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WO2021205994A1 - 基板処理方法、及び基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法、及び基板処理装置 Download PDF

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WO2021205994A1
WO2021205994A1 PCT/JP2021/014232 JP2021014232W WO2021205994A1 WO 2021205994 A1 WO2021205994 A1 WO 2021205994A1 JP 2021014232 W JP2021014232 W JP 2021014232W WO 2021205994 A1 WO2021205994 A1 WO 2021205994A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
pure water
nozzle
chemical solution
cleaning film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2021/014232
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
諒 山本
誠也 藤本
剛資 水野
博史 竹口
貴士 藪田
山下　敦
義謙 池田
英一郎 岡本
竜太 五月女
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to CN202180025344.6A priority Critical patent/CN115349163B/zh
Priority to JP2022514449A priority patent/JP7199602B2/ja
Priority to KR1020227038206A priority patent/KR102583543B1/ko
Publication of WO2021205994A1 publication Critical patent/WO2021205994A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • H10P70/56—
    • H10P52/00—
    • H10P70/20—
    • H10P72/0408—
    • H10P72/0414—
    • H10P72/7624—

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.
  • a chemical solution and a rinse solution are supplied to the lower surface of the substrate in this order while the substrate is held horizontally and rotated.
  • a fluid supply pipe including a plurality of nozzles is arranged directly below the center of the lower surface of the substrate.
  • the fluid supply pipe is inserted inside the rotating shaft of the holding portion that holds the substrate horizontally, and is installed so as not to rotate even if the rotating shaft rotates.
  • the fluid supply pipe supplies a chemical solution, a rinse solution, nitrogen gas, or the like to the lower surface of the substrate.
  • One aspect of the present disclosure provides a technique for cleaning a nozzle unit arranged to face the center of the lower surface of a substrate.
  • the substrate processing method has the following (A) to (C).
  • the nozzle unit arranged to face the center of the lower surface of the substrate can be cleaned.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a substrate processing method according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of S101 of FIG.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of S102 of FIG.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of S103 of FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of S104 of FIG.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of S105 of FIG.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of S106 of FIG.
  • FIG. 9 is a diagram showing an example of S107 of FIG.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of S108 of FIG.
  • FIG. 11 is a diagram showing a substrate processing method according to a modified example.
  • FIG. 11 is a diagram showing a substrate processing method according to a modified example.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example of S106 of FIG.
  • FIG. 13 is a diagram showing an example of S107 of FIG.
  • FIG. 14 is a plan view showing a first example of the baffle plate.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the line XV-XV of FIG. 14, showing a state in which an organic solvent is supplied to the upper surface of the substrate.
  • FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view showing the baffle plate of FIG.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing a second example of the baffle plate.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a third example of the baffle plate.
  • the same or corresponding configurations may be designated by the same reference numerals and description thereof may be omitted.
  • the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction are perpendicular to each other.
  • the X-axis direction and the Y-axis direction are the horizontal direction, and the Z-axis direction is the vertical direction.
  • the substrate processing device 10 processes the substrate W.
  • the substrate W includes, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or the like.
  • the substrate W may be a glass substrate.
  • the substrate processing device 10 includes, for example, a holding unit 20, a rotating unit 30, a first liquid supply unit 40, a second liquid supply unit 50, a nozzle unit 60, a ring 62, a gutter 63, and a fluid supply unit.
  • a 70, a cup 80, and a control unit 90 are provided.
  • the holding unit 20 holds the substrate W horizontally.
  • the substrate W includes an upper surface Wa and a lower surface Wb.
  • the holding portion 20 has a base plate 21 that forms a space between the holding portion 20 and the lower surface Wb of the substrate W, and an opening / closing claw 22 that grips the peripheral edge of the substrate W.
  • the base plate 21 has a disk shape and is arranged horizontally.
  • a hole is formed in the center of the base plate 21, and the fluid supply shaft 71 of the fluid supply unit 70 is arranged in the hole.
  • a plurality of opening / closing claws 22 are arranged at intervals along the peripheral edge of the base plate 21.
  • the rotating unit 30 rotates the holding unit 20.
  • the rotating portion 30 is, for example, a rotating shaft 31 extending downward from the center of the base plate 21 of the holding portion 20, a rotating motor 32 for rotating the rotating shaft 31, and a belt for transmitting the rotational driving force of the rotating motor 32 to the rotating shaft 31. 33 and.
  • the rotating shaft 31 has a cylindrical shape, and a fluid supply shaft 71 is arranged inside the rotating shaft 31. The fluid supply shaft 71 is fixed and does not rotate with the rotating shaft 31.
  • the first liquid supply unit 40 supplies the liquid to the upper surface Wa of the substrate W held by the holding unit 20.
  • the first liquid supply unit 40 has, for example, a nozzle 41 for discharging the liquid, a moving mechanism 42 for moving the nozzle 41 in the radial direction of the substrate W, and a supply line 43 for supplying the liquid to the nozzle 41. ..
  • the nozzle 41 is provided above the holding portion 20 and discharges the liquid downward.
  • the moving mechanism 42 has, for example, a swivel arm 42a for holding the nozzle 41 and a swivel mechanism 42b for swiveling the swivel arm 42a.
  • the swivel mechanism 42b may also serve as a mechanism for raising and lowering the swivel arm 42a.
  • the swivel arm 42a is arranged horizontally, holds the nozzle 41 at one end in the longitudinal direction, and is swiveled around a swivel shaft extending downward from the other end in the longitudinal direction.
  • the moving mechanism 42 may have a guide rail and a linear motion mechanism instead of the swivel arm 42a and the swivel mechanism 42b.
  • the guide rails are arranged horizontally, and a linear motion mechanism moves the nozzle 41 along the guide rails.
  • the supply line 43 includes, for example, a common line 43a and a plurality of individual lines 43b connected to the common line 43a.
  • the individual line 43b is provided for each type of liquid.
  • Examples of the type of liquid include a first chemical solution L1, a second chemical solution L2, and pure water L3.
  • One of the first chemical solution L1 and the second chemical solution L2 is acidic, and the other is alkaline.
  • the acidic chemical solution is, for example, DHF (dilute hydrofluoric acid) or the like.
  • the alkaline chemical solution is, for example, SC1 (an aqueous solution containing hydrogen peroxide and ammonium hydroxide) or the like.
  • Pure water L3 is, for example, DIW (deionized water).
  • An on-off valve 45 for opening and closing the flow path of the liquid and a flow rate controller 46 for controlling the flow rate of the liquid are provided in the middle of the individual line 43b.
  • the first chemical solution L1, the second chemical solution L2, and the pure water L3 are discharged from one nozzle 41 in FIG. 1, but may be discharged from different nozzles 41.
  • a supply line 43 is provided for each nozzle 41.
  • the second liquid supply unit 50 supplies the liquid to the upper surface Wa of the substrate W held by the holding unit 20, similarly to the first liquid supply unit 40.
  • the second liquid supply unit 50 includes, for example, a nozzle 51 for discharging the liquid, a moving mechanism 52 for moving the nozzle 51 in the radial direction of the substrate W, and a supply line 53 for supplying the liquid to the nozzle 51. ..
  • the nozzle 51 is provided above the holding portion 20 and discharges the liquid downward. The nozzle 51 of the second liquid supply unit 50 and the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40 are moved independently.
  • the moving mechanism 52 has, for example, a swivel arm 52a for holding the nozzle 51 and a swivel mechanism 52b for swiveling the swivel arm 52a.
  • the swivel mechanism 52b may also serve as a mechanism for raising and lowering the swivel arm 52a.
  • the swivel arm 52a is arranged horizontally, holds the nozzle 51 at one end in the longitudinal direction, and is swiveled around a swivel shaft extending downward from the other end in the longitudinal direction.
  • the moving mechanism 52 may have a guide rail and a linear motion mechanism instead of the swivel arm 52a and the swivel mechanism 52b.
  • the guide rails are arranged horizontally, and a linear motion mechanism moves the nozzle 51 along the guide rails.
  • the supply line 53 supplies the organic solvent L4 such as IPA to the nozzle 51.
  • An on-off valve 55 for opening and closing the flow path of the organic solvent L4 and a flow rate controller 56 for controlling the flow rate of the organic solvent L4 are provided in the middle of the supply line 53.
  • the organic solvent L4 a solvent having a lower surface tension than that of pure water L3 is used.
  • the substrate W can be dried after replacing the liquid film on the upper surface Wa of the substrate W with the liquid film of the organic solvent L4 from the liquid film of pure water L3. When the substrate W is dried, it is possible to suppress the collapse of the uneven pattern due to surface tension.
  • the uneven pattern is formed in advance on the upper surface Wa of the substrate W.
  • the uneven pattern may not be formed in advance on the lower surface Wb of the substrate W. Therefore, the organic solvent L4 may be supplied to the upper surface Wa of the substrate W and may not be supplied to the lower surface Wb of the substrate W.
  • the liquid film on the upper surface Wa of the substrate W is replaced with the liquid film of the organic solvent L4 from the liquid film of the pure water L3, the liquid film of the pure water L3 is not interrupted.
  • the supply position and the supply position of the organic solvent L4 are moved independently. Specifically, the supply position of the pure water L3 is moved outward in the radial direction of the substrate W while the supply position of the organic solvent L4 is fixed at the center of the upper surface Wa of the substrate W. Therefore, the second liquid supply unit 50 and the first liquid supply unit 40 are provided separately.
  • the supply position of the pure water L3 may be set to the center of the upper surface Wa of the substrate W while the supply position of the organic solvent L4 is fixed to the center of the upper surface Wa of the substrate W. It may not be necessary to move it radially outward.
  • the second liquid supply unit 50 may be omitted, and the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40 may discharge the organic solvent L4.
  • the nozzle unit 60 includes a plurality of nozzles 61A, 61B, and 61C arranged to face each other in the center of the lower surface of the substrate W held by the holding portion 20.
  • the center of the lower surface is, for example, a region within 50 mm from the center of the lower surface.
  • the plurality of nozzles 61A, 61B, and 61C are formed on the upper surface of the nozzle unit 60, and each discharges a fluid upward.
  • the nozzle 61A discharges, for example, the first chemical solution L1, the second chemical solution L2, and the pure water L3 upward.
  • the nozzle 61B discharges pure water L3 upward, for example.
  • the nozzle 61C discharges a gas such as N 2 gas upward.
  • a ring 62 surrounding a plurality of nozzles 61A, 61B, 61C is provided on the upper surface of the nozzle unit 60.
  • the ring 62 projects upward from the peripheral edge of the upper surface of the nozzle unit 60 and stores pure water L3 inside.
  • the ring 62 includes, for example, an inclined portion 62a that inclines outward in the radial direction of the substrate W so as to go vertically upward from the peripheral edge of the upper surface of the nozzle unit 60, and a vertical portion 62b that extends directly below from the upper end of the inclined portion 62a. ..
  • the nozzle unit 60 is arranged inside the ring-shaped gutter 63.
  • the gutter 63 stores the pure water L3 that overflows from the ring 62.
  • the gutter 63 includes an inner wall 63a surrounding the nozzle unit 60, an outer wall 63b arranged outside the inner wall 63a, a groove 63c formed between the inner wall 63a and the outer wall 63b, and a bottom wall 63d forming the bottom of the groove 63c. And, including.
  • the lower end of the vertical portion 62b of the ring 62 is inserted into the groove 63c of the gutter 63.
  • the pure water L3 flowing down along the vertical portion 62b is temporarily stored in the groove 63c of the gutter 63 and overflows to the outside from the outer wall 63b of the gutter 63.
  • gas such as N 2 gas is supplied between the inner wall 63a and the nozzle unit 60 of the trough 63.
  • the fluid supply unit 70 supplies the first chemical solution L1, the second chemical solution L2, pure water L3, and gas to the nozzle unit 60.
  • the fluid supply unit 70 has a fluid supply shaft 71 in which the nozzle unit 60 is provided at the upper end.
  • the fluid supply shaft 71 is arranged inside the rotating shaft 31 and is not rotated together with the rotating shaft 31.
  • the fluid supply shaft 71 is provided with a plurality of supply lines 72A, 72B, 72C connected to the plurality of nozzles 61A, 61B, 61C.
  • the supply line 72A is connected to the nozzle 61A, and supplies the first chemical solution L1, the second chemical solution L2, and pure water L3 to the nozzle 61A.
  • the supply line 72A includes, for example, a common line 72Aa and a plurality of individual lines 72Ab connected to the common line 72Aa.
  • the individual line 72Ab is provided for each type of liquid.
  • an on-off valve 75A for opening and closing the flow path of the first chemical solution L1 and the like, and a flow rate controller 76A for controlling the flow rate of the first chemical solution L1 and the like are provided.
  • the supply line 72B is connected to the nozzle 61B and supplies pure water L3 to the nozzle 61B.
  • an on-off valve 75B that opens and closes the flow path of the pure water L3, a flow rate controller 76B that controls the flow rate of the pure water L3, and a temperature controller 77B that controls the temperature of the pure water L3.
  • the temperature controller 77B includes, for example, a heater that heats pure water L3.
  • the supply line 72C is connected to the nozzle 61C and supplies a gas such as N 2 gas to the nozzle 61C.
  • An on-off valve 75C for opening and closing the gas flow path and a flow rate controller 76C for controlling the flow rate of the liquid are provided in the middle of the supply line 72C.
  • the cup 80 collects various liquids supplied to the substrate W.
  • the cup 80 includes a cylindrical portion 81, a bottom lid portion 82, and an inclined portion 83.
  • the cylindrical portion 81 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W and is arranged vertically.
  • the bottom lid portion 82 closes the opening at the lower end of the cylindrical portion 81.
  • the inclined portion 83 is formed over the entire circumference of the upper end of the cylindrical portion 81, and inclines upward toward the inside in the radial direction of the cylindrical portion 81.
  • the bottom lid portion 82 is provided with a drainage pipe 84 for discharging the liquid accumulated inside the cup 80 and an exhaust pipe 85 for discharging the gas accumulated inside the cup 80.
  • the control unit 90 controls the rotating unit 30, the first liquid supply unit 40, the second liquid supply unit 50, and the fluid supply unit 70.
  • the control unit 90 is, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 91 and a storage medium 92 such as a memory.
  • the storage medium 92 stores programs that control various processes executed by the substrate processing apparatus 10.
  • the control unit 90 controls the operation of the substrate processing device 10 by causing the CPU 91 to execute the program stored in the storage medium 92.
  • each step S101 to S108 shown in FIG. 2 and the like is carried out under the control of the control unit 90.
  • the substrate W is held horizontally and rotated about a vertical rotation shaft 31.
  • the nozzle 61C of the nozzle unit 60 continues to discharge gas.
  • the first chemical solution L1 is supplied to both the upper surface Wa and the lower surface Wb of the substrate W.
  • the first chemical solution L1 is supplied from the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40 to the center of the upper surface of the substrate W, and is wetted and spread over the entire upper surface by centrifugal force to process the entire upper surface.
  • the first chemical solution L1 is supplied from the nozzle 61A of the nozzle unit 60 to the center of the lower surface of the substrate W, and is wetted and spread over the entire lower surface by centrifugal force to process the entire lower surface.
  • step S101 the first chemical solution L1 scatters due to collision with the lower surface Wb of the substrate W to form droplets.
  • the droplet adheres on the nozzle unit 60.
  • step S102 pure water L3 is supplied to both the upper surface Wa and the lower surface Wb of the substrate W, and the liquid film of the first chemical solution L1 formed in S101 is made of pure water L3. Replace with a liquid film.
  • the pure water L3 is supplied from the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40 to the center of the upper surface of the substrate W, wets and spreads over the entire upper surface by centrifugal force, flushes the first chemical solution L1 remaining on the upper surface Wa, and the pure water L3 is applied to the upper surface Wa. Form a liquid film of.
  • the pure water L3 is supplied from the nozzle 61A of the nozzle unit 60 to the center of the lower surface of the substrate W, wets and spreads over the entire lower surface by centrifugal force, and the first chemical solution L1 remaining on the lower surface Wb is washed away, and the pure water L3 is applied to the lower surface Wb. Form a liquid film.
  • step S103 the second chemical solution L2 is supplied to both the upper surface Wa and the lower surface Wb of the substrate W, and the liquid film of pure water L3 formed in S102 is used as the second chemical solution.
  • the second chemical solution L2 is supplied from the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40 to the center of the upper surface of the substrate W, and is wetted and spread over the entire upper surface by centrifugal force to process the entire upper surface.
  • the second chemical solution L2 is supplied from the nozzle 61A of the nozzle unit 60 to the center of the lower surface of the substrate W, and is wetted and spread over the entire lower surface by centrifugal force to process the entire lower surface.
  • step S103 the second chemical solution L2 scatters due to collision with the lower surface Wb of the substrate W to form droplets.
  • the droplet adheres on the nozzle unit 60.
  • a neutralization reaction between the first chemical solution L1 and the second chemical solution L2 occurs on the nozzle unit 60, and crystals are precipitated.
  • the precipitated crystals form particles P.
  • step S104 pure water L3 is supplied to both the upper surface Wa and the lower surface Wb of the substrate W, and the liquid film of the second chemical solution L2 formed in S103 is made of pure water L3. Replace with a liquid film.
  • the pure water L3 is supplied from the nozzle 41 of the first liquid supply unit 40 to the center of the upper surface of the substrate W, wets and spreads over the entire upper surface by centrifugal force, flushes the second chemical solution L2 remaining on the upper surface Wa, and the pure water L3 is flushed to the upper surface Wa.
  • the pure water L3 is supplied from the nozzle 61A of the nozzle unit 60 to the center of the lower surface of the substrate W, wets and spreads over the entire lower surface by centrifugal force, and the second chemical solution L2 remaining on the lower surface Wb is washed away, and the pure water L3 is applied to the lower surface Wb. Form a liquid film.
  • one nozzle 61B of the nozzle unit 60 discharges pure water L3, and a cleaning film F of pure water L3 is formed on the nozzle unit 60.
  • the cleaning film F covers all the nozzles 61A, 61B, and 61C of the nozzle unit 60.
  • the cleaning film F also covers the particles P and dissolves and removes the particles P. Therefore, the nozzle unit 60 can be cleaned.
  • the nozzle unit 60 is arranged so as to face the center of the lower surface of the substrate W and is arranged in the vicinity of the lower surface Wb of the substrate W. Therefore, when particles P are generated on the upper surface of the nozzle unit 60, the generated particles P can be scattered and contaminate the center of the lower surface of the substrate W. According to this embodiment, the particles P generated on the upper surface of the nozzle unit 60 can be removed, so that the cleanliness of the substrate W can be improved.
  • a ring 62 surrounding a plurality of nozzles 61A, 61B, 61C is provided on the upper surface of the nozzle unit 60.
  • the ring 62 stores pure water L3 inside. Pure water L3 can be collected inside the ring 62, and the cleaning film F can reliably cover all the nozzles 61A, 61B, and 61C of the nozzle unit 60.
  • the ring 62 is particularly effective when the heights of the plurality of nozzles 61A, 61B, and 61C are different and a step is formed.
  • the ring 62 projects above all nozzles 61A, 61B, 61C. If the cohesive force of pure water L3 is used, the cleaning film F can be formed without the ring 62.
  • the nozzle 61B may continue to discharge the pure water L3, and the pure water L3 may overflow from the inside of the ring 62 to the outside.
  • the components eluted from the particles P into the pure water L3 also flow out from the inside of the ring 62 together with the pure water L3. Therefore, the pure water concentration of the cleaning film F accumulated inside the ring 62 can be maintained high, and the dissolution rate of the particles P can be maintained high.
  • the cleaning membrane F may be formed of pure water L3 whose temperature has been adjusted in advance.
  • the pure water L3 is discharged from the nozzle 61B after the temperature is adjusted by the temperature controller 77B.
  • the temperature of pure water L3 is set higher than the freezing point and lower than the boiling point.
  • the temperature of the pure water L3 is adjusted so that the particles P can be dissolved efficiently, and preferably the temperature is adjusted to be higher than room temperature. If the pure water L3 is heated by the temperature controller 77B, the particles P can be efficiently dissolved.
  • a space S that separates the cleaning film F and the lower surface Wb of the substrate W is formed.
  • the space S is formed between the cleaning film F and the liquid film of pure water L3 formed on the lower surface Wb of the substrate W.
  • the space S can limit the movement of the particles P from the upper surface of the nozzle unit 60 to the lower surface Wb of the substrate W.
  • one nozzle 61A discharges pure water L3 so as to reach the lower surface Wb of the substrate W, it discharges pure water L3 at a flow rate of, for example, 800 ml / min to 1600 ml / min, preferably 1000 ml / min to 1400 ml / min. ..
  • another nozzle 61B discharges pure water L3 so as not to reach the lower surface Wb of the substrate W, it discharges pure water L3 at a flow rate of, for example, 250 ml / min to 500 ml / min, preferably 300 ml / min to 450 ml / min. do.
  • the nozzle 61B discharges pure water L3 at a flow rate lower than that of the nozzle 61A. After being discharged from the nozzle 61B, the pure water L3 flows laterally with almost no upward flow and covers all the nozzles 61A, 61B and 61C. It is possible to suppress the splashing of pure water L3.
  • nozzle 61A supplies pure water L3 to the lower surface Wb of the substrate W
  • another nozzle 61B forms a cleaning film F on the nozzle unit 60. That is, the nozzle unit 60 is washed while the pure water L3 removes the second chemical solution L2 remaining on the lower surface Wb of the substrate W. Cleaning of the nozzle unit 60 can be performed during the processing of the substrate W, and a decrease in throughput can be suppressed.
  • step S105 as shown in FIG. 7, the liquid film of pure water L3 is replaced with the liquid film of the organic solvent L4.
  • the supply position of pure water L3 is moved from the central position P0 to the first eccentric position P1, and the organic solvent L4 is supplied to the second eccentric position P2.
  • the second eccentric position P2 and the first eccentric position P1 are positions sandwiching the central position P0.
  • the center position P0 is the center of the upper surface Wa of the substrate W.
  • the supply position of the pure water L3 is moved from the first eccentric position P1 toward the direction opposite to the center position P0 (outward in the radial direction of the substrate W).
  • the supply position of the organic solvent L4 is moved from the second eccentric position P2 to the center position P0.
  • the supply position of the organic solvent L4 fixed at the center position P0 the supply position of the pure water L3 is moved until it reaches the peripheral edge of the substrate W.
  • the pure water L3 can be replenished in front of the organic solvent L4, and the liquid film can be suppressed from being interrupted.
  • step S105 the cleaning film F is sucked into the nozzle unit 60, and the cleaning film F is removed from above the nozzle unit 60.
  • the drying of the cleaning film F can be suppressed, and the generation of particles due to the residue of the cleaning film F can be suppressed.
  • the discharge line 72D is connected to the supply lines 72A and 72B.
  • An on-off valve 75D for opening and closing the flow path and a flow rate controller 76D for controlling the flow rate are provided in the middle of the discharge line 72D.
  • the on-off valve 75D opens the flow path, the cleaning film F is sucked into the nozzles 61A and 61B by gravity.
  • step S106 the organic solvent L4 is supplied to the upper surface Wa of the substrate W.
  • the organic solvent L4 is supplied from the nozzle 51 of the second liquid supply unit 50 to the center of the upper surface of the substrate W, wets and spreads over the entire upper surface by centrifugal force, and the pure water L3 remaining on the upper surface Wa is washed away, and the organic solvent L4 is applied to the upper surface Wa. Form a liquid film.
  • step S107 as shown in FIG. 9, the supply position of the organic solvent L4 is moved from the center of the upper surface Wa of the substrate W to the peripheral edge.
  • An opening is formed in the center of the liquid film of the organic solvent L4, and the opening gradually expands from the center of the upper surface Wa of the substrate W toward the peripheral edge.
  • a gas such as N 2 gas may be supplied toward the opening edge of the liquid film of the organic solvent L4. The gas supply position moves following the supply position of the organic solvent L4.
  • step S108 as shown in FIG. 10, the substrate W is held horizontally and rotated to dry the substrate W.
  • a cleaning film F is formed on the nozzle unit 60 in step S104 in which pure water L3 is supplied to both the upper surface Wa and the lower surface Wb of the substrate W.
  • the cleaning film F is formed on the nozzle unit 60 in step S106 of supplying the organic solvent L4 to the upper surface Wa of the substrate W as shown in FIG.
  • the differences between the above-described embodiment and the present modification will be mainly described.
  • step S106 the organic solvent L4 is supplied to the upper surface Wa of the substrate W.
  • the organic solvent L4 is supplied from the nozzle 51 of the second liquid supply unit 50 to the center of the upper surface of the substrate W, wets and spreads over the entire upper surface by centrifugal force, and the pure water L3 remaining on the upper surface Wa is washed away, and the organic solvent L4 is applied to the upper surface Wa. Form a liquid film.
  • step S106 one nozzle 61B of the nozzle unit 60 discharges pure water L3, and a cleaning film F of pure water L3 is formed on the nozzle unit 60. Since the cleaning film F is formed in the same manner as in the above embodiment, the same effect as in the above embodiment can be obtained in this modified example. Further, the nozzle unit 60 can be washed during the processing of the substrate W, and the decrease in throughput can be suppressed.
  • step S107 as shown in FIG. 13, the supply position of the organic solvent L4 is moved from the center to the peripheral edge of the upper surface Wa of the substrate W.
  • An opening is formed in the center of the liquid film of the organic solvent L4, and the opening gradually expands from the center of the upper surface Wa of the substrate W toward the peripheral edge.
  • a gas such as N 2 gas may be supplied toward the opening edge of the liquid film of the organic solvent L4. The gas supply position moves following the supply position of the organic solvent L4.
  • step S107 the cleaning film F is sucked into the nozzle unit 60, and the cleaning film F is removed from above the nozzle unit 60.
  • the drying of the cleaning film F can be suppressed, and the generation of particles due to the residue of the cleaning film F can be suppressed.
  • the substrate processing apparatus 10 includes a baffle plate 64.
  • the baffle plate 64 is installed above the nozzle 61B forming the cleaning film F.
  • the nozzle 61B discharges pure water L3 and forms a cleaning film F of pure water L3 on the nozzle unit 60.
  • the cleaning film F covers all the nozzles 61A, 61B, and 61C of the nozzle unit 60.
  • a ring 62 surrounding a plurality of nozzles 61A, 61B, 61C is provided on the upper surface of the nozzle unit 60.
  • the ring 62 projects upward from the peripheral edge of the upper surface of the nozzle unit 60 and stores pure water L3 inside.
  • the ring 62 has, for example, a first inclined portion 62a that inclines outward in the radial direction of the substrate W as it goes vertically upward from the peripheral edge of the upper surface of the nozzle unit 60, and a substrate that inclines vertically downward from the upper end of the first inclined portion 62a. Includes a second inclined portion 62b that inclines outward in the radial direction of W.
  • the ring 62 further includes a cylindrical portion 62c that surrounds the outer peripheral surface of the nozzle unit 60. At the lower end of the cylindrical portion 62c, a flange portion 62d protruding inward of the cylindrical portion 62c is provided. A step is formed on the outer peripheral surface of the nozzle unit 60, and the flange portion 62d is brought into contact with the step. On the other hand, a first inclined portion 62a is provided at the upper end of the cylindrical portion 62c.
  • the nozzle unit 60 is arranged inside the ring-shaped gutter 63.
  • the gutter 63 stores the pure water L3 that overflows from the ring 62.
  • the gutter 63 includes an inner wall 63a surrounding the nozzle unit 60, an outer wall 63b arranged outside the inner wall 63a, a groove 63c formed between the inner wall 63a and the outer wall 63b, and a bottom wall 63d forming the bottom of the groove 63c. And, including.
  • gas such as N 2 gas is supplied between the inner wall 63a and the nozzle unit 60 of the trough 63.
  • the baffle plate 64 is installed below the substrate W held by the holding portion 20.
  • the baffle plate 64 is bridged, for example, to the ring 62.
  • the baffle plate 64 receives the pure water L3 discharged upward from the nozzle 61B and changes the direction of the pure water L3 from upward to sideways. It is possible to suppress the adhesion of pure water L3 to the lower surface Wb of the substrate W, and reduce the number of particles adhering to the lower surface Wb of the substrate W.
  • the nozzle 61B discharges pure water L3 in step S106 of supplying the organic solvent L4 to the upper surface Wa of the substrate W, for example.
  • the baffle plate 64 suppresses the adhesion of the pure water L3 to the lower surface Wb of the substrate W, thereby suppressing the temperature change of the substrate W due to the adhesion of the pure water L3. As a result, the number of particles adhering to the lower surface Wb of the substrate W can be reduced.
  • the nozzle 61B uses pure water L3 to collect the organic solvent L4 recovered in the cup 80 (see FIG. 1) by discharging pure water L3 in step S106 of supplying the organic solvent L4 to the upper surface Wa of the substrate W. Dilute.
  • the pure water L3 After being stored inside the ring 62, the pure water L3 overflows to the outside of the ring 62 and flows on the rotating base plate 21.
  • the pure water L3 flows outward in the radial direction of the base plate 21 by centrifugal force, mixes with the organic solvent L4 when shaken off from the base plate 21, and dilutes the organic solvent L4.
  • the organic solvent L4 is recovered in the cup 80 in a state of being diluted with pure water L3, and is discharged to the outside of the cup 80 via the drainage pipe 84 without staying inside the cup 80. Therefore, the volatilization of the organic solvent L4 can be suppressed, and the concentration of the organic solvent L4 contained in the exhaust gas can be reduced. This effect is more remarkable as the discharge amount of pure water L3 is larger. Even if the discharge amount of pure water L3 is increased, the adhesion of pure water L3 to the substrate W can be suppressed by the baffle plate 64.
  • the baffle plate 64 has, for example, a triangular columnar shape and includes a pair of tapered surfaces 64a and 64b (see FIG. 16) that taper upward.
  • the pair of tapered surfaces 64a and 64b have an inverted V-shaped cross-sectional shape.
  • the height of the lower surface 64c (see FIG. 16) of the baffle plate 64 is lower than the height of the upper end of the ring 62.
  • the baffle plate 64 repels the pure water L3 inside the ring 62, and the pure water L3 can be reliably stored inside the ring 62. More preferably, the height of the upper end 64d (see FIG. 16) of the baffle plate 64 is lower than the height of the upper end of the ring 62.
  • the baffle plate 64 can be accommodated inside the ring 62, and the interference between the baffle plate 64 and the substrate W can be suppressed.
  • the lower surface 64c of the baffle plate 64 may be flat as shown in FIG. 16, but may include a conical recess 64e facing the nozzle 16B as shown in FIG. A downward flow can be formed by the recess 64e, and pure water L3 can be reliably stored inside the ring 62.
  • through holes 64f and 64g may be formed laterally penetrating the baffle plate 64 from the recess 64d to the tapered surfaces 64a and 64b.
  • the through holes 64g and 64g can form a lateral flow, and particles adhering to the tapered surfaces 64a and 64b can be washed away.
  • the cleaning film F is formed after the first chemical solution L1 and the second chemical solution L2 are sequentially supplied to the lower surface Wb of the substrate W.
  • the cleaning film F may be formed between the supply of the first chemical solution L1 and the supply of the second chemical solution L2, for example, in step S102.
  • both the first chemical solution L1 and the second chemical solution L2 are supplied to the lower surface Wb of the substrate W, but only the first chemical solution L1 may be supplied.
  • the droplets of the first chemical solution L1 adhering on the nozzle unit 60 can be removed by the cleaning film F.
  • particles may be generated by the residue. If the droplets of the first chemical solution L1 are removed by the cleaning film F before the droplets of the first chemical solution L1 are dried, the generation of particles can be suppressed.

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Abstract

基板処理方法は、下記（Ａ）～（Ｃ）を有する。（Ａ）基板を水平に保持すると共に回転した状態で、前記基板の下面中央に対向配置される複数のノズルを含むノズルユニットから、前記基板の下面に、酸性又はアルカリ性の第１薬液と、純水と、をこの順番で供給する。（Ｂ）前記基板を水平に保持すると共に回転し、前記基板を乾燥させる。（Ｃ）前記第１薬液の供給後、前記基板の乾燥前に、前記ノズルユニットの一の前記ノズルから純水を吐出し、前記ノズルユニットの全ての前記ノズルを覆う純水の洗浄膜を前記ノズルユニットの上に形成する。

Description

基板処理方法、及び基板処理装置
　本開示は、基板処理方法、及び基板処理装置に関する。
　特許文献１に記載の液処理方法は、基板を水平に保持すると共に回転した状態で、基板の下面に薬液と、リンス液と、をこの順番で供給する。基板の下面中央の真下には、複数のノズルを含む流体供給管が配置される。流体供給管は、基板を水平に保持する保持部の回転軸の内部に挿入されており、回転軸が回転しても回転しないように設置されている。流体供給管は、基板の下面に、薬液と、リンス液と、窒素ガス等を供給する。
日本国特開２０１４－１３０９３１号公報
　本開示の一態様は、基板の下面中央に対向配置されるノズルユニットを洗浄する、技術を提供する。
　本開示の一態様に係る基板処理方法は、下記（Ａ）～（Ｃ）を有する。（Ａ）基板を水平に保持すると共に回転した状態で、前記基板の下面中央に対向配置される複数のノズルを含むノズルユニットから、前記基板の下面に、酸性又はアルカリ性の第１薬液と、純水と、をこの順番で供給する。（Ｂ）前記基板を水平に保持すると共に回転し、前記基板を乾燥させる。（Ｃ）前記第１薬液の供給後、前記基板の乾燥前に、前記ノズルユニットの一の前記ノズルから純水を吐出し、前記ノズルユニットの全ての前記ノズルを覆う純水の洗浄膜を前記ノズルユニットの上に形成する。
　本開示の一態様によれば、基板の下面中央に対向配置されるノズルユニットを洗浄できる。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。 図２は、一実施形態に係る基板処理方法を示す図である。 図３は、図２のＳ１０１の一例を示す図である。 図４は、図２のＳ１０２の一例を示す図である。 図５は、図２のＳ１０３の一例を示す図である。 図６は、図２のＳ１０４の一例を示す図である。 図７は、図２のＳ１０５の一例を示す図である。 図８は、図２のＳ１０６の一例を示す図である。 図９は、図２のＳ１０７の一例を示す図である。 図１０は、図２のＳ１０８の一例を示す図である。 図１１は、変形例に係る基板処理方法を示す図である。 図１２は、図１１のＳ１０６の一例を示す図である。 図１３は、図１１のＳ１０７の一例を示す図である。 図１４は、バッフルプレートの第１例を示す平面図である。 図１５は、図１４のＸＶ-ＸＶ線に沿った断面図であって、基板の上面に有機溶剤が供給された状態を示す断面図である。 図１６は、図１５のバッフルプレートを拡大して示す断面図である。 図１７は、バッフルプレートの第２例を示す断面図である。 図１８は、バッフルプレートの第３例を示す断面図である。
　以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
　先ず、図１を参照して、基板処理装置１０について説明する。基板処理装置１０は、基板Ｗを処理する。基板Ｗは、例えば、シリコンウェハ又は化合物半導体ウェハなどを含む。なお、基板Ｗは、ガラス基板であってもよい。基板処理装置１０は、例えば、保持部２０と、回転部３０と、第１液供給部４０と、第２液供給部５０と、ノズルユニット６０と、リング６２と、樋６３と、流体供給ユニット７０と、カップ８０と、制御部９０と、を備える。
　保持部２０は、基板Ｗを水平に保持する。基板Ｗは、上面Ｗａと、下面Ｗｂと、を含む。保持部２０は、基板Ｗの下面Ｗｂとの間に空間を形成するベースプレート２１と、基板Ｗの周縁を掴む開閉爪２２と、を有する。ベースプレート２１は、円盤状であって、水平に配置される。ベースプレート２１の中央には穴が形成され、その穴には流体供給ユニット７０の流体供給軸７１が配置される。開閉爪２２は、ベースプレート２１の周縁に沿って間隔をおいて複数配置される。
　回転部３０は、保持部２０を回転させる。回転部３０は、例えば、保持部２０のベースプレート２１の中央から下方に延びる回転軸３１と、回転軸３１を回転させる回転モータ３２と、回転モータ３２の回転駆動力を回転軸３１に伝達するベルト３３と、を含む。回転軸３１は筒状であって、回転軸３１の内部には流体供給軸７１が配置される。流体供給軸７１は、固定されており、回転軸３１と共には回転されない。
　第１液供給部４０は、保持部２０に保持された基板Ｗの上面Ｗａに対して、液体を供給する。第１液供給部４０は、例えば、液体を吐出するノズル４１と、ノズル４１を基板Ｗの径方向に移動させる移動機構４２と、ノズル４１に対して液体を供給する供給ライン４３と、を有する。ノズル４１は、保持部２０の上方に設けられ、下向きに液体を吐出する。
　移動機構４２は、例えば、ノズル４１を保持する旋回アーム４２ａと、旋回アーム４２ａを旋回させる旋回機構４２ｂと、を有する。旋回機構４２ｂは、旋回アーム４２ａを昇降させる機構を兼ねてもよい。旋回アーム４２ａは、水平に配置され、その長手方向一端部にてノズル４１を保持し、その長手方向他端部から下方に延びる旋回軸を中心に旋回させられる。なお、移動機構４２は、旋回アーム４２ａと旋回機構４２ｂとの代わりに、ガイドレールと直動機構とを有してもよい。ガイドレールは水平に配置され、直動機構がガイドレールに沿ってノズル４１を移動させる。
　供給ライン４３は、例えば、共通ライン４３ａと、共通ライン４３ａに接続される複数の個別ライン４３ｂと、を含む。個別ライン４３ｂは、液体の種類毎に設けられる。液体の種類としては、例えば、第１薬液Ｌ１と、第２薬液Ｌ２と、純水Ｌ３とが挙げられる。第１薬液Ｌ１と第２薬液Ｌ２とは、一方が酸性であり、他方がアルカリ性である。酸性の薬液は、例えば、ＤＨＦ（希フッ酸）等である。アルカリ性の薬液は、例えば、ＳＣ１（過酸化水素と水酸化アンモニウムを含む水溶液）等である。純水Ｌ３は、例えばＤＩＷ（脱イオン水）である。個別ライン４３ｂの途中には、液体の流路を開閉する開閉弁４５と、液体の流量を制御する流量制御器４６とが設けられる。
　なお、第１薬液Ｌ１と、第２薬液Ｌ２と、純水Ｌ３とは、図１では１つのノズル４１から吐出されるが、異なるノズル４１から吐出されてもよい。ノズル４１の数が複数である場合、ノズル４１ごとに供給ライン４３が設けられる。
　第２液供給部５０は、第１液供給部４０と同様に、保持部２０に保持された基板Ｗの上面Ｗａに対して、液体を供給する。第２液供給部５０は、例えば、液体を吐出するノズル５１と、ノズル５１を基板Ｗの径方向に移動させる移動機構５２と、ノズル５１に対して液体を供給する供給ライン５３と、を有する。ノズル５１は、保持部２０の上方に設けられ、下向きに液体を吐出する。第２液供給部５０のノズル５１と、第１液供給部４０のノズル４１とは、独立に移動させられる。
　移動機構５２は、例えば、ノズル５１を保持する旋回アーム５２ａと、旋回アーム５２ａを旋回させる旋回機構５２ｂと、を有する。旋回機構５２ｂは、旋回アーム５２ａを昇降させる機構を兼ねてもよい。旋回アーム５２ａは、水平に配置され、その長手方向一端部にてノズル５１を保持し、その長手方向他端部から下方に延びる旋回軸を中心に旋回させられる。なお、移動機構５２は、旋回アーム５２ａと旋回機構５２ｂとの代わりに、ガイドレールと直動機構とを有してもよい。ガイドレールは水平に配置され、直動機構がガイドレールに沿ってノズル５１を移動させる。
　供給ライン５３は、ＩＰＡ等の有機溶剤Ｌ４を、ノズル５１に対して供給する。供給ライン５３の途中には、有機溶剤Ｌ４の流路を開閉する開閉弁５５と、有機溶剤Ｌ４の流量を制御する流量制御器５６とが設けられる。
　有機溶剤Ｌ４は、純水Ｌ３に比べて、低い表面張力を有するものが用いられる。基板Ｗの上面Ｗａの液膜を、純水Ｌ３の液膜から有機溶剤Ｌ４の液膜に置換したうえで、基板Ｗを乾燥できる。基板Ｗの乾燥の際に、表面張力による凹凸パターンの倒壊を抑制できる。
　凹凸パターンは、基板Ｗの上面Ｗａに予め形成される。凹凸パターンは、基板Ｗの下面Ｗｂには予め形成されてなくてもよい。従って、有機溶剤Ｌ４は、基板Ｗの上面Ｗａに供給されればよく、基板Ｗの下面Ｗｂには供給されなくてもよい。
　本実施形態では、後述するように、基板Ｗの上面Ｗａの液膜を純水Ｌ３の液膜から有機溶剤Ｌ４の液膜に置換する際に、液膜が途切れないように、純水Ｌ３の供給位置と有機溶剤Ｌ４の供給位置とを独立に移動させる。具体的には、有機溶剤Ｌ４の供給位置を基板Ｗの上面Ｗａの中心に固定した状態で、純水Ｌ３の供給位置を基板Ｗの径方向外方に移動させる。そのために、第２液供給部５０と、第１液供給部４０とは、別々に設けられる。
　但し、基板Ｗの凹凸パターンの寸法及び形状、基板Ｗの材質等によっては、有機溶剤Ｌ４の供給位置を基板Ｗの上面Ｗａの中心に固定した状態で、純水Ｌ３の供給位置を基板Ｗの径方向外方に移動させてなくてもよい場合がある。この場合、第２液供給部５０は無くてもよく、第１液供給部４０のノズル４１が有機溶剤Ｌ４を吐出してもよい。
　ノズルユニット６０は、図６等に示すように、保持部２０で保持された基板Ｗの下面中央に対向配置される複数のノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを含む。下面中央とは、例えば下面中心から５０ｍｍ以内の領域である。複数のノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃは、ノズルユニット６０の上面に形成され、それぞれ、上方に流体を吐出する。ノズル６１Ａは、例えば、第１薬液Ｌ１と、第２薬液Ｌ２と、純水Ｌ３と、を上方に吐出する。ノズル６１Ｂは、例えば、純水Ｌ３を上方に吐出する。ノズル６１Ｃは、例えばＮ２ガス等のガスを上方に吐出する。
　ノズルユニット６０の上面には、複数のノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを囲むリング６２が設けられる。リング６２は、ノズルユニット６０の上面の周縁から上方に突出し、内部に純水Ｌ３を溜める。リング６２は、例えば、ノズルユニット６０の上面の周縁から鉛直上方に向かうほど基板Ｗの径方向外方に傾斜する傾斜部６２ａと、傾斜部６２ａの上端から真下に延びる鉛直部６２ｂと、を含む。
　ノズルユニット６０は、リング状の樋６３の内側に配置される。樋６３は、リング６２からオーバーフローした純水Ｌ３を溜める。樋６３は、ノズルユニット６０を取り囲む内壁６３ａと、内壁６３ａの外側に配置される外壁６３ｂと、内壁６３ａと外壁６３ｂの間に形成される溝６３ｃと、溝６３ｃの底を形成する底壁６３ｄと、を含む。
　樋６３の溝６３ｃには、リング６２の鉛直部６２ｂの下端が挿入される。鉛直部６２ｂに沿って流れ落ちる純水Ｌ３は、樋６３の溝６３ｃに一時的に溜められ、樋６３の外壁６３ｂから外側にオーバーフローされる。純水Ｌ３が樋６３の内壁６３ａから内側にオーバーフローしないように、樋６３の内壁６３ａとノズルユニット６０との間にはＮ２ガスなどのガスが供給される。
　図１に示すように、流体供給ユニット７０は、ノズルユニット６０に対して、第１薬液Ｌ１と、第２薬液Ｌ２と、純水Ｌ３と、ガスと、を供給する。流体供給ユニット７０は、ノズルユニット６０が上端に設けられる流体供給軸７１を有する。流体供給軸７１は、回転軸３１の内部に配置され、回転軸３１と共には回転されない。流体供給軸７１には、複数のノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃに接続される複数の供給ライン７２Ａ、７２Ｂ、７２Ｃが設けられる。
　供給ライン７２Ａは、ノズル６１Ａに接続され、ノズル６１Ａに、第１薬液Ｌ１と、第２薬液Ｌ２と、純水Ｌ３と、を供給する。供給ライン７２Ａは、例えば、共通ライン７２Ａａと、共通ライン７２Ａａに接続される複数の個別ライン７２Ａｂと、を含む。個別ライン７２Ａｂは、液体の種類毎に設けられる。個別ライン７２Ａｂの途中には、第１薬液Ｌ１等の流路を開閉する開閉弁７５Ａと、及び第１薬液Ｌ１等の流量を制御する流量制御器７６Ａとが設けられる。
　同様に、供給ライン７２Ｂは、ノズル６１Ｂに接続され、ノズル６１Ｂに、純水Ｌ３を供給する。供給ライン７２Ｂの途中には、純水Ｌ３の流路を開閉する開閉弁７５Ｂと、純水Ｌ３の流量を制御する流量制御器７６Ｂと、純水Ｌ３の温度を調節する温調器７７Ｂと、が設けられる。温調器７７Ｂは、例えば純水Ｌ３を加熱するヒータを含む。なお、供給ライン７２Ｂの純水Ｌ３の供給源と、供給ライン７２Ａの純水Ｌ３の供給源とは、図１では共通のものが１つ設けられるが、別々のものが設けられてもよい。
　また、供給ライン７２Ｃは、ノズル６１Ｃに接続され、ノズル６１Ｃに、Ｎ２ガス等のガスを供給する。供給ライン７２Ｃの途中には、ガスの流路を開閉する開閉弁７５Ｃと、液体の流量を制御する流量制御器７６Ｃとが設けられる。
　カップ８０は、基板Ｗに対して供給された各種の液体を回収する。カップ８０は、円筒部８１と、底蓋部８２と、傾斜部８３と、を含む。円筒部８１は、基板Ｗの直径よりも大きい内径を有し、鉛直に配置される。底蓋部８２は、円筒部８１の下端の開口を塞ぐ。傾斜部８３は、円筒部８１の上端全周に亘って形成され、円筒部８１の径方向内側に向うほど上方に傾斜する。底蓋部８２には、カップ８０の内部に溜まった液体を排出する排液管８４と、カップ８０の内部に溜まった気体を排出する排気管８５とが設けられる。
　制御部９０は、回転部３０と、第１液供給部４０と、第２液供給部５０と、流体供給ユニット７０と、を制御する。制御部９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）９１と、メモリなどの記憶媒体９２と、を備える。記憶媒体９２には、基板処理装置１０において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理装置１０の動作を制御する。
　次に、図２等を参照して、基板処理方法について説明する。図２等に示す各ステップＳ１０１～Ｓ１０８は、制御部９０による制御下で実施される。各ステップＳ１０１～Ｓ１０８では、基板Ｗは、水平に保持され、且つ鉛直な回転軸３１を中心に回転させられる。また、各ステップＳ１０１～Ｓ１０８では、ノズルユニット６０のノズル６１Ｃがガスを吐出し続ける。
　先ず、ステップＳ１０１では、図３に示すように、基板Ｗの上面Ｗａと下面Ｗｂの両方に、第１薬液Ｌ１を供給する。第１薬液Ｌ１は、第１液供給部４０のノズル４１から基板Ｗの上面中央に供給され、遠心力によって上面全体に濡れ広がり、上面全体を処理する。また、第１薬液Ｌ１は、ノズルユニット６０のノズル６１Ａから基板Ｗの下面中央に供給され、遠心力によって下面全体に濡れ広がり、下面全体を処理する。
　上記ステップＳ１０１では、第１薬液Ｌ１は、基板Ｗの下面Ｗｂとの衝突によって飛び散り、液滴を形成する。その液滴が、ノズルユニット６０の上に付着する。
　次に、ステップＳ１０２では、図４に示すように、基板Ｗの上面Ｗａと下面Ｗｂの両方に純水Ｌ３を供給し、上記Ｓ１０１で形成された第１薬液Ｌ１の液膜を純水Ｌ３の液膜に置換する。純水Ｌ３は、第１液供給部４０のノズル４１から基板Ｗの上面中央に供給され、遠心力によって上面全体に濡れ広がり、上面Ｗａに残る第１薬液Ｌ１を洗い流し、上面Ｗａに純水Ｌ３の液膜を形成する。また、純水Ｌ３は、ノズルユニット６０のノズル６１Ａから基板Ｗの下面中央に供給され、遠心力によって下面全体に濡れ広がり、下面Ｗｂに残る第１薬液Ｌ１を洗い流し、下面Ｗｂに純水Ｌ３の液膜を形成する。
　次に、ステップＳ１０３では、図５に示すように、基板Ｗの上面Ｗａと下面Ｗｂの両方に、第２薬液Ｌ２を供給し、上記Ｓ１０２で形成された純水Ｌ３の液膜を第２薬液Ｌ２の液膜に置換する。第２薬液Ｌ２は、第１液供給部４０のノズル４１から基板Ｗの上面中央に供給され、遠心力によって上面全体に濡れ広がり、上面全体を処理する。また、第２薬液Ｌ２は、ノズルユニット６０のノズル６１Ａから基板Ｗの下面中央に供給され、遠心力によって下面全体に濡れ広がり、下面全体を処理する。
　上記ステップＳ１０３では、第２薬液Ｌ２は、基板Ｗの下面Ｗｂとの衝突によって飛び散り、液滴を形成する。その液滴が、ノズルユニット６０の上に付着する。その結果、ノズルユニット６０の上で、第１薬液Ｌ１と第２薬液Ｌ２との中和反応が生じ、結晶が析出する。析出した結晶が、パーティクルＰを形成する。
　次に、ステップＳ１０４では、図６に示すように、基板Ｗの上面Ｗａと下面Ｗｂの両方に純水Ｌ３を供給し、上記Ｓ１０３で形成された第２薬液Ｌ２の液膜を純水Ｌ３の液膜に置換する。純水Ｌ３は、第１液供給部４０のノズル４１から基板Ｗの上面中央に供給され、遠心力によって上面全体に濡れ広がり、上面Ｗａに残る第２薬液Ｌ２を洗い流し、上面Ｗａに純水Ｌ３の液膜を形成する。また、純水Ｌ３は、ノズルユニット６０のノズル６１Ａから基板Ｗの下面中央に供給され、遠心力によって下面全体に濡れ広がり、下面Ｗｂに残る第２薬液Ｌ２を洗い流し、下面Ｗｂに純水Ｌ３の液膜を形成する。
　本実施形態では、上記ステップＳ１０４において、ノズルユニット６０の一のノズル６１Ｂが純水Ｌ３を吐出し、純水Ｌ３の洗浄膜Ｆをノズルユニット６０の上に形成する。洗浄膜Ｆは、ノズルユニット６０の全てのノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを覆う。洗浄膜Ｆは、パーティクルＰをも覆い、パーティクルＰを溶解して除去する。従って、ノズルユニット６０を洗浄できる。
　ノズルユニット６０は、基板Ｗの下面中央に対向配置され、基板Ｗの下面Ｗｂの近傍に配置される。そのため、ノズルユニット６０の上面にてパーティクルＰが生じると、生じたパーティクルＰが飛散し、基板Ｗの下面中央を汚染しうる。本実施形態によれば、ノズルユニット６０の上面に生じたパーティクルＰを除去できるので、基板Ｗの清浄度を向上できる。
　ノズルユニット６０の上面には、複数のノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを囲むリング６２が設けられる。リング６２は、その内部に純水Ｌ３を溜める。純水Ｌ３をリング６２の内部に集めることができ、洗浄膜Ｆによってノズルユニット６０の全てのノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを確実に覆うことができる。複数のノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃの高さが異なり、段差が形成される場合に、リング６２は特に有効である。リング６２は、全てのノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃよりも上方に突出する。なお、純水Ｌ３の凝集力を利用すれば、リング６２がなくても、洗浄膜Ｆの形成は可能である。
　洗浄膜Ｆの形成中に、ノズル６１Ｂが純水Ｌ３を吐出し続け、純水Ｌ３がリング６２の内部から外部にオーバーフローしてもよい。パーティクルＰから純水Ｌ３に溶出した成分も、純水Ｌ３と共にリング６２の内部から外部に流れ出る。それゆえ、リング６２の内部に溜まる洗浄膜Ｆの純水濃度を高く維持でき、パーティクルＰの溶解速度を高く維持できる。
　洗浄膜Ｆは、予め温調された純水Ｌ３で形成されてもよい。純水Ｌ３は、温調器７７Ｂによって温度調節された後、ノズル６１Ｂから吐出される。純水Ｌ３の温度は、凝固点よりも高く、且つ沸点よりも低く設定される。純水Ｌ３の温度は、パーティクルＰを効率的に溶解できるように調節され、好ましくは室温よりも高温に調節される。温調器７７Ｂで純水Ｌ３を加熱すれば、パーティクルＰを効率的に溶解できる。
　洗浄膜Ｆの形成中に、洗浄膜Ｆと、基板Ｗの下面Ｗｂとを隔てる空間Ｓが形成される。空間Ｓは、洗浄膜Ｆと、基板Ｗの下面Ｗｂに形成される純水Ｌ３の液膜との間に形成される。空間Ｓによって、パーティクルＰがノズルユニット６０の上面から基板Ｗの下面Ｗｂに移動するのを制限できる。
　一のノズル６１Ａは、基板Ｗの下面Ｗｂに届くように純水Ｌ３を吐出するので、例えば８００ｍｌ／ｍｉｎ～１６００ｍｌ／ｍｉｎ、好ましくは１０００ｍｌ／ｍｉｎ～１４００ｍｌ／ｍｉｎの流量で純水Ｌ３を吐出する。
　別のノズル６１Ｂは、基板Ｗの下面Ｗｂに届かないように純水Ｌ３を吐出するので、例えば２５０ｍｌ／ｍｉｎ～５００ｍｌ／ｍｉｎ、好ましくは３００ｍｌ／ｍｉｎ～４５０ｍｌ／ｍｉｎの流量で純水Ｌ３を吐出する。
　ノズル６１Ｂは、ノズル６１Ａよりも低い流量で純水Ｌ３を吐出する。純水Ｌ３は、ノズル６１Ｂから吐出された後、ほとんど上に流れることなく横に流れ、全てのノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを覆う。純水Ｌ３の液跳ねを抑制できる。
　一のノズル６１Ａが基板Ｗの下面Ｗｂに純水Ｌ３を供給する間に、別のノズル６１Ｂがノズルユニット６０の上に洗浄膜Ｆを形成する。つまり、純水Ｌ３が基板Ｗの下面Ｗｂに残る第２薬液Ｌ２を除去する間に、ノズルユニット６０が洗浄される。ノズルユニット６０の洗浄を基板Ｗの処理中に実施でき、スループットの低下を抑制できる。
　次に、ステップＳ１０５では、図７に示すように、純水Ｌ３の液膜を有機溶剤Ｌ４の液膜に置換する。純水Ｌ３の供給位置が中心位置Ｐ０から第１偏心位置Ｐ１まで移動され、有機溶剤Ｌ４が第２偏心位置Ｐ２に供給される。第２偏心位置Ｐ２と第１偏心位置Ｐ１とは、中心位置Ｐ０を挟んだ位置である。中心位置Ｐ０は、基板Ｗの上面Ｗａの中心である。
　その後、純水Ｌ３の供給位置が、第１偏心位置Ｐ１から、中心位置Ｐ０とは反対方向（基板Ｗの径方向外方）に向けて移動させられる。同時に、有機溶剤Ｌ４の供給位置が、第２偏心位置Ｐ２から中心位置Ｐ０まで移動させられる。
　その後、有機溶剤Ｌ４の供給位置が中心位置Ｐ０に固定された状態で、純水Ｌ３の供給位置が基板Ｗの周縁に達するまで移動させられる。有機溶剤Ｌ４が中心位置Ｐ０から径方向外方に広がる際に、有機溶剤Ｌ４の前方に純水Ｌ３を補給でき、液膜が途切れるのを抑制できる。
　本実施形態では、上記ステップＳ１０５において、洗浄膜Ｆをノズルユニット６０の内部に吸引し、洗浄膜Ｆをノズルユニット６０の上から除去する。洗浄膜Ｆの乾燥を抑制でき、洗浄膜Ｆの残渣によるパーティクルの発生を抑制できる。
　図１に示すように、供給ライン７２Ａ、７２Ｂには、排出ライン７２Ｄが接続される。排出ライン７２Ｄの途中には、流路を開閉する開閉弁７５Ｄと、流量を制御する流量制御器７６Ｄとが設けられる。開閉弁７５Ｄが流路を開放すると、洗浄膜Ｆが重力によってノズル６１Ａ、６１Ｂの内部に吸引される。
　次に、ステップＳ１０６では、図８に示すように、基板Ｗの上面Ｗａに、有機溶剤Ｌ４を供給する。有機溶剤Ｌ４は、第２液供給部５０のノズル５１から基板Ｗの上面中央に供給され、遠心力によって上面全体に濡れ広がり、上面Ｗａに残る純水Ｌ３を洗い流し、上面Ｗａに有機溶剤Ｌ４の液膜を形成する。
　次に、ステップＳ１０７では、図９に示すように、有機溶剤Ｌ４の供給位置が基板Ｗの上面Ｗａの中心から周縁まで移動される。有機溶剤Ｌ４の液膜の中心に開口が形成され、その開口が基板Ｗの上面Ｗａの中心から周縁に向けて徐々に広がる。有機溶剤Ｌ４の液膜の開口縁を押さえるべく、開口縁に向けてＮ２ガス等のガスが供給されてもよい。ガスの供給位置は、有機溶剤Ｌ４の供給位置に追従して移動する。
　最後に、ステップＳ１０８では、図１０に示すように、基板Ｗを水平に保持すると共に回転し、基板Ｗを乾燥させる。
　次に、図１１等を参照して、変形例に係る基板処理方法について説明する。上記実施形態では、図２に示すように基板Ｗの上面Ｗａと下面Ｗｂの両方に純水Ｌ３を供給するステップＳ１０４で、ノズルユニット６０の上に洗浄膜Ｆを形成する。一方、本変形例では、図１１に示すように基板Ｗの上面Ｗａに有機溶剤Ｌ４を供給するステップＳ１０６で、ノズルユニット６０の上に洗浄膜Ｆを形成する。以下、上記実施形態と本変形例との相違点に主に説明する。
　ステップＳ１０６では、図１２に示すように、基板Ｗの上面Ｗａに、有機溶剤Ｌ４を供給する。有機溶剤Ｌ４は、第２液供給部５０のノズル５１から基板Ｗの上面中央に供給され、遠心力によって上面全体に濡れ広がり、上面Ｗａに残る純水Ｌ３を洗い流し、上面Ｗａに有機溶剤Ｌ４の液膜を形成する。
　本変形例では、上記ステップＳ１０６において、ノズルユニット６０の一のノズル６１Ｂが純水Ｌ３を吐出し、純水Ｌ３の洗浄膜Ｆをノズルユニット６０の上に形成する。洗浄膜Ｆは上記実施形態と同様に形成されるので、本変形例においても上記実施形態と同様の効果が得られる。また、ノズルユニット６０の洗浄を基板Ｗの処理中に実施でき、スループットの低下を抑制できる。
　次に、ステップＳ１０７では、図１３に示すように、有機溶剤Ｌ４の供給位置が基板Ｗの上面Ｗａの中心から周縁まで移動される。有機溶剤Ｌ４の液膜の中心に開口が形成され、その開口が基板Ｗの上面Ｗａの中心から周縁に向けて徐々に広がる。有機溶剤Ｌ４の液膜の開口縁を押さえるべく、開口縁に向けてＮ２ガス等のガスが供給されてもよい。ガスの供給位置は、有機溶剤Ｌ４の供給位置に追従して移動する。
　本変形例では、上記ステップＳ１０７において、洗浄膜Ｆをノズルユニット６０の内部に吸引し、洗浄膜Ｆをノズルユニット６０の上から除去する。洗浄膜Ｆの乾燥を抑制でき、洗浄膜Ｆの残渣によるパーティクルの発生を抑制できる。
　次に、図１４～図１６を参照して、バッフルプレート６４の第１例について説明する。基板処理装置１０は、バッフルプレート６４を備える。図１４に示すように、バッフルプレート６４は、洗浄膜Ｆを形成するノズル６１Ｂよりも上方に設置される。ノズル６１Ｂは、純水Ｌ３を吐出し、純水Ｌ３の洗浄膜Ｆをノズルユニット６０の上に形成する。洗浄膜Ｆは、ノズルユニット６０の全てのノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを覆う。
　ノズルユニット６０の上面には、複数のノズル６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃを囲むリング６２が設けられる。リング６２は、ノズルユニット６０の上面の周縁から上方に突出し、内部に純水Ｌ３を溜める。リング６２は、例えば、ノズルユニット６０の上面の周縁から鉛直上方に向かうほど基板Ｗの径方向外方に傾斜する第１傾斜部６２ａと、第１傾斜部６２ａの上端から鉛直下方に向かうほど基板Ｗの径方向外方に傾斜する第２傾斜部６２ｂと、を含む。
　リング６２は、ノズルユニット６０の外周面を囲む円筒部６２ｃを更に含む。円筒部６２ｃの下端には、円筒部６２ｃの内側に突出するフランジ部６２ｄが設けられる。ノズルユニット６０の外周面には段差が形成されており、その段差にフランジ部６２ｄが当接される。一方、円筒部６２ｃの上端には、第１傾斜部６２ａが設けられる。
　ノズルユニット６０は、リング状の樋６３の内側に配置される。樋６３は、リング６２からオーバーフローした純水Ｌ３を溜める。樋６３は、ノズルユニット６０を取り囲む内壁６３ａと、内壁６３ａの外側に配置される外壁６３ｂと、内壁６３ａと外壁６３ｂの間に形成される溝６３ｃと、溝６３ｃの底を形成する底壁６３ｄと、を含む。純水Ｌ３が樋６３の内壁６３ａから内側にオーバーフローしないように、樋６３の内壁６３ａとノズルユニット６０との間にはＮ２ガスなどのガスが供給される。
　図１５に示すように、バッフルプレート６４は、保持部２０で保持された基板Ｗよりも下方に設置される。バッフルプレート６４は、例えば、リング６２に架け渡される。バッフルプレート６４は、ノズル６１Ｂから上向きに吐出した純水Ｌ３を受け止め、純水Ｌ３の向きを上向きから横向きに方向転換させる。基板Ｗの下面Ｗｂに純水Ｌ３が付着するのを抑制でき、基板Ｗの下面Ｗｂに付着するパーティクルの数を低減できる。
　ノズル６１Ｂは、例えば、基板Ｗの上面Ｗａに有機溶剤Ｌ４を供給するステップＳ１０６で、純水Ｌ３を吐出する。バッフルプレート６４は、基板Ｗの下面Ｗｂに対する純水Ｌ３の付着を抑制することで、純水Ｌ３の付着に起因する基板Ｗの温度変化を抑制する。その結果、基板Ｗの下面Ｗｂに付着するパーティクルの数を低減できる。
　また、ノズル６１Ｂは、基板Ｗの上面Ｗａに有機溶剤Ｌ４を供給するステップＳ１０６で、純水Ｌ３を吐出することで、カップ８０（図１参照）に回収される有機溶剤Ｌ４を純水Ｌ３で希釈する。純水Ｌ３は、リング６２の内部に溜められた後、リング６２の外部にあふれ出し、回転するベースプレート２１の上を流れる。純水Ｌ３は、遠心力によってベースプレート２１の径方向外方に流れ、ベースプレート２１から振り切られる際に有機溶剤Ｌ４と混ざり合い、有機溶剤Ｌ４を希釈する。
　有機溶剤Ｌ４は、純水Ｌ３によって希釈された状態で、カップ８０に回収され、カップ８０の内部に滞留することなく、排液管８４を介してカップ８０の外部に排出される。それゆえ、有機溶剤Ｌ４の揮発を抑制でき、排気ガスに含まれる有機溶剤Ｌ４の濃度を低減できる。この効果は、純水Ｌ３の吐出量が多いほど、顕著に得られる。純水Ｌ３の吐出量を増大しても、純水Ｌ３の基板Ｗへの付着をバッフルプレート６４によって抑制できる。
　図１５に示すように、バッフルプレート６４は、例えば三角柱状であり、上方に向けて先細り状の一対のテーパ面６４ａ、６４ｂ（図１６参照）を含む。一対のテーパ面６４ａ、６４ｂは、逆Ｖ字状の断面形状を有する。純水Ｌ３の供給を停止した後に、純水Ｌ３を重力によって斜め下に落とすことができ、純水Ｌ３をバッフルプレート６４の上から除去できる。なお、ノズルユニット６０の上に残る洗浄膜Ｆは、重力によってノズル６１Ａ、６１Ｂの内部に吸引される。洗浄膜Ｆの乾燥を抑制でき、洗浄膜Ｆの残渣によるパーティクルの発生を抑制できる。
　図１５に示すように、リング６２の上端の高さに比べて、バッフルプレート６４の下面６４ｃ（図１６参照）の高さが低い。バッフルプレート６４によってリング６２の内部に純水Ｌ３を跳ね返し、リング６２の内部に純水Ｌ３を確実に溜めることができる。より好ましくは、リング６２の上端の高さに比べて、バッフルプレート６４の上端６４ｄ（図１６参照）の高さが低い。リング６２の内部にバッフルプレート６４を収容でき、バッフルプレート６４と基板Ｗの干渉を抑制できる。
　バッフルプレート６４の下面６４ｃは、図１６に示すように平坦であってもよいが、図１７に示すようにノズル１６Ｂに相対する円錐状のくぼみ６４ｅを含んでもよい。くぼみ６４ｅによって下向きの流れを形成でき、リング６２の内部に純水Ｌ３を確実に溜めることができる。
　図１８に示すように、くぼみ６４ｄからテーパ面６４ａ、６４ｂまで横方向にバッフルプレート６４を貫通する貫通穴６４ｆ、６４ｇが形成されてもよい。貫通穴６４ｇ、６４ｇによって横向きの流れを形成でき、テーパ面６４ａ、６４ｂに付着したパーティクルを押し流すことができる。
　以上、本開示に係る基板処理方法及び基板処理装置の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
　例えば、上記実施形態及び上記変形例では、第１薬液Ｌ１と第２薬液Ｌ２とを順番に基板Ｗの下面Ｗｂに供給した後に、洗浄膜Ｆの形成を行うが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、第１薬液Ｌ１の供給と第２薬液Ｌ２の供給との間、例えばステップＳ１０２で、洗浄膜Ｆの形成を行ってもよい。
　また、上記実施形態及び上記変形例では、第１薬液Ｌ１と第２薬液Ｌ２の両方を基板Ｗの下面Ｗｂに供給するが、第１薬液Ｌ１のみを供給してもよい。ノズルユニット６０の上に付着した第１薬液Ｌ１の液滴を、洗浄膜Ｆで除去できる。第１薬液Ｌ１の液滴が乾燥すると、残渣によってパーティクルが発生しうる。第１薬液Ｌ１の液滴の乾燥前に、第１薬液Ｌ１の液滴を洗浄膜Ｆで除去すれば、パーティクルの発生を抑制できる。
　本出願は、２０２０年４月１０日に日本国特許庁に出願した特願２０２０－０７１０７０号と、２０２１年２月１日に日本国特許庁に出願した特願２０２１－０１４５１９号と、に基づく優先権を主張するものであり、特願２０２０－０７１０７０号と特願２０２１－０１４５１９号の全内容を本出願に援用する。
６０　ノズルユニット
６１Ａ　ノズル
６１Ｂ　ノズル
Ｆ　　洗浄膜
Ｌ１　第１薬液
Ｌ２　第２薬液
Ｌ３　純水
Ｗ　　基板
Ｗａ　上面
Ｗｂ　下面

Claims (15)

  1. 　基板を水平に保持すると共に回転した状態で、前記基板の下面中央に対向配置される複数のノズルを含むノズルユニットから、前記基板の下面に、酸性又はアルカリ性の第１薬液と、純水と、をこの順番で供給することと、
    　前記基板を水平に保持すると共に回転し、前記基板を乾燥させることと、
    　前記第１薬液の供給後、前記基板の乾燥前に、前記ノズルユニットの一の前記ノズルから純水を吐出し、前記ノズルユニットの全ての前記ノズルを覆う純水の洗浄膜を前記ノズルユニットの上に形成することと、を有する、基板処理方法。
  2. 　前記洗浄膜の形成中に、前記洗浄膜と、前記基板の前記下面とを隔てる空間が形成される、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記ノズルユニットの一の前記ノズルが前記基板の前記下面に純水を供給する間に、前記ノズルユニットの別の前記ノズルが前記洗浄膜を形成する、請求項１又は２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記ノズルユニットの全ての前記ノズルを囲むリングの内部に純水を溜め、前記洗浄膜を形成する、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  5. 　前記洗浄膜の形成中に、前記リングの内部から外部に純水をオーバーフローさせることを含む、請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 　前記洗浄膜を形成する前記ノズルから上向きに吐出した純水を、前記基板よりも下方に設置したバッフルプレートで受け止め、上向きから横向きに方向転換させることを含む、請求項５に記載の基板処理方法。
  7. 　前記バッフルプレートは、上方に向けて先細り状の一対のテーパ面を含む、請求項６に記載の基板処理方法。
  8. 　前記バッフルプレートは、前記洗浄膜を形成する前記ノズルに相対する円錐状のくぼみを下面に含む、請求項６又は７に記載の基板処理方法。
  9. 　前記バッフルプレートは、上方に向けて先細り状の一対のテーパ面を含み、前記洗浄膜を形成する前記ノズルに相対する円錐状のくぼみを下面に含み、
    　前記くぼみから前記テーパ面まで横方向に前記バッフルプレートを貫通する貫通穴が形成されている、請求項６に記載の基板処理方法。
  10. 　前記バッフルプレートの下面の高さは、前記リングの上端の高さよりも低い、請求項６～９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  11. 　前記基板の乾燥前に、前記ノズルユニットの上から前記洗浄膜を除去することを含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  12. 　前記洗浄膜は、予め温調された純水で形成される、請求項１～１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  13. 　前記ノズルユニットは、前記第１薬液と、前記第１薬液とは異なる第２薬液とを、順番に前記基板の前記下面に供給し、その後に、前記洗浄膜の形成を行い、
    　前記第１薬液と前記第２薬液は、一方が酸性であり、他方がアルカリ性である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  14. 　前記基板の上面に、前記第１薬液と、純水と、有機溶剤と、をこの順番で供給することを有し、
    　前記有機溶剤の供給中に、前記洗浄膜の形成を行う、請求項１～１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  15. 　基板を水平に保持する保持部と、
    　前記保持部を回転させる回転部と、
    　前記保持部で水平に保持された前記基板の下面中央に対向配置される複数のノズルを含むノズルユニットと、
    　前記ノズルユニットに対して、酸性又はアルカリ性の第１薬液と、純水と、を供給する流体供給ユニットと、
    　前記回転部と前記流体供給ユニットを制御する制御部と、を有し、
    　前記制御部は、
    　前記基板を水平に保持すると共に回転した状態で、前記ノズルユニットから前記基板の下面に、前記第１薬液と純水とをこの順番で供給することと、
    　前記基板を水平に保持すると共に回転させ、前記基板を乾燥させることと、
    　前記第１薬液の供給後、前記基板の乾燥前に、前記ノズルユニットの一の前記ノズルから純水を吐出し、前記ノズルユニットの全ての前記ノズルを覆う純水の洗浄膜を前記ノズルユニットの上に形成することと、を実施する、基板処理装置。
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