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WO2024190719A1 - 弾性波デバイスおよび通信装置 - Google Patents

弾性波デバイスおよび通信装置 Download PDF

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Publication number
WO2024190719A1
WO2024190719A1 PCT/JP2024/009230 JP2024009230W WO2024190719A1 WO 2024190719 A1 WO2024190719 A1 WO 2024190719A1 JP 2024009230 W JP2024009230 W JP 2024009230W WO 2024190719 A1 WO2024190719 A1 WO 2024190719A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
wiring
acoustic wave
piezoelectric body
wave device
present disclosure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2024/009230
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
武宏 奥道
哲也 岸野
幹 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2025506834A priority Critical patent/JPWO2024190719A1/ja
Priority to CN202480018697.7A priority patent/CN120917668A/zh
Publication of WO2024190719A1 publication Critical patent/WO2024190719A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • This disclosure relates to an acoustic wave device, which is an electronic component that utilizes acoustic waves, and a communication device that includes the acoustic wave device.
  • Patent Document 1 discloses an acoustic wave filter that can reduce the parasitic capacitance between wiring patterns by forming a resin pattern with a smaller dielectric constant than the piezoelectric substrate and each conductor pattern on the piezoelectric substrate.
  • An acoustic wave device includes a piezoelectric body having piezoelectric properties and a conductor including a first wiring and a second wiring located on the piezoelectric body, and the piezoelectric body has a step between the first wiring and the second wiring.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to another embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to another embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a schematic cross-section
  • FIG. 13 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to another embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to another embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 13 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to another embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to another embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a schematic diagram of a duplexer as an example of a use of an acoustic wave device according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a block diagram showing a configuration of a main part of a communication device as an example of a use of an acoustic wave device according to an embodiment of the present disclosure.
  • an acoustic wave device and a communication device According to an embodiment of the present disclosure will be described below with reference to the drawings. As described below, the configuration of the present disclosure can provide an acoustic wave device and a communication device with excellent power resistance.
  • any direction may be defined as the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction.
  • the direction parallel to the upper surface 2a of the piezoelectric body 2 described below is defined as the X-axis direction
  • the direction parallel to the upper surface 2a of the piezoelectric body 2 and perpendicular to the X-axis direction is defined as the Y-axis direction
  • the direction perpendicular to the upper surface 2a of the piezoelectric body 2 is defined as the Z-axis direction.
  • FIG. 1 is a plan view of an acoustic wave device 1 according to an embodiment of the present disclosure, as viewed from the Z-axis direction.
  • the acoustic wave device 1 according to an embodiment of the present disclosure has a piezoelectric body 2 and a conductor 3.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an acoustic wave device 1 according to an embodiment of the present disclosure, as viewed from the X-axis direction.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 1.
  • the Z-axis direction is also referred to as the up-down direction.
  • the piezoelectric body 2 has an upper surface 2a and a lower surface 2b that are perpendicular to the Z-axis.
  • a conductor 3, which will be described later, is located on the upper surface 2a side of the piezoelectric body 2.
  • an acoustic reflector 5 and a support body 4, which will be described later, may be located on the lower surface 2b side of the piezoelectric body 2.
  • the portions of the piezoelectric body 2 on the upper surface 2a that have different heights in the Z-axis direction are indicated by hatching.
  • Various materials having piezoelectricity can be used for the piezoelectric body 2.
  • materials having piezoelectricity include single crystals of lithium tantalate (LiTaO 3 ; hereinafter referred to as LT) and single crystals of lithium niobate (LiNbO 3 ; hereinafter referred to as LN).
  • the piezoelectric body 2 includes a single crystal of LT.
  • the piezoelectric body 2 has piezoelectricity.
  • an elastic wave propagating through the piezoelectric body 2 is excited. It is possible to appropriately set which type of elastic wave is used as the main resonance among the elastic waves propagating through the piezoelectric body 2.
  • the type of elastic wave may be, for example, a SAW (Surface Acoustic Wave), a BAW (Bulk Acoustic Wave), or a plate wave. In one embodiment of the present disclosure, specifically, a plate wave is used as the main resonance.
  • the propagation mode of the elastic wave excited as the main resonance is not particularly limited and may be set according to the desired frequency characteristics.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the piezoelectric single crystal used as the piezoelectric body 2 may be appropriately designed according to the type and propagation mode of the elastic wave used as the main resonance. For example, if the piezoelectric body 2 is LT, the A1 mode of the Lamb wave, which is a plate wave, can be effectively used as the main resonance by setting the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) to (0° ⁇ 10°, 0° or more and 55° or less, 0° ⁇ 10°).
  • the A1 mode of the Lamb wave which is a plate wave, can be effectively used as the main resonance by setting the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) to (0° ⁇ 10°, 0° or more and 55° or less, 0° ⁇ 10°).
  • the thickness of the piezoelectric body 2 can be set appropriately. For example, when expressed using a wavelength ⁇ , which will be described later, the thickness of the piezoelectric body 2 may be ⁇ or less. By setting the thickness of the piezoelectric body 2 to ⁇ or less, for example, it is possible to effectively use plate waves as the main resonance.
  • thickness refers to the thickness in the Z-axis direction.
  • the conductor 3 is located on the upper surface 2a side of the piezoelectric body 2.
  • the conductor 3 is made of a material having electrical conductivity.
  • the material of the conductor 3 may be, for example, various conductive materials such as aluminum (Al), copper (Cu), platinum (Pt), molybdenum (Mo), gold (Au), or alloys of these.
  • the conductor 3 may be made by stacking multiple layers of various conductive materials such as those mentioned above. In one embodiment of the present disclosure, specifically, the conductor 3 is Al.
  • the conductor 3 includes a plurality of wirings 31 and a plurality of IDT electrodes 32.
  • the plurality of wirings 31 includes a first wiring 311 and a second wiring 312.
  • the plurality of wirings 31 may include wirings other than the first wiring 311 and the second wiring 312.
  • any of the wirings may be the first wiring 311, and any of the wirings may be the second wiring 312.
  • the definition of wiring 31 does not include IDT electrodes 32. In other words, wiring 31 is not an IDT electrode 32.
  • the multiple IDT electrodes 32 include a first IDT electrode 321 and a second IDT electrode 322.
  • the multiple IDT electrodes 32 may include IDT electrodes other than the first IDT electrode 321 and the second IDT electrode 322.
  • the first IDT electrode 321 is connected to an input terminal 61 (described later) via wiring 31.
  • the second IDT electrode 322 is connected to the first IDT electrode 321 via wiring 31.
  • FIG. 3 is a plan view of the IDT electrode 32 as viewed from the Z-axis direction.
  • the IDT electrode 32 has a comb-shaped electrode 41.
  • the comb-shaped electrode 41 includes a plurality of electrode fingers 412.
  • the comb-shaped electrode 41 is located in a direction intersecting the arrangement direction of the plurality of electrode fingers 412 and includes a pair of bus bars 411 connected to the plurality of electrode fingers 412.
  • a first bus bar 411a Of the pair of bus bars 411, one bus bar is referred to as a first bus bar 411a, and the other bus bar is referred to as a second bus bar 411b.
  • the plurality of electrode fingers 412 are arranged such that the plurality of electrode fingers 412a connected to the first bus bar 411a and the electrode fingers 412b connected to the second bus bar 411b interdigitate with each other.
  • the comb-shaped electrode 41 may include a plurality of dummy electrode fingers 413.
  • the plurality of dummy electrode fingers 413 includes, between each of the plurality of electrode fingers 412, a plurality of dummy electrode fingers 413a connected to the first bus bar 411a and facing the electrode fingers 412b extending from the second bus bar 411b, and a plurality of dummy electrode fingers 413b connected to the second bus bar 411b and facing the electrode fingers 412a extending from the first bus bar 411a.
  • opposing does not necessarily mean that the opposing surfaces are parallel to each other; for example, one surface may be tilted toward the other surface.
  • the length of the electrode fingers 412 in the Y-axis direction may be set appropriately depending on the required electrical characteristics, etc. For example, the lengths of the electrode fingers 412 in the Y-axis direction are equal to each other.
  • the conductor 3 may be apodized, in which the length of the electrode fingers 412 in the Y-axis direction (or, from another perspective, the cross width) changes depending on the position in the X-axis direction.
  • the repeat pitch of the multiple electrode fingers 412 is denoted by p, and the width of the electrode fingers 412 is denoted by w.
  • p and w are designed appropriately according to the desired frequency characteristics.
  • p is constant, but is not limited to this example.
  • p may be designed to gradually increase, or may be designed to have multiple types of pitch in stages.
  • p may be defined by the average value of pitches measured at 5 to 10 locations.
  • the largest pitch of the multiple pitches may be selected as a representative value, and p may be defined by that representative value.
  • the resonant frequency fr of the elastic wave device 1 is roughly equivalent to the frequency of the elastic wave used as the main resonance among the excited elastic waves.
  • the anti-resonant frequency fa is determined by the resonant frequency fr and the capacitance ratio.
  • the capacitance ratio is determined mainly by the piezoelectric body 2, and is adjusted by the number of electrode fingers 412, the crossing width, the film thickness, etc.
  • the IDT electrode 32 may further include a pair of reflectors 42 located on the upper surface 2a side of the piezoelectric body 2.
  • the pair of reflectors 42 are located on both sides of the comb-shaped electrode 41 in the X-axis direction.
  • the reflector 42 includes a pair of reflector bus bars 421 facing each other and a plurality of strip electrodes 422 extending between the pair of reflector bus bars 421.
  • the first IDT electrode 321 and the second IDT electrode 322 may have the same or similar structure as that shown in FIG. 3.
  • one of the pair of busbars 411 of the second IDT electrode 322 is referred to as the third busbar 411c
  • the other busbar is referred to as the fourth busbar 411d.
  • the first busbar 411a of the first IDT electrode 321 is connected to the input terminal 61 described later via the wiring 31.
  • the second busbar 411b of the first IDT electrode 321 is connected to the third busbar 411c of the second IDT electrode 322 via the wiring 31.
  • the IDT electrode 32 may be an IDT electrode divided into multiple parts.
  • the P of the multiple electrode fingers 412 in the divided IDT electrodes is approximately the same to the extent that the frequency characteristics are not affected.
  • the first bus bar 411a of the multiple bus bars is connected to the input terminal 61 described later via the wiring 31.
  • the second bus bar 411b of the first IDT electrode 321 of the multiple bus bars is connected to the third bus bar 411c of the second IDT electrode 322 via the wiring 31.
  • the acoustic wave device 1 of one embodiment of the present disclosure may have multiple terminals 6.
  • the multiple terminals 6 include an input terminal 61 and an output terminal 62.
  • the input terminal 61 is a terminal to which a signal is input from an external circuit.
  • Output terminal 62 is a terminal that outputs a signal to an external circuit.
  • the piezoelectric body 2 has a step 20.
  • the step 20 When viewed from a plane in the Z-axis direction, the step 20 is located between the first wiring 311 and the second wiring 312. When viewed from a plane in the Z-axis direction, the step 20 is located outside the multiple IDT electrodes 32.
  • the step 20 When the step 20 is located between the first wiring 311 and the second wiring 312, the opposing area of the first wiring 311 and the second wiring 312 is reduced, and the parasitic capacitance that occurs between the wirings can be reduced. Therefore, even if the distance between the first wiring 311 and the second wiring 312 is reduced, the increase in the parasitic capacitance between the first wiring 311 and the second wiring 312 can be reduced.
  • a step 20 is located between the first wiring 311 and the second wiring 312 when viewed in cross section from the X-axis direction, but this example is not limited to this.
  • a step 20 may be located between the first wiring 311 and the second wiring 312 when viewed in cross section from the Y-axis direction.
  • the step in the piezoelectric body 2 is not limited to only the step 20.
  • the piezoelectric body 2 may have multiple steps including the step 20.
  • the first wiring 311 may be connected to a terminal 6 that connects to an external circuit.
  • the terminal 6 that connects to an external circuit may be an input terminal 61 or an output terminal 62.
  • the terminal 6 that connects to an external circuit may also be, for example, a ground terminal 63 that is configured to be at ground potential. According to the embodiment shown in FIG. 1, the first wiring 311 is connected to the ground terminal 63.
  • the increase in parasitic capacitance between the first wiring 311 and the second wiring 312 can be reduced even when the distance between the first wiring 311 and the second wiring 312 is reduced.
  • the distance between the first wiring 311 and the second wiring 312 is short, heat is easily transferred from the second wiring 312 to the first wiring 311. Therefore, by locating the step 20 between the first wiring 311 and the second wiring 312, the generation of parasitic capacitance between the wirings in the acoustic wave device 1 can be reduced while improving the heat dissipation.
  • the power resistance of the acoustic wave device 1 is improved.
  • the upper surface 2a of the piezoelectric body 2 on the first wiring 311 side is located lower than the upper surface 2a of the piezoelectric body 2 on the second wiring 312 side, but this is not limiting.
  • the upper surface 2a of the piezoelectric body 2 on the first wiring 311 side may be located higher than the upper surface 2a of the piezoelectric body 2 on the second wiring 312 side.
  • first wiring 311 and the second wiring 312 are formed on the same piezoelectric body 2, but this example is not limiting.
  • the first wiring 311 and the second wiring 312 may be located on different piezoelectric bodies 2. Even if the first wiring 311 and the second wiring 312 are located on different piezoelectric bodies 2, if there is a step between the first wiring 311 and the second wiring 312, the parasitic capacitance generated between the wirings can be reduced.
  • the piezoelectric body 2 may have different steps 20a and 20b between the first wiring 311 and the second wiring 312.
  • the direction of the height difference between the steps 20a and 20b may be the same direction or different directions. In the example shown in Figure 5, the directions of the height difference are different. In this case, the steps 20a and 20b form a groove.
  • FIG. 4 is a plan view of an acoustic wave device 1 according to an embodiment of the present disclosure, as viewed from the Z-axis direction.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of an acoustic wave device 1 according to an embodiment of the present disclosure, as viewed from the X-axis direction.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 4.
  • the piezoelectric body 2 has a first groove 21.
  • the first groove 21 is located between the first wiring 311 and the second wiring 312 in a planar view from the Z-axis direction.
  • the first groove 21 is located outside the multiple IDT electrodes 32 in a planar view from the Z-axis direction. Since the first groove 21 includes steps 20a and 20b, when the first groove 21 is located between the first wiring 311 and the second wiring 312, steps 20a and 20b are also located between the first wiring 311 and the second wiring 312.
  • the piezoelectric body 2 When the piezoelectric body 2 has the first groove 21 between the first wiring 311 and the second wiring 312, the portion occupied by the piezoelectric body 2 having a high dielectric constant is reduced. This makes it possible to reduce the parasitic capacitance that occurs between the first wiring 311 and the second wiring 312. Therefore, even when the distance between the first wiring 311 and the second wiring 312 is reduced, the increase in parasitic capacitance between the first wiring 311 and the second wiring 312 can be reduced.
  • the first groove 21 is located between the first wiring 311 and the second wiring 312 when viewed in cross section from the X-axis direction, but this example is not limited to this.
  • the first groove 21 may be located between the first wiring 311 and the second wiring 312 when viewed in cross section from the Y-axis direction.
  • the grooves in the piezoelectric body 2 are not limited to only the first groove 21.
  • the piezoelectric body 2 may have multiple grooves including the first groove 21.
  • the first wiring 311 may be connected to a terminal 6 that connects to an external circuit.
  • the terminal 6 that connects to an external circuit may be an input terminal 61 or an output terminal 62.
  • the terminal 6 that connects to an external circuit may also be, for example, a ground terminal 63 that is configured to be at ground potential. According to one embodiment shown in FIG. 4, the first wiring 311 is connected to the ground terminal 63.
  • the increase in parasitic capacitance between the first wiring 311 and the second wiring 312 can be reduced even when the distance between the first wiring 311 and the second wiring 312 is reduced.
  • the distance between the first wiring 311 and the second wiring 312 is short, heat is easily transferred from the second wiring 312 to the first wiring 311. Therefore, by positioning the first groove 21 between the first wiring 311 and the second wiring 312, the generation of parasitic capacitance between the wirings in the acoustic wave device 1 can be reduced while improving heat dissipation.
  • the second wiring 312 does not have to be connected to a terminal that connects to an external circuit.
  • the second wiring 312 is connected to the second bus bar 411b of the first IDT electrode 321 and the third bus bar 411c of the second IDT electrode 322.
  • the second wiring 312 is not connected to any of the terminals that connect to an external circuit, such as the input terminal 61, the output terminal 62, and the ground terminal 63.
  • the second wiring 312 is an electrically floating wiring.
  • the second wiring 312 When the second wiring 312 is not connected to a terminal that connects to an external circuit, the second wiring 312 is a floating wiring. For this reason, heat generated in the second wiring 312 is not easily transferred to the external circuit. Therefore, heat is likely to accumulate in the second wiring 312. In addition, high power is input to the first IDT electrode 321 that is connected to the input terminal. For this reason, heat is more likely to accumulate in the wiring 31 that is connected to the first IDT electrode 321 and the second IDT electrode 322 than in other wiring.
  • the heat dissipation properties of the acoustic wave device 1 can be improved.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device 1 according to another configuration example of the present disclosure.
  • Reference numerals 600A, 600B, and 600C in FIG. 6 indicate the respective configuration examples.
  • the configuration examples of the present disclosure are not limited to the example of FIG. 6.
  • the first wiring 311 and the second wiring 312 are located away from the edge of the first groove 21, but this is not limited to this example.
  • the first wiring 311 and the second wiring 312 may be located at the edge of the first groove 21.
  • the first groove 21 may be formed in the entire piezoelectric body 2 located between the first wiring 311 and the second wiring 312.
  • all of the first wiring 311 and all of the second wiring 312 are located outside the first groove 21, but this is not limiting.
  • at least a part of the first wiring 311 may be located inside the first groove 21.
  • the first wiring 311 and the second wiring 312 are located on different planes. Therefore, the opposing area of the first wiring 311 and the second wiring 312 is smaller than when they are on the same plane. Therefore, even if the distance between the first wiring 311 and the second wiring 312 is reduced, the increase in parasitic capacitance between the first wiring 311 and the second wiring 312 can be reduced. Therefore, in the acoustic wave device 1, the generation of parasitic capacitance between the wirings can be reduced while improving heat dissipation.
  • At least a portion of the first wiring 311 is located inside the first groove 21, but this is not limited to this example.
  • at least a portion of the second wiring 312 may be located inside the first groove 21.
  • the acoustic wave device 1 does not include any other components inside the first groove 21, but this is not limiting.
  • the acoustic wave device 1 may have an insulator 7 inside the first groove 21.
  • the insulator 7 may include, for example, a material having a smaller dielectric constant than the piezoelectric body 2.
  • a material having a smaller dielectric constant than the piezoelectric body 2 When the insulator 7 having a smaller dielectric constant than the piezoelectric body 2 is located in the first groove 21, the parasitic capacitance between the first wiring 311 and the second wiring 312 can be reduced compared to when the piezoelectric body 2 does not have the first groove 21.
  • materials for such an insulator 7 include resin materials such as polyimide and acrylic.
  • Other examples of materials include inorganic materials such as silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN), and aluminum nitride (AlN).
  • the insulator 7 may include, for example, a material having a higher thermal conductivity than the piezoelectric body 2.
  • a material having a higher thermal conductivity than the piezoelectric body 2 When the insulator 7 having a higher thermal conductivity than the piezoelectric body 2 is located in the first groove 21, the thermal conductivity between the first wiring 311 and the second wiring 312 is improved compared to when the piezoelectric body 2 does not have the first groove 21. This improves the heat dissipation of the acoustic wave device 1.
  • materials for the insulator 7 include resin materials such as polyimide and acrylic. Other examples of materials include inorganic materials such as SiN, AlN, alumina (Al 2 O 3 ), and titania (TiO 3 ).
  • FIG. 7 is a plan view of an acoustic wave device 1 according to another configuration example of the present disclosure, viewed from the Z-axis direction. As shown in FIG. 7, the first groove 21 may have regions with different widths. The length of the first groove 21 can be changed as appropriate. The depth of the first groove 21 can be changed as appropriate and does not necessarily need to be constant. For example, the first groove 21 may have regions with different depths.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device 1 according to yet another configuration example of the present disclosure.
  • the reference characters 800A and 800C in FIG. 8 respectively indicate this configuration example.
  • the support 4 may be located on the lower surface 2b side of the piezoelectric body 2.
  • the support 4 is in direct or indirect contact with the piezoelectric body 2.
  • the thickness of the support 4 is not particularly limited, and for example, the thickness of the support 4 may be thicker than the thickness of the piezoelectric body 2.
  • thickness refers to the thickness in the Z-axis direction.
  • the material of the support 4 is not particularly limited.
  • the material of the support 4 may be a material having a smaller linear expansion coefficient than the piezoelectric body 2.
  • a material for the support 4 it is possible to reduce deformation of the piezoelectric body 2 due to temperature changes and reduce changes in the resonance characteristics of the acoustic wave device 1 due to temperature changes.
  • materials for the support 4 include Al 2 O 3 , SiC, and Si.
  • an acoustic reflector 5 may be located on the lower surface 2b side of the piezoelectric body 2.
  • the acoustic impedance of the acoustic reflector 5 is different from the acoustic impedance of the piezoelectric body 2.
  • a difference in acoustic impedance occurs between the piezoelectric body 2 and the acoustic reflector 5, so that the excited elastic wave can be effectively trapped in the piezoelectric body 2.
  • the acoustic reflector 5 may be configured by alternately stacking a plurality of low acoustic impedance bodies 51 and a plurality of high acoustic impedance bodies 52.
  • the acoustic impedance of the low acoustic impedance body 51 is smaller than the acoustic impedance of the piezoelectric body 2.
  • the acoustic impedance of the high acoustic impedance body 52 is larger than the acoustic impedance of the low acoustic impedance body 51.
  • An example of such a low acoustic impedance body 51 is SiO 2.
  • An example of the high acoustic impedance body 52 is hafnium oxide (HfO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), etc.
  • both the acoustic reflector 5 and the support 4 may be located on the lower surface 2b side of the piezoelectric body 2.
  • the acoustic wave device 1 only one of the acoustic reflector 5 or the support 4 may be located on the lower surface 2b side of the piezoelectric body 2.
  • the acoustic reflector 5 is a solid layer, but this is not limited to this example.
  • a gap 53 may be provided between the piezoelectric body 2 and the support 4.
  • the acoustic reflector 5 may be a gas present in the gap 53.
  • the gap 53 is located on the lower surface 2b side of the piezoelectric body 2, at a position overlapping with the multiple electrode fingers 412 when viewed in a plan view from the Z-axis direction.
  • Gas is present within the gap 53.
  • the gas may be air or an inert gas such as nitrogen or argon (Ar). With this configuration, the gas present within the gap 53 acts as an acoustic reflector, effectively reducing the leakage of elastic waves from the lower surface 2b side of the piezoelectric body 2.
  • the size and depth of the gap 53 may be set as appropriate.
  • FIG. 9 is a plan view of an acoustic wave device 1 according to yet another configuration example of the present disclosure, viewed from the Z-axis direction.
  • the piezoelectric body 2 may have a second groove 22 located inside the IDT electrode 32. In this way, by positioning the second groove 22 inside the IDT electrode 32, the frequency characteristics of the IDT electrode 32 can be adjusted. Therefore, an acoustic wave device 1 with good filter characteristics can be provided.
  • the second grooves 22 may be located in an area overlapping with the IDT electrode 32 when viewed in a plan view from the Z-axis direction.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of an acoustic wave device 1 according to yet another configuration example of the present disclosure. As shown in FIG. 10, a plurality of second grooves 22 may be formed on the upper surface 2a of the piezoelectric body 2. Also, the electrode fingers 412 of the IDT electrode 32 may be located inside the second grooves 22.
  • the second groove 22 may be formed in all of the multiple IDT electrodes 32 of the acoustic wave device 1. Alternatively, the second groove 22 may be formed in only some of the multiple IDT electrodes 32. When multiple second grooves 22 are formed, the shapes of the multiple second grooves 22 may be different from each other.
  • Fig. 11 is a circuit diagram showing a schematic configuration of a duplexer 101 as an example of the use of the acoustic wave device 1.
  • the comb-shaped electrode 41 is shown diagrammatically in a bifurcated fork shape, and the reflector 42 is represented by a single line bent at both ends.
  • the splitter 101 has, for example, a transmit filter 105 that filters the transmit signal from the transmit terminal 103 and outputs it to the antenna terminal 102, and a receive filter 106 that filters the receive signal from the antenna terminal 102 and outputs it to the receive terminal 104.
  • the transmit filter 105 and receive filter 106 are each formed, for example, of a ladder-type filter in which multiple resonators are connected in a ladder configuration. That is, the transmit filter 105 has one or more series resonators connected in series between the transmit terminal 103 and the antenna terminal 102, and one or more parallel resonators that connect the series arm to a reference potential.
  • the acoustic wave device 1 may be used as at least one of the series resonators and parallel resonators in the transmit filter 105 and the receive filter 106.
  • the splitter 101 in one embodiment of the present disclosure is not limited to the configuration in FIG. 11.
  • the transmit filter 105 in the splitter 101, the transmit filter 105 may be configured as a multimode filter.
  • both the transmit filter 105 and the receive filter 106 are acoustic wave filters, but this configuration is not limiting.
  • either the transmit filter 105 or the receive filter 106 may be an acoustic wave filter that uses the acoustic wave device 1. Therefore, the other may be an LC filter that includes one or more inductors and one or more capacitors.
  • the splitter 101 is described as having a transmit filter 105 and a receive filter 106, but the splitter 101 is not limited to this configuration.
  • the splitter 101 may be a diplexer or a multiplexer including three or more filters.
  • Example of use of acoustic wave device 1 communication device 12 is a block diagram showing a main part of a communication device 111 as an example of a use of the acoustic wave device 1 and the duplexer 101.
  • the communication device 111 includes the duplexer 101, and performs wireless communication using radio waves.
  • a transmission information signal TIS containing information to be transmitted is modulated and frequency-raised (converted to a high-frequency signal of the carrier frequency) by an RF-IC (Radio Frequency Integrated Circuit) 113 to produce a transmission signal TS.
  • Unnecessary components outside the transmission passband are removed from the transmission signal TS by a bandpass filter 115a, amplified by an amplifier 114a, and input to the transmission terminal 103.
  • the transmission filter 105 then removes unnecessary components outside the transmission passband from the input transmission signal TS, and outputs the removed transmission signal TS from the antenna terminal 102 to the antenna 112.
  • the antenna 112 converts the input transmission signal TS into a wireless signal and transmits it.
  • a radio signal received by the antenna 112 is converted by the antenna 112 into a received signal RS and input to the antenna terminal 102.
  • the receiving filter 106 removes unnecessary components outside the receiving passband from the input received signal RS and outputs it from the receiving terminal 104 to the amplifier 114b.
  • the output received signal RS is amplified by the amplifier 114b, and unnecessary components outside the receiving passband are removed by the bandpass filter 115b.
  • the received signal RS is then frequency-downshifted and demodulated by the RF-IC 113 to become a received information signal RIS.
  • the transmission information signal TIS and the reception information signal RIS may be low-frequency signals containing appropriate information, for example, analog audio signals or digitized audio signals.
  • the passband of the wireless signal may be set as appropriate, and in one embodiment of the present disclosure, a relatively high frequency passband is also possible.
  • the modulation method may be any of phase modulation, amplitude modulation, frequency modulation, or a combination of any two or more of these.
  • FIG. 12 shows only the essential parts in a schematic manner. Therefore, a low-pass filter or an isolator, etc. may be added at an appropriate position in the example of FIG. 12. Furthermore, the position of the amplifier, etc. may be changed from the example of FIG. 12.
  • An acoustic wave device comprises a piezoelectric body having piezoelectric properties and a conductor including a first wiring and a second wiring located on the piezoelectric body, wherein the piezoelectric body has a step between the first wiring and the second wiring.
  • the first wiring and the second wiring do not have to be IDT electrodes.
  • the piezoelectric body may be located between the first wiring and the second wiring and have a first groove including the step.
  • the first wiring may be connected to a terminal that connects to an external circuit.
  • the second wiring may not be connected to a terminal that connects to an external circuit.
  • the conductor may further include a plurality of IDT electrodes having a plurality of electrode fingers interdigitated with each other, the plurality of IDT electrodes may include a first IDT electrode having a first bus bar and a second bus bar, and a second IDT electrode having a third bus bar and a fourth bus bar, the second wiring may be connected to the second bus bar and the third bus bar, and the first bus bar may be connected to an input terminal to which a signal is input from an external circuit.
  • the first wiring may be connected to a ground terminal configured to be at ground potential.
  • At least a portion of the first wiring or at least a portion of the second wiring may be located inside the first groove.
  • the acoustic wave device may further include an insulator located on the piezoelectric body in any one of aspects 1 to 8, and the insulator may include a material having a smaller dielectric constant than the piezoelectric body or a material having a higher thermal conductivity than the piezoelectric body, and may be located between the first wiring and the second wiring in a planar view.
  • the acoustic wave device may be any one of aspects 3 to 9, further comprising an acoustic reflector located on the piezoelectric body opposite the conductor and having a smaller acoustic impedance than the piezoelectric body, the conductor may further include a plurality of IDT electrodes having a plurality of electrode fingers interdigitated with each other, and the piezoelectric body may further have a second groove located in a region overlapping the IDT electrodes in a planar view.
  • a communication device may include an antenna, an acoustic wave device according to any one of aspects 1 to 10 connected to the antenna, and an IC connected to the acoustic wave device.

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Abstract

耐電力性に優れた弾性波デバイスを提供する。弾性波デバイスは、圧電性を有する圧電体と、圧電体上に位置する第１配線および第２配線を含む導体と、を備える。圧電体は、第１配線と第２配線との間に段差を有する。

Description

弾性波デバイスおよび通信装置
　本開示は、弾性波を利用する電子部品である弾性波デバイス、および、当該弾性波デバイスを含む通信装置に関する。
　特許文献１には、圧電基板上に、圧電基板より誘電率が小さい樹脂パターンと、各導体パターンとをそれぞれ形成することで、配線パターン間の寄生容量を小さくすることができる弾性波フィルタが開示されている。
日本国特開２００４－２８２７０７号公報
　本開示の一態様に係る弾性波デバイスは、圧電性を有する圧電体と、前記圧電体上に位置する第１配線および第２配線、を含む導体と、を備え、前記圧電体は、前記第１配線と前記第２配線との間に段差を有する。
本開示の一実施形態に係る弾性波デバイスの模式的な平面図である。 本開示の一実施形態に係る弾性波デバイスの模式的な断面図である。 本開示の一実施形態に係る弾性波デバイスの模式的な平面図である。 本開示の一実施形態に係る弾性波デバイスの模式的な平面図である。 本開示の他の実施形態に係る弾性波デバイスの模式的な断面図である。 本開示の他の実施形態に係る弾性波デバイスの模式的な断面図である。 本開示の他の実施形態に係る弾性波デバイスの模式的な平面図である。 本開示の他の実施形態に係る弾性波デバイスの模式的な断面図である。 本開示の他の実施形態に係る弾性波デバイスの模式的な平面図である。 本開示の他の実施形態に係る弾性波デバイスの模式的な断面図である。 本開示の一実施形態に係る弾性波デバイスの利用例としての分波器の模式図である。 本開示の一実施形態に係る弾性波デバイスの利用例としての通信装置の要部の構成を示すブロック図である。
　例えば弾性波フィルタ等を有する電子部品は、携帯電話およびスマートフォン等の高周波化またはハイパワー化に伴い、耐電力性が求められている。そこで、以下では、本開示の一実施形態に係る弾性波デバイスおよび通信装置について、図面を参照して説明する。以下に述べる通り、本開示の構成によれば、耐電力性に優れた弾性波デバイスおよび通信装置を提供することができる。
　以下の説明で用いられる図は模式的な図であり、図面上の寸法比率等は現実の弾性波デバイスおよび通信装置とは必ずしも一致していない。図面には、便宜上、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸からなる直交座標系を付すことがある。本開示の一実施形態に係る弾性波デバイス１では、いずれの方向が、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、およびＺ軸方向として定義されてもよい。本開示では便宜上、後述する圧電体２の上面２ａに平行な方向をＸ軸方向と定義し、圧電体２の上面２ａに平行であり且つＸ軸方向に直交する方向をＹ軸方向と定義し、圧電体２の上面２ａに直交する方向をＺ軸方向と定義する。
　本明細書に記載する各実施形態は例示的なものであり、異なる実施形態間において各構成を部分的に置換してもよい。また、異なる実施形態を部分的に組み合わせてもよい。
　図１は、本開示の一実施形態の弾性波デバイス１の、Ｚ軸方向から見た平面図である。本開示の一実施形態に係る弾性波デバイス１は、図１に示すように、圧電体２と導体３とを有している。図２は、本開示の一実施形態の弾性波デバイス１の、Ｘ軸方向から見た断面図である。例えば図２は、図１に記載のII－II線における断面図である。
　本明細書では、Ｚ軸方向を上下方向とも称する。圧電体２は、Ｚ軸に垂直な上面２ａと下面２ｂとを備える。圧電体２の上面２ａ側には、後述する導体３が位置している。また、圧電体２の下面２ｂ側には、後述する音響反射体５および支持体４が位置していてもよい。
　図１では、圧電体２のうち上面２ａのＺ軸方向における高さが異なる部分をハッチングにより表している。
　圧電体２には、圧電性を有する種々の材料を使用することができる。圧電性を有する材料として、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３；以下ＬＴという）の単結晶および、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３；以下ＬＮという）の単結晶等が挙げられる。本開示の一実施形態においては、具体的には、圧電体２はＬＴの単結晶を含んでいる。
　圧電体２は、圧電性を有している。後述するＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅ）電極３３に高周波信号が印加されると、圧電体２を伝搬する弾性波が励振される。圧電体２を伝搬する弾性波のうち、どの種類の弾性波を主共振として利用するかは適宜設定可能である。弾性波の種類として、例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）であってもよいし、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）であってもよいし、板波であってもよい。本開示の一実施形態においては、具体的には、板波を主共振として利用する。
　本開示の一実施形態において、主共振として励振される弾性波の伝搬モードは特に限定されず、求められる周波数特性に応じて設定されてもよい。圧電体２として使用される圧電性単結晶のオイラー角（φ，θ，ψ）は、主共振として利用する弾性波の種類および伝搬モード等に応じて適宜設計されてもよい。例えば、圧電体２がＬＴであれば、オイラー角（φ，θ，ψ）を、（０°±１０°，０°以上かつ５５°以下，０°±１０°）に設定することで、主共振として板波であるＬａｍｂ波のＡ１モードを効果的に利用することができる。圧電体２がＬＮであれば、オイラー角（φ，θ，ψ）を、（０°±１０°，０°以上かつ５５°以下，０°±１０°）に設定することで、主共振として板波であるＬａｍｂ波のＡ１モードを効果的に利用することができる。
　圧電体２の厚みは、適宜設定可能である。例えば、圧電体２の厚みは、後述する波長λを用いて表すと、λ以下であってもよい。圧電体２の厚みをλ以下に設定することで、例えば、板波を主共振として効果的に利用することができる。ここでいう「厚み」とは、Ｚ軸方向における厚みを言う。
　導体３は、圧電体２の上面２ａ側に位置する。導体３は、導電性を有する材料で構成されている。導体３の材料には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、またはこれらの合金等種々の導電性材料を採用することができる。導体３は、上記のような種々の導電性材料による複数の層を積層させて構成してもよい。本開示の一実施形態において、具体的に、導体３はＡｌである。
　図１に示すように、導体３は、複数の配線３１と複数のＩＤＴ電極３２とを備える。複数の配線３１は、第１配線３１１と第２配線３１２とを含む。複数の配線３１には、第１配線３１１および第２配線３１２以外の配線が含まれていてもよい。複数の配線３１のうち、いずれの配線を第１配線３１１としてもよいし、いずれの配線を第２配線３１２としてもよい。配線３１の定義にはＩＤＴ電極３２は含まれない。換言すると、配線３１はＩＤＴ電極３２ではない。
　図１に示すように、複数のＩＤＴ電極３２は、第１ＩＤＴ電極３２１と第２ＩＤＴ電極３２２とを含む。複数のＩＤＴ電極３２には、第１ＩＤＴ電極３２１と第２ＩＤＴ電極３２２以外のＩＤＴ電極が含まれていてもよい。第１ＩＤＴ電極３２１は、配線３１を介して後述する入力端子６１に接続される。第２ＩＤＴ電極３２２は、配線３１を介して第１ＩＤＴ電極３２１に接続される。
　図３は、ＩＤＴ電極３２の、Ｚ軸方向から見た平面図である。図３に示すように、ＩＤＴ電極３２は、櫛歯状電極４１を有する。櫛歯状電極４１は、複数の電極指４１２を含む。櫛歯状電極４１は、複数の電極指４１２の配列方向と交差する方向に位置し、複数の電極指４１２と接続される一対のバスバー４１１を含む。一対のバスバー４１１のうち、一方のバスバーを第１バスバー４１１ａと称し、他方のバスバーを第２バスバー４１１ｂと称する。複数の電極指４１２は、第１バスバー４１１ａに接続される複数の電極指４１２ａと、第２バスバー４１１ｂに接続される電極指４１２ｂとが、互いに噛み合うように配置されている。
　櫛歯状電極４１は、複数のダミー電極指４１３を含んでいてもよい。複数のダミー電極指４１３は、複数の電極指４１２のそれぞれの間において、第１バスバー４１１ａに接続され、第２バスバー４１１ｂから延びる電極指４１２ｂと対向する複数のダミー電極指４１３ａと、第２バスバー４１１ｂに接続され、第１バスバー４１１ａから延びる電極指４１２ａと対向する複数のダミー電極指４１３ｂと、を備える。
　本開示において「対向する」とは、必ずしも向かい合う面どうしが平行であることを要さず、例えば一方の面に対し、他方の面が傾いて向かい合っていてもよい。
　複数の電極指４１２のＹ軸方向の長さは、要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、複数の電極指４１２のＹ軸方向の長さは、互いに同等である。導体３は、Ｘ軸方向の位置に応じて複数の電極指４１２のＹ軸方向の長さ（別の観点では交差幅）が変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。
　複数の電極指４１２の繰り返しピッチをｐと表記し、電極指４１２の幅をｗと表記する。ｐおよびｗは、所望する周波数特性に応じて、適宜設計される。図３において、ｐは一定であるが、この例に限定されない。例えば、ｐは、次第に大きくなるように設計されてもよいし、段階的に複数種類のピッチを有するように設計されてもよい。ピッチが複数ある場合、一例として、５～１０か所測定したピッチの平均値によってｐを定義してもよい。別の例として、複数のピッチのうち、最も大きいピッチを代表値として選択し、当該代表値によってｐを定義してもよい。
　ＩＤＴ電極３２に高周波信号が印加されると、上述のピッチｐの２倍として規定される波長λを有する弾性波が励振され、圧電体２を伝搬する。弾性波デバイス１の共振周波数ｆｒは、励振される弾性波のうち、主共振として利用される弾性波の周波数と概ね同等となる。反共振周波数ｆａは、共振周波数ｆｒと容量比とによって決定される。容量比は、主として圧電体２によって規定され、電極指４１２の本数、交差幅、および膜厚等によって調整される。
　ＩＤＴ電極３２は、さらに、圧電体２の上面２ａ側に位置する一対の反射器４２を有していてもよい。例えば、一対の反射器４２は、Ｘ軸方向において、櫛歯状電極４１の両側に位置している。反射器４２は、互いに対向する一対の反射器バスバー４２１と、一対の反射器バスバー４２１間において延びる複数のストリップ電極４２２と、を含んでいる。
　例えば、第１ＩＤＴ電極３２１および第２ＩＤＴ電極３２２は、図３と同一または類似の構造であってもよい。この場合に、第１ＩＤＴ電極３２１が有する第１バスバー４１１ａおよび第２バスバー４１１ｂと区別するため、第２ＩＤＴ電極３２２が有する一対のバスバー４１１のうち一方のバスバーを第３バスバー４１１ｃと称し、他方のバスバーを第４バスバー４１１ｄと称する。この場合、第１ＩＤＴ電極３２１の第１バスバー４１１ａは、配線３１を介して後述する入力端子６１に接続される。第１ＩＤＴ電極３２１の第２バスバー４１１ｂは、配線３１を介して第２ＩＤＴ電極３２２の第３バスバー４１１ｃに接続される。
　図３では、ＩＤＴ電極３２は分割されていない例を示したが、この例に限定されない。例えば、ＩＤＴ電極３２は、複数に分割されたＩＤＴ電極であってもよい。この場合、分割されたＩＤＴ電極どうしにおける複数の電極指４１２のＰは、互いに周波数特性に影響を与えない範囲で略同一である。また、例えば第１ＩＤＴ電極３２１が複数に分割されている場合、複数のバスバーのうち、第１バスバー４１１ａは、配線３１を介して後述する入力端子６１に接続される。また、例えば第１ＩＤＴ電極３２１が複数に分割されている場合、複数のバスバーのうち、第１ＩＤＴ電極３２１の第２バスバー４１１ｂは、配線３１を介して第２ＩＤＴ電極３２２の第３バスバー４１１ｃに接続される。図１に示すように、本開示の一実施形態の弾性波デバイス１は、複数の端子６を有していてもよい。例えば複数の端子６は、入力端子６１と出力端子６２とを含んでいる。入力端子６１は、外部回路から信号が入力される端子である。出力端子６２は、外部回路へ信号を出力する端子である。
　図２に示すように、圧電体２は段差２０を有している。段差２０は、Ｚ軸方向からの平面視において、第１配線３１１と第２配線３１２との間に位置している。また、段差２０は、Ｚ軸方向からの平面視において、複数のＩＤＴ電極３２の外側に位置している。
　段差２０が第１配線３１１と第２配線３１２との間に位置する場合、第１配線３１１と第２配線３１２の対向する面積が小さくなり、配線間に発生する寄生容量を低減することができる。したがって、第１配線３１１と第２配線３１２との距離を小さくした場合においても、第１配線３１１と第２配線３１２との間の寄生容量の増加量を低減することができる。
　図２に記載の一実施形態では、Ｘ軸方向から断面視した場合に、第１配線３１１と第２配線３１２の間に段差２０が位置している例を示したが、この例に限定されない。例えば、Ｙ軸方向から断面視した場合に、第１配線３１１と第２配線３１２との間に段差２０が位置していてもよい。また、圧電体２が有する段差は、段差２０のみに限定されない。例えば、図１に示すように、圧電体２は、段差２０を含む複数の段差を有していてもよい。
　本開示の一実施形態においては、第１配線３１１は、外部回路と接続する端子６と接続されていてもよい。例えば、外部回路と接続する端子６は、入力端子６１であってもよいし、出力端子６２であってもよい。また、外部回路と接続する端子６は、例えばグランド電位となるように構成されたグランド端子６３であってもよい。図１に示す一実施形態によれば、第１配線３１１はグランド端子６３と接続する。
　このように、段差２０を挟んで両側に位置する第１配線３１１および第２配線３１２のうち、第１配線３１１が外部回路と接続する端子６と接続する場合、第１配線３１１で発生した熱は端子６を介して外部回路に伝わる。また、第２配線３１２において発生した熱は、第２配線３１２に隣接する第１配線３１１に伝わり、さらに端子６を介して外部回路に伝わる。
　上述のように、第１配線３１１と第２配線３１２との間に段差２０が位置することにより、第１配線３１１と第２配線３１２との距離を小さくした場合においても、第１配線３１１と第２配線３１２との間の寄生容量の増加量を低減することができる。第１配線３１１と第２配線３１２との距離が近い場合、第２配線３１２から第１配線３１１への熱が伝わりやすくなる。したがって、第１配線３１１と第２配線３１２との間に段差２０が位置することにより、弾性波デバイス１において、配線間の寄生容量の発生を低減しつつ、放熱性を向上させることができる。弾性波デバイス１の放熱性が向上することにより、弾性波デバイス１の耐電力性が向上する。
　図２に記載の一実施形態では、第１配線３１１側の圧電体２の上面２ａが、第２配線３１２側の圧電体２の上面２ａよりも低い位置にある例を示したが、この例に限定されない。例えば、第１配線３１１側の圧電体２の上面２ａは、第２配線３１２側の圧電体２の上面２ａよりも高い位置にあってもよい。
　図２に記載の一実施形態では、第１配線３１１と第２配線３１２とが同一の圧電体２上に形成されている例を示したが、この例に限定されない。例えば、第１配線３１１と第２配線３１２とは、異なる圧電体２上に位置していてもよい。第１配線３１１と第２配線３１２とが異なる圧電体２上に位置していても、第１配線３１１と第２配線３１２との間に段差がある場合には、配線間に発生する寄生容量を低減することができる。
　本開示の一実施形態において、段差２０の両側に位置する第１配線３１１と第２配線３１２とが異なる平面に位置している例を示したが、この例に限定されない、例えば、以下に述べる図４および図５に示すように、圧電体２は、第１配線３１１と第２配線３１２との間に、異なる段差２０ａと段差２０ｂとを有していてもよい。段差２０ａと段差２０ｂとの高低差の方向は、同じ方向であってもよいし、異なる方向であってもよい。図５に示す例では、当該高低差の方向が異なっている。この場合、段差２０ａと段差２０ｂとは、溝を形成する。
　図４は、本開示の一実施形態の弾性波デバイス１の、Ｚ軸方向から見た平面図である。図５は、本開示の一実施形態の弾性波デバイス１の、Ｘ軸方向から見た断面図である。例えば図５は、図４に記載のIV－IV線における断面図である。
　図４において、圧電体２のうち上面２ａのＺ軸方向における高さが異なる部分を、ハッチングにより表している。
　図５に示すように、本開示の一実施形態の弾性波デバイス１では、圧電体２は第１溝２１を有している。第１溝２１は、Ｚ軸方向からの平面視において、第１配線３１１と第２配線３１２との間に位置している。また、第１溝２１は、Ｚ軸方向からの平面視において、複数のＩＤＴ電極３２の外側に位置している。第１溝２１は、段差２０ａと段差２０ｂとを含んでいるため、第１配線３１１と第２配線３１２との間に第１溝２１を有する場合には、同時に、第１配線３１１と第２配線３１２との間に段差２０ａと段差２０ｂも有することになる。
　圧電体２が第１配線３１１と第２配線３１２との間に第１溝２１を有する場合、高い誘電率を有する圧電体２が占める部分が減少する。このため、第１配線３１１と第２配線３１２との間に発生する寄生容量を低減することができる。したがって、第１配線３１１と第２配線３１２との距離を小さくした場合においても、第１配線３１１と第２配線３１２との間の寄生容量の増加量を低減することができる。
　図５に記載の一実施形態では、Ｘ軸方向から断面視した場合に、第１配線３１１と第２配線３１２との間に第１溝２１が位置している例を示したが、この例に限定されない。例えば、第１溝２１は、Ｙ軸方向から断面視した場合に、第１配線３１１と第２配線３１２との間に位置していてもよい。また、圧電体２が有する溝は、第１溝２１のみに限定されない。例えば、図４に示すように、圧電体２は、第１溝２１を含む複数の溝を有していてもよい。
　本開示の一実施形態においては、第１配線３１１は、外部回路と接続する端子６と接続されていてもよい。例えば、外部回路と接続する端子６は、入力端子６１であってもよいし、出力端子６２であってもよい。また、外部回路と接続する端子６は、例えばグランド電位となるように構成されたグランド端子６３であってもよい。図４に示す一実施形態によれば、第１配線３１１はグランド端子６３と接続する。
　このように、第１溝２１を挟んで両側に位置する第１配線３１１および第２配線３１２のうち、第１配線３１１が外部回路と接続する端子６と接続する場合、第１配線３１１において発生した熱は、端子６を介して外部回路に伝わる。また、第２配線３１２において発生した熱は、第２配線３１２と隣接する第１配線３１１に伝わり、さらに端子６を介して外部回路に伝わる。
　上述のように、第１配線３１１と第２配線３１２との間に第１溝２１が位置することにより、第１配線３１１と第２配線３１２との距離を小さくした場合においても、第１配線３１１と第２配線３１２との間の寄生容量の増加量を低減することができる。第１配線３１１と第２配線３１２との距離が近い場合、第２配線３１２から第１配線３１１への熱が伝わりやすくなる。したがって、第１配線３１１と第２配線３１２との間に第１溝２１が位置することにより、弾性波デバイス１において、配線間の寄生容量の発生を低減しつつ、放熱性を向上させることができる。
　本開示の一実施形態においては、第２配線３１２は、外部回路と接続する端子とは接続されていなくてもよい。例えば、図４に示す一実施形態によれば、第２配線３１２は、第１ＩＤＴ電極３２１の第２バスバー４１１ｂと、第２ＩＤＴ電極３２２の第３バスバー４１１ｃと、に接続されている。一方で、図４に示す一実施形態によれば、第２配線３１２は入力端子６１、出力端子６２、および、グランド端子６３等の外部回路と接続する端子のうちのいずれとも接続されていない。換言すると、第２配線３１２は電気的に浮遊した配線である。
　第２配線３１２が外部回路と接続する端子とは接続されていない場合、第２配線３１２は浮遊した配線である。このため、第２配線３１２において発生した熱が外部回路に伝わり難い。それゆえ、第２配線３１２には熱がたまりやすい。また、入力端子に接続される第１ＩＤＴ電極３２１には高電力が入力される。このため、第１ＩＤＴ電極３２１と第２ＩＤＴ電極３２２とに接続される配線３１には、他の配線に比べてより熱がたまりやすい。
　このように、外部回路と接続されない第２配線３１２と、外部回路に接続される第１配線３１１と、の間に第１溝２１が位置することで、熱がたまりやすい第２配線３１２において発生した熱を、効果的に第１配線に伝えることができる。さらに、当該熱を、端子６を介して外部回路に伝えることができる。したがって本開示の一実施形態によれば、弾性波デバイス１の放熱性を向上させることができる。
　図６は、本開示の別の構成例に係る弾性波デバイス１の模式的な断面図である。図６における符号６００Ａ、６００Ｂ、および６００Ｃは、当該構成例をそれぞれ示している。ただし、本開示の構成例は、図６の例に限定されない。
　例えば図５に記載の一実施例において、第１配線３１１および第２配線３１２は、第１溝２１の縁から離れた位置に位置していたが、この例に限定されない。例えば符号６００Ａの例のように、第１溝２１の縁に第１配線３１１および第２配線３１２が位置していてもよい。換言すると、第１溝２１は、第１配線３１１と第２配線３１２の間に位置する圧電体２の全体に形成されていてもよい。
　図５に記載の一実施例において、第１配線３１１の全部および第２配線３１２の全部は、第１溝２１の外側に位置しているが、この例に限定されない。例えば符号６００Ｂの例のように、第１配線３１１の少なくとも一部は、第１溝２１の内側に位置していてもよい。このような構成の場合、第１配線３１１と第２配線３１２とは異なる平面上に位置することになる。このため、第１配線３１１と第２配線３１２との対向する面積は、同一平面上にある場合に比べて小さくなる。したがって、第１配線３１１と第２配線３１２との距離を小さくした場合においても、第１配線３１１と第２配線３１２との間の寄生容量の増加量を低減することができる。よって、弾性波デバイス１において、配線間の寄生容量の発生を低減しつつ、放熱性を向上させることができる。
　符号６００Ｂの例では、第１配線３１１の少なくとも一部が第１溝２１の内側に位置しているが、この例に限定されない。例えば、第２配線３１２の少なくとも一部が、第１溝２１の内側に位置していてもよい。
　図５に記載の一実施例において、弾性波デバイス１が第１溝２１の内側には他の部材を含まない例を示したが、この例に限定されない。例えば符号６００Ｃの例のように、弾性波デバイス１は、第１溝２１の内側に絶縁体７を有していてもよい。
　絶縁体７は、例えば圧電体２よりも誘電率が小さい材料を含んでいてもよい。圧電体２よりも誘電率が小さい絶縁体７が第１溝２１に位置する場合、圧電体２が第１溝２１を有さない場合と比べて、第１配線３１１と第２配線３１２との間の寄生容量を低減することができる。このような絶縁体７の材料として、例えばポリイミドおよびアクリル等の樹脂材料などが挙げられる。その他の材料として、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、および窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の無機材料などが挙げられる。
　絶縁体７は、例えば圧電体２よりも熱伝導率が高い材料を含んでいてもよい。圧電体２よりも熱伝導率が高い絶縁体７が第１溝２１に位置する場合、圧電体２が第１溝２１を有さない場合と比べて、第１配線３１１と第２配線３１２の間における熱伝導性が向上する。このため、弾性波デバイス１の放熱性を向上させることができる。このような絶縁体７の材料として、例えばポリイミドおよびアクリル等の樹脂材料などが挙げられる。その他の材料として、例えばＳｉＮ、ＡｌＮ、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、およびチタニア（ＴｉＯ３）等の無機材料などが挙げられる。
　図４に記載の一実施例において、第１溝２１の幅は一定である例を示したが、この例に限定されない。第１溝２１の幅は、適宜変更可能である。図７は、本開示の別の構成例に係る弾性波デバイス１の、Ｚ軸方向から見た平面図である。図７に示す通り、第１溝２１は、異なる幅を有する領域を有していてもよい。第１溝２１の長さは、適宜変更可能である。第１溝２１の深さは適宜変更可能であり、必ずしも一定であることを要しない。例えば、第１溝２１は、深さの異なる領域を有していてもよい。
　図５に記載の一実施例において、弾性波デバイス１が圧電体２の下面２ｂ側には他の部材を有さない構成を示したが、この例に限定されない。図８は、本開示のさらに別の構成例に係る弾性波デバイス１の模式的な断面図である。図８における符号８００Ａおよび８００Ｃは、当該構成例をそれぞれ示している。
　例えば、図８に示す通り、弾性波デバイス１では、圧電体２の下面２ｂ側に支持体４が位置していてもよい。支持体４は、圧電体２に直接的または間接的に接する。支持体４の厚みは特に限定されず、例えば支持体４の厚みは、圧電体２の厚みよりも厚くてもよい。ここでいう「厚み」とは、Ｚ軸方向における厚みを言う。
　支持体４の材料は特に限定されない。例えば、支持体４の材料を、圧電体２に比べて線膨張係数の小さい材料としてもよい。支持体４をこのような材料とすることで、温度変化による圧電体２の変形を低減し、温度変化による弾性波デバイス１の共振特性の変化を低減することができる。このような支持体４の材料として、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、およびＳｉ等を例示できる。
　符号８００Ａの例に示す通り、例えば圧電体２の下面２ｂ側に、音響反射体５が位置していてもよい。音響反射体５の音響インピーダンスは、圧電体２の音響インピーダンスよりと異なっている。この場合、圧電体２と音響反射体５との間で音響インピーダンスに差が生じるため、励振される弾性波を効果的に圧電体２に閉じ込めることができる。
　音響反射体５は、複数の低音響インピーダンス体５１と、複数の高音響インピーダンス体５２とが交互に積層されて構成されていてもよい。低音響インピーダンス体５１の音響インピーダンスは、圧電体２の音響インピーダンスより小さい。高音響インピーダンス体５２の音響インピーダンスは、低音響インピーダンス体５１の音響インピーダンスよりも大きい。このような構成とすることで、圧電体２の下面２ｂ側から漏洩した弾性波が、低音響インピーダンス体５１と高音響インピーダンス体５２との界面において、圧電体２側へ反射される。このため、弾性波の漏洩をより効果的に低減することができる。
　このような低音響インピーダンス体５１として、ＳｉＯ２等が例示できる。また高音響インピーダンス体５２として、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、および酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等が例示できる。
　符号８００Ａの例に示す通り、圧電体２の下面２ｂ側に、音響反射体５および支持体４の両方が位置していてもよい。ただし、弾性波デバイス１では、圧電体２の下面２ｂ側に、音響反射体５または支持体４の一方のみが位置していてもよい。符号８００Ａの例では、音響反射体５は固体の層であるが、この例に限られない。例えば、符号８００Ｂの例に示す通り、弾性波デバイス１では、圧電体２と支持体４との間に位置する空隙５３が設けられていてもよい。換言すると、音響反射体５は、空隙５３内に存在する気体であってもよい。
　空隙５３は、圧電体２の下面２ｂ側であって、Ｚ軸方向から平面視した場合に複数の電極指４１２と重なる位置に存在している。また空隙５３内には、気体が存在する。気体は、空気であってもよいし、例えば窒素またはアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスであってもよい。このような構成とすることで、空隙５３内に存在する気体が音響反射体として働き、圧電体２の下面２ｂ側からの弾性波の漏洩を効果的に低減することができる。空隙５３の大きさおよび深さ等は、適宜に設定されてもよい。
　また図４に記載の一実施例においては、ＩＤＴ電極３２の内側に位置する圧電体２は溝を有していないが、この例に限定されない。図９は、本開示のさらに別の構成例に係る弾性波デバイス１の、Ｚ軸方向から見た平面図である。例えば、図９に示す通り、圧電体２は、ＩＤＴ電極３２の内側に位置する第２溝２２を有していてもよい。このように、ＩＤＴ電極３２の内側に第２溝２２が位置することにより、ＩＤＴ電極３２の周波数特性を調整することができる。このため、良好なフィルタ特性を有する弾性波デバイス１を提供することができる。
　第２溝２２は、Ｚ軸方向からの平面視においてＩＤＴ電極３２と重なる領域に位置していてもよい。図１０は、本開示のさらに別の構成例に係る弾性波デバイス１の断面図である。図１０に示すように、圧電体２の上面２ａに、複数の第２溝２２が形成されていてもよい。また、第２溝２２の内側に、ＩＤＴ電極３２の電極指４１２が位置していてもよい。
　第２溝２２は、弾性波デバイス１が有する複数のＩＤＴ電極３２のすべてにおいて、形成されていてもよい。あるいは、第２溝２２は、複数のＩＤＴ電極３２のうち、一部のＩＤＴ電極３２にのみ形成されていてもよい。第２溝２２が複数形成されている場合、複数の第２溝２２の形状は、それぞれ互いに異なっていてもよい。
　（弾性波デバイス１の利用例：分波器）
　図１１は、弾性波デバイス１の利用例としての分波器１０１の構成を模式的に示す回路図である。図１１の紙面左上に示された符号から理解されるように、図１１では、櫛歯状電極４１が二叉のフォーク形状によって模式的に示され、反射器４２は両端が屈曲した１本の線で表わされている。
　分波器１０１は、例えば、送信端子１０３からの送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子１０２へ出力する送信フィルタ１０５と、アンテナ端子１０２からの受信信号をフィルタリングして受信端子１０４に出力する受信フィルタ１０６とを有している。
　送信フィルタ１０５と受信フィルタ１０６は、例えば、複数の共振子がラダー型に接続されて構成された、ラダー型フィルタによって構成されている。すなわち、送信フィルタ１０５は、送信端子１０３とアンテナ端子１０２との間に直列に接続された一以上の直列共振子と、その直列腕と基準電位とを接続する一以上の並列共振子とをそれぞれ有している。
　例えば、本開示の一実施形態における弾性波デバイス１を、送信フィルタ１０５と受信フィルタ１０６が有する直列共振子または並列共振子の少なくともいずれか１つとして用いてもよい。
　図１１は、あくまで分波器１０１の構成の一例であり、本開示の一実施形態における分波器１０１は図１１の構成に限定されない。例えば、分波器１０１において、送信フィルタ１０５が多重モード型フィルタによって構成されてもよい。また、図１１では、送信フィルタ１０５と受信フィルタ１０６はいずれも弾性波フィルタであるが、この構成に限定されない。例えば、送信フィルタ１０５または受信フィルタ１０６の一方が、弾性波デバイス１を用いる弾性波フィルタであればよい。したがって、他方は、１以上のインダクタおよび１以上のキャパシタを含むＬＣフィルタであってもよい。
　図１１の例では、分波器１０１が、送信フィルタ１０５と受信フィルタ１０６とを備える場合について説明したが、分波器１０１は、この構成に限定されない。例えば、分波器１０１は、ダイプレクサであってもよいし、３つ以上のフィルタを含んだマルチプレクサであってもよい。
　（弾性波デバイス１の利用例：通信装置）
　図１２は、弾性波デバイス１および分波器１０１の利用例としての通信装置１１１の要部を示すブロック図である。通信装置１１１は、分波器１０１を含んでおり、電波を利用した無線通信を行う。
　通信装置１１１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ－ＩＣ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）１１３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１１５ａによって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１１４ａによって増幅されて送信端子１０３に入力される。そして、送信フィルタ１０５は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子１０２からアンテナ１１２に出力する。アンテナ１１２は、入力された送信信号ＴＳを無線信号に変換して送信する。
　また、通信装置１１１において、アンテナ１１２によって受信された無線信号は、アンテナ１１２によって受信信号ＲＳに変換されてアンテナ端子１０２に入力される。受信フィルタ１０６は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して受信端子１０４から増幅器１１４ｂへ出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１１４ｂによって増幅され、バンドパスフィルタ１１５ｂによって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ－ＩＣ１１３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
　送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号であってよく、例えば、アナログの音声信号またはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、適宜に設定されてよく、本開示の一実施形態では、比較的高周波の通過帯も可能である。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調、またはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図１２では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、この例に限定されず、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。図１２は、要部のみを模式的に示している。したがって、図１２の例における適宜な位置にローパスフィルタまたはアイソレータ等が追加されてもよい。また、図１２の例に対して、増幅器等の位置が変更されてもよい。
　〔まとめ〕
　本開示の態様１に係る弾性波デバイスは、圧電性を有する圧電体と、前記圧電体上に位置する第１配線および第２配線、を含む導体と、を備え、前記圧電体は、前記第１配線と前記第２配線との間に段差を有する。
　本開示の態様２に係る弾性波デバイスでは、前記態様１において、前記第１配線および前記第２配線はＩＤＴ電極ではなくともよい。
　本開示の態様３に係る弾性波デバイスでは、前記態様１または２において、前記圧電体は、前記第１配線と前記第２配線との間に位置し、前記段差を含む第１溝を有していてよい。
　本開示の態様４に係る弾性波デバイスでは、前記態様１から３のいずれか１つにおいて、前記第１配線は、外部回路と接続する端子と接続されていてよい。
　本開示の態様５に係る弾性波デバイスでは、前記態様１から４のいずれか１つにおいて、前記第２配線は、外部回路と接続する端子と接続されていなくてもよい。
　本開示の態様６に係る弾性波デバイスでは、前記態様１から５のいずれか１つにおいて、前記導体は、複数の電極指が交互に噛み合う複数のＩＤＴ電極をさらに含んでいてよく、前記複数のＩＤＴ電極は、第１バスバーと第２バスバーとを有する第１ＩＤＴ電極と、第３バスバーと第４バスバーとを有する第２ＩＤＴ電極と、を有していてよく、前記第２配線は、前記第２バスバーおよび前記第３バスバーに接続されていてよく、前記第１バスバーは、外部回路から信号が入力される入力端子と接続されていてよい。
　本開示の態様７に係る弾性波デバイスでは、前記態様１から６のいずれか１つにおいて、前記第１配線は、グランド電位となるように構成されたグランド端子と接続されていてよい。
　本開示の態様８に係る弾性波デバイスでは、前記態様３において、前記第１配線の少なくとも一部または前記第２配線の少なくとも一部は、前記第１溝の内側に位置していてよい。
　本開示の態様９に係る弾性波デバイスは、前記態様１から８のいずれか１つにおいて、前記圧電体上に位置する絶縁体をさらに備えていてよく、前記絶縁体は、前記圧電体よりも誘電率が小さい材料、または、前記圧電体よりも熱伝導率が高い材料を含んでいてよく、平面視において、前記第１配線と前記第２配線との間に位置していてよい。
　本開示の態様１０に係る弾性波デバイスは、前記態様３から９のいずれか１つにおいて、前記圧電体の前記導体とは反対側に位置し、前記圧電体よりも音響インピーダンスが小さい音響反射体をさらに備えていてよく、前記導体は、複数の電極指が交互に噛み合う複数のＩＤＴ電極をさらに含んでいてよく、前記圧電体は、平面視で前記ＩＤＴ電極に重なる領域に位置する第２溝をさらに有していてよい。
　本開示の態様１１に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナに接続される、前記態様１から１０のいずれか１つに係る弾性波デバイスと、前記弾性波デバイスに接続されるＩＣと、を有していてよい。
　〔付記事項〕
　以上、本開示に係る発明について、諸図面および実施例に基づいて説明してきた。しかし、本開示に係る発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。すなわち、本開示に係る発明は本開示で示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示に係る発明の技術的範囲に含まれる。つまり、当業者であれば本開示に基づき種々の変形または修正を行うことが容易であることに注意されたい。また、これらの変形または修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。
　１：弾性波デバイス
　２：圧電体
　２ａ：上面
　２ｂ：下面
　２０：段差
　２１：第１溝
　２２：第２溝
　３：導体
　３１：配線
　３１１：第１配線
　３１２：第２配線
　３２：ＩＤＴ電極
　３２１：第１ＩＤＴ電極
　３２２：第２ＩＤＴ電極
　４１：櫛歯状電極
　４１１：バスバー
　４１２：電極指
　４２：反射器
　４２１：反射器バスバー
　４２２：ストリップ電極
　４：支持体
　５：音響反射体
　５１：低音響インピーダンス体
　５２：高音響インピーダンス体
　５３：空隙
　６：端子
　６１：入力端子
　６２：出力端子
　６３：グランド端子
　７：絶縁体
　１０１：分波器
　１０２：アンテナ端子
　１０３：送信端子
　１０４：受信端子
　１１１：通信装置
　１１２：アンテナ
　１１３：ＲＦ－ＩＣ
　１１４：増幅器
　１１５：バンドパスフィルタ

 

Claims (11)

  1. 　圧電性を有する圧電体と、
    　前記圧電体上に位置する第１配線および第２配線、を含む導体と、
    　を備え、
    　前記圧電体は、前記第１配線と前記第２配線との間に段差を有する、
    　弾性波デバイス。
  2. 　前記第１配線および前記第２配線はＩＤＴ電極ではない、
    　請求項１に記載の弾性波デバイス。
  3. 　前記圧電体は、前記第１配線と前記第２配線との間に位置し、前記段差を含む第１溝を有する、
    　請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
  4. 　前記第１配線は、外部回路と接続する端子と接続される、
    　請求項１から３のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  5. 　前記第２配線は、外部回路と接続する端子と接続されない、
    　請求項１から４のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  6. 　前記導体は、複数の電極指が交互に噛み合う複数のＩＤＴ電極をさらに含み、
    　前記複数のＩＤＴ電極は、
    　　第１バスバーと第２バスバーとを有する第１ＩＤＴ電極と、
    　　第３バスバーと第４バスバーとを有する第２ＩＤＴ電極と、を有し、
    　前記第２配線は、前記第２バスバーおよび前記第３バスバーに接続され、
    　前記第１バスバーは、外部回路から信号が入力される入力端子と接続される、
    　請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  7. 　前記第１配線は、グランド電位となるように構成されたグランド端子と接続される、
    　請求項１から６のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  8. 　前記第１配線の少なくとも一部または前記第２配線の少なくとも一部は、前記第１溝の内側に位置する、
    　請求項３に記載の弾性波デバイス。
  9. 　前記圧電体上に位置する絶縁体をさらに備え、
    　前記絶縁体は、
    　　前記圧電体よりも誘電率が小さい材料、または、前記圧電体よりも熱伝導率が高い材料を含み、
    　　平面視において、前記第１配線と前記第２配線との間に位置する、
    　請求項１から８のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  10. 　前記圧電体の前記導体とは反対側に位置し、前記圧電体よりも音響インピーダンスが小さい音響反射体をさらに備え、
    　前記導体は、複数の電極指が交互に噛み合う複数のＩＤＴ電極をさらに含み、
    　前記圧電体は、平面視で前記ＩＤＴ電極に重なる領域に位置する第２溝をさらに有する、
    　請求項３から９のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
  11. 　アンテナと、
    　前記アンテナに接続される請求項１から１０のいずれか１項に記載の弾性波デバイスと、
    　前記弾性波デバイスに接続されるＩＣと、を有する、
    　通信装置。
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