ値の関係を示す図である。図９は、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板を伝搬する弾性波の逆速度面を示す図である。図１０は、第１の圧電性基板における、縦波、速い横波、遅い横波の逆速度面を示す図である。図１１は、本発明の第１の実施形態、第１の変形例及び第２の変形例における、ＩＤＴ電極の、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、デューティ比との関係を示す図である。図１２は、定点が楕円の２つの焦点の重心である場合のＩＤＴ電極の構成を説明するための模式的平面図である。図１３は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図１４は、本発明の第２の実施形態及び第３の参考例における、インピーダンス周波数特性を示す図である。図１５は、本発明の第２の実施形態及び第３の参考例における、周波数及びＱ値の関係を示す図である。図１６は、本発明の第２の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。図１７は、本発明の第２の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。図１８は、本発明の第２の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。図１９は、本発明の第２の実施形態の第４の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。図２０は、本発明の第２の実施形態の第５の変形例におけるＩＤＴ電極の、第１のエッジ領域付近及び第２のエッジ領域付近を示す模式的平面図である。図２１は、本発明の第２の実施形態の第６の変形例におけるＩＤＴ電極の、第１のエッジ領域付近及び第２のエッジ領域付近を示す模式的平面図である。図２２は、本発明の第２の実施形態の第７の変形例におけるＩＤＴ電極の、第１のエッジ領域付近及び第２のエッジ領域付近を示す模式的平面図である。図２３は、本発明の第３の実施形態におけるＩＤＴ電極の第１の電極パターン付近及び第２の電極パターン付近を示す模式的平面図である。図２４は、本発明の第３の実施形態の第１の変形例におけるＩＤＴ電極の第１の電極パターン付近及び第２の電極パターン付近を示す模式的平面図である。図２５は、本発明の第３の実施形態の第２の変形例におけるＩＤＴ電極の第１の電極パターン付近及び第２の電極パターン付近を示す模式的平面図である。図２６は、本発明の第３の実施形態の第３の変形例におけるＩＤＴ電極の第１の電極パターン付近及び第２の電極パターン付近を示す模式的平面図である。図２７は、本発明の第３の実施形態の第４の変形例におけるＩＤＴ電極の第１の電極パターン付近及び第２の電極パターン付近を示す模式的平面図である。図２８は、本発明の第４の実施形態におけるＩＤＴ電極の構成を説明するための模式的平面図である。図２９は、本発明の第４の実施形態、第１の変形例及び第２の変形例における、ＩＤＴ電極の、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、デューティ比との関係を示す図である。図３０は、本発明の第４の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。図３１は、本発明の第５の実施形態におけるＩＤＴ電極の構成を説明するための模式的平面図である。図３２は、本発明の第５の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。図３３は、本発明の第６の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図３４は、本発明の第６の実施形態におけるＩＤＴ電極の構成を説明するための模式的平面図である。図３５は、本発明の第６の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的平面図である。図３６は、本発明の第７の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図３７は、本発明の第８の実施形態におけるＩＤＴ電極の、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、電極指ピッチの変化率Δｐｉｔｃｈとの関係を示す図である。図３８は、本発明の第９の実施形態におけるＩＤＴ電極の、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、電極指の厚みとの関係を示す図である。図３９は、本発明の第１０の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図４０は、本発明の第１０の実施形態においての、誘電体膜が覆っている第１の曲線領域の励振部における励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、誘電体膜の厚みとの関係を示す図である。図４１は、本発明の第１０の実施形態の変形例においての、誘電体膜が覆っている第１の曲線領域の励振部における励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、誘電体膜の厚みとの関係を示す図である。図４２は、本発明の第１１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図４３は、本発明の第１１の実施形態及び第２の参考例における、インピーダンス周波数特性を示す図である。図４４は、本発明の第１１の実施形態及び第２の参考例における、周波数及びリターンロスの関係を示す図である。図４５は、本発明の第１１の実施形態の第１の変形例及び第２の参考例における、インピーダンス周波数特性を示す図である。図４６は、本発明の第１１の実施形態の第１の変形例及び第２の参考例における、周波数及びリターンロスの関係を示す図である。図４７は、本発明の第１１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図４８は、本発明の第１１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図４９は、本発明の第１１の実施形態の第４の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図５０は、本発明の第１２の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図５１は、本発明の第１２の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図５２は、本発明の第１２の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図５３は、本発明の第１２の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図５４は、本発明の第１３の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。

　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図２は、図１中のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。

　図１及び図２に示すように、弾性波装置１は圧電性基板２を有する。圧電性基板２は圧電性を有する基板である。具体的には、図２に示すように、圧電性基板２は、支持基板４と、中間層５と、圧電体層６とを有する。支持基板４上に中間層５が設けられている。中間層５上に圧電体層６が設けられている。本実施形態においては、中間層５は枠状の形状を有する。すなわち、中間層５は貫通孔を有する。支持基板４は、中間層５の貫通孔の一方を塞いでいる。圧電体層６は中間層５の貫通孔の他方を塞いでいる。これにより、圧電性基板２において中空部２ｃが構成されている。圧電体層６の一部及び支持基板４の一部は、中空部２ｃを挟み互いに対向している。

　支持基板４は、本発明における支持部材である。なお、支持部材は、支持基板４を含む積層体であってもよい。この場合、圧電体層６は、本実施形態と同様に、支持基板４上に、他の層を介して間接的に設けられていてもよい。あるいは、圧電性基板２は、圧電体層６のみからなる基板であってもよい。

　圧電体層６は、第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂを有する。第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂは互いに対向している。第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂのうち第２の主面６ｂが、支持基板４側に位置している。圧電体層６の第１の主面６ａにはＩＤＴ電極８が設けられている。ＩＤＴ電極８の少なくとも一部が、平面視において、中空部２ｃと重なっている。本明細書において平面視とは、図２における上方に相当する方向から見ることをいう。図２においては、例えば、支持基板４側及び圧電体層６側のうち、圧電体層６側が上方である。

　図１に示すように、ＩＤＴ電極８は、１対のバスバーと、複数の電極指とを有する。１対のバスバーは、具体的には、第１のバスバー１４及び第２のバスバー１５である。第１のバスバー１４及び第２のバスバー１５は互いに対向している。複数の電極指は、具体的には、複数の第１の電極指１６及び複数の第２の電極指１７である。複数の第１の電極指１６の一端がそれぞれ、第１のバスバー１４に接続されている。複数の第２の電極指１７の一端がそれぞれ、第２のバスバー１５に接続されている。なお、複数の第１の電極指１６及び複数の第２の電極指１７はそれぞれ、基端部及び先端部を含む。第１の電極指１６の基端部は、第１のバスバー１４に接続されている部分である。第２の電極指１７の基端部は、第２のバスバー１５に接続されている部分である。複数の第１の電極指１６及び複数の第２の電極指１７は、互いに間挿し合っている。以下においては、第１の電極指１６及び第２の電極指１７を、単に電極指と記載することがある。第１のバスバー１４及び第２のバスバー１５を、単にバスバーと記載することがある。

　弾性波装置１のＩＤＴ電極８においては、電極指ピッチは一定である。電極指ピッチとは、隣り合う第１の電極指１６及び第２の電極指１７の中心間距離である。電極指ピッチをｐとしたときに、電極指ピッチｐにより規定される波長λは、λ＝２ｐである。

　ＩＤＴ電極８は、複数の第１の電極パターン１８及び複数の第２の電極パターン１９を有する。より具体的には、複数の第１の電極パターン１８はそれぞれ、第１のバスバー１４と、第２の電極指１７との間に位置している。一方で、複数の第２の電極パターン１９はそれぞれ、第２のバスバー１５と、第１の電極指１６との間に位置している。以下においては、第１の電極パターン１８及び第２の電極パターン１９を、単に電極パターンと記載することがある。

　複数の第１の電極パターン１８はそれぞれ、隣り合う第１の電極指１６の双方に接続されている。複数の第１の電極パターン１８は、平面視において、第１のバスバー１４と平行に延びる矩形の形状を有する。そして、本実施形態では、全ての第１の電極指１６同士の間にそれぞれ、第１の電極パターン１８が設けられている。そのため、ＩＤＴ電極８の構成は、第１のバスバー１４と、第１のバスバー１４以外のバー状電極とにより、全ての第１の電極指１６が接続された構成に相当する。本実施形態では、第１のバスバー１４、複数の第１の電極指１６及び複数の第１の電極パターン１８により、複数の開口部が形成されている。もっとも、複数の第１の電極パターン１８は、第１の電極指１６に接続されていなくともよい。

　複数の第２の電極パターン１９はそれぞれ、隣り合う第２の電極指１７の双方に接続されている。複数の第２の電極パターン１９は、平面視において、第２のバスバー１５と平行に延びる矩形の形状を有する。本実施形態では、全ての第２の電極指１７同士の間にそれぞれ、第２の電極パターン１９が設けられている。そして、第２のバスバー１５、複数の第２の電極指１７及び複数の第２の電極パターン１９により、複数の開口部が形成されている。もっとも、複数の第２の電極パターン１９は、第２の電極指１７に接続されていなくともよい。

　図１に示すように、各第１の電極パターン１８は、ギャップを隔てて第１のバスバー１４と対向している。また、各第２の電極パターン１９は、ギャップを隔てて第２のバスバー１５と対向している。

　弾性波装置１においては、全ての第１の電極パターン１８はそれぞれ、ギャップを隔てて第２の電極指１７の先端部と対向している。全ての第２の電極パターン１９はそれぞれ、ギャップを隔てて第１の電極指１６の先端部と対向している。なお、複数の電極指のうち、少なくとも１本の第１の電極指１６の先端部または少なくとも１本の第２の電極指１７の先端部が、本発明における電極パターンと対向していればよい。

　具体的には、少なくとも１本の第１の電極指１６の先端部が第２の電極パターン１９と対向している構成、及び少なくとも１本の第２の電極指１７の先端部が第１の電極パターン１８と対向している構成のうち、少なくとも一方を有していればよい。例えば、第１の電極パターン１８は、少なくとも隣り合う１組の第１の電極指１６同士の間に設けられていればよい。少なくとも１つの第１の電極パターン１８が、少なくとも１本の第２の電極指１７と対向していればよい。あるいは、例えば、第２の電極パターン１９は、少なくとも隣り合う１組の第２の電極指１７同士の間に設けられていればよい。少なくとも１つの第２の電極パターン１９が、少なくとも１本の第１の電極指１６と対向していればよい。

　複数の第２の電極指１７の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第１の包絡線Ｅ１、複数の第１の電極指１６の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第２の包絡線Ｅ２とする。第１の包絡線Ｅ１及び第２の包絡線Ｅ２の間の領域が交叉領域Ｄである。より具体的には、複数の電極指のうち、複数の電極指が並ぶ方向における一方端の電極指と、他方端の電極指と、第１の包絡線Ｅ１と、第２の包絡線Ｅ２とに囲まれた領域が、交叉領域Ｄである。よって、第１の包絡線Ｅ１は、交叉領域Ｄの第１のバスバー１４側の端縁部に相当する。第２の包絡線Ｅ２は、交叉領域Ｄの第２のバスバー１５側の端縁部に相当する。交叉領域Ｄにおいては、電極指が並ぶ方向、つまり、第１の包絡線Ｅ１または第２の包絡線Ｅ２が延びる方向から見たときに、隣り合う電極指同士が重なり合っている。本発明における電極パターンは、第１のバスバー１４と交叉領域Ｄとの間、及び第２のバスバー１５と交叉領域Ｄとの間のうち、少なくとも一方に設けられていればよい。

　本実施形態においては、平面視における複数の第１の電極指１６及び複数の第２の電極指１７の形状は、２つの円弧が接続された形状を含む。より具体的には、中心が互いに異なる位置であり、かつ半径が同じである２つの円の円弧が接続された形状を含む。上記２つの円の中心同士は、ＩＤＴ電極８を挟み互いに対向している。もっとも、複数の電極指の形状は上記に限定されない。平面視における複数の電極指の形状が、交叉領域Ｄにおいて、曲線状の形状を含んでいればよい。

　本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。１）平面視における複数の第１の電極指１６及び複数の第２の電極指１７の形状がそれぞれ、交叉領域Ｄにおいて、曲線状の部分を含むこと。２）複数の電極指のうち、電極パターンと対向している電極指の先端部と、該電極パターンとの間の距離が、０．５λ以下であること。それによって、Ｑ値を高めることができる。以下において、ＩＤＴ電極８の構成の詳細と共に、上記効果の詳細を説明する。

　図１に示すように、複数の第１の電極指１６及び複数の第２の電極指１７の平面視における形状はそれぞれ、変曲点を有する。本明細書において、変曲点は、互いに異なる曲線同士が接続されている点、または曲線と直線とが接続されている点である。変曲点において、互いに異なる曲線同士が接続されている場合、曲線状の形状の方向が、変曲点を境界として、異なっている。曲線状の形状の方向が互いに異なるとは、例えば、曲線状の形状において、曲がる方向が互いに異なることをいう。より具体的には、例えば、図１における左方向に凸となるように曲がっている場合と、右方向に凸となるように曲がっている場合とは、曲線状の形状の方向が互いに異なる。本実施形態においては、変曲点を境界として、２つの曲線状の形状が、互いに反転している。

　図３は、第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の構成を説明するための模式的平面図である。なお、図３においては、後述する各曲線領域を、ハッチングを付して示す。

　上記のように、複数の電極指の平面視における形状はそれぞれ、２つの円弧が接続された形状である。平面視において、複数の電極指の形状におけるそれぞれの一方の円弧は、複数の同心円におけるそれぞれの円弧である。そのため、複数の電極指の形状における円弧を含む円の中心は一致している。本実施形態においては、これらの円の中心を定点Ｃ１とする。平面視において、複数の電極指の形状におけるそれぞれの他方の円弧も、複数の同心円におけるそれぞれの円弧である。これらの円の中心を定点Ｃ２とする。このように、本実施形態では、２つの定点Ｃ１及び定点Ｃ２が定義される。定点Ｃ１及び定点Ｃ２は、ＩＤＴ電極８を挟み互いに対向している。

　電極指の平面視における形状が、定点Ｃ１及び定点Ｃ２のうち、いずれの定点を中心とする弧であるかにより、曲線状の形状の方向を定義することができる。もっとも、ＩＤＴ電極８の形状は、３つ以上の定点が定義される形状であってもよい。

　なお、複数の電極指の平面視における形状は、楕円弧を含んでいてもよい。この場合、定点は、該楕円弧が含まれる楕円の２つの焦点の中点である。言い換えれば、定点は、該楕円の２つの焦点の重心である。あるいは、例えば、複数の電極指の平面視における形状の、互いに異なる曲線状の部分が、円弧と楕円弧との組み合わせであってもよい。

　ここで、平面視における複数の電極指の形状の楕円係数をα２／α１とする。本実施形態においては、各電極指の形状は２つの円弧を含むため、２つの楕円係数α２／α１を定義することができる。具体的には、複数の電極指の形状における、定点Ｃ１を基準とする円または楕円の楕円係数をα１２／α１１とし、定点Ｃ２を基準とする円または楕円の楕円係数をα２２／α２１とする。本実施形態における楕円係数α１２／α１１及びα２２／α２１の双方は１である。なお、複数の電極指の形状における弧を含む形状が楕円である場合、楕円係数α１２／α１１及びα２２／α２１は１以外となる。α１、すなわちα１１及びα２１は、該楕円の長軸及び短軸のうち、交叉領域Ｄを通る軸の方向に沿う寸法に相当する。α２、すなわちα１２及びα２２は、該楕円の長軸及び短軸のうち、交叉領域Ｄを通らない軸の方向に沿う寸法に相当する。

　なお、ｒ１を任意の定数としたときに、ｘｙ平面における楕円係数の式として、（ｘ／α１１）^２＋（ｙ／α１２）^２＝ｒ１^２として表わすことができる。同様に、ｒ２を任意の定数としたときに、ｘｙ平面における楕円係数の式として、（ｘ／α２１）^２＋（ｙ／α２２）^２＝ｒ２^２として表わすことができる。

　図３に示すように、交叉領域Ｄは、複数の曲線領域を含む。具体的には、本実施形態では、複数の曲線領域は第１の曲線領域Ｗ１及び第２の曲線領域Ｗ２である。第１の曲線領域Ｗ１は第１の包絡線Ｅ１を含む。第２の曲線領域Ｗ２は第２の包絡線Ｅ２を含む。各曲線領域においては、平面視における複数の第１の電極指１６及び複数の第２の電極指１７の形状がそれぞれ、単一の円弧または楕円弧の形状である。互いに異なる曲線領域同士の境界線は、各電極指の変曲点同士を接続した線に相当する。図３に示す第１の曲線領域Ｗ１及び第２の曲線領域Ｗ２の境界線Ｏは直線状である。そして、境界線Ｏの延長線は、定点Ｃ１及び定点Ｃ２を通る。もっとも、本実施形態におけるＩＤＴ電極８の形態は一例であって、境界線Ｏの延長線は、定点Ｃ１及び定点Ｃ２を通らなくともよい。

　ＩＤＴ電極８に交流電圧を印加することにより、交叉領域Ｄにおいて弾性波が励振される。なお、交叉領域Ｄにおける第１の曲線領域Ｗ１は、定点Ｃ１を通る無数の直線上に位置するそれぞれの部分を有する。図３には、定点Ｃ１及び第１の曲線領域Ｗ１を通る無数の直線のうちの一例として、直線Ｍ１が示されている。例えば、第１の曲線領域Ｗ１における直線Ｍ１上に位置する部分において、弾性波が励振される。定点Ｃ１及び第１の曲線領域Ｗ１を通る、図示しない無数の直線上に位置する部分においてもそれぞれ、弾性波が励振される。すなわち、弾性波装置１は、直線Ｍ１上に位置する励振部、及び他の図示しない無数の直線上に位置する励振部を有する。

　交叉領域Ｄにおける第２の曲線領域Ｗ２も同様に、無数の励振部を有する。第２の曲線領域Ｗ２における励振部は、定点Ｃ２を通る直線上に位置する。図３には、定点Ｃ２及び第２の曲線領域Ｗ２を通る無数の直線のうちの一例として、直線Ｍ２が示されている。

　第１の包絡線Ｅ１の延長線は、定点Ｃ１を通る。弾性波装置１においては、第１の包絡線Ｅ１と、第１の包絡線Ｅ１の延長線とを含む直線を、第１の曲線領域Ｗ１における基準線Ｎ１とする。そして、定点Ｃ１及び第１の曲線領域Ｗ１における励振部を通る直線と、基準線Ｎ１とがなす角の角度を、第１の曲線領域Ｗ１における角度θ_Ｃ１とする。図３においては、一例として、直線Ｍ１上に位置する励振部の角度θ_Ｃ１を示している。なお、第１の包絡線Ｅ１において、角度θ_Ｃ１が０°である。

　一方で、第２の包絡線Ｅ２の延長線は、定点Ｃ２を通る。第２の包絡線Ｅ２と、第２の包絡線Ｅ２の延長線とを含む直線を、第２の曲線領域Ｗ２における基準線Ｎ２とする。定点Ｃ２及び第２の曲線領域Ｗ２における励振部を通る直線と、基準線Ｎ２とがなす角の角度を、第２の曲線領域Ｗ２における角度θ_Ｃ２とする。図３においては、一例として、直線Ｍ２上に位置する励振部の角度θ_Ｃ２を示している。なお、第２の包絡線Ｅ２において、角度θ_Ｃ２が０°である。

　本明細書においては、特に断りのない場合、角度θ_Ｃ１の正の方向を、平面視したときの反時計回りの方向とする。より具体的には、第２のバスバー１５側から第１のバスバー１４側に向かう方向が上記正の方向である。角度θ_Ｃ２の正の方向も、平面視したときの反時計回りの方向とする。

　ところで、弾性波が励振される方向は、以下の３種の方向のうちいずれかである。第１種目の方向としては、電極指が延びる方向と垂直な方向である。第２種目の方向としては、隣接する電極指間の最短距離を結ぶ方向である。第３種目の方向としては、電極指間に生じる電界ベクトルと平行な方向である。

　なお、各電極指は、平面視において、基端部及び先端部を接続している１対の端縁部を含む。そして、両端縁部は曲線状の形状を有する。本明細書においては、特に断りのない限り、電極指が延びる方向は以下の通りである。まず、電極指の任意の部分において、両端縁部を結ぶように、本発明における基準線と平行な仮想線を引いた場合、該仮想線上に位置する部分の重心を、該仮想線における代表点とする。電極指には、無数の仮想線を引くことができ、無数の代表点が存在する。これらの代表点同士を結んだ曲線の接線が延びる方向を、電極指が延びる方向とする。電極指における位置毎に、電極指が延びる方向は異なることとなる。本実施形態のように、曲線領域毎に異なる基準線を有する場合には、仮想線を引く曲線領域の基準線を、該仮想線が延びる方向とすればよい。

　図４に示す、従来の弾性波装置２０１では、弾性波の励振方向は、上記における３種の方向のいずれにおいても同一の方向となる。一方で、図３に示す本実施形態では、各曲線領域において、平面視における電極指の形状は、各定点を中心とする円弧である。この場合には、弾性波が励振される方向は、上記における第１種目の方向である。すなわち、弾性波が励振される方向は、電極指が延びる方向と垂直の方向により表される。

　定点Ｃ１及び第１の曲線領域Ｗ１の励振部を通る直線、並びに電極指の交点における弾性波の励振方向と、基準線Ｎ１とがなす角の角度を励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}とする。一方で、定点Ｃ２及び第２の曲線領域Ｗ２の励振部を通る直線、並びに電極指の交点における弾性波の励振方向と、基準線Ｎ２とがなす角の角度を励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}とする。励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}の正負の方向は、それぞれ角度θ_Ｃ１及び角度θ_Ｃ２の正負の方向と同じ方向とする。

　ここで、第１の曲線領域Ｗ１の励振部における角度θ_Ｃ１と励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}とは略一致している。以下においては、角度θ_Ｃ１及び励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}のうち、いずれか一方の角度を取り上げて、本発明の構成の詳細などを記載することがある。もっとも、角度θ_Ｃ１及び励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}の間には、作用及び効果を覆すような影響を及ぼす程の差はないことを指摘しておく。第２の曲線領域Ｗ２の励振部における角度θ_Ｃ２と、励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}との間の関係も同様である。なお、各曲線領域において、電極指の平面視における形状が円弧であり、楕円係数α２／α１が１である場合には、角度θ_Ｃ１及び励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}は等しくなる。同様に、角度θ_Ｃ２及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}は等しくなる。

　各曲線領域において、第１のバスバー１４側の端縁部、及び定点Ｃ１を通る直線と、第２のバスバー１５側の端縁部、及び定点Ｃ２を通る直線とがなす角の角度を、交叉角度とする。なお、第１の曲線領域Ｗ１における交叉角度をθ_{Ｃ１＿ＡＰ}、第２の曲線領域Ｗ２における交叉角度をθ_{Ｃ２＿ＡＰ}とする。より具体的には、本実施形態では、第１の曲線領域Ｗ１における第１のバスバー１４側の端縁部及び定点Ｃ１を通る直線は、第１の包絡線Ｅ１及び定点Ｃ１を通る直線である基準線Ｎ１である。一方で、上記のように、第１の曲線領域Ｗ１及び第２の曲線領域Ｗ２の境界線Ｏの延長線は、定点Ｃ１及び定点Ｃ２を通る。よって、第１の曲線領域Ｗ１における第２のバスバー１５側の端縁部、及び定点Ｃ１を通る直線は、境界線Ｏを含む直線である。従って、第１の曲線領域Ｗ１における交叉角度θ_{Ｃ１＿ＡＰ}は、基準線Ｎ１と、境界線Ｏを含む直線とがなす角の角度である。この場合、０≦θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}≦θ_{Ｃ１＿ＡＰ}である。

　他方、第２の曲線領域Ｗ２における交叉角度θ_{Ｃ２＿ＡＰ}は、基準線Ｎ２と、境界線Ｏを含む直線とがなす角の角度である。この場合、０≦θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}≦θ_{Ｃ２＿ＡＰ}である。弾性波装置１においては、第１の曲線領域Ｗ１の交叉角度θ_{Ｃ１＿ＡＰ}及び第２の曲線領域Ｗ２の交叉角度θ_{Ｃ２＿ＡＰ}は同じである。もっとも、第１の曲線領域Ｗ１の交叉角度θ_{Ｃ１＿ＡＰ}及び第２の曲線領域Ｗ２の交叉角度θ_{Ｃ２＿ＡＰ}は互いに異なっていてもよい。

　上述したように、弾性波装置１のＩＤＴ電極８においては、電極指ピッチは一定である。そのため、ＩＤＴ電極８における波長λは、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}よらず一定である。

　弾性波装置１の圧電体層６の材料としては、圧電単結晶が用いられている。圧電体層６において、伝搬軸は弾性波が伝搬する軸である。伝搬軸が延びる方向はＸ伝搬の方向である。本実施形態では、交叉領域Ｄ及び定点Ｃ１または定点Ｃ２を通る直線のうち、伝搬軸と平行に延びる直線が基準線Ｎ１及び基準線Ｎ２である。もっとも、基準線Ｎ１及び基準線Ｎ２は、必ずしも伝搬軸と平行に延びていなくともよい。

　なお、伝搬軸が延びる方向は、Ｘ伝搬の方向だけでなく、９０°Ｘ伝搬の方向、あるいは、ＩＤＴ電極８の電極指が延びる方向のうちいずれかに対して垂直となる方向であってもよい。

　図１に示すように、圧電体層６上には１対の反射器９Ａ及び反射器９Ｂが設けられている。反射器９Ａ及び反射器９Ｂは、ＩＤＴ電極８の複数の電極指が並んでいる方向において、ＩＤＴ電極８を挟み互いに対向している。反射器９Ａは複数の反射器電極指９ａを有する。反射器９Ｂは複数の反射器電極指９ｂを有する。平面視における、反射器９Ａの複数の反射器電極指９ａの形状、及び反射器９Ｂの複数の反射器電極指９ｂの形状はそれぞれ、曲線状の形状を含む。

　より具体的には、本実施形態では、平面視における、反射器９Ａの複数の反射器電極指９ａの形状、及び反射器９Ｂの複数の反射器電極指９ｂの形状はそれぞれ、２つの円弧が接続された形状である。平面視において、複数の反射器電極指９ａの形状におけるそれぞれの一方の円弧は、定点Ｃ１を中心とする複数の同心円におけるそれぞれの円弧である。平面視において、複数の反射器電極指９ａの形状におけるそれぞれの他方の円弧は、定点Ｃ２を中心とする複数の同心円におけるそれぞれの円弧である。複数の反射器電極指９ｂの形状も同様である。各反射器電極指の形状は、励振部におけるＩＤＴ電極８の電極指の形状と対応している。なお、各反射器電極指の平面視における形状は、励振部におけるＩＤＴ電極８の電極指の形状と対応しない曲線あるいは直線の形状であってもよい。

　以下において、第１の実施形態の、Ｑ値を高めることができる効果を示す。この効果を、第１の実施形態と、第１の参考例及び第２の参考例とを比較することにより示す。

　図５に示す第１の参考例の弾性波装置２０２は、本発明における電極パターンを有しない点、及び複数の第１のオフセット電極２２及び複数の第２のオフセット電極２３を有する点において、第１の実施形態の弾性波装置１と異なる。

　より具体的には、弾性波装置２０２においては、複数の第１のオフセット電極２２の一端がそれぞれ、第１のバスバー１４に接続されている。第１の電極指１６及び第１のオフセット電極２２は、交互に並んでいる。複数の第２のオフセット電極２３の一端がそれぞれ、第２のバスバー１５に接続されている。第２の電極指１７及び第２のオフセット電極２３は交互に並んでいる。

　複数の電極指と同様に、複数の第１のオフセット電極２２及び複数の第２のオフセット電極２３はそれぞれ、基端部及び先端部を含む。第１の電極指１６及び第１のオフセット電極２２の基端部は、第１のバスバー１４に接続されている部分である。第２の電極指１７及び第２のオフセット電極２３の基端部は、第２のバスバー１５に接続されている部分である。第１の電極指１６の先端部と、第２のオフセット電極２３の先端部とがギャップを隔てて対向している。一方で、第２の電極指１７の先端部と、第１のオフセット電極２２の先端部とが、ギャップを隔てて対向している。以下においては、第１のオフセット電極２２及び第２のオフセット電極２３を、単にオフセット電極と記載することがある。

　図６に示す第２の参考例の弾性波装置３０１は、本発明における電極パターンを有しない点において第１の実施形態の弾性波装置１と異なる。なお、当該比較に係る第１の実施形態の弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。ここで、電極パターンと対向している電極指の先端部と、該電極パターンとの間の距離をＩ－Ｐギャップとする。電極パターンとバスバーとの間の距離をＢ－Ｐギャップとする。電極パターンが延びる方向と直交する方向に沿う電極パターンの寸法を、電極パターンの幅とする。

　支持基板４；材料…Ｓｉ、面方位…（１１１）、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるψ…７３°
　中間層５；材料…ＳｉＯ_２、厚み…０．１５λ
　圧電体層６；材料…回転Ｙカット５５°Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３、厚み…０．２λ
　ＩＤＴ電極８；材料…Ａｌ、厚み…０．０５λ、
　電極指の形状における楕円係数α１２／α１１；１
　電極指の形状における楕円係数α２２／α２１；１
　波長λ；２μｍ
　ＩＤＴ電極８の電極指の対数；１００対
　デューティ比；角度θ_Ｃ１及び角度θ_Ｃ２が０°である励振部において０．５
　交叉角度θ_{Ｃ１＿ＡＰ}；１０°
　交叉角度θ_{Ｃ２＿ＡＰ}；１０°
　Ｉ－Ｐギャップ；０．１３５λ
　第１の電極パターン１８及び第２の電極パターン１９の幅；０．２λ
　Ｂ－Ｐギャップ；３．２λ
　反射器９Ａ及び反射器９Ｂ；反射器電極指の対数…２０対

　第１の参考例及び第２の参考例の弾性波装置の設計パラメータは、電極パターンに関するパラメータ以外は、上記弾性波装置１の設計パラメータと同様である。なお、第１の参考例においては、オフセット電極の、基端部及び先端部を結ぶ方向に沿う寸法をオフセット電極の長さとしたときに、各オフセット電極の長さは３．５λである。第２の参考例においては、電極指とバスバーとの間の距離は、３．５λである。

　第１の実施形態、第１の参考例及び第２の参考例の各弾性波装置のインピーダンス周波数特性、並びに周波数及びＱ値の関係を求めた。

　図７は、第１の実施形態、第１の参考例及び第２の参考例における、インピーダンス周波数特性を示す図である。図８は、第１の実施形態、第１の参考例及び第２の参考例における、周波数及びＱ値の関係を示す図である。なお、図７及び図８に示されているｆｒは共振周波数であり、ｆａは反共振周波数である。

　図７に示すように、第１の参考例及び第２の参考例においては、インピーダンス周波数特性はほぼ変わらない。一方で、第１の実施形態においては、第１の参考例及び第２の参考例よりも、インピーダンス比が大きくなっていることがわかる。

　図８に示すように、第１の実施形態においては、第１の参考例及び第２の参考例よりもＱ値が高いことがわかる。具体的には、第１の実施形態では、特に反共振周波数付近においてＱ値が高い。これにより、第１の実施形態において、反共振周波数におけるインピーダンスが高くなっている。この結果、第１の実施形態におけるインピーダンス比を大きくすることができている。

　弾性波のエネルギーの漏洩は、例えば、モードの変換に伴い生じる。例えば、弾性波の主モードとしてＳＨ波が用いられている場合、ＳＨ波からレイリー波、またはＳＨ波からバルク波に変換されることにより、弾性波のエネルギーが漏洩する。このような漏洩は、交叉領域側からバスバー側に向かって生じる。

　第１の参考例においては、オフセット電極により、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することを図っている。しかしながら、第１の参考例では、該漏洩を十分に抑制することはできていない。第２の参考例においては、オフセット電極が設けられていないため、第１の参考例よりも、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することはできていない。そのため、第１の参考例及び第２の参考例においては、Ｑ値を十分に高めることができていない。

　これらに対して、図１に示す第１の実施形態においては、第１のバスバー１４及び第２の電極指１７の間に第１の電極パターン１８が設けられている。同様に、第２のバスバー１５及び第１の電極指１６の間に第２の電極パターン１９が設けられている。加えて、電極パターンと対向している電極指の先端部と、該電極パターンとの間の距離であるＩ－Ｐギャップが、０．５λ以下とされている。それによって、モードの変換に伴う、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができる。

　加えて、第１の実施形態においては、複数の第１の電極パターン１８が、ギャップを隔てて第１のバスバー１４と対向している。そして、交叉領域Ｄにおいては、第１の電極指１６及び第２の電極指１７が交互に並んでいる一方で、複数の第１の電極パターン１８よりも第１のバスバー１４側の領域においては、第１の電極指１６及び第２の電極指１７のうち、第１の電極指１６のみが設けられている。これにより、複数の第１の電極パターン１８及び第１のバスバー１４の間の領域において、高音速領域が構成されている。高音速領域とは、音速が中央領域における音速よりも高い領域である。中央領域は、交叉領域Ｄにおける中央に位置する領域である。中央領域の詳細は後述する。複数の第２の電極パターン１９及び第２のバスバー１５の間の領域においても、高音速領域が構成されている。

　第１のバスバー１４側及び第２のバスバー１５側において高音速領域が配置されていることにより、弾性波のエネルギーを効果的に交叉領域Ｄ側に閉じ込めることができる。従って、第１の実施形態においては、Ｑ値を効果的に高めることができる。

　なお、Ｉ－Ｐギャップが０．５λを超える場合には、交叉領域外へのエネルギーの漏洩が生じ始める。Ｉ－Ｐギャップが１λを越えると、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制する効果を得られなくなる。一方で、Ｉ－Ｐギャップの値が小さいほど、Ｑ値が高くなり、インピーダンス比が大きくなることがわかっている。そして、Ｉ－Ｐギャップが０．５λ以下である場合には、Ｑ値及びインピーダンス比はほぼ変わらなくなる。よって、本発明のように、Ｉ－Ｐギャップが０．５λ以下であることにより、Ｑ値を効果的に高めることができ、インピーダンス比を大きくすることができる。

　以下において、本実施形態のさらなる詳細を説明する。

　第１の曲線領域Ｗ１では、基準線Ｎ１が通る励振部においては、角度θ_Ｃ１及び励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}は０°である。第２の曲線領域Ｗ２では、基準線Ｎ２が通る励振部においては、角度θ_Ｃ２及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}は０°である。各曲線領域のそれぞれの励振部間においては、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}または励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}が互いに異なるため、弾性波の伝搬特性が互いに異なる。これに対して、本実施形態では、全ての励振部の共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致するように、複数の励振部間において、デューティ比が互いに異ならされている。なお、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜または｜θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}｜が同じ励振部間においては、デューティ比は同じである。ＩＤＴ電極８が上記のように構成されているため、共振特性が劣化し難い。もっとも、デューティ比は一定であっても構わない。

　本明細書において、一方の周波数及び他方の周波数が略一致しているとは、双方の周波数の差の絶対値が、基準周波数に対して１０％以下であることをいう。なお、基準周波数とは、励振角度が０°のときの周波数のことである。交叉領域Ｄにおいて、主モードの最も高い共振周波数、及び最も低い共振周波数の差の絶対値が、基準周波数に対して２％以下であることが好ましく、１％以下であることがより好ましい。あるいは、交叉領域Ｄにおいて、主モードの最も高い反共振周波数、及び最も低い反共振周波数の差の絶対値が、基準周波数に対して２％以下であることが好ましく、１％以下であることがより好ましい。それによって、共振特性をより一層確実に良好にすることができる。

　第１の実施形態では、弾性波の伝搬特性が、各励振部において互いに異なることを利用することによって、不要波の抑制などの効果を得る。この詳細を以下において説明する。

　弾性波の位相速度は各曲線領域における励振角度に対する依存性を有し、基板の構成に応じて固有の特性を示す。なお、位相速度の逆数は、逆速度面に相当する。よって、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}と位相速度との関係は、圧電性基板の逆速度面と概ね等しい。そこで、層構成が互いに異なる圧電性基板の逆速度面の例を示す。一方の圧電性基板は、回転Ｙカット４２°Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３（ＬＴ）のみからなる基板である。この基板を第１の圧電性基板とする。他方の圧電性基板は、圧電体層／支持基板の貼り合せ基板である。この基板を第２の圧電性基板とする。第２の圧電性基板は、より具体的には、面方位が（１００）であるシリコン基板、酸化ケイ素膜及びタンタル酸リチウム層がこの順序において積層された基板である。シリコン基板の面方位が（１１０）あるいは（１１１）などのその他の面方位であっても、逆速度面の凹凸の形状は変わらない。

　図９は、第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板を伝搬する弾性波の逆速度面を示す図である。

　図９に示すｘ軸は、伝搬軸に平行であるときの結果に相当する。すなわち、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}が０°であるときの結果に相当する。第１の圧電性基板及び第２の圧電性基板における逆速度面は、いずれもｘ軸を対称軸とする線対称である。第１の圧電性基板における逆速度面は凹状の形状である。一方で、第２の圧電性基板における逆速度面は凸状の形状である。このように、基板を伝搬する弾性波の励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}に対する依存性は、基板の構成によって異なることがわかる。さらに、弾性波のモードが異なる場合には、同じ基板における励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}に対する依存性は異なる。これを図１０により示す。

　図１０は、第１の圧電性基板における、縦波、速い横波、遅い横波の逆速度面を示す図である。

　図１０に示すように、３種の弾性波のモードである、縦波、速い横波及び遅い横波の逆速度面は、互いに異なる。図１０中の矢印Ｌ１及びＬ２を通る部分はそれぞれ、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}が０°以外である場合の結果の例に相当する。矢印Ｌ１を通る部分における遅い横波及び速い横波の逆速度面の間隔と、矢印Ｌ２を通る部分における遅い横波及び速い横波の逆速度面の間隔とは互いに異なる。同様に、矢印Ｌ１を通る部分における速い横波及び縦波の逆速度面の間隔と、矢印Ｌ２を通る部分における速い横波及び縦波の逆速度面の間隔とは互いに異なる。すなわち、各曲線領域において、励振角度が互いに異なる励振部同士においては、異なるモード同士の逆速度面の間隔が異なる。これは、弾性波装置において利用する主モードと、不要波との関係でも同様である。

　この場合において、第１の実施形態の弾性波装置１では、主モードの共振周波数同士または反共振周波数同士を、全ての励振部において略一致させている。そのため、異なる励振部同士においては、不要波の周波数同士が互いに異なることとなる。それによって、通過帯域外の不要波が分散される。従って、通過帯域外の不要波を抑制することができる。本明細書において、弾性波装置における通過帯域外とは、共振周波数よりも低域側、及び反共振周波数よりも高域側をいう。

　なお、第１の実施形態においては、各励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致しているため、主モードが好適に励振される。よって、共振特性の劣化をより確実に抑制することができる。

　加えて、図３に示すように、第１の実施形態においては、交叉領域Ｄが第１の曲線領域Ｗ１及び第２の曲線領域Ｗ２を有する。それによって、弾性波装置１のいずれの位置においても、交叉角度を効果的に大きくすることができる。より具体的には、各電極指が、第１の曲線領域Ｗ１に位置する部分、及び第２の曲線領域Ｗ２に位置する部分を有する。よって、各電極指が位置する部分における交叉角度は、第１の曲線領域Ｗ１における交叉角度θ_{Ｃ１＿ＡＰ}と、第２の曲線領域Ｗ２における交叉角度θ_{Ｃ２＿ＡＰ}との合計に相当する。そのため、交叉領域Ｄのいずれの位置においても、励振角度の範囲が広い。これにより、通過帯域外の不要波及び横モードを効果的に分散させることができる

　上記のように、位相速度は、逆速度面の逆数に相当する。よって、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}と位相速度との関係は、図１０に示すような、圧電性基板のＸＹ面内の逆速度面と概ね等しい。すなわち、電極指の曲線状の形状を表す関数は、圧電性基板のＸＹ面内の逆速度面の形状によって決められるといえる。弾性波の位相速度は励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}に対する依存性を有する。

　第１の実施形態では、デューティ比を、各曲線領域において、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}または励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}に応じて変化させることにより、全ての励振部の共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させている。第１の実施形態における、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及びデューティ比の関係を、図１１により示す。なお、デューティ比の最大値が第１の実施形態と異なる例も、第１の実施形態の第１の変形例及び第２の変形例として、併せて示す。

　図１１は、第１の実施形態、第１の変形例及び第２の変形例における、ＩＤＴ電極の、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、デューティ比との関係を示す図である。

　第１の実施形態においては、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}が０°である場合に、デューティ比が最大値とされている。なお、第１の実施形態においては、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}が０°のとき、デューティ比は０．５である。そして、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほど、デューティ比が小さい。これにより、第１の曲線領域における全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。

　第１の変形例及び第２の変形例においても、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほど、デューティ比が小さい。なお、第１の変形例においては、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}が０°のとき、デューティ比は０．６４である。第２の変形例においては、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}が０°のとき、デューティ比は０．４２５である。第１の変形例及び第２の変形例においても、第１の曲線領域における全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。なお、第１の実施形態、第１の変形例及び第２の変形例においては、第２の曲線領域における励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}｜とデューティ比との関係も、図１１に示す関係と同様とされている。よって、第２の曲線領域における全ての励振部においても、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。

　第１の変形例及び第２の変形例においては、デューティ比以外の点では、第１の実施形態と同様に構成されている。よって、Ｑ値を高めることができる。

　なお、圧電性基板の逆速度面によって、デューティ比と各モードの周波数との関係は異なる。よって、圧電性基板の構成や、圧電性基板上の構成によっては、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜及び｜θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほどデューティ比が大きいときに、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致する場合もある。この例としては、回転Ｙカット－４°Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ_３のみからなる基板上に設けられたＩＤＴ電極を、厚みが厚いＳｉＯ_２膜に埋め込んだ弾性波装置などを挙げることができる。あるいは、基準線Ｎ１が通る、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}が０°である励振部において、デューティ比が最大または最小とは、必ずしもならない。同様に、基準線Ｎ２が通る、励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}が０°である励振部において、デューティ比が最大または最小とは、必ずしもならない。

　第１の実施形態では、デューティ比を、各曲線領域において、角度θ_Ｃ１または励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}、あるいは角度θ_Ｃ２または励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}に応じて変化させることにより、全ての励振部の共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させている。なお、本発明においては、デューティ比などのパラメータの設定は特に限定されない。もっとも、デューティ比、電極指ピッチ、並びに複数の第１の電極指１６及び複数の第２の電極指１７の厚みのうち少なくともいずれかが、角度θ_Ｃ１または励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}、あるいは角度θ_Ｃ２または励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}に応じて変化していることが好ましい。これらのパラメータのうち少なくともいずれかが、各曲線領域の全ての励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、上記角度あるいは上記励振角度に応じて変化していることが好ましい。それによって、共振特性をより確実に高めることができる。

　あるいは、圧電性基板２内の中間層５の厚みなどが周波数に影響する場合、該パラメータを、各曲線領域において、上記角度あるいは上記励振角度に応じて変化させてもよい。圧電性基板２上に、ＩＤＴ電極８を覆うように誘電体膜が設けられている場合には、誘電体膜の厚みを、各曲線領域において、上記角度あるいは上記励振角度に応じて変化させてもよい。上記のＩＤＴ電極８またはＩＤＴ電極８以外のパラメータのうち複数のパラメータを、各曲線領域において、上記角度あるいは上記励振角度に応じて変化させてもよい。これらの場合においても、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させることができる。

　各反射器の反射器電極指ピッチあるいはデューティ比などのパラメータは、励振部におけるＩＤＴ電極８の電極指のパラメータと異なっていてもよい。なお、反射器電極指ピッチとは、隣り合う反射器電極指同士の中心間距離である。各反射器電極指は、励振部におけるＩＤＴ電極８の電極指の形状と異なるパターンにより構成されていてもよい。

　ところで、弾性波装置１においては、複数の電極指の平面視における形状は、２つの円弧が接続された形状を含む。もっとも、これに限定されるものではない。図１２に示す第１の実施形態の第３の変形例では、ＩＤＴ電極８Ａにおいては、複数の電極指の平面視における形状は、２つの楕円弧が接続された形状を含む。

　なお、本変形例においても、ＩＤＴ電極８Ａの交叉領域Ｄは第１の曲線領域Ｗ１及び第２の曲線領域Ｗ２を含む。第１の曲線領域Ｗ１においては、複数の電極指の平面視における形状はそれぞれ、重心が同じ位置である複数の楕円におけるそれぞれの楕円弧に相当する形状である。そして、焦点Ａ１及び焦点Ｂ１の中点が定点Ｃ１である。言い換えれば、定点Ｃ１は、焦点Ａ１及び焦点Ｂ１の重心である。なお、焦点Ａ１及び焦点Ｂ１の重心は、焦点Ａ１及び焦点Ｂ１を有する楕円の重心であるともいえる。第２の曲線領域Ｗ２においても同様である。そして、焦点Ａ２及び焦点Ｂ２の中点が定点Ｃ２である。言い換えれば、定点Ｃ２は、焦点Ａ２及び焦点Ｂ２の重心である。複数の電極指の平面視における形状の楕円係数α１／α２としてのα１２／α１１及びα２２／α２１は、１以外である。

　本変形例においても、第１の実施形態と同様に、複数の第１の電極パターン１８及び複数の第２の電極パターン１９が設けられている。それによって、Ｑ値を高くすることができる。

　第１の実施形態及びその各変形例におけるＩＤＴ電極の形態はそれぞれ、本発明における一例である。本発明においては、例えば、ＩＤＴ電極の形状は、３つ以上の定点が定義される形状であってもよい。各電極指は複数の変曲点を有していてもよい。交叉領域において、各電極指の平面視における形状が、曲線状の形状と共に、直線状の形状を含んでいてもよい。

　本発明においては、基準線は、上記定点を必ずしも通らなくともよい。基準線は、各電極指の平面視における形状の、曲線の局所的な領域において、それぞれ個別に定義することができる。この場合、基準線は、上記定点以外の原点を有する。もっとも、本発明に係る弾性波装置において、原点が互いに異なる複数の基準線が定義される場合においても、複数の基準線が延びる方向は平行であることが好ましい。

　第１の実施形態においては、各電極指の幅が連続的に変化している。もっとも、各電極指の幅は不連続的に変化していてもよい。この場合、例えば、各電極指が、複数の部分が接続された構成に相当する構成を有し、かつ異なる部分同士が接続された接続部において、接続された部分同士の幅が互いに異なっていればよい。

　なお、図７及び図８に示した比較に係る弾性波装置１の設計パラメータでは、弾性波装置１における圧電性基板２の各層やＩＤＴ電極８の材料の例を示した。もっとも、上記の材料に限定されるものではない。圧電性基板２の各層やＩＤＴ電極８の材料の組み合わせは、弾性波が励振される適宜の材料の組み合わせとすればよい。

　具体的には、図２に示す圧電体層６の材料としては、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることができる。圧電体層６の材料として、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムが用いられることが好ましい。

　ＩＤＴ電極８の材料としては、例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｃｒ及びＳｃからなる群から選択された１種以上の金属が用いられてもよい。各反射器にも、ＩＤＴ電極８と同様の材料を用いることができる。ＩＤＴ電極８及び各反射器は、単層の金属膜からなっていてもよく、積層金属膜からなっていてもよい。

　第１の実施形態の中間層５の材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素または酸化タンタルなどの誘電体を用いることができる。

　支持基板４の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどのセラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウム、ガリウムヒ素などの半導体、もしくは樹脂、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。支持基板４には、高抵抗シリコンが用いられることが好ましい。支持基板４の材料の体積抵抗率は、１０００Ω・ｃｍ以上であることが望ましい。

　本明細書において主成分とは、占める割合が５０重量％を超える成分をいう。上記主成分の材料は、単結晶、多結晶、及びアモルファスのうちいずれかの状態、もしくは、これらが混在した状態で存在していてもよい。

　ところで、本発明においては、ピストンモードを利用可能な構成とされていてもよい。以下において、ピストンモードを利用可能な構成の例を、第２の実施形態により示す。なお、ピストンモードを利用する構成の場合、それぞれの曲線領域の、後述する中央領域に位置する領域における、定点を通る任意の直線上の部分を励振部とする。

　図１３は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。

　本実施形態は、各電極指上及び各反射器電極指上に、質量付加膜が設けられている点において第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。

　ＩＤＴ電極８の交叉領域Ｄは、中央領域Ｆと、１対のエッジ領域とを有する。１対のエッジ領域は、具体的には、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２である。第１のエッジ領域Ｈ１は第１の包絡線Ｅ１を端縁部として含む。第２のエッジ領域Ｈ２は、第２の包絡線Ｅ２を端縁部として含む。第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２は、中央領域Ｆを挟み互いに対向している。なお、ここでは、ＩＤＴ電極８の領域を定義したのであって、本実施形態におけるＩＤＴ電極８の構成は、第１の実施形態におけるＩＤＴ電極８の構成と同じである。

　本発明においては、平面視したときの、各エッジ領域における各電極指の形状は、曲線状であってもよく、直線状であってもよい。

　第１のエッジ領域Ｈ１に複数の質量付加膜２９が設けられている。具体的には、各第１の電極指１６上及び各第２の電極指１７上にそれぞれ、質量付加膜２９が設けられている。それによって、第１のエッジ領域Ｈ１において、低音速領域が構成されている。低音速領域とは、中央領域Ｆにおける音速よりも音速が低い領域である。

　同様に、第２のエッジ領域Ｈ２に、複数の質量付加膜２９が設けられている。これにより、第２のエッジ領域Ｈ２においても低音速領域が構成されている。本実施形態においては、質量付加膜２９はそれぞれ、１本の電極指上のみに設けられている。この場合、質量付加膜２９の材料としては、適宜の金属または誘電体を用いることができる。

　なお、各エッジ領域を、第１のバスバー１４が延びる方向に延長した各領域において、反射器９Ａの各反射器電極指９ａ上にも質量付加膜２９がそれぞれ設けられている。同様に、該各領域において、反射器９Ｂの各反射器電極指９ｂ上にも質量付加膜２９がそれぞれ設けられている。もっとも、反射器９Ａの反射器電極指９ａ上、及び反射器９Ｂの反射器電極指９ｂ上には、質量付加膜２９は設けられていなくともよい。

　本実施形態では、第１のバスバー１４及び第２のバスバー１５が対向している方向における内側から外側にかけて、中央領域Ｆ及び１対の低音速領域がこの順序において配置されている。それによって、ピストンモードが成立する。これにより、主モードのエネルギーを交叉領域Ｄの中央側に効果的に閉じ込めることができ、主モードの特性を良好にすることができ、かつ横モードを抑制することができる。

　加えて、ＩＤＴ電極８の各電極指の平面視における形状は、第１の実施形態と同様の、曲線状の形状を含む。よって、通過帯域外の不要波を分散させることができる。さらに、ＩＤＴ電極８においては、複数の第１の電極パターン１８及び複数の第２の電極パターン１９が設けられている。それによって、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができ、Ｑ値を高くすることができる。以下において、本実施形態におけるＱ値を高めることができる効果を、本実施形態と第３の参考例とを比較することにより示す。

　第３の参考例は、ＩＤＴ電極の構成が、図６に示した第２の参考例の弾性波装置３０１におけるＩＤＴ電極と同様である点において、第２の実施形態と異なる。なお、第３の参考例においては、第２の実施形態と同様に、各エッジ領域において、各電極指上に質量付加膜が設けられている。当該比較に係る第２の実施形態の弾性波装置の設計パラメータは、質量付加膜以外においては、図７及び図８における比較に係る第１の実施形態の弾性波装置１の設計パラメータと同様である。当該比較に係る第３の参考例の弾性波装置の設計パラメータは、質量付加膜以外においては、図７及び図８における比較に係る第２の参考例の弾性波装置３０１の設計パラメータと同様である。第２の実施形態及び第３の参考例の各弾性波装置のインピーダンス周波数特性、並びに周波数及びＱ値の関係を求めた。

　図１４は、第２の実施形態及び第３の参考例における、インピーダンス周波数特性を示す図である。図１５は、第２の実施形態及び第３の参考例における、周波数及びＱ値の関係を示す図である。

　図１４に示すように、第２の実施形態においては、第３の参考例よりも、インピーダンス比が大きくなっていることがわかる。さらに、第２の実施形態においては、共振周波数及び反共振周波数の間における、横モードを抑制できていることがわかる。

　図１５に示すように、第２の実施形態においては、第３の参考例よりもＱ値が高いことがわかる。具体的には、第２の実施形態では、特に反共振周波数付近においてＱ値が高い。これにより、第２の実施形態において、反共振周波数におけるインピーダンスが高くなっている。この結果、第２の実施形態におけるインピーダンス比を大きくすることができている。

　なお、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２のうち少なくとも一方において、低音速領域が構成されていればよい。もっとも、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２の双方において低音速領域が構成されていることが好ましい。それによって、ピストンモードをより確実に成立させることができる。

　質量付加膜２９は、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２のうち少なくとも一方において、複数の電極指のうち少なくとも１本の電極指と積層されていればよい。もっとも、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２のうち少なくとも一方において、複数の電極指が質量付加膜２９と積層されていることが好ましく、全ての電極指が質量付加膜２９と積層されていることがより好ましい。なお、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２の双方において、複数の電極指が質量付加膜２９と積層されていることがより好ましい。それによって、ピストンモードをより確実に成立させることができる。双方のエッジ領域において、全ての電極指が質量付加膜２９と積層されていることがさらに好ましい。この場合には、低音速領域が、双方のエッジ領域の全体において構成されている。それによって、ピストンモードをより一層確実に成立させることができる。

　第２の実施形態においては、電極指及び質量付加膜２９が積層されている部分においては、圧電性基板２、電極指及び質量付加膜２９の順序で積層されている。もっとも、電極指及び質量付加膜２９が積層されている部分において、圧電性基板２、質量付加膜２９及び電極指の順序で積層されていてもよい。すなわち、質量付加膜２９は、圧電性基板２及び電極指の間に設けられていてもよい。平面視したときに、質量付加膜２９が電極指と重なっていればよい。

　以下において、第２の実施形態の第１～第４の変形例を示す。第１～第４の変形例においても、第２の実施形態と同様に、主モードの特性を良好にすることができ、横モード及び通過帯域外の不要波を抑制することができ、かつＱ値を高めることができる。

　図１６に示す第１の変形例においては、ＩＤＴ電極８は第２の実施形態と同様に構成されている。第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２にそれぞれ、質量付加膜２９Ａが１つずつ設けられている。これにより、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２において、低音速領域が構成されている。

　より具体的には、各質量付加膜２９Ａは帯状の形状を有する。１対の質量付加膜２９Ａのうち一方の質量付加膜２９Ａは、第１のエッジ領域Ｈ１において、複数の電極指上にわたり設けられている。同様に、他方の質量付加膜２９Ａは、第２のエッジ領域Ｈ２において、複数の電極指上にわたり設けられている。各質量付加膜２９Ａは、圧電体層６上における、電極指間の部分にも設けられている。質量付加膜２９Ａの材料としては、適宜の誘電体を用いることができる。

　なお、質量付加膜２９Ａは、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２のうち少なくとも一方において、複数の電極指のうち少なくとも１本の電極指と積層されていればよい。この場合、質量付加膜２９Ａは、電極指が設けられている部分、及び電極指間の部分にわたり設けられていてもよい。もっとも、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２のうち少なくとも一方において、複数の電極指が質量付加膜２９Ａと積層されていることが好ましく、全ての電極指が質量付加膜２９Ａと積層されていることがより好ましい。そして、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２の双方において、複数の電極指が質量付加膜２９Ａと積層されていることがより好ましく、全ての電極指が質量付加膜２９Ａと積層されていることがさらに好ましい。それによって、ピストンモードをより確実に成立させることができる。

　図１７に示す第２の変形例では、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２において、ＩＤＴ電極２８の各電極指が幅広部を有する。幅広部における電極指の幅は、中央領域Ｆにおける該電極指の幅よりも広い。

　より具体的には、第２の電極指２７は、第１のエッジ領域Ｈ１において幅広部２７ａを有する。一方で、第１の電極指２６は、第２のエッジ領域Ｈ２において幅広部２６ｂを有する。これにより、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２における音速は、中央領域Ｆにおける音速よりも低い。それによって、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２において、低音速領域が構成されている。

　なお、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２のうち少なくとも一方において、少なくとも１本の電極指が幅広部を有していればよい。もっとも、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２のうち少なくとも一方において、複数の電極指が幅広部を有していることが好ましく、全ての電極指が幅広部を有していることがより好ましい。そして、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２の双方において、複数の電極指が幅広部を有していることがより好ましく、全ての電極指が幅広部を有していることがさらに好ましい。それによって、ピストンモードをより確実に成立させることができる。

　本変形例では、各電極指の幅は、エッジ領域の全体にわたり広くなっている。各幅広部の平面視における形状は四角形である。もっとも、各電極指は、各エッジ領域の少なくとも一部において、幅が広くなっていてもよい。各幅広部の平面視における形状は、四角形に限定されない。

　図１８に示す第３の変形例では、ＩＤＴ電極２８は第２の変形例と同様に構成されている。第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２にそれぞれ、第１の変形例と同様に、質量付加膜２９Ａが１つずつ設けられている。それによって、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２において、低音速領域が構成されている。すなわち、各電極指が幅広部を有する構成、及び質量付加膜２９Ａが設けられている構成の双方により、低音速領域が構成されている。これにより、中央領域Ｆ及び各エッジ領域における音速の差を大きくし易い。よって、横モードをより確実に、効果的に抑制することができる。

　第１の変形例及び本変形例においては、電極指及び質量付加膜２９Ａが積層されている部分においては、圧電性基板２、電極指及び質量付加膜２９Ａの順序で積層されている。もっとも、電極指及び質量付加膜２９Ａが積層されている部分において、圧電性基板２、質量付加膜２９Ａ及び電極指の順序で積層されていてもよい。すなわち、質量付加膜２９Ａは、圧電性基板２及び電極指の間に設けられていてもよい。

　図１９に示す第４の変形例においては、第２の実施形態と同様のＩＤＴ電極８における中央領域Ｆに、高音速膜２５が設けられている。これにより、中央領域Ｆの音速が高い。よって、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２における音速は、中央領域Ｆにおける音速よりも低い。すなわち、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２の双方において、低音速領域が構成されている。

　なお、高音速膜２５は、第１～第３の変形例の構成においても、中央領域Ｆに設けられていてもよい。ＩＤＴ電極８と積層される高音速膜２５の材料としては、例えば、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムまたはダイヤモンド薄膜などの、絶縁性材料を用いることが好ましい。

　本変形例においては、電極指及び高音速膜２５が積層されている部分においては、圧電性基板２、電極指及び高音速膜２５の順序で積層されている。もっとも、電極指及び高音速膜２５が積層されている部分において、圧電性基板２、高音速膜２５及び電極指の順序で積層されていてもよい。すなわち、高音速膜２５は、圧電性基板２及び電極指の間に設けられていてもよい。

　図１３に戻り、第２の実施形態においては、第１の電極パターン１８は、全ての第１の電極指１６間に設けられている。同様に、第２の電極パターン１９は、全ての第２の電極指１７間に設けられている。なお、本発明においては、第１の電極パターン１８は、必ずしも全ての第１の電極指１６間の部分に設けられていなくともよい。第２の電極パターン１９は、必ずしも全ての第２の電極指１７間の部分に設けられていなくともよい。

　以下において、第２の実施形態の第５～第７の変形例を示す。第５～第７の変形例においても、主モードの特性を良好にすることができ、横モード及び通過帯域外の不要波を抑制することができ、かつＱ値を高めることができる。もっとも、第２の実施形態のように、全ての第１の電極指１６間に第１の電極パターン１８が設けられており、全ての第２の電極指１７間に第２の電極パターン１９が設けられていることが好ましい。そして、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２の双方の全てにおいて、低音速領域が構成されていることが好ましい。

　図２０に示す第５の変形例においては、第１の電極パターン１８が全ての第１の電極指１６間に設けられている。一方で、第２の電極パターン１９は設けられていない。低音速領域は、第２のエッジ領域Ｈ２のみの少なくとも一部において構成されている。より具体的には、本変形例においては、第２のエッジ領域Ｈ２の全体において、低音速領域が構成されている。

　図２１に示す第６の変形例においては、全ての第２の電極指１７のうち一部の第２の電極指１７が、第１の電極パターン１８と対向している。第１のエッジ領域Ｈ１の一部において、低音速領域が構成されている。第１のエッジ領域Ｈ１における低音速領域が構成されていない部分に、少なくとも１本の第２の電極指１７が位置している。該少なくとも１本の第２の電極指１７の先端部が、第１の電極パターン１８と対向している。

　より具体的には、本変形例においては、第１のバスバー１４が延びる方向に並んでいる、１箇所おきの第１の電極指１６間の部分に、第１の電極パターン１８が設けられている。よって、１本おきの第２の電極指１７が、第１の電極パターン１８と対向している。そして、第１のエッジ領域Ｈ１において、１本おきの第２の電極指１７に、質量付加膜２９が積層されている。質量付加膜２９が積層された第２の電極指１７は、第１の電極パターン１８と対向していない。もっとも、第１の電極パターン１８が設けられている配置、及び第１のエッジ領域Ｈ１において質量付加膜２９が設けられている配置は、上記に限定されない。

　本変形例では、全ての第２の電極指１７間に第２の電極パターン１９が設けられており、かつ第２のエッジ領域Ｈ２の全てにおいて低音速領域が構成されている。

　図２２に示す第７の変形例においては、第１の電極パターン１８は設けられていない。第１のエッジ領域Ｈ１の一部において、低音速領域が構成されている。第１のエッジ領域Ｈ１における低音速領域が構成されていない部分に、少なくとも１本の第２の電極指１７が位置している。そして、該少なくとも１本の第２の電極指１７と対向するように、第１のオフセット電極２２が設けられている。

　なお、第１のオフセット電極２２は、図５に示した第１の参考例における第１のオフセット電極２２と同様に構成されている。すなわち、第１のオフセット電極２２の一方の端部である基端部が、第１のバスバー１４に接続されている。第１のオフセット電極２２の先端部が、第２の電極指１７の先端部とギャップを隔てて対向している。

　本変形例においては、第６の変形例と同様に、第１のエッジ領域Ｈ１において、１本おきの第２の電極指１７に、質量付加膜２９が積層されている。質量付加膜２９が積層された第２の電極指１７は、第１のオフセット電極２２と対向していない。質量付加膜２９が積層されていない第２の電極指１７が、第１のオフセット電極２２と対向している。

　第１の実施形態、第２の実施形態及び各変形例においては、各電極パターンが、バスバーと平行に延びる矩形の形状を有し、かつ隣り合う電極指の双方に接続されている例を示した。もっとも、本発明における電極パターンの形態は上記に限定されない。第３の実施形態により、他の電極パターンの形態の例を示す。

　図２３は、第３の実施形態におけるＩＤＴ電極の第１の電極パターン付近及び第２の電極パターン付近を示す模式的平面図である。

　本実施形態は、第１の電極パターン３８及び第２の電極パターン３９における、電極指との接続の構成において、第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第２の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。

　第１の電極パターン３８は、平面視において、第１のバスバー１４と平行に延びる矩形の形状を有し、かつ隣り合う第１の電極指１６のうち一方のみに接続されている。同様に、第２の電極パターン３９は、平面視において、第２のバスバー１５と平行に延びる矩形の形状を有し、かつ隣り合う第２の電極指１７のうち一方のみに接続されている。本実施形態においても、第２の実施形態と同様に、主モードの特性を良好にすることができ、横モード及び通過帯域外の不要波を抑制することができ、かつＱ値を高めることができる。

　なお、少なくとも１つの第１の電極パターンが上記の構成を有していればよい。複数の第１の電極パターンは、例えば、第１の実施形態の第１の電極パターン及び本実施形態の第１の電極パターンを含んでいてもよい。第２の電極パターンについても同様である。

　以下において、第１の電極パターン及び第２の電極パターンの構成のみが第３の実施形態と異なる、第３の実施形態の第１～第４の変形例を示す。第１～第４の変形例においても、第３の実施形態と同様に、主モードの特性を良好にすることができ、横モード及び通過帯域外の不要波を抑制することができ、かつＱ値を高めることができる。

　図２４に示す第１の変形例では、第１の電極パターン３８Ａは、平面視において、第１のバスバー１４と平行に延びる矩形の形状を有し、かつ隣り合う第１の電極指１６のいずれにも接続されていない。第２の電極パターン３９Ａも同様に、第２のバスバー１５と平行に延びる矩形の形状を有し、かつ隣り合う第２の電極指１７のいずれにも接続されていない。

　図２５に示す第２の変形例では、第１の電極パターン３８Ｂは、平面視において、第１のバスバー１４と平行に延びていない辺を含む形状を有し、かつ隣り合う第１の電極指１６の双方に接続されている。具体的には、第１の電極パターン３８Ｂにおける、第１のバスバー１４と対向している辺が、第１のバスバー１４と平行に延びていない。他方、第２の電極指１７と対向している辺は、第１のバスバー１４と平行に延びている。本変形例においては、第１の電極パターン３８Ｂの平面視における形状は五角形である。第２の電極パターン３９Ｂも同様に、平面視における形状は五角形である。このように、本発明における第１の電極パターン及び第２の電極パターンの平面視における形状は、四角形以外の多角形であってもよい。

　図２６に示す第３の変形例では、第１の電極パターン３８Ｃは、平面視において、第１のバスバー１４と平行に延びていない辺を含む形状を有し、かつ隣り合う第１の電極指１６のうち一方のみに接続されている。具体的には、第１の電極パターン３８Ｃにおける、第１のバスバー１４と対向している辺が、第１のバスバー１４と平行に延びていない。他方、第２の電極指１７と対向している辺は、第１のバスバー１４と平行に延びている。第２の電極パターン３９Ｃも同様に、平面視において、第２のバスバー１５と平行に延びていない辺を含む形状を有し、かつ隣り合う第２の電極指１７のうち一方のみに接続されている。

　図２７に示す第４の変形例では、第１の電極パターン３８Ｄは、平面視において、第１のバスバー１４と平行に延びていない辺を含む形状を有し、かつ隣り合う第１の電極指１６のいずれにも接続されていない。具体的には、第１の電極パターン３８Ｄにおける、第１のバスバー１４と対向している辺が、第１のバスバー１４と平行に延びていない。他方、第２の電極指１７と対向している辺は、第１のバスバー１４と平行に延びている。第１の電極パターン３８Ｄの平面視における形状は五角形である。同様に、第２の電極パターン３９Ｄの平面視における形状も五角形であり、かつ隣り合う第２の電極指１７のいずれにも接続されていない。

　なお、複数の第１の電極パターンのうち、少なくとも１つが、各変形例のうちいずれかの構成を有していてもよい。複数の第１の電極パターンが、本発明における互いに異なる形態の第１の電極パターンを含んでいてもよい。複数の第２の電極パターンにおいても同様である。

　図２８は、第４の実施形態におけるＩＤＴ電極の構成を説明するための模式的平面図である。

　本実施形態は、基準線Ｎ１が、第１の包絡線Ｅ１及び第１の包絡線Ｅ１の延長線を含まない点において第１の実施形態と異なる。基準線Ｎ１は、圧電体層の伝搬軸と平行に延び、かつ定点Ｃ１を通る直線である。本実施形態は、基準線Ｎ２が、第２の包絡線Ｅ２及び第２の包絡線Ｅ２の延長線を含まない点においても第１の実施形態と異なる。基準線Ｎ２は、圧電体層の伝搬軸と平行に延び、かつ定点Ｃ２を通る直線である。さらに、本実施形態は、第１の包絡線Ｅ１及び第２の包絡線Ｅ２が、伝搬軸に対して傾斜している点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。

　第１の包絡線Ｅ１及び第１の包絡線Ｅ１の延長線を含む直線を、直線ＩＧ１とする。直線ＩＧ１上に定点Ｃ１が位置している。直線ＩＧ１と、基準線Ｎ１とがなす角の角度を包絡線傾斜角度θ_ＩＧ１とする。一方で、第２の包絡線Ｅ２及び第２の包絡線Ｅ２の延長線を含む直線を、直線ＩＧ２とする。直線ＩＧ２上に定点Ｃ２が位置している。直線ＩＧ２と、基準線Ｎ２とがなす角の角度を包絡線傾斜角度θ_ＩＧ２とする。包絡線傾斜角度θ_ＩＧ１及び包絡線傾斜角度θ_ＩＧ２の絶対値は、９０°以下とする。本明細書においては、包絡線傾斜角度θ_ＩＧ１及び包絡線傾斜角度θ_ＩＧ２の双方の正の方向を、平面視したときの反時計回りの方向とする。

　上記のように、本実施形態においては、基準線Ｎ１及び基準線Ｎ２は、伝搬軸と平行に延びている。よって、包絡線傾斜角度θ_ＩＧ１は、第１の包絡線Ｅ１が、伝搬軸に対して傾斜している角度である。包絡線傾斜角度θ_ＩＧ２は、第２の包絡線Ｅ２が、伝搬軸に対して傾斜している角度である。本実施形態のＩＤＴ電極においては、包絡線傾斜角度θ_ＩＧ１及び包絡線傾斜角度θ_ＩＧ２は同じである。より具体的には、θ_ＩＧ１＝θ_ＩＧ２＝２°である。もっとも、各包絡線傾斜角度は上記に限定されない。

　本実施形態のＩＤＴ電極は、第１の実施形態と同様に、複数の第１の電極パターン１８及び複数の第２の電極パターン１９を有する。よって、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができ、Ｑ値を高めることができる。

　本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、基準線Ｎ１を基準として、角度θ_Ｃ１、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び交叉角度θ_{Ｃ１＿ＡＰ}が定義される。基準線Ｎ２を基準として、角度θ_Ｃ２、励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}及び交叉角度θ_{Ｃ２＿ＡＰ}が定義される。そして、本実施形態では、θ_{Ｃ１＿ＡＰ}＝θ_{Ｃ２＿ＡＰ}＝１０°である。

　ＩＤＴ電極におけるデューティ比を、各曲線領域において、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}または励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}に応じて変化させることにより、全ての励振部の共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させている。第４の実施形態における、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及びデューティ比の関係を、図２９により示す。なお、デューティ比の最大値が第４の実施形態と異なる例も、第４の実施形態の第１の変形例及び第２の変形例として、併せて示す。

　図２９は、第４の実施形態、第１の変形例及び第２の変形例における、ＩＤＴ電極の、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、デューティ比との関係を示す図である。図２９中の二点鎖線は、直線ＩＧ１上の位置を示す。

　第４の実施形態においては、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}が０°である場合に、デューティ比が最大値とされている。なお、第４の実施形態においては、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}が０°のとき、デューティ比は０．５である。そして、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほど、デューティ比が小さい。これにより、第１の曲線領域における全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。

　第１の変形例及び第２の変形例においても、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほど、デューティ比が小さい。なお、第１の変形例においては、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}が０°のとき、デューティ比は０．６４である。第２の変形例においては、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}が０°のとき、デューティ比は０．４２５である。第１の変形例及び第２の変形例においても、第１の曲線領域における全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。なお、第４の実施形態、第１の変形例及び第２の変形例においては、第２の曲線領域における励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}｜とデューティ比との関係も、図２９に示す関係と同様とされている。よって、第２の曲線領域における全ての励振部においても、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。

　第１の変形例及び第２の変形例においては、デューティ比以外の点においては、第４の実施形態と同様に構成されている。よって、Ｑ値を高めることができる。

　ところで、第４の実施形態においても、第２の実施形態と同様に低音速領域が構成されていてもよい。例えば、図３０に示す第４の実施形態の第３の変形例においては、ＩＤＴ電極の各電極指に、第２の実施形態と同様に、質量付加膜２９が積層されている。すなわち、各エッジ領域において、各電極指に質量付加膜２９が積層されている。それによって、ピストンモードを成立させることができる。そして、本変形例においても、複数の第１の電極パターン１８及び第２の電極パターン１９が設けられている。これらにより、主モードの特性を良好にすることができ、横モード及び通過帯域外の不要波を抑制することができ、かつＱ値を高めることができる。

　図３１は、第５の実施形態におけるＩＤＴ電極の構成を説明するための模式的平面図である。

　本実施形態は、包絡線傾斜角度θ_ＩＧ２において第４の実施形態と異なる。具体的には、第４の実施形態ではθ_ＩＧ１＝θ_ＩＧ２＝２°であった。これに対して、本実施形態では、θ_ＩＧ１＝２°であり、θ_ＩＧ２＝－２°である。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第４の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。

　本実施形態においては、θ_ＩＧ１≠θ_ＩＧ２である。さらに、包絡線傾斜角度θ_ＩＧ１及び包絡線傾斜角度θ_ＩＧ２の符号が互いに逆である。すなわち、第１の包絡線Ｅ１及び第２の包絡線Ｅ２は、伝搬軸に対して、互いに反対側に傾斜して延びている。

　ＩＤＴ電極４８は、第４の実施形態と同様に、複数の第１の電極パターン１８及び複数の第２の電極パターン１９を有する。よって、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができ、Ｑ値を高めることができる。

　本実施形態においては、包絡線傾斜角度θ_ＩＧ１及び包絡線傾斜角度θ_ＩＧ２の符号が互いに逆であり、かつ絶対値が同じである。よって、第１の包絡線Ｅ１及び第２の包絡線Ｅ２は、伝搬軸と平行な方向に延びる対称軸に対して、線対称である。もっとも、包絡線傾斜角度θ_ＩＧ１及び包絡線傾斜角度θ_ＩＧ２の符号が互いに逆であり、かつ絶対値が異なっていてもよい。包絡線傾斜角度θ_ＩＧ１及び包絡線傾斜角度θ_ＩＧ２の符号が同じであり、かつ絶対値が異なっていてもよい。あるいは、例えば、第１の包絡線Ｅ１が伝搬軸に対して傾斜しており、かつ第２の包絡線Ｅ２が伝搬軸に対して傾斜していなくともよい。

　ところで、第５の実施形態においても、第２の実施形態と同様に低音速領域が構成されていてもよい。例えば、図３２に示す第５の実施形態の変形例においては、ＩＤＴ電極４８の各電極指に、第２の実施形態と同様に、質量付加膜２９が積層されている。すなわち、各エッジ領域において、各電極指に質量付加膜２９が積層されている。それによって、ピストンモードを成立させることができる。そして、本変形例においても、ＩＤＴ電極４８が第５の実施形態と同様に構成されており、かつ複数の第１の電極パターン１８及び第２の電極パターン１９が設けられている。これらにより、主モードの特性を良好にすることができ、横モード及び通過帯域外の不要波を抑制することができ、かつＱ値を高めることができる。

　図３３は、第６の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図３４は、第６の実施形態におけるＩＤＴ電極の構成を説明するための模式的平面図である。

　図３３に示すように、本実施形態は、交叉領域Ｄが、第１の直線領域Ｔ１及び第２の直線領域Ｔ２を含む点において第５の実施形態と異なる。図３４に示すように、本実施形態は、直線ＩＧ１が定点Ｃ１を通らない点、及び直線ＩＧ２が定点Ｃ２を通らない点においても、第５の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第５の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。

　交叉領域Ｄにおいては、第１のバスバー１４側から第２のバスバー１５側に向かい、第１の直線領域Ｔ１、第１の曲線領域Ｗ１、第２の曲線領域Ｗ２及び第２の直線領域Ｔ２の順序で配置されている。第１の直線領域Ｔ１は第１の包絡線Ｅ１を含む。一方で、第２の直線領域Ｔ２は第２の包絡線Ｅ２を含む。

　図３３に示すように、第１の直線領域Ｔ１及び第２の直線領域Ｔ２においては、平面視における第１の電極指５６及び第２の電極指５７の形状が直線状である。

　図３４に示すように、直線ＩＧ１と平行に延びており、かつ定点Ｃ１を通る直線を直線Ｊ１とする。直線Ｊ１は、第１の曲線領域Ｗ１の第１のバスバー１４側の端縁部と、該端縁部の延長線とを含む。直線Ｊ１と、基準線Ｎ１とがなす角の角度を端縁部傾斜角度θ_Ｊ１とする。一方で、直線ＩＧ２と平行に延びており、かつ定点Ｃ２を通る直線を直線Ｊ２とする。直線Ｊ２は、第２の曲線領域Ｗ２の第２のバスバー１５側の端縁部と、該端縁部の延長線とを含む。直線Ｊ２と、基準線Ｎ２とがなす角の角度を端縁部傾斜角度θ_Ｊ２とする。端縁部傾斜角度θ_Ｊ１及び端縁部傾斜角度θ_Ｊ２の絶対値は、９０°以下とする。本明細書においては、端縁部傾斜角度θ_Ｊ１及び端縁部傾斜角度θ_Ｊ２の双方の正の方向を、平面視したときの反時計回りの方向とする。

　ＩＤＴ電極５８においては、θ_Ｊ１＝２°であり、θ_Ｊ２＝－２°である。このように、端縁部傾斜角度θ_Ｊ１及び端縁部傾斜角度θ_Ｊ２の符号が互いに逆であり、かつ絶対値が同じである。よって、第１の曲線領域Ｗ１の第１のバスバー１４側の端縁部、及び第２の曲線領域Ｗ２の第２のバスバー１５側の端縁部は、伝搬軸と平行な方向に延びる対称軸に対して、線対称である。

　もっとも、端縁部傾斜角度θ_Ｊ１及び端縁部傾斜角度θ_Ｊ２の符号が互いに逆であり、かつ絶対値が異なっていてもよい。端縁部傾斜角度θ_Ｊ１及び端縁部傾斜角度θ_Ｊ２の符号が同じであり、かつ絶対値が異なっていてもよい。端縁部傾斜角度θ_Ｊ１及び端縁部傾斜角度θ_Ｊ２が同じであってもよい。あるいは、例えば、第１の曲線領域Ｗ１の上記端縁部が伝搬軸に対して傾斜しており、かつ第２の曲線領域Ｗ２の上記端縁部が伝搬軸に対して傾斜していなくともよい。

　ＩＤＴ電極５８は、第５の実施形態と同様に、複数の第１の電極パターン１８及び複数の第２の電極パターン１９を有する。よって、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができ、Ｑ値を高めることができる。

　ところで、第６の実施形態においても、第２の実施形態と同様に低音速領域が構成されていてもよい。例えば、図３５に示す第６の実施形態の変形例においては、ＩＤＴ電極５８の各電極指に、第２の実施形態と同様に、質量付加膜２９が積層されている。すなわち、各エッジ領域において、各電極指に質量付加膜２９が積層されている。それによって、ピストンモードを成立させることができる。そして、本変形例においても、ＩＤＴ電極５８が第６の実施形態と同様に構成されており、かつ複数の第１の電極パターン１８及び第２の電極パターン１９が設けられている。これらにより、主モードの特性を良好にすることができ、横モード及び通過帯域外の不要波を抑制することができ、かつＱ値を高めることができる。

　図３６は、第７の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。

　本実施形態は、ＩＤＴ電極６８の形状において第１の実施形態と異なる。これに伴い、各反射器の形状も第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。

　第１のバスバー６４における交叉領域Ｄ側の部分は、複数の折れ曲がり部６４ａを有する。同様に、第２のバスバー６５における交叉領域Ｄ側の部分は、複数の折れ曲がり部６５ａを有する。もっとも、第１のバスバー６４及び第２のバスバー６５のうち少なくとも一方が少なくとも１つの折れ曲がり部を有している構成であってもよい。

　第１の包絡線Ｅ１は複数の折れ曲がり部Ｖ１を有する。第１の包絡線Ｅ１は、複数の折れ曲がり部Ｖ１同士が直線により結ばれた波状の形状を有する。これにより、第１のバスバー６４及び交叉領域Ｄの間の距離は一定とされている。

　同様に、第２の包絡線Ｅ２は複数の折れ曲がり部Ｖ２を有する。第２の包絡線Ｅ２は、複数の折れ曲がり部Ｖ２同士が直線により結ばれた波状の形状を有する。これにより、第２のバスバー６５及び交叉領域Ｄの間の距離は一定とされている。

　もっとも、第１の包絡線Ｅ１及び第２の包絡線Ｅ２のうち少なくとも一方は、複数の折れ曲がり部同士が曲線により結ばれた波状の形状を有していてもよい。あるいは、第１の包絡線Ｅ１及び第２の包絡線Ｅ２のうち少なくとも一方が波状の形状を有する構成であってもよい。

　本実施形態においては、各第１の電極パターン１８は、第１のバスバー６４における交叉領域Ｄ側の部分が延びる方向と平行に延びている。よって、複数の第１の電極パターン１８は、波状の形状に沿って並んでいる。同様に、各第２の電極パターン１９は、第２のバスバー６５における交叉領域Ｄ側の部分が延びる方向と平行に延びている。よって、複数の第２の電極パターン１９は、波状の形状に沿って並んでいる。

　なお、本実施形態においては、ＩＤＴ電極６８の複数の電極指の平面視における形状はそれぞれ、１つの定点を共通の中心とする、同心円における円弧状の形状である。

　本実施形態においても、電極パターンと対向している電極指の先端部と、該電極パターンとの間の距離が、０．５λ以下である。それによって、Ｑ値を高めることができる。

　第１～第７の実施形態においては、デューティ比を調整することにより、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させている。もっとも、電極指ピッチを調整することにより、全ての励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させてもよい。この例を、第８の実施形態により示す。

　第８の実施形態は、ＩＤＴ電極において、デューティ比が一定であり、かつ電極指ピッチが一定でない点で第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。

　ここで、θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}が０°である励振部における電極指ピッチをｐ０、任意の部分の電極指ピッチをｐ１、｛（ｐ１－ｐ０）／ｐ０｝×１００［％］を電極指ピッチの変化率Δｐｉｔｃｈ［％］とする。

　図３７は、第８の実施形態におけるＩＤＴ電極の、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、電極指ピッチの変化率Δｐｉｔｃｈとの関係を示す図である。

　図３７に示すように、本実施形態では、ＩＤＴ電極における、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}が０°である励振部においては、Δｐｉｔｃｈは０％である。そして、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほど、Δｐｉｔｃｈは負の方向に大きくなっている。すなわち、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほど、電極指ピッチが狭い。なお、第８の実施形態においては、第２の曲線領域における励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}｜とΔｐｉｔｃｈとの関係も、図３７に示す関係と同様とされている。それによって、第１の曲線領域及び第２の曲線領域における全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。加えて、第１の実施形態と同様に、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができ、Ｑ値を高くすることができる。

　なお、圧電性基板の逆速度面によって、電極指ピッチと各モードの周波数との関係は異なる。よって、圧電性基板の構成や、圧電性基板上の構成によっては、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜及び｜θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほど電極指ピッチが広いときに、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致する場合もある。この例としては、回転Ｙカット－４°Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ_３のみからなる基板上に設けられたＩＤＴ電極を、厚みが厚いＳｉＯ_２膜に埋め込んだ弾性波装置などを挙げることができる。あるいは、本発明における基準線が通る、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}が０°である励振部において、電極指ピッチの値が最大または最小とは必ずしもならない。

　第１～第８の実施形態においては、デューティ比または電極指ピッチを調整することにより、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させている。もっとも、複数の電極指の厚みを調整することにより、全ての励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させてもよい。この例を、第９の実施形態により示す。

　第９の実施形態は、ＩＤＴ電極において、デューティ比が一定であり、かつ複数の電極指の厚みが一定でない点で第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。

　図３８は、第９の実施形態におけるＩＤＴ電極の、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、電極指の厚みとの関係を示す図である。

　図３８に示すように、ＩＤＴ電極の第１の曲線領域においては、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほど、第１の電極指及び第２の電極指の厚みが薄い。なお、第９の実施形態においては、第２の曲線領域における励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}｜と第１の電極指及び第２の電極指の厚みとの関係も、図３８に示す関係と同様とされている。それによって、第１の曲線領域及び第２の曲線領域における全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。加えて、第１の実施形態と同様に、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができ、Ｑ値を高くすることができる。

　なお、圧電性基板の逆速度面によって、第１の電極指及び第２の電極指の厚みと各モードの周波数との関係は異なる。よって、圧電性基板の構成や、圧電性基板上の構成によっては、励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜及び｜θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほど、各電極指の厚みが厚いときに、全ての励振部において共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致する場合もある。この例としては、回転Ｙカット－４°Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ_３のみからなる基板上に設けられたＩＤＴ電極を、厚みが厚いＳｉＯ_２膜に埋め込んだ弾性波装置などを挙げることができる。あるいは、本発明における基準線が通る、励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}及び励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}が０°である励振部において、第１の電極指及び第２の電極指の厚みの値が最大または最小とは、必ずしもならない。

　第１～第９の実施形態においては、ＩＤＴ電極の構成により、全ての励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させている。もっとも、ＩＤＴ電極を覆う誘電体膜の厚みを調整することにより、全ての励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させてもよい。この例を、第１０の実施形態及びその変形例により示す。

　図３９は、第１０の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図３９は、図２に示す部分に相当する断面を示す。図３９以外の模式的正面断面図も同様である。

　本実施形態は、ＩＤＴ電極７８において、デューティ比が一定である点で第１の実施形態と異なる。本実施形態は、圧電体層６上に、ＩＤＴ電極７８を覆うように誘電体膜７５が設けられている点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。

　本実施形態の誘電体膜７５を伝搬する横波の音速は、誘電体膜７５を伝搬する主モードの音速よりも低い。誘電体膜７５の厚みは、誘電体膜７５が覆っている第１の曲線領域の励振部の励振角度θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}に応じて異なっている。同様に、誘電体膜７５の厚みは、誘電体膜７５が覆っている第２の曲線領域の励振部の励振角度θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}に応じて異なっている。

　図４０は、第１０の実施形態においての、誘電体膜が覆っている第１の曲線領域の励振部における励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、誘電体膜の厚みとの関係を示す図である。

　図４０に示すように、本実施形態では、誘電体膜７５が覆っている第１の曲線領域における励振部の励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほど、誘電体膜７５の厚みが薄い。なお、第１０の実施形態においては、第２の曲線領域における励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}｜と誘電体膜７５の厚みとの関係も、図４０に示す関係と同様とされている。それによって、第１の曲線領域及び第２の曲線領域における全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。加えて、第１の実施形態と同様に、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができ、Ｑ値を高くすることができる。

　第１０の実施形態では、誘電体膜７５を伝搬する横波の音速は、誘電体膜７５を伝搬する主モードの音速よりも低い。もっとも、誘電体膜を伝搬する波の音速の関係は上記に限定されない。誘電体膜を伝搬する横波の音速、及び厚みの変化の態様のみが第１０の実施形態と異なる、第１０の実施形態の変形例を以下において示す。

　第１０の実施形態の変形例においては、誘電体膜を伝搬する横波の音速は、該誘電体膜を伝搬する主モードの音速よりも高い。そして、本変形例においては、誘電体膜が覆っている第１の曲線領域の励振部における励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜と、誘電体膜の厚みとの関係は、図４１に示す通りである。より具体的には、誘電体膜が覆っている第１の曲線領域の励振部の励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ１＿ｐｒｏｐ}｜が大きいほど、誘電体膜の厚みが厚い。なお、本変形例においては、第２の曲線領域における励振角度の絶対値｜θ_{Ｃ２＿ｐｒｏｐ}｜と誘電体膜の厚みとの関係も、図４１に示す関係と同様とされている。それによって、第１の曲線領域及び第２の曲線領域における全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。加えて、第１０の実施形態と同様に、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができ、Ｑ値を高くすることができる。

　なお、圧電性基板の構成などによっては、誘電体膜における励振部を覆っている部分の厚みのうち、本発明における基準線が通る部分の厚みの値が最大または最小とは、必ずしもならない。

　ところで、圧電性基板の積層構造は、図２に示す構成には限定されない。第１１の実施形態により、弾性波装置が、第１の実施形態とは異なる圧電性基板を有する例を示す。

　図４２は、第１１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。

　本実施形態は、圧電性基板８２の積層構造において第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。

　圧電性基板８２は、支持基板４と、高音速膜８５Ａと、低音速膜８５Ｂと、圧電体層６とを有する。支持基板４上に高音速膜８５Ａが設けられている。高音速膜８５Ａ上に低音速膜８５Ｂが設けられている。低音速膜８５Ｂ上に圧電体層６が設けられている。

　高音速膜８５Ａは相対的に高音速な膜である。より具体的には、高音速膜８５Ａを伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速膜８５Ａの材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることもできる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＦｅＡｌ_２Ｏ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＭｎＡｌ_２Ｏ_４を挙げることができる。

　低音速膜８５Ｂは相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜８５Ｂを伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜８５Ｂの材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、酸化タンタル、もしくは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物などの誘電体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。

　第１１の実施形態では、圧電性基板８２において、高音速膜８５Ａ、低音速膜８５Ｂ及び圧電体層６がこの順序で積層されている。これにより、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。よって、阻止域におけるロスを低減することができる。阻止域とは、弾性波が周期構造の金属グレーティングに閉じ込められることにより、弾性波の波長が一定となる領域である。阻止域の上端とは、阻止域の高域側の端部である。阻止域は、共振周波数から阻止域の上端の周波数までの帯域である。

　加えて、第１の実施形態と同様に、交叉領域側からバスバー側に、弾性波のエネルギーが漏洩することを抑制することもできる。従って、Ｑ値を効果的に高めることができる。さらに、横モードを抑制することもできる。

　第１１の実施形態の上記効果を、第１１の実施形態と、図６に示す第２の参考例とを比較することにより示す。当該比較に係る第１１の実施形態の弾性波装置の設計パラメータは以下の通りである。

　支持基板４；材料…Ｓｉ、面方位…（１１１）、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるψ…７３°
　高音速膜８５Ａ；材料…ＳｉＮ、厚み…０．１５λ
　低音速膜８５Ｂ；材料…ＳｉＯ_２、厚み…０．１５λ
　圧電体層６；材料…回転Ｙカット５５°Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３、厚み…０．２λ
　ＩＤＴ電極８；材料…Ａｌ、厚み…０．０５λ、
　電極指の形状における楕円係数α１２／α１１；１
　電極指の形状における楕円係数α２２／α２１；１
　波長λ；２μｍ
　ＩＤＴ電極８の電極指の対数；８０対
　デューティ比；角度θ_Ｃ１及び角度θ_Ｃ２が０°である励振部において０．５
　交叉角度θ_{Ｃ１＿ＡＰ}；１０°
　交叉角度θ_{Ｃ２＿ＡＰ}；１０°
　Ｉ－Ｐギャップ；０．１３５λ
　第１の電極パターン１８及び第２の電極パターン１９の幅；０．２λ
　Ｂ－Ｐギャップ；２λ
　反射器９Ａ及び反射器９Ｂ；反射器電極指の対数…２０対

　第２の参考例の弾性波装置の設計パラメータは、電極パターンに関するパラメータ以外は、第１１の実施形態に係る上記弾性波装置の設計パラメータと同様である。なお、第２の参考例においては、電極指とバスバーとの間の距離は、２λである。

　第１１の実施形態及び第２の参考例の各弾性波装置のインピーダンス周波数特性、並びに周波数及びＱ値の関係を求めた。

　図４３は、第１１の実施形態及び第２の参考例における、インピーダンス周波数特性を示す図である。図４４は、第１１の実施形態及び第２の参考例における、周波数及びリターンロスの関係を示す図である。なお、図４３及び図４４に示されているｆｒは共振周波数であり、ｆａは反共振周波数であり、ｆｓは阻止域の上端の周波数である。後述する図４５及び図４６においても同様である。

　図４３に示すように、第１１の実施形態においては、第２の参考例よりも、インピーダンス比が大きくなっていることがわかる。これは、第１１の実施形態において、Ｑ値を高くできることによる。

　図４４に示すように、第２の参考例においては、共振周波数及び反共振周波数の間において、横モードに起因する大きなリップルが生じている。これに対して、第１１の実施形態では、第２の参考例よりも、横モードが抑制されていることがわかる。加えて、第１１の実施形態においては、第２の参考例よりも、阻止域において、ロスを低減できていることがわかる。

　なお、ＩＤＴ電極の構成のみが第１１の実施形態と異なる場合においても、上記と同様の効果を得ることができる。この例を、第１１の実施形態の第１の変形例と、第２の参考例とを比較することにより示す。第１の変形例におけるＩＤＴ電極は、図１７に示す第２の実施形態の第２の変形例におけるＩＤＴ電極２８と同様の構成を有する。すなわち、第１のエッジ領域Ｈ１及び第２のエッジ領域Ｈ２において、各電極指が幅広部を有する。これにより、各エッジ領域において低音速領域が構成されている。

　当該比較に係る第１の変形例の弾性波装置の設計パラメータは、図４３及び図４４における比較に係る第１１の実施形態の弾性波装置の設計パラメータと、各エッジ領域以外においては同様である。具体的には、第１の変形例においては、各エッジ領域の、電極指が延びる方向に沿う寸法は、０．７５λである。各エッジ領域におけるデューティ比は０．６７である。第２の参考例の弾性波装置の設計パラメータは、図４３及び図４４における比較に係る設計パラメータと同様である。

　図４５は、第１１の実施形態の第１の変形例及び第２の参考例における、インピーダンス周波数特性を示す図である。図４６は、第１１の実施形態の第１の変形例及び第２の参考例における、周波数及びリターンロスの関係を示す図である。

　図４５に示すように、第１の変形例においては、第２の参考例よりも、インピーダンス比が大きくなっていることがわかる。これは、第１の変形例において、第１１の実施形態と同様に、Ｑ値を高くできることによる。

　図４６に示すように、第１の変形例では、第２の参考例よりも、横モードを効果的に抑制できていることがわかる。これは、第１の変形例においては、ピストンモードが成立することによる。加えて、本変形例では、第２の参考例よりも、阻止域において、ロスを低減できていることがわかる。第１１の実施形態及び第１の変形例の効果は、圧電性基板上に誘電体膜が設けられている場合においても、同様に得ることができる。

　以下において、圧電性基板の積層構造のみが第１１の実施形態と異なる、第１１の実施形態の第２の変形例及び第３の変形例を示す。第２の変形例及び第３の変形例においても、第１１の実施形態と同様に、Ｑ値を高めることができる。

　図４７に示す第２の変形例においては、圧電性基板８２Ａは、支持基板４と、音響反射膜８７と、低音速膜８５Ｂと、圧電体層６とを有する。支持基板４上に音響反射膜８７が設けられている。音響反射膜８７上に低音速膜８５Ｂが設けられている。低音速膜８５Ｂ上に圧電体層６が設けられている。

　音響反射膜８７は複数の音響インピーダンス層の積層体である。具体的には、音響反射膜８７は、複数の低音響インピーダンス層と、複数の高音響インピーダンス層とを有する。高音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが高い層である。音響反射膜８７の複数の高音響インピーダンス層は、より具体的には、高音響インピーダンス層８７ａ、高音響インピーダンス層８７ｃ及び高音響インピーダンス層８７ｅである。一方で、低音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが低い層である。音響反射膜８７の複数の低音響インピーダンス層は、より具体的には、低音響インピーダンス層８７ｂ及び低音響インピーダンス層８７ｄである。低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は交互に積層されている。なお、高音響インピーダンス層８７ａが、音響反射膜８７において最も圧電体層６側に位置する層である。

　音響反射膜８７は、低音響インピーダンス層を２層有し、高音響インピーダンス層を３層有する。もっとも、音響反射膜８７は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ少なくとも１層ずつ有していればよい。

　低音響インピーダンス層の材料としては、例えば、酸化ケイ素またはアルミニウムなどを用いることができる。高音響インピーダンス層の材料としては、例えば、白金またはタングステンなどの金属や、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素などの誘電体を用いることができる。なお、低音速膜８５Ｂの材料は、低音響インピーダンス層の材料と同じであってもよい。

　図４８に示す第３の変形例においては、圧電性基板８２Ｂは、支持基板８４と、圧電体層６とを有する。支持基板８４上に直接的に圧電体層６が設けられている。より具体的には、支持基板８４は凹部を有する。支持基板８４上に、凹部を塞ぐように、圧電体層６が設けられている。これにより、圧電性基板８２Ｂにおいて中空部８２ｃが構成されている。圧電体層６の一部及び支持基板８４の一部は、中空部８２ｃを挟み互いに対向している。中空部８２ｃは、平面視において、ＩＤＴ電極８の少なくとも一部と重なっている。

　ところで、図４２に示すＩＤＴ電極８は、保護膜に埋め込まれていてもよい。図４９に示す、第１１の実施形態の第４の変形例においては、圧電体層６上に、ＩＤＴ電極８を覆うように、保護膜８９が設けられている。保護膜８９の厚みは、ＩＤＴ電極８の厚みよりも厚い。ＩＤＴ電極８は保護膜８９に埋め込まれている。これにより、ＩＤＴ電極８が破損し難い。

　保護膜８９は、第１の層８９ａ及び第２の層８９ｂを有する。第１の層８９ａにＩＤＴ電極８が埋め込まれている。第１の層８９ａ上に第２の層８９ｂが設けられている。それによって、保護膜８９による複数の効果を得ることができる。具体的には、本変形例においては、第１の層８９ａの材料として、酸化ケイ素が用いられている。これにより、弾性波装置における周波数温度係数（ＴＣＦ）の絶対値を小さくすることができる。よって、弾性波装置の温度特性を改善することができる。第２の層８９ｂには、窒化ケイ素が用いられている。これにより、耐湿性を高めることができる。加えて、本変形例においても、第１１の実施形態と同様に、Ｑ値を高めることができる。

　なお、第１の層８９ａ及び第２の層８９ｂの材料は上記に限定されない。保護膜８９は単層であってもよく、３層以上の積層体であってもよい。

　図５０は、第１２の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。

　本実施形態は、圧電体層６の第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂの双方にＩＤＴ電極８が設けられている点において第１の実施形態と異なる。なお、第２の主面６ｂに設けられたＩＤＴ電極８は、中空部２ｃ内に位置している。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置９１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。

　圧電体層６の第１の主面６ａに設けられたＩＤＴ電極８及び第２の主面６ｂに設けられたＩＤＴ電極８は、圧電体層６を挟み互いに対向している。本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、複数の第１の電極パターン及び複数の第２の電極パターンが設けられている。それによって、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができ、Ｑ値を高めることができる。

　なお、圧電体層６の第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂに設けられたＩＤＴ電極８においては、例えば、設計パラメータが互いに異なっていてもよい。

　以下において、圧電体層の第２の主面に設けられた電極の構成、及び圧電性基板の積層構造のうち少なくとも一方のみが第１２の実施形態と異なる、第１２の実施形態の第１～第３の変形例を示す。第１～第３の変形例においても、第１２の実施形態と同様に、Ｑ値を高めることができる。

　図５１に示す第１の変形例においては、圧電性基板８２が、第１１の実施形態と同様に構成されている。具体的には、圧電性基板８２が、支持基板４、高音速膜８５Ａ、低音速膜８５Ｂ及び圧電体層６を有する。圧電体層６の第２の主面６ｂに設けられたＩＤＴ電極８は、低音速膜８５Ｂに埋め込まれている。

　図５２に示す第２の変形例においては、圧電体層６の第２の主面６ｂに、板状の電極９８が設けられている。電極９８は、中空部２ｃ内に位置している。ＩＤＴ電極８及び電極９８は、圧電体層６を挟み互いに対向している。

　図５３に示す第３の変形例においては、圧電性基板８２が第１の変形例と同様に構成されており、かつ圧電体層６の第２の主面６ｂに、第２の変形例と同様の電極９８が設けられている。電極９８は低音速膜８５Ｂに埋め込まれている。

　本発明に係る弾性波装置は、例えば、フィルタ装置に用いることができる。この例を以下において示す。

　図５４は、第１３の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。

　本実施形態のフィルタ装置１００はラダー型フィルタである。フィルタ装置１００は、第１の信号端子１０２及び第２の信号端子１０３と、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子とを有する。フィルタ装置１００においては、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は弾性波共振子である。さらに、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は本発明に係る弾性波装置である。もっとも、フィルタ装置１００の複数の弾性波共振子のうち少なくとも１つの弾性波共振子が、本発明に係る弾性波装置であればよい。

　第１の信号端子１０２はアンテナ端子である。アンテナ端子はアンテナに接続される。もっとも、第１の信号端子１０２は、必ずしもアンテナ端子ではなくともよい。第１の信号端子１０２及び第２の信号端子１０３は、例えば、電極パッドとして構成されていてもよく、配線として構成されていてもよい。

　本実施形態の複数の直列腕共振子は、具体的には、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３である。複数の直列腕共振子は、第１の信号端子１０２及び第２の信号端子１０３の間に、互いに直列に接続されている。複数の並列腕共振子は、具体的には、並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２である。直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。なお、フィルタ装置１００の回路構成は上記に限定されない。フィルタ装置１００は、例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタを含んでいてもよい。

　フィルタ装置１００における弾性波共振子は、本発明に係る弾性波装置である。よって、フィルタ装置１００の弾性波共振子において、弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができ、Ｑ値を高めることができる。従って、フィルタ装置１００のフィルタ特性を高めることができる。

　以下において、本発明に係る弾性波装置及びフィルタ装置の形態の例をまとめて記載する。

　＜１＞圧電体層を含む圧電性基板と、前記圧電体層上に設けられており、１対のバスバー及び複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、を備え、前記１対のバスバーが、互いに対向している第１のバスバー及び第２のバスバーであり、前記複数の電極指が、複数の第１の電極指及び複数の第２の電極指であり、前記複数の第１の電極指の一端がそれぞれ、前記第１のバスバーに接続されており、前記複数の第２の電極指の一端がそれぞれ、前記第２のバスバーに接続されており、前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指が互いに間挿し合っており、前記複数の第２の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第１の包絡線、前記複数の第１の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第２の包絡線とし、前記ＩＤＴ電極における、前記第１の包絡線及び前記第２の包絡線の間の領域が交叉領域であり、前記圧電体層上に設けられており、前記第１のバスバーと前記交叉領域との間、及び前記第２のバスバーと前記交叉領域との間のうち、少なくとも一方に設けられている、複数の電極パターンをさらに備え、前記複数の電極指のうち、少なくとも１本の前記第１の電極指の先端部または少なくとも１本の前記第２の電極指の先端部が、前記電極パターンと対向しており、平面視における前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の形状がそれぞれ、前記交叉領域において、曲線状の部分を含み、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλとしたときに、前記複数の電極指のうち、前記電極パターンと対向している電極指の先端部と、該電極パターンとの間の距離が、０．５λ以下である、弾性波装置。

　＜２＞前記交叉領域が、前記第１の包絡線を含む第１のエッジ領域と、前記第２の包絡線を含む第２のエッジ領域と、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域により挟まれた中央領域と、を有し、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域のうち少なくとも一方の少なくとも一部において、前記中央領域における音速よりも音速が低い、低音速領域が構成されている、＜１＞に記載の弾性波装置。

　＜３＞前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域のうち少なくとも一方において、少なくとも１本の前記電極指が、前記中央領域における幅よりも幅が広い幅広部を有することにより、前記低音速領域が構成されている、＜２＞に記載の弾性波装置。

　＜４＞前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域のうち少なくとも一方において、平面視したときに、前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指のうち少なくとも１本と重なるように設けられている、質量付加膜をさらに備え、前記質量付加膜が設けられていることにより、前記低音速領域が構成されている、＜２＞または＜３＞に記載の弾性波装置。

　＜５＞前記中央領域に設けられている高音速膜をさらに備え、前記高音速膜が設けられていることによって、前記中央領域における音速が、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域における音速よりも高くなっており、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域の双方において、前記低音速領域が構成されている、＜２＞～＜４＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜６＞前記低音速領域が、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域の双方の全体において構成されている、＜２＞～＜５＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜７＞前記低音速領域が、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域のうち一方のみの少なくとも一部において構成されている、＜２＞～＜４＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜８＞前記複数の電極パターンが、前記第１のバスバーと、前記複数の第２の電極指との間のみに設けられており、前記低音速領域が、前記第２のエッジ領域のみの少なくとも一部において構成されている、＜７＞に記載の弾性波装置。

　＜９＞全ての前記第２の電極指のうち一部の前記第２の電極指が、前記電極パターンと対向しており、前記低音速領域が、前記第１のエッジ領域の一部において構成されており、前記第１のエッジ領域における前記低音速領域が構成されていない部分に、少なくとも１本の前記第２の電極指が位置しており、該少なくとも１本の第２の電極指の先端部が、前記電極パターンと対向している、＜２＞～＜４＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜１０＞前記第１のバスバーに一端が接続されている少なくとも１本のオフセット電極を有し、前記低音速領域が、前記第１のエッジ領域の一部において構成されており、前記第１のエッジ領域における前記低音速領域が構成されていない部分に、少なくとも１本の前記第２の電極指が位置しており、該少なくとも１本の第２の電極指と、前記少なくとも１本のオフセット電極が対向している、＜２＞～＜４＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜１１＞前記複数の電極パターンが、前記第１のバスバーと前記交叉領域との間、及び前記第２のバスバーと前記交叉領域との間の双方に設けられており、全ての前記第１の電極指の先端部及び全ての前記第２の電極指の先端部が、前記電極パターンと対向している、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜１２＞前記複数の電極パターンが、前記第１のバスバーと前記交叉領域との間、及び前記第２のバスバーと前記交叉領域との間のうち一方にのみ設けられている、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜１３＞前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びる矩形の形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指の双方に接続されている、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜１４＞前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びる矩形の形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指のうち一方のみに接続されている、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜１５＞前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びる矩形の形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指のいずれにも接続されていない、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜１６＞前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びていない辺を含む形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指の双方に接続されている、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜１７＞前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びていない辺を含む形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指のうち一方のみに接続されている、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜１８＞前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びていない辺を含む形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指のいずれにも接続されていない、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜１９＞前記圧電体層の材料として、圧電単結晶が用いられており、前記圧電体層が伝搬軸を有し、前記第１の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜して延びている、＜１＞～＜１８＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜２０＞前記第２の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜して延びており、前記第１の包絡線及び前記第２の包絡線が、前記伝搬軸に対して傾斜している角度の絶対値が９０°以下であり、前記第１の包絡線及び前記第２の包絡線が、前記伝搬軸に対して、互いに反対側に傾斜して延びている、＜１９＞に記載の弾性波装置。

　＜２１＞前記第１の包絡線及び前記第２の包絡線のうち少なくとも一方が、延びる方向が変化している、少なくとも１つの折れ曲がり部を有する、＜１＞～＜１９＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜２２＞平面視における前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の形状がそれぞれ、前記交叉領域において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の曲がる方向が異なる少なくとも２つの曲線状の部分を含み、かつ少なくとも１つの変曲点を有する、＜１＞～＜２１＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜２３＞平面視における前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の形状における、前記少なくとも２つの曲線状の部分がそれぞれ、円弧または楕円弧の形状を含み、前記交叉領域が、平面視における前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の形状がそれぞれ、単一の円弧または楕円弧の形状である、少なくとも２つの曲線領域を含む、＜２２＞に記載の弾性波装置。

　＜２４＞複数の前記曲線領域のうち１つの曲線領域が前記第１の包絡線を含み、それぞれの前記曲線領域において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の２つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部としたときに、前記第１の包絡線の延長線が、該曲線領域における前記定点を通り、前記第１の包絡線及び前記第１の包絡線の延長線を含む直線を基準線とし、前記第１の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、該曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、デューティ比、電極指ピッチ、並びに前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の厚みのうち少なくともいずれかが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、＜２３＞に記載の弾性波装置。

　＜２５＞前記圧電体層上に、前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている誘電体膜をさらに備え、複数の前記曲線領域のうち１つの曲線領域が前記第１の包絡線を含み、それぞれの前記曲線領域において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の２つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部としたときに、前記第１の包絡線の延長線が、該曲線領域における前記定点を通り、前記第１の包絡線及び前記第１の包絡線の延長線を含む直線を基準線とし、前記第１の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、該曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、前記誘電体膜の厚みが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、＜２３＞に記載の弾性波装置。

　＜２６＞前記圧電体層の材料として、圧電単結晶が用いられており、前記圧電体層が伝搬軸を有し、それぞれの前記曲線領域において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の２つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記第１の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、該曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、デューティ比、電極指ピッチ、並びに前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の厚みのうち少なくともいずれかが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、＜２３＞に記載の弾性波装置。

　＜２７＞前記圧電体層上に、前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている誘電体膜をさらに備え、前記圧電体層の材料として、圧電単結晶が用いられており、前記圧電体層が伝搬軸を有し、それぞれの前記曲線領域において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の２つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記第１の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、該曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、前記誘電体膜の厚みが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、＜２３＞に記載の弾性波装置。

　＜２８＞前記交叉領域において、平面視における前記第１の電極指及び前記第２の電極指の形状が、直線の形状を含む、＜１＞～＜２７＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜２９＞前記圧電体層上に、前記ＩＤＴ電極を挟み互いに対向するように設けられており、複数の反射器電極指をそれぞれ有する、１対の反射器をさらに備え、平面視における前記複数の反射器電極指の形状が、曲線状の形状を含む、＜１＞～＜２８＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜３０＞前記圧電性基板が支持基板を有し、前記支持基板上に前記圧電体層が設けられている、＜１＞～＜２９＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜３１＞前記圧電性基板が、前記支持基板及び前記圧電体層の間に設けられている中間層を有する、＜３０＞に記載の弾性波装置。

　＜３２＞前記圧電性基板において中空部が構成されており、前記支持基板の一部と、前記圧電体層の一部とが、前記中空部を挟み互いに対向している、＜３０＞または＜３１＞に記載の弾性波装置。

　＜３３＞前記圧電性基板が前記圧電体層のみからなる、＜１＞～＜２９＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。

　＜３４＞複数の弾性波共振子を備え、少なくとも１つの前記弾性波共振子が、＜１＞～＜３３＞のいずれか１つに記載の弾性波装置である、フィルタ装置。

１…弾性波装置
２…圧電性基板
２ｃ…中空部
４…支持基板
５…中間層
６…圧電体層
６ａ，６ｂ…第１，第２の主面
８，８Ａ…ＩＤＴ電極
９Ａ，９Ｂ…反射器
９ａ，９ｂ…反射器電極指
１４，１５…第１，第２のバスバー
１６，１７…第１，第２の電極指
１８，１９…第１、第２の電極パターン
２２，２３…第１，第２のオフセット電極
２５…高音速膜
２６…第１の電極指
２６ｂ…幅広部
２７…第２の電極指
２７ａ…幅広部
２８…ＩＤＴ電極
２９，２９Ａ…質量付加膜
３８，３８Ａ～３８Ｄ…第１の電極パターン
３９，３９Ａ～３９Ｄ…第２の電極パターン
４８…ＩＤＴ電極
５６，５７…第１，第２の電極指
５８…ＩＤＴ電極
６４，６５…第１，第２のバスバー
６４ａ，６５ａ…折れ曲がり部
６８…ＩＤＴ電極
７５…誘電体膜
７８…ＩＤＴ電極
８２，８２Ａ，８２Ｂ…圧電性基板
８２ｃ…中空部
８４…支持基板
８５Ａ…高音速膜
８５Ｂ…低音速膜
８７…音響反射膜
８７ａ…高音響インピーダンス層
８７ｂ…低音響インピーダンス層
８７ｃ…高音響インピーダンス層
８７ｄ…低音響インピーダンス層
８７ｅ…高音響インピーダンス層
８９…保護膜
８９ａ，８９ｂ…第１，第２の層
９１…弾性波装置
９８…電極
１００…フィルタ装置
１０２，１０３…第１，第２の信号端子
２０１，２０２，３０１…弾性波装置
Ｄ…交叉領域
Ｅ１，Ｅ２…第１，第２の包絡線
Ｆ…中央領域
Ｈ１，Ｈ２…第１，第２のエッジ領域
Ｎ１，Ｎ２…基準線
Ｐ１，Ｐ２…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ３…直列腕共振子
Ｔ１，Ｔ２…第１，第２の直線領域
Ｖ１，Ｖ２…複数の折れ曲がり部
Ｗ１，Ｗ２…第１，第２の曲線領域

Claims

　圧電体層を含む圧電性基板と、
　前記圧電体層上に設けられており、１対のバスバー及び複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、
を備え、
　前記１対のバスバーが、互いに対向している第１のバスバー及び第２のバスバーであり、前記複数の電極指が、複数の第１の電極指及び複数の第２の電極指であり、前記複数の第１の電極指の一端がそれぞれ、前記第１のバスバーに接続されており、前記複数の第２の電極指の一端がそれぞれ、前記第２のバスバーに接続されており、前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指が互いに間挿し合っており、
　前記複数の第２の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第１の包絡線、前記複数の第１の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第２の包絡線とし、前記ＩＤＴ電極における、前記第１の包絡線及び前記第２の包絡線の間の領域が交叉領域であり、
　前記圧電体層上に設けられており、前記第１のバスバーと前記交叉領域との間、及び前記第２のバスバーと前記交叉領域との間のうち、少なくとも一方に設けられている、複数の電極パターンをさらに備え、
　前記複数の電極指のうち、少なくとも１本の前記第１の電極指の先端部または少なくとも１本の前記第２の電極指の先端部が、前記電極パターンと対向しており、
　平面視における前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の形状がそれぞれ、前記交叉領域において、曲線状の部分を含み、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλとしたときに、前記複数の電極指のうち、前記電極パターンと対向している電極指の先端部と、該電極パターンとの間の距離が、０．５λ以下である、弾性波装置。
　前記交叉領域が、前記第１の包絡線を含む第１のエッジ領域と、前記第２の包絡線を含む第２のエッジ領域と、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域により挟まれた中央領域と、を有し、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域のうち少なくとも一方の少なくとも一部において、前記中央領域における音速よりも音速が低い、低音速領域が構成されている、請求項１に記載の弾性波装置。
　前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域のうち少なくとも一方において、少なくとも１本の前記電極指が、前記中央領域における幅よりも幅が広い幅広部を有することにより、前記低音速領域が構成されている、請求項２に記載の弾性波装置。
　前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域のうち少なくとも一方において、平面視したときに、前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指のうち少なくとも１本と重なるように設けられている、質量付加膜をさらに備え、
　前記質量付加膜が設けられていることにより、前記低音速領域が構成されている、請求項２または３に記載の弾性波装置。
　前記中央領域に設けられている高音速膜をさらに備え、
　前記高音速膜が設けられていることによって、前記中央領域における音速が、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域における音速よりも高くなっており、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域の双方において、前記低音速領域が構成されている、請求項２～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記低音速領域が、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域の双方の全体において構成されている、請求項２～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記低音速領域が、前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域のうち一方のみの少なくとも一部において構成されている、請求項２～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記複数の電極パターンが、前記第１のバスバーと、前記複数の第２の電極指との間のみに設けられており、
　前記低音速領域が、前記第２のエッジ領域のみの少なくとも一部において構成されている、請求項７に記載の弾性波装置。
　全ての前記第２の電極指のうち一部の前記第２の電極指が、前記電極パターンと対向しており、
　前記低音速領域が、前記第１のエッジ領域の一部において構成されており、
　前記第１のエッジ領域における前記低音速領域が構成されていない部分に、少なくとも１本の前記第２の電極指が位置しており、該少なくとも１本の第２の電極指の先端部が、前記電極パターンと対向している、請求項２～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記第１のバスバーに一端が接続されている少なくとも１本のオフセット電極を有し、
　前記低音速領域が、前記第１のエッジ領域の一部において構成されており、
　前記第１のエッジ領域における前記低音速領域が構成されていない部分に、少なくとも１本の前記第２の電極指が位置しており、該少なくとも１本の第２の電極指と、前記少なくとも１本のオフセット電極が対向している、請求項２～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記複数の電極パターンが、前記第１のバスバーと前記交叉領域との間、及び前記第２のバスバーと前記交叉領域との間の双方に設けられており、全ての前記第１の電極指の先端部及び全ての前記第２の電極指の先端部が、前記電極パターンと対向している、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記複数の電極パターンが、前記第１のバスバーと前記交叉領域との間、及び前記第２のバスバーと前記交叉領域との間のうち一方にのみ設けられている、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びる矩形の形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指の双方に接続されている、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びる矩形の形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指のうち一方のみに接続されている、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びる矩形の形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指のいずれにも接続されていない、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びていない辺を含む形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指の双方に接続されている、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びていない辺を含む形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指のうち一方のみに接続されている、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記複数の電極パターンのうち少なくとも１つが、平面視において、前記１対のバスバーのうち該電極パターンと対向しているバスバーと平行に延びていない辺を含む形状を有し、かつ該バスバーに接続された隣り合う前記電極指のいずれにも接続されていない、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電体層の材料として、圧電単結晶が用いられており、
　前記圧電体層が伝搬軸を有し、
　前記第１の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜して延びている、請求項１～１８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記第２の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜して延びており、
　前記第１の包絡線及び前記第２の包絡線が、前記伝搬軸に対して傾斜している角度の絶対値が９０°以下であり、前記第１の包絡線及び前記第２の包絡線が、前記伝搬軸に対して、互いに反対側に傾斜して延びている、請求項１９に記載の弾性波装置。
　前記第１の包絡線及び前記第２の包絡線のうち少なくとも一方が、延びる方向が変化している、少なくとも１つの折れ曲がり部を有する、請求項１～１９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　平面視における前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の形状がそれぞれ、前記交叉領域において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の曲がる方向が異なる少なくとも２つの曲線状の部分を含み、かつ少なくとも１つの変曲点を有する、請求項１～２１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　平面視における前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の形状における、前記少なくとも２つの曲線状の部分がそれぞれ、円弧または楕円弧の形状を含み、前記交叉領域が、平面視における前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の形状がそれぞれ、単一の円弧または楕円弧の形状である、少なくとも２つの曲線領域を含む、請求項２２に記載の弾性波装置。
　複数の前記曲線領域のうち１つの曲線領域が前記第１の包絡線を含み、
　それぞれの前記曲線領域において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の２つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部としたときに、前記第１の包絡線の延長線が、該曲線領域における前記定点を通り、
　前記第１の包絡線及び前記第１の包絡線の延長線を含む直線を基準線とし、前記第１の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、該曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、デューティ比、電極指ピッチ、並びに前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の厚みのうち少なくともいずれかが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、請求項２３に記載の弾性波装置。
　前記圧電体層上に、前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている誘電体膜をさらに備え、
　複数の前記曲線領域のうち１つの曲線領域が前記第１の包絡線を含み、
　それぞれの前記曲線領域において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の２つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部としたときに、前記第１の包絡線の延長線が、該曲線領域における前記定点を通り、
　前記第１の包絡線及び前記第１の包絡線の延長線を含む直線を基準線とし、前記第１の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、該曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、前記誘電体膜の厚みが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、請求項２３に記載の弾性波装置。
　前記圧電体層の材料として、圧電単結晶が用いられており、
　前記圧電体層が伝搬軸を有し、
　それぞれの前記曲線領域において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の２つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記第１の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、該曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、デューティ比、電極指ピッチ、並びに前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指の厚みのうち少なくともいずれかが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、請求項２３に記載の弾性波装置。
　前記圧電体層上に、前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている誘電体膜をさらに備え、
　前記圧電体層の材料として、圧電単結晶が用いられており、
　前記圧電体層が伝搬軸を有し、
　それぞれの前記曲線領域において、前記第１の電極指及び前記第２の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の２つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記第１の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、該曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、前記誘電体膜の厚みが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、請求項２３に記載の弾性波装置。
　前記交叉領域において、平面視における前記第１の電極指及び前記第２の電極指の形状が、直線の形状を含む、請求項１～２７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電体層上に、前記ＩＤＴ電極を挟み互いに対向するように設けられており、複数の反射器電極指をそれぞれ有する、１対の反射器をさらに備え、
　平面視における前記複数の反射器電極指の形状が、曲線状の形状を含む、請求項１～２８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板が支持基板を有し、
　前記支持基板上に前記圧電体層が設けられている、請求項１～２９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板が、前記支持基板及び前記圧電体層の間に設けられている中間層を有する、請求項３０に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板において中空部が構成されており、前記支持基板の一部と、前記圧電体層の一部とが、前記中空部を挟み互いに対向している、請求項３０または３１に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板が前記圧電体層のみからなる、請求項１～２９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　複数の弾性波共振子を備え、
　少なくとも１つの前記弾性波共振子が、請求項１～３３のいずれか１項に記載の弾性波装置である、フィルタ装置。