WO2024048569A1

WO2024048569A1 - 含フッ素エーテル化合物およびその製造方法、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

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Publication number: WO2024048569A1
Application number: PCT/JP2023/031187
Authority: WO
Inventors: 優丹治; 剛加藤; 大輔柳生; 直也福本; 綾乃浅野; 夏実吉村
Original assignee: Resonac Corp
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 2022-08-31
Filing date: 2023-08-29
Publication date: 2024-03-07
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Abstract

下記式で表される含フッ素エーテル化合物。Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２ａ－ＣＨ_２－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｄ－ＣＨ_２－Ｒ^４（Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃおよびＲ^２ｄは、パーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃは、極性基を１つ以上有する２価の連結基である。Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃのうち少なくとも１つは－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－で表される。Ｒ^１およびＲ^４は、極性基を１つ以上有する炭素原子数１～５０の末端基であり、同じであっても異なっていても良い。）

Description

含フッ素エーテル化合物およびその製造方法、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

　本発明は、含フッ素エーテル化合物およびその製造方法、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
　本願は、２０２２年８月３１日に、日本に出願された特願２０２２－１３７９３７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　磁気記録再生装置における記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
　従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。

　磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、－ＣＦ_２－を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、水酸基、アミノ基などの極性基を有する化合物を含有するものが提案されている。

　例えば、特許文献１には、グリセリン構造（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）の両端にメチレン基（－ＣＨ_２－）を介して、２つのパーフルオロポリエーテル鎖が結合した骨格を有し、その両末端にメチレン基を介して、極性基を有する末端基が結合している含フッ素エーテル化合物が開示されている。

　また、特許文献２および特許文献３には、３つのパーフルオロポリエーテル鎖が、極性基を１つ有する連結基を介して結合した骨格を有し、その両側にメチレン基（－ＣＨ_２－）を介して、極性基を有する末端基がそれぞれ結合されている含フッ素エーテル化合物が開示されている。
　また、特許文献４には、３つのパーフルオロポリエーテル鎖が、極性基を１つ以上有する連結基を介して結合した骨格を有し、その両側にメチレン基（－ＣＨ_２－）を介して、極性基を有する末端基がそれぞれ結合されている含フッ素エーテル化合物が開示されている。

　また、特許文献５には、複数のパーフルオロポリエーテル鎖が、極性基を有する脂肪族炭化水素鎖によって連結されている含フッ素ポリマーが開示されている。
　また、特許文献６には、複数のパーフルオロポリエーテル基が、少なくとも１つの水酸基を有する炭化水素基からなる連結基を介して連結され、両末端に少なくとも１つの水酸基を有する末端基が配置されたフルオロポリエーテル化合物が開示されている。

国際公開第２０２１／２５１３３５号国際公開第２０１８／１１６７４２号国際公開第２０１７／１４５９９５号米国特許出願公開第２０１６／０２６０４５２号明細書特開２００７－２３１０５６号公報特許第６７６３９８０号公報

　磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
　しかしながら、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、磁気記録媒体の耐腐食性が低下する傾向がある。また、潤滑層の厚みを薄くすると、磁気ヘッドの浮上安定性が不十分となる場合があった。

　本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、磁気ヘッドの浮上安定性が良好であって、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物およびその製造方法を提供することを目的とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含み、磁気ヘッドの浮上安定性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを目的とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有し、磁気ヘッドの浮上安定性が良好で、優れた耐腐食性を有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。

　本発明は以下の態様を含む。
　本発明の第一の態様は、以下の含フッ素エーテル化合物を提供する。

［１］　下記式（１）で表されることを特徴とする、含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２ａ－ＣＨ_２－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｄ－ＣＨ_２－Ｒ^４　　（１）
（式（１）中、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃおよびＲ^２ｄは、パーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃおよびＲ^２ｄは、一部または全部が同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い；Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃは、極性基を１つ以上有する２価の連結基である；Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃは、一部または全部が同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い；Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃのうち少なくとも１つは式（３）で表される；Ｒ^１およびＲ^４は、極性基を１つ以上有する炭素原子数１～５０の末端基であり、同じであっても異なっていても良い。）
－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（３）

　本発明の第一の態様の前記含フッ素エーテル化合物は、以下の［２］～［１２］に記載される特徴を有することが好ましい。以下の［２］～［１２］に記載される特徴は、２つ以上を任意に組み合わせることも好ましい。
［２］　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^４のうち少なくとも一方が、下記式（２－１）～（２－４）のいずれかの末端基である、［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（２－１）中、ｐは１～３の整数を表し、ｑは１～３の整数を表す。）
（式（２－２）中、ｒは０～２の整数を表し、ｓは１～３の整数を表す。）
（式（２－３）中、ｔは１～３の整数を表し、ｕは０～２の整数を表し、ｖは１～３の整数を表す。）
（式（２－４）中、ｌは１～３の整数を表し、ｌ個のｍはそれぞれ独立して１～４の整数を表し、ｌ個のｎはそれぞれ独立して１～４の整数を表す；Ｘは、二重結合または三重結合を含む有機基を表す。）

［３］　前記式（１）におけるＲ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃの有する極性基が、全て水酸基である、［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［４］　前記式（１）におけるＲ^１の有する水酸基と、Ｒ^４の有する水酸基との合計数が２～６である、［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［５］　前記式（１）におけるＲ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃがすべて式（３）で表される、［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［６］　前記式（１）におけるＲ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃのうち１つまたは２つが、式（３）ではない２価の連結基であって、前記式（３）ではない２価の連結基がそれぞれ独立に、水酸基を１～３つ有する、炭素原子数４～９の２価の連結基である、［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［７］　前記式（３）ではない２価の連結基がそれぞれ独立に、下記式（３－１）～（３－４）のいずれかで表される連結基である、［６］に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（３－１）中、ｄは２または３を表す。）
（式（３－２）中、ｅは２～４の整数を表す；式（３－２）中、左側の酸素原子は、式（１）中のＲ^１側のメチレン基に結合し、右側の酸素原子は、式（１）中のＲ^４側のメチレン基に結合する。）
（式（３－３）中、ｆは２～４の整数を表す；式（３－３）中、左側の酸素原子は、式（１）中のＲ^１側のメチレン基に結合し、右側の酸素原子は、式（１）中のＲ^４側のメチレン基に結合する。）
（式（３－４）中、ｇは０～４の整数を表す。）

［８］　前記式（１）におけるＲ^２ａとＲ^２ｄとが同じであり、Ｒ^２ｂとＲ^２ｃとが同じであり、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されており、Ｒ^１とＲ^４とが同じである、［１］～［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［９］　前記式（１）におけるＲ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄがすべて同じであり、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、およびＲ^３ｃがすべて式（３）で表され、Ｒ^１とＲ^４とが同じである、［５］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［１０］　前記式（１）におけるＲ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄが、それぞれ独立に、下記式（４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖である、［１］～［９］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
　－（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－　　　（４）（式（４）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す；ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない；ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す；式（４）における繰り返し単位である（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の配列順序には、特に制限はない。）

［１１］　前記式（１）におけるＲ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄが、それぞれ独立に、下記式（４－１）～（４－４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖から選ばれるいずれか１種である、［１］～［９］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
　－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｈ－（ＯＣＦ_２）_ｉ－ＯＣＦ_２－　　（４－１）
（式（４－１）中、ｈおよびｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－２）
（式（４－２）中、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－３）
（式（４－３）中、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す。）
　－（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－　　（４－４）
（式（４－４）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０を表す；ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）

［１２］　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である、［１］～［１１］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
　本発明の第二の態様は、以下の磁気記録媒体用潤滑剤を提供する。
［１３］　［１］～［１２］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。

　本発明の第三の態様は、以下の磁気記録媒体を提供する。
［１４］　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、［１］～［１２］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
　本発明の第三の態様の磁気記録媒体は、以下の［１５］に記載される特徴を有することが好ましい。
［１５］　前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである、［１４］に記載の磁気記録媒体。

　本発明の第四の態様は、以下の含フッ素エーテル化合物の製造方法を提供する。
［１６］　［１］に記載の含フッ素エーテル化合物を製造する方法であり、
　前記式（１）におけるＲ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２ａ－ＣＨ_２－に対応する基を有する中間体化合物１ａと、前記式（１）における－ＣＨ_２－Ｒ^２ｄ－ＣＨ_２－Ｒ^４に対応する基を有する中間体化合物１ｂとを製造する端部製造工程と、
　前記式（１）における－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－に対応する基を有する中間体化合物３を製造する連結構造製造工程と、
　前記中間体化合物３のＲ^３ａ側端部と前記中間体化合物１ａとを反応させるＲ^１側反応工程と、前記中間体化合物３のＲ^３ｃ側端部と前記中間体化合物１ｂとを反応させるＲ^４側反応工程とを含む化合物構造製造工程とを有し、
　前記連結構造製造工程が、前記式（１）における－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－に対応する基を有する中間体化合物２ａと、前記式（１）における－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－に対応する基を有する中間体化合物２ｂを製造する連結端部製造工程と、
　前記式（１）におけるＲ^３ｂに対応する基を有する化合物のＲ^２ｂ側端部と前記中間体化合物２ａとを反応させるＲ^２ｂ側反応工程と、
　前記Ｒ^３ｂに対応する基を有する化合物のＲ^２ｃ側端部と前記中間体化合物２ｂとを反応させるＲ^２ｃ側反応工程とを含むことを特徴とする、含フッ素エーテル化合物の製造方法。

　本発明の第四の態様の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、以下の［１７］に記載される特徴を有することが好ましい。
［１７］　前記式（１）におけるＲ^２ａとＲ^２ｄとが同じであり、Ｒ^２ｂとＲ^２ｃとが同じであり、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されており、Ｒ^１とＲ^４とが同じである、含フッ素エーテル化合物を製造する方法であり、
　前記端部製造工程において、前記中間体化合物１ａと前記中間体化合物１ｂとを同時に製造し、
　前記連結端部製造工程において、前記中間体化合物２ａと前記中間体化合物２ｂとを同時に製造し、前記Ｒ^２ｂ側反応工程と前記Ｒ^２ｃ側反応工程とを同時に行い、
　前記化合物構造製造工程において、前記Ｒ^１側反応工程と前記Ｒ^４側反応工程とを同時に行うことを特徴とする、［１６］に記載の含フッ素エーテル化合物の製造方法。

　本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であり、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
　本発明の含フッ素エーテル化合物の製造方法によれば、上記式（１）で表される化合物を製造できる。
　本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む。このため、本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、薄い厚みで均一に塗布することができ、厚みが薄く、磁気ヘッドの浮上安定性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

　本発明の磁気記録媒体は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する。本発明の磁気記録媒体の有する潤滑層は、厚みが薄くても、良好な磁気ヘッドの浮上安定性が得られ、かつ磁気記録媒体の腐食を効果的に抑制できる。このため、本発明の磁気記録媒体では、潤滑層の厚みを薄くして、磁気ヘッドの浮上量を低減できる。また、本発明の磁気記録媒体は、磁気ヘッドの浮上安定性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を有するため、信頼性および耐久性に優れる。

本発明の含フッ素エーテル化合物の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。

　本発明者らは、上記課題を解決するために、以下に示すように、鋭意研究を重ねた。
　従来、保護層の表面に塗布される磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）の材料として、鎖状構造の末端に水酸基などの極性基を有する含フッ素エーテル化合物が、好ましく用いられている。含フッ素エーテル化合物中の極性基は、保護層上の活性点と結合して、潤滑層の保護層に対する密着性を向上させる。このことから、潤滑剤の材料として、鎖状構造の末端だけでなく、鎖状構造の中央部分にも極性基を有する含フッ素エーテル化合物が、特に好ましく用いられている。

　しかしながら、従来の潤滑剤を用いて保護層上に厚みの薄い潤滑層を形成した場合、以下に示すように、磁気ヘッドの浮上安定性が良好で、かつ磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を実現することは困難であった。

　すなわち、保護層上に潤滑剤を塗布して厚みの薄い潤滑層を形成する場合、潤滑剤の保護層に対する密着性が不足していると、保護層上に塗布された潤滑剤の状態が嵩高いものとなり、保護層上に潤滑剤を均一に塗布することが困難となる。このため、潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層に突起などが形成されやすくなり、潤滑層の浮上安定性が不十分となる。また、保護層に対する潤滑層の被覆状態が不均一であると、潤滑層による腐食抑制効果が十分に得られない。したがって、潤滑剤の保護層に対する密着性が不十分である場合、膜厚を厚くして、保護層に対する潤滑層の被覆状態を均一にしないと、十分な浮上安定性および耐腐食性が得られなかった。

　そこで、本発明者らは、含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基と、保護層上の活性点との結合に着目した。そして、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基が生じにくく、保護層に対して良好な密着性を有し、厚みを薄くしても保護層に対する被覆状態が均一で、磁気ヘッドの浮上安定性、および磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物を実現すべく、鋭意検討を重ねた。

　その結果、２つのメチレン基（－ＣＨ_２－）間に挟まれた１つ以上の極性基を有する２価の連結基を介して、４つのパーフルオロポリエーテル鎖が結合した骨格を有し、骨格に含まれる３つの連結基のうち少なくとも１つがグリセリン構造（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）であり、骨格の両側にメチレン基（－ＣＨ_２－）を介して、１つ以上の極性基を有する炭素原子数１～５０の末端基が結合した含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出した。

　このような含フッ素エーテル化合物では、以下に示す理由により、保護層上に多数存在する官能基（活性点）と結合しない極性基が生じにくく、保護層に対して良好な密着性を有する。このことから、上記含フッ素エーテル化合物は、厚みを薄くしても、均一な被覆状態を有する潤滑層を形成できるものと推定される。

　すなわち、上記の含フッ素エーテル化合物では、含フッ素エーテル化合物中の３つの２価の連結基の間、および２価の連結基と２つの末端基との間に、それぞれパーフルオロポリエーテル鎖が配置されている。このため、隣接する２価の連結基の有する極性基同士の距離、および末端基の有する極性基と、末端基に隣接する２価の連結基の有する極性基との距離が適正である。また、３つの２価の連結基のうち少なくとも１つは柔軟性に優れたグリセリン構造（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）である。グリセリン構造の両端部に配置された酸素原子は、その両側に配置されるメチレン基（－ＣＨ_２－）とエーテル結合（－Ｏ－）を形成する。この２つのエーテル結合は、上記の含フッ素エーテル化合物に適度な柔軟性を付与し、グリセリン構造の有する１つの水酸基と保護層との親和性を増大させる。

　このように、上記の含フッ素エーテル化合物では、２つの末端基および３つの２価の連結基の有する極性基同士の距離が適正であるため、２つの末端基および３つの２価の連結基の有する極性基同士が凝集しにくく、保護層上の活性点と結合しない極性基が生じにくい。しかも、４つのパーフルオロポリエーテル鎖の両端部がそれぞれ、末端基および／または２価の連結基の有する極性基によって保護層に密着される。さらに、上記の含フッ素エーテル化合物に少なくとも１つ含まれるグリセリン構造（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）の有する１つの水酸基（－ＯＨ）が、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させる。これらのことから、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物の状態が嵩高いものとなりにくく、含フッ素エーテル化合物が保護層上に濡れ広がりやすい。その結果、上記の含フッ素エーテル化合物は、厚みを薄くしても均一な被覆状態を有する潤滑層を形成できるものと推定される。

　さらに、本発明者らは、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、磁気ヘッドの浮上安定性が良好で、かつ磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できることを確認し、本発明を想到した。

　以下、本発明の含フッ素エーテル化合物およびその製造方法、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体の好ましい例について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、数、量、位置、比率、材料、構成、種類、順番等について、付加、省略、置換、変更が可能である。

［含フッ素エーテル化合物］
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
　Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２ａ－ＣＨ_２－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｄ－ＣＨ_２－Ｒ^４　　（１）
（式（１）中、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃおよびＲ^２ｄは、パーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃおよびＲ^２ｄは、一部または全部が同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い；Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃは、極性基を１つ以上有する２価の連結基である；Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃは、一部または全部が同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い；Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃのうち少なくとも１つは式（３）で表される；Ｒ^１およびＲ^４は、極性基を１つ以上有する炭素原子数１～５０の末端基であり、同じであっても異なっていても良い。）
－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（３）

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）で示されるように、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃ（以下、これらを総称して「Ｒ^３」という場合がある。）で示される極性基を１つ以上有する２価の連結基を３つ有し、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃおよびＲ^２ｄ（以下、これらを総称して「Ｒ^２」という場合がある。）で示されるパーフルオロポリエーテル鎖（以下、「ＰＦＰＥ鎖」という場合がある。）を４つ有する。式（１）で示されるように、２つのメチレン基間に挟まれた２価の連結基Ｒ^３を介して、４つのパーフルオロポリエーテル鎖Ｒ^２が結合してなる骨格の両側には、メチレン基と、Ｒ^１またはＲ^４で示される末端基とがこの順にそれぞれ結合されている。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、極性基を１つ以上有する２価の連結基Ｒ^３ｂを中心として、その両側にＰＦＰＥ鎖（Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ）、２価の連結基（Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｃ）、ＰＦＰＥ鎖（Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｄ）がこの順にそれぞれ配置された骨格を有し、その両側に末端基（Ｒ^１またはＲ^４）がそれぞれ配置された構造を有する。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、保護層に対して良好な密着性を有し、保護層上に均一に濡れ広がりやすく、厚みを薄くしても、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい。

　これに対し、例えば、極性基を１つ以上有する２価の連結基の両側に、それぞれＰＦＰＥ鎖が配置された骨格を有する、ＰＦＰＥ鎖を２つ有する化合物、およびＰＦＰＥ鎖を中心とし、その両側に極性基を１つ以上有する２価の連結基と、ＰＦＰＥ鎖とがこの順に配置された骨格を有する、ＰＦＰＥ鎖を３つ有する化合物では、骨格の有する連結基の数が少ないため、保護層に対する密着性が不十分となる。その結果、保護層上に濡れ広がりにくく、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態が不均一となりやすい。また、ＰＦＰＥ鎖と、極性基を１つ以上有する２価の連結基とが交互に配置された骨格であって、５つ以上のＰＦＰＥ鎖と４つ以上の２価の連結基とからなる骨格を有する化合物では、分子全体が大きくなり、運動性が低下するため、保護層上に濡れ広がりにくくなる。したがって、５つ以上のＰＦＰＥ鎖と４つ以上の２価の連結基とからなる骨格を有する化合物も、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態が不均一となりやすい。

（Ｒ^３（Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃ）で示される２価の連結基）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、３つのＲ^３は、それぞれ極性基を１つ以上有する２価の連結基である。３つのＲ^３のうち少なくとも１つは式（３）で表される。本明細書において、式（３）で表される連結基を「グリセリン構造」という場合がある。Ｒ^３は、４つのＲ^２で示されるＰＦＰＥ鎖の間にそれぞれ配置されている。このことにより、Ｒ^３は、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させ、厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成する。

　式（１）中、３つのＲ^３は、一部または全部が同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い。３つのＲ^３のうち少なくとも１つは式（３）であり、３つのＲ^３のうち２つが式（３）であることが好ましく、３つのＲ^３すべてが式（３）であることがより好ましい。３つのＲ^３のうち２つが式（３）であると、含フッ素エーテル化合物と保護層との密着性がより一層良好となる。また、３つのＲ^３のうち２つが式（３）である場合、Ｒ^３ａとＲ^３ｃが式（３）であることが好ましい。含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより一層均一となるためである。３つのＲ^３（Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃ）がすべて式（３）であると、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより一層均一となり、磁気ヘッドの浮上安定性、および磁気記録媒体の腐食抑制効果のより高い潤滑層を形成できる。

　Ｒ^３で示される２価の連結基は、その両端部に酸素原子が配置された基であることが好ましい。連結基の両端部に配置された酸素原子は、Ｒ^３の両側に配置されるメチレン基（－ＣＨ_２－）とエーテル結合（－Ｏ－）を形成する。この２つのエーテル結合は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物に適度な柔軟性を付与し、Ｒ^３で示される２価の連結基の有する極性基と保護層との親和性を増大させる。

　Ｒ^３で示される２価の連結基は、炭素原子間に酸素原子を含んでもよい、炭素原子数３～９のアルキレン基の有する炭素原子の１つ以上に、極性基が結合しており、両端部が酸素原子である基であることが好ましい。炭素原子数３～９のアルキレン基としては、炭素原子数３～６のアルキレン基であることが好ましく、炭素原子数３～４のアルキレン基であることがより好ましい。炭素原子数３～９のアルキレン基は、直鎖状の構造を有することが好ましい。Ｒ^３は、特に、直鎖状の炭素原子数３～９のアルキレン基の、酸素原子に隣接しない炭素原子に、極性基が結合していることが好ましい。これは、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層となるためである。

　Ｒ^３の有する極性基としては、例えば、水酸基（－ＯＨ）、アミノ基（－ＮＨ_２）、カルボキシ基（－ＣＯＯＨ）、ホルミル基（－（Ｃ＝Ｏ）Ｈ）、カルボニル基（－ＣＯ－）、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）、シアノ基（－ＣＮ）、アミド結合を有する基（例えば、－ＣＯＮＨ_２または－ＮＨＣＯＣＨ_３）などが挙げられる。これらの中でも特に、３つのＲ^３がそれぞれ極性基として水酸基を含むことが好ましい。水酸基は、保護層、とりわけ炭素系の材料で形成された保護層との相互作用が大きい。このため、３つのＲ^３がそれぞれ極性基として水酸基を含むと、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、より一層保護層との密着性が高いものとなる。本実施形態では、より一層保護層との密着性が高い含フッ素エーテル化合物となるため、３つのＲ^３（Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃ）の有する極性基が、全て水酸基であることがより好ましい。

　３つのＲ^３がそれぞれ有する極性基の数は、１～３であることが好ましく、１または２であることがより好ましい。いずれかのＲ^３が２以上の極性基を有する場合、極性基の種類は一部または全部が同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い。

　式（１）におけるＲ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃのうち１つまたは２つが、式（３）ではない２価の連結基である場合、式（３）ではない２価の連結基がそれぞれ独立に、水酸基を１～３つ有する、炭素原子数４～９の２価の連結基であることが好ましい。式（３）ではない２価の連結基は、酸素原子（－Ｏ－）、メチレン基（－ＣＨ_２－）、および水酸基が結合したメチレン基（－ＣＨ（ＯＨ）－）の組み合わせからなる２価の連結基であることがより好ましい。

　式（３）ではない２価の連結基はそれぞれ独立に、下記式（３－１）～（３－４）のうちいずれかであることが好ましい。式（３－１）～（３－４）中、最も左側の酸素原子は、式（１）中のＲ^１側のメチレン基に結合し、最も右側の酸素原子は、式（１）中のＲ^４側のメチレン基に結合する。
　式（３）ではない２価の連結基がそれぞれ独立に、式（３－１）～（３－４）のうちいずれかであると、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり、好ましい。

　式（３－１）中のｄは２または３であり、２であることが好ましい。式（３－１）中のｄが２であると、Ｒ^３で示される２価の連結基の親水性が高くなりすぎず、潤滑層に腐食の原因となる水が誘引されることを防止でき、耐腐食性のより良好な潤滑層が得られる。
　式（３－２）中、ｅは２～４の整数であり、２または３であることが好ましく、２であることがより好ましい。これは、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層となるためである。
　式（３－３）中、ｆは２～４の整数であり、２または３であることが好ましく、２であることがより好ましい。これは、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層となるためである。
　式（３－４）中、ｇは０～４の整数であり、０～２の整数であることが好ましく、０であることがより好ましい。これは、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層となるためである。

　式（３－２）および（３－３）で示される連結基は、式（３）（グリセリン構造）に１～３つのメチレン基を伸長させた構造を有する。このため、３つのＲ^３のうち、少なくとも１つが式（３－２）または（３－３）である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、３つのＲ^３がすべて式（３）（グリセリン構造）である化合物と比較して、疎水性の良好なものとなる。その結果、磁気記録媒体の腐食の原因となる水が侵入することを効果的に阻害でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高い潤滑層となる。

　式（１）において、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されていることが好ましい。例えば、Ｒ^３ａとＲ^３ｃが式（３）で表される化合物；Ｒ^３ａとＲ^３ｃが式（３－１）で表され、式（３－１）中のｄの値が同じである化合物；Ｒ^３ａとＲ^３ｃの一方が式（３－２）で表され、他方が式（３－３）で表され、式（３－２）中のｅと式（３－３）中のｆが同じ値である化合物；Ｒ^３ａとＲ^３ｃが式（３－４）で表され、式（３－４）中のｇの値が同じである化合物などが挙げられる。Ｒ^３ａとＲ^３ｃの一方が式（３－２）で表され、他方が式（３－３）で表され、式（３－２）中のｅと式（３－３）中のｆが同じ値である場合、Ｒ^３ａが式（３－３）で表され、Ｒ^３ｃが式（３－２）で表されることが好ましい。

（Ｒ^２（Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃおよびＲ^２ｄ）で示されるＰＦＰＥ鎖）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２は、パーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^２で示されるＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。Ｒ^２で示されるＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択される。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄの４つのＰＦＰＥ鎖を含む。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、４つのＰＦＰＥ鎖を含むので、例えば、１つのみＰＦＰＥ鎖を有する骨格、または極性基を有する連結基を介して２つまたは３つのＰＦＰＥ鎖が結合している骨格を有する含フッ素エーテル化合物と比較して、末端基（式（１）におけるＲ^１、Ｒ^４）および骨格中に含まれる連結基（式（１）におけるＲ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃ）の有する極性基同士が凝集しにくい。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、分子中の極性基同士が凝集することによって保護層との密着性が不十分となり、浮上安定性および耐腐食性が低下することが抑制されたものとなる。

　４つのＲ^２は、一部または全部が同じであってもよいし、それぞれ異なっていても良い。４つのＲ^２のうち、Ｒ^２ａとＲ^２ｄが同じで、かつＲ^２ｂとＲ^２ｃが同じであることが好ましく、４つのＲ^２が全て同じであることがより好ましい。これは、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層となるためである。
　４つのＲ^２のうち２つ以上のＲ^２が同じであるとは、４つのＲ^２のうち、ＰＦＰＥ鎖の繰り返し単位の構造が同じＲ^２が２つ以上含まれていることを意味する。同じＲ^２には、繰り返し単位の構造が同じであって平均重合度が異なるものも含まれる。

　Ｒ^２で示されるＰＦＰＥ鎖としては、パーフルオロアルキレンオキシドの重合体または共重合体からなるものなどが挙げられる。パーフルオロアルキレンオキシドとしては、例えば、パーフルオロメチレンオキシド、パーフルオロエチレンオキシド、パーフルオロ－ｎ－プロピレンオキシド、パーフルオロイソプロピレンオキシド、パーフルオロブチレンオキシドなどが挙げられる。

　式（１）におけるＲ^２は、それぞれ独立に、例えば、パーフルオロアルキレンオキシドの重合体または共重合体に由来する下記式（４）で表されるＰＦＰＥ鎖であることが好ましい。
　－（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－　　　（４）（式（４）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す；ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない；ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す；式（４）における繰り返し単位である（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の配列順序には、特に制限はない。）

　式（４）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は、平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表し、０～１５であることが好ましく、０～１０であることがより好ましい。
　式（４）中、ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す。ｗ１、ｗ６は、式（４）で表されるＰＦＰＥ鎖において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。
　式（４）における（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）は、繰り返し単位である。式（４）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。また、式（４）における繰り返し単位の種類の数にも、特に制限はない。

　Ｒ^２で示されるＰＦＰＥ鎖は、具体的には、それぞれ独立に、下記式（４－１）～（４－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種であることが好ましい。
　４つのＲ^２がそれぞれ式（４－１）～（４－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種であると、良好な潤滑性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、４つのＲ^２がそれぞれ式（４－１）～（４－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種である場合、ＰＦＰＥ鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、含フッ素エーテル化合物が適度な柔軟性を有することにより、浮上安定性のより良好な潤滑層を形成できる。

　－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｈ－（ＯＣＦ_２）_ｉ－ＯＣＦ_２－　　（４－１）
（式（４－１）中、ｈおよびｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－２）
（式（４－２）中、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－３）
（式（４－３）中、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す。）
　－（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－　　（４－４）
（式（４－４）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０を表す；ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）

　式（４－１）において、繰り返し単位である（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）と（ＯＣＦ_２）との配列順序に、特に制限はない。式（４－１）において、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）の数ｈと（ＯＣＦ_２）の数ｉは同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖は、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）の重合体であってもよい。また、式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖は、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）と（ＯＣＦ_２）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかであってもよい。

　式（４－１）～（４－３）においては、平均重合度を示すｈが１～２０、ｉが０～２０、ｊが１～１５、ｋが１～１０であるので、良好な潤滑性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、式（４－１）～（４－３）においては、平均重合度を示すｈ、ｉが２０以下、ｊが１５以下、ｋが１０以下であるので、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなりすぎず、これを含む潤滑剤が塗布しやすいものとなり、好ましい。平均重合度を示すｈ、ｉ、ｊ、ｋは、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となるため、１～１０であることが好ましく、１．５～８であることがより好ましく、２～７であることがさらに好ましい。

　式（４－４）において、繰り返し単位である（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（４－４）において、平均重合度を示す（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の数ｗ８と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の数ｗ９は同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（４－４）は、モノマー単位（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかを含むものであってもよい。

　式（４－４）において、平均重合度を示すｗ８およびｗ９は、それぞれ独立に１～２０であり、１～１５であることが好ましく、さらに１～１０であることがより好ましい。
　式（４－４）におけるｗ７およびｗ１０は、ＣＦ_２の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。ｗ７およびｗ１０は、式（４－４）で表されるＰＦＰＥ鎖において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。

（Ｒ^１およびＲ^４で示される末端基）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^４は、極性基を１つ以上有する炭素原子数１～５０の末端基である。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^１およびＲ^４がそれぞれ１つ以上の極性基を有するため、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成した場合に、潤滑層と保護層との間に好適な相互作用が発生する。Ｒ^１およびＲ^４は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。

　Ｒ^１およびＲ^４は、同じであっても異なっていても良い。Ｒ^１とＲ^４が同じであると、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層を形成できる。

　Ｒ^１およびＲ^４の有する極性基としては、例えば、水酸基（－ＯＨ）、アミノ基（－ＮＨ_２）、カルボキシ基（－ＣＯＯＨ）、ホルミル基（－（Ｃ＝Ｏ）Ｈ）、カルボニル基（－ＣＯ－）、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）、シアノ基（－ＣＮ）、アミド結合を有する基（例えば、－ＣＯＮＨ_２または－ＮＨＣＯＣＨ_３）などが挙げられる。

　Ｒ^１およびＲ^４にそれぞれ含まれる極性基の数は、１以上であり、１～３であることが好ましく、２～３であることがより好ましい。保護層との密着性が高く、浮上安定性および腐食抑制効果のより優れた潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となるためである。
　Ｒ^１および／またはＲ^４に含まれる極性基の数が２以上である場合、極性基を２以上含むＲ^１および／またはＲ^４の有する極性基の種類は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよい。

　Ｒ^１およびＲ^４は、極性基として１以上の水酸基を含むことが好ましい。Ｒ^１および／またはＲ^４の有する極性基が水酸基を含む場合、式（１）におけるＲ^１に含まれる水酸基とＲ^４に含まれる水酸基との合計数は、２～６であることが好ましく、３～５であることがより好ましく、３～４であることが最も好ましい。上記の水酸基の合計数が２以上であると、Ｒ^１およびＲ^４の有する水酸基と保護層との相互作用がより効果的に得られる。その結果、保護層との密着性が高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。また、上記の水酸基の合計数が６以下であると、潤滑層と保護層上の活性点との結合に関与していない水酸基が少なくなる。このため、潤滑層と保護層上の活性点との結合に関与していない水酸基が凝集し、突起となって磁気ヘッドと衝突することを防止できる。よって、浮上安定性のより優れた潤滑層を形成できるものとなる。また、上記の水酸基の合計数が４以下であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層の疎水性が十分に高いものとなる。このため、磁気記録媒体の腐食の原因となる水を潤滑層に誘引することを防止できる。よって、磁気記録媒体の汚染および腐食を、より効果的に抑制できる潤滑層を形成できるものとなる。

　Ｒ^１および／またはＲ^４が極性基として水酸基のみを有する場合、極性基が水酸基のみであるＲ^１および／またはＲ^４に含まれる水酸基の数は、それぞれ２～３であることが好ましく、２であることがより好ましい。極性基が水酸基のみであるＲ^１および／またはＲ^４に含まれる水酸基の数がそれぞれ２以上であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との付着性（密着性）が高いものとなり、磁気記録媒体の浮上安定性が向上する。また、極性基が水酸基のみであるＲ^１および／またはＲ^４に含まれる水酸基の数がそれぞれ３以下であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する磁気記録媒体において、含フッ素エーテル化合物の極性が高すぎて、潤滑層によって、腐食の原因となる水が保護層表面に誘起されることを防止できる。さらに、極性基が水酸基のみであるＲ^１および／またはＲ^４に含まれる水酸基の数がそれぞれ２以下であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物の末端基に含まれる水酸基同士が凝集することを防止できる。

　Ｒ^１およびＲ^４で表される末端基は、それぞれ炭素原子数が１～５０であり、３～２０であることが好ましく、４～１５であることがより好ましい。Ｒ^１およびＲ^４で表される末端基の炭素原子数が１以上であるので、末端基部分の疎水性が担保できる。このため、腐食の原因となる水が潤滑層に誘引されることを防止でき、耐腐食性の良好な潤滑層となる。Ｒ^１およびＲ^４で表される末端基の炭素原子数が５０以下であるので、末端基部分が柔軟な構造となる。その結果、厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成でき、浮上安定性の良好な潤滑層となる。

　Ｒ^１で示される末端基は、Ｒ^２ａに隣接するＣＨ_２に結合する側の端部に酸素原子を有していることが好ましい。また、Ｒ^４で示される末端基は、Ｒ^２ｄに隣接するＣＨ_２に結合する側の端部に酸素原子を有していることが好ましい。Ｒ^１およびＲ^４で示される末端基の端部に配置された酸素原子は、その両側に結合される原子とエーテル結合（－Ｏ－）を形成する。これらのエーテル結合は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物に適度な柔軟性を付与し、Ｒ^１およびＲ^４で示される末端基の有する極性基と保護層との親和性を増大させる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、Ｒ^１およびＲ^４のうち少なくとも一方が、下記式（２－１）～（２－４）のうちいずれかの末端基であることが好ましく、Ｒ^１およびＲ^４の両方が、それぞれ独立に、下記式（２－１）～（２－４）のうちいずれかの末端基であることがより好ましい。

　式（２－１）～（２－３）に含まれる各水酸基は、それぞれ異なる炭素原子に結合している。式（２－１）～（２－３）において、水酸基の結合している炭素原子同士は、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している。このため、Ｒ^１およびＲ^４のうち少なくとも一方が式（２－１）～（２－３）である場合、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、例えば、水酸基の結合している炭素原子同士が結合している末端基を有する場合と比較して、疎水性が良好である。その結果、Ｒ^１およびＲ^４のうち少なくとも一方が式（２－１）～（２－３）である場合、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、水の侵入を防止でき、磁気記録媒体の腐食を効果的に抑制できるものと推定される。また、水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している場合、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基によって、末端水酸基と、末端水酸基に隣接する水酸基の両方とも、保護層へ密着できる配向となることができる。このため、優れた浮上安定性が得られるものと推定される。
　以上のことから、Ｒ^１およびＲ^４のうち少なくとも一方が式（２－１）～（２－３）のいずれかであると好ましい。

　さらに、式（２－１）および（２－３）で表される末端基では、末端水酸基が結合する炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基が結合する炭素原子との間の連結基が、酸素原子を含む。上記連結基は、水酸基の結合していない炭素原子を含む３～８原子からなる直鎖状の構造を有する。上記連結基が酸素原子を含む場合であっても、水酸基の結合していない炭素原子を含む３つ以上の原子からなる直鎖状の構造である場合、良好な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となる。また、上記連結基が３つ以上の原子からなる直鎖状の構造である場合、分子の運動性が適切であり、分子内凝集が起こりにくく、保護層との優れた密着性が得られる。また、上記連結基が８つ以下の原子からなる直鎖状の構造である場合、連結基の疎水性が高すぎて、保護層との密着性に支障を来すことがない。これらのことから、上記連結基が、酸素原子を含み、上記原子数からなる直鎖状の構造である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との密着性に優れ、高い浮上安定性を示し、水の侵入を防止でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものとなる。

　また、式（２－２）で表される末端基では、末端水酸基が結合する炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基が結合する炭素原子との間の連結基が、酸素原子を含まない。このため、分子内相互作用が小さく、分子内凝集が起こりにくく、保護層との優れた密着性を有する。また、上記連結基は、水酸基の結合していない炭素原子を含む１～３原子からなる直鎖状の構造を有する。上記連結基が酸素原子を含まず、水酸基の結合していない炭素原子を含む１つ以上の原子からなる直鎖状の構造である場合、良好な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となる。また、上記連結基が３つ以下の原子からなる直鎖状の構造である場合、連結基の疎水性が高すぎて、保護層との密着性に支障を来すことがない。これらのことから、上記連結基が、酸素原子を含まず、上記原子数からなる直鎖状の構造である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との密着性に優れ、高い浮上安定性を示し、水の侵入を防止でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものとなる。

　式（２－１）～（２－３）で表される末端基において、水酸基の結合している炭素原子間に配置された連結基に含まれる炭素原子は、含フッ素エーテル化合物の疎水性を向上させる役割を担う。一方で、連結基に含まれる炭素原子数が多すぎると、末端基（Ｒ^１およびＲ^４）の柔軟性が低下して、保護層の全面を均一に被覆することが難しくなることがある。
　このため、式（２－１）中、ｑは１または２であることが好ましく、１であることがより好ましい。また、式（２－２）中、ｓは１または２であることが好ましく、１であることがより好ましい。同様に、式（２－３）中、ｔは１または２であることが好ましく、１であることがより好ましい。ｖは１または２であることが好ましく、１であることがより好ましい。

　式（２－１）～（２－３）で表される末端基は、いずれも極性基として水酸基のみを有する。上述したように、Ｒ^１および／またはＲ^４が極性基として水酸基のみを有するものである場合、極性基が水酸基のみであるＲ^１および／またはＲ^４に含まれる水酸基の数は、それぞれ２～３であることが好ましく、２であることがより好ましい。
　式（２－１）中、水酸基の数はｐ＋１個であるから、ｐは１または２であることが好ましく、１であることがより好ましい。式（２－２）中、水酸基の数はｒ＋２個であるから、ｒは０または１であることが好ましく、０であることがより好ましい。式（２－３）中、水酸基の数はｕ＋２個であるから、ｕは０または１であることが好ましく、０であることがより好ましい。

　式（２－４）中、Ｘで表される二重結合または三重結合を含む有機基において、二重結合は炭素－炭素結合、炭素－酸素結合、炭素－窒素結合のいずれであってもよく、三重結合は炭素－炭素結合、炭素－窒素結合のいずれであってもよい。Ｘで表される二重結合または三重結合を含む有機基としては、具体的には、芳香族炭化水素、不飽和複素環、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、アミド結合を有する基から選択される少なくとも１つを含む有機基などが挙げられる。Ｘで表される有機基は、極性基を含むものであってもよい。Ｘで表される有機基に含まれる炭素原子数は、２～１５であることが好ましく、２～１０であることがより好ましい。

　ここで、式（２－４）で表される末端基と、保護層上の活性点との結合について説明する。保護層上に多数存在している官能基（活性点）には、局所的に帯電した部位と、電荷の分布が広がっている部位とが存在する。式（２－４）中に含まれる水酸基は、水素原子が水素結合を介して、保護層上の局所的に帯電した部位と相互作用をすることにより吸着能を示す。一方、芳香族炭化水素、不飽和複素環、アルケニル基、およびアルキニル基は、非局在的な電荷を有する。このため、式（２－４）中に含まれるＸで表される有機基が、芳香族炭化水素、不飽和複素環、アルケニル基、アルキニル基から選択される少なくとも１つを含む有機基である場合、Ｘで表される有機基は、保護層上の電荷の分布が広がっている部位と相互作用をすることにより吸着能を示す。また、シアノ基およびアミド結合を有する基は、非局在的な電荷を有しつつ、広く分極した電荷を持っている。このため、式（２－４）中に含まれるＸで表される有機基が、シアノ基およびアミド結合を有する基から選択される少なくとも１つを含む場合、Ｘで表される有機基は、保護層上の局所的に帯電した部位および電荷の分布が広がっている部位の双方と、相互作用できる。

　したがって、式（２－４）中に含まれる水酸基と、二重結合または三重結合を含む有機基とは、互いに保護層上の別の部位に吸着できる。ゆえに、式（２－４）中に含まれる水酸基と、二重結合または三重結合を含む有機基は、保護層上の官能基（活性点）にそれぞれ独立に相互作用できる。その結果、Ｒ^１およびＲ^４のうち少なくとも一方が式（２－４）である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との密着性に優れ、高い浮上安定性を示し、水の侵入を防止でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものとなる。
　以上のことから、Ｒ^１およびＲ^４のうち少なくとも一方が式（２－４）であると好ましい。

　式（２－４）中のｌは１～３の整数であり、１～２の整数であることが好ましく、１であることが最も好ましい。式（２－４）中のｌの数は、Ｒ^１またはＲ^４に含まれる末端基中の水酸基の数と同じである。式（２－４）中のｌ（水酸基の数）が３以下であると、式（２－４）で表される末端基の水酸基が多すぎることによって、腐食の原因となる水が潤滑層に誘引されることを防止でき、耐腐食性の良好な潤滑層が得られる。
　式（２－４）中のｌが２または３である場合、２または３個の繰り返し単位（－（ＣＨ_２）_ｍ－ＣＨ（ＯＨ）－（ＣＨ_２）_ｎ－Ｏ－）中のｍとｎの組み合わせは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。

　式（２－４）中におけるｌ個のｍはそれぞれ独立して１～４の整数を表し、ｌ個のｎはそれぞれ独立して１～４の整数を表す。式（２－４）中における１つの繰り返し単位（－（ＣＨ_２）_ｍ－ＣＨ（ＯＨ）－（ＣＨ_２）_ｎ－Ｏ－）中のｍ＋ｎは、２～４であることが好ましく、２～３であることがより好ましい。これは、繰り返し単位中のアルキレン基の炭素原子数が多すぎることによって、繰り返し単位の構造が剛直になることがないためである。よって、末端基部分が柔軟な構造を有するものとなり、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成でき、浮上安定性の良好な潤滑層となる。

　式（２－４）中における１つの繰り返し単位（－（ＣＨ_２）_ｍ－ＣＨ（ＯＨ）－（ＣＨ_２）_ｎ－Ｏ－）中のｍとｎのうち、少なくとも一方が１であることが好ましい。これは、水酸基が結合している炭素原子とエーテル酸素原子との間のアルキレン基の炭素原子数が多すぎることによって、水酸基の運動性が低下することがないためである。

　式（２－４）中のＸが、芳香族炭化水素または不飽和複素環を含む場合、Ｘは、－（ＣＨ_２）_ｚ１－Ｒ^５（式中、ｚ１は０～３の整数を表す；Ｒ^５は芳香族炭化水素または不飽和複素環を表す。）であることが好ましい。芳香族炭化水素および不飽和複素環は、環構造上に置換基を有していてもよい。置換基としては、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、ハロゲノ基、シアノ基、アセトアミド基（－ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ_３）、カルボキサミド基（－（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ_２）などが挙げられる。

　式（２－４）中のＸが、アルケニル基またはアルキニル基を含む場合、Ｘは、炭素原子数２～８のアルケニル基、または炭素原子数３～８のアルキニル基であることが好ましい。
　式（２－４）中のＸが、シアノ基またはアミド結合を有する基を含む場合、Ｘは、－（ＣＨ_２）_ｚ２－Ｒ^６（式中、ｚ２は１～５の整数を表す；Ｒ^６は－ＣＮ、－ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ_３、または－（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ_２を表す。）であることが好ましい。また、上記のようにＸは、シアノ基、アセトアミド基、またはカルボキサミド基を置換基として有する、芳香族炭化水素または不飽和複素環を含む有機基であってもよい。

　式（２－４）中のＸで表される二重結合または三重結合を含む有機基としては、例えば、具体的には、フェニル基、メトキシフェニル基、フッ化フェニル基、ナフチル基、フェネチル基、メトキシフェネチル基、フッ化フェネチル基、ベンジル基、メトキシベンジル基、ナフチルメチル基、メトキシナフチル基、ピロリル基、ピラゾリル基、メチルピラゾリルメチル基、イミダゾリル基、フリル基、フルフリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チエニル基、チエニルエチル基、チアゾリル基、メチルチアゾリルエチル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、インドリニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、シンノリニル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、メチルブチニル基、ペンチニル基、メチルペンチニル基、ヘキシニル基、シアノエチル基、シアノプロピル基、シアノフェニル基、アセトアミドエチル基（－ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ_３）、アセトアミドプロピル基（－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ_３）、アセトアミドフェニル基、カルボキサミドエチル基（－ＣＨ_２ＣＨ_２（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ_２）、カルボキサミドプロピル基（－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ_２）、カルボキサミドフェニル基などが挙げられる。

　式（２－４）中のＸで表される有機基は、上記の中でも、フェニル基、メトキシフェニル基、チエニルエチル基、ナフチル基、ブテニル基、アリル基、プロパルギル基、フェネチル基、メトキシフェネチル基、フッ化フェネチル基、シアノエチル基、シアノプロピル基、アセトアミドエチル基、アセトアミドプロピル基から選ばれるいずれかであることが好ましく、フェニル基、メトキシフェニル基、アリル基、ブテニル基、チエニルエチル基、シアノエチル基、シアノプロピル基、アセトアミドエチル基、アセトアミドプロピル基から選ばれるいずれかであることがより好ましい。

　特に、式（２－４）中のＸで表される有機基が、シアノエチル基、アセトアミドエチル基のいずれかである場合、Ｘで表される有機基の極性が高いものとなるため、より一層保護層との密着性に優れ、より浮上安定性の良好な潤滑層を形成できるものとなる。また、Ｘで表される有機基が、アリル基、メトキシフェニル基、チエニルエチル基のいずれかである場合、Ｘで表される有機基の疎水性が高いものとなるため、より耐腐食性の良好な潤滑層を形成できるものとなる。

　Ｒ^１およびＲ^４のうち一方が、上記式（２－１）～（２－４）のうちいずれかの末端基であり、他方が上記式（２－１）～（２－４）で表される末端基以外の末端基である場合、他方の末端基は、極性基を１つ以上有する炭素原子数１～５０の末端基であればよい。
　この場合、他方の末端基としては、例えば、上記式（２－１）～（２－４）で表される末端基以外の、水酸基を有する末端基が挙げられる。具体的には、例えば、他方の末端基として、－ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ、－ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ、－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ、－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨなどが挙げられる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物においては、式（１）におけるＲ^２ａとＲ^２ｄとが同じであり、Ｒ^２ｂとＲ^２ｃとが同じであり、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されており、Ｒ^１とＲ^４とが同じであることが好ましい。これは、容易に効率よく製造できる含フッ素エーテル化合物となるためである。
　さらに、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物においては、式（１）における４つのＲ^２が全て同じであり、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されており、Ｒ^１とＲ^４とが同じであることがより好ましい。これは、容易に効率よく製造できる含フッ素エーテル化合物となるためである。さらに、３つのＲ^３が式（３）である含フッ素エーテル化合物である場合、より容易に効率よく製造でき、より好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物においては、分子中に含まれる水酸基の合計数が、５～９であることが好ましく、５～８であることがより好ましい。分子中に含まれる水酸基の合計数が５以上であると、分子全体の保護層に対する吸着力を担保でき、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。その結果、より浮上安定性の良好な潤滑層を形成できる。また、分子中に含まれる水酸基の合計数が９以下であると、分子全体の親水性が高くなりすぎることがなく、腐食の原因となる水を潤滑層に誘引することを防止でき、より耐腐食性の良好な潤滑層を形成できる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には、下記式（Ａ）～（Ｚ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。
　式（１）で表される化合物が下記式（Ａ）～（Ｚ）で表されるいずれかの化合物である場合、原料が入手しやすく、しかも、厚みが薄くても優れた密着性を有し、浮上安定性がより一層良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

　下記式（Ａ）～（Ｚ）で表される化合物において、ＰＦＰＥ鎖を表すＲｆ_１、Ｒｆ_２、Ｒｆ_３は、それぞれ下記の構造である。すなわち、下記式（Ａ）～（Ｗ）、（Ｚ）で表される化合物において、Ｒｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。下記式（Ｘ）、（Ｚ）で表される化合物において、Ｒｆ_２は、上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。下記式（Ｙ）で表される化合物において、Ｒｆ_３は、上記式（４－３）で表されるＰＦＰＥ鎖である。なお、式（Ａ）～（Ｚ）中のＰＦＰＥ鎖を表すＲｆ_１におけるｈおよびｉ、Ｒｆ_２におけるｊ、Ｒｆ_３におけるｋは、平均重合度を示す値であるため、必ずしも整数になるとは限らない。

　下記式（Ａ）～（Ｒ）、（Ｘ）～（Ｚ）で表される化合物は、いずれも３つのＲ^３が式（３）で表される連結基である。
　下記式（Ａ）～（Ｚ）で表される化合物は、いずれもＲ^１およびＲ^４のうち少なくとも一方が式（２－１）～（２－４）のいずれかで示される末端基である。

　下記式（Ａ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｂ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが２である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｃ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－２）で表される末端基でｒが０、ｓが１である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｄ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－３）で表される末端基でｔが１、ｕが０、ｖが１である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｅ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１である。Ｒ^４が－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨである。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｆ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１である。Ｒ^４が－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨである。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｇ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが２、ｑが１である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｈ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１であり、Ｒ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが２、ｑが１である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｉ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－２）で表される末端基でｒが１、ｓが１である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｊ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－３）で表される末端基でｔが１、ｕが１、ｖが１である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｋ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－４）で表される末端基でｌが２、ｍが１、ｎが１、Ｘがアリル基である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｌ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－４）で表される末端基でｌが１、ｍが１、ｎが１、Ｘがｐ－メトキシフェニル基である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｍ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１であり、Ｒ^４が上記式（２－４）で表される末端基でｌが１、ｍが１、ｎが１、Ｘがｐ－メトキシフェニル基である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｎ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－４）で表される末端基でｌが１、ｍが１、ｎが１、Ｘがチエニルエチル基である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｏ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－４）で表される末端基でｌが１、ｍが１、ｎが１、Ｘがシアノエチル基である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｐ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１であり、Ｒ^４が上記式（２－４）で表される末端基でｌが１、ｍが１、ｎが１、Ｘがシアノエチル基である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｑ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－４）で表される末端基でｌが１、ｍが１、ｎが１、Ｘがアセトアミドエチル基である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｒ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１であり、Ｒ^４が上記式（２－４）で表される末端基でｌが１、ｍが１、ｎが１、Ｘがアセトアミドエチル基である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｓ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１である。Ｒ^３ａが上記式（３－３）で表される連結基でｆが２であり、Ｒ^３ｂが上記式（３）で表される連結基であり、Ｒ^３ｃが上記式（３－２）で表される連結基でｅが２である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｔ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１である。Ｒ^３ａおよびＲ^３ｃが上記式（３）で表される連結基であり、Ｒ^３ｂが上記式（３－３）で表される連結基でｆが２である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｕ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１である。Ｒ^３ａおよびＲ^３ｃが上記式（３）で表される連結基であり、Ｒ^３ｂが上記式（３－１）で表される連結基でｄが２である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｖ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１である。Ｒ^３ａおよびＲ^３ｃが上記式（３）で表される連結基であり、Ｒ^３ｂが上記式（３－４）で表される連結基でｇが０である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｗ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１である。Ｒ^３ａおよびＲ^３ｃが上記式（３）で表される連結基であり、Ｒ^３ｂが上記式（３－４）で表される連結基でｇが４である。４つのＲ^２が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｘ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１である。４つのＲ^２が上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｙ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１である。４つのＲ^２が上記式（４－３）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｚ）で表される化合物は、式（１）におけるＲ^１およびＲ^４が上記式（２－１）で表される末端基でｐが１、ｑが１である。Ｒ^２ａおよびＲ^２ｄが上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒ^２ｂおよびＲ^２ｃが上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

（式（Ａ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｂ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｃ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（Ｄ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｅ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｆ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（Ｇ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｈ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｉ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（Ｊ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｋ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｌ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい；Ｍｅは、メチル基を表す。）

（式（Ｍ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい；Ｍｅは、メチル基を表す。）
（式（Ｎ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｏ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（Ｐ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｑ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｒ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（Ｓ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｔ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｕ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（Ｖ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｗ）中の４つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；４つのＲｆ_１におけるｈ、ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（Ｘ）中の４つのＲｆ_２において、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す；４つのＲｆ_２におけるｊは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｙ）中の４つのＲｆ_３において、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す；４つのＲｆ_３におけるｋは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（Ｚ）中の２つのＲｆ_２において、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す；２つのＲｆ_２において、ｊは同じであってもよいし、異なっていてもよい；式（Ｚ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉはそれぞれ同じであってもよいし、異なっていてもよい。）

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましく、１０００～８０００の範囲内であることがより好ましく、１５００～７０００の範囲内であることがさらに好ましく、２０００～６０００の範囲内であることが特に好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤からなる潤滑層が優れた耐熱性を有するものとなる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に膜厚の薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、８０００以下であることがより好ましい。

　含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。具体的には、^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された積分値よりＰＦＰＥ鎖の繰り返し単位数を算出し、数平均分子量を求める。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定においては、試料をヘキサフルオロベンゼン／ｄ－アセトン（４／１ｖ／ｖ）溶媒へ希釈して測定する。^１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとし、^１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとする。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、適当な方法で分子量分画することにより、分子量分散度（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）比）を１．３以下とすることが好ましい。
　本実施形態において、分子量分画する方法としては、特に制限されないが、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法などによる分子量分画、超臨界抽出法による分子量分画等を用いることができる。

「製造方法」
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。

　図１は、本発明の含フッ素エーテル化合物の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図１に示される（ａ）は、含フッ素エーテル化合物の製造方法における全工程を示したフローチャートである。図１に示される（ｂ）は、図１に示される（ａ）における連結構造製造工程を示したフローチャートである。図１に示される（ｃ）は、図１に示される（ａ）における化合物構造製造工程を示したフローチャートである。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、図１に示される（ａ）に示すように、端部製造工程Ｓ１と、連結構造製造工程Ｓ２と、化合物構造製造工程Ｓ３とを有する。
［端部製造工程Ｓ１］
　端部製造工程Ｓ１では、式（１）におけるＲ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２ａ－ＣＨ_２－に対応する基を有する中間体化合物１ａと、式（１）における－ＣＨ_２－Ｒ^２ｄ－ＣＨ_２－Ｒ^４に対応する基を有する中間体化合物１ｂとを製造する。中間体化合物１ａと中間体化合物１ｂとは、どちらを先に製造してもよい。

　本実施形態の製造方法において、含フッ素エーテル化合物として、式（１）におけるＲ^２ａとＲ^２ｄとが同じで、Ｒ^１とＲ^４とが同じである化合物を製造する場合、端部製造工程Ｓ１において、中間体化合物１ａと中間体化合物１ｂとを同時に製造できる。したがって、式（１）におけるＲ^２ａとＲ^２ｄとが同じで、Ｒ^１とＲ^４とが同じである化合物は、効率よく容易に製造できる。

　中間体化合物１ａおよび中間体化合物１ｂは、具体的には、例えば、以下に示す方法により製造できる。
＜Ｒ^２ａとＲ^２ｄ、Ｒ^１とＲ^４の少なくとも一方が異なる場合（中間体化合物１ａと中間体化合物１ｂとが異なる場合）＞
　まず、式（１）におけるＲ^２ａに対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意し、その一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１に対応する基を有するエポキシ化合物とを反応させる。このことにより、Ｒ^２ａに対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^１に対応する基を有する中間体化合物１ａが得られる。

　次に、式（１）におけるＲ^２ｄに対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意し、その一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^４に対応する基を有するエポキシ化合物とを反応させる。このことにより、Ｒ^２ｄに対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^４に対応する基を有する中間体化合物１ｂが得られる。

＜Ｒ^２ａとＲ^２ｄが同じであり、Ｒ^１とＲ^４が同じである場合（中間体化合物１ａと中間体化合物１ｂが同じである場合）＞
　まず、式（１）におけるＲ^２ａ（＝Ｒ^２ｄ）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。次いで、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１に対応する基（＝Ｒ^４に対応する基）を有するエポキシ化合物とを反応させる。このことにより、Ｒ^２ａ（＝Ｒ^２ｄ）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^１に対応する基（＝Ｒ^４に対応する基）を有する中間体化合物１ａ（＝中間体化合物１ｂ）が得られる。

　式（１）におけるＲ^１に対応する基（またはＲ^４に対応する基）を有するエポキシ化合物としては、例えば、下記式（５－１）～（５－１４）で表される化合物などを用いることができる。下記式（５－１）～（５－１０）中のＴＨＰは、テトラヒドロピラニル基を表す。下記式（５－１１）中のＭｅは、メチル基を表す。
　上記フッ素系化合物と上記エポキシ化合物とを反応させて、上記中間体化合物１ａ（または中間体化合物１ｂ）を合成する場合、上記エポキシ化合物の有する水酸基を適切な保護基を用いて保護してから、上記フッ素系化合物と反応させても良い。

　式（１）におけるＲ^１に対応する基（またはＲ^４に対応する基）を有するエポキシ化合物は、例えば、以下に示す方法を用いて製造できる。すなわち、下記式（６－１）に示すように、式（１）におけるＲ^１（またはＲ^４）で表される末端基の一部に対応する構造を有するアルコールと、エポキシ基を有するハロゲン化合物とを反応させる方法を用いて製造できる。

（式（６－１）中、Ｒは式（１）におけるＲ^１またはＲ^４で表される末端基の一部に対応する構造を示す；ａ１は、１以上の整数を表す。）

　また、上記エポキシ化合物は、以下に示す方法を用いても製造できる。すなわち、下記式（６－２）に示すように、式（１）におけるＲ^１（またはＲ^４）で表される末端基の一部に対応する構造を有するアルコールと、アルケニル基を有するハロゲン化合物とを反応させる。その後、得られた化合物に、ｍ－クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を作用させて酸化させる方法を用いて製造できる。

（式（６－２）中、Ｒは式（１）におけるＲ^１またはＲ^４で表される末端基の一部に対応する構造を示す；ａ２は、１以上の整数を表す。）

　また、上記エポキシ化合物は、以下に示す方法を用いても製造できる。すなわち、下記式（６－３）に示すように、式（１）におけるＲ^１（またはＲ^４）で表される末端基の一部に対応する構造を有するアルコールと、アルケニル基およびエポキシ基を有する化合物とを付加反応させる。その後、付加反応により得られた化合物に、ｍ－クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を作用させて酸化させる方法を用いて製造できる。付加反応により生じた水酸基を適切に保護した後、ｍＣＰＢＡを用いて酸化させてもよい。

（式（６－３）中、Ｒは式（１）におけるＲ^１またはＲ^４で表される末端基の一部に対応する構造を示す；ａ３およびａ４は、それぞれ０以上の整数を表す；Ｙは、ＯまたはＣＨ_２を表す。）

［連結構造製造工程Ｓ２］
　連結構造製造工程Ｓ２では、式（１）における－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－に対応する基を有する中間体化合物３を製造する。
　連結構造製造工程Ｓ２は、端部製造工程Ｓ１の後に行ってもよいし、端部製造工程Ｓ１の前に行ってもよい。

　連結構造製造工程Ｓ２は、図１に示される（ｂ）に示すように、連結端部製造工程Ｓ２１と、Ｒ^２ｂ側反応工程Ｓ２２と、Ｒ^２ｃ側反応工程Ｓ２３とを含む。
　連結端部製造工程Ｓ２１では、式（１）における－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－に対応する基を有する中間体化合物２ａと、式（１）における－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－に対応する基を有する中間体化合物２ｂとを製造する。中間体化合物２ａと中間体化合物２ｂとは、どちらを先に製造してもよい。

　Ｒ^２ｂ側反応工程Ｓ２２では、式（１）におけるＲ^３ｂに対応する基を有する化合物のＲ^２ｂ側端部と中間体化合物２ａとを反応させる。Ｒ^２ｃ側反応工程Ｓ２３では、式（１）におけるＲ^３ｂに対応する基を有する化合物のＲ^２ｃ側端部と中間体化合物２ｂとを反応させる。Ｒ^２ｃ側反応工程Ｓ２３は、Ｒ^２ｂ側反応工程Ｓ２２の後に行ってもよいし、Ｒ^２ｂ側反応工程Ｓ２２の前に行ってもよい。

　本実施形態の製造方法において、含フッ素エーテル化合物として、式（１）におけるＲ^２ｂとＲ^２ｃとが同じで、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されている化合物を製造する場合、連結構造製造工程Ｓ２において、中間体化合物２ａと中間体化合物２ｂとを同時に製造できる。したがって、式（１）におけるＲ^２ｂとＲ^２ｃとが同じで、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されている化合物は、効率よく容易に製造できる。また、中間体化合物２ａと中間体化合物２ｂとを同時に製造した場合、中間体化合物２ａと中間体化合物２ｂとが同じものとなる。このため、Ｒ^２ｂ側反応工程Ｓ２２とＲ^２ｃ側反応工程Ｓ２３とを同時に行うことができる。よって、式（１）におけるＲ^２ｂとＲ^２ｃとが同じで、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されている化合物は、生産性に優れる。

　中間体化合物２ａおよび中間体化合物２ｂは、具体的には、例えば、以下に示す方法により製造できる。
＜Ｒ^２ｂとＲ^２ｃが異なる、および／またはＲ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されていない場合（中間体化合物２ａと中間体化合物２ｂとが異なる場合）＞
　まず、式（１）におけるＲ^２ｂに対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意し、その一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、Ｒ^３ａに対応するアルケニル基を有するハロゲン化合物またはエポキシ化合物とを反応させる。このことにより、Ｒ^２ｂに対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^３ａに対応するアルケニル基を有する中間体化合物２ａが得られる。

　次に、式（１）におけるＲ^２ｃに対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意し、その一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、Ｒ^３ｃに対応するアルケニル基を有するハロゲン化合物またはエポキシ化合物とを反応させる。このことにより、Ｒ^２ｃに対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^３ｃに対応する基を有する中間体化合物２ｂが得られる。

＜Ｒ^２ｂとＲ^２ｃが同じであり、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されている場合（中間体化合物２ａと中間体化合物２ｂが同じである場合）＞
　式（１）におけるＲ^２ｂ（＝Ｒ^２ｃ）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。次いで、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、Ｒ^３ａ（＝Ｒ^３ｃ）に対応するアルケニル基を有するハロゲン化合物またはエポキシ化合物とを反応させる。このことにより、式（１）におけるＲ^２ｂ（＝Ｒ^２ｃ）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^３ａ（＝Ｒ^３ｃ）に対応するアルケニル基を有する中間体化合物２ａ（＝中間体化合物２ｂ）が得られる。

　式（１）におけるＲ^３ａ（またはＲ^３ｃ）に対応するアルケニル基を有するハロゲン化合物またはエポキシ化合物としては、例えば、下記式（７－１）～（７－５）で表される化合物などを用いることができる。

　Ｒ^２ｂ側反応工程Ｓ２２およびＲ^２ｃ側反応工程Ｓ２３は、具体的には、例えば、以下に示す方法により行うことができる。
＜Ｒ^２ｂとＲ^２ｃが異なる、および／またはＲ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されていない場合（中間体化合物２ａと中間体化合物２ｂとが異なる場合）＞
　１分子の中間体化合物２ａと、Ｒ^３ｂに対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物またはジエポキシ化合物とを反応させた（Ｒ^２ｂ側反応工程Ｓ２２）後、得られた化合物を１分子の中間体化合物２ｂと反応させる（Ｒ^２ｃ側反応工程Ｓ２３）。
　または、１分子の中間体化合物２ｂと、Ｒ^３ｂに対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物またはジエポキシ化合物とを反応させた（Ｒ^２ｃ側反応工程Ｓ２３）後、得られた化合物を１分子の中間体化合物２ａと反応させる（Ｒ^２ｂ側反応工程Ｓ２２）。
　このことにより、式（１）におけるＲ^２ｂおよびＲ^２ｃに対応するパーフルオロポリエーテル鎖が、Ｒ^３ｂに対応する連結基とそれぞれメチレン基を介して結合し、その両方の末端にそれぞれ、Ｒ^３ａに対応するアルケニル基とＲ^３ｃに対応するアルケニル基とを有する中間体化合物３が得られる。

＜Ｒ^２ｂとＲ^２ｃが同じであり、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されている場合（中間体化合物２ａと中間体化合物２ｂが同じである場合）＞
　２分子の中間体化合物２ａ（＝中間体化合物２ｂ）と、Ｒ^３ｂに対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物またはジエポキシ化合物とを反応させる。このことにより、式（１）におけるＲ^２ｂ（＝Ｒ^２ｃ）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖がＲ^３ｂに対応する連結基とメチレン基を介して結合し、その両方の末端に、Ｒ^３ａ（＝Ｒ^３ｃ）に対応するアルケニル基を有する中間体化合物３が得られる。

　式（１）におけるＲ^３ｂに対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物またはジエポキシ化合物としては、例えば、下記式（８－１）～（８－５）で表される化合物などを用いることができる。

［化合物構造製造工程Ｓ３］
　化合物構造製造工程Ｓ３は、図１に示される（ｃ）に示すように、Ｒ^１側反応工程Ｓ３１と、Ｒ^４側反応工程Ｓ３２とを含む。Ｒ^１側反応工程Ｓ３１では、中間体化合物３（または後述の中間体化合物３－１）のＲ^３ａ側端部と中間体化合物１ａとを反応させる。Ｒ^４側反応工程Ｓ３２では、中間体化合物３（または後述の中間体化合物３－１）のＲ^３ｃ側端部と前記中間体化合物１ｂとを反応させる。Ｒ^４側反応工程Ｓ３２は、Ｒ^１側反応工程Ｓ３１の後に行ってもよいし、Ｒ^１側反応工程Ｓ３１の前に行ってもよい。

　本実施形態の製造方法において、含フッ素エーテル化合物として、式（１）におけるＲ^２ａとＲ^２ｄとが同じで、Ｒ^１とＲ^４とが同じである化合物を製造する場合、中間体化合物１ａの有するＲ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２ａ－ＣＨ_２－に対応する基と、中間体化合物１ｂの有する－ＣＨ_２－Ｒ^２ｄ－ＣＨ_２－Ｒ^４に対応する基とが同じであるため、Ｒ^１側反応工程Ｓ３１とＲ^４側反応工程Ｓ３２とを同時に行うことができる。したがって、式（１）におけるＲ^２ａとＲ^２ｄとが同じで、Ｒ^１とＲ^４とが同じである化合物は、効率よく容易に製造できる。

　特に、本実施形態の製造方法において、含フッ素エーテル化合物として、式（１）におけるＲ^２ａとＲ^２ｄとが同じであり、Ｒ^２ｂとＲ^２ｃとが同じであり、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されており、Ｒ^１とＲ^４とが同じである化合物を製造する場合、端部製造工程Ｓ１において、中間体化合物１ａと中間体化合物１ｂとを同時に製造し、連結構造製造工程Ｓ２において、中間体化合物２ａと中間体化合物２ｂとを同時に製造し、Ｒ^２ｂ側反応工程Ｓ２２とＲ^２ｃ側反応工程Ｓ２３とを同時に行い、化合物構造製造工程Ｓ３において、Ｒ^１側反応工程Ｓ３１とＲ^４側反応工程Ｓ３２とを同時に行う方法を用いることができ、より効率よく容易に製造できる。

　Ｒ^１側反応工程Ｓ３１およびＲ^４側反応工程Ｓ３２は、具体的には、例えば、以下に示す方法により行うことができる。
　化合物構造製造工程Ｓ３において使用する中間体化合物３は、式（１）における－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－に対応する基を有するものであればよい。具体的には、化合物構造製造工程Ｓ３を行うに際し、本実施形態の連結構造製造工程Ｓ２において製造した中間体化合物３をそのまま使用してもよいし、連結構造製造工程Ｓ２において製造した中間体化合物３の両末端に存在する炭素－炭素二重結合を、酸化してエポキシ基とする処理を行ったものを使用してもよく、中間体化合物１ａおよび中間体化合物１ｂの種類に応じて適宜決定できる。

　本実施形態では、中間体化合物３として、連結構造製造工程Ｓ２において製造した中間体化合物３の両末端に存在する炭素－炭素二重結合を、酸化してエポキシ基とした中間体化合物（以下、「中間体化合物３－１」という。）を用いる場合を例に挙げて説明する。中間体化合物３－１は、式（１）におけるＲ^２ｂに対応するパーフルオロポリエーテル鎖とＲ^２ｃに対応するパーフルオロポリエーテル鎖とが、Ｒ^３ｂに対応する連結基とそれぞれメチレン基を介して結合し、そのＲ^２ｂ側の末端にＲ^３ａに対応するエポキシ基を有し、Ｒ^２ｃ側の末端にＲ^３ｃに対応するエポキシ基を有する。
　中間体化合物３の両末端に存在する炭素－炭素二重結合を酸化して、中間体化合物３－１を生成させる反応は、中間体化合物３の有する水酸基を適切に保護してから実施してもよい。

＜Ｒ^２ａとＲ^２ｄ、Ｒ^１とＲ^４の少なくとも一方が異なる場合（中間体化合物１ａと中間体化合物１ｂとが異なる場合）＞
　１分子の中間体化合物１ａと中間体化合物３－１のＲ^２ｂ側の末端に存在するエポキシ基とを付加反応させた（Ｒ^１側反応工程Ｓ３１）後、得られた化合物を１分子の中間体化合物１ｂと反応させる（Ｒ^４側反応工程Ｓ３２）。
　または、１分子の中間体化合物１ｂと中間体化合物３－１のＲ^２ｃ側の末端に存在するエポキシ基とを付加反応させた（Ｒ^４側反応工程Ｓ３２）後、得られた化合物を１分子の中間体化合物１ａと反応させる（Ｒ^１側反応工程Ｓ３１）。

＜Ｒ^２ａとＲ^２ｄが同じであり、Ｒ^１とＲ^４が同じである場合（中間体化合物１ａと中間体化合物１ｂとが同じである場合）＞
　２分子の中間体化合物１ａ（＝中間体化合物１ｂ）と、中間体化合物３－１の両末端に存在するエポキシ基とを付加反応させる。

　このようにしてＲ^１側反応工程Ｓ３１およびＲ^４側反応工程Ｓ３２を行った後、反応生成物の有する保護基を適切な反応剤を用いて脱保護する。
　以上の工程を行うことにより、式（１）で表される化合物を製造できる。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）で表される化合物であり、２つのメチレン基（－ＣＨ_２－）間に挟まれた１つ以上の極性基を有する２価の連結基（Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、およびＲ^３ｃ）を介して、４つのパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄ）が結合した骨格を有し、骨格を形成している３つの連結基のうち少なくとも１つが式（３）で表され、骨格の両側にメチレン基（－ＣＨ_２－）を介して極性基を１つ以上有する炭素原子数１～５０の末端基（Ｒ^１およびＲ^４）が結合している。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて保護層上に形成した潤滑層は、磁気ヘッドの浮上安定性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものとなる。

　また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法では、Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２ａ－ＣＨ_２－に対応する基を有する中間体化合物１ａと、－ＣＨ_２－Ｒ^２ｄ－ＣＨ_２－Ｒ^４に対応する基を有する中間体化合物１ｂと、－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－に対応する基を有する中間体化合物２ａと、－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－に対応する基を有する中間体化合物２ｂとを製造する。そして、Ｒ^３ｂに対応する基を有する化合物のＲ^２ｂ側端部と中間体化合物２ａとを反応させ、Ｒ^３ｂに対応する基を有する化合物のＲ^２ｃ側端部と中間体化合物２ｂとを反応させて、－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－に対応する基を有する中間体化合物３を製造する。その後、中間体化合物３（またはこれを酸化して得られた中間体化合物３－１）のＲ^３ａ側端部と中間体化合物１ａとを反応させ、中間体化合物３（またはこれを酸化して得られた中間体化合物３－１）のＲ^３ｃ側端部と中間体化合物１ｂとを反応させる。このため、２つのメチレン基間に挟まれた２価の連結基（Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、およびＲ^３ｃ）を介して、４つのパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄ）が結合した骨格を有する式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物を選択的に製造できる。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法によれば、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を、高い純度で製造できる。これに対し、含フッ素エーテル化合物を製造する方法として、＜１＞パーフルオロポリエーテル鎖の両末端にそれぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を、エピクロロヒドリンと反応させる方法（例えば、特許文献５に記載の方法）、＜２＞パーフルオロポリエーテル鎖の両末端にそれぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を、グリシドールと反応させて得た混合物を、ジエポキシ化合物と反応させる方法（例えば、特許文献６に記載の方法）がある。

　従来知られている上記＜１＞および＜２＞の方法では、２価の連結基（Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、およびＲ^３ｃ）に対応する化合物と、パーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄ）に対応する化合物とがランダムに反応し、分子中に含まれるパーフルオロポリエーテル鎖の数が異なる含フッ素エーテル化合物の混合物が生成する。生成した混合物中に含まれる目的化合物と副生成物とは、極性が近くカラムクロマトグラフィーによる分離が難しいし、沸点が近く蒸留による分離も難しい。したがって、生成した混合物は、目的化合物を単離しにくいものである。このため、上記＜１＞および＜２＞の方法では、２つのメチレン基間に挟まれた２価の連結基（Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、およびＲ^３ｃ）を介して、４つのパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄ）が結合した所望する骨格を有する含フッ素エーテル化合物を高純度で得ることは困難である。

　また、上記＜１＞および＜２＞の方法により得られた混合物には、保護層に対する密着性の乏しい、パーフルオロポリエーテル鎖の数が３以下の化合物、および／または分子の流動性の乏しい、パーフルオロポリエーテル鎖の数が５以上の化合物が、副生成物として多く含まれる。
　これに対し、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法では、このような副生成物の生成を抑制でき、保護層に対する被覆状態が均一で密着性に優れる潤滑層が形成されやすい本実施形態の含フッ素エーテル化合物を選択的に製造できる。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
　本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
　本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

　公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）　ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＡＭ－２００１（以上Ｓｏｌｖａｙ　Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ　Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）等が挙げられる。
　本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。

　本実施形態の潤滑剤が、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量は、５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましく、９５質量％以上であることが特に好ましい。

　本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。このため、本実施形態の潤滑剤は、薄い厚みで均一に塗布することができ、厚みが薄く、磁気ヘッドの浮上安定性が良好であり、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

［磁気記録媒体］
　本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられたものである。
　本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に、付着層および軟磁性層の少なくとも一方を設けることもできる。

　図２は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。
　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
　基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
　また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。

「付着層」
　付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
　付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
　軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。

　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進される。その結果、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
　軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
　第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向および結晶サイズを制御する層である。
　第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金層、ＣｏＷ合金層、ＣｒＷ合金層、ＣｒＶ合金層、ＣｒＴｉ合金層などからなるものが挙げられる。
　第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
　第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
　第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
　第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
　磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔとを含む層である。磁性層１６は、ＳＮＲ特性を改善するために、酸化物、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
　磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

　磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
　例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

　第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
　第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。

　第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。

　磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
　非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

　磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
　磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
　保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、１層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基（特に水酸基）との相互作用が一層高まるため、好ましい。

　炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３原子％～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４原子％～１５原子％であることが好ましい。

　炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

　保護層１７の膜厚は、１ｎｍ～７ｎｍであることが好ましい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

　保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
　保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
　潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
　潤滑層１８は、図２に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、保護層１７上に上述した実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を塗布することにより形成されたものである。したがって、潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

　潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

　潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）～２．０ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１．２ｎｍ（１２Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。そのため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２．０ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を充分に小さくできる。

「潤滑層の形成方法」
　潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
　潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
　ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
　ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

　本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
　熱処理温度は１００℃～１８０℃とすることが好ましく、１００℃～１６０℃とすることがより好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が充分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、熱処理による潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は、熱処理温度に応じて適宜調整でき、１０分～１２０分とすることが好ましい。

　本実施形態においては、潤滑層１８の保護層１７に対する付着力をより一層向上させるために、熱処理前もしくは熱処理後の潤滑層１８に、紫外線（ＵＶ）を照射する処理を行ってもよい。

　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、膜厚が薄くても、優れた密着性を有し、良好な浮上安定性を有し、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高い。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、信頼性、耐久性に優れる。このことから、本実施形態の磁気記録媒体１０は、磁気ヘッドの浮上量の低い（例えば、１０ｎｍ以下）ものとすることができ、用途の多様化に伴う厳しい環境下であっても、長期に亘って安定して動作する。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、特にＬＵＬ（Ｌｏａｄ　Ｕｎｌｏａｄ）方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクとして好適である。

　以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

［実施例１］
　以下に示す方法により、上記式（Ａ）で表される化合物を得た。
（端部製造工程Ｓ１）
　窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）１０ｇと、上記式（５－１）で表される化合物２．０６ｇと、ｔ－ブタノール１０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．３７ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　なお、式（５－１）で表される化合物は、エチレングリコールモノアリルエーテルを、ジヒドロピランを用いて保護した後、ｍ－クロロ過安息香酸を作用させて酸化することにより合成した。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬを入れた分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体化合物１ａ（＝中間体化合物１ｂ）として下記式（９）で示される化合物５．２３ｇを得た。

（式（９）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す：ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

（連結構造製造工程Ｓ２）
（連結端部製造工程Ｓ２１）
　窒素ガス雰囲気下で２００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）２０ｇと、水素化ナトリウム０．８８ｇと、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド２０ｍＬとを仕込み、氷浴下で発泡が収まるまで撹拌し、混合物とした。この混合物に式（７－１）で表される化合物（臭化アリル）２．４２ｇを加え、室温下で４時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬを入れた分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体化合物２ａ（＝中間体化合物２ｂ）として下記式（１０）で示される化合物１０．５１ｇを得た。

（式（１０）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）

（Ｒ^２ｂ側反応工程Ｓ２２およびＲ^２ｃ側反応工程Ｓ２３）
　窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた中間体化合物２ａ（＝中間体化合物２ｂ）である式（１０）で示される化合物１０．５１ｇと、上記式（８－１）で表される化合物（エピブロモヒドリン）０．７６ｇと、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．５２ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応液を室温に戻し、１０％塩化水素・メタノール溶液（塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）５０ｇを加え、室温で４時間撹拌した。その後、反応液を飽和重曹水１００ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル２００ｍＬで２回抽出した。有機層を食塩水１００ｍＬ、飽和重曹水１００ｍＬ、食塩水１００ｍＬの順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、中間体化合物３として下記式（１１）で示される化合物７．７４ｇを得た。

（式（１１）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）

（化合物構造製造工程Ｓ３）
　窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた中間体化合物３である式（１１）で示される化合物７．７４ｇと、ジヒドロピラン１．２２ｇと、ｐ－トルエンスルホン酸一水和物０．０７ｇと、塩化メチレン２０ｍＬとを仕込み、室温で３時間撹拌し、反応させた。反応液にトリエチルアミン０．０７ｇを加えて処理し、濃縮した。
　続いて、得られた混合物にｍ－クロロ過安息香酸２．５０ｇと塩化メチレン２０ｍＬとを仕込み、室温で１８時間撹拌した。

　反応後に得られた反応液を水１００ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を食塩水１００ｍＬ、飽和重曹水１００ｍＬ、食塩水１００ｍＬの順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、中間体化合物３－１として下記式（１２）で示される化合物４．６５ｇを得た。

（式（１２）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す；ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

（Ｒ^１側反応工程Ｓ３１およびＲ^４側反応工程Ｓ３２）
　窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた中間体化合物１ａ（＝中間体化合物１ｂ）である式（９）で示される化合物５．２３ｇと、中間体化合物３－１である式（１２）で表される化合物４．４２ｇと、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．１５ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応液を室温に戻し、１０％塩化水素・メタノール溶液（塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）５０ｇを加え、室温で４時間撹拌した。その後、反応液を飽和重曹水１００ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル２００ｍＬで２回抽出した。有機層を食塩水１００ｍＬ、飽和重曹水１００ｍＬ、食塩水１００ｍＬの順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ａ）（式（Ａ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．５１ｇ得た。

　得られた化合物（Ａ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（４０Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例２］
　以下に示す方法により、上記式（Ｂ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－２）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｂ）（式（Ｂ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．７２ｇ得た。

　なお、式（５－２）で表される化合物は、１，３－プロパンジオールの片方の水酸基を、ジヒドロピランを用いて保護した後、エピブロモヒドリンを作用させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｂ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５－１．８５（４Ｈ）、３．６５－３．８５（４０Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例３］
　以下に示す方法により、上記式（Ｃ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－３）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｃ）（式（Ｃ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．２５ｇ得た。

　なお、式（５－３）で表される化合物は、３－ブテン－１－オールを、ジヒドロピランを用いて保護した後、ｍ－クロロ過安息香酸を作用させて酸化することにより合成した。

　得られた化合物（Ｃ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５－１．８５（４Ｈ）、３．６５－３．８５（３２Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例４］
　以下に示す方法により、上記式（Ｄ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－４）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｄ）（式（Ｄ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．６７ｇ得た。

　なお、式（５－４）で表される化合物は、３－ブテン－１－オールに、２－(２－ブロモエトキシ)テトラヒドロ－２Ｈ－ピランを作用させた後、ｍ－クロロ過安息香酸で酸化することにより合成した。

　得られた化合物（Ｄ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５－１．８５（４Ｈ）、３．６５－３．８５（３２Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例５］
　以下に示す方法により、上記式（Ｅ）で表される化合物を得た。
（端部製造工程Ｓ１）
　実施例１と同様の操作を行い、中間体化合物１ａとして上記式（９）で示される化合物を得た。
　また、式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－５）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１における端部製造工程Ｓ１と同様な操作を行い、中間体化合物１ｂとして下記式（１３）で示される化合物を得た。
　なお、式（５－５）で示される化合物は、アリルアルコールを、ジヒドロピランを用いて保護した後、ｍ－クロロ過安息香酸を作用させて酸化することにより合成した。

（式（１３）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す；ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

（化合物構造製造工程Ｓ３）
　実施例１と同様にして連結構造製造工程Ｓ２を行うことにより製造した中間体化合物３を用いて、実施例１と同様にして中間体化合物３－１として式（１２）で示される化合物を得た。
（Ｒ^１側反応工程Ｓ３１）
　窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、中間体化合物１ａである式（９）で示される化合物２．６５ｇと、中間体化合物３－１である式（１２）で表される化合物４．８４ｇと、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．１５ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬを入れた分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体化合物である下記式（１４）で示される化合物３．３１ｇを得た。

（式（１４）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す；ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

（Ｒ^４側反応工程Ｓ３２）
　続いて、窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、中間体化合物１ｂである式（１３）で示される化合物２．３２ｇと、Ｒ^１側反応工程Ｓ３１において製造した中間体化合物である式（１４）で表される化合物３．３１ｇと、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．１５ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応液を室温に戻し、１０％塩化水素・メタノール溶液（塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）５０ｇを加え、室温で４時間撹拌した。その後、反応液を飽和重曹水１００ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル２００ｍＬで２回抽出した。有機層を食塩水１００ｍＬ、飽和重曹水１００ｍＬ、食塩水１００ｍＬの順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ｅ）（式（Ｅ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を２．０８ｇ得た。

　得られた化合物（Ｅ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（３６Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例６］
　以下に示す方法により、上記式（Ｆ）で表される化合物を得た。
　式（５－５）で表される化合物の代わりに、式（５－６）で表される化合物を用いたこと以外は実施例５と同様な操作を行い、化合物（Ｆ）（式（Ｆ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を２．１１ｇ得た。

　なお、式（５－６）で表される化合物は、１分子の３－アリルオキシ－１，２－プロパンジオールに対し、２分子のジヒドロピランを作用させた後、ｍ－クロロ過安息香酸で酸化することにより合成した。

　得られた化合物（Ｆ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（４２Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例７］
　以下に示す方法により、上記式（Ｇ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－７）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｇ）（式（Ｇ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．８３ｇ得た。

　なお、式（５－７）で表される化合物は、式（５－１）で表される化合物とアリルアルコールとを付加反応させた後、ジヒドロピランを用いて保護し、さらにｍ－クロロ過安息香酸で酸化することにより合成した。

　得られた化合物（Ｇ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（５２Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例８］
　以下に示す方法により、上記式（Ｈ）で表される化合物を得た。
　式（５－５）で表される化合物の代わりに、式（５－７）で表される化合物を用いたこと以外は実施例５と同様な操作を行い、化合物（Ｈ）（式（Ｈ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を２．２５ｇ得た。

　得られた化合物（Ｈ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（４６Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例９］
　以下に示す方法により、上記式（Ｉ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－８）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｉ）（式（Ｉ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．５３ｇ得た。

　なお、式（５－８）で表される化合物は、式（５－３）で表される化合物とアリルアルコールとを付加反応させた後、ジヒドロピランを用いて保護し、さらにｍ－クロロ過安息香酸で酸化することにより合成した。

　得られた化合物（Ｉ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５－１．８５（４Ｈ）、３．６５－３．８５（４４Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例１０］
　以下に示す方法により、上記式（Ｊ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－９）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｊ）（式（Ｊ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．２４ｇ得た。

　なお、式（５－９）で表される化合物は、式（５－１）で表される化合物と３－ブテン－１－オールとを付加反応させた後、ジヒドロピランを用いて保護し、さらにｍ－クロロ過安息香酸で酸化することにより合成した。

　得られた化合物（Ｊ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５－１．８５（４Ｈ）、３．６５－３．８５（５２Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例１１］
　以下に示す方法により、上記式（Ｋ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－１０）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｋ）（式（Ｋ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．９１ｇ得た。

　なお、式（５－１０）で表される化合物は、１分子のエピブロモヒドリンに対し、２分子のアリルアルコールを反応させた後、ジヒドロピランを用いて保護し、さらに一方の炭素－炭素二重結合をｍ－クロロ過安息香酸で酸化することにより合成した。

　得られた化合物（Ｋ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（４６Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）、５．４０－６．１０（３Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例１２］
　以下に示す方法により、上記式（Ｌ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－１１）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｌ）（式（Ｌ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す；Ｍｅは、メチル基を表す。）を４．０８ｇ得た。

　なお、式（５－１１）で表される化合物は、ｐ－メトキシフェノールとエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｌ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（３６Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）、６．７０－７．４０（１０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例１３］
　以下に示す方法により、上記式（Ｍ）で表される化合物を得た。
　式（５－５）で表される化合物の代わりに、式（５－１１）で表される化合物を用いたこと以外は実施例５と同様な操作を行い、化合物（Ｍ）（式（Ｍ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す；Ｍｅは、メチル基を表す。）を２．４１ｇ得た。

　得られた化合物（Ｍ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（３８Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）、６．７０－７．４０（５Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例１４］
　以下に示す方法により、上記式（Ｎ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－１２）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｎ）（式（Ｎ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．６７ｇ得た。

　なお、式（５－１２）で表される化合物は、２－チオフェンエタノールとエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｎ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．２０－２．３０（４Ｈ）、３．６５－３．８５（３４Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）、６．３０－７．６０（６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例１５］
　以下に示す方法により、上記式（Ｏ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－１３）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｏ）（式（Ｏ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．９４ｇ得た。

　なお、式（５－１３）で表される化合物は、２－シアノエタノールとエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｏ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．００－２．１０（４Ｈ）、３．６５－３．８５（３４Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例１６］
　以下に示す方法により、上記式（Ｐ）で表される化合物を得た。
　式（５－５）で表される化合物の代わりに、式（５－１３）で表される化合物を用いたこと以外は実施例５と同様な操作を行い、化合物（Ｐ）（式（Ｐ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を２．３２ｇ得た。

　得られた化合物（Ｐ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．００－２．１０（２Ｈ）、３．６５－３．８５（３７Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例１７］
　以下に示す方法により、上記式（Ｑ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに、式（５－１４）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｑ）（式（Ｑ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．６１ｇ得た。

　なお、式（５－１４）で表される化合物は、２－アセトアミドエタノールとエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｑ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（６Ｈ）、３．６５－３．８５（３８Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）、６．３０－６．５０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例１８］
　以下に示す方法により、上記式（Ｒ）で表される化合物を得た。
　式（５－５）で表される化合物の代わりに、式（５－１４）で表される化合物を用いたこと以外は実施例５と同様な操作を行い、化合物（Ｒ）（式（Ｒ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を２．１４ｇ得た。

　得られた化合物（Ｒ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（３Ｈ）、３．６５－３．８５（３９Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）、６．３０－６．５０（１Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例１９］
　以下に示す方法により、上記式（Ｓ）で表される化合物を得た。
　式（７－１）で表される化合物の代わりに、式（７－２）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｓ）（式（Ｓ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．４１ｇ得た。

　得られた化合物（Ｓ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５－１．８５（４Ｈ）、３．６５－３．８５（４０Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例２０］
　以下に示す方法により、上記式（Ｔ）で表される化合物を得た。
　式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－２）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｔ）（式（Ｔ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．７５ｇ得た。

　得られた化合物（Ｔ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５－１．８５（２Ｈ）、３．６５－３．８５（４０Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例２１］
　以下に示す方法により、上記式（Ｕ）で表される化合物を得た。
　式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－３）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｕ）（式（Ｕ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．６２ｇ得た。

　得られた化合物（Ｕ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（４６Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例２２］
　以下に示す方法により、上記式（Ｖ）で表される化合物を得た。
　式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－４）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｖ）（式（Ｖ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．２４ｇ得た。

　得られた化合物（Ｖ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（４２Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例２３］
　以下に示す方法により、上記式（Ｗ）で表される化合物を得た。
　式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－５）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｗ）（式（Ｗ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．２４ｇ得た。

　得られた化合物（Ｗ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２５－１．８５（８Ｈ）、３．６５－３．８５（４２Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（３６Ｆ）、－７８．５（８Ｆ）、－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（７２Ｆ）

［実施例２４］
　以下に示す方法により、上記式（Ｘ）で表される化合物を得た。
　ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｊＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｊは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｘ）（式（Ｘ）中のＲｆ_２は、上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_２において、平均重合度を示すｊは４．５を表す。）を３．９２ｇ得た。

　得られた化合物（Ｘ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（４０Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（７２Ｆ）、－８６．４（１６Ｆ）、－１２４．３（１６Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（３６Ｆ）

［実施例２５］
　以下に示す方法により、上記式（Ｙ）で表される化合物を得た。
　ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｋＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｋは３．０である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｙ）（式（Ｙ）中のＲｆ_３は、上記式（４－３）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_３において、平均重合度を示すｋは３．０を表す。）を３．６７ｇ得た。

　得られた化合物（Ｙ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（４０Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（６４Ｆ）、－１２２．５（１６Ｆ）、－１２６．０（４８Ｆ）、－１２９．０～－１２８．０（１６Ｆ）

［実施例２６］
　以下に示す方法により、上記式（Ｚ）で表される化合物を得た。
　端部製造工程Ｓ１においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｊＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｊは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いたことと、連結構造製造工程Ｓ２においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨで表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｚ）（式（Ｚ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは２．０を表し、平均重合度を示すｉは０を表す；式（Ｚ）中のＲｆ_２は、上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である；２つのＲｆ_２において、平均重合度を示すｊは４．５を表す。）を３．１５ｇ得た。

　得られた化合物（Ｚ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．６５－３．８５（４０Ｈ）、３．８５－４．１０（１６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８０．５（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１６Ｆ）－８４．０～－８３．０（３６Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１８Ｆ）

　このようにして得られた実施例１～２６の化合物（Ａ）～（Ｚ）を、それぞれ式（１）に当てはめたときのＲ^１、Ｒ^２（Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄ）、Ｒ^３（Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃ）、Ｒ^４の構造を表１および表２に示す。

［比較例１］
　下記式（ＺＡ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（ＺＡ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５、ｉは４．５である。）

［比較例２］
　下記式（ＺＢ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法で合成した。

（式（ＺＢ）中のＲｆ_１およびＲｆ_１’は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５、ｉは４．５である；２つのＲｆ_１’において、平均重合度を示すｈは７．０、ｉは０である。）

［比較例３］
　下記式（ＺＣ）で表される化合物を、特許文献３に記載の方法で合成した。

（式（ＺＣ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５、ｉは４．５である。）

［比較例４］
　下記式（ＺＤ）で表される化合物を、特許文献４に記載の方法で合成した。

（式（ＺＤ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である；３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは７．０、ｉは０である。）

［比較例５］
　以下に示す方法により、下記式（ＺＥ）で表される化合物を得た。
　端部製造工程Ｓ１において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｊＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｊは４．５である。）で表される化合物の片方の水酸基を、ジヒドロピランを用いて保護し、中間体化合物１ａ（＝中間体化合物１ｂ）として用いたこと以外は、実施例２４と同様な操作を行い、化合物（ＺＥ）を得た。

（式（ＺＥ）中のＲｆ_２は、上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_２において、平均重合度を示すｊは４．５を表す。）

　なお、化合物（ＺＥ）は、特許文献５の実施例に記載の混合物のうち、ＰＦＰＥ鎖の数が４つの化合物のみを抽出したものに相当する。

［比較例６］
　以下に示す方法により、下記式（ＺＦ）で表される化合物を得た。
　式（５－１）で表される化合物の代わりに式（５－５）で表される化合物を用い、式（７－１）で表される化合物の代わりに式（７－５）で表される化合物を用い、式（８－１）で表される化合物の代わりに式（８－５）で表される化合物を用いたこと以外は実施例２４と同様な操作を行い、化合物（ＺＦ）を得た。

（式（ＺＦ）中のＲｆ_２は、上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である；４つのＲｆ_２において、平均重合度を示すｊは４．５を表す。）

　なお、化合物（ＺＦ）は、特許文献６の実施例に記載の混合物のうち、ＰＦＰＥ鎖の数が４つの化合物のみを抽出したものに相当する。

　なお、式（７－５）で表される化合物は、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて１，７－オクタジエンの片方の炭素－炭素二重結合を酸化することにより得た。

　このようにして得られた実施例１～２６および比較例１～６の化合物の数平均分子量（Ｍｎ）を、上記の方法により測定した。その結果を表３および表４に示す。

　次に、以下に示す方法により、実施例１～２６および比較例１～６で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～２６および比較例１～６の磁気記録媒体を得た。

「潤滑層形成用溶液」
　実施例１～２６および比較例１～６で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９．０Å～９．５ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
　直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
　保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～２６および比較例１～６の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
　その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を恒温槽に入れ、潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去して保護層と潤滑層との密着性を向上させる熱処理を、１２０℃で１０分間行うことにより保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。

（膜厚測定）
　このようにして得られた実施例１～２６および比較例１～６の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ－ＩＲ、商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ　ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表３および表４に示す。

　次に、実施例１～２６および比較例１～６の磁気記録媒体に対して、以下に示す浮上安定性試験および耐腐食性試験を行った。

（浮上安定性試験）
　下記のグライド試験およびクリーデンス測定を行い、以下の評価基準に基づいて浮上安定性を評価した。その結果を表３および表４に示す。

「グライド試験」
　グライド試験では、磁気記録媒体の表面に突起物が無いかどうかを検査する。すなわち、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体に対して記録再生を行う際に、磁気記録媒体の表面に浮上量（磁気記録媒体と磁気ヘッドの間隔）以上の高さの突起があると、磁気ヘッドが突起に衝突して磁気ヘッドが損傷したり、磁気記録媒体に欠陥が発生したりする原因となる。グライド試験では、磁気記録媒体５０枚について、表面の浮上量以上の高さの突起の有無を検査する。

　具体的には、検査用磁気ヘッドと磁気記録媒体との間の間隔を０．２５マイクロインチに設定し、磁気記録媒体上で検査用磁気ヘッドを移動させ、検査用磁気ヘッドから、磁気記録媒体の表面の突起物との衝突に起因するシグナルが出力された場合、その磁気記録媒体を不良品と判断し、それ以外は合格と判定した。そして、５０枚の磁気記録媒体のうち、合格と判定された磁気記録媒体の枚数を用いて評価した。

「クリーデンス測定」
　上記のグライド試験を実施した際に、一時的にノイズが増大し、磁気記録媒体上の同じ場所であるのに、複数回の測定のうち、表面の突起物との衝突に起因するシグナルが検出されたり、検出されなかったりすることがある。このような現象をクリーデンスと呼ぶ。クリーデンスは、グライド試験において、突起物として検出せず、グライド試験の合否の判断には用いない。しかしながら、グライド試験において一時的にノイズが増大することは、一般に、潤滑剤層の不均一性あるいは比較的柔らかい異物の存在を示す。このため、磁気記録媒体についてグライド試験を行って、検出されたクリーデンスの回数の合計を、グライド試験を行った磁気記録媒体の枚数（５０枚）で除することにより、グリーデンス平均値を算出し、潤滑剤層の平滑性および清浄度を表す指標として用いた。

「評価基準」
Ａ＋：グライド試験合格枚数４５枚以上かつクリーデンス平均値０．５未満
Ａ：グライド試験合格枚数４５枚以上かつクリーデンス平均値０．５以上１．０未満
Ｂ：グライド試験合格枚数４５枚以上かつクリーデンス平均値１．０以上５．０未満
Ｃ：グライド試験合格枚数４５枚以上かつクリーデンス平均値５．０以上
Ｄ：グライド試験合格枚数４５枚未満

（耐腐食性試験）
　磁気記録媒体を温度８５℃、相対湿度９０％の条件下に４８時間曝露した。その後、磁気記録媒体上の表面に生じた直径５ミクロン以上のコロージョンスポットの数を、光学表面分析装置（ケーエルエー・テンコール株式会社製Ｃａｎｄｅｌａ７１４０）を用いて数え、以下の評価基準に基づいて評価した。その結果を表３および表４に示す。

「評価基準」
Ａ＋：１００箇所未満
Ａ：１００箇所以上、２００箇所未満
Ｂ：２００箇所以上、３００箇所未満
Ｃ：３００箇所以上、１０００箇所未満
Ｄ：１０００箇所以上

（総合評価）
　浮上安定性試験および耐腐食性試験の結果から、以下の基準に基づき総合評価を行った。
「総合評価」
Ａ：浮上安定性試験の評価および耐腐食性試験の評価の両方がＡ＋またはＡ
Ｂ：浮上安定性試験の評価および耐腐食性試験の評価の一方がＢ、もう一方がＡ＋、ＡまたはＢ
Ｃ：浮上安定性試験の評価および耐腐食性試験の評価の一方がＣ、もう一方がＡ＋、Ａ、ＢまたはＣ
Ｄ：浮上安定性試験の評価および耐腐食性試験の評価の少なくとも一方がＤ

　表３に示すように、実施例１～２６の磁気記録媒体は、すべての評価項目において評価結果がＡ＋、Ａ、またはＢであり、総合評価はＡまたはＢとなった。このことから、実施例１～２６の磁気記録媒体の潤滑層は、磁気ヘッドの浮上安定性が良好であり、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高いことが確認できた。

　特に、化合物（Ｇ）～（Ｊ）、（Ｑ）、（Ｕ）、（Ｖ）を用いた実施例７～１０、１７、２１、２２の磁気記録媒体の潤滑層は、浮上安定性の評価がＡ＋であり、良好であった。
　化合物（Ｇ）～（Ｊ）は、化合物中の水酸基の合計が８以上であり、３つのＲ^３がそれぞれ式（３）で表され、かつ両方の末端基において、水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している。このため、化合物（Ｇ）～（Ｊ）を用いた実施例７～１０は、分子全体の保護層に対する吸着力が高く、保護層に対する密着性が良好で、より優れた浮上安定性を有する潤滑層が得られたものと考えられる。

　また、化合物（Ｑ）は、両末端に極性の高いアミド結合を有する基を有している。このため、化合物（Ｑ）を用いた実施例１７は、保護層に対する吸着力が高く、より良好な浮上安定性を有する潤滑層が得られたものと考えられる。

　また、化合物（Ｕ）、（Ｖ）は、化合物中の水酸基の合計が８以上であり、Ｒ^３ｂに含まれる水酸基数が２であり、かつ両方の末端基において、水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している。化合物（Ｕ）においてＲ^３ｂは式（３－１）で表されｄが２であり、化合物（Ｖ）においてＲ^３ｂは式（３－４）で表されｇが０であるので、Ｒ^３ｂ中の２つの水酸基が結合している炭素原子間の構造が柔軟であり、Ｒ^３ｂ中の２つの水酸基が保護層と相互作用しやすい。このため、化合物（Ｕ）、（Ｖ）を用いた実施例２１、２２は、分子全体の保護層に対する吸着力が高く、保護層に対する密着性が良好で、より優れた浮上安定性を有する潤滑層が得られたものと考えられる。

　実施例１２、１４、１５、１７において使用した化合物（Ｌ）、（Ｎ）、（Ｏ）、（Ｑ）は、いずれも化合物中の水酸基の合計が５つである。これらのうち、化合物（Ｏ）、（Ｑ）を用いた実施例１５、１７では、実施例１２、１４と比較して、浮上安定性が良好であった。これは、化合物（Ｏ）の有するシアノ基および化合物（Ｑ）の有するアミド結合を有する基が、極性が高く、かつ保護層上の局所的に帯電した部位および電荷の分布が広がっている部位の双方と、相互作用できるためであると推定される。

　また、化合物（Ｂ）～（Ｄ）、（Ｋ）、（Ｌ）、（Ｎ）、（Ｓ）、（Ｔ）を用いた実施例２～４、１１、１２、１４、１９、２０の磁気記録媒体の潤滑層は、耐腐食性の評価がＡ＋であり、特に良好であった。
　化合物（Ｂ）、（Ｄ）のＲ^１およびＲ^４は、化合物（Ａ）のＲ^１およびＲ^４に対しメチレン基を１つ伸長させた構造となっている。また、化合物（Ｓ）、（Ｔ）のＲ^３は、化合物（Ａ）の３つのＲ^３のうち１つまたは２つのＲ^３のメチレン基を１つ伸長させた構造となっている。このように、化合物（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｓ）、（Ｔ）は、メチレン基を伸長させた構造を有することにより、化合物（Ａ）と比較して、分子全体の疎水性が高い。このため、実施例２、４、１９、２０は、実施例１と比較して、耐腐食性の評価が高くなったものと考えられる。

　化合物（Ｃ）のＲ^１およびＲ^４は、化合物（Ａ）のＲ^１およびＲ^４と比較してエーテル結合が少ない構造となっている。これにより、化合物（Ｃ）は、化合物（Ａ）と比較して、分子全体の疎水性が高い。このため、実施例３は、実施例１と比較して、耐腐食性の評価が高くなったものと考えられる。
　また、化合物（Ｋ）、（Ｌ）、（Ｎ）は、両末端に疎水性の高いアリル基、メトキシフェニル基、チエニルエチル基のいずれかを有している。したがって、化合物（Ｋ）、（Ｌ）、（Ｎ）は、化合物（Ａ）と比較して、分子全体の疎水性が高い。その結果、実施例１１、１２、１４は、実施例１と比較して、耐腐食性の評価が高くなったものと考えられる。

　実施例７、９、１０において使用した化合物（Ｇ）、（Ｉ）、（Ｊ）は、いずれもＲ^１およびＲ^４の双方に水酸基を３つずつ有する。これらのうち、化合物（Ｉ）、（Ｊ）を用いた実施例９、１０では、化合物（Ｇ）を用いた実施例７と比較して、耐腐食性が良好であった。これは、化合物（Ｉ）、（Ｊ）が、化合物（Ｇ）と比較して、分子全体の疎水性が高いためであると考えられる。
　より詳細には、化合物（Ｉ）のＲ^１およびＲ^４は、化合物（Ｇ）のＲ^１およびＲ^４と比較してエーテル結合が少ない。また、化合物（Ｊ）のＲ^１およびＲ^４は、化合物（Ｇ）のＲ^１およびＲ^４と比較してメチレン基を１つ伸長させた構造となっている。これらのことから、化合物（Ｉ）、（Ｊ）は、化合物（Ｇ）と比較して分子全体の疎水性が高いものと推定される。

　また、表４に示すように、２つのパーフルオロポリエーテル鎖が、グリセリン構造（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）を介して結合した骨格を有する化合物（ＺＡ）を用いた比較例１では、浮上安定性の評価がＣとなり、総合評価がＣとなった。また、３つのパーフルオロポリエーテル鎖が、２つの２価の連結基を介して結合した骨格を有する化合物（ＺＢ）～（ＺＤ）を用いた比較例２～４では、浮上安定性の評価および耐腐食性の評価がいずれもＣまたはＤとなった。
　比較例１～４の結果は、化合物（ＺＡ）～（ＺＤ）中のパーフルオロポリエーテル鎖の数が少なく、パーフルオロポリエーテル鎖間に配置される２価の連結基の数が少ないためであると推定される。このことにより、化合物（ＺＡ）～（ＺＤ）は、保護層に対する密着性（吸着力）が不足したものと考えられる。

　また、比較例５では、浮上安定性の評価がＤであり、耐腐食性の評価がＣであった。比較例５では、４つのパーフルオロポリエーテル鎖が、３つのグリセリン構造（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）を介して結合した骨格を有し、その両側にメチレン基を介して水酸基が結合した化合物（ＺＥ）を用いた。化合物（ＺＥ）では、末端の水酸基が、パーフルオロポリエーテル鎖に結合されたメチレン基に結合している。このため、末端の水酸基の酸性度が高く、含フッ素エーテル化合物の末端部分が保護層に対して十分に吸着できない。このことから、比較例５の潤滑層は、保護層に対する密着性が乏しく、磁気ヘッドの浮上安定性及び耐腐食性が著しく劣る結果になったものと考えられる。

　さらに、比較例６では、浮上安定性の評価はＤであり、耐腐食性の評価はＣであった。比較例６では、４つのパーフルオロポリエーテル鎖が、炭素原子数が８であって水酸基を２つ有している３つの連結基を介して結合した骨格を有する化合物（ＺＦ）を用いた。化合物（ＺＦ）では、４つのパーフルオロポリエーテル鎖間に配置された３つの連結基全てが、水酸基の結合している炭素原子間に、炭素原子数４のアルキレン基を有する比較的剛直な構造であり、柔軟性に優れるグリセリン構造（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）を有さない。したがって、化合物（ＺＦ）の有する３つの連結基は、いずれも柔軟に運動できず、３つの連結基がそれぞれ有している水酸基は、保護層に対して十分に吸着できない。このことにより、比較例６の潤滑層は、密着性が乏しく、磁気ヘッドの浮上安定性及び耐腐食性が著しく劣る結果になったものと考えられる。

　本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた密着性を有し、磁気ヘッドの浮上安定性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高い潤滑層を形成できる。

　１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。

Claims

　下記式（１）で表されることを特徴とする、含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２ａ－ＣＨ_２－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｄ－ＣＨ_２－Ｒ^４　　（１）
（式（１）中、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃおよびＲ^２ｄは、パーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃおよびＲ^２ｄは、一部または全部が同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い；Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃは、極性基を１つ以上有する２価の連結基である；Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃは、一部または全部が同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い；Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃのうち少なくとも１つは式（３）で表される；Ｒ^１およびＲ^４は、極性基を１つ以上有する炭素原子数１～５０の末端基であり、同じであっても異なっていても良い。）
－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（３）
　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^４のうち少なくとも一方が、下記式（２－１）～（２－４）のいずれかの末端基である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（２－１）中、ｐは１～３の整数を表し、ｑは１～３の整数を表す。）
（式（２－２）中、ｒは０～２の整数を表し、ｓは１～３の整数を表す。）
（式（２－３）中、ｔは１～３の整数を表し、ｕは０～２の整数を表し、ｖは１～３の整数を表す。）
（式（２－４）中、ｌは１～３の整数を表し、ｌ個のｍはそれぞれ独立して１～４の整数を表し、ｌ個のｎはそれぞれ独立して１～４の整数を表す；Ｘは、二重結合または三重結合を含む有機基を表す。）
　前記式（１）におけるＲ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃの有する極性基が、全て水酸基である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^１の有する水酸基と、Ｒ^４の有する水酸基との合計数が２～６である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃがすべて式（３）で表される、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^３ａ、Ｒ^３ｂおよびＲ^３ｃのうち１つまたは２つが、式（３）ではない２価の連結基であって、前記式（３）ではない２価の連結基がそれぞれ独立に、水酸基を１～３つ有する、炭素原子数４～９の２価の連結基である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（３）ではない２価の連結基がそれぞれ独立に、下記式（３－１）～（３－４）のいずれかで表される連結基である、請求項６に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（３－１）中、ｄは２または３を表す。）
（式（３－２）中、ｅは２～４の整数を表す；式（３－２）中、左側の酸素原子は、式（１）中のＲ^１側のメチレン基に結合し、右側の酸素原子は、式（１）中のＲ^４側のメチレン基に結合する。）
（式（３－３）中、ｆは２～４の整数を表す；式（３－３）中、左側の酸素原子は、式（１）中のＲ^１側のメチレン基に結合し、右側の酸素原子は、式（１）中のＲ^４側のメチレン基に結合する。）
（式（３－４）中、ｇは０～４の整数を表す。）
　前記式（１）におけるＲ^２ａとＲ^２ｄとが同じであり、Ｒ^２ｂとＲ^２ｃとが同じであり、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されており、Ｒ^１とＲ^４とが同じである、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄがすべて同じであり、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、およびＲ^３ｃがすべて式（３）で表され、Ｒ^１とＲ^４とが同じである、請求項５に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄが、それぞれ独立に、下記式（４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　－（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－　　　（４）（式（４）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す；ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない；ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す；式（４）における繰り返し単位である（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の配列順序には、特に制限はない。）
　前記式（１）におけるＲ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、およびＲ^２ｄが、それぞれ独立に、下記式（４－１）～（４－４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖から選ばれるいずれか１種である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｈ－（ＯＣＦ_２）_ｉ－ＯＣＦ_２－　　（４－１）
（式（４－１）中、ｈおよびｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－２）
（式（４－２）中、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－３）
（式（４－３）中、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す。）
　－（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－　　（４－４）
（式（４－４）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０を表す；ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）
　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
　前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである、請求項１４に記載の磁気記録媒体。
　請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物を製造する方法であり、
　前記式（１）におけるＲ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２ａ－ＣＨ_２－に対応する基を有する中間体化合物１ａと、前記式（１）における－ＣＨ_２－Ｒ^２ｄ－ＣＨ_２－Ｒ^４に対応する基を有する中間体化合物１ｂとを製造する端部製造工程と、
　前記式（１）における－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｂ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－に対応する基を有する中間体化合物３を製造する連結構造製造工程と、
　前記中間体化合物３のＲ^３ａ側端部と前記中間体化合物１ａとを反応させるＲ^１側反応工程と、前記中間体化合物３のＲ^３ｃ側端部と前記中間体化合物１ｂとを反応させるＲ^４側反応工程とを含む化合物構造製造工程とを有し、
　前記連結構造製造工程が、前記式（１）における－Ｒ^３ａ－ＣＨ_２－Ｒ^２ｂ－ＣＨ_２－に対応する基を有する中間体化合物２ａと、前記式（１）における－ＣＨ_２－Ｒ^２ｃ－ＣＨ_２－Ｒ^３ｃ－に対応する基を有する中間体化合物２ｂを製造する連結端部製造工程と、
　前記式（１）におけるＲ^３ｂに対応する基を有する化合物のＲ^２ｂ側端部と前記中間体化合物２ａとを反応させるＲ^２ｂ側反応工程と、
　前記Ｒ^３ｂに対応する基を有する化合物のＲ^２ｃ側端部と前記中間体化合物２ｂとを反応させるＲ^２ｃ側反応工程とを含むことを特徴とする、含フッ素エーテル化合物の製造方法。
　前記式（１）におけるＲ^２ａとＲ^２ｄとが同じであり、Ｒ^２ｂとＲ^２ｃとが同じであり、Ｒ^３ａに含まれる原子とＲ^３ｃに含まれる原子とがＲ^３ｂに対して対称配置されており、Ｒ^１とＲ^４とが同じである、含フッ素エーテル化合物を製造する方法であり、
　前記端部製造工程において、前記中間体化合物１ａと前記中間体化合物１ｂとを同時に製造し、
　前記連結端部製造工程において、前記中間体化合物２ａと前記中間体化合物２ｂとを同時に製造し、前記Ｒ^２ｂ側反応工程と前記Ｒ^２ｃ側反応工程とを同時に行い、
　前記化合物構造製造工程において、前記Ｒ^１側反応工程と前記Ｒ^４側反応工程とを同時に行うことを特徴とする、請求項１６に記載の含フッ素エーテル化合物の製造方法。