WO2021221042A1

WO2021221042A1 - 半導体装置

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Publication number: WO2021221042A1
Application number: PCT/JP2021/016736
Authority: WO
Inventors: 政晴中西; 典明川本
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2020-04-27
Filing date: 2021-04-27
Publication date: 2021-11-04
Anticipated expiration: 2022-10-27
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Abstract

半導体装置は、ドレイン電極、ゲート電極およびソース電極を有するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を支持する基部と、各々が同じ方向に延びる第１端子、第２端子、第３端子および第４端子と、を備える。前記スイッチング素子は、当該素子の主面に配置された第１電極を有する温度検出用ダイオードを備える。前記ドレイン電極、前記ゲート電極および前記ソース電極は、各々、前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子のいずれかと導通している。前記第１電極は、第１ワイヤを介して前記第４端子と導通している。

Description

半導体装置

　本開示は、半導体装置に関する。

　特許文献１には、ＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子を備えたスイッチングデバイス（半導体装置）の一例が開示されている。スイッチング素子は、ドレイン電極、ゲート電極およびソース電極を有する。同文献に開示された半導体装置は、３本の端子（ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子）を備える。ゲート端子はゲート電極に電気信号を入力するための端子である。当該電気信号に基づき変換された電流がソース電極からソース端子を介して外部に流れ、当該電気信号に基づき変換された電流がドレイン端子を介してドレイン電極に向けて流れる。

　上記特許文献１に示した半導体装置等において、故障の有無、寿命や信頼性は動作時の温度と密接に関連するので、半導体素子の接合部温度（ジャンクション温度）を正確に知ることが要求される。半導体素子がＭＯＳＦＥＴの場合、スイッチング素子内部のボディダイオードと熱抵抗測定器を利用することで、ジャンクション温度を測定することができる。たとえば、熱抵抗測定器を用いると、スイッチング素子への駆動電圧の印加を終えた後にボディダイオードに電流を流して電圧を熱抵抗測定器で測定し、ジャンクション温度を見積もることができる。

　しかしながら、上記した熱抵抗測定器を利用したジャンクション温度の測定は、実験室内で行うのに適する一方、半導体装置を実際に使用する状況（スイッチング素子の駆動時）において行うことができなかった。

特開２０１９－１２１７４５号公報

　上記した事情に鑑み、本開示は、スイッチング素子の駆動時におけるジャンクション温度を測定することが可能な半導体装置を提供することを一の課題とする。

　本開示よって提供される半導体装置は、第１方向において互い反対側を向く素子主面および素子裏面と、ドレイン電極、ゲート電極およびソース電極と、を有し、前記ドレイン電極および前記ソース電極間に電位差を与えた状態で前記ゲート電極および前記ソース電極間に駆動電圧を与えることによって、前記ドレイン電極および前記ソース電極間がオン／オフ制御されるスイッチング素子と；前記第１方向において互いに反対側を向く表面および裏面を有し、前記素子裏面が前記表面に向かい合うように前記スイッチング素子を支持する基部と；各々が前記第１方向に対して直角である第２方向に延出する第１端子、第２端子、第３端子および第４端子と、を備える。前記スイッチング素子は、前記素子主面に配置された第１電極を有する温度検出用ダイオードを備える。前記ドレイン電極、前記ゲート電極および前記ソース電極は、各々、前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子のいずれかと導通している。前記第１電極は、第１ワイヤを介して前記第４端子と導通している。

　上記構成によれば、たとえば、スイッチング素子の駆動時におけるジャンクション温度を測定することができる。

　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。図１に示す半導体装置Ａ１の平面図である。図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。図２のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図２のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。第１実施形態に係る半導体装置の回路構成を示す図である。第１実施形態に係る半導体装置の変形例を示す平面図である。第１実施形態に係る半導体装置の変形例を示す平面図である。第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図９のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。図９のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。第３実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。第４実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。第５実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。図１２に示す半導体装置の変形例を示す平面図である。図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。

　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

　図１～図５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、スイッチング素子１、リードフレーム２、ゲートワイヤ５２、ソースワイヤ５３、第１ワイヤ６１、第２ワイヤ６２および封止樹脂７を備えている。

　図１は、半導体装置Ａ１の斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１の平面である。図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図２のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図２のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図２においては、封止樹脂７を透過させており、当該封止樹脂７を想像線で示している。理解の便宜上、半導体装置Ａ１の厚さ方向を第１方向ｚ、第１方向ｚに対して直角である、平面図（図２）の上下方向を第２方向ｙ、第１方向ｚおよび第２方向ｙのいずれにも直角である、平面図（図２）の左右方向を第３方向ｘとそれぞれ定義する。なお、以下の説明における「上下」の語句は、説明の便宜を図るために用いるものであり、本開示の半導体装置Ａ１の設置姿勢を限定するものではない。

　スイッチング素子１は、ＳｉやＳｉＣを母材とするスイッチング素子であり、半導体装置Ａ１が果たすべきスイッチング機能を実現する素子である。スイッチング素子１としては、たとえば、ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）、ＳｉＣ－バイポーラトランジスタ（Bipolar Transistor）、ＳｉＣ－ＪＦＥＴ（Junction Field Effect Transistor）、ＳｉＣ－ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等が挙げられ、本実施形態においては、スイッチング素子１がＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明する。

　図３、図４に示すように、素子主面１１は、スイッチング素子１の上面である。素子裏面１２は、スイッチング素子１の下面である。素子主面１１および素子裏面１２は、第１方向ｚにおいて互いに反対側を向いている。

　図２～図５に示すように、スイッチング素子１は、ドレイン電極１３１、ゲート電極１３２およびソース電極１３３を有する。スイッチング素子１は、温度センサを備える。図示の例では、温度センサは、温度検出用ダイオード１５であるが、本開示がこれに限定されるわけではない。

　ドレイン電極１３１は、素子裏面１２に配置されている。ゲート電極１３２は、素子主面１１（ドレイン電極１３１が配置された面とは反対側の面）に配置されている。ソース電極１３３は、素子主面１１（ゲート電極１３２が形成された面と同じ面）に配置されている。ソース電極１３３は、ゲート電極１３２よりも大である。スイッチング素子１は、ドレイン電極１３１およびソース電極１３３に電位差を与えた状態でゲート電極１３２およびソース電極１３３に駆動電圧を与えることによって、ドレイン電極１３１およびソース電極１３３がオン／オフ制御される。

　温度検出用ダイオード１５は、半導体プロセスによりスイッチング素子１に作り込まれたｐｎ接合ダイオード部１５０と、第１電極１５１および第２電極１５２とを有する。本実施形態において、ｐｎ接合ダイオード部１５０は素子主面１１側に形成されており、第１電極１５１および第２電極１５２は、素子主面１１に配置されている。本実施形態において、第１電極１５１はアノード電極であり、第２電極１５２はカソード電極である。

　本実施形態において、スイッチング素子１は、厚さ方向視（第１方向ｚ視）において、矩形状をなす。スイッチング素子１の寸法の一例を挙げると、第１方向ｚ視の寸法が１ｍｍ～１０ｍｍ角である。スイッチング素子１の厚さ方向寸法は、たとえば４０μｍ～７００μｍである。

　スイッチング素子１は、接合材３を介して後述のダイパッド２０に支持されている。接合材３は、スイッチング素子１のドレイン電極１３１とダイパッド２０とを導通させるべく、たとえばＴｉＮｉＡｇ系はんだやＳｎＡｇＣｕ系はんだ、Ｐｂはんだ、焼成Ａｇを用いて形成された導電性接合材である。

　リードフレーム２は、導通性を有する部材であり、回路基板（図示略）に接合されることにより、スイッチング素子１と回路基板との導通経路を構成する。リードフレーム２は、Ｃｕを主成分とする合金からなる。耐食性、導電性、熱伝導性、あるいは、接合性などを考慮して、表面の一部にめっきを施していてもよい。リードフレーム２は、同一のリードフレーム材料から構成されており、ダイパッド２０、第１端子２１、第２端子２２、第３端子２３および第４端子２４を含む。

　ダイパッド２０は、表面２０ａおよび裏面２０ｂを有する。表面２０ａは、ダイパッド２０の上面である。表面２０ａは、スイッチング素子１が搭載された面であり、図３～図５に示すように、スイッチング素子１の素子裏面１２が表面２０ａに向かい合っている。裏面２０ｂは、ダイパッド２０の下面である。表面２０ａおよび裏面２０ｂはともに、平坦であり、第１方向ｚにおいて互いに反対側を向いている。

　本実施形態において、ダイパッド２０には、表面２０ａから裏面２０ｂに至る貫通孔２０ｃが形成されている。貫通孔２０ｃは、厚さ方向視（第１方向ｚ視）において、スイッチング素子１から離間している。本実施形態においては、貫通孔２０ｃは、厚さ方向視において、円形であるが、その形状は特に限定されない。上記のダイパッド２０は、「基部」の一例である。

　第１端子２１、第２端子２２、第３端子２３および第４端子２４は、第３方向ｘにおいて互いに離間して配置されており、半導体装置Ａ１をたとえば回路基板（図示略）に実装する際に用いられる。

　図２に示すように、第１端子２１は、ダイパッド２０から離間して配置され、且つ、第２方向ｙに沿って延びている。第１端子２１は、第１方向ｚ視において第３方向ｘにおける最も外側（図中左側）に配置されている。第１端子２１は、第１パッド２１１および先端部２１２を有する。第１パッド２１１は、第２方向ｙにおいてダイパッド２０に最も近接している。先端部２１２は、第１パッド２１１とは反対側に位置する第１端子２１の先端部位であり、第２方向ｙにおいてダイパッド２０から最も離れた位置にある。第１パッド２１１には、ゲートワイヤ５２が接合されている。第１端子２１は、ゲートワイヤ５２を介してゲート電極１３２に導通している。本実施形態においては、第１端子２１は、半導体装置Ａ１のゲート端子である。

　第２端子２２は、ダイパッド２０から離間して配置され、且つ、第２方向ｙに沿って延びている。第１端子２１は、第１方向ｚ視において第３方向ｘにおける最も外側（図中右側）に配置されている。これにより、第２端子２２および上記の第１端子２１は、第３方向ｘにおいて互いに反対側の最も外側に位置する。第２端子２２は、第２パッド２２１および先端部２２２を有する。第２パッド２２１は、第２方向ｙにおいてダイパッド２０に最も近接している。先端部２２２は、第２パッド２２１とは反対側に位置する第２端子２２の先端部位であり、第２方向ｙにおいてダイパッド２０から最も離れた位置にある。第２パッド２２１には、ソースワイヤ５３が接合されている。第２端子２２は、ソースワイヤ５３を介してソース電極１３３に導通している。本実施形態において、第２端子２２は、半導体装置Ａ１のソース端子である。第２パッド２２１には、第２ワイヤ６２が接合されている。第２端子２２は、第２ワイヤ６２を介して第２電極１５２に導通している。

　第３端子２３は、ダイパッド２０とつながっており、当該ダイパッド２０から第２方向ｙに沿って延びている。本実施形態において、図２に示すように、第３端子２３は、第１方向ｚ視において、ダイパッド２０の第２方向ｙにおける一方端（図中下端）、且つ、ダイパッド２０の第３方向ｘにおける中央につながる。第３端子２３は、第３方向ｘにおいて第１端子２１と第２端子２２との間に位置する。第３端子２３は、中間屈曲部２３３および先端部２３２を有する。図５に示すように、中間屈曲部２３３は、第３端子２３において封止樹脂７から露出する部分が第１方向ｚにおいてダイパッド２０から図中上方に偏倚するように屈曲する部分である。先端部２３２は、第３端子２３の先端部位であり、第２方向ｙにおいてダイパッド２０から最も離れた位置にある。第３端子２３は、ダイパッド２０および接合材３を介してドレイン電極１３１に導通している。本実施形態において、第３端子２３は、半導体装置Ａ１のドレイン端子である。

　第４端子２４は、ダイパッド２０から離間して配置され、且つ、第２方向ｙに沿って延びている。第４端子２４は、第１方向ｚ視において第２端子２２と第３端子２３との間に位置する。第４端子２４は、第４パッド２４１、先端部２４２および屈曲部２４３を有する。第４パッド２４１は、第２方向ｙにおいてダイパッド２０に最も近接している。先端部２４２は、第４パッド２４１とは反対側に位置する第４端子２４の先端部位であり、第２方向ｙにおいてダイパッド２０から最も離れた位置にある。屈曲部２４３は、第４パッド２４１と先端部２４２との間に位置しており、第２方向ｙにおいて第４パッド２４１寄りに設けられている。

　図１、図２から理解されるように、第４端子２４のうち屈曲部２４３よりも先端側が第１方向ｚの片側（ダイパッド２０の表面２０ａが向く側）に偏倚している。第４端子２４が屈曲部２４３を有することで、第４端子２４の先端部２４２は、第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３それぞれの先端部２１２，２２２，２３２よりも、第１方向ｚの上記片側（ダイパッド２０の表面２０ａが向く側）に偏倚している。図１においては、本実施形態と異なり、第４端子２４が屈曲部２４３を有さずに第４パッド２４１から先端部２４２まで第２方向ｙに沿って真っ直ぐ延びる場合の形状を、想像線で示している。

　第４端子２４の第４パッド２４１には、第１ワイヤ６１が接合されている。第４端子２４は、第１ワイヤ６１を介して第１電極１５１に導通している。

　図２に示すように、第１端子２１（ゲート端子）の中心線Ｃ１と第３端子２３（ドレイン端子）の中心線Ｃ３との第３方向ｘにおける距離（第１距離ｄ１３）は、第３端子２３（ドレイン端子）の中心線Ｃ３と第４端子２４の中心線Ｃ４との第３方向ｘにおける距離（第２距離ｄ３４）よりも大である。また、第１距離ｄ１３は、第４端子２４の中心線Ｃ４と第２端子２２（ソース端子）の中心線Ｃ２との第３方向ｘにおける距離（第３距離ｄ２４）よりも大である。本実施形態においては、第２距離ｄ３４と第３距離ｄ２４とは、実質的に同じである。また、第２距離ｄ３４および第３距離ｄ２４の合計は、第１距離ｄ１３と実質的に同じである。

　図２に示すように、ゲートワイヤ５２は、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第１端子２１の第１パッド２１１とに接合されており、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第１端子２１とを導通させている。図４においてはゲートワイヤ５２を省略している。

　ソースワイヤ５３は、スイッチング素子１のソース電極１３３と第２端子２２の第２パッド２２１とに接合されており、スイッチング素子１のソース電極１３３と第２端子２２とを導通させている。図４、図５においてはソースワイヤ５３を省略している。

　第１ワイヤ６１は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第１電極１５１と第４端子２４の第４パッド２４１とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１と第４端子２４とを導通させている。図５においては第１ワイヤ６１を省略している。

　第２ワイヤ６２は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第２電極１５２と第２端子２２の第２パッド２２１とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２と第２端子２２とを導通させている。

　ゲートワイヤ５２、ソースワイヤ５３、第１ワイヤ６１および第２ワイヤ６２は、たとえばＡｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金、ＣｕあるいはＣｕ合金からなる。なお、ソースワイヤ５３については、当該ソースワイヤ５３の線径が他のワイヤ５２，６１，６２の線径よりも大きくされてもよい。複数のソースワイヤ５３を設けてもよい。

　封止樹脂７は、スイッチング素子１、リードフレーム２の一部、ゲートワイヤ５２、ソースワイヤ５３、第１ワイヤ６１および第２ワイヤ６２を覆っており、これらを保護する部材である。具体的には、封止樹脂７は、リードフレーム２のうち、ダイパッド２０、第１端子２１の一部（主に第１パッド２１１）、第２端子２２の一部（主に第２パッド２２１）、第３端子２３の一部（主に中間屈曲部２３３）、第４端子２４の一部（主に第４パッド２４１）を覆っている。封止樹脂７は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂である。封止樹脂７の材質は特に限定されず、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなり、適宜フィラーが混入されていてもよい。

　本実施形態において、封止樹脂７は、樹脂主面７１、樹脂裏面７２、一対の樹脂第１側面７３、および一対の樹脂第２側面７４を有する。樹脂主面７１は、図３～図５に示す封止樹脂７の上面であり、ダイパッド２０の表面２０ａと同じ側を向く面である。樹脂裏面７２は、図３～図５に示す封止樹脂７の下面であり、ダイパッド２０の裏面２０ｂと同じ側を向く面である。樹脂主面７１および樹脂裏面７２は、第１方向ｚを向く面であって、互いに反対側を向いている。

　一対の樹脂第１側面７３は、図５に示すように、第２方向ｙに離間して形成された面である。一対の樹脂第１側面７３は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向いている。図５に示す樹脂第１側面７３の上端が樹脂主面７１につながり、図５に示す樹脂第１側面７３の下端が樹脂裏面７２につながっている。本実施形態においては、一方の樹脂第１側面７３から、第１端子２１、第２端子２２、第３端子２３および第４端子２４のそれぞれ一部が露出している。

　一対の樹脂第２側面７４は、図３、図４に示すように第３方向ｘに離間して形成された面である。一対の樹脂第２側面７４は、第３方向ｘにおいて互いに反対側を向いている。図３、図４に示す樹脂第２側面７４の上端が樹脂主面７１につながり、図３、図４に示す樹脂第２側面７４の下端が樹脂裏面７２につながっている。

　封止樹脂７には、図１に示す一対の樹脂第２側面７４のそれぞれ上部から封止樹脂７の内部に窪む一対の凹部７５が形成されている。また、図１および図５に示すように、封止樹脂７には、樹脂主面７１から樹脂裏面７２に至る樹脂貫通孔７６が形成されている。本実施形態においては、樹脂貫通孔７６の中心は、ダイパッド２０における貫通孔２０ｃの中心と同一である。また、樹脂貫通孔７６の直径は、貫通孔２０ｃの直径よりも小である。本実施形態においては、貫通孔２０ｃの孔壁はすべて、封止樹脂７によって覆われている。本実施形態の態様と異なり、貫通孔２０ｃおよび樹脂貫通孔７６が形成されていない構成としてもよい。本実施形態では、図３～図５に示すようにダイパッド２０の裏面２０ｂが封止樹脂７に覆われているが、これとは異なり、裏面２０ｂが封止樹脂７に覆われずに封止樹脂７の樹脂裏面７２から露出する構成としてもよい。

　本実施形態では、第３端子２３の基端部寄りの幅（図２における第３方向ｘの寸法）が他の第１端子２１、第２端子２２および第４端子２４の幅よりも大とされるが、第３端子２３の基端部寄りの幅が第１端子２１、第２端子２２および第４端子２４の幅と同程度であってもよい。この場合、第１端子２１、第２端子２２、第３端子２３および第４端子２４において封止樹脂７から露出する部分の幅寸法が揃う。

　図６は、本実施形態の半導体装置Ａ１の回路構成を示すブロック図である。図２を参照して説明したように、第４端子２４は、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１に導通している。ソース端子である第２端子２２は、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２に導通している。

　次に、本実施形態の作用効果について説明する。

　本実施形態の半導体装置Ａ１は、ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子の３端子に相当する第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３を備えるとともに、第４端子２４を備えている。スイッチング素子１は温度検出用ダイオード１５を備えており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１は、第１ワイヤ６１を介して第４端子２４と導通している。一方、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２は、第２ワイヤ６２を介して他の端子（本実施形態では第２端子２２）に導通している。このような構成によれば、温度検出用ダイオード１５と導通する第４端子２４および第２端子２２を用いて温度検出用ダイオード１５に電流を流して電圧を測定し、ダイオードの抵抗変化の温度依存性を利用することで、スイッチング素子１のジャンクション温度を測定することができる。また、本実施形態では、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の第４端子２４を備えることにより、スイッチング素子１を駆動させつつ、温度検出用ダイオード１５を用いてジャンクション温度を測定することができる。

　本実施形態において、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２は、ソース端子である第２端子２２に導通している。ソース端子（第２端子２２）は、基準電位としてのグランドにつながれており、電位が実質的に０Ｖで安定している。この第２端子２２を温度検出用ダイオード１５の端子として共用することで、温度検出用ダイオード１５に電流を流しても安定してジャンクション温度を測定することができる。このような構成は、端子数の増加を抑制しつつ、スイッチング素子１の駆動時にジャンクション温度を安定的に測定するのに適する。

　ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子の３端子に相当する第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３について、第１端子２１（ゲート端子）および第２端子２２（ソース端子）は、第３方向ｘにおいて互いに反対側の最も外側に位置する。第３端子２３（ドレイン端子）は、第３方向ｘにおいて第１端子２１と第２端子２２との間に位置する。このような構成によれば、第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３（ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子）の配置が従来の３端子型のスイッチングデバイス（半導体装置）と同様であるので、回路基板等への実装の対応が容易である。

　第１端子２１の中心線Ｃ１と第３端子２３の中心線Ｃ３との第３方向ｘにおける第１距離ｄ１３は、第３端子２３の中心線Ｃ３と第４端子２４の中心線Ｃ４との第３方向ｘにおける第２距離ｄ３４および第４端子２４の中心線Ｃ４と第２端子２２の中心線Ｃ２との第３方向ｘにおける第３距離ｄ２４よりも大きい。これにより、第４端子２４は、相互間の距離が相対的に小さい状態で並んだ３本の端子２３，２４，２２の中央に位置する。このような構成によれば、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の第４端子２４について、他の第１ないし第３端子２１～２３と容易に区別することができる。

　第４端子２４において、屈曲部２４３よりも先端側が第１方向ｚの片側（ダイパッド２０の表面２０ａが向く側）に偏倚している。このような構成によっても、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の第４端子２４について、他の第１ないし第３端子２１～２３と容易に区別することができる。さらに、第４端子２４において封止樹脂７から露出する部分のうち屈曲部２４３から封止樹脂７に至るまでの範囲について、たとえばポッティング処理などによって絶縁性樹脂で覆うと、第３端子２３（ドレイン端子）と第２端子２２（ソース端子）との沿面距離を適宜確保することが可能である。この場合、第３端子２３（ドレイン端子）と第２端子２２（ソース端子）との耐電圧を高めることが可能である。

　第４端子２４は、屈曲部２４３を有さない構成としてもよい。この場合、図１において想像線で示したように、第４端子２４は第２方向ｙに沿って真っ直ぐ延びており、第４端子２４の第１方向ｚにおける位置（上下方向における位置）は、第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３それぞれの第１方向ｚにおける位置と実質的に揃っている。第４端子２４が屈曲部２４３を有さない構成としてもよい点は、後述のバリエーションにおいても同様である。

　図７は、上記した第１実施形態に係る半導体装置Ａ１の第１変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１１は、主に第１端子２１および第３端子２３の構成と、ゲートワイヤ５２、ソースワイヤ５３および第２ワイヤ６２の各々の接合状態とが、上記の半導体装置Ａ１と異なっている。図７においては、封止樹脂７を透過させており、当該封止樹脂７を想像線で示している。図７以降の図面において、上記実施形態の半導体装置Ａ１と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。

　図７に示した半導体装置Ａ１１において、第１端子２１は、ダイパッド２０とつながっており、当該ダイパッド２０から第２方向ｙに沿って延びている。図７に示すように、第３端子２３は、ダイパッド２０の第３方向ｘにおける図中左端につながる。第１端子２１は、中間屈曲部２１３および先端部２１２を有する。中間屈曲部２１３は、第１端子２１において封止樹脂７から露出する部分が第１方向ｚにおいてダイパッド２０から上方に偏倚するように屈曲する部分である。第１端子２１は、ダイパッド２０および接合材３を介してドレイン電極１３１に導通している。第１端子２１は、半導体装置Ａ１１のドレイン端子である。

　第３端子２３は、ダイパッド２０から離間して配置され、且つ、第２方向ｙに沿って延びている。第３端子２３は、第３パッド２３１および先端部２３２を有する。第３パッド２３１は、第２方向ｙにおいてダイパッド２０に最も近接している。第３パッド２３１には、ソースワイヤ５３が接合されている。第３端子２３は、ソースワイヤ５３を介してソース電極１３３に導通している。第３端子２３は、半導体装置Ａ１１のソース端子である。また、第３パッド２３１には、第２ワイヤ６２が接合されている。第３端子２３は、第２ワイヤ６２を介して第２電極１５２に導通している。

　第２端子２２において、第２パッド２２１には、ゲートワイヤ５２が接合されている。第２端子２２は、ゲートワイヤ５２を介してゲート電極１３２に導通している。第２端子２２は、半導体装置Ａ１１のゲート端子である。

　ゲートワイヤ５２は、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第２端子２２の第２パッド２２１とに接合されており、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第２端子２２とを導通させている。ソースワイヤ５３は、スイッチング素子１のソース電極１３３と第３端子２３の第３パッド２３１とに接合されており、スイッチング素子１のソース電極１３３と第３端子２３とを導通させている。第１ワイヤ６１は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第１電極１５１と第４端子２４の第４パッド２４１とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１と第４端子２４とを導通させている。第２ワイヤ６２は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第２電極１５２と第３端子２３の第３パッド２３１とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２と第３端子２３とを導通させている。

　半導体装置Ａ１１は、ドレイン端子、ゲート端子およびソース端子の３端子に相当する第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３を備えるとともに、第４端子２４を備えている。スイッチング素子１は温度検出用ダイオード１５を備えており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１は、第１ワイヤ６１を介して第４端子２４と導通している。一方、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２は、第２ワイヤ６２を介して他の端子（本変形例では第３端子２３）に導通している。このような構成によれば、温度検出用ダイオード１５と導通する第４端子２４および第３端子２３を用いて温度検出用ダイオード１５に電流を流して電圧を測定し、ダイオードの抵抗変化の温度依存性を利用することで、スイッチング素子１のジャンクション温度を測定することができる。また、本実施形態では、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の第４端子２４を備えることにより、スイッチング素子１を駆動させつつ、温度検出用ダイオード１５を用いてジャンクション温度を測定することができる。

　本実施形態において、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２は、ソース端子である第３端子２３に導通している。ソース端子（第３端子２３）は、基準電位としてのグランドにつながれており、電位が実質的に０Ｖで安定している。この第３端子２３を温度検出用ダイオード１５の端子として共用することで、温度検出用ダイオード１５に電流を流しても安定してジャンクション温度を測定することができる。このような構成は、端子数の増加を抑制しつつ、スイッチング素子１の駆動時にジャンクション温度を安定的に測定するのに適する。

　図７に示すように、ソース端子である第３端子２３は、第１方向ｚ視において、ドレイン端子である第１端子２１と第３方向ｘにおいて隣り合っている。第１端子２１と第３端子２３との第３方向ｘにおける第１距離ｄ１３は、相対的に大きくされており、第１端子２１（ドレイン端子）と第３端子２３（ソース端子）との沿面距離を適宜確保することが可能である。これにより、第１端子２１（ドレイン端子）と第３端子２３（ソース端子）との耐電圧を高めることが可能である。

　図８は、上記した第１実施形態に係る半導体装置Ａ１の第２変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１２は、ゲートワイヤ５２、ソースワイヤ５３および第２ワイヤ６２の各々の接合状態が、上記の半導体装置Ａ１と異なっている。図８においては、封止樹脂７を透過させており、当該封止樹脂７を想像線で示している。

　図８に示した半導体装置Ａ１２において、第１端子２１、第２端子２２、第３端子２３および第４端子２４の構成は、上記の半導体装置Ａ１（図２参照）と同じである。

　第１端子２１の第１パッド２１１には、ソースワイヤ５３が接合されている。第１端子２１は、ソースワイヤ５３を介してソース電極１３３に導通している。第１端子２１は、半導体装置Ａ１２のソース端子である。また、第１パッド２１１には、第２ワイヤ６２が接合されている。第１端子２１は、第２ワイヤ６２を介して第２電極１５２に導通している。

　第２端子の第２パッド２２１には、ゲートワイヤ５２が接合されている。第２端子２２は、ゲートワイヤ５２を介してゲート電極１３２に導通している。第２端子２２は、半導体装置Ａ１２のゲート端子である。

　第３端子２３は、ダイパッド２０および接合材３を介してドレイン電極１３１に導通している。第３端子２３は、半導体装置Ａ１２のドレイン端子である。

　ゲートワイヤ５２は、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第２端子２２の第２パッド２２１とに接合されており、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第２端子２２とを導通させている。ソースワイヤ５３は、スイッチング素子１のソース電極１３３と第１端子２１の第１パッド２１１とに接合されており、スイッチング素子１のソース電極１３３と第１端子２１とを導通させている。第１ワイヤ６１は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第１電極１５１と第４端子２４の第４パッド２４１とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１と第４端子２４とを導通させている。第２ワイヤ６２は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第２電極１５２と第１端子２１の第１パッド２１１とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２と第１端子２１とを導通させている。

　半導体装置Ａ１２は、ソース端子、ゲート端子およびドレイン端子の３端子に相当する第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３を備えるとともに、第４端子２４を備えている。スイッチング素子１は温度検出用ダイオード１５を備えており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１は、第１ワイヤ６１を介して第４端子２４と導通している。一方、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２は、第２ワイヤ６２を介して他の端子（本変形例では第１端子２１）に導通している。このような構成によれば、温度検出用ダイオード１５と導通する第４端子２４および第３端子２３を用いて温度検出用ダイオード１５に電流を流して電圧を測定し、ダイオードの抵抗変化の温度依存性を利用することで、スイッチング素子１のジャンクション温度を測定することができる。本実施形態では、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の第４端子２４を備えることにより、スイッチング素子１を駆動させつつ、温度検出用ダイオード１５を用いてジャンクション温度を測定することができる。

　本実施形態において、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２は、ソース端子である第１端子２１に導通している。ソース端子（第１端子２１）は、基準電位としてのグランドにつながれており、電位が実質的に０Ｖで安定している。この第１端子２１を温度検出用ダイオード１５の端子として共用することで、温度検出用ダイオード１５に電流を流しても安定してジャンクション温度を測定することができる。このような構成は、端子数の増加を抑制しつつ、スイッチング素子１の駆動時にジャンクション温度を安定的に測定するのに適する。

　ソース端子、ゲート端子およびドレイン端子の３端子に相当する第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３について、第１端子２１（ソース端子）および第２端子２２（ゲート端子）は、第３方向ｘにおいて互いに反対側の最も外側に位置する。第３端子２３（ドレイン端子）は、第３方向ｘにおいて第１端子２１と第２端子２２との間に位置する。このような構成によれば、第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３（ソース端子、ゲート端子およびドレイン端子）の配置が従来の３端子型のスイッチングデバイス（半導体装置）と同様であるので、回路基板等への実装の対応が容易である。

　図８に示すように、ソース端子である第１端子２１は、第１方向ｚ視において、ドレイン端子である第３端子２３と第３方向ｘにおいて隣り合っている。そして、第１端子２１と第３端子２３との第３方向ｘにおける第１距離ｄ１３は、相対的に大きくされており、第１端子２１（ソース端子）と第３端子２３（ドレイン端子）との沿面距離を適宜確保することが可能である。これにより、第１端子２１（ソース端子）と第３端子２３（ドレイン端子）との耐電圧を高めることが可能である。

　図９～図１１は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ２は、上記実施形態のリードフレーム２に代えて、基板２Ａと、第１端子４１、第２端子４２、第３端子４３および第４端子４４とを備えている。図９においては、封止樹脂７を透過させており、当該封止樹脂７を想像線で示している。

　本実施形態において、基板２Ａは、絶縁層２５、表面導電層２６および裏面金属層２７を有する。絶縁層２５は、絶縁性材料からなる板状部材である。絶縁層２５は、第１方向ｚ視において矩形状である。基板２Ａの材質は特に限定されず、たとえばアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、グラファイト等のセラミックスからなる。

　表面導電層２６は、基板２Ａの上面に積層配置されており、主にスイッチング素子１への導通経路を構成するためのものである。表面導電層２６の材質は特に限定されず、Ｃｕ等の金属およびこれらの合金によって形成され、必要に応じＮｉ，Ａｇ等のめっき層を有する構成であってもよい。表面導電層２６の形成手法は特に限定されず、たとえば、金属板部材を基板２Ａの上面に接合してもよい。

　図１０、図１１に示すように、表面導電層２６は、表面２６ａおよび裏面２６ｂを有する。表面２６ａは、表面導電層２６の上面である。表面２６ａ（後述するドレイン電極部２６１における表面２６ａ部分）は、スイッチング素子１が搭載された面であり、スイッチング素子１の素子裏面１２が表面２６ａに向かい合っている。裏面２６ｂは、表面導電層２６の下面である。表面２６ａおよび裏面２６ｂはともに、平坦であり、第１方向ｚにおいて互いに反対側を向いている。

　表面導電層２６は、ドレイン電極部２６１およびソース電極部２６３を有する。

　ドレイン電極部２６１は、スイッチング素子１が実装され、且つ第３端子４３が接合された部位である。スイッチング素子１は、接合材３を介して絶縁層２５およびドレイン電極部２６１（表面導電層２６）に支持されている。本実施形態においては、ドレイン電極部２６１は、表面導電層２６の過半を占める大きさとされている。ソース電極部２６３は、スイッチング素子１のソース電極１３３に導通し、第２端子４２が接合された部位である。ソース電極部２６３は、ドレイン電極部２６１から離間している。上記構成の表面導電層２６は、「基部」の一例である。

　図１０、図１１に示すように、裏面金属層２７は、基板２Ａの下面に積層配置されている。裏面金属層２７と、ドレイン電極部２６１およびスイッチング素子１とは、絶縁されている。本実施形態においては、裏面金属層２７は、基板２Ａの下面の大部分を覆う大きさおよび形状に形成されている。すなわち、裏面金属層２７は、第１方向ｚ視において、ドレイン電極部２６１の略全体およびスイッチング素子１と重なっている。

　第１端子４１、第２端子４２、第３端子４３および第４端子４４は、半導体装置Ａ２の外部とスイッチング素子１との導通経路を構成するものである。これら端子４１～４４は、第３方向ｘにおいて互いに離間して配置されており、半導体装置Ａ２をたとえば回路基板（図示略）に実装する際に用いられる。

　図９に示すように、第１端子４１は、第２方向ｙに沿って延びており、接合部４１１、屈曲部４１２および先端部４１３を有する。接合部４１１は、基板２Ａの上面に接合された部位であり、第１端子４１の根元部分である。接合部４１１と基板２Ａの上面との接合手法は特に限定されず、例えば各種接合材を用いた接合を適宜採用すればよい。屈曲部４１２は、接合部４１１につながった屈曲形状の部位であり、屈曲部４１２と先端部４１３と間の部分を第１方向ｚにおいて裏面金属層２７から離間させる形状である。先端部４１３は、接合部４１１とは反対側に位置する第１端子４１の先端である。接合部４１１には、ゲートワイヤ５２が接合されている。第１端子４１は、ゲートワイヤ５２を介してゲート電極１３２に導通している。本実施形態においては、第１端子４１は、半導体装置Ａ２のゲート端子である。

　第２端子４２は、第２方向ｙに沿って延びており、第１方向ｚ視において第３方向ｘにおける最も外側（図中右側）に配置されている。第２端子４２は、接合部４２１、屈曲部４２２および先端部４２３を有する。接合部４２１は、ソース電極部２６３に接合された部位であり、第２端子４２の根元部分である。接合部４２１とソース電極部２６３との接合手法は特に限定されず、導電性接合材を用いた接合、超音波接合、抵抗溶接等の種々の手法を適宜採用すればよい。本実施形態においては、導電性接合材が用いられている。屈曲部４２２は、接合部４２１につながった屈曲形状の部位であり、屈曲部４２２と先端部４２３との間の部分を第１方向ｚにおいて裏面金属層２７から離間させる形状である。先端部４２３は、接合部４２１とは反対側に位置する第２端子４２の先端である。ソース電極部２６３には、ソースワイヤ５３が接合されている。第２端子４２は、ソース電極部２６３およびソースワイヤ５３を介してソース電極１３３に導通している。本実施形態において、第２端子４２は、半導体装置Ａ２のソース端子である。また、ソース電極部２６３には、第２ワイヤ６２が接合されている。第２端子４２は、ソース電極部２６３および第２ワイヤ６２を介して第２電極１５２に導通している。

　第３端子４３は、第２方向ｙに沿って延びており、第１方向ｚ視において第３方向ｘにおける第１端子４１と第２端子４２との中間に配置されている。第３端子４３は、接合部４３１、屈曲部４３２および先端部４３３を有する。接合部４３１は、ドレイン電極部２６１に接合された部位であり、第３端子４３の根元部分である。接合部４３１とドレイン電極部２６１との接合手法は特に限定されず、導電性接合材を用いた接合、超音波接合、抵抗溶接等の種々の手法を適宜採用すればよい。本実施形態においては、導電性接合材が用いられている。屈曲部４３２は、接合部４３１につながった屈曲形状の部位であり、屈曲部４３２と先端部４３３との間の部分を第１方向ｚにおいて裏面金属層２７から離間させる形状である。先端部４３３は、接合部４３１とは反対側に位置する第３端子４３の先端である。第２端子４２は、ドレイン電極部２６１および接合材３を介してドレイン電極１３１に導通している。本実施形態において、第３端子４３は、半導体装置Ａ２のドレイン端子である。

　第４端子４４は、第２方向ｙに沿って延びており、第１方向ｚ視において第３方向ｘにおける第２端子４２と第３端子４３との間に配置されている。第４端子４４は、接合部４４１、屈曲部４４２、先端部４４３および屈曲部４４４を有する。接合部４４１は、基板２Ａの上面に接合された部位であり、第４端子４４の根元部分である。接合部４４１と基板２Ａの上面との接合手法は特に限定されず、例えば各種接合材を用いた接合を適宜採用すればよい。屈曲部４４２は、接合部４４１につながった屈曲形状の部位であり、屈曲部４４２と先端部４４３との間の部分を第１方向ｚにおいて裏面金属層２７から離間させる形状である。先端部４４３は、接合部４４１とは反対側に位置する第４端子４４の先端である。屈曲部４４４は、屈曲部４４２と先端部４４３との位置しており、屈曲部４４２寄りに設けられている。

　屈曲部４４４は、当該屈曲部４４４と先端部４４３との間の部分を第１方向ｚにおいて裏面金属層２７から離間させる形状である。これにより、第４端子４４のうち屈曲部４４４よりも先端側が第１方向ｚの片側（表面導電層２６の表面２６ａが向く側）に偏倚している。第４端子４４が屈曲部４４４を有することで、第４端子４４の先端部４４３は、第１端子４１、第２端子４２および第３端子４３それぞれの先端部４１３，４２３，４３３よりも、第１方向ｚの上記片側（表面導電層２６の表面２６ａが向く側）に偏倚している。

　第４端子４４の接合部４４１には、第１ワイヤ６１が接合されている。第４端子４４は、第１ワイヤ６１を介して第１電極１５１に導通している。

　図９に示すように、第１端子４１（ゲート端子）の中心線Ｃ１と第３端子４３（ドレイン端子）の中心線Ｃ３との第３方向ｘにおける距離（第１距離ｄ１３）は、第３端子４３（ドレイン端子）の中心線Ｃ３と第４端子４４の中心線Ｃ４との第３方向ｘにおける距離（第２距離ｄ３４）よりも大である。また、第１距離ｄ１３は、第４端子４４の中心線Ｃ４と第２端子４２（ソース端子）の中心線Ｃ２との第３方向ｘにおける距離（第３距離ｄ２４）よりも大である。本実施形態においては、第２距離ｄ３４と第３距離ｄ２４とは、実質的に同じである。また、第２距離ｄ３４および第３距離ｄ２４の合計は、第１距離ｄ１３と実質的に同じである。

　図９に示すように、ゲートワイヤ５２は、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第１端子４１の接合部４１１とに接合されており、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第１端子４１とを導通させている。図１０においてはゲートワイヤ５２を省略している。

　ソースワイヤ５３は、スイッチング素子１のソース電極１３３とソース電極部２６３とに接合されており、スイッチング素子１のソース電極１３３と第２端子４２とを導通させている。図１０、図１１においてはソースワイヤ５３を省略している。

　第１ワイヤ６１は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第１電極１５１と第４端子４４の接合部４４１とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１と第４端子４４とを導通させている。図１１においては第１ワイヤ６１を省略している。

　第２ワイヤ６２は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第２電極１５２と第２端子４２のソース電極部２６３とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２と第２端子４２とを導通させている。

　封止樹脂７は、スイッチング素子１、基板２Ａの一部、第１端子４１の一部、第２端子４２の一部、第３端子４３の一部、第４端子４４の一部、ゲートワイヤ５２、ソースワイヤ５３、第１ワイヤ６１および第２ワイヤ６２を覆っており、これらを保護するものである。

　本実施形態において、封止樹脂７は、樹脂主面７１、樹脂裏面７２、一対の樹脂第１側面７３、および一対の樹脂第２側面７４を有する。樹脂主面７１は、図１０、図１１に示す封止樹脂７の上面であり、表面導電層２６の表面２６ａと同じ側を向く面である。樹脂裏面７２は、図１０、図１１に示す封止樹脂７の下面であり、表面導電層２６の裏面２６ｂと同じ側を向く面である。樹脂主面７１および樹脂裏面７２は、第１方向ｚを向く面であって、互いに反対側を向いている。

　図１０、図１１に示すように、本実施形態においては、裏面金属層２７の片面全体が封止樹脂７の樹脂裏面７２から露出している。この裏面金属層２７の片面は、樹脂裏面７２と面一である。

　一対の樹脂第１側面７３は、図１１に示すように、第２方向ｙに離間して形成された面である。一対の樹脂第１側面７３は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向いている。図１１に示す樹脂第１側面７３の上端が樹脂主面７１につながり、図１１に示す樹脂第１側面７３の下端が樹脂裏面７２につながっている。本実施形態においては、一方の樹脂第１側面７３から、第１端子４１、第２端子４２、第３端子４３および第４端子４４のそれぞれ一部が露出している。

　一対の樹脂第２側面７４は、図１０に示すように第３方向ｘに離間して形成された面である。一対の樹脂第２側面７４は、第３方向ｘにおいて互いに反対側を向いている。図１０に示す樹脂第２側面７４の上端が樹脂主面７１につながり、図１０に示す樹脂第２側面７４の下端が樹脂裏面７２につながっている。

　次に、本実施形態の作用効果について説明する。

　本実施形態の半導体装置Ａ２は、ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子の３端子に相当する第１端子４１、第２端子４２および第３端子４３を備えるとともに、第４端子４４を備えている。スイッチング素子１は温度検出用ダイオード１５を備えており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１は、第１ワイヤ６１を介して第４端子４４と導通している。一方、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２は、第２ワイヤ６２を介して他の端子（本実施形態では第２端子４２）に導通している。このような構成によれば、温度検出用ダイオード１５と導通する第４端子４４および第２端子４２を用いて温度検出用ダイオード１５に電流を流して電圧を測定し、ダイオードの抵抗変化の温度依存性を利用することで、スイッチング素子１のジャンクション温度を測定することができる。また、本実施形態では、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の第４端子４４を備えることにより、スイッチング素子１を駆動させつつ、温度検出用ダイオード１５を用いてジャンクション温度を測定することができる。

　本実施形態において、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２は、ソース端子である第２端子４２に導通している。ソース端子（第２端子４２）は、基準電位としてのグランドにつながれており、電位が実質的に０Ｖで安定している。この第２端子４２を温度検出用ダイオード１５の端子として共用することで、温度検出用ダイオード１５に電流を流しても安定してジャンクション温度を測定することができる。このような構成は、端子数の増加を抑制しつつ、スイッチング素子１の駆動時にジャンクション温度を安定的に測定するのに適する。

　ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子の３端子に相当する第１端子４１、第２端子４２および第３端子４３について、第１端子４１（ゲート端子）および第２端子４２（ソース端子）は、第３方向ｘにおいて互いに反対側の最も外側に位置する。また、第３端子４３（ドレイン端子）は、第３方向ｘにおいて第１端子４１と第２端子４２との間に位置する。このような構成によれば、第１端子４１、第２端子４２および第３端子４３（ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子）の配置が従来の３端子型のスイッチングデバイス（半導体装置）と同様であるので、回路基板等への実装の対応が容易である。

　第１端子４１の中心線Ｃ１と第３端子４３の中心線Ｃ３との第３方向ｘにおける第１距離ｄ１３は、第３端子４３の中心線Ｃ３と第４端子４４の中心線Ｃ４との第３方向ｘにおける第２距離ｄ３４および第４端子４４の中心線Ｃ４と第２端子４２の中心線Ｃ２との第３方向ｘにおける第３距離ｄ２４よりも大きい。これにより、第４端子４４は、相互間の距離が相対的に小さい状態で並んだ３本の端子４３，４４，４２の中央に位置する。このような構成によれば、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の第４端子４４について、他の第１ないし第３端子４１～４３と容易に区別することができる。

　また、第４端子４４において、屈曲部４４４よりも先端側が第１方向ｚの片側（表面導電層２６の表面２６ａが向く側）に偏倚している。このような構成によっても、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の第４端子４４について、他の第１ないし第３端子４１～４３と容易に区別することができる。さらに、第４端子４４において封止樹脂７から露出する部分のうち屈曲部４４４から封止樹脂７に至るまでの範囲について、たとえばポッティング処理などによって絶縁性樹脂で覆うと、第３端子４３（ドレイン端子）と第２端子４２（ソース端子）との沿面距離を適宜確保することが可能である。この場合、第３端子４３（ドレイン端子）と第２端子４２（ソース端子）との耐電圧を高めることが可能である。

　第４端子４４は、屈曲部４４４を有さない構成としてもよい。この場合、第４端子４４は第２方向ｙに沿って真っ直ぐ延び、第４端子４４の第１方向ｚにおける位置（上下方向における位置）は、第１端子４１、第２端子４２および第３端子４３それぞれの第１方向ｚにおける位置と実質的に揃う。

　図１２、図１３は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ３は、温度検出用ダイオード１５の構成が上記実施形態の半導体装置Ａ１と異なっている。図１２においては、封止樹脂７を透過させており、当該封止樹脂７を想像線で示している。

　本実施形態において、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１は素子主面１１に配置される一方、第２電極１５２は素子裏面１２に配置されている。ｐｎ接合ダイオード部１５０は、スイッチング素子１の厚さ方向（第１方向ｚ）に形成されている。本実施形態では、素子裏面１２に配置されたドレイン電極１３１が第２電極１５２を兼ねている。ドレイン端子である第３端子２３は、ダイパッド２０および接合材３を介してドレイン電極１３１（第２電極１５２）に導通している。本実施形態においては、第２ワイヤ６２は設けられていない。

　本実施形態の半導体装置Ａ３は、ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子の３端子に相当する第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３を備えるとともに、第４端子２４を備えている。スイッチング素子１は温度検出用ダイオード１５を備えており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１は、第１ワイヤ６１を介して第４端子２４と導通している。一方、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２は、他の端子（本実施形態では第３端子２３）に導通している。このような構成によれば、温度検出用ダイオード１５と導通する第４端子２４および第３端子２３を用いて温度検出用ダイオード１５に電流を流して電圧を測定し、ダイオードの抵抗変化の温度依存性を利用することで、スイッチング素子１のジャンクション温度を測定することができる。また、本実施形態では、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の第４端子２４を備えることにより、スイッチング素子１を駆動させつつ、温度検出用ダイオード１５を用いてジャンクション温度を測定することができる。

　ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子の３端子に相当する第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３について、第１端子２１（ゲート端子）および第２端子２２（ソース端子）は、第３方向ｘにおいて互いに反対側の最も外側に位置する。また、第３端子２３（ドレイン端子）は、第３方向ｘにおいて第１端子２１と第２端子２２との間に位置する。このような構成によれば、第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３（ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子）の配置が従来の３端子型のスイッチングデバイス（半導体装置）と同様であるので、回路基板等への実装の対応が容易である。

　図１４、図１５は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ４は、第１端子２１ないし第４端子２４の具体的な構成が上記の半導体装置Ａ１と異なっており、これに伴いゲートワイヤ５２、ソースワイヤ５３、第１ワイヤ６１および第２ワイヤ６２の接合状態が上記の半導体装置Ａ１と適宜異なっている。図１４においては、封止樹脂７を透過させており、当該封止樹脂７を想像線で示している。

　図１４に示した半導体装置Ａ４において、第１端子２１は、ダイパッド２０から離間して配置され、且つ、第２方向ｙの一方側（図中下側）に延びている。第１端子２１は、第１方向ｚ視において第３方向ｘにおける最も外側（図中左側）に配置されている。第１端子２１は、第１パッド２１１および先端部２１２を有する。第１端子２１は、ゲートワイヤ５２を介してゲート電極１３２に導通している。本実施形態においては、第１端子２１は、半導体装置Ａ４のゲート端子である。

　第２端子２２は、ダイパッド２０から離間しており、且つ、第２方向ｙの一方側（図１４の図中下側）に配置されている。第２端子２２は、第２パッド２２１および複数の先端部２２２を有する。第２パッド２２１は、第１方向ｚ視において第３方向ｘにおける中央から右端にわたって配置されている。複数の先端部２２２は、第３方向ｘにおいて互いに間隔を隔てて配列されており、各々が第２パッド２２１につながっている。第２端子２２（第２パッド２２１）は、ソースワイヤ５３を介してソース電極１３３に導通している。本実施形態においては、第２端子２２は、半導体装置Ａ４のソース端子である。第２パッド２２１には、第２ワイヤ６２が接合されている。第２端子２２は、第２ワイヤ６２を介して第２電極１５２に導通している。

　第３端子２３は、ダイパッド２０とつながっており、ダイパッド２０に対して第２方向ｙの他方側（図１４の図中上側）に配置されている。第３端子２３は、第３方向ｘに長状である。図１５に示すように、第３端子２３は、ダイパッド２０および接合材３を介してドレイン電極１３１に導通している。本実施形態において、第３端子２３は、半導体装置Ａ４のドレイン端子である。

　第４端子２４は、ダイパッド２０から離間して配置され、且つ、第２方向ｙの一方側（図１４の図中下側）に延びている。第４端子２４は、第１方向ｚ視において第３方向ｘにおける図中左寄りに配置されている。第４端子２４は、第４パッド２４１および先端部２４２を有する。第４端子２４の第４パッド２４１には、第１ワイヤ６１が接合されている。第４端子２４は、第１ワイヤ６１を介して第１電極１５１に導通している。

　図１４に示すように、ゲートワイヤ５２は、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第１端子２１の第１パッド２１１とに接合されており、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第１端子２１とを導通させている。ソースワイヤ５３は、スイッチング素子１のソース電極１３３と第２端子２２の第２パッド２２１とに接合されており、スイッチング素子１のソース電極１３３と第２端子２２とを導通させている。なお、図１５においてはソースワイヤ５３を省略している。

　第１ワイヤ６１は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第１電極１５１と第４端子２４の第４パッド２４１とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１と第４端子２４とを導通させている。第２ワイヤ６２は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第２電極１５２と第２端子２２の第２パッド２２１とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２と第２端子２２とを導通させている。図１５においては第２ワイヤ６２を省略している。

　半導体装置Ａ４は、ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子の３端子に相当する第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３を備えるとともに、第４端子２４を備えている。スイッチング素子１は温度検出用ダイオード１５を備えており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１は、第１ワイヤ６１を介して第４端子２４と導通している。一方、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２は、第２ワイヤ６２を介して他の端子（本実施形態では第２端子２２）に導通している。このような構成によれば、温度検出用ダイオード１５と導通する第４端子２４および第２端子２２を用いて温度検出用ダイオード１５に電流を流して電圧を測定し、ダイオードの抵抗変化の温度依存性を利用することで、スイッチング素子１のジャンクション温度を測定することができる。また、本実施形態では、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の第４端子２４を備えることにより、スイッチング素子１を駆動させつつ、温度検出用ダイオード１５を用いてジャンクション温度を測定することができる。

　図１６は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ５は、上記した半導体装置Ａ４と比べて第５端子２５０が追加的に設けられており、これに伴い第２ワイヤ６２の接合状態が上記の半導体装置Ａ４と異なっている。図１６においては、封止樹脂７を透過させており、当該封止樹脂７を想像線で示している。

　第５端子２５０は、ダイパッド２０から離間して配置され、且つ、第２方向ｙの一方側（図１６の図中下側）に延びている。第５端子２５０は、第１方向ｚ視において第３方向ｘにおける図中中央寄りに配置されている。第５端子２５０は、第５パッド２５１および先端部２５２を有する。第５パッド２５１には、第２ワイヤ６２が接合されている。第５端子２５０は、第２ワイヤ６２を介して第２電極１５２に導通している。

　図１６に示すように、ゲートワイヤ５２は、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第１端子２１の第１パッド２１１とに接合されており、スイッチング素子１のゲート電極１３２と第１端子２１とを導通させている。ソースワイヤ５３は、スイッチング素子１のソース電極１３３と第２端子２２の第２パッド２２１とに接合されており、スイッチング素子１のソース電極１３３と第２端子２２とを導通させている。

　第１ワイヤ６１は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第１電極１５１と第４端子２４の第４パッド２４１とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１と第４端子２４とを導通させている。第２ワイヤ６２は、スイッチング素子１（温度検出用ダイオード１５）の第２電極１５２と第５端子２５０の第５パッド２５１とに接合されており、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２と第５端子２５０とを導通させている。

　半導体装置Ａ５は、ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子の３端子に相当する第１端子２１、第２端子２２および第３端子２３を備えるとともに、第４端子２４および第５端子２５０を備えている。スイッチング素子１は温度検出用ダイオード１５を備えており、温度検出用ダイオード１５の第１電極１５１は、第１ワイヤ６１を介して第４端子２４と導通している。一方、温度検出用ダイオード１５の第２電極１５２は、第２ワイヤ６２を介して第５端子２５０に導通している。このような構成によれば、温度検出用ダイオード１５と導通する第４端子２４および第５端子２５０を用いて温度検出用ダイオード１５に電流を流して電圧を測定し、ダイオードの抵抗変化の温度依存性を利用することで、スイッチング素子１のジャンクション温度を測定することができる。また、本実施形態では、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の第４端子２４および第５端子２５０を備えることにより、スイッチング素子１を駆動させつつ、温度検出用ダイオード１５を用いてジャンクション温度を測定することができる。

　本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

　たとえば、図１７および図１８は、第３実施形態に係る半導体装置の変形例を示す図である。第３実施形態の半導体装置Ａ３（図１２、図１３参照）においては、温度センサ（温度検出用ダイオード）１５の第２電極１５２（たとえば、カソード電極またはアノード電極）がスイッチング素子１のドレイン電極１３１と共通化されていた。すなわち、第２電極１５２とドレイン電極１３１とは、ワイヤ等の個別接続部材を介さず互いに直接的に接合されている、あるいは、第２電極１５２とドレイン電極１３１とが互いに一体的に形成されていた。本変形例の半導体装置Ａ６においては、温度センサ１５の１つの電極（図示の例ではカソード電極１５２）が、スイッチング素子１の上面において、当該素子のソース電極１３３に直接的に繋がっている。すなわち、半導体装置Ａ６においては、カソード電極１５２とソース電極１３３とが、チップ内において共通化されている。

　具体的には、半導体装置Ａ６においては、温度センサ１５として、ＳｉＣ基板（スイッチング素子１）の主面に設けられたダイオード１５０が用いられる（図１８参照）。温度センサ１５は、ｐ型不純物がドープされたポリシリコンからなるカソードと、ｎ型不純物がドープされたポリシリコンからなるアノードとを含む。ＳｉＣ基板と温度センサ１５との間には絶縁膜が形成されているが、図示を省略する。

　ＳｉＣ基板のアクティブ領域にはゲート絶縁膜を介してゲート電極１３２が形成されている。アクティブ領域には、ｎ型不純物がドープされたソース領域やｐ型不純物がドープされたボディ領域を備えるが、図示を省略する。

　ＳｉＣ基板の表面上には層間絶縁膜が形成されており、層間絶縁膜上にアルミニウムなどの金属からなるソース電極１３３が形成されている。ゲート電極１３２は層間絶縁膜およびゲート絶縁膜により、ソース電極１３３やソース領域、ボディ領域と電気的に分離されている。ソース電極１３３は、層間絶縁膜に設けられた開口部を介して、ＳｉＣ基板のソース領域やボディ領域に電気的に接続されている。

　温度センサ１５の上部には、アノード電極１５１とカソード電極１５２が形成されている。アノード電極１５１およびカソード電極１５２は、それぞれ、層間絶縁膜の開口部を介してダイオードのアノードおよびカソードに電気的に接続されている。上述のとおり、この変形例では、カソード電極１５２はソース電極１３３と共通化されている。図示の例では、カソード電極１５２およびソース電極１３３は、中間の導電連結部１５２ａを介して互いに電気的に接続されている。なお、カソード電極１５２、中間連結部１５２ａおよびソース電極１３３は、同じ導電材料により全体として一体形成されており、図１７および図１８においてこれら部材間の境界を示すために記載した点線は、便宜的なものである。また、別途異なる記載がない限り、半導体装置Ａ６の構成は、上記２つの電極が共通化されている点以外において、たとえば図９～図１１に示す第２実施形態の半導体装置Ａ２の構成と同様であり、共通する部材に関する説明は省略する。

　図１７および図１８に示す構成によれば、温度センサすなわち温度検出用ダイオード１５と導通する端子４２および端子４４を用いて温度検出用ダイオード１５に電流を流して電圧を測定し、ダイオードの抵抗変化の温度依存性を利用することで、スイッチング素子１のジャンクション温度を測定することができる。また、本変形例では、温度検出用ダイオード１５と導通させるための専用の端子４４を備えることにより、スイッチング素子１を駆動させつつ、温度検出用ダイオード１５を用いてジャンクション温度を測定することができる。

　上記の変形例では、ソース電極１３３とソース端子４２とをワイヤ５３により接続しているが、ワイヤ５３に代えて銅からなる金属板（たとえば断面矩形状の長状の金属片）を用いてもよい。この場合、ソース電極１３３およびソース端子４２と金属板とはハンダなどの接合材を介して接合される。ゲート電極１３２とゲート端子４１との接続やアノード電極１５１と端子４４との接続は、図示のとおり、ワイヤ５２およびワイヤ６１により行われてもよいし、ワイヤ５２，６１に代えて、金属板を用いて接続してもよい。ソース電極１３３とソース端子４２とを金属板を介して接合する場合には、ソース電極１３３（延いてはカソード電極１５２）上にニッケルメッキ層またはニッケル／パラジウム／金メッキ層が形成されることが好ましい。この場合、アノード電極１５１やゲート電極１３２にもソース電極１３３と同じメッキ構造が形成される。

　本開示は、以下の付記に記載された構成を含む。

　付記１．
　第１方向において互い反対側を向く素子主面および素子裏面と、ドレイン電極、ゲート電極およびソース電極と、を有し、前記ドレイン電極および前記ソース電極間に電位差を与えた状態で前記ゲート電極および前記ソース電極間に駆動電圧を与えることによって、前記ドレイン電極および前記ソース電極間がオン／オフ制御されるスイッチング素子と、
　前記第１方向において互いに反対側を向く表面および裏面を有し、前記素子裏面が前記表面に向かい合うように前記スイッチング素子を支持する基部と、
　各々が前記第１方向に対して直角である第２方向に延出する第１端子、第２端子、第３端子および第４端子と、を備え、
　前記スイッチング素子は、前記素子主面に配置された第１電極を有する温度検出用ダイオードを備え、
　前記ドレイン電極、前記ゲート電極および前記ソース電極は、各々、前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子のいずれかと導通しており、
　前記第１電極は、第１ワイヤを介して前記第４端子と導通している、半導体装置。
　付記２．
　前記第１端子、前記第２端子、前記第３端子および前記第４端子は、前記第２方向の一方側に沿って延び、且つ前記第１方向および前記第２方向のいずれにも直角である第３方向において互いに離間して配置されており、
　前記第１端子および前記第２端子は、前記第３方向において互いに反対側の最も外側に位置し、前記第３端子は、前記第３方向において前記第１端子と前記第２端子との間に位置し、前記第４端子は、前記第２端子と前記第３端子との間に位置する、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記温度検出用ダイオードは第２電極を有し、
　前記第２電極は、前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子のいずれかと導通している、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記第１端子と前記第３端子との前記第３方向における第１距離は、前記第３端子と前記第４端子との前記第３方向における第２距離、および前記第４端子と前記第２端子との前記第３方向における第３距離よりも大である、付記３に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記ゲート電極は前記第１端子に導通しており、前記ソース電極は前記第２端子に導通しており、前記ドレイン電極は前記第３端子に導通している、付記４に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記第２電極は、前記第２端子に導通している、付記５に記載の半導体装置。
　付記７．
　前記ドレイン電極は前記第１端子に導通しており、前記ゲート電極は前記第２端子に導通しており、前記ソース電極は前記第３端子に導通している、付記４に記載の半導体装置。
　付記８．
　前記第２電極は、前記第３端子に導通している、付記７に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記第２電極は、前記素子主面に配置されており、第２ワイヤを介して前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子のいずれかと導通している、付記３または４に記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記第２電極は、前記素子裏面に配置されている、付記３または４に記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記ゲート電極および前記ソース電極は前記素子主面に配置され、前記ドレイン電極は前記素子裏面に配置されており、
　前記ゲート電極および前記ソース電極は、ゲートワイヤおよびソースワイヤを介して前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子のいずれかと導通している、付記２ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記基部および前記第３端子を含むリードフレームを備え、前記第３端子は、前記基部から前記第２方向に沿って延出する、付記２ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記基部を構成する表面導電層と、当該表面導電層が積層された絶縁層と、を有する基板を備える、付記２ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記第４端子のうち少なくとも前記第２方向における前記一方側の先端部は、前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子それぞれの前記第１方向における前記一方側の先端部よりも、前記第１方向において前記基部の前記表面が向く側に偏倚している、付記２ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記第１端子、前記第２端子および前記第４端子は、前記第２方向の一方側に配置され、且つ記第１方向および前記第２方向のいずれにも直角である第３方向において互いに離間して配置されており、
　前記第３端子は、前記第２方向の他方側に配置されており、
　前記ゲート電極は前記第１端子に導通しており、前記ソース電極は前記第２端子に導通しており、前記ドレイン電極は前記第３端子に導通している、付記１に記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記温度検出用ダイオードは第２電極を有し、
　前記第２電極は、前記第２端子に導通している、付記１５に記載の半導体装置。
　付記１７．
　前記第２方向の前記一方側に延出する第５端子を備え、
　前記温度検出用ダイオードは第２電極を有し、
　前記第２電極は、前記第５端子に導通している、付記１５に記載の半導体装置。
　付記１８．
　前記基部および前記第３端子を含むリードフレームを備え、前記第３端子は、前記基部から前記第２方向の前記他方側に延出する、付記１５ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１９．
　前記基部、前記第１ないし第４端子の一部ずつおよび前記スイッチング素子を覆う封止樹脂を備える、付記１ないし１８のいずれかに記載の半導体装置。
　付記２０．
　前記スイッチング素子は、ＳｉＣスイッチング素子である、付記１ないし１９のいずれかに記載の半導体装置。
　付記２１．
　スイッチング素子と、第１外部端子と、第２外部端子と、第３外部端子と、第４外部端子と、を備えており、
　前記スイッチング素子は、
　第１方向において互い反対側を向く素子主面および素子裏面と、
　前記素子主面に配置された第１主電極（ソース電極／エミッタ電極）と、
　前記素子主面に配置されたゲート電極と、
　前記素子裏面に配置された第２主電極（ドレイン電極／コレクタ電極）と、
　アノードおよびカソードを有する温度検出用ダイオードと、
　前記アノードおよびカソードの一方に電気的に接続されるとともに前記素子主面に配置された第１電極と、を有しており、
　前記第１外部端子は、前記第２主電極に電気的に接続されており、
　前記第２外部端子は、前記ゲート電極に電気的に接続されており、
　前記第３外部端子は、前記第１主電極に電気的に接続されており、
　前記第４外部端子は、前記第１電極に電気的に接続されており、
　前記アノードは、前記第１外部端子および前記第４外部端子の一方と電気的に接続され、前記カソードは、前記第１外部端子および前記第４外部端子の他方と電気的に接続される、半導体装置。
　付記２２．
　前記スイッチング素子を封止するとともに、前記第１外部端子、前記第２外部端子、前記第３外部端子および前記第４外部端子の各々の一部を封止する封止樹脂をさらに備える、付記２１に記載の半導体装置。
　付記２３．
　前記第１主電極と前記第３外部端子とを相互に接続する第１導電部材と、
　前記ゲート電極と前記第２外部端子とを相互に接続する第２導電部材と、
　前記第１電極と前記第４外部端子とを相互に接続する第３導電部材と、をさらに備える、付記２１または付記２２に記載の半導体装置。
　付記２４．
　前記第１導電部材、前記第２導電部材および前記第３導電部材は、ボンディングワイヤまたは金属板のいずれか一方であり、前記ボンディングワイヤはアルミニウムまたは銅のいずれか一方から構成され、前記金属板は銅から構成される、付記２３に記載の半導体装置。
　付記２５．
　前記金属板を接合対象に固定するための接合部材をさらに備える、付記２４に記載の半導体装置。
　付記２６．
　前記接合部材は、半田からなる、付記２５に記載の半導体装置。
　付記２７．
　前記第１主電極および前記第２主電極間に電位差を与えた状態で前記ゲート電極および前記第１主電極間に駆動電圧を与えることによって、前記第１主電極および前記第２主電極間がオン／オフ制御される構成である、付記２１ないし付記２６のいずれかに記載の半導体装置。
　付記２８．
　前記素子裏面に対向し且つ前記スイッチング素子を支持する基部をさらに備える、付記２１ないし付記２７のいずれかに記載の半導体装置。
　付記２９．
　スイッチング素子と、第１外部端子と、第２外部端子と、第３外部端子と、第４外部端子と、を備えており、
　前記スイッチング素子は、
　第１方向において互い反対側を向く素子主面および素子裏面と、
　前記素子主面に配置された第１主電極（ソース電極／エミッタ電極）と、
　前記素子主面に配置されたゲート電極と、
　前記素子裏面に配置された第２主電極（ドレイン電極／コレクタ電極）と、
　アノードおよびカソードを有する温度検出用ダイオードと、
　前記アノードおよびカソードの一方に電気的に接続されるとともに前記素子主面に配置された第１電極と、を有しており、
　前記第１外部端子は、前記第２主電極に電気的に接続されており、
　前記第２外部端子は、前記ゲート電極に電気的に接続されており、
　前記第３外部端子は、前記第１主電極に電気的に接続されており、
　前記第４外部端子は、前記第１電極に電気的に接続されており、
　前記アノードは、前記第３外部端子および前記第４外部端子の一方と電気的に接続され、前記カソードは、前記第３外部端子および前記第４外部端子の他方と電気的に接続される、半導体装置。
　付記３０．
　前記スイッチング素子を封止するとともに、前記第１外部端子、前記第２外部端子、前記第３外部端子および前記第４外部端子の各々の一部を封止する封止樹脂をさらに備える、付記２９に記載の半導体装置。
　付記３１．
　前記第１主電極と前記第３外部端子とを相互に接続する第１導電部材と、
　前記ゲート電極と前記第２外部端子とを相互に接続する第２導電部材と、
　前記第１電極と前記第４外部端子とを相互に接続する第３導電部材と、をさらに備える、付記２９または付記３０に記載の半導体装置。
　付記３２．
　前記第１導電部材、前記第２導電部材および前記第３導電部材は、ボンディングワイヤまたは金属板のいずれか一方であり、前記ボンディングワイヤはアルミニウムまたは銅のいずれか一方から構成され、前記金属板は銅から構成される、付記３１に記載の半導体装置。
　付記３３．
　前記金属板を接合対象に固定するための接合部材をさらに備える、付記３２に記載の半導体装置。
　付記３４．
　前記接合部材は、半田からなる、付記３３に記載の半導体装置。
　付記３５．
　前記第１主電極および前記第２主電極間に電位差を与えた状態で前記ゲート電極および前記第１主電極間に駆動電圧を与えることによって、前記第１主電極および前記第２主電極間がオン／オフ制御される構成である、付記２９ないし付記３４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記３６．
　前記素子裏面に対向し且つ前記スイッチング素子を支持する基部をさらに備える、付記２９ないし付記３５のいずれかに記載の半導体装置。

Ａ１，Ａ１１，Ａ１２，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５，Ａ６：半導体装置
１：スイッチング素子　　　１１：素子主面　　　１２：素子裏面
１３１：ドレイン電極　　　１３２：ゲート電極
１３３：ソース電極　　　１５：温度検出用ダイオード
１５０：ｐｎ接合ダイオード部　　　１５１：第１電極
１５２：第２電極　　　２：リードフレーム　　　２Ａ：基板
２０：ダイパッド（基部）　　　２０ａ：表面
２０ｂ：裏面　　　２０ｃ：貫通孔　　　２１：第１端子
２２：第２端子　　　２３：第３端子　　　２４：第４端子
２５０：第５端子　　　２１１：第１パッド　　　２２１：第２パッド
２３１：第３パッド　　　２４１：第４パッド　　　２５１：第５パッド
２１２，２２２，２３２，２４２，２５２：先端部
２１３：中間屈曲部　　　２３３：中間屈曲部　　　２４３：屈曲部
２５：絶縁層　　　２６：表面導電層　　　２６ａ：表面
２６ｂ：裏面　　　２６１：ドレイン電極部　　　２６３：ソース電極部
２７：裏面金属層　　　３：接合材　　　４１：第１端子
４２：第２端子　　　４３：第３端子　　　４４：第４端子
４１１，４２１，４３１，４４１：接合部
４１２，４２２，４３２，４４２：屈曲部
４１３，４２３，４３３，４４３：先端部
４４４：屈曲部　　　５２：ゲートワイヤ　　　５３：ソースワイヤ
６１：第１ワイヤ　　　６２：第２ワイヤ　　　７：封止樹脂
７１：樹脂主面　　　７２：樹脂裏面　　　７３：樹脂第１側面
７４：樹脂第２側面　　　７５：凹部　　　７６：樹脂貫通孔
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４：中心線　　　ｄ１３：第１距離
ｄ２４：第３距離　　　ｄ３４：第２距離
ｘ：第３方向　　　ｙ：第２方向　　　ｚ：第１方向

Claims

　第１方向において互い反対側を向く素子主面および素子裏面と、ドレイン電極、ゲート電極およびソース電極と、を有し、前記ドレイン電極および前記ソース電極間に電位差を与えた状態で前記ゲート電極および前記ソース電極間に駆動電圧を与えることによって、前記ドレイン電極および前記ソース電極間がオン／オフ制御されるスイッチング素子と、
　前記第１方向において互いに反対側を向く表面および裏面を有し、前記素子裏面が前記表面に向かい合うように前記スイッチング素子を支持する基部と、
　各々が前記第１方向に対して直角である第２方向に延出する第１端子、第２端子、第３端子および第４端子と、を備え、
　前記スイッチング素子は、前記素子主面に配置された第１電極を有する温度検出用ダイオードを備え、
　前記ドレイン電極、前記ゲート電極および前記ソース電極は、各々、前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子のいずれかと導通しており、
　前記第１電極は、第１ワイヤを介して前記第４端子と導通している、半導体装置。
　前記第１端子、前記第２端子、前記第３端子および前記第４端子は、前記第２方向の一方側に沿って延び、且つ前記第１方向および前記第２方向のいずれにも直角である第３方向において互いに離間して配置されており、
　前記第１端子および前記第２端子は、前記第３方向において互いに反対側の最も外側に位置し、前記第３端子は、前記第３方向において前記第１端子と前記第２端子との間に位置し、前記第４端子は、前記第２端子と前記第３端子との間に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
　前記温度検出用ダイオードは第２電極を有し、
　前記第２電極は、前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子のいずれかと導通している、請求項２に記載の半導体装置。
　前記第１端子と前記第３端子との前記第３方向における第１距離は、前記第３端子と前記第４端子との前記第３方向における第２距離、および前記第４端子と前記第２端子との前記第３方向における第３距離よりも大である、請求項３に記載の半導体装置。
　前記ゲート電極は前記第１端子に導通しており、前記ソース電極は前記第２端子に導通しており、前記ドレイン電極は前記第３端子に導通している、請求項４に記載の半導体装置。
　前記第２電極は、前記第２端子に導通している、請求項５に記載の半導体装置。
　前記ドレイン電極は前記第１端子に導通しており、前記ゲート電極は前記第２端子に導通しており、前記ソース電極は前記第３端子に導通している、請求項４に記載の半導体装置。
　前記第２電極は、前記第３端子に導通している、請求項７に記載の半導体装置。
　前記第２電極は、前記素子主面に配置されており、第２ワイヤを介して前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子のいずれかと導通している、請求項３または４に記載の半導体装置。
　前記第２電極は、前記素子裏面に配置されている、請求項３または４に記載の半導体装置。
　前記ゲート電極および前記ソース電極は前記素子主面に配置され、前記ドレイン電極は前記素子裏面に配置されており、
　前記ゲート電極および前記ソース電極は、ゲートワイヤおよびソースワイヤを介して前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子のいずれかと導通している、請求項２ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
　前記基部および前記第３端子を含むリードフレームを備え、
　前記第３端子は、前記基部から前記第２方向に沿って延出する、請求項２ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
　前記基部を構成する表面導電層と、当該表面導電層が積層された絶縁層と、を有する基板を備える、請求項２ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
　前記第４端子のうち少なくとも前記第２方向における前記一方側の先端部は、前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子それぞれの前記第１方向における前記一方側の先端部よりも、前記第１方向において前記基部の前記表面が向く側に偏倚している、請求項２ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
　前記第１端子、前記第２端子および前記第４端子は、前記第２方向の一方側に配置され、且つ記第１方向および前記第２方向のいずれにも直角である第３方向において互いに離間して配置されており、
　前記第３端子は、前記第２方向の他方側に配置されており、
　前記ゲート電極は前記第１端子に導通しており、前記ソース電極は前記第２端子に導通しており、前記ドレイン電極は前記第３端子に導通している、請求項１に記載の半導体装置。
　前記温度検出用ダイオードは第２電極を有し、
　前記第２電極は、前記第２端子に導通している、請求項１５に記載の半導体装置。
　前記第２方向の前記一方側に延出する第５端子を備え、
　前記温度検出用ダイオードは第２電極を有し、
　前記第２電極は、前記第５端子に導通している、請求項１５に記載の半導体装置。
　前記基部および前記第３端子を含むリードフレームを備え、
　前記第３端子は、前記基部から前記第２方向の前記他方側に延出する、請求項１５ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
　前記基部、前記第１ないし第４端子の一部ずつおよび前記スイッチング素子を覆う封止樹脂を備える、請求項１ないし１８のいずれかに記載の半導体装置。
　前記スイッチング素子は、ＳｉＣスイッチング素子である、請求項１ないし１９のいずれかに記載の半導体装置。